CN107623065A - 半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents

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CN107623065A CN201710565645.3A CN201710565645A CN107623065A CN 107623065 A CN107623065 A CN 107623065A CN 201710565645 A CN201710565645 A CN 201710565645A CN 107623065 A CN107623065 A CN 107623065A
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外山智郎
外山智一郎
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Rohm Co Ltd
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Abstract

本发明提供半导体发光器件及其制造方法，包括基材、半导体发光元件和透光性树脂密封部。基材包括在第一方向上彼此离开的基材主面和基材背面、在与第一方向正交的第二方向上彼此离开的一对第一侧面、在与第一方向和第二方向正交的第三方向上彼此离开的一对第二侧面。半导体发光元件搭载在基材主面。树脂密封部覆盖半导体发光元件、且在第一方向看时比基材尺寸小。在基材形成有与半导体发光元件电连接的配线图案，其包括形成于基材主面的主面电极。在基材形成绝缘性的抗蚀剂层，其包括在第一方向看时与主面电极重叠的图案覆盖部。图案覆盖部包括树脂流出防止部，在第一方向看时其配置在树脂密封部的外侧，且从一对第二侧面的一方到另一方连续延伸。

Description

半导体发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体发光器件。此外，本发明涉及半导体发光器件的制造方法。
背景技术
在日本特开2015-115432号公报中公开了现有的半导体发光器件的一个例子。该文献的半导体发光器件，在基材上形成有配线图案和抗蚀剂层。此外，半导体发光元件搭载在基材上，并且被树脂密封部覆盖。
上述现有的半导体发光器件中，在基材上，由于配线图案和抗蚀剂层的有无而产生高低差。具体来说，在基材上存在形成有配线图案和抗蚀剂层两者的部分、只形成任意一者的部分和两者都没有形成的部分。因此，在基材上产生了高低差。这样的高低差成为产生下述问题的主要原因。
例如，当模塑成形树脂密封部时，基材被夹在构成规定空腔的一对模具之间。此时，由于上述高低差，模具与基材之间产生间隙。当存在这样的间隙时，注入到空腔内的液状树脂会从该间隙漏出，可能会产生各种不良状况。例如，由于漏出的树脂覆盖了外部连接用的端子部，使得所预定的导通路径不能得到确保。此外，如果漏出的树脂固化，则必须要有去除毛刺的工序。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的。因此本发明的目的在于，提供能够抑制上述高低差引起的问题的半导体发光器件，和提供该半导体发光器件的制造方法。
本发明的第一方面提供了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：基材，包括在第一方向上彼此离开的基材主面和基材背面，在与上述第一方向正交的第二方向上彼此离开的一对第一侧面，在与上述第一方向和上述第二方向正交的第三方向上彼此离开的一对第二侧面。另外，该半导体发光装置包括：搭载在上述基材主面的半导体发光元件；覆盖上述半导体发光元件的、并且在上述第一方向看时比上述基材尺寸小的透光性树脂密封部；包括形成于上述基材主面的主面电极的、与上述半导体发光元件电连接的配线图案；和绝缘性的抗蚀剂层，其包括在上述第一方向看时与上述主面电极重叠的图案覆盖部。上述图案覆盖部包括树脂流出防止部。在上述第一方向看时，上述树脂流出防止部配置在上述树脂密封部的外侧，并且从上述一对第二侧面的一方到上述一对第二侧面的另一方连续地延伸。
本发明另一方面提供了一种半导体发光器件的制造方法。该制造方法包括：准备具有彼此平行的第一侧边和第二侧边的基材的基材准备步骤；在上述基材上形成配线图案的配线图案形成步骤；以覆盖上述配线图案的一部分的方式在上述基材上形成抗蚀剂层的抗蚀剂层形成步骤；在上述基材上配置半导体发光元件的芯片接合步骤；和树脂成形步骤，用第一模具和第二模具夹着上述基材，通过在上述第一模具的凹部中注入树脂材料，成形覆盖上述半导体发光元件的树脂密封部。上述配线图案的形成和上述抗蚀剂的形成，以构成从上述基材的上述第一侧边到上述第二侧边连续地延伸的树脂流出防止部的方式进行。上述树脂流出防止部形成为在从上述基材的上述第一侧边到上述第二侧边的全部范围中与上述第一模具的底面抵接。
在本发明的半导体发光器件中，图案覆盖部包括树脂流出防止部。通过该树脂流出防止部，在树脂成形步骤时，用一对模具夹着基材时，由于一方的模具与树脂流出防止部抵接，不会产生现有技术中的间隙。由此，能够抑制注入到模具内的空腔的液状树脂的渗漏。
附图说明
图1是本发明一个实施方式的半导体发光器件的正面图。
图2是上述半导体发光器件的右侧侧面图。
图3是上述半导体发光器件的左侧侧面图。
图4是上述半导体发光器件的平面图。
图5是上述半导体发光器件的底面图。
图6是表示上述半导体发光器件的内部构成的平面图。
图7是图4的沿VII-VII线的截面图。
图8是图4的沿VIII-VIII线的截面图。
图9是本发明的制造方法的说明图，表示基材准备工序后的集合基材。
图10是本发明的制造方法的说明图，表示配线图案形成工序后的集合基材。
图11是本发明的制造方法的说明图，表示了抗蚀剂形成工序后的集合基材。
图12是本发明的制造方法的说明图，表示了粘合工序后的集合基材。
图13是图12的沿XIII-XIII线的截面图。
图14是表示图13的一部分的放大截面图。
图15是本发明的制造方法的说明图，表示了树脂成形工序后的集合基材。
图16(a)～图16(c)是本发明的多个变形例的半导体发光器件的说明图。
图17(a)～图17(b)是本发明其他多个变形例的半导体发光器件的说明图。
具体实施方式
参照附图对本发明的半导体发光器件及其制造方法的优选实施方式进行以下说明。
图1～图8表示了本发明的实施方式的半导体发光器件A。图示的半导体发光器件A包括基材1、半导体发光元件2、配线图案3、抗蚀剂层4、引线5和树脂密封部6。此外，图6透过图4的树脂密封部6来表示半导体发光器件A的内部构成。另外，抗蚀剂层4以点画法描绘，并且以能够透视背后的部位的方式描绘。
图1～图8中，以贯通基材1的厚度的方向为z方向。另外，以与z方向正交并且彼此正交的2个方向分别为x方向和y方向。在各个方向上，箭头的指向为前方，其反向为后方。
基材1由绝缘性材料形成。作为这样的材料的例子，可以举例绝缘性树脂或者陶瓷。作为绝缘性树脂，例如可以举例玻璃环氧树脂等。作为陶瓷，例如可以举例Al2O3、SiC或者AlN等。此外，基材1可以是在铝等的金属形成的基板形成有绝缘膜的部件。在z方向看时，基材1是矩形形状。基材1在x方向上较长地延伸。在本实施方式中，基材1在z方向上的尺寸(厚度)为400μm。基材1包括主面11、背面12、一对第一侧面13、14和一对第二侧面15、16。
如图1、图7和图8所示，主面11和背面12在z方向上彼此离开。主面11朝向z方向前方(以下称为“上方”)，背面12朝向z方向后方(以下称为“下方”)。主面11和背面12都是平坦的。
如图1和图4～图6所示，一对第一侧面13、14在x方向上彼此离开。一对第一侧面13、14均为上端缘与主面11连接，下端缘与背面12连接。在第一侧面13和14分别形成有槽部131和141。第一侧面13、14各自具有隔着槽部131或141彼此在同一平面的2个平坦部。
槽部131从第一侧面13向基材1的内侧凹陷。槽部141从第一侧面14向基材1的内侧凹陷。2个槽部131、141均从主面11延伸到背面12。在本实施方式中，在z方向看时，2个槽部131、141均呈半圆形状。
如图2～图6和图8所示，第二侧面15、16在y方向上彼此离开。第二侧面15、16均为上端缘与主面11连接，下端缘与背面12连接。第二侧面15、16均是全部平坦的。
半导体发光元件2是半导体发光器件A的光源。并且，本发明的结构对于发光器件以外的电子器件也可以适用。例如，可以使用受光元件或者二极管来代替半导体发光元件2。半导体发光元件2包括n型半导体层、活性层和p型半导体层。n型半导体层层叠于活性层，活性层层叠于p型半导体层。活性层处于n型半导体层与p型半导体层之间的位置。n型半导体层、活性层和p型半导体层例如是由GaN形成的。半导体发光元件2的朝向上方的面具有第一焊垫部，朝向下方的面有第二焊垫部。半导体发光元件2搭载于基材1。半导体发光元件2发出的光的颜色没有特别限定，可以为红、绿、蓝等。
配线图案3是用于向半导体发光元件2供给电力的通路。配线图案3与半导体发光元件2导通。配线图案3例如由Cu、Ni、Ti、Au等的一种或多种金属形成。配线图案3形成在基材1上。本实施方式中，配线图案3包括Cu箔和Cu镀层。Cu箔形成在基材1上，厚度(z方向尺寸)为18μm。Cu镀层形成在Cu箔上，厚度为15μm。因此，配线图案3的厚度为33μm。此外，配线图案3的结构和厚度并不限于此。配线图案3包括主面电极31、多个背面电极32、33和多个侧面电极34、35。
主面电极31形成在基材1的主面11。主面电极31包括多个部分，例如：芯片接合部311、引线接合部312、第一端缘部313、第二端缘部314、第一连结部315、第二连结部316、第一带状部317和第二带状部318。
芯片接合部311是固定半导体发光元件2的部分。本实施方式中，芯片接合部311的朝向上方的面与半导体发光元件2的第二焊垫部相对，两者通过导电性接合材料彼此接合。作为接合材料例如可以举例焊料或者Ag膏等。另外，本实施方式中，在z方向看时，芯片接合部311可以为圆形、矩形或者多边形等。
引线接合部312是接合引线5的部分。本实施方式中，在z方向看时，引线接合部312可以为大致矩形，也可以为其他形状。
第一端缘部313靠近一个槽部131设置。第二端缘部314靠近另一个槽部141设置。本实施方式中，在z方向看时，第一端缘部313和第二端缘部314均呈半圆形(参照图6或图10等)。另外，本实施方式中，如图4和图6所示，第一端缘部313和第二端缘部314各自的一部分从抗蚀剂层4和树脂密封部6露出。所露出的部分，为防止腐蚀而被实施了镀Au。
第一连结部315连接芯片接合部311与第一端缘部313。第二连结部316连接引线接合部312与第二端缘部314。本实施方式中，第一连结部315和第二连结部316均为带状，在x方向上延伸。
主面11具有在y方向上离开的两个侧边。第一带状部317和第二带状部318均从主面11的一个侧边延伸到另一个侧边。本实施方式中，第一带状部317配置在比主面11的中央靠x方向前方。第二带状部318配置在比主面11的中央靠x方向后方。本实施方式中，第一带状部317与第一端缘部313和第一连结部315相连。第二带状部318与第二端缘部314和第二连结部316相连。
背面电极32、33形成于背面12。背面电极32、33是将半导体发光器件A安装在安装基板等时的接合部分。背面电极32、33在x方向上彼此离开、并且绝缘。背面电极32配置在比背面12的中央靠x方向前方。背面电极33配置在比背面12的中央靠x方向后方。
侧面电极34覆盖槽部131，侧面电极35覆盖槽部141。侧面电极34、35从主面11延伸到背面12。侧面电极34的上端缘与第一端缘部313连接，下端缘与背面电极32连接。由此，半导体发光元件2的第二焊垫部经由芯片接合部311、第一连结部315、第一端缘部313和侧面电极34与背面电极32电连接。侧面电极35的上端缘与第二端缘部314连接，下端缘与背面电极33连接。
抗蚀剂层4由绝缘性材料形成，形成于基材1。为方便理解，在一部分的图中，抗蚀剂层4以点画法绘制。抗蚀剂层4包括主面侧抗蚀剂41和背面侧抗蚀剂42。
主面侧抗蚀剂41形成于基材1的主面11。主面侧抗蚀剂41通过将膜状的抗蚀剂压接并粘合到主面11之后，通过固化来形成。由于压接时的压力，主面侧抗蚀剂41的朝向上方的面变得平坦。主面侧抗蚀剂41包括多个图案覆盖部411和多个基材覆盖部413。
图案覆盖部411，在z方向看时是与配线图案3重叠的部分。各图案覆盖部411抵接于配线图案3的对应的部分。图案覆盖部411具有平坦的上表面。本实施方式中，由图案覆盖部411覆盖第一带状部317和第二带状部318的全体。本实施方式中，图案覆盖部411的厚度为15μm。
本实施方式中，图案覆盖部411包含树脂流出防止部412。树脂流出防止部412是与树脂成形工序(后述)中使用的模具71抵接的部分。在z方向看时，树脂流出防止部412位于树脂密封部6的外侧(x方向)。此外，树脂流出防止部412，在y方向上从一个第二侧面15到另一个第二侧面16连续地延伸。本实施方式中，树脂流出防止部412，在z方向看时是矩形。树脂流出防止部412的上表面是平坦的，并且位于抗蚀剂层4之中最上方的位置。为了方便理解，一部分图(图4、图6等)中，以粗虚线表示树脂流出防止部412。
基材覆盖部413，在z方向看时是不与配线图案重叠的部分。即，基材覆盖部413与基材1抵接。本实施方式中，基材覆盖部413的厚度比配线图案3的厚度和图案覆盖部411的厚度之和小。例如，基材覆盖部413的厚度为40μm。
背面侧抗蚀剂42形成于基材1的背面12。如图5所示，背面侧抗蚀剂42形成在背面12的x方向中央附近，与背面12的两侧边(在y方向上彼此离开)相连接。此外，背面侧抗蚀剂42的下面是平坦的。本实施方式中，背面侧抗蚀剂42的厚度为20μm。此外，背面侧抗蚀剂42在x方向前方具有突出的凸部。由于形成这样的形状，背面侧抗蚀剂42成为判断半导体发光器件A的连接方向的标识。背面侧抗蚀剂42是在背面12涂覆液体液体抗蚀剂，使其热固化而形成的。并且，背面侧抗蚀剂42与主面侧抗蚀剂41同样，可以使用膜状抗蚀剂形成。
引线5与半导体发光元件2和配线图案3电连接。引线5由例如Au等金属形成。引线5的一端固定在半导体发光元件2的第一焊垫部，另一端固定在引线接合部312。由此，半导体发光元件2的第一焊垫部经由引线5、引线接合部312、第二连结部316、第二端缘部314和侧面电极35与背面电极33电连接。
树脂密封部6覆盖半导体发光元件2、配线图案3的一部分、抗蚀剂层4的一部分和引线5。树脂密封部6由透光的树脂材料形成。作为这样的树脂材料可以举例透明或者半透明的树脂，例如环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂或者聚乙烯树脂。此外，树脂密封部6可以包含荧光材料。这种情况下，荧光材料被半导体发光元件2的光(第一光)激励，发出与第一光不同波长的光(第二光)。
树脂密封部6在树脂成形工序(后述)中通过模塑成形。树脂密封部6的x方向上的尺寸比基材1小。树脂密封部6具有圆顶部61。
圆顶部61呈半球体形状，向上方突出。圆顶部61作为凸透镜发挥功能。从半导体发光元件2发出的光，通过圆顶部61去向规定方向。并且，树脂密封部6不限于具有圆顶部61的形状。例如，在使从半导体发光元件2发出的光扩散时，也可以使树脂密封部6的上表面为凹面。
下面，参照图9～图15，对半导体发光器件A的制造方法进行说明。图示的方法中，多个半导体发光器件A一起制造，但本发明的制造方法不限于此。半导体发光器件A的制造方法，如以下所述包括基材准备工序、配线图案形成工序、抗蚀剂形成工序、接合工序和树脂成形工序。
如图9所示，在基材准备工序中准备集合基材100a。集合基材100a大致呈矩形。集合基材100a中，多个贯通孔101形成为矩阵状。并且，在图示的例子中，在集合基材100a的左右各端面形成的“贯通孔”101实际上是槽，为了方便，称之为“贯通孔”。集合基材100a为能够形成多个如图1～图8所示的多个基材1的尺寸。本实施方式中，集合基材100a可以由6个基材1形成。多个贯通孔101中，具有6个半圆形的贯通孔101和3个圆形的贯通孔101。多个贯通孔101例如是通过对基材进行冲孔(Punching)处理而形成的。集合基材100a例如是玻璃环氧树脂制的。
如图10所示，配线图案形成工序中，在集合基材100a形成配线图案3。配线图案3通过在集合基材100a上形成Cu箔后，对该Cu箔实施镀Cu而形成。通过该配线图案形成工序，能够得到图10所示的集合基材100b(是在集合基材100a形成有配线图案3的结构)。
如图11所示，抗蚀剂形成工序中，在集合基材100b上的规定区域形成抗蚀剂层4。具体说来，在集合基材100b的上表面压接粘合膜状的抗蚀剂。然后，通过曝光等使所粘贴的抗蚀剂固化。由此，形成主面侧抗蚀剂41(参照图6)。此外，在集合基材100b的背面涂覆液体状的抗蚀剂。接着，使所涂覆的抗蚀剂固化。由此，形成背面侧抗蚀剂42(参照图7)。通过抗蚀剂形成工序，能够得到图11所示的集合基材100c(在集合基材100b形成有抗蚀剂层4的结构)。抗蚀剂形成工序中，主面侧抗蚀剂41通过上述压接时的压力，其上表面变得平坦。主面侧抗蚀剂41包含图案覆盖部411和基材覆盖部413。图案覆盖部411是压接形成在配线图案3上的部分。基材覆盖部413是压接形成于在集合基材100b之中没有形成配线图案3的部分的部分。抗蚀剂形成工序之后，配线图案3的露出部分(从抗蚀剂层4露出，并且也从之后形成的树脂密封部6露出的部分)实施镀Au。
如图12所示，在接合工序中，首先，将多个半导体发光元件2分别接合在集合基材100c的上表面的规定位置。该芯片接合能够采用公知的方法来实施。接着，将各半导体发光元件2的第一焊垫部和对应的引线接合部312(参照图6)通过引线5连接。该引线接合能够采用公知的方法来实施。通过接合工序(芯片接合工序和引线接合工序)，能够确保各半导体发光元件2与配线图案3的导通。此外，通过接合工序，能够得到如图12所示的集合基材100d(在集合基材100c上设置有多个半导体发光元件2和多根引线5的结构)。
如图13和图14所示，在树脂成形工序中，在上述集合基材100d模塑成形树脂密封部6。图13是图12的沿XIII-XIII线的截面图。图14是图13的由点划线部分表示的部分的放大截面图。树脂成形工序中，如图13所示，利用一对模具71、72在z方向上夹住集合基材100d(对应多个基材1)。在上侧的模具71形成有多个凹部711。各凹部711的尺寸和形状与图1等所示的树脂密封部6大致相同。此外，上侧的模具71具有朝向下方的抵接底面712。抵接底面712(除去多个凹部711)是平坦的。上侧的模具71通过抵接底面712从上方按压集合基材100d。图12中，用细虚线包围由抵接底面712按压的区域(参照图11)。下侧的模具72的上面同样地是平坦的，从下方按压集合基材100d。
树脂成形工序中，以使模具71的各凹部711内容纳1个半导体发光元件2的方式，利用上下模具71、72夹住集合基材100d。由此，由各凹部711和集合基材100d形成空腔73。本实施方式中，由模具71、72夹住集合基材100d时，考虑以下的方面。即：(1)如图14所示，各树脂流出防止部412和抵接底面712抵接；和(2)如图12所示，各树脂流出防止部412，在y方向上从集合基材100d的一个侧边连续延伸到另一个侧边(在抵接于抵接底面712的状态)。如图13所示，上侧模具71形成有与各个凹部711相对应的多个树脂注入通路74。通过这些树脂注入通路74，向空腔73内填充透光性的树脂材料，之后，使所填充的树脂材料固化。由此，能够得到树脂密封部6。并且，图示的例子中，各树脂注入通路74设置在对应的凹部711的正上方，但树脂注入通路74的位置不限于此。该树脂成形工序中，由于树脂流出防止部412与模具71抵接，因此被形成的树脂密封部6在z方向看时位于一对树脂流出防止部412的内侧位置。即，树脂流出防止部412位于比树脂密封部6的x方向的两端缘靠外侧的位置。通过该树脂成形工序，能够得到图15所示的集合基材100e(在集合基材100d形成有树脂密封部6的结构)。
如图15所示，在树脂成形工序后，沿多个切断线CL切断集合基材100e。通过该切断动作，能够得到图1～图8所示的多个半导体发光器件A。此外，与该例不同，也可以一个一个地分别制造多个半导体发光器件A。
下面，对上述半导体发光器件A及其制造方法的作用进行说明。
如上所述，各图案覆盖部411具有树脂流出防止部412。该树脂流出防止部412，在树脂成形工序中，在规定长度上与模具71的抵接底面712相抵接。因此，在集合基材100d被一对模具71、72夹住时，能够抑制模具71与集合基材100d之间产生间隙。更具体地说，模具71能够按压从集合基材100d的一个侧面到另一个侧面(对个别的半导体发光器件A来说，从一个第二侧面15到另一个第二侧面16)连续地延伸并且没有高度差的部分。由此，能够抑制间隙的产生，进而，能够抑制所注入的树脂材料的从空腔73的渗漏。
根据本实施方式，树脂密封部6的x方向的两端缘全部与抗蚀剂层4抵接。与配线图案3相比，树脂密封部6与抗蚀剂层4的接合性更高。因此，能够提高树脂密封部6的x方向的两端缘的接合性。由此，能够减少树脂密封部6的剥落。
根据本实施方式，在树脂成形工序中，使树脂流出防止部412与模具71(抵接底面712)从集合基材100d的一个侧面直至另一个侧面连续地抵接。由此，夹住集合基材100d的模具71、72的合模力不提高，也能够抑制树脂渗漏。现有的半导体发光器件的树脂成形工序中，通过提高模具的合模力，能够防止与基材之间产生间隙。但是，当提高模具的合模力时，基材不能耐受该力，就会产生基材破裂等其他的问题。特别是对于薄型半导体发光器件，此种问题表现显著。另一方面，根据本发明的上述制造方法，树脂成形工序中，不需要提高模具71、72的合模力。因此，能够减少基材割裂等不良情况。此外，由于不需要能够以高合模力按压的模具成型机，能够有助于抑制制造成本。
本实施方式的抗蚀剂形成工序中，使用膜状的抗蚀剂形成主面侧抗蚀剂41。膜状的抗蚀剂与液体状的抗蚀剂相比，图案形成的精度更高。因此，膜状的抗蚀剂能够在与槽部131、141靠近至大约0.05mm的位置形成。另一方面，液体状的抗蚀剂只能在与槽部131、141相距0.125mm以上的位置形成。由此，通过膜状的抗蚀剂，树脂流出防止部412能够容易地形成在规定位置。此外，膜状的抗蚀剂的形成，由于通过压接而粘合，与涂覆液体状的抗蚀剂的情况相比，容易形成平面。因此，能够易于使树脂流出防止部412的上表面变得平坦，与模具71的紧贴性提高。并且，例如如果图案形成精度不成为问题，那么也可以使用液体状抗蚀剂代替膜状抗蚀剂。例如，也可以利用液体阻焊剂形成主面侧抗蚀剂41。
本实施方式的树脂成形工序中，模具71(抵接底面712)与树脂流出防止部412(抗蚀剂层4)直接相接触，但是不与配线图案3相接触。由此，上述合模力不对配线图案3施加不良影响，例如配线图案3不会断线。
配线图案3和抗蚀剂层4的配置位置不限于上述实施方式中的位置。个别半导体发光器件A中，只要树脂流出防止部412(树脂成形工序中与抵接底面712抵接)从一方的第二侧面15连续到另一方的第二侧面16，配线图案3和抗蚀剂层4的配置能够有各种变更。以下，对于配线图案3和抗蚀剂层4的一者或两者，说明与上述半导体发光器件A不同的变形例。此外，与上述半导体发光器件A同样的或者类似的构成，标注相同的附图标记，省略其说明。
图16(a)～图16(c)是本发明的变形例的半导体发光器件A1～A3的说明图。图16(a)～图16(c)中省略了与图6相同的树脂密封部6的记载。此外，模具71的抵接底面712以虚线表示。图16(a)～图16(c)表示了树脂成形工序中，向空腔73内填充树脂材料前的状态。
半导体发光器件A1中，图案覆盖部411只覆盖第一带状部317的一部分。半导体发光器件A2中，主面侧抗蚀剂41具有曲线状的端缘(该图中，在y方向上延伸的左侧端缘)。半导体发光器件A3中，配线图案3(第一带状部317)具有不同的形状。
上述半导体发光器件A1～A3中，以粗虚线表示的树脂流出防止部412，从第二侧面15到第二侧面16在y方向上连续地延伸。因此，这些变形例中，也与上述实施方式同样，具有防止树脂从模具流出的效果。
图17(a)～图17(b)是本发明其他变形例的半导体发光器件B1和B2的说明图。半导体发光器件B1和B2，在z方向看时树脂流出防止部412大致为线状(即，树脂流出防止部412的x方向的尺寸非常小)。
在半导体发光器件B1中，在z方向看时，第一带状部317的右端缘与主面侧抗蚀剂41(图案覆盖部411)的左端缘是一致的。半导体发光器件B2中，在z方向看时，第一带状部317的右端缘、主面侧抗蚀剂41(图案覆盖部411)的右端缘和模具71的抵接底面712的左端缘是一致的。无论是半导体发光器件B1和B2，树脂流出防止部412都从一方的第二侧面15连续延伸到另一方的第二侧面16。这些变形例中，也起到防止树脂从模具流出的效果。
上述半导体发光器件A、A1～A3、B1和B2中，以基材覆盖部413的厚度比配线图案3的厚度和图案覆盖部411的厚度之和小的情况为例进行了说明。与此不同的是，例如，基材覆盖部413的厚度也可以与配线图案3的厚度和图案覆盖部411的厚度之和相等。例如也可以使基材覆盖部413的厚度为48μm，配线图案3的厚度为33μm，图案覆盖部411的厚度为15μm。在该情况下，在树脂成形工序中，不仅图案覆盖部411，基材覆盖部413也与模具71抵接。因此，由于模具71与覆盖部的抵接面积变大，能够达到进一步抑制树脂渗漏的效果。此外，图案覆盖部411也可以不从一方的第二侧面15延伸到另一方的第二侧面16。该情况下，例如，将基材覆盖部413和图案覆盖部411组合的结构，从第二侧面15连续延伸到第二侧面16即可。
本发明的半导体发光器件及其制造方法不限于上述实施方式。本发明的半导体发光器件的各部分的具体构成及制造方法的各工序的具体顺序和方法，有各种自由的设计变更。

Claims (23)

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
基材，包括在第一方向上彼此离开的基材主面和基材背面、在与所述第一方向正交的第二方向上彼此离开的一对第一侧面、在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上彼此离开的一对第二侧面；
搭载在所述基材主面的半导体发光元件；
覆盖所述半导体发光元件的、并且在所述第一方向看时比所述基材尺寸小的透光性树脂密封部；
包括形成于所述基材主面的主面电极的、与所述半导体发光元件电连接的配线图案；和
绝缘性的抗蚀剂层，其包括在所述第一方向看时与所述主面电极重叠的图案覆盖部；
所述图案覆盖部包括树脂流出防止部，在所述第一方向看时，所述树脂流出防止部配置在所述树脂密封部的外侧，并且从所述一对第二侧面的一方到所述一对第二侧面的另一方连续地延伸。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述树脂流出防止部为大致线状，所述树脂密封部具有在第三方向上延伸的端缘，该端缘与所述树脂流出防止部重叠。
3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：
在所述一对第一侧面，分别形成从所述基材主面延伸到所述基材背面的第一槽部和第二槽部。
4.如权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述第一槽部和所述第二槽部在所述第一方向看时为半圆形。
5.如权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述配线图案包括分别形成在所述第一槽部和所述第二槽部中的第一侧面电极和第二侧面电极，该第一侧面电极和第二侧面电极与所述主面电极电连接。
6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述配线图案包括形成在所述基材背面的第一背面电极和第二背面电极，该第一背面电极和第二背面电极分别与所述第一侧面电极和所述第二侧面电极电连接。
7.如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述第一背面电极和所述第二背面电极彼此离开且电绝缘。
8.如权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于：
还包括设置在所述第一背面电极和所述第二背面电极之间的绝缘体。
9.如权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于：
还包括连接所述半导体发光元件与所述配线图案的引线。
10.如权利要求9所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述主面电极包括：固定所述半导体发光元件的芯片接合部：和固定所述引线的一端的引线接合部。
11.如权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述半导体发光元件包括第一焊垫部和第二焊垫部，所述第一焊垫部与所述引线的另一端连接，所述第二焊垫部经由导电性接合材料与所述芯片接合部连接。
12.如权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述主面电极包括第一端缘部和第一连结部，所述第一端缘部靠近所述第一槽部设置，并且与所述第一侧面电极电连接，所述第一连结部电连接所述第一端缘部与所述芯片接合部。
13.如权利要求12所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述基材主面包括在所述第三方向上彼此离开的第一侧边和第二侧边，所述主面电极包括与所述第一连结部相连接的第一带状部，该第一带状部从第一侧边延伸到所述第二侧边。
14.如权利要求13所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述树脂流出防止部在第一方向看时与所述第一带状部重叠。
15.如权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述主面电极包括第二端缘部和第二连结部，所述第二端缘部靠近所述第二沟部设置，并且与所述第二侧面电极电连接，所述第二连结部电连接所述第二端缘部与所述引线接合部。
16.如权利要求15所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述基材主面包括在所述第三方向上彼此离开的第一侧边和第二侧边，所述主面电极包括与所述第二连结部相连接的第二带状部，该第二带状部从所述第一侧边延伸到所述第二侧边。
17.如权利要求16所述的半导体发光器件，其特征在于：
还包括追加的树脂流出防止部，所述追加的树脂流出防止部在所述第一方向看时与所述第二带状部重叠。
18.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述配线图案由Cu形成。
19.如权利要求18所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述配线图案包括从所述树脂密封部和所述抗蚀剂层露出的部分，对该露出的部分实施了镀Au。
20.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述树脂密封部由选自环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂或者聚乙烯树脂中的任意种形成。
21.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：
所述树脂密封部包括在所述第一方向突出的圆顶部。
22.半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：
准备具有彼此平行的第一侧边和第二侧边的基材的基材准备步骤；
在所述基材上形成配线图案的配线图案形成步骤；
以覆盖所述配线图案的一部分的方式在所述基材上形成抗蚀剂层的抗蚀剂层形成步骤；
在所述基材上配置半导体发光元件的芯片接合步骤；和
树脂成形步骤，用第一模具和第二模具夹着所述基材，通过在所述第一模具的凹部中注入树脂材料，成形覆盖所述半导体发光元件的树脂密封部；
所述配线图案的形成和所述抗蚀剂的形成，以构成从所述基材的所述第一侧边到所述第二侧边连续地延伸的树脂流出防止部的方式进行，所述树脂流出防止部形成为在从所述基材的所述第一侧边到所述第二侧边的全部范围中与所述第一模具的底面抵接。
23.如权利要求22所述的制造方法，其特征在于：
所述抗蚀剂形成步骤包括膜状抗蚀剂的压接粘贴步骤和所述膜状抗蚀剂的固化步骤。
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