CN110649181A - 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板的发光单元发光的封装效果不佳的不足。本发明显示基板,包括基底,基底包括多个间隔的岛部和连接在不同岛部间的多个桥部,且基底在非岛部且非桥部的区域具有多个开口;每个岛部上设有多个层结构,每个岛部上的层结构构成至少一个发光单元,发光单元远离基底一侧设有封装层;任意层结构在其所在的岛部上的正投影的边缘与该岛部的边缘间有间隔,封装层在其所在的岛部上的正投影覆盖该岛部。

Description

显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法。
背景技术
可拉伸显示基板以其可拉伸、可折叠等特性成为具有未来发展前景的技术。为了适应可拉伸、可折叠的特性,显示基板的基底采用岛+桥的结构,即显示面板的基底包括多个间隔的岛部和桥部,且在基底在非岛部和且非桥部的区域具有多个开口。发光单元形成于多个岛部上,多个岛部通过桥部相连,岛部和桥部之间有空隙,以拉伸显示基板时主要通过桥部的变形实现拉伸,而岛部和其上的发光单元变形很小,从而避免对发光单元造成破坏。
然而,现有的可拉伸显示基板中,基底上的发光单元中的有些层结构(例如,阴极层、电子传输层、空穴传输层等)采用蒸镀的方式形成于基底上,岛部的整个表面以及桥部上会覆盖有发光单元的层结构,从而,封装层难以将发光单元的所有封装层封装起来,即空气中的水汽容易通过位于岛部边缘处或者位于桥部上且与岛部内的层结构相连的层结构侵入发光单元内部,从而,造成发光单元的失效。
发明内容
本发明至少部分解决现有的显示基板的发光单元的封装效果不佳的不足,提供了一种能够对发光单元进行有效封装的显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括基底,所述基底包括多个间隔的岛部和连接在不同岛部间的多个桥部,且所述基底在非岛部和且非桥部的区域具有多个开口;每个所述岛部上设有多个层结构,每个所述岛部上的层结构构成至少一个发光单元,所述发光单元远离所述基底一侧设有封装层;
任意所述层结构在其所在的所述岛部上的正投影的边缘与该岛部的边缘间有间隔,所述封装层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖该岛部。
可选的,每个所述岛部上的层结构构成多个发光单元,每个所述发光单元的所述层结构包括第一电极层、发光层、第二电极层,其中,所述发光层设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述第一电极层位于第二电极层靠近基底一侧;
所述岛部具有像素区,所述像素区边缘与其所在岛部边缘间有间隔,所述像素区包括多个子像素区,每个所述发光单元的所述第一电极层和所述发光层在其所在的所述岛部上的正投影位于一个所述子像素区内。
可选的,每个所述岛部上的所有的所述第二电极层连为一体。
可选的,所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所述像素区,且所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所述像素区的边缘外侧。
可选的,每个所述像素单元的所述层结构还包括至少一层辅助层,任意所述辅助层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间。
可选的,每个所述岛部上,相同层的所述辅助层连为一体,形成一层公共辅助层。
可选的,任意所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所述像素区,且所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所述像素区的边缘外侧。
可选的,每个所述岛部上的所述层结构包括多层所述公共辅助层,任意不同层的所述公共辅助层在所述岛部上的正投影重合。
可选的,每个所述岛部上的所有的所述第二电极层连为一体;
每个所述岛部上的所述第二电极层在该岛部上的正投影的边缘围绕在该岛部上任意所述公共辅助层在该岛部上的正投影的边缘外侧;
所述岛部上还设有与所述第二电极层相连的电极引线,位于所述第二电极层和所述电极引线之间的层结构上设有通孔,所述第二电极层和所述电极引线通过所述通孔相接触;
其中,所述通孔在所述岛部上的正投影位于任意所述公共辅助层在所述岛部上的正投影的边缘外,且至少部分位于所述第二电极层在该岛部上的投影的边缘内。
可选的,所述第一电极层为阳极层,所述第二电极层为阴极层。
可选的,所述基底由柔性材料构成。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,所述显示装置包括上述的显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法,包括:
提供基底,所述基底包括多个间隔的岛部和连接在不同岛部间的多个桥部,且所述基底在非岛部且非桥部的区域具有多个开口;
在每个所述岛部上形成多个层结构,以使每个所述岛部上的层结构构成至少一个发光单元,在所述发光单元远离所述基底一侧形成封装层;
其中,任意所述层结构在其所在的所述岛部上的正投影的边缘与该岛部的边缘间有间隔,所述封装层在其所在的岛部上的正投影覆盖该岛部
可选地,所述在每个所述岛部上形成多个层结构包括:
采用构图工艺在每个所述岛部上形成多个第一电极层,每个所述第一电极层在其所在的所述岛部上的正投影定义一个子像素区;
采用构图工艺在每个所述岛部上形成多个与所述第一电极层一一对应的发光层,每个所述发光层在其所在的所述岛部上的正投影位于一个所述子像素区内;
使第一掩膜板上的每个第一缺口与所述基底的一个所述岛部上预形成第二电极层的区域对应,采用构图工艺在每个岛部上形成一个第二电极层,所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所有的所述子像素区,且所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所有的所述子像素区的边缘外侧。
可选地,在形成所述第一电极层之后,且形成所述第二电极层之前,还包括:
使第二掩膜板上的每个第二缺口与所述基底的一个所述岛部上预形成公共辅助层的区域对应,采用构图工艺在每个岛部上形成至少一层公共辅助层,任意所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所有的所述子像素区,且所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所有的所述子像素区的边缘外侧。
附图说明
图1为本发明显示基板的一种实施例的剖面示意图(部分结构未示出);
图2为本发明显示基板的一种实施例的局部透视图(部分结构未示出);
图3为本发明显示基板的一种实施例的第一掩膜板的结构示意图;
图4为现有的显示基板的基底的结构示意图(部分结构未示出);
其中的附图标记说明:1、基底;11、岛部;12、桥部;13、开口;2、电极引线;3、像素定义层;4、第一电极层;5、公共辅助层;6、发光层;7、第二电极层;8、封装层;81、第一封装子层;82、第二封装子层;83、第三封装层;9、第一掩膜板;91、第一缺口;10、隔离柱;01、像素区;1a、发光层在岛部上的正投影;3a、通孔在岛部上的正投影;5a、公共辅助层在岛部上的正投影;7a、第二电极层在岛部上的正投影。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
在本申请中,如无特殊说明,以下技术词语应按照下述的解释理解:
每个岛部上的多个层结构是层叠设置的,多个层结构的“层叠设置”是指多个膜层是按照一定的顺序依次形成的,但不代表它们在所有位置上都有空间意义上的层叠关系,也不代表它们两两相互接触。
“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤,其可为光刻工艺,光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步;当然,“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
实施例1:
参见图1、图2,本实施例提供一种显示基板,包括基底1,基底1包括多个间隔的岛部11和连接在不同岛部11间的多个桥部12,且基底1在非岛部且非桥部的区域具有多个开口13;每个岛部11上设有多个层结构,每个岛部11上的层结构构成至少一个发光单元,发光单元远离基底1一侧设有封装层8。
任意层结构在其所在的岛部11上的正投影的边缘与该岛部11的边缘间有间隔,封装层8在其所在的岛部11上的正投影覆盖该岛部11。
其中,发光单元是显示基板进行图像显示的光源,发光单元可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件。每个岛部11上的层结构可以包括第一电极层(阳极)4、发光层6、第二电极层(阴极)7等。
本实施例中,岛部11上任意层结构(指除了封装层8之外其他用于显示的结构)在其所在的岛部11上的正投影都落在岛部11的边缘内,且该正投影的边缘与岛部11的边缘有间隔,封装层8在其所在的岛部11上的正投影覆盖该岛部11,即岛部11上任意层结构都比岛部11小,而封装层8与岛部11一样大,参见图1。
因此,在岛部11上设置封装层8后,岛部11上未被多个层结构的正投影覆盖的部分区域能与封装层8直接接触,从而,该岛部11上的全部层结构都被封装在该岛部11与封装层8组成的独立封装结构内,从而,避免了因发光单元的层结构位于封装层8外部,空气中的水气通过该层结构侵入发光单元内,而导致的发光单元失效的问题。
可选地,每个岛部11上的层结构构成多个发光单元,每个发光单元的层结构包括第一电极层4、发光层6、第二电极层7,其中,发光层6设置于第一电极层4和第二电极层7之间,第一电极层4位于第二电极层7靠近基底1一侧;
岛部11具有像素区01,像素区01边缘与其所在岛部11边缘间有间隔,像素区01包括多个子像素区,每个发光单元的第一电极层4和发光层6在其所在的岛部11上的正投影位于一个子像素区内。
通常而言,将显示中表示图形的最小单位称为点,显示基板中该最小单位的点称为像素。在彩色显示中,可以将每个像素再分为红(R)、绿(G)、蓝(B)这三种颜色的点,将RGB三种颜色的任意一种的点称为子像素。
以OLED显示基板为例,多个发光单元阵列排布在基底1上,每个子像素(子像素区)具有一个相应颜色的发光单元。
如图2所示,每个发光单元的第一电极层4和发光层6在岛部11(基底1)上的正投影(图中1a为发光层在岛部上的正投影的边缘)定义一个子像素区,即每个子像素区中的发光层6为相应颜色。可见,每个发光单元的第一电极层4和发光层6对置,同时,每个岛部11上具有分体的多个第一电极层4和多个发光层6,故多个发光单元的第二电极层7无论是分体结构还是一体结构,每个发光单元都可以单独发光。
每个岛部11上所有的子像素区均位于像素区01中。每个岛部11上的像素区01(图中每个虚线框住的区域)是一个预先设定好的区域。像素区01边缘与其所在岛部11边缘间有间隔,即像素区01比岛部11小。
上述方案中,第一电极层4可以为阳极、第二电极层7可以为阴极。当然,若第一电极层4为阴极、第二电极层7为阳极,也是可行的。
可选地,每个岛部11上的所有的第二电极层7连为一体。
上述方案中,每个岛部11上的所有的第二电极层7连为一体,故一路电极连接线(电极引线2)即可实现对岛部11上的所有的发光单元的第二电极层7的供电,降低了每个岛部11上的发光单元的电压降(IR drop)。
同时,第二电极层7通常采用构图工艺制备,即使用第一掩膜板9(例如,Pattern化EV Open Mask),在基底1上形成各岛部11上的第二电极层7。第一掩膜板9上有多个第一缺口91,第一缺口91用于定义第二电极层7的图形,多个第一缺口91分别与基底1的多个岛部11一一对应。
在构图工艺中,向第一掩膜板9蒸镀第二电极层7的材料(如金属)的蒸汽,该蒸汽可通过第一掩膜板9上的第一缺口91后可沉积在基底1上,从而在所需位置形成第二电极层7。可见,相较于每个岛部11上的所有的第二电极层7是分体结构的情况,减少了第一掩膜板9上的第一缺口91的数量,增大了第一缺口91的尺寸,故便于第一掩膜板9的制备,从而,上述方案降低了在每个岛部11上形成第二电极层7的工艺难度。
同时,相关技术中,如图4所示,在基底1上形成第二电极层7之前首先在基底1上形成隔离柱10,然后,采用蒸镀或喷墨打印等材料层沉积工艺在整个基底1上形成第二电极层7,此时,隔离柱10用于将位于岛部11上的第二电极层7和位于桥部12上的第二电极层7隔断。原则上,隔离柱10能够将位于岛部11上的第二电极层7和位于桥部12上的第二电极层7隔断,然而,实际上,隔离柱10对第二电极层7的隔断效果并不好,即容易出现岛部11和桥部12上的第二电极层7相互连接的情况。因此,空气中的水汽难免通过位于岛部11的边缘处或者位于桥部12上且与岛部11内的第二电极层7相连的部分侵入发光单元内部。
相较于相关技术,上述技术方案,每个岛部11上的第二电极层7仅设置岛部11上,且第二电极层7比岛部11小,故保证了每个岛部11的封装层8对其上的第二电极层7的完全封装。
可选地,如图2所示,第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影覆盖像素区01,且第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影的边缘(图2中7a为共第二电极层在岛部上的正投影)围绕在像素区01的边缘外侧。
第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在像素区01的边缘外侧,即第二电极层7比像素区01大,也即第一缺口91比像素区01大。因此,当采用构图工艺形成第二电极层7时,在第一掩膜板9因位置偏移而导致的第一缺口91稍微偏移预定形成第二电极层7的区域(覆盖像素区的区域)时,能够保证第二电极层7仍然可覆盖每个岛部11上的所有的发光层6和所有的第一电极层4。
可选地,每个像素单元的层结构还包括至少一层辅助层,任意辅助层位于第一电极层4和第二电极层7之间。
其中,辅助层可以是设置在第一电极层4和发光层6之间的空穴注入层、空穴传输层,以及设置在发光层6和电子层之间的电子传输层、电子注入层等。辅助层能够提高发光单元的出光效率,提升发光单元的稳定性。
可选地,每个岛部11上,相同层的辅助层连为一体,形成一层公共辅助层5。
在这里,相同层的辅助层是指实现同一功能的辅助层,例如,每个发光单元都包括两层辅助层,分别是设置于发光层6和第一电极层4之间的空穴传输层和设置于发光层6和第二电极层7之间的电子传输层,那么,每个岛部11上所有的发光单元的空穴传输层连为一体,所有的电子传输层连为一体。
同样,公共辅助层5通常采用构图工艺制备,即使用第二掩膜板,在基底1上形成各岛部11上的公共辅助层5。
第二掩膜板上有多个第二缺口,每个第二缺口分别与一个岛部11对应。可见,相较于每个岛部11上的所有的实现同一功能的辅助层是分体结构的情况,减少了第二掩膜板上的第二缺口的数量,增大了第二缺口的尺寸,故便于第二掩膜板的制备,从而,上述方案降低了在每个岛部11上形成辅助层的工艺难度。
可选地,如图2所示,任意公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影(图中,5a为公共辅助层在岛部上的正投影的边缘)覆盖像素区01,且公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在像素区01的边缘外侧。
其中,第二电极层7通常采用构图工艺制备,即使用第二掩膜板(例如,Pattern化EV Open Mask),在基底1上形成各岛部11上的公共辅助层5。第二掩膜板上有多个第二缺口,第二缺口用于定义公共辅助层5的图形,多个第二缺口分别与基底1的多个岛部11一一对应。
在构图工艺中,向第二掩膜板蒸镀公共辅助层5的材料(如有机材料)的蒸汽,该蒸汽可通过第二掩膜板上的第二缺口后可沉积在基底1上,从而在所需位置形成公共辅助层5。
同时,公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在像素区01的边缘外侧,即公共辅助层5比像素区01大,也即第二缺口比像素区01大。因此,当采用构图工艺制备公共辅助层5时,在第二掩膜板因位置偏移而导致的第二缺口偏移预定形成公共辅助层5的位置时,能够保证公共辅助层5覆盖每个岛部11上的所有的发光层6和所有的第一电极层4。
相关技术中,同样,在基底1上形成公共辅助层5之前首先在基底1上形成隔离柱10,然后,采用蒸镀或者喷墨打印工艺在整个基底1上形成公共辅助层5,故在形成公共辅助层5时,无需使用第二掩膜板。
相较于相关技术,上述技术方案,每个岛部11上的任意公共辅助层5仅设置岛部上,且任意公共辅助层5比岛部11小,故保证了每个岛部11的封装层8够对其上的公共辅助层5的完全封装。
可选地,每个岛部11上的层结构包括多层公共辅助层5,任意不同层的公共辅助层5在岛部11上的正投影重合。
其中,任意不同层的公共辅助层5的图形相同,从而第二掩膜板的结构可以是相同的,即可采用一个第二掩膜板就可以形成任意不同层的公共辅助层5,从而,进一步的简化了公共辅助层5的形成工艺。
可选地,每个岛部11上的所有的第二电极层7连为一体。
每个岛部11上的第二电极层7在该岛部11上的正投影的边缘围绕在该岛部11上任意公共辅助层5在该岛部11的正投影的边缘外侧。
岛部11上还设有与第二电极层7相连的电极引线2,位于第二电极层7和电极引线2之间的层结构上设有通孔,第二电极层7和电极引线2通过通孔相接触。
其中,通孔在岛部上的正投影3a位于任意公共辅助层5在岛部11上的正投影的边缘外,且至少部分位于第二电极层7在该岛部11上的投影的边缘内。
其中,电极引线2比第一电极层4更靠近基底1,电极引线2(VSS)与第二电极层7接触以形成第一电极层4-第二电极层7-电极引线2的回路,激发发光层6发光。
其中,第二电极层7和电极引线2通过通孔相接触,即第二电极层7的材料要进入通孔内,并由通孔延伸至电极引线2所在的层上,以实现第二电极层7和电极引线2的接触。
显然,公共辅助层5具有导电性,电极引线2也具有导电性,公共辅助层5与电极引线2不能直接相连。因此,上述方案通孔设置在没有公共辅助层5处,即电极引线2避开了公共辅助层5,从而避免了在公共辅助层5中设置通孔,进而避免了进行公共辅助层5中的通孔与电极引线2的绝缘处理。同时,通孔在岛部上的正投影3a至少部分位于第二电极层7在该岛部11上的投影的边缘内,保证了位于通孔内的第二电极层7能和电极引线2接触。
当然,当以上公共辅助层5比像素区01更大的时,则第二电极层7应比公共辅助层5更大(当然也比像素区01大),从而通孔可设在第二电极层7和电极引线2之间的层结构中。
例如,像素区01、公共辅助层5、第二电极层7的图形均是正方形,公共辅助层5的边长比像素区01的边长长80mm,第二电极层7的边长比公共辅助层5的边长长80mm。
可选地,如图1所示,位于第二电极层7和电极引线2之间的层结构可以是像素定义层(PDL)3,故通孔可以设置在像素限定层中。像素定义层3用于限定各子像素,其中设有多个容置口,一个第一电极层4和一个发光层6位于一个容置口内。
当然,该像素定义层3也属于层结构,故其也应岛部11更小。
例如,公共辅助层5的图形是矩形,第二电极层7的图形也是矩形,通孔在岛部上的正投影3a可以位于公共辅助层在岛部上的正投影5a的四个角处。
可选地,为了避免因显示基板被拉伸或被折叠而造成的损坏,基底1由柔性材料构成。
其中,基底1是柔性可变形的,故上述方案中的显示基板是可拉伸显示基板。
可选地,如图1所示,封装层8可以包括第一封装子层81、第二封装子层82、第三封装子层83,其中,第一封装子层81和第三封装子层83可为无机材料,可都采用化学气相沉积(CVD)的方式设置在基底1上;而第二封装子层82可为有机材料,可采用喷墨打印(IJP)工艺设置在基底1上。
其中,封装层8覆盖岛部11是指所有封装子层共同构成的封装层8整体将每个岛部11覆盖,而并不是说每个封装子层都能单独覆盖岛部11。例如,第一封装子层81和第三封装子层83覆盖整个岛部11,第二封装子层82的大小和第二电极层(阴极层)7的大小相同,参见图1。
实施例2:
本实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述实施例中记载的显示基板。
本实施例中每个岛部上的封装层形成一个独立的封装结构,该岛部上所有的层结构都被封装在该封装结构内,因此,避免了空气中的水汽侵入发光单元,延长了发光单元上的使用寿命。
实施例3:
如图1至3所示,本实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
提供基底1,基底1包括多个间隔的岛部11和连接在不同岛部11间的多个桥部12,且基底1在非岛部且非桥部的区域具有多个开口13;
在每个岛部11上形成多个层结构,以使每个岛部上的层结构构成至少一个发光单元,在发光单元远离基底一侧形成封装层8;
其中,任意层结构在其所在的岛部11上的正投影的边缘与该岛部11的边缘间有间隔,封装层8在其所在的岛部11上的正投影覆盖该岛部11。
本实施例,采用构图工艺在每个岛部11上的所有层结构在其所在的岛部11上的正投影的边缘与该岛部11的边缘间有间隔,以将每个岛部11上的发光单元封装在一个独立的封装结构内,从而,在避免发光单元被空气中的水汽损坏的同时,没有增加显示基板制备工艺的难度。
可选地,在每个岛部上形成多个层结构包括:
采用构图工艺在每个岛部11上形成多个第一电极层4,每个第一电极层4在其所在的岛部11上的正投影定义一个子像素区。
采用构图工艺在每个岛部11上形成多个与第一电极层4一一对应的发光层6,每个发光层6在其所在的岛部11上的正投影位于一个子像素区内。
使第一掩膜板9上的每个第一缺口91与基底1的一个岛部11上预形成第二电极层7的区域对应,采用构图工艺在每个岛部11上形成一个第二电极层7,第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影覆盖所有的子像素区,且第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在所有的子像素区的边缘外侧。
其中,将第一掩膜板9置于发光层6远离基底1一侧,第一掩膜板9上的每个第一缺口91与一个岛部11上预形成第二电极层7的区域对应,换而言之,基底1上预形成第二电极层7的区域以外的区域被第一掩膜板9遮挡,从而,采用构图工艺(如蒸镀、喷墨打印)只能在基底1上未被遮挡的区域形成第二电极层7。
同时,第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影覆盖所有的子像素区,且第二电极层7在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在所有的像素区的边缘外侧,即每个岛部11上第二电极层7比所有的子像素区所占的区域大,且该岛部11上所有的发光单元共用第二电极层7。
可选地,在形成第一电极层4之后,且形成第二电极层7之前,还包括:使第二掩膜板上的每个第二缺口与基底1的一个岛部11上预形成公共辅助层5的区域对应,采用构图工艺在每个岛部11上形成至少一层公共辅助层5,任意公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影覆盖所有的子像素区,且公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在所有的子像素区的边缘外侧。
其中,将第二掩膜板置于第一电极层4远离基底1一侧,第二掩膜板上的每个第二缺口与一个岛部11上预形成公共辅助层5的区域对应,换而言之,基底1上预形成公共辅助层5的区域以外的区域被第二掩膜板遮挡,从而,采用构图工艺(如蒸镀、喷墨打印)只能在基底1上未被遮挡的区域形成公共辅助层5。
同时,任意公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影覆盖所有的子像素区,且公共辅助层5在其所在的岛部11上的正投影的边缘围绕在所有的像素区的边缘外侧,即每个岛部11上公共辅助层5比所有的子像素区所占的区域大,且该岛部11上所有的发光单元共用公共辅助层5。
应当说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排它性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其它要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
依照本发明的实施例如上文所述,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (15)

1.一种显示基板,其特征在于,包括基底,所述基底包括多个间隔的岛部和连接在不同岛部间的多个桥部,且所述基底在非岛部且非桥部的区域具有多个开口;每个所述岛部上设有多个层结构,每个所述岛部上的层结构构成至少一个发光单元,所述发光单元远离所述基底一侧设有封装层;
任意所述层结构在其所在的所述岛部上的正投影的边缘与该岛部的边缘间有间隔,所述封装层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖该岛部。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每个所述岛部上的层结构构成多个发光单元,每个所述发光单元的所述层结构包括第一电极层、发光层、第二电极层,其中,所述发光层设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述第一电极层位于第二电极层靠近基底一侧;
所述岛部具有像素区,所述像素区边缘与其所在岛部边缘间有间隔,所述像素区包括多个子像素区,每个所述发光单元的所述第一电极层和所述发光层在其所在的所述岛部上的正投影位于一个所述子像素区内。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,每个所述岛部上的所有的所述第二电极层连为一体。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所述像素区,且所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所述像素区的边缘外侧。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,每个所述像素单元的所述层结构还包括至少一层辅助层,任意所述辅助层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,每个所述岛部上,相同层的所述辅助层连为一体,形成一层公共辅助层。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,任意所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所述像素区,且所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所述像素区的边缘外侧。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,每个所述岛部上的所述层结构包括多层所述公共辅助层,任意不同层的所述公共辅助层在所述岛部上的正投影重合。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,每个所述岛部上的所有的所述第二电极层连为一体;
每个所述岛部上的所述第二电极层在该岛部上的正投影的边缘围绕在该岛部上任意所述公共辅助层在该岛部上的正投影的边缘外侧;
所述岛部上还设有与所述第二电极层相连的电极引线,位于所述第二电极层和所述电极引线之间的层结构上设有通孔,所述第二电极层和所述电极引线通过所述通孔相接触;
其中,所述通孔在所述岛部上的正投影位于任意所述公共辅助层在所述岛部上的正投影的边缘外,且至少部分位于所述第二电极层在该岛部上的投影的边缘内。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极层为阳极层,所述第二电极层为阴极层。
11.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述基底由柔性材料构成。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至11任一所述的显示基板。
13.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底包括多个间隔的岛部和连接在不同岛部间的多个桥部,且所述基底在非岛部且非桥部的区域具有多个开口;
在每个所述岛部上形成多个层结构,以使每个所述岛部上的层结构构成至少一个发光单元,在所述发光单元远离所述基底一侧形成封装层;
其中,任意所述层结构在其所在的所述岛部上的正投影的边缘与该岛部的边缘间有间隔,所述封装层在其所在的岛部上的正投影覆盖该岛部。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在每个所述岛部上形成多个层结构包括:
采用构图工艺在每个所述岛部上形成多个第一电极层,每个所述第一电极层在其所在的所述岛部上的正投影定义一个子像素区;
采用构图工艺在每个所述岛部上形成多个与所述第一电极层一一对应的发光层,每个所述发光层在其所在的所述岛部上的正投影位于一个所述子像素区内;
使第一掩膜板上的每个第一缺口与所述基底的一个所述岛部上预形成第二电极层的区域对应,采用构图工艺在每个岛部上形成一个第二电极层,所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所有的所述子像素区,且所述第二电极层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所有的所述子像素区的边缘外侧。
15.根据权利要求14所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在形成所述第一电极层之后,且形成所述第二电极层之前,还包括:
使第二掩膜板上的每个第二缺口与所述基底的一个所述岛部上预形成公共辅助层的区域对应,采用构图工艺在每个岛部上形成至少一层公共辅助层,任意所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影覆盖所有的所述子像素区,且所述公共辅助层在其所在的所述岛部上的正投影的边缘围绕在所有的所述子像素区的边缘外侧。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111354872A (zh) * 2020-03-24 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN112952022A (zh) * 2021-02-18 2021-06-11 维沃移动通信有限公司 电子设备、显示屏及其制备方法
CN113345326A (zh) * 2021-05-17 2021-09-03 武汉天马微电子有限公司 可拉伸显示面板及可拉伸显示装置
CN113838371A (zh) * 2020-08-21 2021-12-24 友达光电股份有限公司 可拉伸的像素阵列基板
TWI778883B (zh) * 2021-12-03 2022-09-21 友達光電股份有限公司 元件陣列基板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110350014B (zh) * 2019-07-17 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法
CN111462637B (zh) * 2020-05-29 2022-07-01 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100193794A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2013118182A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Samsung Display Co Ltd 発光品質が向上した有機発光素子
CN109087931A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 上海和辉光电有限公司 显示面板和显示装置
CN109308851A (zh) * 2018-09-29 2019-02-05 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示基板及其制造方法、显示装置
CN109887982A (zh) * 2019-03-20 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制作方法和显示设备
CN109935730A (zh) * 2019-03-28 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110112150A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533839A (ja) * 2006-04-07 2009-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 弾性変形可能な集積回路装置
JP5743553B2 (ja) * 2008-03-05 2015-07-01 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 伸張可能及び折畳み可能な電子デバイス
US20140299362A1 (en) * 2013-04-04 2014-10-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Stretchable electric device and manufacturing method thereof
GB2524327A (en) * 2014-03-21 2015-09-23 Nokia Technologies Oy Flexible electronics apparatus and associated methods
KR102255198B1 (ko) * 2014-08-12 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR102340855B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치
KR102282492B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102271598B1 (ko) * 2015-04-01 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 스트레쳐블 소자
US9841548B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
JP6660115B2 (ja) * 2015-07-31 2020-03-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 レンズ付き基板、及び、積層レンズ構造体の製造方法
KR102478223B1 (ko) * 2016-02-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101973163B1 (ko) * 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102567547B1 (ko) * 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6608758B2 (ja) * 2016-04-11 2019-11-20 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、及びその製造方法
KR102618354B1 (ko) * 2016-04-15 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101810050B1 (ko) * 2016-08-11 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 디스플레이 장치 및 스트레처블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20180021306A (ko) * 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20180045968A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2018097667A1 (ko) * 2016-11-24 2018-05-31 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US10930709B2 (en) * 2017-10-03 2021-02-23 Lockheed Martin Corporation Stacked transparent pixel structures for image sensors
KR102427697B1 (ko) * 2017-11-07 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치
KR102491653B1 (ko) * 2018-03-08 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 표시 장치
CN110277424B (zh) * 2018-03-14 2021-08-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可拉伸显示装置及其制作方法、电子设备
KR102386452B1 (ko) * 2018-05-02 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102554461B1 (ko) * 2018-07-26 2023-07-10 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
EP3608964B1 (en) * 2018-08-08 2022-05-11 LG Display Co., Ltd. Stretchable display device
CN109189265B (zh) * 2018-08-28 2021-10-08 上海天马微电子有限公司 一种可拉伸面板和柔性显示装置
US11164917B1 (en) * 2018-09-14 2021-11-02 Apple Inc. Electronic devices with illuminated display borders
KR102627816B1 (ko) * 2018-10-25 2024-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11056472B2 (en) * 2018-11-27 2021-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device
CN109448575B (zh) * 2018-12-29 2020-12-29 上海天马微电子有限公司 一种透明显示面板和透明显示装置
CN110494984B (zh) * 2019-03-08 2022-12-06 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板和柔性显示设备
CN111681546B (zh) * 2019-07-26 2022-02-08 友达光电股份有限公司 元件阵列基板以及显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100193794A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2013118182A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Samsung Display Co Ltd 発光品質が向上した有機発光素子
CN109087931A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 上海和辉光电有限公司 显示面板和显示装置
CN109308851A (zh) * 2018-09-29 2019-02-05 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示基板及其制造方法、显示装置
CN109887982A (zh) * 2019-03-20 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制作方法和显示设备
CN109935730A (zh) * 2019-03-28 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110112150A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111354872A (zh) * 2020-03-24 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN111354872B (zh) * 2020-03-24 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN113838371A (zh) * 2020-08-21 2021-12-24 友达光电股份有限公司 可拉伸的像素阵列基板
CN112952022A (zh) * 2021-02-18 2021-06-11 维沃移动通信有限公司 电子设备、显示屏及其制备方法
CN112952022B (zh) * 2021-02-18 2022-04-29 维沃移动通信有限公司 电子设备、显示屏及其制备方法
CN113345326A (zh) * 2021-05-17 2021-09-03 武汉天马微电子有限公司 可拉伸显示面板及可拉伸显示装置
TWI778883B (zh) * 2021-12-03 2022-09-21 友達光電股份有限公司 元件陣列基板

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