CN110818420B - 一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 claims abstract description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 150000002362 hafnium Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- QKQUUVZIDLJZIJ-UHFFFAOYSA-N hafnium tantalum Chemical compound [Hf].[Ta] QKQUUVZIDLJZIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 claims description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HRJSLUPAMXKPPM-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-(3-methylphenyl)pyrazol-3-amine Chemical compound N1=C(C)C=C(N)N1C1=CC=CC(C)=C1 HRJSLUPAMXKPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KSGWBGANTWHAEE-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite tantalum Chemical compound [Ta].ClOCl KSGWBGANTWHAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 4
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 3
- NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloroquinoxaline-6-carbonyl chloride Chemical compound N1=C(Cl)C(Cl)=NC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 claims description 3
- FLVFLHZPYDNHJE-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;hafnium Chemical compound [Hf].ClOCl FLVFLHZPYDNHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MCFIMQJAFAOJPD-MTOQALJVSA-J hafnium(4+) (Z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Hf+4].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O MCFIMQJAFAOJPD-MTOQALJVSA-J 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 21
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 15
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006728 Si—Ta Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- JNVMRMZYZCJCJC-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ta].[Hf] Chemical compound [Si].[Ta].[Hf] JNVMRMZYZCJCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 transition metal carbides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
- C04B35/5622—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on zirconium or hafnium carbides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/624—Sol-gel processing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/48—Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
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Abstract
本发明涉及一种SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷及其制备方法。其技术方案是：先将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，搅拌，在180～240℃条件下保温，蒸馏，得到Ta1‑xHfxC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99。再将所述Ta1‑xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，搅拌，干燥，得到Si‑TaxHf1‑xC陶瓷前驱体。然后将所述Si‑TaxHf1‑xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内并置于炭化炉中，在氩气气氛下升温至1600～1800℃，保温，冷却，得到SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷。本发明具有工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高特点，所制备的SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。
Description
技术领域
本发明属于高温陶瓷技术领域。具体涉及一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。
背景技术
TaC与HfC作为常用的过渡金属碳化物之一，具有高熔点(＞3600℃)、高硬度(TaC：18.9GPa，HfC:22.1GPa)、高模量(TaC:537GPa，HfC:461GPa) 和机械加工性能好的特点，被广泛运用于航空航天器中的高温防护中。TaC与HfC均为NaCl型晶体结构，能以任意比例形成无限固溶体。通过改变TaC与 HfC的摩尔比，能形成具有不同物理性能的固溶体陶瓷。在该体系中，当TaC 与HfC的比为4∶1时，能形成目前熔点最高的物质Ta4HfC5(4215k)。
Ta4HfC5仅在1800℃以上才有良好的高温抗氧化性能，采用引入杂原子的方法能极大地步扩展Ta4HfC5的高温抗氧化范围。SiC陶瓷是常用的高温陶瓷之一。在高温有氧的条件下，SiC能与氧气发生反应生成SiO2保护膜，阻止材料的进一步氧化。Ta4HfC5在高温有氧的条件下生成Ta2O5、HfO2和Hf6Ta2O17。其中， Ta2O5的熔点为1800℃，HfO2的熔点为2750℃，Hf6Ta2O17熔点介于二者之间。熔点为1600℃的SiO2与这些过渡金属氧化物形成氧化协同效应，极大扩展 Ta4HfC5的高温抗氧化范围。
目前，大部分研究人员都是通过等离子火花烧结法制备Ta4HfC5陶瓷粉体，但是高温高压条件始终不利于大规模工业化生产。使用前驱体裂解法是最适合生产高温陶瓷的方法之一，如“一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷”(CN 109400165 A)专利技术，公开了制备Ta4HfC5陶瓷前驱体技术，但该技术为使反应顺利进行，采用多种原料和多步骤，使用氨水滴定析出前驱体，增加了原料成本和操作难度。又如“一种铪钽硅三元复相陶瓷前驱体、碳/铪钽碳固溶体- 碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法”(CN 110002892 A)专利技术，虽制备了碳/铪钽碳固溶体-碳化硅陶瓷。但是该技术采用聚碳硅烷物理混合，陶瓷均一性差，在高温下不能形成良好均匀的保护膜，导致陶瓷的高温抗氧化性能较差。
发明内容
本发明旨在克服现有技术缺陷，目的在于提供一种工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，所制备的SiC 掺杂TaxHf1-xC陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.25～0.5)∶(1-x)∶x∶(0.2～1.2)，0.01≤x≤0.99；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在60～120℃和500～1200r/min条件下搅拌0.5～2h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在180～240℃条件下保温0.5～2.5h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.1～2)，将所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.1～0.25)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在30～60℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.15～0.5h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1600～1800℃，保温0.5～1h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为无水甲醇、无水乙醇和正丁醇中的一种。
所述的钽盐为五氯化钽，氯氧化钽，乙醇钽和乙酰丙酮钽中的一种。
所述的铪盐为四氯化铪、氯氧化铪、乙醇铪和乙酰丙酮铪中的一种。
所述的碳源为酚醛树脂、沥青二甲苯可溶物、对二苯酚和1，4-丁二醇中的一种。
所述的硅源为正硅酸乙酯、硅溶胶和聚碳硅烷的一种。
本发明与现有技术相比具有如下有益效果：
1.本发明在整个制备过程中，Ta1-xHfxC陶瓷前驱体溶液处于常压状态下，避免了使用高压发应釜带来的风险，安全系数高，成本低。
本发明采用蒸馏法制取Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，避免了利用氨水滴定造成 TaxHf1-xC陶瓷纯度不高与产率降低等问题，故本发明不仅产率高，且制备的SiC 掺杂TaxHf1-xC陶瓷纯度高。
2.本发明在制备过程中利用蒸馏法去除溶剂、副产物以及未反应的小分子，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，解决了高温环境下分解产生的HCl对设备的腐蚀问题。提高设备的使用寿命，降低了生产成本。
3.本发明采用一锅法制备Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，工艺和设备简单，操作方便、周期短和能耗低和易于工业化生产。
4.本发明在整个制备过程中，利用SiO2与HfO2,Ta2O5和Hf6Ta2O17的协同效应，极大地提高了SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的高温抗氧化性能；另由于采用溶胶凝胶法制备出Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，使其达到分子级别掺杂，所制制品不仅均匀性好，还能显著提高陶瓷的高温抗氧化性能。
因此，本发明具有工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高特点，所制备的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。
附图说明
图1是本发明制备的一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的XRD图谱；
图2是图1所示SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的SEM照片。
具体实施方式
为了更好地解释本发明，以下结合附图和具体实施方式作进一步描述，并非对其保护范围的限制。
实施例1
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.25～0.29)∶(1-x)∶x∶(0.2～0.35)，0.01≤x≤0.15；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在60～70℃和500～1200r/min条件下搅拌1.75～2h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在230～240℃条件下保温0.5～0.9h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.15。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.1～0.5)，将所述Ta1- xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.1～0.13)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在30～35℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.15～0.25h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1600～1650℃，保温0.9～1h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为无水甲醇。
所述的钽盐为五氯化钽。
所述的铪盐为四氯化铪。
所述的碳源为酚醛树脂。
所述的硅源为正硅酸乙酯。
实施例2
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.29～0.33)∶(1-x)∶x∶(0.35～0.5)，0.15≤x≤0.30；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在70～80℃和500～1200r/min条件下搅拌1.5～1.8h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在220～230℃条件下保温0.8～1.2h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.15≤x≤0.30。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.4～0.8)，将所述Ta1- xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.13～0.16)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在35～40℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.20～0.30h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.15≤x≤0.30；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1630～1680℃，保温0.8～0.9h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为无水乙醇。
所述的钽盐为氯氧化钽。
所述的铪盐为氯氧化铪。
所述的碳源为沥青二甲苯可溶物。
所述的硅源为硅溶胶。
实施例3
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.33～0.37)∶(1-x)∶x∶(0.5～0.65)，0.30≤x≤0.45；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在80～90℃和500～1200r/min条件下搅拌1.25～1.5h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在210～220℃条件下保温1.1～1.5h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.30≤x≤0.45。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.7～1.1)，将所述Ta1- xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.16～0.19)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在40～45℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.25～0.35h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.30≤x≤0.45；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1660～1710℃，保温0.7～0.8h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为正丁醇。
所述的钽盐为乙醇钽。
所述的铪盐为乙醇铪。
所述的碳源为对二苯酚。
所述的硅源为聚碳硅烷。
实施例4
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.37～0.41)∶(1-x)∶x∶(0.65～0.8)，0.45≤x≤0.60；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在90～100℃和500～1200r/min条件下搅拌1.0～1.25h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在200～210℃条件下保温1.4～1.8h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.45≤x≤0.60。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(1.0～1.4)，将所述Ta1- xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.19～0.21)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在45～50℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.3～0.4h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.45≤x≤0.60；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1690～1740℃，保温0.65～0.7h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为无水甲醇。
所述的钽盐为乙酰丙酮钽。
所述的铪盐为乙酰丙酮铪。
所述的碳源为1，4-丁二醇。
所述的硅源为正硅酸乙酯。
实施例5
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.41～0.45)∶(1-x)∶x∶(0.8～0.95)，0.60≤x≤0.75；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在100～110℃和500～1200r/min条件下搅拌0.75～1.0h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在190～200℃条件下保温1.7～2.1h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.60≤x≤0.75。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(1.3～1.7)，将所述Ta1- xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.21～0.24)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在50～55℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.35～0.45h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.60≤x≤0.75；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1720～1770℃，保温0.60～0.65h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为无水乙醇。
所述的钽盐为五氯化钽。
所述的铪盐为四氯化铪。
所述的碳源为酚醛树脂。
所述的硅源为硅溶胶。
实施例6
一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法。本实施例所述的制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶ (0.45～0.5)∶(1-x)∶x∶(0.95～1.2)，0.75≤x≤0.99；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在110～120℃和500～1200r/min条件下搅拌0.5～0.75h，得到钽铪络合物。
步骤2、将所述钽铪络合物在180～190℃条件下保温2.0～2.5h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.75≤x≤0.99。
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(1.6～2)，将所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.24～0.25)∶ (0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在55～60℃和 500～1200r/min条件下搅拌0.4～0.5h，得到凝胶。
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.75≤x≤0.99；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至 1750～1800℃，保温0.5～0.6h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
所述的无水醇类为正丁醇。
所述的钽盐为氯氧化钽。
所述的铪盐为乙醇铪。
所述的碳源为1，4-丁二醇。
所述的硅源为聚碳硅烷。
本具体实施方式与现有技术相比具有以下优点和积极效果：
1.本具体实施方式在整个制备过程中，Ta1-xHfxC陶瓷前驱体溶液处于常压状态下，避免了使用高压发应釜带来的风险，安全系数高，成本低。
本具体实施方式采用蒸馏法制取Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，避免了利用氨水滴定造成TaxHf1-xC陶瓷纯度不高与产率降低等问题，故本具体实施方式不仅产率高，且制备的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷纯度高。
2.本具体实施方式在制备过程中利用蒸馏法去除溶剂、副产物以及未反应的小分子，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，解决了高温环境下分解产生的HCl对设备的腐蚀问题。提高设备的使用寿命，降低了生产成本。
3.本具体实施方式采用一锅法制备Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，工艺和设备简单，操作方便、周期短和能耗低和易于工业化生产。
4.本具体实施方式在整个制备过程中，利用SiO2与HfO2,Ta2O5和Hf6Ta2O17的协同效应，极大地提高了SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的高温抗氧化性能；另由于采用溶胶凝胶法制备出Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，使其达到分子级别掺杂，所制制品不仅均匀性好，还能显著提高陶瓷的高温抗氧化性能。
本具体实施方式制备的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷如附图所示：图1是实施4 制备的一种SiC掺杂Si-TaHfC2陶瓷的XRD图谱；图2是图1所示SiC掺杂Si-TaHfC2陶瓷的SEM照片。
图1为Si-TaHfC2陶瓷前驱体在1800℃下热解得到的陶瓷XRD图谱。从图 1可以看出：SiC掺杂Si-TaHfC2陶瓷的XRD图谱中出现了TaHfC2峰位，说明得到了TaHfC2陶瓷，SiC的XRD的吸收峰的出现证明了SiC的生成。在SiC掺杂Si-TaHfC2陶瓷的XRD图谱中可以看出，TaHfC2的峰较为宽泛。根据谢利公式可知，生产出来的陶瓷晶体颗粒在纳米级。因为表面效应与尺寸效应的作用，使得本发明生产的陶瓷具有更好的物理性能。因此，所制备的SiC掺杂TaxHf1-xC 复相陶瓷具有晶粒小和抗氧化性能好等一系列优良特性。
从图2可以看出，产生的陶瓷颗粒呈现大小均匀的球状，颗粒细小，表明所制备的SiC掺杂TaHfC2陶瓷粉体具有颗粒细小和均匀性好的特点。
因此，本具体实施方式具有工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高特点，所制备的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。
Claims (7)
1.一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：
步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶(0.25～0.5)∶(1-x)∶x∶(0.2～1.2)，0.01≤x≤0.99；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在60～120℃和500～1200r/min条件下搅拌0.5～2h，得到钽铪络合物；
步骤2、将所述钽铪络合物在180～240℃条件下保温0.5～2.5h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta1-xHfxC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；
步骤3、按所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.1～2)，将所述Ta1-xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶；
步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.1～0.25)∶(0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在30～60℃和500～1200r/min条件下搅拌0.15～0.5h，得到凝胶；
步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；将所述Si-TaxHf1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至1600～1800℃，保温0.5～1h，自然冷却，得到SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
2.根据权利要求1所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的无水醇类为无水甲醇、无水乙醇和正丁醇中的一种。
3.根据权利要求1所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的钽盐为五氯化钽，氯氧化钽，乙醇钽和乙酰丙酮钽中的一种。
4.根据权利要求1所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的铪盐为四氯化铪、氯氧化铪、乙醇铪和乙酰丙酮铪中的一种。
5.根据权利要求1所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的碳源为酚醛树脂、沥青二甲苯可溶物、对二苯酚和1，4-丁二醇中的一种。
6.根据权利要求1所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的硅源为正硅酸乙酯、硅溶胶和聚碳硅烷的一种。
7.一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷，其特征在于所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷是根据权利要求1～6项中任一项所述SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷的制备方法所制备的SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166167.4A CN110818420B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166167.4A CN110818420B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110818420A CN110818420A (zh) | 2020-02-21 |
| CN110818420B true CN110818420B (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=69558950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911166167.4A Active CN110818420B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 一种SiC掺杂TaxHf1-xC陶瓷及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110818420B (zh) |
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| CN115716760B (zh) * | 2022-11-25 | 2023-09-26 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种C/SiC-HfC陶瓷基复合材料及其制备方法 |
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| Significant improvement of the short-term high-temperature oxidation resistance of dense monolithic HfC/SiC ceramic nanocomposites upon incorporation of Ta;Qingbo Wen 等;《Corrosion Science》;20181009;191-198 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110818420A (zh) | 2020-02-21 |
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