TW202006400A - 光學元件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光學元件的製造方法。該製造方法包括下列步驟，例如，提供一基板，以及形成複數第一介電層、複數金屬層、以及複數第二介電層於該基板上。該等金屬層由銀或其合金所構成。該等第一介電層與該等金屬層交替地形成於該基板上。該等第二介電層形成於該等金屬層上遠離該基板的一側，並位於該等金屬層與該等第一介電層之間。本發明另提供一種由上述方法所製造的光學元件。

Description

光學元件及其製造方法
本發明係有關於一種光學元件的製造方法，特別是有關於一種利用高/低功率離子輔助沉積製程(high-power/low-power ion-assisted deposition)製作介電層的光學元件的製造方法以及由該方法所製造的光學元件。
除了透射可見光之外，以染料為基質(dye-based)以及全介電質(all-dielectric)的彩色濾光片亦能透射紅外光(IR)，造成雜訊增加。因此，彩色影像感測器通常亦包括在彩色濾光片陣列(color filter array，CFA)上設置有一紅外光阻擋濾光片(IR-blocking filter)。
或者，為了避免使用紅外光阻擋濾光片，由金屬層與介電層推疊而成的感應透射濾光片(induced transmission filters)亦可使用作為彩色濾光片。此種金屬-介電質彩色濾光片在本質上是阻擋紅外光的。通常，金屬-介電質彩色濾光片具有相對窄的顏色通帶(color passbands)，其隨著入射角的變化不會在波長上產生顯著地偏移。此外，金屬-介電質彩色濾光片通常較全介電質彩色濾光片的厚度薄得多。
通常，金屬-介電質彩色濾光片中的金屬層是銀層，其在環境中不穩定且當暴露於甚至少量的水或氧氣時會導致劣化。對銀層進行化學蝕刻而使銀層暴露在環境中，亦會使其變質劣化。因此，在多數情況下，僅藉由調整介電層的厚度進行金屬-介電質彩色濾光片陣列的圖案化，以為金屬-介電質彩色濾光片選擇不同的顏色通帶。換句話說，具有不同顏色通帶的不同類型的金屬-介電質彩色濾光片彼此是需要具有相同數量及相同厚度的銀層。然而，這些要求嚴重限制了金屬-介電質彩色濾光片可能的光學設計。
因此，開發一種簡單的並可提升金屬-介電質彩色濾光片中銀層可靠度的光學元件的製造方法是眾所期待的。
根據本發明的一實施例，提供一種光學元件的製造方法。該製造方法包括下列步驟：提供一基板；以及形成複數第一介電層、複數金屬層、以及複數第二介電層於該基板上。該等金屬層由銀或其合金所構成。該等第一介電層與該等金屬層交替地形成於該基板上。該等第二介電層形成於該等金屬層上遠離該基板的一側，並位於該等金屬層與該等第一介電層之間。
在部分實施例中，該等第一介電層藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition)而形成。在部分實施例中，該高功率離子輔助沉積製程的離子束電壓(beam voltage)介於約1,000V至約1,500V之間。在部分實施例中，該高功率離子輔助沉積製程的離子束電流(beam current)介於約1,000mA至約1,500mA之間。
在部分實施例中，該等金屬層藉由實施濺鍍製程而形成。在部分實施例中，該濺鍍製程使用銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金或純銀作為靶材。在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，該等第二介電層藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition)而形成。在部分實施例中，該低功率離子輔助沉積製程的離子束電壓(beam voltage)介於約100V至約500V之間。在部分實施例中，該低功率離子輔助沉積製程的離子束電流(beam current)介於約100mA至約800mA之間。在部分實施例中，當實施該低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD)時，並未導入氧氣。
根據本發明的一實施例，提供一種光學元件。該光學元件包括：一基板；複數第一介電層，形成於該基板上；複數金屬層，由銀或其合金所構成，且與該等第一介電層交替地形成於該基板上；以及複數第二介電層，形成於該等金屬層上遠離該基板的一側，並位於該等金屬層與該等第一介電層之間。
在部分實施例中，該等第一介電層包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x=2-5)或五氧化三鈦(Ti3O5)。在部分實施例中，該等第一介電層的折射率介於2.10至2.96之間。在部分實施例中，該等第一介電層的厚度介於10nm至60nm之間。
在部分實施例中，該等金屬層包括銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金或純銀。在部分實施例中，該等金屬層的厚度介於10nm至30nm之間。
在部分實施例中，該等第二介電層包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x＜2)或五氧化三鈦(Ti3O5)。在部分實施例中，該等第二介電層的光吸收率(light absorption rate)介於0.05至0.96之間。在部分實施例中，該等第二介電層的厚度介於3nm至10nm之間。
在部分實施例中，該等第一介電層、該等金屬層、以及該等第二介電層構成一濾光片。在部分實施例中，該濾光片包括紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色濾光片、綠色濾光片、或藍色濾光片。
在本發明的製造方法中，藉由實施濺鍍製程(使用具有適當銀/金屬比例的各種銀/金屬合金作為靶材)形成金屬層，可提高金屬層的可靠度。藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition)形成位於金屬層一側的緻密性第一介電層於高溫製程後可抑制從金屬層擴散的銀原子。藉由實施不須導入氧氣的低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition)形成位於金屬層上遠離基板一側的薄的第二介電層可避免金屬層被氧化及離子撞擊。由於金屬層的兩側設置有第一介電層與第二介電層，使得由銀或其合金所構成的金屬層具有高可靠度。此外，第一介電層與第二介電層的材料(例如NbTiOx或Ti3O5)可彼此相同或不同，且與傳統的介電層材料不同。再者，藉由調整第一介電層、金屬層、以及第二介電層的數量及厚度，可形成各種不同的濾光片，例如紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色(R)濾光片、綠色(G)濾光片、藍色(B)濾光片、或可截止任何波長範圍的濾光片。
請參閱第1圖，根據本發明的一實施例，提供一種光學元件10。第1圖為光學元件10的剖面示意圖。
光學元件10包括基板12、複數第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、複數金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)、以及複數第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)。第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)形成於基板12上。金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)由銀或其合金所構成，且與第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e)交替地形成於基板12上。第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)形成於金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)上遠離基板12的一側16’，並位於金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)與第一介電層(14b、14c、14d、14e、14f)之間。
在部分實施例中，第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)的材料可包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x=2-5)或五氧化三鈦(Ti3O5)。
在部分實施例中，第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)的折射率(n)介於約2.10至約2.96之間。
在部分實施例中，第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e)的厚度介於約10nm至約60nm之間。
在部分實施例中，最上層的第一介電層14f的厚度介於約50nm至約150nm之間。
在部分實施例中，第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)具有緻密性。此處的“緻密性”是指第一介電層中的空隙很小，幾乎沒有空隙的狀態。
在部分實施例中，金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)的材料可包括銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金、其他適合的銀合金、或純銀。
在部分實施例中，金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)的厚度介於約10nm至約30nm之間。
在部分實施例中，第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)的材料可包括例如鈮鈦氧化物(NbTiOx，x＜2)或五氧化三鈦(Ti3O5)。
在部分實施例中，第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)的光吸收率(light absorption rate，k)介於大約0.05至大約0.96之間。
在部分實施例中，第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)的厚度介於約3nm至約10nm之間。
在部分實施例中，第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)構成濾光片20。
在部分實施例中，藉由調整第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)的數量及厚度，濾光片20可形成例如紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色(R)濾光片、綠色(G)濾光片、藍色(B)濾光片、或可截止任何波長範圍的濾光片。
請參閱第2A-2H圖，根據本發明的一實施例，提供一種第1圖光學元件10的製造方法。第2A-2H圖為光學元件10製造方法的剖面示意圖。
請參閱第2A圖，提供其上形成有第一介電層14a的基板12。
在部分實施例中，第一介電層14a可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的製程條件，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及製程氣體的流量均揭示於第3圖。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的離子束電壓(beam voltage，Vb)介於約1,000V至約1,500V之間。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的離子束電流(beam current，Ib)介於約1,000mA至約1,500mA之間。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的加速電壓(accelerate voltage，Va)介於約300V至約800V之間。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的發射電流(emission current，Ie)介於約1,000mA至約1,500mA之間。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22的維持電流(keeper current，Ik)介於約300mA至約600mA之間。
在部分實施例中，高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22使用的製程氣體包括氧氣與氬氣。
在部分實施例中，在高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22中，氧氣的流量介於大約10sccm至大約80sccm。
在部分實施例中，在高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22中，氬氣的流量介於大約10sccm至大約50sccm。
在部分實施例中，第一介電層14a的材料可包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x=2-5)或五氧化三鈦(Ti3O5)。
在部分實施例中，第一介電層14a的折射率(n)介於約2.10至約2.96之間。
在部分實施例中，第一介電層14a具有緻密性。
在部分實施例中，第一介電層14a的厚度介於約10nm至約60nm之間。
請參閱第2B圖，之後，形成由銀或其合金所構成的金屬層16a於第一介電層14a上。
在部分實施例中，金屬層16a可藉由實施濺鍍製程24而形成。
在部分實施例中，濺鍍製程24使用例如銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金、其他適合的銀合金、或純銀作為靶材。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量大約為3%。
在部分實施例中，金屬層16a的材料可包括銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金、其他適合的銀合金、或純銀。
在部分實施例中，金屬層16a的厚度介於約10nm至約30nm之間。
請參閱第2C圖，之後，形成第二介電層18a於金屬層16a上。
在部分實施例中，第二介電層18a可藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD) 26而形成。
低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的製程條件，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及製程氣體的流量均揭示於第4圖。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的離子束電壓(beam voltage，Vb)介於大約100V至大約500V之間。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的離子束電流(beam current，Ib)介於約100mA至約800mA之間。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的加速電壓(accelerate voltage，Va)介於約300V至約800V之間。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的發射電流(emission current，Ie)介於約100mA至約800mA之間。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26的維持電流(keeper current，Ik)介於約400mA至約600mA之間。
在部分實施例中，低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26使用的製程氣體為氬氣。
在部分實施例中，在低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26中，氬氣的流量(flow rate)介於大約10sccm至大約50sccm。
在部分實施例中，在低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26中，並不導入氧氣。
在部分實施例中，第二介電層18a的材料可包括例如鈮鈦氧化物(NbTiOx，x＜2)或五氧化三鈦(Ti3O5)。
在部分實施例中，第二介電層18a的光吸收率(light absorption rate，k)介於大約0.05至大約0.96之間。
在部分實施例中，第二介電層18a的厚度介於約3nm至約10nm之間。
請參閱第2D圖，之後，依序形成第一介電層14b、金屬層16b、以及第二介電層18b於第二介電層18a上。
在部分實施例中，第一介電層14b可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
在部分實施例中，形成第一介電層14b所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第一介電層14a所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14b的組成、折射率(n)、緻密度、以及厚度均與第一介電層14a大致相同。
在部分實施例中，金屬層16b可藉由實施濺鍍製程24而形成。
在部分實施例中，形成金屬層16b所實施的濺鍍製程24所使用的靶材，與形成金屬層16a所實施的濺鍍製程24所使用的靶材大致相同。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量大約為3%。
在部分實施例中，金屬層16b的組成及厚度均與金屬層16a大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18b可藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD) 26而形成。
在部分實施例中，形成第二介電層18b所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第二介電層18a所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18b的組成、光吸收率(k)、以及厚度均與第二介電層18a大致相同。
請參閱第2E圖，之後，依序形成第一介電層14c、金屬層16c、以及第二介電層18c於第二介電層18b上。
在部分實施例中，第一介電層14c可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
在部分實施例中，形成第一介電層14c所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第一介電層14a所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14c的組成、折射率(n)、緻密度、以及厚度均與第一介電層14a大致相同。
在部分實施例中，金屬層16c可藉由實施濺鍍製程24而形成。
在部分實施例中，形成金屬層16c所實施的濺鍍製程24所使用的靶材，與形成金屬層16a所實施的濺鍍製程24所使用的靶材大致相同。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量大約為3%。
在部分實施例中，金屬層16c的組成及厚度均與金屬層16a大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18c可藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD) 26而形成。
在部分實施例中，形成第二介電層18c所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第二介電層18a所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18c的組成、光吸收率(k)、以及厚度均與第二介電層18a大致相同。
請參閱第2F圖，之後，依序形成第一介電層14d、金屬層16d、以及第二介電層18d於第二介電層18c上。
在部分實施例中，第一介電層14d可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
在部分實施例中，形成第一介電層14d所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第一介電層14a所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14d的組成、折射率(n)、緻密度、以及厚度均與第一介電層14a大致相同。
在部分實施例中，金屬層16d可藉由實施濺鍍製程24而形成。
在部分實施例中，形成金屬層16d所實施的濺鍍製程24所使用的靶材，與形成金屬層16a所實施的濺鍍製程24所使用的靶材大致相同。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量大約為3%。
在部分實施例中，金屬層16d的組成及厚度均與金屬層16a大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18d可藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD) 26而形成。
在部分實施例中，形成第二介電層18d所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第二介電層18a所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18d的組成、光吸收率(k)、以及厚度均與第二介電層18a大致相同。
請參閱第2G圖，之後，依序形成第一介電層14e、金屬層16e、以及第二介電層18e於第二介電層18d上。
在部分實施例中，第一介電層14e可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
在部分實施例中，形成第一介電層14e所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第一介電層14a所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14e的組成、折射率(n)、緻密度、以及厚度均與第一介電層14a大致相同。
在部分實施例中，金屬層16e可藉由實施濺鍍製程24而形成。
在部分實施例中，形成金屬層16e所實施的濺鍍製程24所使用的靶材，與形成金屬層16a所實施的濺鍍製程24所使用的靶材大致相同。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量介於約1%至約10%之間。
在部分實施例中，鋅於銀鋅(AgZn)合金的靶材中的含量大約為3%。
在部分實施例中，金屬層16e的組成及厚度均與金屬層16a大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18e可藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition，low-power IAD) 26而形成。
在部分實施例中，形成第二介電層18e所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第二介電層18a所實施的低功率離子輔助沉積製程(low-power IAD) 26所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第二介電層18e的組成、光吸收率(k)、以及厚度均與第二介電層18a大致相同。
請參閱第2H圖，之後，形成第一介電層14f於第二介電層18e上。
在部分實施例中，第一介電層14f可藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition，high-power IAD) 22而形成。
在部分實施例中，形成第一介電層14f所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數，例如離子束電壓(beam voltage，Vb)、離子束電流(beam current，Ib)、加速電壓(accelerate voltage，Va)、發射電流(emission current，Ie)、維持電流(keeper current，Ik)、以及氣體流量，與形成第一介電層14a所實施的高功率離子輔助沉積製程(high-power IAD) 22所使用的參數大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14f的組成、折射率(n)、以及緻密度均與第一介電層14a大致相同。
在部分實施例中，第一介電層14f的厚度介於約50nm至約150nm之間。
在第2H圖中，複數金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)與複數第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e)交替地形成於基板12上。複數第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)形成於複數金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)上遠離基板12的一側16’，並位於複數金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)與複數第一介電層(14b、14c、14d、14e、14f)之間。
在第2H圖中，複數第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、複數金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)、以及複數第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)可構成濾光片20。
如上所述加以歸納，將濾光片20中每一層的材料及厚度顯示於第5圖。
在部分實施例中，藉由調整第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e、14f)、金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)、以及第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)的數量及厚度，濾光片20可形成例如紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色(R)濾光片、綠色(G)濾光片、藍色(B)濾光片、或可截止任何波長範圍的濾光片。
部分濾光片20的TEM圖顯示於第6圖。位於金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)一側的第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e)於高溫製程後可抑制從金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)擴散的銀原子。此外，位於金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)上遠離基板12的一側的第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)可避免金屬層(16a、16b、16c、16d、16e)被氧化及離子撞擊。因此，在第6圖中，並未有銀原子進入第一介電層(14a、14b、14c、14d、14e)與第二介電層(18a、18b、18c、18d、18e)。
在本發明的製造方法中，藉由實施濺鍍製程(使用具有適當銀/金屬比例的各種銀/金屬合金作為靶材)形成金屬層，可提高金屬層的可靠度。藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition)形成位於金屬層一側的緻密性第一介電層於高溫製程後可抑制從金屬層擴散的銀原子。藉由實施不須導入氧氣的低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition)形成位於金屬層上遠離基板一側的薄的第二介電層可避免金屬層被氧化及離子撞擊。由於金屬層的兩側設置有第一介電層與第二介電層，使得由銀或其合金所構成的金屬層具有高可靠度。此外，第一介電層與第二介電層的材料(例如NbTiOx或Ti3O5)可彼此相同或不同，且與傳統的介電層材料不同。再者，藉由調整第一介電層、金屬層、以及第二介電層的數量及厚度，可形成各種不同的濾光片，例如紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色(R)濾光片、綠色(G)濾光片、藍色(B)濾光片、或可截止任何波長範圍的濾光片。
上述實施例之特徵有利於本技術領域中具有通常知識者理解本發明。本技術領域中具有通常知識者應理解可採用本發明作基礎，設計並變化其他製程與結構以完成上述實施例之相同目的及/或相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解，這些等效置換並未脫離本發明精神與範疇，並可在未脫離本發明之精神與範疇的前提下進行改變、替換、或更動。
10‧‧‧光學元件12‧‧‧基板14a、14b、14c、14d、14e、14f‧‧‧第一介電層16a、16b、16c、16d、16e‧‧‧金屬層16’‧‧‧金屬層遠離基板的一側18a、18b、18c、18d、18e‧‧‧第二介電層20‧‧‧濾光片22‧‧‧高功率離子輔助沉積製程24‧‧‧濺鍍製程26‧‧‧低功率離子輔助沉積製程
第1圖係根據本發明的一實施例，一種光學元件的剖面示意圖； 第2A-2H圖係根據本發明的一實施例，一種光學元件製造方法的剖面示意圖； 第3圖係根據本發明的一實施例，顯示高功率離子輔助沉積製程的製程條件； 第4圖係根據本發明的一實施例，顯示低功率離子輔助沉積製程的製程條件； 第5圖係根據本發明的一實施例，顯示一濾光片中每一層的材料及厚度；以及 第6圖係根據本發明的一實施例，顯示部分濾光片的TEM圖。
10‧‧‧光學元件
12‧‧‧基板
14a、14b、14c、14d、14e、14f‧‧‧第一介電層
16a、16b、16c、16d、16e‧‧‧金屬層
16’‧‧‧金屬層遠離基板的一側
18a、18b、18c、18d、18e‧‧‧第二介電層

Claims (9)

  1. 一種光學元件的製造方法，包括： 提供一基板；以及 形成複數第一介電層、複數金屬層、以及複數第二介電層於該基板上，其中該等金屬層由銀或其合金所構成，該等第一介電層與該等金屬層交替地形成於該基板上，且該等第二介電層形成於該等金屬層上遠離該基板的一側，並位於該等金屬層與該等第一介電層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光學元件的製造方法，其中該等第一介電層藉由實施高功率離子輔助沉積製程(high-power ion-assisted deposition)而形成，該高功率離子輔助沉積製程的離子束電壓(beam voltage)介於1,000V至1,500V之間，且其離子束電流(beam current)介於1,000mA至1,500mA之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光學元件的製造方法，其中該等金屬層藉由實施濺鍍製程而形成，該濺鍍製程使用銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金或純銀作為靶材，且鋅於靶材中的含量介於1%至10%之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光學元件的製造方法，其中該等第二介電層藉由實施低功率離子輔助沉積製程(low-power ion-assisted deposition)而形成，該低功率離子輔助沉積製程的離子束電壓(beam voltage)介於100V至500V之間，離子束電流(beam current)介於100mA至800mA之間，且當實施該低功率離子輔助沉積製程時並未導入氧氣。
  5. 一種光學元件，包括： 一基板； 複數第一介電層，形成於該基板上； 複數金屬層，由銀或其合金所構成，且與該等第一介電層交替地形成於該基板上；以及 複數第二介電層，形成於該等金屬層上遠離該基板的一側，並位於該等金屬層與該等第一介電層之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的光學元件，其中該等第一介電層包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x=2-5)或五氧化三鈦(Ti3O5)，其折射率介於2.10至2.96之間，且厚度介於10nm至60nm之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的光學元件，其中該等金屬層包括銀鋅(AgZn)合金、銀鋁(AgAl)合金、銀銦(AgIn)合金、銀銅(AgCu)合金或純銀，且其厚度介於10nm至30nm之間。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的光學元件，其中該等第二介電層包括鈮鈦氧化物(NbTiOx，x＜2)或五氧化三鈦(Ti3O5)，其光吸收率(light absorption rate)介於0.05至0.96之間，且厚度介於3nm至10nm之間。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的光學元件，其中該等第一介電層、該等金屬層、以及該等第二介電層構成一濾光片，該濾光片包括紅外光截止濾光片(IR-cut filter)、紅色濾光片、綠色濾光片、或藍色濾光片。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111880256B (zh) 2017-09-29 2022-03-08 耐克创新有限合伙公司 结构着色的物品以及制造和使用结构着色的物品的方法
CN114008493A (zh) 2019-06-26 2022-02-01 耐克创新有限合伙公司 结构着色的物品以及用于制造和使用结构着色的物品的方法
EP3963376A1 (en) 2019-07-26 2022-03-09 Nike Innovate C.V. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
WO2021080913A1 (en) 2019-10-21 2021-04-29 Nike, Inc. Structurally-colored articles
JP7374788B2 (ja) * 2020-01-30 2023-11-07 株式会社三共 遊技機
JP7374789B2 (ja) * 2020-01-30 2023-11-07 株式会社三共 遊技機
US20210370713A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 Nike, Inc. Structurally-colored articles and methods for making and using structurally-colored articles
US11889894B2 (en) 2020-08-07 2024-02-06 Nike, Inc. Footwear article having concealing layer

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69320913T2 (de) 1992-11-09 1999-03-11 Central Glass Co. Ltd., Ube City, Yamaguchi Glasplatte mit einem ultraviolett absorbierenden mehrschichtigen Überzug
US6289028B1 (en) * 1998-02-19 2001-09-11 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
TW442672B (en) * 1999-11-25 2001-06-23 Nat Science Council The technique for deposition multilayer interference thin films by using only one coating material (pure silicon)
KR20050001425A (ko) 2003-06-27 2005-01-06 아사히 가라스 가부시키가이샤 고반사경
US7196012B2 (en) * 2004-04-13 2007-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods for planarization of dielectric layer around metal patterns for optical efficiency enhancement
CN101151557A (zh) 2005-03-31 2008-03-26 旭硝子株式会社 高反射镜及其制造方法
CN1940599A (zh) 2005-09-28 2007-04-04 精碟科技股份有限公司 光学元件
US7521658B2 (en) 2005-12-01 2009-04-21 Aptina Imaging Corporation Pixel having photoconductive layers to absorb different ranges of wavelengths
CN100474003C (zh) * 2006-04-04 2009-04-01 精工爱普生株式会社 光学多层膜滤波器和电子设备装置
WO2008020899A2 (en) 2006-04-17 2008-02-21 Cdm Optics, Inc. Arrayed imaging systems and associated methods
US20110019957A1 (en) * 2006-12-06 2011-01-27 St Synergy Limited Magneto-opto micro-ring resonator and switch
JP5433943B2 (ja) 2007-11-30 2014-03-05 セイコーエプソン株式会社 光学部材、撮像系光学物品、撮像モジュール、カメラ、及び光学部材の製造方法
CN101226244A (zh) 2008-02-01 2008-07-23 中国科学院上海技术物理研究所 一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构
CN101261333A (zh) 2008-04-03 2008-09-10 浙江大学 金属介质周期薄膜构成的全角度透射滤光片
JP5268436B2 (ja) * 2008-06-06 2013-08-21 キヤノン株式会社 光学フィルタ及び撮像装置
JP2010231172A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Seiko Epson Corp 光学物品およびその製造方法
DE102009030303A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden Beschichtungen sowie Antireflexbeschichtungen
JP2011100111A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Seiko Epson Corp 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器
JP2012108204A (ja) 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp 光学素子、光学素子の製造方法、及び電子機器
JP2013177667A (ja) * 2012-02-02 2013-09-09 Kobe Steel Ltd 反射膜および／または透過膜、もしくは電気配線および／または電極に用いられるＡｇ合金膜、並びにＡｇ合金スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金フィラー
KR102061477B1 (ko) 2012-12-28 2020-01-02 에이지씨 가부시키가이샤 근적외선 커트 필터
US20140183334A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Visera Technologies Company Limited Image sensor for light field device and manufacturing method thereof
JP2014167163A (ja) * 2013-01-31 2014-09-11 Nitto Denko Corp 赤外線反射フィルムの製造方法
CN103091759B (zh) * 2013-02-05 2013-09-11 哈尔滨工业大学 一种窄带干涉滤光片
US20140339606A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Visera Technologies Company Limited Bsi cmos image sensor
WO2014188913A1 (ja) 2013-05-22 2014-11-27 コニカミノルタ株式会社 透明電極、及び、電子デバイス
CN103255369B (zh) * 2013-06-07 2016-06-22 上海超导科技股份有限公司 一种金属基带上适用于IBAD-MgO生长的简化阻挡层及其制备方法
TWI549811B (zh) * 2013-07-23 2016-09-21 大立光電股份有限公司 紅外線濾光元件
JP6253392B2 (ja) 2013-12-18 2017-12-27 スタンレー電気株式会社 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
JP6303559B2 (ja) 2014-02-07 2018-04-04 東レ株式会社 積層フィルムおよびその製造方法
KR102240253B1 (ko) 2014-06-18 2021-04-13 비아비 솔루션즈 아이엔씨. 금속-유전체 광학 필터, 센서 디바이스, 및 제조 방법
CN104155712B (zh) * 2014-08-15 2017-01-25 中国科学院上海技术物理研究所 光通信用近红外滤光片
US10832843B2 (en) * 2015-03-17 2020-11-10 The University Of Houston System Superconductor compositions
EP3330749B1 (en) * 2015-07-27 2022-09-21 Konica Minolta, Inc. Silver mirror, and production method and examination method therefor
CN105200377A (zh) * 2015-09-16 2015-12-30 北京丹鹏表面技术研究中心 离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法
CN105759334A (zh) 2016-02-01 2016-07-13 张汉新 一种滤光膜及一种灯具滤光装置
JP2017168822A (ja) 2016-02-12 2017-09-21 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． センサデバイスの製造方法
JP6884993B2 (ja) 2016-05-30 2021-06-09 コニカミノルタ株式会社 光反射鏡の製造方法及び蒸着装置
MX2018015507A (es) 2016-06-13 2019-06-06 Viavi Solutions Inc Articulo protegido que incluye un revestimiento protector.
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