KR100454777B1 - 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

머더보드에 다른 전자부품과 같은 공정중 한번에 부착할 수 있음과 동시에, 액정백라이트의 광원으로 극히 유용한 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다.
이 칩형 발광다이오드는 머더보드의 일면측에 부착되는 기대와 상기 기대로부터 연장 또한 머더보드에 설치된 구멍을 관통하여 배치되는 본체부와, 이 본체부에 설치되고 또한 머더보드의 다른 면측에서 발광하는 발광부를 구비하고 있다.
기대에는 발광부와 전기적으로 접속되는 한쌍의 외부 접속용 전극이 설치되어 있다. 발광부는 수지밀봉체에 의하여 밀봉된다. 일예로, 기대가 머더보드의 이면측에 부착되었을때, 발광부는 머더보드위에 배치된 액정백라이트의 도광방향과 일치하도록 배치된다.
칩형 발광다이오드의 제조방법은 일매의 집합회로기판에 복수의 칩형 발광다이오드를 복수의 공정을 경유하여 형성하고, 최종공정에서 개개의 칩형 발광다이오드가 만들어지도록 집합회로기판을 분할한다.

Description

칩형 발광다이오드 및 그 제조방법{CHIP TYPE LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF}
발명의 배경
발명이 속하는 기술분야
본 발명은 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래기술
종래, 이 종류의 칩형 발광다이오드로서는, 예를 들면 도 1에 도시한 것이알려져 있다. 이 칩형 발광다이오드(1)는 글라스에폭시기판(2)의 상면에 캐소드전극(3)과 애노드 전극(4)을 패턴형성하고, 캐소드 전극(3)위에 도전성 접착제(도시하지 않음)에 의하여 발광다이오드 소자(6)를 고착함과 동시에, 발광다이오드 소자(6)의 상면전극과 애노드 전극(4)과를 본딩와이어(7)로 접속하고, 이 본딩와이어(7) 및 발광다이오드 소자(6)를 수지밀봉체(8)에 의하여 보호한 구조의 것이다.
상술의 칩형 발광다이오드(1)는 일반으로 머더보드의 표면측에 실장되어 상방으로 향하여 발광시키는 경우가 많다. 그러나 최근에는 다른 많은 전자부품이 머더보드의 이면측에 실장되기 때문에, 도 2에 도시하는 바와 같이, 다른 전자부품(12)과 마찬가지로 머더보드(9)의 이면측에서 글라스에폭시기판(2)의 외부접속용전극(15,16)을 땝납(10)으로 고정하고, 머더보드(9)에 개설된 구멍(11)속에 수지밀봉체(8)을 삽입하고, 상방을 향하여 발광시키는 구조가 취해지고 있다. 이와 같은 구조로서는 칩형 발광다이오드(1) 및 다른 전자부품(12) 모두 머더보드(9)의 일면측만의 실장으로 끝나기 때문에 종래와 같이 머더보드(9)의 양면측에 행하는 실장에 비교하여 실장공정의 간소화가 도모되는 이점이 있다.
그러나, 상기와 같은 머더보드(9)의 이면측에 실장된 칩형 발광다이오드(1)를 액정 백라이트의 광원으로 이용하는 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 머더보드(9)의 표면측에 배설된 도광판(13)의 도광방향과 발광다이오드 소자(6)로부터의 발광방향이 다르기 때문에, 도광판(13)의 단부에 약 45°의 반사면(14)을 형성하고, 칩형 발광다이오드(1)로부터 상방을 향하여 발광하는 광을 상기 반사면(14)에서 90°굴곡하고, 도광판(13)내로 유도하는 구조로 하여야 한다. 그결과, 칩형 발광다이오드(1)로부터 상방을 향하여 발광하는 광 중, 대략 바로 위를 향하여 발광한 광밖에는 도광판(13)에 도광되지 않기 때문에 입사광량이 적고, 또 도광판(13)의 반사면(14)에 있어서도 광의 손실이 발생한다라는 문제가 있었다.
한편, 상기 도광판(13)에 광을 효과적으로 유도하는 구조로서, 측면발광의 칩형 발광다이오드를 이용하여, 도광판(13)의 도광방향과 칩형 발광다이오드로부터의 발광방향을 일치시키는 것도 고려되지만, 이경우에는 머더보드(9)의 표면측에 칩형 발광다이오드를 실장하는 것으로 되기 때문에 상술한 일면측으로의 실장이 실현될 수 없게 된다.
발명의 요약
그래서, 본 발명의 하나의 목적은 머더보드의 일면측에 부착할 수가 있고, 다른 면측에서 발광시킴으로서 액정백라이트의 광원으로서 극히 유용하게 되는 칩형 발광다이오드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 머더보드의 일면측에 고정할 수가 있고, 따라서 이 일면측에 고정되는 다른 전자부품과 같은 공정중에 한번에 부착할 수 있는 칩형 발광다이오드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 액정백라이트의 도광판으로의 입사광량을 많이 취할 수 있는 칩형 발광다이오드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고휘도의 칩형 발광다이오드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 광의 집광성을 높일 수 있는 칩형 발광다이오드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 일매의 집합회로기판으로부터 다수의 칩형 발광다이오드를 간이하게 만들 수 있는 칩형 발광다이오드의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 종래에 있어서 발광다이오드의 일예를 도시하는 단면도,
도 2는 상기 종래의 발광다이오드를 머더보드에 실장하였을때의 단면도,
도 3은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제1실시형태를 도시하는 사시도,
도 4는 상기 칩형 발광다이오드를 머더보드에 실장하였을때의 정면도,
도 5는 상기 칩형 발광다이오드를 머더보드에 실장하였을때의 상기 도 3에 있어서 A-A선에 따른 단면도,
도 6은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제2실시형태를 도시하는 사시도,
도 7은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제3실시형태를 도시하는 사시도,
도 8은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제4실시형태를 도시하는 사시도,
도 9는 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제5실시형태를 도시하는 사시도,
도 10은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제6실시형태를 도시하는 사시도,
도 11은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제7실시형태를 도시하는 사시도,
도 12는 상기 제1실시형태에 관한 칩형 발광다이오드의 제조공정을 도시하는 도면,
도 13은 집합회로기판에 전극을 패턴형성할 때의 공정도,
도 14는 집합회로기판위에 발광다이오드 소자를 탑재할때의 공정도,
도 15는 집합회로기판위에 탑재된 발광다이오드 소자를 수지 밀봉할때의 공정도,
도 16은 상기 도 15에 있어서 B-B선에 따른 단면도,
도 17은 수지 밀봉된 집합회로기판을 X, Y축 방향으로 분할할때의 공정도.
본 발명의 하나의 실시예에서는, 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드는 기대, 이 기대로부터 연장되는 본체부와, 이 본체부에 설치된 발광부와, 이 발광부를 밀봉하는 수지밀봉체와를 구비하는 것을 특징으로 한다.
하나의 구체예에서는, 상기 본체부는 기대로부터 대략 직교하는 방향으로 연장되고, 따라서, 기대와 본체부와는 T자 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.
또, 상기 기대에는 발광부와 전기적으로 접속되는 한쌍의 외부접속용 전극이 설치되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 칩형 발광다이오드의 기대로부터 본체부가 연장되고, 이 본체부에 발광부가 설치되어 있으므로, 기대가 머더보드에 고정될때에 머더보드로부터 떨어진 위치에서 발광부를 발광시킬수가 있다. 특히, 기대와 본체부가 T자 형상으로 형성되는 경우에는 머더보드의 부착면과 직교하는 방향으로 본체부를 연장시킨 위치에서 발광시킬수가 있다.
다른 실시예에 있어서 본 발명의 칩형 발광다이오드에는, 상기 기대가 머더보드의 일면측에 배치됨과 동시에, 상기 본체부가 머더보드에 개설된 구멍을 관통하고, 본체부에 설치된 발광부가 머더보드의 다른 면측에 노출되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 기대가 머더보드의 일면측에 위치하고, 본체부가 머더보드의 구멍을 관통하기 때문에, 예를 들면 머더보드의 이면측에 기대를 고정하였을때, 발광부를 머더보드의 표면측에 노출시킬수가 있다.
본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 다른 실시예에 있어서, 상기 발광부가 본체부의 측면에 설치되고, 이 발광방향이 머더보드위에 배설된 액정 백라이트의 도광판의 도광방향과 일치하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 칩형 발광다이오드의 발광부가 본체부의 측면에 설치되기 때문에, 그 발광방향을 머더보드위에 배설된 액정 백라이트의 도광판의 도광방향에 거의 일치시킬수가 있고, 도광판으로의 입사광량을 많이 취할수가 있다.
본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 다른 실시예에 있어서, 상기 수지밀봉체에 볼록형상의 렌즈부를 설치한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 발광다이오드로부터 발광되는 광의 지향성을 렌즈부에 의하여 높일수가 있고, 휘도 상승이 도모된다.
본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 다른 실시예에 있어서, 상기 발광부를 구성하는 발광다이오드 소자의 둘레를 둘러싸도록, 외방을 향하여 경사진 반사면을 설치한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 발광다이오드로부터 발광되는 광을 반사면에 동일방향으로 반사시키기 때문에 광의 집광성을 높일수가 있다.
본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 다른 실시예에 있어서, 상기 수지밀봉체의 외표면의 일부에 차광면을 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 발광다이오드로부터 발광되는 광의 일부를 차광면에 의하여 차단하는 것으로 광이 수지밀봉체의 주위에 산란하지 않으므로, 소망의 방향에 대하여 광의 집광성을 높일 수가 있다.
본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제조방법은 일매의 집합회로기판에 복수의 칩형 발광다이오드를 복수의 공정을 경유하여 형성하고, 최종공정에서 개개의 칩형 발광다이오드가 만들어지도록 집합회로기판을 분할하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 일매의 집합회로기판으로부터 다수의 칩형발광다이오드를 간이한 수단으로 얻을 수가 있다.
상술과 같은 본 발명의 특징 및 이점이 첨부도면을 참조하여 이하 더욱더 상세히 설명된다.
본 발명의 바람직한 실시예
이하, 첨부도면에 의거하여 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 실시형태를 상세히 설명한다. 도 3 내지 도 5를 참조하면 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 일실시형태가 부호 20로 표시되어 있고, 이 칩형 발광다이오드(20)는 머더보드(23)의 일면, 예를 들면, 이면측에 고착되는 기대(21)와 이 기대(21)의 대략 중앙부로부터 상방으로 연장되는 본체부(22)와를 T자 형상으로 형성한 글라스에폭시기판에 의하여 구성한 것이다. 더욱이 이 실시형태에서는 기대(21)와 본체부(22)와를 일체로 형성하였지만, 별개로 하여도 좋다. 기대(21)는 본체부(22)의 양측에 있어서 수평상으로 연장되고, 그 상면에 한쌍의 외부접속용 전극(24,25)이 형성되어 있다. 본체부(22)는 사각기둥형상을 하고 있고, 그 좌우측면(22a,22b)에는 상기 외부접속용 전극(24,25)이 연속하여 상승하여 좌우측면(22a,22b)의 상단까지 도달하고 있다. 또 본체부(22)의 전측면(22c)에는 제1전극부로서의 캐소드 전극(26)과, 제2전극부로서의 애노드 전극(27)이 상하로 형성되어 이들 캐소드 전극(26) 및 애노드 전극(27)이 상기 외부접속용 전극(24,25)에 각각 접속되어 있다.상기 캐소드 전극(26)의 상면에는 발광부로서의 발광다이오드 소자(28)가 재치되고, 그 하면 전극이 도전성 접착제(도시하지 않음)를 통하여 고착되어 있다. 또, 발광다이오드 소자(28)의 상면 전극은 애노드 전극(27)에 본딩와이어(29)에 의하여 접속되어 있다. 이 때문에 외부접속용 전극(24,25)으로부터 캐소드 전극(26) 및 애노드 전극(27)을 통하여 발광다이오드 소자(28)에 전류가 공급되고, 발광다이오드 소자(28)가 발광한다. 더욱이, 발광다이오드 소자(28)의 극성에 의하여, 애노드 전극(27)측에 재치되는 경우도 있다. 또, 상기 발광다이오드 소자(28)의 종류나 발광색은 하등 한정되는 것은 아니다.
상기 발광다이오드 소자(28) 및 본딩와이어(29)는 본체부(22)의 앞측면(22c)에 설치된 수지밀봉체(30)에 의하여 피복되어 있다. 이 수지밀봉체(30)는 본체부(22)의 앞측면(22c)에 블록상으로 형성된 것으로, 상술의 발광다이오드 소자(28) 및 본딩와이어(29)외에, 캐소드 전극(26) 및 애노드 전극(27)을 피복하고 있다. 수지 밀봉체(30)의 재료에는 예를 들면 투명의 에폭시계 수지가 사용된다.
도 4 및 도 5는 머더보드(23)에 실장하였을때의 상기 칩형 발광다이오드(20)를 도시한 것이다. 머더보드(23)에 칩형 발광다이오드(20)의 본체부(22)를 머더보드(23)의 이면측으로부터 관통시키는 구멍(31)이 개설되어 있다. 칩형 발광다이오드(20)의 기대(21)는 머더보드(23)의 이면측에 있어서 구멍(31)의 둘레가장자리에 맞닿고, 양측의 외부접속용 전극(24,25)이 머더보드(23)에 프린트 배선된 회로(32a,32b)와 땜납(10)에 의하여 고정된다.
이때, 칩형 발광다이오드(20)의 본체부(22)는, 상기 머더보드(23)의 구멍(31)을 이면측으로부터 관통하여 머더보드(23)의 다른면, 즉 표면측으로 돌출한다. 그리고, 본체부(22)의 앞측면(22c)에 탑재한 발광다이오드 소자(28)가 전방을 향한 상태에서 머더보드(23)의 표면으로부터 노출한다. 따라서, 이것을 액정 백라이트의 도광판의 광원으로 이용하는 경우, 도 5에 도시한 바와 같이, 머더보드(23)의 표면측에 배설된 도광판(33)의 측단면(34) 근방에 발광다이오드 소자(28)가 위치하도록 칩형 발광다이오드(20)를 설정한다. 도광판(33)의 측단면(34)은 종방향으로 똑바로 형성되고, 종래와 같은 반사면으로는 되어 있지 않다. 이와 같은 구조에 있어서, 발광다이오드 소자(28)로부터 도광판(33)의 측단면(34)을 향하여 발광되면, 그 발광방향과 도광판(33)의 도광방향이 일치함으로 도광판(33)의 측단면(34)에 입사된 광은 굴곡하는 일없이, 그대로 수평방향으로 똑바로 유도된다. 이와 같이, 발광다이오드 소자(28)가 도광판(33)의 측단면(34)의 근방에 위치하고 있으므로, 도광판(33)으로의 입사광량이 증가함과 함께 종래와 같은 반사면을 이용한 광의 굴곡이 없으므로, 광의 손실이 극히 적게 된다.
도 6은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제2실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20a)는, 본체부(22)의 앞면에 설치된 수지밀봉체(30)에 반구상의 렌즈부(35)를 일체로 돌출형성하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광된 광의 지향성을 렌즈부(35)에 의하여 높이고, 휘도상승을 겨냥한 것이다. 이때문에, 상기 렌즈부(35)는 발광다이오드 소자(28)위에 위치하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광한 광이 한점에 집광하기 쉬운 구성으로 되어 있다. 더욱이, 상기 렌즈부(35)이외의 구성은 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명을 생략한다.
도 7은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제3실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20b)는 본체부(22)에 설치된 수지밀봉체(30)의 앞면에 반원통 형상의 렌즈부(36)를 일체로 형성한 것이다. 이 실시형태에 있어서도 발광다이오드 소자(28)로부터 발광된 광이 렌즈부(36)에 의하여 중앙측에 집광하기 쉽고, 좌우측에는 산란하기 어려운 구성으로 되어 있으므로, 상기 제2실시형태와 동일하게, 광의 지향성이 높혀진다. 더욱, 상기 렌즈부(36)이외의 구성은 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명에 칩형 발광다이오드의 제4실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20c)는 발광다이오드소자(28)의 둘레를 둘러싸도록, 컵형상의 반사틀(37)을 배치하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광된 광은 반사틀(37)의 내주면에서 반사시켜, 전방으로의 광의 집광성을 높인 것이다. 반사틀(37)의 내주면은 테이퍼상으로 형성되고, 또 반사율을 높이기 위하여 백색도장이나 은도금 등이 실시되고 있다. 더욱이, 상기 반사틀(37) 이외의 구성은, 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명은 생략한다.
도 9는 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제5실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20d)는 본체부(22)의 앞면에 오목한 곳(38)을 갖는 돌출체(39)를 일체로 설치하고, 오목한 곳(38)내에 발광다이오드 소자(28)를 배치함과 동시에, 오목한 곳(38)내에 투광성의 수지(40)을 충전하여, 발광다이오드 소자(28)를 수지밀봉한 구조이다. 따라서 이 실시형태에 있어서도, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광된 광은 오목한 곳(38)의 내주면에서 반사되기 때문에, 전방으로의 광의 집광성이 높여지고, 휘도상승으로 연계되는 것으로 된다. 상기 실시형태와 마찬가지로, 오목한 곳(38)의 내주면은 외측을 향하여 경사져 있고, 또 반사율을 높이기 위하여 백색도장이나 은도금 등이 실시되어 있다. 더욱이, 오목한 곳(38)을 갖는 돌출체(39) 이외의 구성은 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명은 생략한다.
도 10은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제6실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20e)는, 수지밀봉체(30)의 외주면의 전체를 차광하고, 발광다이오드 소자로부터 발광한 광이 수지밀봉체의 주위에 산란하지 않도록 하여, 전방으로의 집광성을 높인 것이다. 즉, 수지밀봉체의 양측면 및 상하면에 차광성의 도장막이나 도금 혹은 차광성 시트를 실시함으로써 차광면(46)을 형성하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광한 광이 수지밀봉체(30)의 차광하고 있지 않는 앞면측만을 향하도록 구성한 것이다. 더욱이, 상기 수지밀봉체(30)에 차광면(46)을 설치한 이외의 구성은 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제7실시형태를 도시한 것이다. 이 칩형 발광다이오드(20f)도 앞의 제6실시형태와 마찬가지로, 본체부(22)의 앞면측에 돌출하는 수지밀봉체(30)를 차광하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광하는 광의 집광성을 높인 것이다. 이 실시형태에서는, 수지밀봉체(30)의 한쪽의 측면(47)만을 제외하고, 다른쪽의 측면, 상하면 및 앞면에 차광면(48)을 형성하고, 발광다이오드 소자(28)로부터 발광한 광이 수지밀봉체(30) 한쪽의 측면(47)에서만 발광하도록 구성한 것이다. 더욱이, 상기 수지밀봉체(30)에 차광면(48)을 설치한 이외의 구성은 앞의 제1실시형태의 발광다이오드(20)의 구성과 동일하므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명을 생략한다.
다음에, 상기 제1실시형태에 관한 칩형 발광다이오드(20)의 제조공정을 설명한다. 도 12는 본 발명에 관한 제조방법의 전체공정을 도시한 것, 도 13 내지 도 17은 개개의 제조공정을 순서로 도시한 것이다. 우선, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 일매의 집합회로기판(41)에 사각형의 구멍(42)을 종횡으로 등간격으로 다수 개설하고, 이 구멍(42)의 내주면에 스루홀을 형성함과 동시에, 집합회로기판(41)의 표면 및 이면에 상술의 외부접속용 전극(24,25)과 캐소드 전극(26) 및 애노드 전극(27)을 패턴형성한다(제1공정).
더욱이, 상기 집합회로기판(41)은 일반으로 글라스에폭시기판이 사용되고, 또, 스루홀 및 전극패턴은 에칭 혹은 증착법에 의하여 형성된다.
뒤이어, 도 12 및 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 캐소드 전극(26)위에 도전성 접착제를 통하여 발광다이오드 소자(28)를 접착고정함과 동시에, 발광다이오드 소자(28)의 상면으로부터 연장되는 본딩와이어(29)의 선단을 애노드 전극(27)에 접합한다(제2공정).
다음에 도 12, 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 상기 집합회로기판(41)위에 금형(43)을 씌운다. 이 금형(43)은 발광다이오드 소자(28) 및 본딩와이어(29)의 배열설치부분에 대응하여 오목한 곳(44)이 형성된 것이고, 집합회로기판(41)위에 씌웠을때 외부접속용 전극(24,25) 및 사각형의 구멍(42)의 전부를 피복한다. 이와 같이 하여 씌운 금형(43)의 오목한 곳(44)에 무색투명의 에폭시수지를 충전하고, 발광다이오드 소자(28) 및 본딩와이어(29)를 수지밀봉한다. 충전된 에폭시 수지는 경화처리공정을 경유하여 경화된다(제3공정).
최후의 공정에서는 도 12 및 도 17에 도시한 바와 같이 우선 상기의 금형(43)을 떼어낸다. 이때, 금형(43)의 오목한 곳(44)내에 충전된 수지밀봉체(30)에 의하여 발광다이오드 소자(28) 및 본딩와이어(28)가 완전히 밀봉되어 있다. 뒤이어, 집합회로기판(41)위에 상정(想定)된 X축(X1, X2, …Xn)과 Y축(Y1, Y2, …Yn)방향을 따라 집합회로기판(41)을 절단하여, 하나의 칩형 발광다이오드 마다 분할한다(제4공정).
상술한 일련의 공정을 경유하여, 도 3에 도시하는 바와 같은 기대(21)와 이 기대(21)로부터 대략 수직방향으로 연장되는 본체부(22)로 이루어지는 T자상의 칩형 발광다이오드(20)가 완성된다. 이들의 칩형 발광다이오드(20)는 태핑가공된 후, 상기 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 머더보드(23)에 실장된다.
더욱이, 상술의 실시형태에서는, 머더보드(23)에 대하여 상방으로 똑바로 연장되는 본체부(22)의 앞측면(22c)에 발광다이오드 소자(28)를 부착하고, 머더보드(23)와 평행한 측방을 향하여 발광시키고 있지만, 도광판(33)의 측단면(34)의 각도가 상기의 실시형태와 다른 경우에는, 그 각도에 따라 발광다이오드 소자(28)의 부착각도를 변경하고, 발광다이오드 소자(28)로부터의 발광방향과 도광판(33)의 도광방향과를 일치시키는 것이 바람직하다.
또, 상기 실시형태에서는 본 발명의 칩형 발광다이오드(20)를 액정 백라이트의 도광판(33)의 광원으로서 이용한 경우에 대하여 설명하였지만, 이 이외에도 이용할 수 있는 것은 물론이고, 예를 들면 휴대전화나 PDA(Personal Digital Assistance)등의 인디케이터(indicator)로서의 이용도 가능하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드에 의하면 기대로부터 본체부를 연장하고, 이 본체부에 발광부를 설치하였으므로 기대를 머더보드의 이면측에 부착하였을때에 본체부가 구멍을 관통하여 머더보드의 표면측에 발광부를 노출시킬수 있기 때문에 액정 백라이트의 광원으로서 극히 유용하다. 특히 T자상으로 형성되어 있는 경우에는 본체부로부터 수평방향으로 발광하여, 머더보드의 표면측에 배설된 도광판의 도광방향과 상기 발광부로부터의 발광방향이 일치하기 때문에 도광판에의 입사광량이 많아짐과 동시에 광의 손실도 적고 매우 유용하다.
또, 본 발명의 칩형 발광다이오드는 머더보드의 일면측에 고정할 수가 있고, 따라서 이 일면측에 고정되는 다른 전자부품과 같은 공정중에서 한번에 부착할 수 있으므로, 실장공정이 간소화되고, 또 실장시간이 단축된다.
또, 본 발명에 관한 칩형 발광다이오드의 제조방법에 의하면, 일매의 집합회로기판으로부터 다수의 칩형 발광다이오드를 간이하게 만들수가 있고, 제조코스트의 저감화가 도모된다.
더욱이, 본 발명은 상술의 실시형태에 한정되는 일은 없고, 여러가지 변경, 개변이 될 수 있는 것을 이해하기 바란다.

Claims (9)

  1. 기대와, 이 기대로부터 연장되는 본체부와, 이 본체부에 설치된 발광부와, 이 발광부를 밀봉하는 수지밀봉체를 구비하고, 상기 기대와 본체부가 T자 형상을 이루고, 상기 기대에는 발광부와 전기적으로 접속되는 한쌍의 외부접속용 전극이 설치되어 있는 칩형 발광다이오드에 있어서,
    상기 기대가 머더보드의 일면측에 배치됨과 동시에, 상기 본체부가 머더보드에 개설된 구멍을 관통하고, 본체부에 설치된 발광부가 머더보드의 다른 면측에 노출되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 발광부가 본체부의 측면에 설치되고, 그 발광방향이 머더보드위에 배설된 액정 백라이트의 도광판의 도광방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 수지밀봉체에 볼록상의 렌즈부를 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 발광부를 구성하는 발광다이오드 소자의 둘레를 둘러싸도록 외방을 향하여 경사지는 반사면을 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 수지밀봉체의 외표면의 일부에 차광면을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드.
  9. 집합회로기판에 사각형의 구멍을 종방향 및 횡방향으로 등간격으로 다수 개설하고, 이들 구멍의 내주면에 스루홀을 형성함과 동시에 상기 복수의 구멍사이에 복수의 기대와 이들 기대의 각각으로부터 수직으로 연장되는 본체부와 상기 기대에 형성된 외부접속용 전극과 상기 본체부에 형성된 제1 및 제2의 전극부를 설치하는 공정과,
    상기 제1전극부의 위에 발광부를 배치함과 동시에 발광부와 제2전극부를 본딩와이어에 의하여 접속하는 공정과,
    상기 발광부 및 본딩와이어를 수용하는 오목한 곳이 형성된 금형을, 상기 오목한 곳이 발광부 및 본딩와이어에 대응한 상태로 상기 집합회로기판의 위에 씌우고 또한 상기 오목한 곳에 수지를 충전하여 발광부 및 본딩와이어를 밀봉하는 공정과,
    상기 금형을 떼어낸후, 외부접속용 전극을 갖는 기대와, 제1 및 제2의 전극부 및 발광부를 갖는 본체부를 구비한 각 칩형 발광다이오드가 각각 T자 형상을 이루도록, 상기 집합회로기판을 종횡방향으로 절단하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드의 제조방법.
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