CN110740572A - 电子模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电子模块。公开了包括金属基底、陶瓷基板、和电容器的电子模块。陶瓷基板经由共晶焊料被安装在金属基底上。陶瓷基板包括主基板以及背金属层，该主基板具有面向金属基底的背表面和与该背表面相反的前表面，该背金属层被放置在主基板的背表面上并接合到共晶焊料。管芯电容器沿陶瓷基板的一个边缘被安装在陶瓷基板的前表面上。陶瓷基板的背部设置有未设置背金属层的暴露区域。暴露区域包括：主区域以及边缘区域，所述主区域与沿前表面扩展的管芯电容器的外部形状相对应，所述边缘区域从主区域延伸到陶瓷基板的一个边缘。
Description
本申请基于并要求于2018年7月18日提交的日本专利申请No.2018-135392的优先权的权益，该申请通过引用整体并入在本文中。
技术领域
本公开涉及一种电子模块。
背景技术
JP2002-344094A公开了一种电路板，其中金属层被放置在陶瓷基板的两个表面上。为了防止归因于金属层和陶瓷层的线性膨胀系数之间的差异的在陶瓷基板中的破裂，JP2002-344094A的电路板在板的边缘内侧被设置有凹槽，以便分散应力。JP2009-094135还公开了一种结构，其中用于缓解应力的凹口被设置在导体图案处。
发明内容
本公开提供了一种电子模块。该电子模块包括金属基底，至少一个陶瓷基底和管芯电容器。该陶瓷基板经由共晶焊料被安装在金属基底上。陶瓷基板包括主基板和背金属层。主基板具有面向金属基底的背表面和与背表面相反的前表面。背金属层被放置在主基板的背表面上并接合到共晶焊料。管芯电容器沿陶瓷基板的一个边缘安装在陶瓷基板的前表面上。在电子模块中，陶瓷基板的背表面被设置有其中未设置背金属层的暴露区域，并且暴露区域包括主区域和边缘区域。该主区域与沿前表面扩展的管芯电容器的外部形状相对应，并且边缘区域从主区域延伸到陶瓷基板的一个边缘。
附图说明
从以下参考附图对本公开的实施例的详细描述，将更好地理解前述和其他目的、方面和优点，在附图中：
图1A和图1B是图示根据本公开的实施例的放大器模块的图；
图2A和图2B是图示用于应力分析的模型的图；
图3是图示应力分析结果的图。
图4A是图示第一示例中的从其背侧观看的陶瓷基板的图，以及图4B是沿图4A中的线B-B截取的陶瓷基板的横截面视图；
图5是第二示例中的从其背侧观察的陶瓷基板的图；
图6是第三示例中的从其背侧观察的陶瓷基板的图；
图7是第四示例中的从其背侧观察的陶瓷基板的图；
图8A是第二金属基底的横截面视图，以及图8B是背金属层的横截面视图。
具体实施方式
[要由本公开解决的问题]
在一些领域(诸如人造卫星)中使用的电子模块中，陶瓷基板能够被安装在金属基底上。在这些模块中，诸如管芯电容器的电子部件被安装在陶瓷基板的前表面上，并且用于正安装在基底上的背金属层被设置在陶瓷基板的背表面上。背金属层是固体电极并通过共晶焊料接合到基底。由于基底和陶瓷基板的线性膨胀系数之间的差异，因此在陶瓷基底中应变被诱导。作为结果，对在陶瓷基板上安装的管芯电容器施加应力，然后管芯电容器可能会破裂。
[本公开的有益效果]
根据本公开，能够防止管芯电容器中的破裂。
[本公开的实施例的描述]
将详细描述本公开的实施例。根据本公开的一个实施例的电子模块包括金属基底、至少一个陶瓷基底、和管芯电容器。陶瓷基板经由共晶焊料被安装在金属基底上。陶瓷基板包括主基板和背金属层。主基板具有面向金属基底的背表面和与该背表面相反的前表面。背金属层被放置在主基板的背表面上并接合到共晶焊料。管芯电容器沿陶瓷基板的一个边缘被安装在陶瓷基板的前表面上。在电子模块中，陶瓷基板的背表面被设置有其中未设置背金属层的暴露区域，并且暴露区域包括主区域和边缘区域。该主区域与沿前表面扩展的管芯电容器的外部形状性对应，并且该边缘区域从主区域延伸到陶瓷基板的一个边缘。
在一个实施例中，金属基底可以包括铜层和钼层中的至少一个。可替选地，金属基底可以包括第一铜层、在第一铜层上放置的钼层、和在钼层上放置的第二铜层，并且第一铜层和第二铜层可以将钼层夹在其间。在另一实施例中，陶瓷衬底可以包括氧化铝基板，以及管芯电容器可以主要由钛酸钡形成。
在一个实施例中，陶瓷基板可以具有0.4±0.05(mm)的厚度，并且管芯电容器可以被安装在从陶瓷基板的边缘到陶瓷基板的内部小于0.8(mm)的距离处。在该实施例中，管芯电容器可以被安装在从陶瓷基板的边缘到陶瓷基板的内侧的以0.5(mm)的距离处。
在一个实施例中，背金属层可以包括钛、钯、和金中的至少一个，并且该共晶焊料可以包括金锡。可替选地，背金属层可以包括钛层、钯层、和金层，并且共晶焊料可以包括金锡。
在一个实施例中，暴露区域还可以包括至少一个投影区域，其从主区域除了朝向所述陶瓷基板的所述一个边缘之外而朝向陶瓷基板的另一边缘投影。在该实施例中，投影区域可以具有三角形形状或矩形形状。在另一实施例中，主区域可以被形成为方形形状且边缘区域可以被形成为矩形形状。暴露区域可以在整体上被形成为矩形或六边形。
在一个实施例中，电子模块还可以包括多个陶瓷基板，该多个陶瓷基板包括陶瓷基板；以及场效应晶体管，该场效应晶体管被安装在多个陶瓷基板中的一个陶瓷基板和其他陶瓷基板之间的一个金属基底上。在另一实施例中，电子模块还可以包括多个陶瓷基板，该多个陶瓷基板包括陶瓷基板，其中，该陶瓷基板的一个边缘与邻近该陶瓷基板放置的其他陶瓷基板相邻近。
在一个实施例中，电子模块可以进一步包括在金属基底上放置并且在其中包围陶瓷基板的封装，以及附接到封装的顶部以封闭封装的开口的盖。在另一实施例中，陶瓷基板的表面积可以小于金属基底的表面积。
[本公开的实施例的详细描述]
将参照附图描述包括根据本公开的安装结构的电子模块的示例。图1A和图1B图示了作为根据本公开的实施例的电子模块的示例的放大器模块。
放大器模块1是用于正安装在卫星上的2GHz频带电子模块。如是外观立体视图的图1A和图1B所图示的，放大器模块1包括第一金属基底10、第二金属基底12、封装13、盖14、多个输入(In)端子15、多个输出(Out)端子16、多个氧化铝基板21至24、多个半导体元件25、和多个管芯电容器40。
第一金属基底10由铜制成，并且以具有例如，20(mm)的宽度(在附图中的X方向上的长度)、25(mm)的长度(在附图中的Y方向上的长度)、0.8(mm)的厚度(在附图中Z方向的长度)的板形形成。在第一金属基底10的外围边缘处设置允许插入固定螺钉(未被图示)的四个螺钉固定件11。
在第一金属基底10上安装第二金属基底12。第二金属基底12具有其中铜层12a、钼层12b、和铜层12c被顺序堆叠的结构，如图8A所图示的。第二金属基底12以具有例如11(mm)的宽度、25(mm)的长度、1.2(mm)的厚度的板形状形成。也就是说，第二金属基底12的表面积小于第一金属基底10的表面积。在第二金属基底12的端部中安装In端子15和Out端子16。
封装13被放置并被安装在第二基底12上，并且围绕其中的氧化铝基板21至24。封装13由诸如铜或铝的金属制成。封装13具有例如11(mm)的宽度、25(mm)的长度、1(mm)的框架厚度。具有厚度为0.4(mm)的盖14经由蜡材料被固定到封装13的顶部。包括盖14的整个放大器模块1的厚度小于6(mm)，并且是例如，4.4(mm)。
图1B示意性地图示了在封装13内部安装的电路元件并且在图1B中盖14被去除。第一氧化铝基板21至第四氧化铝基板24是陶瓷基板并被安装在第二基底12上，如图1B所图示的。第一氧化铝基板21和第四氧化铝基板24具有彼此相同的配置，并且每个基板21、24以具有8(mm)的宽度、6(mm)的长度、和0.4±0.05(mm)的厚度的板形状形成。氧化铝基板21、24中的每一个包括预定的布线图案。第一氧化铝基板21被设置靠近In端子15，第四氧化铝基板24被设置靠近Out端子16。
第二氧化铝基板22和第三氧化铝基板23被设置在第一氧化铝基板21和第四氧化铝基板24之间。第二氧化铝基板22和第三氧化铝基板23彼此具有相同的配置，并且每个基板22、23以具有8(mm)的宽度、3.5(mm)的长度、0.4±0.05(mm)的厚度的板形状形成。氧化铝基板22、23中的每个包括预定的布线图案。第二氧化铝基板22被设置靠近第一氧化铝基板21，以及第三氧化铝基板23被设置靠近第四氧化铝基板24。
第二氧化铝基板22被设置与第二金属基底12上的第三氧化铝基板23相邻，而第二基底12被暴露在第二氧化铝基板22与第一氧化铝基板21之间并且被暴露在第三氧化铝基板23和第四氧化铝基板24之间。诸如场效应晶体管(FET)的半导体元件25分别被安装在第二金属基底12的暴露区域上。因此，所图示的放大器模块1构成了两级放大器。
输入/输出匹配电路、级间匹配电路等的传输线路被形成在第一氧化铝基板21至第四氧化铝基板24上。此外，如图1B所图示的，还将也称为平行板电容器的管芯电容器40安装在第一氧化铝基板21、第二氧化铝基板22、和第四氧化铝基板24中的每一个上。管芯电容器40以具有1(mm)的宽度、1(mm)的长度、和0.1(mm)的厚度的板形状形成。在管芯电容器40中，由金、铜、镍等制成的表面和背电极分别被设置在诸如钛酸钡的高介电基底材料的表面和背上。
将描述第二氧化铝基板22作为示例。第一氧化铝基板21和第四氧化铝基板24可以具有与第二氧化铝基板22类似的配置。如图1B所图示的，管芯电容器40沿第二氧化铝基板22的边缘22a被安装在第二氧化铝基板22的前表面27上，使得管芯电容器40的表面电极利用最短的键合导线(未被图示)连接到位于第三氧化铝基板23上的布线图案。沿从位于与第三氧化铝基板23相邻并且面对第三氧化铝基板23的边缘22a沿Y方向到第二氧化铝基板22的内部的距离小于0.8(mm)。从边缘22a到第二氧化铝基板22的距离可以是例如0.5(mm)。
当上述放大器模块1被安装在卫星上时，因为放大器模块1在卫星发射之后不能够被替换，所以放大器模块1需要在比地面环境更差的环境下的性能体现，并且还需要极高水平的可靠性。具体而言，用于卫星的产品必须满足500个循环的以-55℃至125℃的温度循环测试。然而，包括在氧化铝基板上安装的管芯电容器40的通用放大器模块有时在100个循环的温度循环测试中破裂。
鉴于此，利用其中9(3×3)个管芯电容器40a至40i被安装在第二氧化铝基板22上的模型进行应力分析。图2A和图2B是图示用于应力分析的模型的图。
如图2A中所图示的，第二氧化铝基板22被安装在第二金属基底12上，并且第二氧化铝基板22的背部仅由固体接地电极形成。如图2B所图示的，第二氧化铝基板22的表面上的9个地点是用于40a至40i的管芯电容器的安装位置。关于其处分别安装九个管芯电容器40a至40i的9个位置中的每一个进行应力分析。
管芯电容器40g、40h和40i沿图中的X方向并且沿第二氧化铝基板22的一个边缘22a被设置与第三氧化铝基板23相邻。管芯电容器40a、40b和40c沿图中的X方向并且沿与第二氧化铝基板22的边缘22a相对的另一边缘22b被设置。管芯电容器40d和40e沿图中的X方向被设置。管芯电容器40d和40e分别被设置在管芯电容器40a和管芯电容器40g之间以及管芯电容器40b和管芯电容器40h之间。管芯电容器40d和40e没有沿第二氧化铝基板22的边缘22a、边缘22b和其它边缘被设置。管芯电容器40c、40f、和40i沿图中的Y方向并沿第二氧化铝基板22的边缘20c被设置。
通过-55℃至125℃的热循环测试进行应力分析。已知构成第二金属基底12的铜的杨氏模量(Young's modulus)和线性膨胀系数是1.14×105(MPa)和6.7×10-6(/K)，钼的杨氏模量和线性膨胀系数是3.20×105(MPa)和4.9×10-6(/K)，构成第二氧化铝基板22的氧化铝的杨氏模量和线性膨胀系数是2.80×105(MPa)和7.0×10-6(/K)，以及构成管芯电容器40a至40i的钛酸钡的杨氏模量和线性膨胀系数是1×105(MPa)和11×10-6(/K)。
图3是图示应力分析的结果并且图示了施加到管芯电容器40a至40i的应力的分布的图。为了详细检查施加到管芯电容器40a至40i中的每一个的应力，将每个管芯电容器划分成11×11个块，并且每个块通过从0(MPa)到45(MPa)的范围的16个阶段被显示。可以理解的是，作为结果，沿邻近于第二氧化铝基板22的边缘22a、22b、22c在沿这些边缘的方向上积聚了大的应力。
具体地，在图3的(D)部分的管芯电容器40d中引起的应力的最大值是33.70(MPa)。在图3的(E)部分的管芯电容器40e中引起的应力的最大值是32.91(MPa)。在第二氧化铝基板22的中间位置没有维持大的应力。
相反，在图3的(A)部分的管芯电容器40a中引起的应力的最大值是41.31(MPa)。在图3的(B)部分的管芯电容器40b中引起的应力的最大值是41.06(MPa)。在图3的(F)部分的管芯电容器40f中引起的应力的最大值是39.08(MPa)。在图3的(G)的管芯电容器40g中引起的应力的最大值是43.36(MPa)。在图3的(H)部分的管芯电容器40h中引起的应力的最大值是43.12(MPa)。与第二氧化铝基板22的中间位置相比较大的应力维持在管芯电容器40a、40b、40f、40g和40h中。
此外，如图3的(A)部分的管芯电容器40a、图3的(B)部分的管芯电容器40b、图3的(G)部分的管芯电容器40g、图3的(H)部分的管芯电容器40h的对应应力分布图所图示的，大的应力维持在为X方向的方向上并且没有大的应力维持在为Y方向的方向上，该X方向是沿第二氧化铝基板22的边缘22a、22b，并且该Y方向是与边缘22a、22b垂直。如图3的(F)部分的管芯电容器40f的应力分布图所图示的，大的应力维持在为Y方向的方向上并且没有大的应力维持在为X方向的方向上，该Y方向是沿第二氧化铝基板22的边缘22c，该X方向是与该边缘垂直。请注意的是，没有大的应力维持在每个应力分布图的最外围，并且大的应力维持在最外周内的位置处。
在图3的(C)部分的管芯电容器40c中引起的应力的最大值是42.89(MPa)。在图3的(I)部分的管芯电容器40i中引起的应力的最大值是44.48(MPa)。在图3的(C)部分的管芯电容器40c和图3的(I)部分的管芯电容器40i中，大的应力维持在沿第二氧化铝基板22的边缘22a、边缘22b和边缘22c在两个方向(附图中的X方向和Y方向)上，并且最大的应力维持在第二氧化铝基板22的拐角部分处。以这种方式，沿第二氧化铝基板22的边缘22a、边缘22b和边缘22c设置的管芯电容器40a、40b、40c、40f、40g、40h和40i中出现大的应力部分。
能够如下描述该原因。管芯电容器40a至40i(严格地说，钛酸钡作为管芯电容器40a至40i的主要材料)具有大于第二氧化铝基板22的线性膨胀系数的线性膨胀系数。因此，在低温度下，第二氧化铝基板22阻碍了管芯电容器40a至40i的收缩，并且在管芯电容器40a至40i中引起拉应力。给出第二氧化铝基板22和第二金属基底12之间的线性膨胀系数的关系，第二金属基底12压缩第二氧化铝基底22，并且压缩力还经由第二氧化铝基底22传输到管芯电容器40a至40i。因此，在第二氧化铝基板22的中间位置处设置的管芯电容器40d和40e中引起的拉应力是很小的。
然而，第二氧化铝基板22能够在第二氧化铝基板22的边缘部分处被自由地变形到一侧。作为该变形的结果，第二金属基底12的压缩力被释放并且压缩力没有被传输到管芯电容器40a、40b、40c、40f、40g、40h和40i。因此，可能在沿第二氧化铝基板22的边缘部分设置的管芯电容器40a、40b、40c、40f、40g、40h和40i中引起大的拉应力，并且使管芯电容器破裂。实际上，该分析支持了在沿放大器模块中的第二氧化铝基板22的边缘部分安装的管芯电容器40的热循环测试中引起芯片断裂失败的结果。同样，即使在其中通过诸如焊接的小的应力吸收效果的方法安装电子元件(C、R和L)的情况下，电子元件还可以根据相同的机制被破坏。
如上所述，第二金属基底12和第二氧化铝基底22的线性膨胀系数之间的差异可能引起管芯电容器40的破裂。出于此原因，在本实施例的放大器模块1中设置了暴露部分30(参见图4A和图4B)，用于减轻在第二氧化铝基板22的边缘部分中累积的应力。鉴于此，相对于预定的设定温度(20℃至55℃，温度差35℃)估计了施加到管芯电容器的应力(平均应力)。
第二氧化铝基板22将作为与上述类似的示例进行描述。首先，在其中第二氧化铝基板22的背部仅由固体电极形成而没有设置暴露部分的参考示例中，在管芯电容器中引起的平均应力为36.88(MPa)。
图4A和图4B是图示本公开的实施例的第一示例的陶瓷基板的图。如图4A和图4B所图示的，放大器模块1的第二氧化铝基板22包括用于正安装在第二金属基底12上的主基板28和背金属层29。主基板28具有面向第二金属基底12的背表面28a(参见图1A和1B)和与背表面28a相反的前表面28b。背金属层29被放置在第二氧化铝基板22的主基板28的背表面28a上。背金属层29包括由钛(Ti)层29a、钯(Pd)层29b、和金(Au)层29c的三层金属形成的固体电极，如图8B所图示的，并通过金锡(AuSn)的共晶焊料接合到第二金属基底12。通过这种连接能够很好地接合第二金属基底12和第二氧化铝基板22。
如图4A所图示的，主基板28的背表面28a在与管芯电容器40相对应的位置处包括暴露区域30。在暴露区域30中去除背金属层29。暴露区域30包括追踪管芯电容器40的外部形状的主区域31，以及从主区域31延伸到第二氧化铝基板22的边缘22a的边缘区域32，该边缘22a是最靠近主区域31的边缘。主区域31与沿前表面28b(沿由X方向和Y方向限定的表面)扩展的管芯电容器40的外部形状，并且被形成为方形形状。边缘区域32被形成为矩形形状。包括主区域31和边缘区域32的暴露部分30被形成为四边形状，其一边位于第二氧化铝基板22的边缘处。在该示例中，在管芯电容器中引起的平均应力是33.01(MPa)，其小于上述参考例。因此，根据实施例的该示例，能够防止在放大器1的管芯电容器40中的破裂。
图5是图示本公开的该实施例的第二示例的陶瓷基板的图。该示例中的暴露部分30a包括在主区域31的对应边上的一对投影区域33。这些投影区域33中的每个被形成为等腰三角形形状，并且包括面向主区域31的一边和边缘区域32的一边的基底。投影区域33从主区域31朝向两个边缘22c、边缘22d投影，并且包括在沿第二氧化铝基板22的边缘22a的方向(附图中的X方向)上彼此定位的顶点。主区域31、边缘区域32、和投影区域33将暴露区域30a形成为六边形形状，并且背金属层29在暴露区域30a上被去除。六边形形状是在沿第二氧化铝基板22的边缘22a的方向(图中X方向)上拉伸的形状。在该示例中，在管芯电容器40中引起的平均应力为31.12(MPa)，这甚至小于上述第一示例中的平均应力。因此，根据实施例的该示例，能够防止在放大器1的管芯电容器40中的破裂。
图6是图示本公开的该实施例的第三示例的陶瓷基板的图。除了在第二示例中描述的主区域31、边缘区域32、和投影区域33之外，该示例中的暴露部分30b包括在主区域31的背部中的投影区域34。投影区域34被形成为等腰三角形形状，并且包括面向主区域31的背侧(远离第二氧化铝基板22的边缘22a的一侧)的基底。投影区域34从主区域31朝向两个边缘22c和边缘22d投影，并且包括指向第二氧化铝基板22的中间的顶点。主区域31、边缘区域32、投影区域33、和投影区域34将暴露部分30b形成为四角形状的一个角(面向第二氧化铝基板22的边缘22a的角)处斜切的形状。在暴露部分30b上去除背金属层29。四边形的每个边的长度与管芯电容器的每个边的长度的倍相对应。在该示例中，在管芯电容器中引起的平均应力是31.95(MPa)，其小于上述第一示例中的平均应力，但是几乎等于在上述第二示例的情况下的平均应力。
图7是图示本公开的实施例的第四示例的陶瓷基板的图。如在第二示例中，该示例中的暴露部分30c包括在主区域31的对应边上的一对投影区域35。投影区域35以矩形形状形成并且朝向两个边缘22c、边缘22d投影。投影区域35的长边面向主区域31的侧面。投影区域35的长边的中点和主区域31的边的中点彼此一致。矩形的长边的长度与主区域31的边的长度的1/2相对应。矩形的短边的长度与主区域31的边的长度的1/4相对应。主区域31、边缘区域32、和投影区域35将暴露区域30c形成为具有耳状的四边形形状，并且背金属层29在暴露区域30c上被去除。在该示例中，在管芯电容器中引起的平均应力为33.78(MPa)，其几乎等于上述第一示例中的平均应力。因此，根据实施例的该示例，能够防止在放大器1的管芯电容器40中的破裂。
如在第一示例至第四示例中，背金属层29至少在主区域31和边缘区域32中没有被设置在管芯电容器40下方，并且因此在这个范围内没有接合第二金属基底12和第二氧化铝基板22。作为结果，由于第二金属基底12和第二氧化铝基板22的线性膨胀系数之间的差异，因此上述电子模块减轻了在第二氧化铝基板22中累积的应力，并且防止了在管芯电容器40中的破裂。
此外，在沿边缘(附图中的X方向)的方向上，大的应力被积累在第二氧化铝基板22的边缘附近。因此，如在第二示例和第三示例中，当暴露部分30、30a、30b、30c被形成，以便沿第二氧化铝基板22的边缘22a的方向(附图中的X方向)上是长时，进一步减少第二氧化铝基板22中累积的应力。
应当注意的是，所公开的实施例和示例在每个方面都是说明性的而非限制性的。本发明的范围旨在不仅包括上述含义，还包括由权利要求指示的含义以及与这些权利要求等同的含义和范围内的每个修改。
Claims (11)
1.一种电子模块，包括：
金属基底；
至少一个陶瓷基板，所述陶瓷基板经由共晶焊料被安装在所述金属基底上，所述陶瓷基板包括主基板以及背金属层，所述主基板具有面向所述金属基底的背表面和与所述背表面相反的前表面，所述背金属层被放置在所述主基板的所述背表面上并且接合到所述共晶焊料；以及
管芯电容器，所述管芯电容器沿所述陶瓷基板的一个边缘被安装在所述陶瓷基板的所述前表面上，
其中，所述陶瓷基板的所述背表面被设置有未设置所述背金属层的暴露区域，并且所述暴露区域包括主区域和边缘区域，所述主区域与沿所述前表面扩展的所述管芯电容器的外部形状相对应，所述边缘区域从所述主区域延伸到所述陶瓷基板的所述一个边缘。
2.根据权利要求1所述的电子模块，其中，所述金属基底包括铜层和钼层中的至少一个。
3.根据权利要求1或2所述的电子模块，其中，所述陶瓷基板包括氧化铝基板，并且所述管芯电容器主要由钛酸钡形成。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电子模块，其中，所述陶瓷基板具有为0.4±0.05(mm)的厚度，并且所述管芯电容器被安装在从所述陶瓷基板的所述一个边缘到所述陶瓷基板的内侧小于0.8(mm)的距离处。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电子模块，其中，所述背金属层包括钛、钯和金中的至少一个，并且所述共晶焊料包括金锡。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电子模块，其中，所述暴露区域还包括投影区域，所述投影区域除了从所述主区域朝向所述陶瓷基板的所述一个边缘投影之外，还朝向所述陶瓷基板的另外的边缘投影。
7.根据权利要求6所述的电子模块，其中，所述投影区域具有三角形形状或矩形形状。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的电子模块，其中，所述暴露区域在整体上被形成为矩形形状或六边形形状。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的电子模块，还包括：
多个陶瓷基板，所述多个陶瓷基板包括所述陶瓷基板；以及
场效应晶体管，所述场效应晶体管被安装在所述多个陶瓷基板中的一个陶瓷基板和另外的陶瓷基板之间的所述金属基底上。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的电子模块，还包括多个陶瓷基板，所述多个陶瓷基板包括所述陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板的所述一个边缘与邻近所述陶瓷基板放置的另外的陶瓷基板相邻。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的电子模块，还包括：
封装，所述封装被放置在所述金属基底上并且将所述陶瓷基板包围在所述封装中；以及
盖，所述盖被附接到所述封装的顶部，以封闭所述封装的开口。
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Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111503A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体電流制御装置 |
| JPH08172273A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | セラミック配線基板及びその実装構造体 |
| JPH1126897A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Fujitsu Ten Ltd | 基板実装構造 |
| JP2000124366A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の実装構造 |
| US20030223535A1 (en) * | 1992-04-08 | 2003-12-04 | Leedy Glenn Joseph | Lithography device for semiconductor circuit pattern generator |
| JP2004079811A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2006100640A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール |
| US20060128136A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Syllaios Athanasios J | Systems and methods for solder bonding |
| US20080001253A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mosley Larry E | Low inductance capacitors, methods of assembling same, and systems containing same |
| JP2008244137A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 回路モジュールの製造方法 |
| JP2009038241A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用コンデンサ |
| JP2009094135A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半田ペースト塗布用のメタルマスク |
| CN101588142A (zh) * | 2008-05-20 | 2009-11-25 | 株式会社丰田自动织机 | 功率转换器 |
| JP2010016254A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| JP2010108845A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Namics Corp | 外部電極用導電性ペースト、及びそれを用いて形成した外部電極を備えた積層セラミック電子部品 |
| US20160057863A1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-02-25 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956231A (en) | 1994-10-07 | 1999-09-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having power semiconductor elements |
| US6155840A (en) * | 1998-09-18 | 2000-12-05 | At Home Corporation | System and method for distributed learning |
| JP2002344094A (ja) | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Dowa Mining Co Ltd | パワーモジュール用回路基板 |
| JP5530128B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-06-25 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光体および発光装置 |
| US8760846B1 (en) * | 2010-04-16 | 2014-06-24 | GranBlueTech, L.L.C. | Apparatus and method for capacitors having engineered electrodes with very high energy density |
| JP2012119585A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
| JP2015198105A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース回路基板および電子装置 |
| US11257748B2 (en) * | 2017-06-30 | 2022-02-22 | Intel Corporation | Semiconductor package having polymeric interlayer disposed between conductive elements and dielectric layer |
| WO2019131352A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-04 | ペルノックス株式会社 | チップ状電子部品 |
-
2018
- 2018-07-18 JP JP2018135392A patent/JP2020013908A/ja active Pending
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201910644123.1A patent/CN110740572A/zh active Pending
- 2019-07-17 US US16/513,862 patent/US11589455B2/en active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030223535A1 (en) * | 1992-04-08 | 2003-12-04 | Leedy Glenn Joseph | Lithography device for semiconductor circuit pattern generator |
| JPH08111503A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体電流制御装置 |
| JPH08172273A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | セラミック配線基板及びその実装構造体 |
| JPH1126897A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Fujitsu Ten Ltd | 基板実装構造 |
| JP2000124366A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の実装構造 |
| JP2004079811A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2006100640A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール |
| US20060128136A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Syllaios Athanasios J | Systems and methods for solder bonding |
| US20080001253A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mosley Larry E | Low inductance capacitors, methods of assembling same, and systems containing same |
| JP2008244137A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 回路モジュールの製造方法 |
| JP2009038241A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用コンデンサ |
| JP2009094135A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および半田ペースト塗布用のメタルマスク |
| CN101588142A (zh) * | 2008-05-20 | 2009-11-25 | 株式会社丰田自动织机 | 功率转换器 |
| US20090290398A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Power converter |
| JP2010016254A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| JP2010108845A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Namics Corp | 外部電極用導電性ペースト、及びそれを用いて形成した外部電極を備えた積層セラミック電子部品 |
| US20160057863A1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-02-25 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200029426A1 (en) | 2020-01-23 |
| US11589455B2 (en) | 2023-02-21 |
| JP2020013908A (ja) | 2020-01-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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