KR100805141B1 - 유기 ｅｌ 디바이스 제조 방법 및 유기 ｅｌ 디바이스 - Google Patents
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Abstract
투명 전극층이 형성된 투명 기판이 준비된다. 발광 영역 및 제 1 단자부를 노출하고 제 2 단자부를 커버하기 위한 제 1 패턴을 갖는 절연층이 투명 전극층 상에 형성된다. 그 후, 유기층이 투명 전극층 및 절연층의 전체면에 형성된다. 발광 영역 및 제 2 단자부를 커버하고 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 2 패턴을 갖는 반사 전극층이 유기층 상에 형성된다. 그 후, 유기층의 노출된 부분은 건식 에칭에 의해 제거되어 제 1 단자부의 제 1 전극층의 영역을 노출시킨다. 마지막으로, 발광 영역을 커버하고 제 1 단자부 및 제 2 단자부를 노출하기 위한 제 3 패턴을 갖는 봉인막이 결과적으로 투명 기판 상에 형성됨으로써, 제 1 단자부 및 제 2 단자부를 노출시킨다.
유기 EL 디바이스, 단자부, 발광 영역, 전극층
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스를 나타내는 평면도.
도 2a 및 2b는 각각 도 1의 A-A 선 및 B-B 선에 따라 취해진 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법에 이용되는 투명 기판을 나타내는 평면도.
도 4는 제 1 실시형태에서 투명 전극층을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 5는 제 1 실시형태에서 절연층을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 6은 제 1 실시형태에서 유기층을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 7은 제 1 실시형태에서 반사 전극층을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 8은 제 1 실시형태에서 제 1 단자부를 노출하는 단계를 나타내는 평면도.
도 9는 제 1 실시형태에서 봉인막을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 10은 제 2 실시형태에서 보조 전극을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
도 11은 제 2 실시형태에서 절연층을 형성하는 단계를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
R: 발광 영역
3: 제 1 단자부
4: 제 2 단자부
5: 투명 기판
6: 투명 전극층
7: 유기층
8: 반사 전극층
10: 절연층 (10a: 개구부, 10b: 절단부)
21: 보조 전극
본 발명은 유기 전계발광 (EL) 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 유기 EL 디바이스에 관한 것이다.
종래, 유기 EL 디바이스는 고 휘도 스크린을 획득하기 위해 자기 발광을 수행할 수 있다. 따라서 유기 EL 디바이스는, 예를 들어 두께가 작고 무게가 가벼운 이동 디바이스에 이용되는 디스플레이 또는 조명 디바이스로서 널리 실용화되어 왔다.
유기 EL 디바이스는 유기 발광층이 애노드와 캐소드 사이에 제공되는 것과 같은 기본 구조를 가진다. 이러한 구조를 갖는 유기 EL 디바이스로부터 발광하기 위해, 제 1 단자부 및 제 2 단자부가 애노드 및 캐소드로부터 발광 영역의 외 부로 연장하여 구동 전원과 접속함으로써, 발광 영역의 유기 EL 층에 전류를 공급하는 것이 필요하다.
상술한 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법의 실시예는 소정의 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 애노드, 유기층, 및 캐소드를 이러한 순서로 기판상에 이들을 적층하는 단계를 포함한다. 마스크가 이용되는 경우, 그 각각의 층이 형성되기 전에 기판과 마스크 사이의 정렬 (alignment) 이 수행된다. 마스크의 위치 변위가 발생하는 경우, 고품질의 유기 EL 디바이스는 제조될 수 없다. 따라서, 마스크의 정렬은 천천히 그리고 조심스럽게 수행된다.
유기 EL 디바이스를 제조하는 방법의 다른 실시예는 제 1 전극, 유기 EL 층, 및 제 2 전극을 이러한 순서로 투명 기판에 적층하는 단계, 제 2 전극상에 손상방지막을 제공하는 단계, 및 손상방지막 상에 레지스트 패턴을 형성하여 에칭을 수행하는 단계를 포함함으로써, JP 2000-040594 A (일본 특허공개공보 제 2000-040594호) 에 개시된 발광 영역을 갖는 유기 EL 디바이스를 획득한다.
그러나, 마스크를 이용하여 유기 EL 디바이스를 구성하는 모든 층을 형성하여 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법의 경우에, 예를 들어, 유기층이 다층인 경우, 마스크와 기판 사이에서 정렬을 수회에 걸쳐 수행하는 것이 필요하다. 따라서 유기 EL 디바이스를 제조하는 것은 시간이 걸린다.
JP 2000-040594 A 는 제 1 단자부, 제 2 단자부 등을 형성하는 방법을 개시하지 않는다. JP 2000-040594 A 에서 레지스트를 마스크로서 이용하는 에칭이 수행되어 발광 영역의 패턴을 형성한다. 레지스트의 패턴을 형성하기 위해 수 행되는 습식 공정에 의해서는 유기 EL 층이 손상을 입을 수 있다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것이다. 본 발명의 목적은 발광 영역, 제 1 단자부, 및 제 2 단자부를 포함하는 유기 EL 디바이스를 용이하게 제조할 수 있는 제조 방법, 및 발광 영역, 제 1 단자부, 및 제 2 단자부를 포함하는 유기 EL 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 발광 영역, 제 1 단자부, 및 제 2 단자부를 포함하는 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법은, 제 1 전극층이 형성되는 기판을 준비하는 단계, 제 2 단자부를 커버하고 발광 영역 및 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 1 패턴을 갖는 절연층을 제 1 전극층 상에 형성하는 단계, 제 1 전극층 및 절연층이 형성되는 기판의 전체면 상부에 유기층을 형성하는 단계, 발광 영역 및 제 2 단자부를 커버하고 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 2 패턴을 갖는 제 2 전극층을 유기층 상에 형성하는 단계, 제 2 전극층이 형성되지 않은 유기층의 영역을 제거하여 제 1 단자부에서의 제 1 전극층의 영역을 노출하는 단계, 및 발광 영역을 커버하고 제 1 단자부와 제 2 단자부를 노출하기 위한 제 3 패턴을 갖는 봉인막을 제 2 전극층 상에 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 제 1 전극층, 유기층, 제 2 전극층, 및 봉인막이 이러한 순서로 기판 상에 적층된 유기 EL 디바이스는 발광 영역, 제 1 단자부, 및 제 2 단자부를 포함하며, 절연층은 제 2 단자부를 커버하고 발광 영역 및 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 1 패턴을 가지고, 절연층은 제 1 전극층과 유기층 사이에 형성되고, 제 1 단자부는 제 1 전극층이 기판 상에 형성되며 제 1 전극층이 노출되는 구조를 가지고, 제 2 단자부는 제 1 전극층, 절연층, 유기층, 제 2 전극층이 상기 순서로 기판 상에 적층되고 제 2 전극층이 노출되는 구조를 가진다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
제 1 실시형태
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 전계발광 (EL) 디바이스를 나타내는 평면도이다. 유기 EL 디바이스는 직사각형 발광 영역 (R), 2 개의 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 를 포함한다. 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 는 발광 영역 (R) 에 인접하여 위치한다.
도 2a 는 도 1 에 나타난 A-A 선에 따른 단면도이고, 도 2b 는 도 1 에 나타난 B-B 선에 따른 단면도이다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 제 1 전극층의 역할을 하는 투명 전극층 (6) 은 투명 기판 (5) 의 표면상에 위치한다. 발광 층을 포함하는 유기층 (7) 은 투명 전극층 (6) 상에 위치한다. 제 2 전극층의 역할을 하는 반사 전극층 (8) 은 유기층 (7) 상에 위치한다. 유기 EL 디바이스의 발광 영역 (R) 을 한정하기 위한 개구부 (10a) 및 제 1 단자부 (3) 를 한정하기 위한 절단부 (10b) 를 갖는 절연층 (10) 은 투명 전극층 (6) 상에 위치한다. 봉인막 (11) 은 반사 전극층 (8) 에 걸쳐 투명 기판 (5) 의 실질적으로 전체면 상에 형성된다. 본 발명의 제 1 실시형태에서, 투명 전극층 (6) 은 애노드를 구성하 고 반사 전극층 (8) 은 캐소드를 구성한다.
이 실시형태에서, 유기 EL 디바이스의 발광 영역 (R) 은 네 개의 층, 즉, 투명 전극층 (6), 유기층 (7), 반사 전극층 (8), 및 봉인막 (11) 으로 형성되는데, 이들은 이러한 순서로 절연층 (10) 의 개구부 (10a) 내부에 서로 직접 적층된다. 투명 전극층 (6) 은 절연층 (10) 의 절단부 (10b) 를 통해 노출된 부분을 갖고, 이 부분은 제 1 단자부 (3) 로서 이용된다. 도 2b 에 나타난 바와 같이, 반사 전극층 (8) 은 봉인막 (11) 으로 커버되지 않고 노출된 부분을 갖고, 이 부분은 제 2 단자부 (4) 로서 이용된다.
투명 기판 (5) 은 추출되는 광을 투과하는 재료로 형성될 수도 있다. 유리, 수지 등이 이러한 재료로서 이용될 수 있다. 투명 전극층 (6) 은 단지 전극의 역할을 하고 적어도 추출되는 광을 투과할 필요가 있다. 예를 들어, 인듐 주석 산화물 (ITO) 은 투명 전극층 (6) 의 재료로 이용된다.
유기층 (7) 은 단지 적어도 발광층을 포함할 필요가 있다. 유기층 (7) 은 단지 발광층의 단층일 수도 있고, 또는, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 수송층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 수송층, 및 전자 저지층을 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 층과 발광층이 적층된 다층일 수도 있다. 발광층은 다층 구조를 가질 수도 있다. Alq3 또는 DCM 과 같은 공지의 유기 발광 재료가 발광층의 재료로 이용된다. 이용될 발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 황색과 같은 단색의 광을 제공하기 위한 구조, 또는 백색의 방출광과 같이 상기 색들의 조합에 의해 획득되는 색의 방출광을 제공하기 위한 구조를 가진다. 각각의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 수송층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 저지층 등은 적절한 공지의 재료로 형성된다.
본 발명의 제 1 실시형태에서, 총 5 개의 층, 즉, 정공 수송층, 적색 발광층, 청색 발광층, 녹색 발광층, 및 전자 수송층이 투명 전극층 (6) 상부에 적층됨으로써, 백색 광을 집합적으로 발광하도록 유기층 (7) 을 구성한다.
반사 전극층 (8) 은 단지 전극의 역할을 하고 적어도 추출될 광에 반사할 필요가 있다. 예를 들어, Al, Cr, Mo, Ag, Al 합금, Al/Mo 적층재 등이 반사 전극층 (8) 으로 이용될 수 있다. LiF 와 같은 무기 재료로 된 전자 주입층도 반사 전극층 (8) 과 유기층 (7) 사이에 적절하게 제공될 수 있다.
절연층 (10) 은 단지 절연성을 갖는 재료로 형성될 필요가 있다. 예를 들어, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지 등이 이용될 수 있다.
실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산화물 등이 봉인막 (11) 에 이용된다.
유기 EL 디바이스에서, 투명 전극층 (6) 이 형성된 표면의 반대측에 있는 투명 기판 (5) 의 표면은 광 출사면이다. 즉, 유기층 (7) 으로부터 방출된 광은 투명 전극층 (6) 에 직접 입사하거나 그 광이 반사 전극층 (8) 에 반사한 이후에 투명 전극층 (6) 에 입사하고, 이후 투명 기판 (5) 을 통해 출사한다.
다음으로, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 도 3 에 나타낸 바와 같이 투명 기판 (5) 이 준비된다. 그 후 , 도 4 에 나타낸 바와 같이, 투명 전극층 (6) 이 스퍼터링 방법 또는 진공 기상 증착 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 투명 기판 (5) 의 전체면 상에 형성된다.
그 후, 도 5 에 나타낸 바와 같이, 발광 영역 (R) 및 제 1 단자부 (3)를 노출하고 제 2 단자부 (4) 를 커버하기 위한 제 1 패턴을 갖는 절연층 (10), 즉 발광 영역 (R) 에 대응하는 개구부 (10a) 및 제 1 단자부 (3) 에 대응하는 절단부 (10b) 를 갖는 절연층 (10) 이 투명 전극층 (6) 의 표면상에 형성된다. 이때, 제 1 패턴을 갖는 절연층 (10) 이 다음과 같이 형성된다. 절연층이 코팅 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 투명 전극층 (6) 의 전체면 상에 형성된다. 이후, 제 1 패턴이 포토 마스크 등을 이용하여 절연층에 전사된다 (노출이 수행됨). 그 후, 제 1 패턴에 대응하는 부분 이외의 절연층이 제거된다 (현상이 수행됨).
도 6 에 나타낸 바와 같이, 상술한 바와 같이 절연층 (10) 이 투명 전극층 (6) 상에 형성된 이후, 발광층을 포함하는 5 개의 층으로 구성되는 유기층 (7) 이 진공 기상 증착 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 투명 전극층 (6) 및 절연층 (10) 상에 형성된다.
도 7 에 나타낸 바와 같이, 발광 영역 (R) 및 제 2 단자부 (4) 를 커버하고 제 1 단자부 (3) 를 노출하기 위한 제 2 패턴을 갖는 반사 전극층 (8) 이 유기층 (7) 상에 형성된다. 이때, 반사 전극층 (8) 은 제 2 패턴에 대응하는 개구 형상을 갖는 마스크 (미도시) 를 이용하는 진공 기상 증착 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 형성될 수 있다.
그 후, 반사 전극층 (8) 이 형성되지 않고 노출되는 유기층 (7) 의 영역이 건식 에칭에 의해 제거된다. 따라서, 도 8 에 나타낸 바와 같이, 제 1 단자부 (3) 에서 투명 전극층 (6) 의 영역이 각각 노출된다. 이때, 마스크로서 제 2 패턴을 갖는 반사 전극층 (8) 을 이용하여 건식 에칭이 수행될 수 있다.
마지막으로, 도 9 에 도시된 바와 같이, 발광 영역 (R) 을 커버하고 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 를 노출하기 위한 제 3 패턴을 갖는 봉인막 (11) 이 형성되어서, 단지 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 가 노출되고 다른 부분은 봉인된다. 이때, 봉인막 (11) 은 제 3 패턴에 대응하는 개구 형상을 갖는 마스크 (미도시) 를 이용하여 플라즈마 CVD 방법 등에 의해 형성될 수 있다.
따라서, 도 1 에 나타난 유기 EL 디바이스가 획득될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 방법에 의해 유기 EL 디바이스가 제조되는 경우, 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 가 발광 영역 (R) 과 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 를 포함하는 유기 EL 디바이스는 용이하게 제조될 수 있다.
유기층 (7) 은 절연층 (10) 이 형성된 투명 전극층 (6) 의 전체면에 걸쳐 마스크 등을 이용하지 않고 형성되어, 투명 기판 (5) 과 마스크를 정렬시킬 필요가 없으며, 이에 의해 유기층 (7) 을 용이하게 형성한다. 따라서, 유기층 (7) 이 다층 구조를 갖는 경우, 유기층 (7) 은 더 용이하게 형성될 수 있다. 이러한 이유를 더 상세하게 설명한다. 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 디바 이스와 동등한 기능을 갖는 유기 EL 디바이스가 종래의 제조 방법에 의해 제조되는 경우, 투명 전극층, 5 개의 층으로 구성된 유기층, 반사 전극층, 및 봉인막 각각을 형성하는데 마스크가 요구된다. 따라서, 마스크 부착은 전체 8 회 수행된다. 또한, 마스크 부착 시마다 기판과 각 마스크를 정렬하는 것이 필요해서, 유기 EL 디바이스를 제조하는데 시간이 걸린다.
이와 달리, 제 1 실시형태의 마스크 이용은 단지 3 회뿐이다. 즉, 마스크는 절연층 (10), 반사 전극층 (8), 및 봉인막 (11) 각각을 형성하는데 이용된다. 따라서, 마스크의 정렬 횟수는 현저히 감소될 수 있어서, 제조 시간을 단축하고 제조 기구를 단순화하는 것이 가능하다.
도 2a 에 나타낸 바와 같이, 상술한 방법에 의해 제조된 유기 EL 디바이스에서, 각각의 제 1 단자부 (3) 는 투명 전극층 (6) 이 투명 기판 (5) 상에 형성되고 노출되는 구조를 가진다. 또한, 도 2b 에 나타낸 바와 같이, 제 2 단자부 (4) 는 투명 전극층 (6), 절연층 (10), 유기층 (7) 및 반사 전극층 (8) 이 이러한 순서로 투명 전극 (5) 상에 형성되고 반사 전극층 (8) 이 노출되는 구조를 가진다.
유기 EL 디바이스를 제조하는 공정 동안에 투명 기판 (5) 상에 투명 전극층 (6) 을 형성하는 것은 필요하지 않다. 투명 전극층 (6) 은 다른 공정에서 미리 형성될 수도 있다. 또 다른 방법으로, 투명 전극층 (6) 이 형성되는 투명 기판 (5) 을, 이용을 위해 구입할 수도 있다.
반응 이온 에칭이 노출된 유기층 (7) 을 제거하는 건식 에칭 방법으로서 이용될 수 있다. 이때 이용되는 에칭 가스는 유기층을 적당히 에칭할 수 있는 가 스이다. 예를 들어, O2 가스가 에칭 가스로 이용된다.
제 2 실시형태
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법을 도 10 을 참조하여 설명한다. 제 2 실시형태는, 제 1 실시형태에서 설명한 방법에 의해 절연층 (10) 의 형성 이전에 투명 전극층 (6) 상에 보조 전극 (21) 을 형성하는 방법을 설명한다. 즉, 발광 영역 (R) 의 주위를 포위하는 제 4 패턴을 갖는 보조 전극 (21) 이, 투명 기판 (5) 의 전체면 상에 형성되는 투명 전극층 (6) 의 표면 상에 형성된다. 이후, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 제 1 패턴을 갖는 절연층 (10) 은, 보조 전극 (21) 이 형성되는 투명 전극층 (6) 에 걸쳐 형성된다. 이때, 적어도 발광 영역 주위에 제공되는 단지 일부의 보조 전극 (21) 은 절연층 (10) 으로 커버될 필요가 있다. 보조 전극 (21) 의 부분은 제 1 단자부 (3) 의 투명 전극층 (6) 의 영역에 위치하여, 절연층 (10) 의 각각의 절단부 (10b) 를 통해 노출될 수도 있다. 그 후 , 유기층 (7), 반사 전극층 (8), 및 봉인막 (11) 은 제 1 실시형태에서와 같이 형성될 수도 있다.
보조 전극 (21) 은 Cu 또는 Al 과 같이 투명 전극층 (6) 의 전도성보다 더 우수한 전도성을 갖는 재료로 만들어지고, 투명 전극층 (6) 과 전기적으로 접속된다.
보조 전극 (21) 은 제 4 패턴에 대응하는 개구 형상을 갖는 마스크를 이용하여 진공 기상 증착 방법과 같은 박막 형성 방법에 의해 형성될 수 있다. 또 다 른 방법으로, 제 4 패턴을 가진 보조 전극 (21) 은 다음과 같이 형성될 수 있다. 보조 전극층은 스퍼터링 방법 또는 진공 기상 증착 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 투명 전극층 (6) 의 전체면에 형성된다. 이후, 보조 전극층의 불필요한 부분은 습식 에칭, 건식 에칭 등에 의해 제거된다. 또한, 2 개의 층, 즉, 투명 전극층 (6) 및 보조 전극 (21) 이 이러한 순서로 미리 그 전체면에 적층되는 투명 기판을 이용하는 것이 가능하다.
상술한 경우에서도, 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 를 포함하는 유기 EL 디바이스는 상술한 제 1 실시형태에서와 같이 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 보조 전극 (21) 은 제 2 실시형태에서 투명 전극층 (6) 상에 형성된다. 따라서, 투명 전극층 (6) 의 평면내 (平面內) 방향에서 전압 강하에 의해 야기되는 휘도 비균등성이 감소될 수 있다.
상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서, 절연층은 코팅 방법에 의해 투명 전극층 (6) 의 전체면 상에 형성되고, 그 후 제 1 패턴을 갖는 절연층 (10) 을 형성하도록 노출 및 현상이 수행된다. 그러나, 절연층 (10) 에 이용될 재료에 따라 제 1 패턴을 갖는 절연층 (10) 은 제 1 패턴에 대응하는 개구 형성을 갖는 마스크를 이용하여 스퍼터링 방법 또는 진공 기상 증착 방법과 같은 공지의 박막 형성 방법에 의해 형성될 수 있다.
제 3 패턴을 갖는 봉인막 (11) 은 마스크를 이용하여 형성하는 대신 제 3 패턴이 미리 형성되는 봉인막 (11) 을 인쇄하는 인쇄 방법에 의해 형성될 수 있다.
제 3 패턴을 갖는 봉인막 (11) 이 다음과 같이 획득될 수 있다. 마스킹 테이프가 각각 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 에 위치한다. 그러한 상태에서, 투명 기판 (5) 상부에 위치한 투명 전극층 (6), 절연층 (10), 유기층 (7), 및 반사 전극층 (8) 을 전체적으로 커버하기 위한 봉인막이 플라즈마 CVD 방법 등에 의해 형성된다. 이후, 제 1 단자부 (3) 및 제 2 단자부 (4) 에 위치한 마스킹 테이프가 박리된다.
또한, 제 3 패턴을 갖는 봉인막 (11) 은 다음과 같이 형성될 수 있다. 투명 기판 (5) 상부에 위치한 투명 전극층 (6), 절연층 (10), 유기층 (7), 및 반사 전극층 (8) 을 전체적으로 커버하기 위한 봉인막이 플라즈마 CVD 방법 등에 의해 형성된다. 이후, 제 3 패턴을 갖는 솔더 레지스트가 인쇄 방법, 공지의 리소그래피 기술 등에 의해 봉인막에 제공된다. 마스크로서 솔더 레지스트를 이용하여 건식 에칭이 수행된다. 이 경우에, 솔더 레지스트는 박리되지 않고 물리적인 손상으로부터 유기 EL 디바이스를 보호하는 기능을 가진다.
상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서, 투명 전극층 (6) 이 투명 기판 (5) 의 전체면 상에 형성된다. 투명 기판 (5) 의 주변부를 노출하기 위한 패턴과 같이 소정의 패턴을 갖는 투명 전극층 (6) 이 형성될 수도 있다.
반사 전극층 (8) 이 서로 적층된 복수의 도전층으로 형성될 수도 있다. 이때, 각각의 층의 재료는 우수한 전도성 및 우수한 반사성 모두를 갖는 반사 전극층 (8) 를 형성하도록 적절히 선택될 수 있다. 유기층 (7) 의 반대측 표면 상에 위치하는 도전층 중의 한 층이 이온화 경향이 작은 재료로 형성될 때, 유기층 (7) 이 예를 들어, O2 가스를 이용하여 반응 이온 에칭에 의해 제거되는 경우에 반사 전극층 (8) 이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
각각의 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서 설명한 유기 EL 디바이스는, 투명 전극층 (6), 유기층 (7), 및 반사 전극층 (8) 이 이러한 순서로 투명 기판 (5) 상에 적층되고 유기층 (7) 으로부터 방출되는 광이 투명 전극층 (6) 및 투명 기판 (5) 을 통해 출사하는 배면 발광 (bottom emission) 유기 EL 디바이스이다. 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명에 따른 제조 방법은, 제 1 전극층의 역할을 하는 반사 전극층, 유기층, 및 제 2 전극층의 역할을 하는 투명 전극층이 이러한 순서로 기판 상에 적층되고 유기층으로부터 방출되는 광이 기판의 반대측에 있는 투명 전극층을 통해 출사하는 전체면 발광 (top emission) 유기 EL 디바이스에도 적용된다. 이러한 경우에, 봉인막은 투명 전극층 상에 형성되며, 추출되는 광을 투과하거나 반투과하는 재료로 형성되는 것이 필요하다.
본 발명에 의하면, 유기 EL 디바이스 제조 시간을 단축시킬 수 있고 고품질의 유기 EL 디바이스를 제조할 수 있다.
Claims (14)
- 발광 영역, 제 1 단자부, 및 제 2 단자부를 포함하는 유기 EL 디바이스를 제조하는 방법으로서,제 1 전극층이 형성되는 기판을 준비하는 단계;상기 제 1 전극층 상에, 상기 제 2 단자부를 커버하고 상기 발광 영역 및 상기 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 1 패턴을 갖는 절연층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 및 상기 절연층이 형성되는 기판의 전체면 상부에 유기층을 형성하는 단계;상기 유기층 상에, 상기 발광 영역 및 상기 제 2 단자부를 커버하고 상기 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 2 패턴을 갖는 제 2 전극층을 형성하는 단계;상기 제 2 전극층이 형성되지 않은 상기 유기층의 영역을 제거하여 상기 제 1 단자부에서 상기 제 1 전극층의 영역을 노출하는 단계; 및상기 제 2 전극층 상에, 상기 발광 영역을 커버하고 상기 제 1 단자부 및 상기 제 2 단자부를 노출하기 위한 제 3 패턴을 갖는 봉인막을 형성하는 단계를 포함하는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층이 형성되기 이전에 상기 제 1 전극층 상에 보조 전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1 전극층 및 상기 보조 전극이 형성되는 기판 상부에, 상기 보조 전극의 적어도 일부를 커버하도록 상기 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 패턴을 갖는 상기 절연층이 상기 제 1 패턴에 대응하는 마스크를 이용하여 형성되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 패턴을 갖는 상기 절연층이 상기 기판의 전체면 상부에 상기 절연층을 형성함으로써 형성되고,그 후, 상기 제 1 단자부 및 상기 발광 영역에서 형성되는 상기 절연층의 일부를 제거하는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 패턴을 갖는 상기 제 2 전극층이 상기 제 2 패턴에 대응하는 마스크를 이용하여 형성되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층은 복수의 도전층을 적층함으로써 형성되는, 유기 EL 디바 이스 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 유기층 반대측의 표면에 위치한 상기 복수의 도전층 중의 한 층은 이온화 경향이 작은 재료로 형성되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 3 패턴을 갖는 상기 봉인막이 상기 제 3 패턴에 대응하는 마스크를 이용하여 형성되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 단자부 및 상기 제 2 단자부 상에 마스킹 테이프를 배치한 상태에서 상기 기판의 전체면 상부에 봉인막을 형성하고, 그 후 상기 마스킹 테이프를 박리함으로써, 상기 제 3 패턴을 갖는 상기 봉인막이 형성되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층이 형성되지 않은 상기 유기층의 영역이 건식 에칭 방법에 의해 제거되어 상기 제 1 단자부의 상기 제 1 전극층의 영역을 노출시키는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,마스크로서 상기 제 2 전극층을 이용하여, 상기 건식 에칭 방법이 수행되는, 유기 EL 디바이스 제조 방법.
- 제 1 전극층, 유기층, 제 2 전극층, 및 봉인막이 이러한 순서로 기판 상에 적층되는 유기 EL 디바이스로서,발광 영역;제 1 단자부;제 2 단자부; 및상기 제 2 단자부를 커버하고 상기 발광 영역 및 상기 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 1 패턴을 갖고, 상기 제 1 전극층과 상기 유기층 사이에 형성되는 절연층을 포함하며,상기 제 1 단자부는, 상기 제 1 전극층이 상기 기판 상에 형성되고 상기 제 1 전극층이 노출되는 구조를 포함하며,상기 제 2 단자부는, 상기 제 1 전극층, 상기 절연층, 상기 유기층, 및 상기 제 2 전극층이 이러한 순서로 상기 기판 상에 적층되며, 상기 제 2 전극층이 노출되는 구조를 포함하는, 유기 EL 디바이스.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판은 투명 기판으로 형성되고, 상기 제 1 전극층은 투명 전극층으로 형성되며,상기 투명 전극층의 반대측에 있는 상기 투명 기판의 표면은 광 출사면인, 유기 EL 디바이스.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극층은, 상기 발광 영역 및 상기 제 2 단자부를 커버하고 상기 제 1 단자부를 노출하기 위한 제 2 패턴을 가지며,상기 봉인막은, 상기 발광 영역을 커버하고 상기 제 1 단자부 및 상기 제 2 단자부를 노출하기 위한 제 3 패턴을 갖는, 유기 EL 디바이스.
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