CN110828631B - 发光装置以及显示装置 - Google Patents
发光装置以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110828631B CN110828631B CN201910721110.XA CN201910721110A CN110828631B CN 110828631 B CN110828631 B CN 110828631B CN 201910721110 A CN201910721110 A CN 201910721110A CN 110828631 B CN110828631 B CN 110828631B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- main surface
- emitting device
- substrate
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 114
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光装置以及使用该发光装置的显示装置,实现俯视中的小型化。本发明的发光装置(A1)的特征为,具备具有在z方向上相互朝向相反侧的元件主面(1a)及元件背面(1b)的发光元件(1)、搭载发光元件(1)的支撑部件(2)、形成在支撑部件(2)上且覆盖发光元件(1)的透光性树脂(8),支撑部件(2)具备具有朝向与元件主面(1a)相同的方向的基材主面(3a)及朝向与元件背面(1b)相同的方向的基材背面(3b)的基材(3)、包括分别与发光元件(1)导通且配置于基材(3)的第一配线(41)以及第二配线(42)的配线图案(4),发光元件(1)以元件背面(1b)与基材主面(3a)对置的姿势搭载。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置以及使用该发光装置的显示装置。
背景技术
在专利文献1中公开了现有的发光装置的一例。专利文献1中记载的发光装置具备形成有凹部的树脂容器(支撑部件)、以一部分从凹部的底面露出的方式设置的一对导线(配线图案)、在凹部的底面搭载于一根导线并被收纳于凹部中的半导体发光元件(发光元件)、以覆盖凹部的方式设置的封闭树脂。在以下,将上述凹部称为收纳凹部。在这样的发光装置中,收纳凹部的壁面作为相对于发光装置的厚度方向倾斜并反射来自半导体发光元件的射出光束的反射板而发挥功能。该发光装置如作为显示装置的光源使用。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2010-67862号公报
近年来,显示装置伴随其小型化、显示内容的密集化的倾向而渐渐缩小发光装置的安装面积。因此,要求发光装置的俯视尺寸的缩小。可是,现有的发光装置由于形成有壁面倾斜的收纳凹部,因此缩小俯视尺寸并不容易。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而想出的发明,其目的在于提供一种实现俯视中的小型化的发光装置以及使用该发光装置的显示装置。
由本发明的第一方案提供的发光装置的特征为,具备具有在第一方向上相互朝向相反侧的元件主面以及元件背面的发光元件、搭载上述发光元件的支撑部件、形成在上述支撑部件上并覆盖上述发光元件的透光性树脂,上述支撑部件具备具有朝向与上述元件主面相同方向的基材主面以及朝向与上述元件背面相同方向的基材背面的基材、分别与上述发光元件导通且包括配置于上述基材的第一配线以及第二配线的配线图案,上述发光元件以上述元件背面与上述基材主面对置的姿势搭载。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述透光性树脂包括进行上述发光元件发出的光的聚光控制的透镜部、在上述第一方向上介于上述支撑部件与上述透镜部之间且覆盖上述发光元件的基部,上述支撑部件的上述第一方向的尺寸比上述基部的上述第一方向的尺寸大。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述支撑部件的上述第一方向的尺寸是上述基部的上述第一方向的尺寸的1.29~2.86倍。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基部的上述第一方向的尺寸比上述透镜部的上述第一方向的尺寸小。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述透镜部的上述第一方向的尺寸是上述基部的上述第一方向的尺寸的1.42~2.57倍。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基部的上述第一方向的尺寸是上述发光元件的上述第一方向的尺寸的1.05~5.17倍。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基部是方锥台形,上述透镜部是向上述第一方向鼓起的圆顶状。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述发光元件的上述第一方向的尺寸是0.06mm~0.20mm。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基材包括在上述第一方向上层叠的多个玻璃纤维布和被上述多个玻璃纤维布浸渍的浸渍树脂。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基材层叠4个以上的上述玻璃纤维布。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述基材分别具有在与上述第一方向正交的第二方向上相互朝向相反侧且连接于上述基材主面以及上述基材背面的第一侧面以及第二侧面,上述基材的上述第二方向的尺寸比上述透光性树脂的上述第二方向的尺寸大。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述第一配线包括与上述发光元件导通并与上述基材主面连续的第一主面部、连接于上述第一主面部并与上述第一侧面连续的第一侧部以及连接于上述第一侧部并与上述基材背面连续的第一背面部。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述第一侧面包括第一平坦部、从上述第一平坦部凹陷且从上述基材主面到达上述基材背面的第一凹部,上述第一侧部与上述第一凹部连续。
在上述发光装置的优选的实施方式中,还具备连接于上述发光元件和上述第一配线的电线,上述发光元件形成有从上述元件主面露出且接合了上述电线的一端的主面电极,上述第一主面部包括接合了上述电线的另一端的引线接合部。
在上述发光装置的优选的实施方式中,还具备由绝缘性材料构成的第一绝缘膜,上述第一主面部包括向与上述第一方向以及第二方向双方正交的第三方向延伸的第一延伸部,上述第一延伸部在上述第一方向上观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘,上述第一绝缘膜包括形成在上述第一延伸部上且从上述透光性树脂露出的第一露出部,上述第一露出部在上述第一方向上观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述第二配线包括与上述发光元件导通并与上述基材主面连续的第二主面部、连接于上述第二主面部并与上述第二侧面连续的第二侧部、连接于上述第二侧部并与上述基材背面连续的第二背面部。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述第二侧面包括第二平坦部、从上述第二平坦部凹陷且从上述基材部到达上述基材背面的第二凹部,上述第二侧部与上述第二凹部连续。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述第二主面部包括接合了上述发光元件的管芯焊接部。
在上述发光装置的优选的实施方式中,上述发光元件形成有从上述元件背面露出的背面电极,该发光装置还具备介于上述背面电极与上述管芯焊接部之间并将这些导通接合的接合层。
在上述发光装置的优选的实施方式中,还具备由绝缘性材料构成的第二绝缘膜,上述第二主面部包括向与上述第一方向以及上述第二方向双方正交的第三方向延伸的第二延伸部,上述第二延伸部在上述第一方向观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘,上述第二绝缘膜包括形成在上述第二延伸部上并从上述透光性树脂露出的第二露出部,上述第二露出部在上述第一方向上观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘。
由本发明的第二方案提供的显示装置的特征为,具备由上述第一方案提供的发光装置、安装上述发光装置的安装基板、相对于上述安装基板在上述发光装置所处的一侧包围上述发光装置的周围的外壳,在上述第一方向上,在上述安装基板与上述外壳之间设置间隙,上述发光装置的上述支撑部件的上述第一方向的尺寸比上述间隙的长度大。
本发明的效果如下。
根据本发明的发光装置能够实现俯视中的小型化。另外,根据本发明的显示装置,由于能够使用实现了俯视中的小型化的发光装置,因此也能够与伴随显示装置小型化、显示内容的密集化的发光装置的安装面积的缩小对应。
附图说明
图1是表示第一实施方式的发光装置的主视图。
图2是表示第一实施方式的发光装置的侧视图(左侧视图)。
图3是表示第一实施方式的发光装置的侧视图(右侧视图)。
图4是表示第一实施方式的发光装置的俯视图。
图5是在图4所示的俯视图中省略透光性树脂8的图。
图6是表示第一实施方式的发光装置的仰视图。
图7是沿图4的VII-VII线的剖视图。
图8是将图7的一部分放大的局部放大剖视图,表示发光元件的剖面结构。
图9是将图7的一部分放大的局部放大剖视图。
图10是将图7的一部分放大的局部放大剖视图。
图11是沿图4的XI-XI线的剖视图。
图12是沿图5的XII-XII线的局部剖视图。
图13是用于说明发光装置的焦点距离的图。
图14是表示使用第一实施方式的发光装置的显示装置的剖面示意图。
图15是在显示装置中表示光泄漏量与支撑部件的z方向尺寸的关系的图。
图16是表示第一实施方式的发光装置的变形例的俯视图。
图17是表示第二实施方式的发光装置的俯视图(省略透光性树脂)。
图18是表示第二实施方式的发光装置的仰视图。
图19是沿图17的XIX-XIX线的剖视图。
图20是将图19的一部分放大的局部放大剖视图,表示发光元件的剖面结构。
图中:A1、A1’、A2—发光装置,1—发光元件,1a—元件主面,1b—元件背面,1c—元件侧面,1d—凹部,11—元件基板,12—半导体层,121—n型半导体层,122—p型半导体层,123—发光层,13—第一电极,14—第二电极,2—支撑部件,3—基材,3a—基材主面,3b—基材背面,3c、3d、3e、3f—基材侧面,31—玻璃纤维布,32—浸渍树脂,331—第一平坦部,332—第一凹部,341—第二平坦部,342—第二凹部,4—配线图案,41—第一配线,411—第一主面部,411a—引线接合部,411b—第一端缘部,411c—第一连结部,411d—第一延伸部,411z—第一对置缘,412—第一侧部,413—第一背面部,413a~413d—边界缘,413e—角部,413z—第一凸部,414—第一切口部,415a、415b—弯曲部,42—第二配线,421—第二主面部,421a—管芯焊接部,421b—第二端缘部,421c—第二连结部,421d—第二延伸部,421e—引线接合部,421z—第二对置缘,422—第二侧部,423—第二背面部,423a~423d—边界缘,423e—角部,423z—第二凸部,425a~425d—弯曲部,5—保护层,51—第一绝缘膜,51a、51b—锥面,511—第一中间部,512—第一露出部,513—凹陷,52—第二绝缘膜,52a、52b—锥面,521—第二中间部,522—第二露出部,523—凹陷,524—避让部,59—极性标记,59a~59e—边界缘,6—电线,61—第一电线,62—第二电线,7—接合层,71—角焊缝,8—透光性树脂,81—基部,811—第一面,812—第二面,82—透镜部,B1—显示装置,91—安装基板,92—外壳,921—开口。
具体实施方式
关于本发明的发光装置以及显示装置的优选实施方式,以下参照附图进行说明。
图1~图12表示第一实施方式的发光装置。第一实施方式的发光装置A1具备发光元件1、支撑部件2(基材3、配线图案4以及保护层5)、电线6、接合层7以及透光性树脂8。为了便于说明,在图1~图12中,将相互正交的三个方向定义为x方向、y方向、z方向。z方向是发光装置A1的厚度方向。x方向是发光装置A1的俯视图(参照图4)中的左右方向。y方向是发光装置A1的俯视图(参照图4)中的上下方向。并且,根据需要将x方向的一侧作为x1方向、将x方向的另一侧作为x2方向。同样,将y方向的一侧作为y1方向,将y方向的另一侧作为y2方向,将z方向的一侧作为z1方向,将z方向的另一侧作为z2方向。z方向、x方向、y方向分别相当于技术方案中所记载的“第一方向”、“第二方向”、“第三方向”。
图1是发光装置A1的主视图。图2是发光装置A1的侧视图,是从x1方向朝向x2方向观察发光装置A1的情况的左侧视图。图3是发光装置A1的侧视图,是从x2方向朝向x1方向观察发光装置A1的情况下的右侧视图。图4是发光装置A1的俯视图。图5是在图4所示的俯视图中省略了透光性树脂8的图。并且,在图5中,用假想线(双点划线)表示透光性树脂8、且透过保护层5。图6是发光装置A1的仰视图。图7是沿图4的VII-VII线的剖视图。图8是将图7的一部分放大的局部放大剖视图,表示发光元件A1的剖面结构。并且,图8所示的发光元件A1的剖面结构是示意地表示的结构,图示的各部分的尺寸并不是严密的尺寸。图9是将图7中的一部分放大的局部放大剖视图。图10是将图7的一部分放大的局部放大剖视图。图11是沿图4的XI-XI线的剖视图。图12是沿图5的XII-XII线的局部剖视图。
发光装置A1是安装于电子设备、显示装置等的安装基板上的形式的装置。发光装置A1是向z方向观察(以下,也称为“俯视”)、将x方向作为长边、将y方向作为短边的矩形形状。在本实施方式中,发光装置A1的x方向尺寸大约为1.6mm,y方向尺寸大约为0.8mm。
发光元件1是作为发光装置A1的光源的电子部件。在本实施方式中,发光元件1是所谓的LED芯片。发光元件1是俯视矩形形状。在本实施方式中,发光元件1的x方向尺寸以及y方向尺寸均约为0.15~0.31mm。另外,发光元件1的z方向尺寸(图12所示的L1)约为0.06~0.20mm。
发光元件1具备元件主面1a、元件背面1b以及多个元件侧面1c。元件主面1a以及元件背面1b在z方向上离开且相互朝向相反侧。多个元件侧面1c的各个被元件主面1a以及元件背面1b夹持且连接于这些元件。在本实施方式中,发光元件1具有在x方向上离开且朝向相反侧的一对元件侧面1c以及在y方向上离开且朝向相反侧的一对元件侧面1c。
在本实施方式中,如图8所示,发光元件1是在由半导体材料构成的元件基板11上层叠n型半导体层121、p型半导体层122以及发光层123等的多个半导体层12的结构。在本实施方式中,在元件基板11上形成n型半导体层121,在n型半导体层121上形成发光层123,并且,在发光层123上形成p型半导体层122。由此,发光层123被n型半导体层121与p型半导体层122夹持。作为构成元件基板11的半导体材料例如举出GaAs(砷化镓)或Si(硅)等。发光元件1的z方向尺寸L1通过变更元件基板11的z方向尺寸而调整。
另外,发光元件1包括第一电极13以及第二电极14。例如,第一电极13是发光元件1的阳极电极,第二电极14是发光元件1的阴极电极。并且,可以是相反的。在本实施方式中,第一电极13在元件主面1a上露出。第一电极13是发光元件1的主面电极。另外,第二电极14在元件背面1b上露出。第二电极14是发光元件1的背面电极。第一电极13以及第二电极14均由例如在Ti(钛)层上层叠了Au(金)层的金属层而构成,但并不限于此。
支撑部件2是支撑发光元件1以及透光性树脂8的部件。支撑部件2是俯视矩形形状。支撑部件2的x方向尺寸约为1.6mm,y方向尺寸约为0.8mm。另外,支撑部件2的z方向尺寸(图1所示的L2)约为0.4~0.6mm。在本实施方式中,支撑部件2具备基材3、配线图案4以及保护层5。
基材3是作为支撑部件2的基础的部分,由绝缘性的材料构成。在本实施方式中,在基材3中含有在z方向上层叠的多个玻璃纤维布31、被多个玻璃纤维布31浸渍的浸渍树脂32。玻璃纤维布31是将玻璃纤维织入而作为布的结构。浸渍树脂32含有环氧树脂或丙烯酸树脂。作为丙烯酸树脂,例如是聚甲基丙烯酸甲酯树脂。在本实施方式中,多个玻璃纤维布31是四层结构。在本实施方式中,基材3的z方向尺寸约为0.3~0.5mm。基材3的z方向尺寸例如能通过层叠的玻璃纤维布31的数量调整。另外,支撑部件2的大小(x方向、y方向以及z方向的各尺寸)主要依赖于基材3的大小。
如图5以及图6所示,基材3具有基材主面3a、基材背面3b以及多个基材侧面3c~3f。基材主面3a以及基材背面3b在z方向上离开且相互朝向相反侧。基材主面3a与发光元件1(元件背面1b)对置。多个基材侧面3c~3f的各个被基材主面3a以及基材背面3b夹持且连接于这些面。在本实施方式中,各基材侧面3c~3f的z1方向的端缘连接于基材主面3a,z2方向的端缘连接于基材背面3b。基材侧面3c与基材侧面3d在x方向上离开且相互朝向相反侧。在本实施方式中,基材侧面3c朝向x1方向,基材侧面3d朝向x2方向。基材侧面3c相当于技术方案中记载的“第一侧面”,基材侧面3d相当于技术方案中记载的“第二侧面”。基材侧面3e与基材侧面3f在y方向上离开且相互朝向相反侧。在本实施方式中,基材侧面3e朝向y1方向,基材侧面3f朝向y2方向。
如图2、图5~图7所示,基材侧面3c包括第一平坦部331以及第一凹部332。第一平坦部331在基材侧面3c上是平坦的部分。第一凹部332在基材侧面3c上是从第一平坦部331向基材3的内侧凹陷的部分。第一凹部332在俯视中大致为半圆状。第一凹部332从基材主面3a到达基材背面3b,在z方向上贯通基材3。第一凹部332例如在板状的基材3上形成在z方向上贯通的贯通孔。该贯通孔在俯视中为圆形形状。并且,通过以通过这些贯通孔的方式切断基材3,形成俯视中大致半圆形状的第一凹部332。并且,第一凹部332的形成方法并未限于此。
如图3、图5~图7所示,基材侧面3d包括第二平坦部341以及第二凹部342。第二平坦部341在基材侧面3d上是平坦的部分。第二凹部342在基材侧面3d上是从第二平坦部341向基材3的内侧凹陷的部分。第二凹部342在俯视中大致是半圆形状。第二凹部342从基材主面3a到达基材背面3d,在z方向上贯通基材3。第二凹部342的形成方法与第一凹部332的形成方法相同。
配线图案4构成用于向发光元件1供给电力的电流路径。配线图案4与发光元件1导通。配线图案4形成于基材3。配线图案4例如由Cu、Ni、Ti、Au等的单种类或多种类的金属构成。在本实施方式中,配线图案4是从靠近基材3的一方依次层叠Cu、Ni、Au的结构。并且,配线图案4的材料不限于此。配线图案4的形成方法并未特别限定,例如进行电镀处理。配线图案4包括第一配线41以及第二配线42。第一配线41与第二配线42分离。
第一配线41是配线图案4中的与发光元件1的第一电极13导通的部分。第一配线41包括第一主面部411、第一侧部412以及第一背面部413。
第一主面部411是第一配线41中的形成于基材主面3a的一部分的部分,与基材主面3的一部分抵接。第一主面部411包括引线接合部411a、第一端缘部411b、第一连结部411c以及第一延伸部411d。并且,第一主面部411的各部分的形状以及配置并未限于图示的内容。
引线接合部411a是将电线6的一端接合的部分。在本实施方式中,引线接合部411a是俯视矩形形状。引线接合部411a具有第一对置缘411z。第一对置缘411z在俯视中与第二配线42的一部分(具体的说,后述第二主面部421的管芯焊接部421a的周缘)对置。在第一对置缘411z与管芯焊接部421a的周缘之间设置预定的间隔。
第一端缘部411b覆盖基材主面3a的与第一凹部332连接的部分附近。在本实施方式中,第一端缘部411b是俯视半圆环状。第一端缘部411b的一部分从保护层5(后述的第一绝缘膜51)露出。
第一连结部411c是将引线接合部411a与第一端缘部411b连接的部分。第一连结部411c在俯视中是带状,直线状地向x方向延伸。并且,第一连结部411c的形状以及配置并未限于图示的内容。
第一延伸部411d是从第一连结部411c向y方向延伸的部分。第一延伸部411d从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。在本实施方式中,第一延伸部411d连接于第一端缘部411b以及第一连结部411c双方。第一延伸部411d的朝向z2方向的面是平坦的。
第一侧部412是第一配线41中的形成于基材侧面3c的一部分的部分,与基材侧面3c的一部分连续。在本实施方式中,第一侧部412作为基材侧面3c的一部分与第一凹部332的整体连续。由此,第一凹部332被第一侧部412覆盖。第一侧部412连接于第一主面部411(第一端缘部411b)以及第一背面部413双方。第一侧部412如以下那样形成。其在上述第一凹部332的形成过程中,在以通过贯通孔的方式切断基材3之前,以覆盖该贯通孔的所有表面的方式进行电镀处理。然后,通过切断基材3,通过该电镀处理而形成的金属膜成为第一侧部412,形成覆盖于第一凹部332的第一侧部412。
第一背面部413是第一配线41的形成于基材背面3b的一部分的部分,与基材背面3b的一部分连续。第一背面部413作为将发光装置A1安装于安装基板等上时的接合部位而使用。第一背面部413连接于第一侧部412。第一背面部413通过第一侧部412、第一主面部411(第一端缘部411b、第一连结部411c以及引线接合部411a)以及电线6与发光元件1的第一电极13电连接。如图6所示,第一背面部413的y方向的两端在俯视中位于比基材背面3b的周缘靠内侧。另外,第一背面部413包括在俯视中沿基材背面3b的第一凹部332的周缘形成的部分。
如图6所示,第一背面部413在俯视中具有多个边界缘413a~413d。一对边界缘413a在y方向上离开。在本实施方式中,如图6所示,一对边界缘413a分别是在俯视中沿x方向延伸的直线,但既可以相对于x方向倾斜,也可以是曲线。边界缘413b连接于一对边界缘413a的各个,并被这些边界缘夹持。在本实施方式中,如图6所示,边界缘413b在俯视中是沿y方向延伸的直线,但既可以相对于y方向倾斜,也可以是曲线。边界缘413b的y1方向的端缘连接于y1方向侧的边界缘413a的x2方向的端缘,y2方向的端缘连接于y2方向侧的边界缘413a的x2方向的端缘。一对边界缘413c在y方向上离开。一对边界缘413c的各个在俯视中沿基材侧面3c的第一凹部332弯曲。一对边界缘413c在俯视中从基材侧面3c连接于一对边界缘413d的任意一个。一对边界缘413d在y方向上离开。y1方向侧的边界缘413d分别连接于y1方向侧的边界缘413a以及y1方向侧的边界缘413c。y2方向侧的边界缘413d分别连接于y2方向侧的边界缘413a以及y2方向侧的边界缘413c。在本实施方式中,各边界缘413d相对于各边界缘413a大致正交。
第二配线42是配线图案41的与发光元件1的第二电极14导通的部分。第二配线42与发光元件1的第二电极14导通。第二配线42包括第二主面部421、第二侧部422以及第二背面部423。
第二主面部421是第二配线42中的形成于基材主面3a的一部分的部分,与基材主面3a的一部分抵接。第二主面部421包括管芯焊接部421a、第二端缘部421b、第二连结部421c以及第二延伸部421d。并且,第二主面部421的各部分的形状以及配置并未限于图示的内容。
管芯焊接部421a是支撑发光元件1的部分。在管芯焊接部421a上通过接合层7接合发光元件1。管芯焊接部421a与发光元件1的元件背面1b对置。另外,管芯焊接部421a通过接合层7与第二电极14导通。在本实施方式中,如图5所示,管芯焊接部421a是俯视圆形形状。并且,管芯焊接部421a的俯视形状并未限于圆形,也可以是矩形形状、多边形状。
第二端缘部421b覆盖基材主面3a中的与第二凹部342连接的部分附近。在本实施方式中,第二端缘部421b是俯视半圆形状。
第二连结部421c是将管芯焊接部421a与第二端缘部421b连接的部分。第二连结部421c在俯视中是带状,直线状地向x方向延伸。在本实施方式中,第二连结部421c在俯视中形成于基材主面3a的y方向中央。另外,第二连结部421c从x方向观察不与第一连结部411c重合。
第二延伸部421d是从第二连结部421c向y方向延伸出去的部分。第二延伸部421d从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。在本实施方式中,第二延伸部421d连接于第二端缘部421b以及第二连结部421c双方。第二延伸部421d的朝向z2方向的面是平坦的。
第二侧部422是第二配线42中的形成于基材侧面3d的一部分的部分,与基材侧面3d的一部分连续。在本实施方式中,第二侧部422作为基材侧面3d的一部分与第二凹部342的整体连续。因此,第二凹部342被第二侧部422覆盖。第二侧部422连接于第二主面部421(第二端缘部421b)以及第二背面部423双方。第二侧部422如以下的形式形成。其在上述第二凹部342的形成过程中,在以通过贯通孔的方式切断基材3之前,以覆盖该贯通孔的所有表面的方式进行电镀处理。然后,通过切断基材3,通过该电镀处理而形成的金属膜成为第二侧部422,形成覆盖于第二凹部342的第二侧部422。
第二背面部423是第二配线42中的形成于基材背面3b的一部分的部分,与基材背面3b的一部分连续。第二背面部423与第一背面部413离开。第二背面部423作为将发光装置A1安装于安装基板等上时的接合部位而使用。第二背面部423连接于第二侧部422。第二背面部423通过第二侧部422、第二主面部421(第二端缘部421b、第二连结部421c以及管芯焊接部421a)以及接合层7与发光元件1的第二电极14电连接。如图6所示,第二背面部423的y方向的两端在俯视中位于比基材背面3b的周缘靠内侧。另外,第二背面部423包括在俯视中沿基材背面3b的第二凹部342的周缘而形成的部分。
如图6所示,第二背面部423在俯视中具有多个边界缘423a~423d。一对边界缘423a在y方向上离开。如图6所示,在本实施方式中,在俯视中一对边界缘423a分别是沿x方向延伸的直线,但既可以相对于x方向倾斜,也可以是曲线。边界缘423b连接于一对边界缘423a的各个,并被这些边界缘夹持。如图6所示,在本实施方式中,边界缘423b是在俯视中沿y方向延伸的直线,但既可以相对于y方向倾斜,也可以是曲线。边界缘423b中的y1方向的端缘连接于y1方向侧的边界缘423a的x1方向的端缘,y2方向的端缘连接于y2方向侧的边界缘423a的x1方向的端缘。一对边界缘423c在y方向上离开。一对边界缘423c的各个在俯视中分别沿基材侧面3d的第二凹部342弯曲。一对边界缘423c在俯视中分别从基材侧面3d连接于一对边界缘423d的任意一个。一对边界缘423d在y方向上离开。y1方向侧的边界缘423d分别连接于y1方向侧的边界缘423a以及y1方向侧的边界缘423c。y2方向侧的边界缘423d分别连接于y2方向侧的边界缘423a以及y2方向侧的边界缘423c。在本实施方式中,各边界缘423d相对于各边界缘423a大致正交。
保护层5由具有绝缘性的材料构成。保护层5包括第一绝缘膜51、第二绝缘膜52以及极性标记59。第一绝缘膜51以及第二绝缘膜52均由如保护膜构成。第一绝缘膜51以及第二绝缘膜52将膜状的保护膜压紧而贴合,并且通过使贴合的膜状保护膜硬化而形成。
如图5、图7以及图9所示,第一绝缘膜51覆盖第一配线41的第一主面部411的一部分以及基材主面3a的一部分。如图5、图7以及图9所示,在本实施方式中,第一绝缘膜51包括第一中间部511以及第一露出部512。
第一中间部511是第一绝缘膜51中的形成于第一延伸部411d上、且被透光性树脂8覆盖的部分。第一中间部511在z方向上介于第一延伸部411d与透光性树脂8之间。第一中间部511除了朝向y方向的一对端面均被透光性树脂8覆盖。如图5所示,第一中间部511在俯视中从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。
第一露出部512是第一绝缘膜51中的形成于第一延伸部411d上、且从透光性树脂8露出的部分。第一露出部512连接于第一中间部511,配置于比第一中间部511靠外侧(x1方向)。如图5所示,第一露出部512在俯视中从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。
如图4以及图5所示,在本实施方式中,第一绝缘膜51包括凹陷513。凹陷513是在俯视中从第一绝缘膜51的x1方向侧的端缘向x2方向凹陷的部分。在本实施方式中,凹陷513配置于基材3的y方向中央。凹陷513沿基材侧面3c的第一凹部332弯曲。在本实施方式中,在俯视中,凹陷513与第一凹部332的x方向中的离开距离d1(参照图5)比第一绝缘膜51的x1方向的端缘与基材侧面3c的第一平坦部331的x方向中的离开距离d2(参照图5)小。另外,第一绝缘膜51可以不包括凹陷513。
另外,在本实施方式中,如图9所示,第一绝缘膜51具有锥面51a、51b。锥面51a是朝向x2方向的面,相对于基材3的基材主面3a以倾斜角α1倾斜。锥面51b是朝向x1方向的面,相对于基材3的基材主面3a以倾斜角α2倾斜。如图9所示,本实施方式中的倾斜角α1、α2都为锐角。并且,倾斜角α1、α2各自并未限定,可以是大约直角或钝角。
如图5、图7以及图10所示,第二绝缘膜52覆盖第二配线42的第二主面部421的一部分以及基材主面3a的一部分。在本实施方式中,如图5、图7以及图10所示,第二绝缘膜52包括第二中间部521以及第二露出部522。
第二中间部521是第二绝缘膜52中的形成于第二延伸部421d上、且被透光性树脂8覆盖的部分。第二中间部521在z方向上介于第二延伸部421d与透光性树脂8之间。第二中间部521除了朝向y方向的一对端面之外均被透光性树脂8覆盖。如图5所示,第二中间部521在俯视中从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。
第二露出部522是第二绝缘膜52中的形成于第二延伸部421d上、且从透光性树脂8露出的部分。第二露出部522连接于第二中间部521,配置于比第二中间部521靠外侧(x2方向)。如图5所示,第二露出部522在俯视中从基材主面3a的y1方向的端缘连接至基材主面3a的y2方向的端缘。
另外,在本实施方式中,如图10所示,第二绝缘膜52具备锥面52a、52b。锥面52a是朝向x1方向的面,相对于基材3的基材主面3a以倾斜角β1倾斜。锥面52b是朝向x2方向的面,相对于基材3的基材主面3a以倾斜角β2倾斜。如图10所示,本实施方式中的倾斜角β1、β2都为锐角。并且,倾斜角β1、β2的各个并未限定,可以是大约直角或钝角。
如图6所示,极性标记59配置于基材3的基材背面3b。极性标记59在x方向中位于第一配线41的第一背面部413、第二配线42的第二背面部423之间。极性标记59作为判断发光装置A1的连接方向的记号而发挥功能。图6所示的极性标记59呈在俯视中向x2方向突出的凸字形的形状。并且,极性标记59的形状只要能判断发光装置A1的极性即可,并未特别限定。本实施方式中的极性是阳极与阴极。极性标记59例如由保护膜构成,但并未限于此。
如图6所示,极性标记59在俯视中具备多个边界缘59a~59e。如图6所示,在本实施方式中,各边界缘59a~59e为直线,但也可以是曲线。边界缘59a是极性标记59的x1方向的端缘,向y方向延伸。边界缘59a连接于一对边界缘59d且被这些边界缘夹持。边界缘59b是极性标记59的x2方向的端缘,向y方向延伸。边界缘59b连接于一对边界缘59e的各个且被这些边界缘夹持。边界缘59b比边界缘59a短,在x方向观察其全部与边界缘59a重合。一对边界缘59c的各自的一侧的端缘连接于一对边界缘59d的任一个,另一侧端缘连接于一对边界缘59e的任一个。一对边界缘59d在y方向上离开。y1方向侧的边界缘59d的x1方向的端缘连接于边界缘59a,x2方向的端缘连接于y1方向侧的边界缘59c。y2方向侧的边界缘59d的x1方向的端缘连接于边界缘59a,x2方向侧的端缘连接于y2方向侧的边界缘59c。在本实施方式中,一对边界缘59d分别相对于边界缘59a以及一对边界缘59c大致正交,但并未限于此。另外,如图6所示,一对边界缘59d在俯视中与一对边界缘413a以及一对边界缘423a排列在相同的直线上,但并未限于此,相比于该直线既可以配置于内侧,也可以配置于外侧。一对边界缘59e在y方向上分离。y1方向侧的边界缘59e的x1方向的端缘连接于y1方向侧的边界缘59c,x2方向的端缘连接于边界缘59b。y2方向侧的边界缘59e的x1方向的端缘连接于y2方向侧的边界缘59c,x2方向的端缘连接于边界缘59b。
电线6是用于将发光元件1与配线图案4导通的元件。电线6例如由Au、Cu、Al等的导电性金属构成。电线6例如通过使用毛细管的引线接合而接合。并且,电线6的接合方法并未限于此。电线6的一端接合于发光元件1的第一电极13,另一端接合于引线接合部411a。因此,通过电线6获得第一电极13(发光元件1)与引线接合部411a(第一配线41)的导通。
接合层7是将发光元件1与配线图案4的管芯焊接部421a导通接合的元件。通过接合层7,发光元件1以元件背面1b与基材主面3a对置的姿态搭载。接合层7介于发光元件1的元件背面1b(第二电极14)与管芯焊接部421a之间。接合层7具有导电性,例如由焊锡、银浆等形成。如图8所示,接合层7包括角焊缝71。
角焊缝71以从元件背面1b跨越各元件侧面1c的方式形成。角焊缝71覆盖各元件侧面1c的一部分。角焊缝71在各元件侧面1c上以从连接于元件背面1b的端缘向z2方向覆盖发光元件1的z方向尺寸的大概1/3~2/3的方式形成。
透光性树脂8覆盖发光元件1、配线图案4的一部分、保护层5的一部分、电线6以及接合层7。透光性树脂8由透过光束的树脂材料形成。作为这样的树脂材料举出透明或半透明的环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂或聚乙烯树脂等。另外,透光性树脂8可以是包括通过由来自发光元件1的光束激发而发出不同波长的光束的荧光材料的元件。透光性树脂8由转移模塑而形成。在本实施方式中,如图4所示,透光性树脂8的x方向尺寸比支撑部2的x方向尺寸小。透光性树脂8在俯视中的x方向尺寸约为1.14mm,y方向尺寸约为0.8mm。另外,透光性树脂8的z方向尺寸约为0.65~0.85mm。如图1~图4以及图7所示,透光性树脂8包括基部81以及透镜部82。
如图7所示,基部81覆盖发光元件1以及电线6、且被支撑部件2支撑。基部81例如是方锥台形状。在本实施方式中,基部81是与z方向正交的截面越从z2方向朝向z1方向侧而越大的方锥台。另外,基部81的形状并未限于方锥台,例如可以是长方体。基部81的z方向尺寸(图1所示的L81)约为0.21~0.31mm。在本实施方式中,如图1~图3、图9以及图10所示,基部81具有一对第一面811以及一对第二面812。
一对第一面811在x方向上离开,一个朝向x1方向,另一个朝向x2方向。如图1、图2以及图9所示,朝向x1方向的第二面812连接于朝向x1方向的第一面811与透镜部82。如图1、图3以及图10所示,朝向x2方向的第二面812连接于朝向x2方向的第一面811与透镜部82。如图9以及图10所示,一对第一面811以及一对第二面812在y方向上观察都向z方向倾斜。一对第一面811的各面相比于一对第二面812各面,相对于z方向的倾斜角大。
如图7所示,透镜部82相对于发光元件1在z方向上离开地配置。在透镜部82上连接于基部81。透镜部82以根据其形状向预定方向照射来自发光元件1的光束的方式进行聚光控制。如图1所示,透镜部82如在y方向上观察是半球体状,向z方向膨胀的圆顶形状。该半球体状部分的半径约为0.45~0.55mm。另外,透镜部82从连接于基部81的端缘至z2方向顶上部的z方向尺寸(图1所示的L82)约为0.44~0.54mm。由此,在本实施方式中,透镜部82并不是完全的半球体。另外,也可以使透镜部82为完全的半球体。在本实施方式中,通过使透镜部82的形状为上述形状,向z2方向照射来自发光元件1的光束。
如上述,在发光装置A1中,基部81的z方向尺寸L81约为0.21~0.31mm,支撑部件2的z方向尺寸L2约为0.4~0.6mm。由此,透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81比支撑部件2的z方向尺寸L2小。另外,基部81的z方向尺寸L81、支撑部件2的z方向尺寸L2的比例(L81:L2)约为1:1.29~2.86。即,支撑部件2的z方向尺寸L2是基部81的z方向尺寸L81的约1.29~2.86倍。
如上述,在发光装置A1中,基部81的z方向尺寸L81约为0.21~0.31mm,透镜部82的z方向尺寸L82约为0.44~0.54mm。由此,透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81比透光性树脂8的透镜部82的z方向尺寸L82小。另外,基部81的z方向尺寸L81、透镜部82的z方向尺寸L82的比例(L81:L82)约为1:1.42~2.57。即,透镜部82的z方向尺寸L82是基部81的z方向尺寸L1的约1.42~2.57倍。
如上述,在发光装置A1中,发光元件1的z方向尺寸L1约为0.06~0.20mm,基部81的z方向尺寸L81约为0.21~0.31mm。由此,发光元件1的z方向尺寸L1比透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81小。另外,发光元件1的z方向尺寸L1、基部81的z方向尺寸L81的比例(L1:L81)约为1:1.05~5.17。即,基部81的z方向尺寸L81是发光元件1的z方向尺寸L1的约1.05~5.17倍。
在发光装置A1中,电线6的z2方向的端缘与元件主面1a的z方向的距离(图2所示的L6)将发光元件1的z方向尺寸L1设定为标准。以下,将上述距离(图12所示的L6)称为环高度L6。例如,在发光元件1的z方向尺寸L1约为0.06~0.20mm的情况下,以环高度L6约为0.10~0.17mm的方式形成电线6的环。即,相比较于发光元件1的z方向尺寸L1的设定范围缩小环高度L6的设定范围。在缩小发光元件1的z方向尺寸L1的情况下,若配合该z方向尺寸L1而缩小环高度L6,则施加在发光元件1上的电线6的接合部分的负载变大。另一方面,在增大发光元件1的z方向尺寸L1的情况下,若配合该z方向尺寸L1而增大环高度L6,则施加在第一主面部411的引线接合部411a上的电线6的接合部分的负载变大。因此,通过如上述设定环高度L6,能够降低向电线6的接合部分施加的负载。
在发光装置A1中,为了射出的光束的照射范围不会过小,以其半值角为40°以上的方式设计。例如,图13表示在发光元件1的z方向尺寸为0.17mm时半值角为90°的方式设计透镜部82的情况。在图13所示的一例中,透镜部82以焦点距离(图13中的Lfp)约为1.29mm的方式设计。另外,以从基材3的基材主面3a至焦点FP的距离(图13中的Lfp’)约为0.55mm的方式设计。
其次,关于使用第一实施方式的发光装置A1的显示装置B1进行说明。
显示装置B1具备发光装置A1、安装基板91以及外壳92。图14是表示显示装置B1的剖面示意图。图14所示的显示装置B1例如使用于车辆仪表盘,发光装置A1作为显示装置B1的光源而使用。
在安装基板91上配置配线(省略图示)等。发光装置A1通过焊锡(省略图示)等安装于安装基板91。在发光装置A1安装于安装基板91时,基材3的基材背面3b与安装基板91对置。
外壳92相对于安装基板91,在发光装置A1所位于的一侧包围发光装置A1的周围。外壳92的构成材料例如是丙烯酸树脂等的合成树脂。外壳92由注塑成形而形成。在外壳92中设置开口921。开口921位于外壳92的z方向两端中与邻接于安装基板91的一侧相反的一侧。开口921在z方向上贯通。另外,在显示装置B1中,可以是开口921被透光板(省略图示)堵塞的结构。
在z方向中,在安装基板91与外壳92之间设置间隙Δg。发光装置A1的支撑部件2的z方向尺寸L2比间隙Δg的长度大。另外,支撑部件2的z方向尺寸L2优选是间隙Δg的长度的2倍以上。
其次,关于第一实施方式的发光装置A1以及显示装置B1的作用效果进行说明。
根据发光装置A1,具备搭载发光元件1的支撑部件2,支撑部件2具备基材3。并且,发光元件1与基材3的基材主面3a对置。因此,发光元件1配置在基材3上,在基材3中没有形成用于收纳发光元件1的收纳凹部。通过采用该结构,由于不存在因收纳凹部而产生的制约,因此能够实现俯视中的小型化。
根据发光装置A1,透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81比支撑部件2的z方向尺寸L2小。即,支撑部件2的z方向尺寸L2比基部81的z方向尺寸L81大。由此,在显示装置B1中,使支撑部件2的z方向尺寸比安装基板91与外壳92之间的间隙Δg大。图15表示作为从间隙Δg露出的光泄漏量与支撑部件2的z方向尺寸L2的关系、本申请发明人进行的试验结果。在图15中,横轴表示支撑部件2的z方向尺寸L2,纵轴是从间隙Δg漏出的光泄漏量,是支撑部件2的z方向尺寸L2为0.3mm时为100%的情况下的比例。另外,在该试验中,使间隙Δg约为0.2mm。如图15所示,本申请发明人发明,越使支撑部件2的z方向尺寸L2大于间隙Δg,越能够降低从间隙Δg漏出的光泄漏量的情况。因此,通过使发光装置A1的支撑部件2的z方向尺寸L2比间隙Δg的长度大,发光装置A1能够抑制从发光装置A1射出、且从间隙Δg漏出的光束量。
根据发光装置A1,支撑部件2的z方向尺寸L2是透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81的约1.29~2.86倍。例如,在支撑部件2的z方向尺寸L2比该范围小的情况下,难以适当地抑制在显示装置B1中从上述间隙Δg漏出的光束量。另一方面,在支撑部件2的z方向尺寸L2比该范围大的情况下,支撑部件2的z方向尺寸L2变大,发光装置A1整体的z方向尺寸会变大。其结果,在将发光装置A1安装于安装基板91上时会变得不稳定。因此,通过使支撑部件2的z方向尺寸L2为透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81的约1.29~2.86倍,在显示装置B1中,能够抑制从间隙Δg漏出的光束量、且能消除向安装基板91安装时的发光装置A1的不稳定。
根据发光装置A1,支撑部件2的z方向尺寸L2约为0.4~0.6mm。例如,在支撑部件2的z方向尺寸L2比该范围小的情况下,难以适当地抑制在显示装置B1中从上述的间隙Δg中漏出的光束量。另一方面,在支撑部件2的z方向尺寸L2比该范围大的情况下,会产生由于第一侧部412而不能获得第一主面部411以及第一背面部413的导通、或者由于第二侧部422而不能获得第二主面部421以及第二背面部423的导通的情况。具体的说,第一侧部412以及第二侧部422在发光装置A1的制造过程中通过以覆盖之后成为第一凹部332以及第二凹部342的设置于基材3上的贯通孔的全部表面的方式进行电镀处理的方式而形成。此时,若支撑部件2的z方向尺寸L2大,则设置于基材3上的贯通孔深度也变大,该贯通孔的深度越大贯通孔所有表面未通过上述电镀处理被电镀覆盖的可能性越高。其结果,产生第一侧部412与第一背面部413不连接而因第一侧部412不能获得第一主面部411以及第一背面部413的导通的问题、第二侧部422与第二背面部423不连接而因第二侧部422不能获得第二主面部421以及第二背面部423的导通的问题。因此,通过使支撑部件2的z方向尺寸L2约为0.4~0.6mm,在显示装置B1中能够抑制从间隙Δg漏出的光束量、且消除上述导通不良的问题。
根据发光装置A1,发光元件1的x方向尺寸以及y方向尺寸都约为0.15~0.31mm。发光元件1的俯视面积越小,对发光装置A1的俯视中的小型化越有利,另一方面,其俯视的面积越大就越能提高从发光装置1发出的光的光度。在本实施方式中,通过如上述使发光元件1的俯视尺寸约为0.15~0.31mm,发光装置A1能够实现小型化、且确保射出的光束的光度。
根据发光装置A1,发光元件1的z方向尺寸L1约为0.06~0.20mm。另外,透光性树脂8包括在z方向上从发光元件1离开的透镜部82,通过该透镜部82对从发光元件1发射的光束进行聚光控制。本申请发明人发现使发光元件1的z方向尺寸L1越大、即从发光元件1至透镜部82的距离越小而从发光装置A1射出的光束的光度就越低、且半值角越大。另一方面,发现使发光元件1的z方向尺寸L1越小、即从发光元件1至透镜部82的距离越大而从发光装置A1射出的光束的光度就越高、且半值角越小。例如,在发光元件1的z方向尺寸L1为0.13mm的情况下,相比较于发光元件1的z方向尺寸L1为0.17mm的情况,会清楚从发光装置A1射出的光束的光度会提高约36%。另外,发光在发光元件1的z方向尺寸L1为0.13mm的情况下半值角约为60°,发光元件1的z方向尺寸L1为0.17mm的情况下半值角约为90°。从以上内容中,通过使发光元件1的z方向尺寸L1约为0.06~0.20mm,发光装置A1确保射出的光束的光度、且半值角不会过小(在本实施方式中不会为40%以下)。可是,在使射出的光束的光度优先的情况下,优选使发光装置1的z方向尺寸L1大约为0.06~0.13mm。而且,由于通过发光元件1的z方向尺寸L1的调整而调整射出的光束的光度以及半值角,因此不会进行发光元件1的俯视尺寸的变更、透镜部82形状的变更,原有包装的挪用与抑制成本增高成为可能。
另外,根据发光装置A1,发光元件1通过形成角焊缝71的接合层7而接合。由此,能够实现发光元件1的接合强度的提高。另外,在形成该角焊缝71的方案中,通过使发光元件1的z方向尺寸L1大约为0.10mm以上,能够抑制在元件主面1a上形成角焊缝71。
根据发光装置A1,透光性树脂8的基部81的z方向尺寸L81是发光元件1的z方向尺寸L1的约1.05~5.17倍。通过为该结构,能够增大从发光元件1至透镜部82的z方向中的距离。
根据发光装置A1,具备包括第一中间部511以及第二露出部512的第一绝缘膜51。第一中间部511在z方向上介于第一配线41的第一主面部411(第一延伸部411d)与透光性树脂8之间。第一露出部512连接于第一中间部511、且从透光性树脂8中露出。另外,第一中间部511以及第一露出部512在俯视中从基材侧面3e连接至基材侧面3f。由此,在通过对透光性树脂8进行转移模塑而形成时,金属模具压入形成于第一延伸部411d上的第一绝缘膜51的一部分(第一露出部512),金属模具与第一露出部512密合。因此,在第一露出部512上未形成透光性树脂8,第一露出部512从透光性树脂8露出。因此,在转移模塑中能够抑制已软化的透光性树脂8的材料漏出的情况。并且,此时,未通过进行模具压入而在形成于第一延伸部411d上的第一绝缘膜51的一部分(第一中间部511)上在与该金属模具之间产生空隙,因此填充已软化的透光性树脂8的材料。因此,第一中间部511被透光性树脂8覆盖。
根据发光装置A1,具备包括第二中间部521以及第二露出部522的第二绝缘膜52。第二中间部521在z方向上介于第二配线42的第二主面部421(第二延伸部421d)与透光性树脂8之间。第二露出部522连接于第二中间部521、且从透光性树脂8露出。另外,第二中间部521以及第二露出部522在俯视中从基材侧面3e连接至基材侧面3f。由此,在通过转移模塑成形形成透光性树脂8时,金属模具按压形成在第二延伸部421d上的第二绝缘膜52的一部分(第二露出部522),金属模具与第二露出部522密合。因此,在第二露出部522上未形成透光性树脂8,第二露出部522从透光性树脂8露出。因此,能够抑制在转移模塑中已软化的透光性树脂8的材料漏出。并且,此时,在未被金属模具过模具压入而形成于第二延伸部421d上的第二绝缘膜52的一部分(第二中间部521)上由于在与该金属模具之间产生空隙而填充已软化的透光性树脂8的材料。因此,第二中间部521被透光性树脂8覆盖。
在第一实施方式中,表示透光性树脂8含有透镜部82的情况,但也可以不包括透镜部82。即,透光性树脂8可以不包括透镜部82而仅由基部81构成。图16表示这样的变形例的发光装置A1’。图16是发光装置A1’的主视图,与发光装置A1的图1对应。即使在图16所示的发光装置A1’中,也与上述发光装置A1相同,由于在基材3中未形成收纳凹部,因此能够实现俯视中的小型化。
在第一实施方式中,表示在基材3的基材侧面3c形成第一凹部332的情况,但并未限于此,可以在基材3的基材侧面3c上不形成第一凹部332。即,基材3的基材侧面3c的整面可以是第一平坦部331。在该情况下,第一配线41的第一侧部412以覆盖第一平坦部331即基材侧面3c的整面的方式形成。即使在该情况下,与上述发光装置A1相同,由于在基材3上未形成收纳凹部,因此能够实现俯视中的小型化。
在第一实施方式中,表示在基材3的基材侧面3d上形成第二凹部342的情况,但并未限于此,可以在基材3的基材侧面3d上不形成第二凹部342。即,基材3的基材侧面3d的整面可以是第二平坦部341。在该情况下,第二配线42的第二侧部422以覆盖第二平坦部341即基材侧面3d的整面的方式形成。即使在该情况下,也与上述发光装置A1相同,由于在基材3中未形成收纳凹部,因此能够实现俯视中的小型化。
图17~图20表示第二实施方式的发光装置。第二实施方式的发光装置A2与上述发光装置A1相比,主要发光元件1的结构及配线图案4的结构不同。
图17是表示发光装置A2的俯视图。并且,在图17中,用假想线(双点划线)表示透过性树脂8。图18是表示发光装置A2的仰视图。图19是沿图17的XIX-XIX线的剖视图。图20是将图19的一部分放大的局部放大剖视图,表示发光元件1的剖面结构。并且,图20所示的发光元件1的剖面结构是示意地表示的内容,图示的各部分尺寸并不是严密的尺寸。
发光装置A2与发光装置A1不同,具备多个电线6。在本实施方式中,在多个电线6中具有第一电线61与第二电线62。第一电线61的材料以及第二电线62的材料分别与第一实施方式的电线6相同。
第一电线61是将发光元件1与第一配线41导通的元件。第一电线61的一端接合于发光元件1的第一电极13,另一端接合于第一配线41的引线接合部411a。
第二电线62是将发光元件1与第二配线42导通的元件。第二电线62的一端接合于发光元件1的第二电极14,另一端接合于第二配线42的第二主面部421的一部分(具体的说,后述的引线接合部421e)。
在本实施方式中,如图20所示,发光元件1设置有凹部1d。凹部1d从元件主面1a向z方向凹陷且到达n型半导体层121的上面。凹部1d在俯视中是矩形形状。凹部1d连接于发光元件1的三个元件侧面1c(朝向x2方向、y1方向以及y2方向的各元件侧面1c)。在本实施方式中,通过设置凹部1d,在俯视中,发光层123的面积以及p型半导体层122的面积都比元件基板11的面积小。并且,在俯视中,n型半导体层121的面积等于元件基板11的面积。
在这样的发光元件1中,如图20所示,第一电极13与上述第一实施方式相同,形成于元件主面1a。另一方面,第二电极14与上述第一实施方式不同,不是元件背面1b,而是形成于通过凹部1d而露出的n型半导体层121的上面。在第一电极13上接合第一电线61的一端,在第二电极14上接合第二电线62的一端。
在本实施方式中,如图17所示,在第一主面部411上设置一对第一切口部414。一对第一切口部414位于第一主面部411的y方向的两端。一对第一切口部414从连接于基材3的基材侧面3c的基材主面3a的一对的角向第一主面部411的内侧凹陷。各第一切口部414在俯视中大致是矩形形状。基材主面3a从一对第一切口部414露出。
而且,在本实施方式中,如图17所示,在第一主面部411上设置多个弯曲部415a、415b。弯曲部415a设置于第一连结部411c中的y2方向侧的端缘。弯曲部415b设置于将第一连结部411c的y方向侧的端缘和第一延伸部411d的x2方向侧的端缘连接的部分。
在本实施方式中,如图18所示,在第一背面部413上设置一对第一凸部413z。并且,在图18以及图19中,在一对第一凸部413z上标记剖面线。一对第一凸部413z邻接于基材3的基材侧面3c与基材背面3d的边界。一对第一凸部413z向z1方向突出。而且,在本实施方式中,如图18所示,第一背面部413的多个角部413e带圆。
在本实施方式中,如图17所示,第二主面部421还包括引线接合部421e。在引线接合部421e上接合第二电线62的一端。由此,引线接合部421e通过第二电线62与发光元件1的第二电极14导通。另外,如图17所示,引线接合部421e连接于第二延伸部421d。如图17所示,引线接合部421e是俯视矩形形状。如图17所示,引线接合部421e具有第二对置缘421z。第二对置缘421z在俯视中与第二主面部421的管芯焊接部421a的周缘对置。在第二对置缘421z与管芯焊接部421a的周缘之间设置预定的间隔。
在本实施方式中,如图17所示,在第二主面部421中设置一对第二切口部424。一对第二切口部424位于第二主面421的y方向的两端。一对第二切口部424从连接于基材3的基材侧面3d的基材主面3a的一对的角向第二主面部421的内侧凹陷。各第二切口部424在俯视中是大致四半圆形状。所谓“四半圆”是指将半圆再次二等分时的形状。因此,在俯视中,第一切口部414的形状与第二切口部424的形状不同。基材主面3a从一对第二切口部424露出。
而且,在本实施方式中,如图17所示,在第二主面部421上设置多个弯曲部425a~425d。弯曲部425a设置于引线接合部421e的y1方向侧的端缘与第二延伸部421d的x1方向侧的端缘连接的部分。弯曲部425b设置于连接于引线接合部421e的y2方向侧的端缘中的第二延伸部421d的一侧(x2方向侧)。弯曲部425c设置于第二连结部421c的y1方向侧的端缘与第二延伸部421d的x1方向侧的端缘连接的部分。弯曲部425d设置于第二连结部421c的y2方向侧的端缘与第二延伸部421d的x1方向侧的端缘连接的部分。
在本实施方式中,如图18所示,在第二背面部423上设置一对第二凸部423z。并且,在图18以及图19中,在一对第二凸部423z上标记剖面线。一对第二凸部423z邻接于基材3的基材侧面3d与基材背面3b的边界。一对第二凸部423z向z1方向突出。而且,在本实施方式中,如图18所示,第二背面部423的多个角部带圆。
在本实施方式中,如图17所示,第一绝缘部51在俯视中是向y方向延伸的带状。并且,即使在本实施方式中,第一绝缘膜51也可以包括凹陷513。
在本实施方式中,如图17所示,第二绝缘膜52可以包括凹陷523。凹陷523在俯视中是从第二绝缘膜52的x2方向侧的端缘向x1方向凹陷的部分。在本实施方式中,凹陷523配置于基材3的y方向中央。凹陷523沿基材侧面3c的第二凹部342弯曲。而且,第二绝缘膜52包括一对避让部524。一对避让部524在第二绝缘膜52上配置于x2方向侧且y方向的各端缘部分。如图17所示,一对避让部524是在俯视中以第二绝缘膜52不重叠于一对第二切口部424的方式向x1方向退下的部分。在第二绝缘膜52中,配置凹陷523的部分的x方向尺寸d3比凹陷523或一对避让部524的任意一个都未配置的部分的x方向尺寸d4小。
在本实施方式中,如图18所示,极性标记59与第一实施方式中的极性标记59比较,没有一对边界缘59c,y1方向侧的边界缘59d的x2方向的端缘、y1方向侧的边界缘59e的x1方向的端缘直接连接,y2方向侧的边界缘59d的x2方向的端缘、y2方向侧的边界缘59e的x1方向的端缘直接连接。在本实施方式中,通过一对边界缘59d分别相对于于x方向以及y方向倾斜,可将一个边界缘59d与一个边界缘59e直接连接。并且,一对边界缘59e可以分别相对于x方向以及y方向倾斜。
在本实施方式中,与第一实施方式相同,接合层7是将发光元件1与配线图案4的管芯焊接部421a接合的元件。可是,在本实施方式中,由于发光元件1的元件背面1b上未形成第二电极14,因此接合层7既可以不具备导电性,也可是单纯的粘接剂。在本实施方式中,接合层7例如是将环氧树脂作为主剂并在该主剂中含有Ag(银)粒子的合成树脂膏。并且,接合层7的材料并未限于此。
如以上构成的发光装置A2与上述第一实施方式相同,能够作为显示装置B1的光源使用(参照图14)。
根据发光装置A2,具备搭载发光元件1的支撑部件2,支撑部件2具备基材3。并且,发光元件1与基材3的基材主面3a对置。因此,与发光装置A1相同,由于没有收纳凹部的制约,因此能够实现俯视中的小型化。另外,发光装置A2关于在上述发光装置A1中说明的其他效果也能够起到相同的作用。
根据发光装置A2,在第一配线41的第一主面部411上设置位于y方向两端且从连接于基材3的基材侧面3c的基材主面3a的一对的角向第一主面部411的内侧凹陷的一对第一切口部414。基材主面3a从一对第一切口部414露出。由此,基材侧面3c以及基材侧面3e、3f分别为同一面,能够缩小第一主面部411的多个端面的面积。该工序在发光装置A2的制造工序中有助于抑制由第一配线41的切断引起的金属毛刺的产生。
根据发光装置A2,在第二配线42的第二主面部421上设置位于y方向两端且从连接于基材3的基材侧面3d的基材主面3a的一对的角向第二主面部421的内侧凹陷的一对第二切口部424。基材主面3a从一对第二切口部424露出。由此,基材侧面3d以及基材侧面3e、3f分别为同一面,能够缩小第二主面部421的多个端面的面积。该内容在发光装置2的制造过程中有助于抑制由第二配线42的断裂而引起的金属毛刺的产生。
根据发光装置A2,第一主面部411的一对第一切口部414的俯视形状与第二主面部421的一对第二切口部424的俯视形状不同。由此,即使是在安装基板(例如安装基板91)上安装发光装置A2之后,也能够从外部目视确认发光装置A2的阳极以及阴极。
根据发光装置A2,在第一配线41的第一背面部413上设置邻接于基材3的基材背面3b与基材背面3c的边界且向z1方向突出的一对第一凸部413z。由此,在安装基板(如安装基板9)上安装发光装置A2时,由于在第一背面部413能得到相对于焊锡的固定效果,因此能够提高相对于安装基板的发光装置A2的安装强度。
根据发光装置A2,在第二配线42的第二背面部423中设置邻接于基材3的基材背面3b与基材侧面3d的边界且向z1方向突出的一对第二凸部423z。由此,在安装基板(如安装基板91)上安装发光装置A2时,由于在第二背面部423中能得到相对于焊锡的固定效果,因此能够提高相对于安装基板的发光装置A2的安装强度。
在发光装置A2中,表示透光性树脂8具备透镜部82的情况,但并未限于此,与第一实施方式的变形例的发光装置A1’(参照图16)相同,也可以不具备透镜部82。
在发光装置A2中,表示在基材侧面3c上形成第一凹部332的情况,但并未限于此,与第一实施方式相同,也可以不形成于第一凹部332,基材侧面3c的整面可以是第一平坦部331。另外,同样,可以在基材侧面3d未形成第二凹部342,基材侧面3d的整面是第二平坦部341。
本发明的发光装置以及显示装置并未限定于上述实施方式。本发明的发光装置以及显示装置各部分的具体结构可多种自由地设计变更。
Claims (19)
1.一种发光装置,其特征在于,
具备:
具有在第一方向上相互朝向相反侧的元件主面以及元件背面的发光元件;
搭载上述发光元件的支撑部件;
形成在上述支撑部件上且覆盖上述发光元件的透光性树脂,
上述支撑部件具备:
基材,其具有朝向与上述元件主面相同方向的基材主面以及朝向与上述元件背面相同方向的基材背面;以及
配线图案,其包括分别与上述发光元件导通且配置于上述基材的第一配线以及第二配线,
上述发光元件以上述元件背面与上述基材主面对置的姿势搭载,
上述透光性树脂包括:
进行上述发光元件发出的光的聚光控制的透镜部;以及
在上述第一方向上介于上述支撑部件与上述透镜部之间且覆盖上述发光元件的基部,
上述支撑部件的上述第一方向的尺寸比上述基部的上述第一方向的尺寸大,
上述支撑部件的上述第一方向的尺寸是上述基部的上述第一方向的尺寸的1.29~2.86倍。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述基部的上述第一方向的尺寸比上述透镜部的上述第一方向的尺寸小。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
上述透镜部的上述第一方向的尺寸是上述基部的上述第一方向的尺寸的1.42~2.57倍。
4.根据权利要求1~3任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述基部的上述第一方向的尺寸是上述发光元件的上述第一方向的尺寸的1.05~5.17倍。
5.根据权利要求1~3任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述基部是方锥台形,
上述透镜部是向上述第一方向鼓起的圆顶状。
6.根据权利要求1~3任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述发光元件的上述第一方向的尺寸是0.06~0.20mm。
7.根据权利要求1~3任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述基材包括在上述第一方向上层叠的多个玻璃纤维布和被上述多个玻璃纤维布浸渍的浸渍树脂。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,
上述基材层叠4个以上的上述玻璃纤维布。
9.根据权利要求1~3任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述基材具有第一侧面以及第二侧面,该第一侧面以及第二侧面分别在与上述第一方向正交的第二方向上相互朝向相反侧,并且连接于上述基材主面以及上述基材背面,
上述基材的上述第二方向的尺寸比上述透光性树脂的上述第二方向的尺寸大。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,
上述第一配线包括与上述发光元件导通且与上述基材主面连续的第一主面部、连接于上述第一主面部且与上述第一侧面连续的第一侧部以及连接于上述第一侧部且与上述基材背面连续的第一背面部。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其特征在于,
上述第一侧面包括第一平坦部和从上述第一平坦部凹陷且从上述基材主面到达上述基材背面的第一凹部,
上述第一侧部与上述第一凹部连续。
12.根据权利要求10或11所述的发光装置,其特征在于,
还具备连接于上述发光元件与上述第一配线的电线,
上述发光元件形成有从上述元件主面露出且接合了上述电线的一端的主面电极,
上述第一主面部包括接合了上述电线的另一端的引线接合部。
13.根据权利要求10或11所述的发光装置,其特征在于,
还具备由绝缘性材料构成的第一绝缘膜,
上述第一主面部包括向与上述第一方向以及上述第二方向双方正交的第三方向延伸的第一延伸部,
上述第一延伸部在上述第一方向上观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘,
上述第一绝缘膜包括形成在上述第一延伸部上且从上述透光性树脂露出的第一露出部,
上述第一露出部在上述第一方向上观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘。
14.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,
上述第二配线包括与上述发光元件导通且与上述基材主面连续的第二主面部、连接于上述第二主面部且与上述第二侧面连续的第二侧部以及连接于上述第二侧部且与上述基材背面连续的第二背面部。
15.根据权利要求14所述的发光装置,其特征在于,
上述第二侧面包括第二平坦部和从上述第二平坦部凹陷且从上述基材主面到达上述基材背面的第二凹部,
上述第二侧部与上述第二凹部连续。
16.根据权利要求14或15所述的发光装置,其特征在于,
上述第二主面部包括接合了上述发光元件的管芯焊接部。
17.根据权利要求16所述的发光装置,其特征在于,
上述发光元件形成有从上述元件背面露出的背面电极,
该发光装置还具备介于上述背面电极与上述管芯焊接部之间并将这些导通接合的接合层。
18.根据权利要求14或15所述的发光装置,其特征在于,
还具备由绝缘性材料构成的第二绝缘膜,
上述第二主面部包括向与上述第一方向以及上述第二方向双方正交的第三方向延伸的第二延伸部,
上述第二延伸部在上述第一方向观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘,
上述第二绝缘膜包括形成在上述延伸部上且从上述透光性树脂露出的第二露出部,
上述第二露出部在上述第一方向观察从上述基材的上述第三方向的一个端缘连接至上述第三方向的另一个端缘。
19.一种显示装置,其特征在于,
具备:
权利要求1~权利要求18任一项所述的发光装置;
安装上述发光装置的安装基板;以及
相对于上述安装基板在上述发光装置所处的一侧包围上述发光装置的周围的外壳,
在上述第一方向上,在上述安装基板与上述外壳之间设置有间隙,
上述发光装置的上述支撑部件的上述第一方向的尺寸比上述间隙的长度大。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-150462 | 2018-08-09 | ||
JP2018150462A JP2020027824A (ja) | 2018-08-09 | 2018-08-09 | 発光装置および表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110828631A CN110828631A (zh) | 2020-02-21 |
CN110828631B true CN110828631B (zh) | 2023-01-03 |
Family
ID=69406249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910721110.XA Active CN110828631B (zh) | 2018-08-09 | 2019-08-06 | 发光装置以及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11069838B2 (zh) |
JP (2) | JP2020027824A (zh) |
CN (1) | CN110828631B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI775069B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-08-21 | 宏碁股份有限公司 | 頭戴式顯示器 |
JP7335518B2 (ja) * | 2021-05-31 | 2023-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101218285A (zh) * | 2005-05-12 | 2008-07-09 | 利昌工业株式会社 | 白色预浸料、白色层压板和覆金属箔的白色层压板 |
JP2013214671A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Yazaki Corp | 光源装置 |
CN107623065A (zh) * | 2016-07-13 | 2018-01-23 | 罗姆股份有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
CN110828641A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-02-21 | 罗姆股份有限公司 | Led组件、led显示装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5163884A (ja) * | 1974-11-30 | 1976-06-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Ryomenshorikinzokuhakubarisekisoban |
JP3065509B2 (ja) * | 1995-06-02 | 2000-07-17 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
JPH11298153A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 多層プリント回路板 |
JP2000168142A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-20 | Hitachi Cable Ltd | Ledプリントヘッド |
JP2006005112A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびこれに用いる回路基板 |
JP2008147458A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Nec Electronics Corp | プリント配線板およびその製造方法 |
JP5220526B2 (ja) | 2008-09-11 | 2013-06-26 | 昭和電工株式会社 | 発光装置、発光モジュール、表示装置 |
JP5549190B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-07-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子の実装体の製造方法、発光装置の製造方法及び半導体発光素子 |
US8829355B2 (en) * | 2009-03-27 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
JP5261279B2 (ja) * | 2009-05-13 | 2013-08-14 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP5936810B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2016-06-22 | ローム株式会社 | 発光装置 |
EP2323186B1 (en) * | 2009-11-13 | 2017-07-26 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
JP2011151112A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2012109475A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Rohm Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
JP2012186450A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Rohm Co Ltd | Ledモジュール |
JP5753471B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2015-07-22 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
JP6219586B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2017-10-25 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5851970B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2016-02-03 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びled装置 |
KR102111142B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2020-05-14 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP2015121691A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | スタンレー電気株式会社 | Led表示ユニット及びそのled表示ユニットを用いたled表示灯 |
KR102107526B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2020-05-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US20160380167A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Point Engineering Co., Ltd. | Pre-cut substrate and unit chip substrate comprising hemispherical cavity |
-
2018
- 2018-08-09 JP JP2018150462A patent/JP2020027824A/ja active Pending
-
2019
- 2019-07-31 US US16/527,752 patent/US11069838B2/en active Active
- 2019-08-06 CN CN201910721110.XA patent/CN110828631B/zh active Active
-
2022
- 2022-11-02 JP JP2022176553A patent/JP2022190094A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101218285A (zh) * | 2005-05-12 | 2008-07-09 | 利昌工业株式会社 | 白色预浸料、白色层压板和覆金属箔的白色层压板 |
JP2013214671A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Yazaki Corp | 光源装置 |
CN107623065A (zh) * | 2016-07-13 | 2018-01-23 | 罗姆股份有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
CN110828641A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-02-21 | 罗姆股份有限公司 | Led组件、led显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020027824A (ja) | 2020-02-20 |
CN110828631A (zh) | 2020-02-21 |
JP2022190094A (ja) | 2022-12-22 |
US11069838B2 (en) | 2021-07-20 |
US20200052166A1 (en) | 2020-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6833566B2 (en) | Light emitting diode with heat sink | |
TWI446568B (zh) | 半導體發光裝置 | |
US10763245B2 (en) | Optoelectronic component with a first potting material covering parts of a first optoelectronic semiconductor chip and a second potting material covering the first potting material | |
US6900587B2 (en) | Light-emitting diode | |
US20090194783A1 (en) | Light emitting element, production method thereof, backlight unit having the light emitting element, and production method thereof | |
KR100454777B1 (ko) | 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
US20050045903A1 (en) | Surface-mounted light-emitting diode and method | |
KR102524438B1 (ko) | 발광장치 및 면발광 광원 | |
US9385288B2 (en) | Light-emitting device | |
KR20010108208A (ko) | 케이스가 구비된 칩형 발광장치 | |
EP1662585A2 (en) | Light-emitting device and method for making same | |
CN110828631B (zh) | 发光装置以及显示装置 | |
US7731405B2 (en) | Side-emission type light-emitting diode and a backlight unit using the light-emitting diode | |
US9735320B2 (en) | LED packages and manufacturing method thereof | |
US11393962B2 (en) | Optoelectronic semiconductor component and assembly having an optoelectronic semiconductor component | |
JP5286122B2 (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2015056649A (ja) | 発光装置 | |
KR101543563B1 (ko) | 광전자 반도체 컴포넌트 | |
JP5745784B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2002043632A (ja) | 発光ダイオード | |
US7307288B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2009224376A (ja) | 側面型発光装置及びその製造方法 | |
US10707372B2 (en) | Light-emitting device | |
KR100691174B1 (ko) | 측면형 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
US20030102527A1 (en) | Method of fabricating light emitting diode package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |