CN110716256A - 光学元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光学元件的制造方法。该制造方法包括下列步骤，例如，提供一基板，以及形成多个第一介电层、多个金属层、以及多个第二介电层于该基板上。所述多个金属层由银或其合金所构成。所述多个第一介电层与所述多个金属层交替地形成于该基板上。所述多个第二介电层形成于所述多个金属层上远离该基板的一侧，并位于所述多个金属层与所述多个第一介电层之间。本发明另提供一种由上述方法所制造的光学元件。

Description

光学元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光学元件的制造方法，特别涉及一种利用高/低功率离子辅助沉积制程(high-power/low-power ion-assisted deposition)制作介电层的光学元件的制造方法以及由该方法所制造的光学元件。
背景技术
除了透射可见光之外，以染料为基质(dye-based)以及全介电质(all-dielectric)的彩色滤光片亦能透射红外光(IR)，造成噪声增加。因此，彩色影像感测器通常亦包括在彩色滤光片阵列(color filter array，CFA)上设置有一红外光刻胶挡滤光片(IR-blocking filter)。
或者，为了避免使用红外光刻胶挡滤光片，由金属层与介电层推叠而成的感应透射滤光片(induced transmission filters)亦可使用作为彩色滤光片。这种金属-介电质彩色滤光片在本质上是阻挡红外光的。通常，金属-介电质彩色滤光片具有相对窄的颜色通带(color passbands)，其随着入射角的变化不会在波长上产生显着地偏移。此外，金属-介电质彩色滤光片通常较全介电质彩色滤光片的厚度薄得多。
通常，金属-介电质彩色滤光片中的金属层是银层，其在环境中不稳定且当暴露于甚至少量的水或氧气时会导致劣化。对银层进行化学蚀刻而使银层暴露在环境中，亦会使其变质劣化。因此，在多数情况下，仅通过调整介电层的厚度进行金属-介电质彩色滤光片阵列的图案化，以为金属-介电质彩色滤光片选择不同的颜色通带。换句话说，具有不同颜色通带的不同类型的金属-介电质彩色滤光片彼此是需要具有相同数量及相同厚度的银层。然而，这些要求严重限制了金属-介电质彩色滤光片可能的光学设计。
因此，开发一种简单的并可提升金属-介电质彩色滤光片中银层可靠度的光学元件的制造方法是众所期待的。
发明内容
根据本发明的一实施例，提供一种光学元件的制造方法。该制造方法包括下列步骤：提供一基板；以及形成多个第一介电层、多个金属层、以及多个第二介电层于该基板上。所述多个金属层由银或其合金所构成。所述多个第一介电层与所述多个金属层交替地形成于该基板上。所述多个第二介电层形成于所述多个金属层上远离该基板的一侧，并位于所述多个金属层与所述多个第一介电层之间。
在部分实施例中，所述多个第一介电层通过实施高功率离子辅助沉积制程(high-power ion-assisted deposition)而形成。在部分实施例中，该高功率离子辅助沉积制程的离子束电压(beam voltage)介于约1,000V至约1,500V之间。在部分实施例中，该高功率离子辅助沉积制程的离子束电流(beam current)介于约1,000mA至约1,500mA之间。
在部分实施例中，所述多个金属层通过实施溅镀制程而形成。在部分实施例中，该溅镀制程使用银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金或纯银作为靶材。在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，所述多个第二介电层通过实施低功率离子辅助沉积制程(low-power ion-assisted deposition)而形成。在部分实施例中，该低功率离子辅助沉积制程的离子束电压介于约100V至约500V之间。在部分实施例中，该低功率离子辅助沉积制程的离子束电流介于约100mA至约800mA之间。在部分实施例中，当实施该低功率离子辅助沉积制程(low-power IAD)时，并未导入氧气。
根据本发明的一实施例，提供一种光学元件。该光学元件包括：一基板；多个第一介电层，形成于该基板上；多个金属层，由银或其合金所构成，且与所述多个第一介电层交替地形成于该基板上；以及多个第二介电层，形成于所述多个金属层上远离该基板的一侧，并位于所述多个金属层与所述多个第一介电层之间。
在部分实施例中，所述多个第一介电层包括铌钛氧化物(NbTiOx，x＝2-5)或五氧化三钛(Ti3O5)。在部分实施例中，所述多个第一介电层的折射率介于2.10至2.96之间。在部分实施例中，所述多个第一介电层的厚度介于10nm至60nm之间。
在部分实施例中，所述多个金属层包括银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金或纯银。在部分实施例中，所述多个金属层的厚度介于10nm至30nm之间。
在部分实施例中，所述多个第二介电层包括铌钛氧化物(NbTiOx，x<2)或五氧化三钛(Ti3O5)。在部分实施例中，所述多个第二介电层的光吸收率(light absorption rate)介于0.05至0.96之间。在部分实施例中，所述多个第二介电层的厚度介于3nm至10nm之间。
在部分实施例中，所述多个第一介电层、所述多个金属层、以及所述多个第二介电层构成一滤光片。在部分实施例中，该滤光片包括红外光截止滤光片(IR-cut filter)、红色滤光片、绿色滤光片、或蓝色滤光片。
在本发明的制造方法中，通过实施溅镀制程(使用具有适当银/金属比例的各种银/金属合金作为靶材)形成金属层，可提高金属层的可靠度。通过实施高功率离子辅助沉积制程形成位于金属层一侧的致密性第一介电层于高温制程后可抑制从金属层扩散的银原子。通过实施不须导入氧气的低功率离子辅助沉积制程形成位于金属层上远离基板一侧的薄的第二介电层可避免金属层被氧化及离子撞击。由于金属层的两侧设置有第一介电层与第二介电层，使得由银或其合金所构成的金属层具有高可靠度。此外，第一介电层与第二介电层的材料(例如NbTiOx或Ti3O5)可彼此相同或不同，且与传统的介电层材料不同。再者，通过调整第一介电层、金属层、以及第二介电层的数量及厚度，可形成各种不同的滤光片，例如红外光截止滤光片(IR-cut filter)、红色(R)滤光片、绿色(G)滤光片、蓝色(B)滤光片、或可截止任何波长范围的滤光片。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的一种光学元件的剖面示意图；
图2A至图2H是根据本发明的一实施例的一种光学元件制造方法的剖面示意图；
图3是根据本发明的一实施例的显示高功率离子辅助沉积制程的制程条件；
图4是根据本发明的一实施例的显示低功率离子辅助沉积制程的制程条件；
图5是根据本发明的一实施例的显示一滤光片中每一层的材料及厚度；以及
图6是根据本发明的一实施例的显示部分滤光片的TEM图。
附图标记说明：
10 光学元件
12 基板
14a、14b、14c、14d、14e、14f 第一介电层
16a、16b、16c、16d、16e 金属层
16’ 金属层远离基板的一侧
18a、18b、18c、18d、18e 第二介电层
20 滤光片
22 高功率离子辅助沉积制程
24 溅镀制程
26 低功率离子辅助沉积制程
具体实施方式
请参阅图1，根据本发明的一实施例，提供一种光学元件10。图1为光学元件10的剖面示意图。
光学元件10包括基板12、多个第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、多个金属层(16a、16b、16c、16d、16e)、以及多个第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)。第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)形成于基板12上。金属层(16a、16b、16c、16d、16e)由银或其合金所构成，且与第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e)交替地形成于基板12上。第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)形成于金属层(16a、16b、16c、16d、16e)上远离基板12的一侧16’，并位于金属层(16a、16b、16c、16d、16e)与第一介电层(14b、14c、14d、14e、14f)之间。
在部分实施例中，第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)的材料可包括铌钛氧化物(NbTiOx，x＝2-5)或五氧化三钛(Ti3O5)。
在部分实施例中，第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)的折射率(n)介于约2.10至约2.96之间。
在部分实施例中，第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e)的厚度介于约10nm至约60nm之间。
在部分实施例中，最上层的第一介电层14f的厚度介于约50nm至约150nm之间。
在部分实施例中，第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)具有致密性。此处的“致密性”是指第一介电层中的空隙很小，几乎没有空隙的状态。
在部分实施例中，金属层(16a、16b、16c、16d、16e)的材料可包括银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金、其他适合的银合金、或纯银。
在部分实施例中，金属层(16a、16b、16c、16d、16e)的厚度介于约10nm至约30nm之间。
在部分实施例中，第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)的材料可包括例如铌钛氧化物(NbTiOx，x<2)或五氧化三钛(Ti3O5)。
在部分实施例中，第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)的光吸收率(lightabsorption rate，k)介于大约0.05至大约0.96之间。
在部分实施例中，第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)的厚度介于约3nm至约10nm之间。
在部分实施例中，第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金属层(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)构成滤光片20。
在部分实施例中，通过调整第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金属层(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)的数量及厚度，滤光片20可形成例如红外光截止滤光片(IR-cut filter)、红色(R)滤光片、绿色(G)滤光片、蓝色(B)滤光片、或可截止任何波长范围的滤光片。
请参阅图2A至图2H，根据本发明的一实施例，提供一种图1光学元件10的制造方法。图2A至图2H为光学元件10制造方法的剖面示意图。
请参阅图2A，提供其上形成有第一介电层14a的基板12。
在部分实施例中，第一介电层14a可通过实施高功率离子辅助沉积制程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD)22而形成。
高功率离子辅助沉积制程22的制程条件，例如离子束电压(beam voltage，Vb)、离子束电流(beam current，Ib)、加速电压(accelerate voltage，Va)、发射电流(emissioncurrent，Ie)、维持电流(keeper current，Ik)、以及制程气体的流量均公开于图3。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22的离子束电压介于约1,000V至约1,500V之间。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22的离子束电流介于约1,000mA至约1,500mA之间。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22的加速电压介于约300V至约800V之间。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22的发射电流介于约1,000mA至约1,500mA之间。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22的维持电流介于约300mA至约600mA之间。
在部分实施例中，高功率离子辅助沉积制程22使用的制程气体包括氧气与氩气。
在部分实施例中，在高功率离子辅助沉积制程22中，氧气的流量介于大约10sccm至大约80sccm。
在部分实施例中，在高功率离子辅助沉积制程22中，氩气的流量介于大约10sccm至大约50sccm。
在部分实施例中，第一介电层14a的材料可包括铌钛氧化物(NbTiOx，x＝2-5)或五氧化三钛(Ti3O5)。
在部分实施例中，第一介电层14a的折射率(n)介于约2.10至约2.96之间。
在部分实施例中，第一介电层14a具有致密性。
在部分实施例中，第一介电层14a的厚度介于约10nm至约60nm之间。
请参阅图2B，之后，形成由银或其合金所构成的金属层16a于第一介电层14a上。
在部分实施例中，金属层16a可通过实施溅镀制程24而形成。
在部分实施例中，溅镀制程24使用例如银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金、其他适合的银合金、或纯银作为靶材。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量大约为3％。
在部分实施例中，金属层16a的材料可包括银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金、其他适合的银合金、或纯银。
在部分实施例中，金属层16a的厚度介于约10nm至约30nm之间。
请参阅图2C，之后，形成第二介电层18a于金属层16a上。
在部分实施例中，第二介电层18a可通过实施低功率离子辅助沉积制程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD)26而形成。
低功率离子辅助沉积制程26的制程条件，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及制程气体的流量均公开于图4。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26的离子束电压介于大约100V至大约500V之间。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26的离子束电流介于约100mA至约800mA之间。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26的加速电压介于约300V至约800V之间。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26的发射电流介于约100mA至约800mA之间。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26的维持电流介于约400mA至约600mA之间。
在部分实施例中，低功率离子辅助沉积制程26使用的制程气体为氩气。
在部分实施例中，在低功率离子辅助沉积制程26中，氩气的流量(flowrate)介于大约10sccm至大约50sccm。
在部分实施例中，在低功率离子辅助沉积制程26中，并不导入氧气。
在部分实施例中，第二介电层18a的材料可包括例如铌钛氧化物(NbTiOx，x<2)或五氧化三钛(Ti3O5)。
在部分实施例中，第二介电层18a的光吸收率(light absorption rate，k)介于大约0.05至大约0.96之间。
在部分实施例中，第二介电层18a的厚度介于约3nm至约10nm之间。
请参阅图2D，之后，依序形成第一介电层14b、金属层16b、以及第二介电层18b于第二介电层18a上。
在部分实施例中，第一介电层14b可通过实施高功率离子辅助沉积制程22而形成。
在部分实施例中，形成第一介电层14b所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第一介电层14a所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14b的组成、折射率(n)、致密度、以及厚度均与第一介电层14a大致相同。
在部分实施例中，金属层16b可通过实施溅镀制程24而形成。
在部分实施例中，形成金属层16b所实施的溅镀制程24所使用的靶材，与形成金属层16a所实施的溅镀制程24所使用的靶材大致相同。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量大约为3％。
在部分实施例中，金属层16b的组成及厚度均与金属层16a大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18b可通过实施低功率离子辅助沉积制程26而形成。
在部分实施例中，形成第二介电层18b所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第二介电层18a所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18b的组成、光吸收率(k)、以及厚度均与第二介电层18a大致相同。
请参阅图2E，之后，依序形成第一介电层14c、金属层16c、以及第二介电层18c于第二介电层18b上。
在部分实施例中，第一介电层14c可通过实施高功率离子辅助沉积制程22而形成。
在部分实施例中，形成第一介电层14c所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第一介电层14a所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14c的组成、折射率(n)、致密度、以及厚度均与第一介电层14a大致相同。
在部分实施例中，金属层16c可通过实施溅镀制程24而形成。
在部分实施例中，形成金属层16c所实施的溅镀制程24所使用的靶材，与形成金属层16a所实施的溅镀制程24所使用的靶材大致相同。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量大约为3％。
在部分实施例中，金属层16c的组成及厚度均与金属层16a大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18c可通过实施低功率离子辅助沉积制程26而形成。
在部分实施例中，形成第二介电层18c所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第二介电层18a所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18c的组成、光吸收率(k)、以及厚度均与第二介电层18a大致相同。
请参阅图2F，之后，依序形成第一介电层14d、金属层16d、以及第二介电层18d于第二介电层18c上。
在部分实施例中，第一介电层14d可通过实施高功率离子辅助沉积制程22而形成。
在部分实施例中，形成第一介电层14d所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第一介电层14a所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14d的组成、折射率(n)、致密度、以及厚度均与第一介电层14a大致相同。
在部分实施例中，金属层16d可通过实施溅镀制程24而形成。
在部分实施例中，形成金属层16d所实施的溅镀制程24所使用的靶材，与形成金属层16a所实施的溅镀制程24所使用的靶材大致相同。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量大约为3％。
在部分实施例中，金属层16d的组成及厚度均与金属层16a大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18d可通过实施低功率离子辅助沉积制程26而形成。
在部分实施例中，形成第二介电层18d所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第二介电层18a所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18d的组成、光吸收率(k)、以及厚度均与第二介电层18a大致相同。
请参阅图2G，之后，依序形成第一介电层14e、金属层16e、以及第二介电层18e于第二介电层18d上。
在部分实施例中，第一介电层14e可通过实施高功率离子辅助沉积制程22而形成。
在部分实施例中，形成第一介电层14e所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第一介电层14a所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14e的组成、折射率(n)、致密度、以及厚度均与第一介电层14a大致相同。
在部分实施例中，金属层16e可通过实施溅镀制程24而形成。
在部分实施例中，形成金属层16e所实施的溅镀制程24所使用的靶材，与形成金属层16a所实施的溅镀制程24所使用的靶材大致相同。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量介于约1％至约10％之间。
在部分实施例中，锌于银锌(AgZn)合金的靶材中的含量大约为3％。
在部分实施例中，金属层16e的组成及厚度均与金属层16a大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18e可通过实施低功率离子辅助沉积制程26而形成。
在部分实施例中，形成第二介电层18e所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第二介电层18a所实施的低功率离子辅助沉积制程26所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第二介电层18e的组成、光吸收率(k)、以及厚度均与第二介电层18a大致相同。
请参阅图2H，之后，形成第一介电层14f于第二介电层18e上。
在部分实施例中，第一介电层14f可通过实施高功率离子辅助沉积制程22而形成。
在部分实施例中，形成第一介电层14f所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数，例如离子束电压、离子束电流、加速电压、发射电流、维持电流、以及气体流量，与形成第一介电层14a所实施的高功率离子辅助沉积制程22所使用的参数大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14f的组成、折射率(n)、以及致密度均与第一介电层14a大致相同。
在部分实施例中，第一介电层14f的厚度介于约50nm至约150nm之间。
在图2H中，多个金属层(16a、16b、16c、16d、16e)与多个第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e)交替地形成于基板12上。多个第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)形成于多个金属层(16a、16b、16c、16d、16e)上远离基板12的一侧16’，并位于多个金属层(16a、16b、16c、16d、16e)与多个第一介电层(14b、14c、14d、14e、14f)之间。
在图2H中，多个第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、多个金属层(16a、16b、16c、16d、16e)、以及多个第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)可构成滤光片20。
如上所述加以归纳，将滤光片20中每一层的材料及厚度显示于图5。
在部分实施例中，通过调整第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金属层(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)的数量及厚度，滤光片20可形成例如红外光截止滤光片(IR-cut filter)、红色(R)滤光片、绿色(G)滤光片、蓝色(B)滤光片、或可截止任何波长范围的滤光片。
部分滤光片20的TEM图显示于图6。位于金属层(16a、16b、16c、16d、16e)一侧的第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e)于高温制程后可抑制从金属层(16a、16b、16c、16d、16e)扩散的银原子。此外，位于金属层(16a、16b、16c、16d、16e)上远离基板12的一侧的第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)可避免金属层(16a、16b、16c、16d、16e)被氧化及离子撞击。因此，在图6中，并未有银原子进入第一介电层(14a、14b、14c、14d、14e)与第二介电层(18a、18b、18c、18d、18e)。
在本发明的制造方法中，通过实施溅镀制程(使用具有适当银/金属比例的各种银/金属合金作为靶材)形成金属层，可提高金属层的可靠度。通过实施高功率离子辅助沉积制程形成位于金属层一侧的致密性第一介电层于高温制程后可抑制从金属层扩散的银原子。通过实施不须导入氧气的低功率离子辅助沉积制程形成位于金属层上远离基板一侧的薄的第二介电层可避免金属层被氧化及离子撞击。由于金属层的两侧设置有第一介电层与第二介电层，使得由银或其合金所构成的金属层具有高可靠度。此外，第一介电层与第二介电层的材料(例如NbTiOx或Ti3O5)可彼此相同或不同，且与传统的介电层材料不同。再者，通过调整第一介电层、金属层、以及第二介电层的数量及厚度，可形成各种不同的滤光片，例如红外光截止滤光片(IR-cut filter)、红色(R)滤光片、绿色(G)滤光片、蓝色(B)滤光片、或可截止任何波长范围的滤光片。
上述实施例的特征有利于本技术领域中技术人员理解本发明。本技术领域中技术人员应理解可采用本发明作基础，设计并变化其他制程与结构以完成上述实施例的相同目的及/或相同优点。本技术领域中技术人员亦应理解，这些等效置换并未脱离本发明构思与范围，并可在未脱离本发明的构思与范围的前提下进行改变、替换、或变动。

Claims (9)

1.一种光学元件的制造方法，包括：
提供一基板；以及
形成多个第一介电层、多个金属层、以及多个第二介电层于该基板上，其中所述多个金属层由银或其合金所构成，所述多个第一介电层与所述多个金属层交替地形成于该基板上，且所述多个第二介电层形成于所述多个金属层上远离该基板的一侧，并位于所述多个金属层与所述多个第一介电层之间。
2.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中所述多个第一介电层通过实施高功率离子辅助沉积制程而形成，该高功率离子辅助沉积制程的离子束电压介于1,000V至1,500V之间，且其离子束电流介于1,000mA至1,500mA之间。
3.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中所述多个金属层通过实施溅镀制程而形成，该溅镀制程使用银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金或纯银作为靶材，且锌于靶材中的含量介于1％至10％之间。
4.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其中所述多个第二介电层通过实施低功率离子辅助沉积制程而形成，该低功率离子辅助沉积制程的离子束电压介于100V至500V之间，离子束电流介于100mA至800mA之间，且当实施该低功率离子辅助沉积制程时并未导入氧气。
5.一种光学元件，包括：
一基板；
多个第一介电层，形成于该基板上；
多个金属层，由银或其合金所构成，且与所述多个第一介电层交替地形成于该基板上；以及
多个第二介电层，形成于所述多个金属层上远离该基板的一侧，并位于所述多个金属层与所述多个第一介电层之间。
6.如权利要求5所述的光学元件，其中所述多个第一介电层包括铌钛氧化物(NbTiOx，x＝2-5)或五氧化三钛(Ti3O5)，其折射率介于2.10至2.96之间，且厚度介于10nm至60nm之间。
7.如权利要求5所述的光学元件，其中所述多个金属层包括银锌(AgZn)合金、银铝(AgAl)合金、银铟(AgIn)合金、银铜(AgCu)合金或纯银，且其厚度介于10nm至30nm之间。
8.如权利要求5所述的光学元件，其中所述多个第二介电层包括铌钛氧化物(NbTiOx，x<2)或五氧化三钛(Ti3O5)，其光吸收率介于0.05至0.96之间，且厚度介于3nm至10nm之间。
9.如权利要求5所述的光学元件，其中所述多个第一介电层、所述多个金属层、以及所述多个第二介电层构成一滤光片，该滤光片包括红外光截止滤光片、红色滤光片、绿色滤光片、或蓝色滤光片。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI766106B (zh) 2017-09-29 2022-06-01 荷蘭商耐克創新有限合夥公司 具有結構性色彩的物件
EP3969947A1 (en) 2019-06-26 2022-03-23 Nike Innovate C.V. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
WO2021021562A1 (en) 2019-07-26 2021-02-04 Nike, Inc. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
US11986042B2 (en) 2019-10-21 2024-05-21 Nike, Inc. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
JP7374788B2 (ja) * 2020-01-30 2023-11-07 株式会社三共 遊技機
JP7374789B2 (ja) * 2020-01-30 2023-11-07 株式会社三共 遊技機
EP4107007B1 (en) * 2020-05-29 2023-08-30 Nike Innovate C.V. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
US11889894B2 (en) 2020-08-07 2024-02-06 Nike, Inc. Footwear article having concealing layer

Citations (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1576902A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 旭硝子株式会社 高反射镜
CN1697126A (zh) * 2004-04-13 2005-11-16 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体元件及半导体影像感测器的方法
CN1940599A (zh) * 2005-09-28 2007-04-04 精碟科技股份有限公司 光学元件
CN101051093A (zh) * 2006-04-04 2007-10-10 精工爱普生株式会社 光学多层膜滤波器及其制造方法和电子设备装置
CN101151557A (zh) * 2005-03-31 2008-03-26 旭硝子株式会社 高反射镜及其制造方法
WO2008067597A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 St Synergy Limited Magneto-opto micro-ring resonator and switch
CN101261333A (zh) * 2008-04-03 2008-09-10 浙江大学 金属介质周期薄膜构成的全角度透射滤光片
JP2009134064A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Epson Toyocom Corp 光学部材および撮像系光学物品、撮像モジュール
CN101598828A (zh) * 2008-06-06 2009-12-09 佳能株式会社 光学滤波器及摄像设备
CN101825728A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 精工爱普生株式会社 光学物品及其制造方法
DE102009030303A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden Beschichtungen sowie Antireflexbeschichtungen
CN102043173A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 精工爱普生株式会社 光学物品、光学物品的制造方法以及电子设备
JP2012108204A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp 光学素子、光学素子の製造方法、及び電子機器
CN103091759A (zh) * 2013-02-05 2013-05-08 李金宗 一种窄带干涉滤光片
CN103255369A (zh) * 2013-06-07 2013-08-21 上海超导科技股份有限公司 一种金属基带上适用于IBAD-MgO生长的简化阻挡层及其制备方法
CN103915455A (zh) * 2013-01-03 2014-07-09 采钰科技股份有限公司 用于光场装置的图像传感器及其制造方法
CN103966560A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 日东电工株式会社 红外线反射薄膜的制造方法
CN104155712A (zh) * 2014-08-15 2014-11-19 中国科学院上海技术物理研究所 光通信用近红外滤光片
CN104167420A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 采钰科技股份有限公司 背照式cmos图像传感器及其形成方法
JP2015119046A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 スタンレー電気株式会社 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
JP2015147366A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 東レ株式会社 積層フィルムおよびその製造方法
CN105200377A (zh) * 2015-09-16 2015-12-30 北京丹鹏表面技术研究中心 离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法
CN105759334A (zh) * 2016-02-01 2016-07-13 张汉新 一种滤光膜及一种灯具滤光装置
WO2016149543A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 The University Of Houston System Improved superconductor compositions
JP2017214607A (ja) * 2016-05-30 2017-12-07 コニカミノルタ株式会社 光反射鏡の製造方法及び蒸着装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0597391B1 (en) 1992-11-09 1998-09-09 Central Glass Company, Limited Glass plate with ultraviolet absorbing multilayer coating
US6289028B1 (en) * 1998-02-19 2001-09-11 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
TW442672B (en) * 1999-11-25 2001-06-23 Nat Science Council The technique for deposition multilayer interference thin films by using only one coating material (pure silicon)
US7521658B2 (en) 2005-12-01 2009-04-21 Aptina Imaging Corporation Pixel having photoconductive layers to absorb different ranges of wavelengths
TWI397995B (zh) 2006-04-17 2013-06-01 Omnivision Tech Inc 陣列成像系統及其相關方法
CN101226244A (zh) 2008-02-01 2008-07-23 中国科学院上海技术物理研究所 一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构
JP2013177667A (ja) * 2012-02-02 2013-09-09 Kobe Steel Ltd 反射膜および／または透過膜、もしくは電気配線および／または電極に用いられるＡｇ合金膜、並びにＡｇ合金スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金フィラー
WO2014104370A1 (ja) 2012-12-28 2014-07-03 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ
JPWO2014188913A1 (ja) 2013-05-22 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 透明電極、及び、電子デバイス
TWI549811B (zh) * 2013-07-23 2016-09-21 大立光電股份有限公司 紅外線濾光元件
CA3194688A1 (en) 2014-06-18 2015-12-23 Viavi Solutions, Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
WO2017018393A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 コニカミノルタ株式会社 銀反射鏡並びにその製造方法及び検査方法
JP2017168822A (ja) 2016-02-12 2017-09-21 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． センサデバイスの製造方法
CN109477910A (zh) 2016-06-13 2019-03-15 唯亚威通讯技术有限公司 包括保护涂层的受保护物品
CN108431678A (zh) * 2016-08-22 2018-08-21 豪雅镜片泰国有限公司 眼镜镜片及眼镜
CN107831564B (zh) 2017-09-19 2019-11-08 昆明理工大学 一种铝-三氧化二铝三明治型红外滤波器

Patent Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1576902A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 旭硝子株式会社 高反射镜
CN1697126A (zh) * 2004-04-13 2005-11-16 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体元件及半导体影像感测器的方法
CN101151557A (zh) * 2005-03-31 2008-03-26 旭硝子株式会社 高反射镜及其制造方法
CN1940599A (zh) * 2005-09-28 2007-04-04 精碟科技股份有限公司 光学元件
CN101051093A (zh) * 2006-04-04 2007-10-10 精工爱普生株式会社 光学多层膜滤波器及其制造方法和电子设备装置
WO2008067597A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 St Synergy Limited Magneto-opto micro-ring resonator and switch
JP2009134064A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Epson Toyocom Corp 光学部材および撮像系光学物品、撮像モジュール
CN101261333A (zh) * 2008-04-03 2008-09-10 浙江大学 金属介质周期薄膜构成的全角度透射滤光片
CN101598828A (zh) * 2008-06-06 2009-12-09 佳能株式会社 光学滤波器及摄像设备
CN101825728A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 精工爱普生株式会社 光学物品及其制造方法
US20100226004A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Seiko Epson Corporation Optical Article and Method for Producing the Same
DE102009030303A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden Beschichtungen sowie Antireflexbeschichtungen
CN102043173A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 精工爱普生株式会社 光学物品、光学物品的制造方法以及电子设备
JP2012108204A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp 光学素子、光学素子の製造方法、及び電子機器
CN103915455A (zh) * 2013-01-03 2014-07-09 采钰科技股份有限公司 用于光场装置的图像传感器及其制造方法
CN103966560A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 日东电工株式会社 红外线反射薄膜的制造方法
CN103091759A (zh) * 2013-02-05 2013-05-08 李金宗 一种窄带干涉滤光片
CN104167420A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 采钰科技股份有限公司 背照式cmos图像传感器及其形成方法
CN103255369A (zh) * 2013-06-07 2013-08-21 上海超导科技股份有限公司 一种金属基带上适用于IBAD-MgO生长的简化阻挡层及其制备方法
JP2015119046A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 スタンレー電気株式会社 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
JP2015147366A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 東レ株式会社 積層フィルムおよびその製造方法
CN104155712A (zh) * 2014-08-15 2014-11-19 中国科学院上海技术物理研究所 光通信用近红外滤光片
WO2016149543A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 The University Of Houston System Improved superconductor compositions
CN105200377A (zh) * 2015-09-16 2015-12-30 北京丹鹏表面技术研究中心 离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法
CN105759334A (zh) * 2016-02-01 2016-07-13 张汉新 一种滤光膜及一种灯具滤光装置
JP2017214607A (ja) * 2016-05-30 2017-12-07 コニカミノルタ株式会社 光反射鏡の製造方法及び蒸着装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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王济洲等: "一种具有抗静电反红外诱导滤光片的设计与制备", 《红外与激光工程》 *

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