CN110112150A - 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 - Google Patents
阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110112150A CN110112150A CN201910434611.XA CN201910434611A CN110112150A CN 110112150 A CN110112150 A CN 110112150A CN 201910434611 A CN201910434611 A CN 201910434611A CN 110112150 A CN110112150 A CN 110112150A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- array substrate
- planarization
- planarization layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 235
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备，涉及电子显示设备技术领域。本发明的主要技术方案为：阵列基板其包括依次层叠设置的衬底基板、平坦化层、像素定义层、第一电极层以及薄膜封装层，所述平坦化层和所述衬底基板之间设有薄膜晶体管，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层、像素定义层、平坦化层以及衬底基板设置多个开孔，间隔出多个岛；所述第一电极层的边缘延伸至包覆所述平坦化层的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；其中，所述第一电极层的边缘与导体相接触，所述导体穿过在所述开孔与所述岛之间用于连接相邻岛的桥区，作为电源导线用于连接相邻岛的第一电极层。
Description
技术领域
本发明涉及电子显示设备技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。
背景技术
可拉伸显示器是需要在显示器衬底基板及衬底基板以上膜层挖孔或设置分割线，使得其显示基板分别形成呈阵列分布且彼此分割开的多个岛及将多个岛中每个岛连接起来的多个连接桥，以使显示基板具有可拉伸的性能；其中开孔或分割线处用于设置摄像头或进行拉伸。
现有可拉伸显示器中开孔或分割线与薄膜晶体管(TFT)之间存在一段无效区域，目前电子屏幕产品趋向于增大显示面积，为了增大显示面积就要减小开孔或分割线与薄膜晶体管(TFT)之间的无效区域。
现有显示器中有机层或平坦化层(PLN)为透明材料，无遮光效果，在薄膜晶体管(TFT)与开孔或分割线之间的距离减小之后，外界光线则会通过开孔或分割线进入透过有机层或平坦化层(PLN)，对薄膜晶体管(TFT)特性产生影响，从而影响显示效果。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种候车管理系统及控制方法，主要目的是解决现有显示器中有机层或平坦化层(PLN)为透明材料，无遮光效果，在薄膜晶体管(TFT)与开孔或分割线之间的距离减小之后，外界光线则会通过开孔或分割线进入透过有机层或平坦化层(PLN)，对薄膜晶体管(TFT)特性产生影响，从而影响显示效果的问题。
为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，其包括依次层叠设置的衬底基板、平坦化层、像素定义层、第一电极层以及薄膜封装层，所述平坦化层和所述衬底基板之间设有薄膜晶体管，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层、像素定义层以及平坦化层设置多个开孔，间隔出多个岛，具体的：
所述第一电极层的边缘延伸至包覆所述平坦化层的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；
其中，所述第一电极层的边缘与导体相接触，所述导体穿过在所述开孔与所述岛之间用于连接相邻岛的桥区，作为电源导线用于连接相邻岛的第一电极层；
所述桥区为相邻所述岛之间除去所述开孔的连接部。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现；
可选的，前述的一种阵列基板，所述平坦化层和所述衬底基板之间设有无机层；
所述第一电极层的边缘延伸至所述无机层。
可选的，前述的一种阵列基板，其中所述无机层至少包括层间介质层。
可选的，前述的一种阵列基板，还包括数据导线；
所述数据导线设置在所述层间介质层之下，用于进行数据传输。
可选的，前述的一种阵列基板，还包括连接导线；
所述连接导线包括第一连接导线和第二连接导线，所述第一连接导线设置于所述岛内由所述平坦化层穿过所述层间介质层，一端设置在所述平坦化层内，另一端与所述数据导线的一端相连；所述第二连接导线设置于桥区，所述第二连接导线与所述数据导线的另一端相连，用于连接相邻岛的所述数据导线；
其中，所述桥区为相邻岛之间除去所述层间介质层及以上、所述薄膜封装层以下部分剩余的区域。
可选的，前述的一种阵列基板，其中所述数据导线设置在所述无机层中。
可选的，前述的一种阵列基板，其中所述平坦化层至少包括有机层；
或者，所述平坦化层包括有机层与无机层的堆叠。
可选的，前述的一种阵列基板，其中所述像素定义层和所述平坦化层之间设有第二电极，与所述第一电极相配合。
另一方面，本发明实施例提供一种可拉伸显示面板，其包括前述任一阵列基板；
所述阵列基板，其包括依次层叠设置的衬底基板、平坦化层、像素定义层、第一电极层以及薄膜封装层，所述平坦化层和所述衬底基板之间设有薄膜晶体管，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层、像素定义层、平坦化层以及衬底基板设置多个开孔，间隔出多个岛，具体的：
所述第一电极层的边缘延伸至包覆所述平坦化层的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；
其中，所述第一电极层的边缘与导体相接触，所述导体穿过在所述开孔与所述岛之间的用于连接相邻岛的桥区，作为电源导线用于连接相邻岛的第一电极层。
另一方面，本发明实施例提供一种显示设备，其包括前述可拉伸显示面板。
借由上述技术方案，本发明阵列基板、显示面板及显示设备至少具有下列优点：第一电极层设置在像素定义层和平坦化层之外且第一电极层的边缘向下延伸至完全包覆平坦化层的侧壁，对平坦化层和像素定义层进行遮光，进而对薄膜晶体管遮光，防止光线从开孔处射入，影响薄膜晶体管的特性；且第一电极层设置在像素定义层和有平坦化层之外还能够起到阻水的作用。
附图说明
图1为传统阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3为图2的对应区域俯视图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板另一角度的剖面结构示意图；
图5为图4的对应区域俯视图。
具体实施方式
为了进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种阵列基板、可拉伸显示面板及电子设备其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
本发明实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
实施例1
参考附图2，本发明实施例提供的阵列基板，其包括依次层叠设置的衬底基板12、平坦化层4、像素定义层3、第一电极层1以及薄膜封装层5，所述平坦化层4和所述衬底基板之间设有薄膜晶体管6，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层1、像素定义层3、平坦化层4以及衬底基板12开设多个开孔，间隔出多个岛9；具体的，所述第一电极层1的边缘延伸至包覆所述平坦化层4的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；其中，所述第一电极层1的边缘与导体2相接触，所述导体2穿过在所述开孔10和所述岛9之间的用于连接相邻岛9的桥区8，作为电源导线用于连接相邻岛9的第一电极层1。
具体的，附图2中的虚线两端即为附图3的两侧虚线边界，为了解决现有可拉伸显示器中开孔或分割线与薄膜晶体管(TFT)之间存在一段无效区域，为了增大显示面积就要减小开孔或分割线与薄膜晶体管(TFT)之间的无效区域，开孔通常是贯穿整体阵列基板，但是平坦化层(PLN)无遮光效果，而导致外界光线则会通过开孔或分割线进入透过平坦化层(PLN)，对薄膜晶体管(TFT)特性产生影响，从而影响显示效果的问题，其中，上述问题中涉及到的阵列基板中，主要针对OLED基板，传统的阵列基板是需要在显示器衬底基板及衬底基板以上膜层挖孔或设置分割线，使得其显示基板分别形成呈阵列分布且彼此分割开的多个岛及将多个岛中每个岛连接起来的多个连接桥，以使显示基板具有可拉伸的性能；其中开孔或分割线处用于设置摄像头或进行拉伸；而参考附图1，现实基板中的阴极1’(相对于本发明实施例中的第一电极层1)是设置在像素定义层3’(PDL)和平坦化层4’(PLN)之间的，也就是说阴极1’的边缘仅仅包覆了像素定义层3’的外壁对平坦化层4’并没有起到任何遮挡作用；因而本发明实施例提供的阵列基板，所述第一电极层1在传统阵列基板设置形式的基础上，将所述第一电极层1的边缘继续向下延伸直至完全包覆所述平坦化层4(PLN)的侧壁，同时对所述像素定义层3(PDL)和所述平坦化层4(PLN)进行遮光、阻水，即使要缩小薄膜晶体管(TFT)6和开孔10之间的无效区域，光线也不会由开孔10处射入影响到薄膜晶体管(TFT)6的特性，进一步的所述导体2与所述第一电极层1部分连接，且所述导体2周向设有在所述岛9的周围同时一部分穿过在所述开孔10和所述岛9之间的而用于连接相邻岛9的桥区，连接至相邻到的第一电极层1，此处所述导体2用为电源导线，完成电源线的传导；其中，所述第一电极层1为低函数且对水氧敏感的金属，所述第一电极层1从所述像素定义层3(PDL)延伸到所述平坦化层4(PLN)可以由较长的水汽入侵路径，增强阻水功能；所述导体2传统设置形式为打孔设置，本发明实施例中参考附图2，无需打孔，只需保证所述导体2与所述第一电极层1有连接即可，部分连接或者全面接触都可以，只需将所述第一电极层1通过所述导体2向外延伸穿过所述桥区8连接至相邻岛9区与第一电极层1进行相接即可；其中所述平坦化层4至少包括有机层，或者所述平坦化层4包括有机层和无机层的堆叠；同时所述像素定义层3和所述平坦化层4之间设有第二电极11，与所述第一电极层1相配合。
根据上述所列，本发明阵列基板、显示面板及显示设备至少具有下列优点：第一电极层1设置在像素定义层3(PDL)和平坦化层4(PLN)之外且第一电极层1的边缘向下延伸至完全包覆平坦化层的侧壁，对平坦化层4(PLN)和像素定义层3(PDL)进行遮光，进而对所述薄膜晶体管(TFT)6进行遮光，防止光线从开孔10处射入，影响薄膜晶体管(TFT)6的特性；且第一电极层1设置在像素定义层3(PDL)和平坦化层4(PLN)之外还能够起到阻水的作用。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，具体的理解为：可以同时包含有A与B，可以单独存在A，也可以单独存在B，能够具备上述三种任一中情况。
进一步的，参考附图2，本发明的一个实施例提供一种阵列基板，在具体实施中，所述平坦化层4和所述衬底基板12之间设有无机层7；
所述第一电极层1的边缘延伸至所述无机层7。
具体的，为了最大程度的进行遮光，本发明采取的技术方案中，将所述第一电极层1的边缘继续向下延伸至所述平坦化层4和所述衬底基板12之间的无机层7中；其中所述无机层7为薄膜晶体管6(TFT)之下的无机层7，本发明实施例提供的技术方案中将所述第一电极层1的边缘延伸至所述薄膜封装层7(TFE)之下所述无机层7中，相当于将所述像素定义层3(PDL)和所述平坦化层4(PLN)完全包覆在内，进而将所述像素定义层3(PDL)、所述平坦化层4(PLN)与所述开孔10与完全的隔绝在所述第一电极层1的内外两侧，即能够对整个所述像素定义层3(PDL)和所述平坦化层4(PLN)进行完整的遮光与阻水。
进一步的，参考附图2和附图4，本发明的一个实施例提供一种阵列基板，在具体实施中，所述无机层7至少包括层间介质层71。
具体的，为了完善阵列基板的整体性能且保证所述第一电极层1完全包住所述平坦化层4(PLN)的侧壁，将所述无机层7设置为至少包括所述层间介质层71(ILD)，也就是说所述无机层7还可以包括第一绝缘层72(GI1)、第二绝缘层73(GI2)、缓冲绝缘层74(BufferLayer)、阻挡绝缘层75(Barrier Layer)中的一层或多层；进一步的，当所述无机层7包括上述多层结构时，所述第一电极层1的下端可以延伸至覆盖一层或多层，进而保证将所述像素定义层3(PDL)和所述平坦化层4(PLN)进行完整的遮光与阻水；其中，当所述无机层7包括上述多层结构时，所述第一电极层1的下端并不必须延伸至最下端的一层，因为作为无机层7的材质都很轻很薄，对于光线的透过率相比于所述平坦化层4(PLN)也就小，对薄膜晶体管6(TFT)的影响也就很小。
进一步的，参考附图4和附图5，本发明实施例提供的一种阵列基板，在具体实施中，附图5中的虚线两端即为附图4的两侧虚线边界；还包括数据导线21；所述数据导线21设置在所述层间介质层71之下；用于进行数据传输。
具体的，为了跨过所述桥区8在岛9与岛9之间进行数据传输，且防止第一电极层1短路，本发明采取的技术方案中，设计所述数据导线21，所述数据导线21与源漏电极同层制作，容易将所述第一电极层1短路，本实施例中将所述数据导线21做跳线处理，将所述数据导线21设置在所述层间介质层71(IDL)之下；其中所述无机层7之下(当所述无机层7只包括所述层间介质层71时则在所述无机层7之下，当所述无机层7包括多层结构，在所述第二导体22则可以在无机层7之中也可以在无机层7之下)，用于穿过所述桥区8进行相邻岛9的数据传输，参考附图5，所述数据导线21要与源漏级同层制作，但是所述第一电极层1覆盖所述像素定义层3(PDL)的大于像素定义层3(PDL)的面积，再参考附图4，桥区8处无所述层间介质层71，容易造成所述第一电极1短路，无法布置所述数据导线21，因而所述数据导线21在穿过所述桥区8进行相邻岛9的数据传输时，则本发明采取的技术方案中将所述数据导线21通过连接导线22进行跳线转接；
具体的，参考附图4和附图5，本发明实施例提供的一种阵列基板，在具体实施中，还包括连接导线22；所述连接导线22包括第一连接导线221和第二连接导线222；所述第一连接导线221设置于所述岛9内由所述平坦化层4穿过所述层间介质层71，一端设置在所述平坦化层4内，另一端与所述数据导线21的一端相连；所述第二连接导线222设置于桥区8，所述第二连接导线222与所述数据导线21的另一端相连，用于连接相邻岛9的所述数据导线21；其中，所述桥区8为相邻岛9之间除去所述层间介质层71及以上、所述薄膜封装层7以下部分剩余的区域。
具体的，为了连接相邻岛9之间的数据导线21，完成数据传输，本发明采取的技术方案中，设置连接导线22，包括第一连接导线221和第二连接导线222，所述第一连接导线221设置在所述岛9内，所述第二连接导线222设置在所述桥区8；所述第一连接导线221的截面呈倒L型，图4中横向第一连接导线221设置在所述平坦化层4(PLN)和所述层间介质层71(IDL)之间，竖向第一连接导线221穿过所述层间介质层71(IDL)下端与所述数据导线21的一端相接，所述第二连接导线222与所述数据导线21的另一端相连，也就是能够将相邻岛9之间的数据导线21通过所述连接导线22进行转接，进而在所述桥区8进行所述数据导线21的跳线转接；其中，参考附图4，所述桥区8是相邻岛9之间除去所述层间介质层71(IDL)及以上部分、所述薄膜封装层7(TFE)以下剩余的区域，即图中为靠右侧的所述层间介质层71(IDL)再向右的部分；也就是说所述桥区8的厚度小于薄膜晶体管6(TFT)部分的厚度，同时参考附图5所述桥区8是连接岛9与岛9的，因而所述桥区9与所述开孔10离的很近，使得在进行拉伸时，所述桥区9能够增大所述开孔10的可拉伸性。
进一步的，参考附图4，本发明实施例提供的一种阵列基板，在具体实施中，所述数据导线21设置在所述无机层7中。
具体的，为了降低设计的局限性且提升阵列基板的性能，本发明采取的技术方案中将所述数据导线21设置在所述无机层7中，当所述无机层7仅包括所述层间介质层71时，则所述数据导线21设置在所述层间介质层71中；当所述无机层7包含多层结构时，则所述数据导线21只需保持在无机层7中，而并不限定是具体哪一层无机层。
实施例2
本发明实施例提供一种可拉伸显示面板，其包括前述实施例中任一所述阵列基板：
所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板12、平坦化层4、像素定义层3、第一电极层1以及薄膜封装层5，所述平坦化层4和所述衬底基板12之间设有薄膜晶体管6，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层1、像素定义层3、平坦化层4以及衬底基板12开设多个开孔，间隔出多个岛9；具体的，所述第一电极层1的边缘延伸至包覆所述平坦化层4的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；其中，所述第一电极层1的边缘与导体2相接触，所述导体2穿过在所述开孔10与所述岛9之间的用于连接相邻岛9的桥区8，作为电源导线连接用于连接相邻岛9的第一电极层1；所述桥区为相邻所述岛之间除去所述开孔的连接部。
实施例3
本发明实施例提供的一种显示设备，其包括前述实施例所述到的可拉伸显示面板。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，因而以上实施例之间可以进行结合，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其包括依次层叠设置的衬底基板、平坦化层、像素定义层、第一电极层以及薄膜封装层，所述平坦化层和所述衬底基板之间设有薄膜晶体管，且贯穿所述薄膜封装层、第一电极层、像素定义层、平坦化层以及衬底基板设置多个开孔，间隔出多个岛，其特征在于：
所述第一电极层的边缘延伸至包覆所述平坦化层的侧壁，用于对所述薄膜晶体管进行遮光；
其中，所述第一电极层的边缘与导体相接触，所述导体穿过在所述开孔与所述岛之间的用于连接相邻岛的桥区，作为电源导线用于连接相邻岛的第一电极层；
所述桥区为相邻所述岛之间除去所述开孔的连接部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：
所述平坦化层和所述衬底基板之间设有无机层；
所述第一电极层的边缘延伸至所述无机层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：
所述无机层至少包括层间介质层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：
还包括数据导线；
所述数据导线设置在所述层间介质层之下，用于进行数据传输。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：
还包括连接导线；
所述连接导线包括第一连接导线和第二连接导线，所述第一连接导线设置于所述岛内由所述平坦化层穿过所述层间介质层，一端设置在所述平坦化层内，另一端与所述数据导线的一端相连；所述第二连接导线设置于桥区，所述第二连接导线与所述数据导线的另一端相连，用于连接相邻岛的所述数据导线；
其中，所述桥区为相邻岛之间除去所述层间介质层及以上、所述薄膜封装层以下部分剩余的区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：
所述数据导线设置在所述无机层中。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：
所述平坦化层至少包括有机层；
或者，所述平坦化层包括有机层与无机层的堆叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：
所述像素定义层和所述平坦化层之间设有第二电极，与所述第一电极相配合。
9.一种可拉伸显示面板，其特征在于，其包括：
如权利要求1-8任一所述阵列基板。
10.一种显示设备，其特征在于，其包括：
如权利要求9所述的可拉伸显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910434611.XA CN110112150B (zh) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910434611.XA CN110112150B (zh) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110112150A true CN110112150A (zh) | 2019-08-09 |
| CN110112150B CN110112150B (zh) | 2021-02-19 |
Family
ID=67491878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910434611.XA Active CN110112150B (zh) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110112150B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110649181A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法 |
| CN112510070A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸阵列基板、可拉伸显示面板以及制作方法 |
| WO2021077873A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示基板和显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100188388A1 (en) * | 2006-02-14 | 2010-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus and fabricating method thereof |
| CN107452780A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及制作方法、显示装置 |
| CN107706208A (zh) * | 2016-08-08 | 2018-02-16 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| CN107871761A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
-
2019
- 2019-05-23 CN CN201910434611.XA patent/CN110112150B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100188388A1 (en) * | 2006-02-14 | 2010-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus and fabricating method thereof |
| CN107706208A (zh) * | 2016-08-08 | 2018-02-16 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| CN107871761A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN107452780A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及制作方法、显示装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110649181A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法 |
| CN110649181B (zh) * | 2019-10-08 | 2022-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置以及显示基板的制备方法 |
| US11469285B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-10-11 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display substrate having bridge connected island portions and display device |
| WO2021077873A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示基板和显示装置 |
| US11910641B2 (en) | 2019-10-22 | 2024-02-20 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Electroluminescent display substrate and display device |
| CN112510070A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸阵列基板、可拉伸显示面板以及制作方法 |
| CN112510070B (zh) * | 2020-11-30 | 2024-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可拉伸阵列基板、可拉伸显示面板以及制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110112150B (zh) | 2021-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106201114B (zh) | 触控结构、阵列基板和显示装置 | |
| CN110112150A (zh) | 阵列基板、可拉伸显示面板及显示设备 | |
| KR20170019553A (ko) | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN104716156A (zh) | 一种有机发光显示装置及其制备方法 | |
| CN103208506A (zh) | 阵列基板、显示装置及制作方法 | |
| CN102315165B (zh) | 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法 | |
| CN108376688A (zh) | 一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| KR102169684B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| CN107706214A (zh) | 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置 | |
| CN109273365A (zh) | 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板 | |
| TWI406420B (zh) | 主動矩陣基板、顯示裝置及主動矩陣基板之製造方法 | |
| CN206193735U (zh) | 一种触控基板及显示装置 | |
| US20210376031A1 (en) | Display backplane and manufacturing method thereof, and display panel | |
| CN105097941A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | |
| WO2023004668A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN113224120A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN104485338B (zh) | 阵列基板及制作方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器 | |
| CN109062435A (zh) | 有机发光二极管面板及其控制方法、显示装置 | |
| WO2021027216A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN114512523B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| KR102494732B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| CN113629073B (zh) | Tft背板与显示面板 | |
| CN105700723B (zh) | 一种具有触控装置的有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN100590854C (zh) | 像素结构及其制造方法 | |
| KR102311938B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |