CN110520468B - 树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂组合物 - Google Patents

树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN110520468B
CN110520468B CN201780089370.9A CN201780089370A CN110520468B CN 110520468 B CN110520468 B CN 110520468B CN 201780089370 A CN201780089370 A CN 201780089370A CN 110520468 B CN110520468 B CN 110520468B
Authority
CN
China
Prior art keywords
filler
resin
resin composition
thermal expansion
resin compositions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780089370.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110520468A (zh
Inventor
荻本伸太
富田亘孝
中野修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Admatechs Co Ltd
Original Assignee
Admatechs Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Admatechs Co Ltd filed Critical Admatechs Co Ltd
Publication of CN110520468A publication Critical patent/CN110520468A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110520468B publication Critical patent/CN110520468B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/20—Compounding polymers with additives, e.g. colouring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/20—Compounding polymers with additives, e.g. colouring
    • C08J3/205—Compounding polymers with additives, e.g. colouring in the presence of a continuous liquid phase
    • C08J3/2053—Compounding polymers with additives, e.g. colouring in the presence of a continuous liquid phase the additives only being premixed with a liquid phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C08K5/5445—Silicon-containing compounds containing nitrogen containing at least one Si-N bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Abstract

本发明的要解决的课题在于提供一种树脂组合物用填料，含有该树脂组合物用填料能够降低热膨胀系数。明确了二氧化硅材料中具有由FAU型、FER型、LTA型、MFI型和/或MWW型构成的晶体结构的结晶性二氧化硅质材料具有负的热膨胀系数，但分散在树脂材料中时，会促进该树脂材料的黄变。因此，发现可以通过利用由有机硅化合物构成的表面处理剂对结晶性二氧化硅质材料进行处理，使作为树脂材料黄变的一个原因的来自铝元素的活性点失活，从而能够抑制黄变。而且，即使以能够抑制黄变的程度在表面形成来自表面处理剂的层，也能够将热膨胀系数保持在负的范围。

Description

树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂 组合物
技术领域
本发明涉及在树脂组合物中含有而使用的树脂组合物用填料、含有该树脂组合物用填料的含填料的浆料以及含有该树脂组合物用填料的含填料的树脂组合物。
背景技术
以往，出于调整热膨胀系数等目的，在印刷配线板、密封材料等封装材料中使用的树脂组合物中配合无机粒子作为填料。为了热膨胀系数低、绝缘性优异，作为填料，主要广泛使用非晶质二氧化硅粒子。
近年来，随着电子设备的高功能化的要求，半导体封装不断进一步薄型化、高密度化，半导体封装的热膨胀、翘曲对可靠性的影响变得更大。因此，正在进行降低印刷配线板、密封材料中使用的树脂组合物的固化物的热膨胀系数而减少热膨胀、翘曲的研究(专利文献1等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5192259号公报
专利文献2：日本特开第2015-214440号公报
专利文献3：日本专利第4766852号公报
发明内容
鉴于上述实际情况，本发明的要解决的课题在于提供一种通过在树脂组合物中含有而能够降低热膨胀率的树脂组合物用填料。
为了解决上述课题，本发明人等进行了将热膨胀系数比非晶质二氧化硅低且加热时收缩的具有负的热膨胀系数的材料应用于填料材料的研究。作为具有负的热膨胀系数的材料，可举出由β-锂霞石(LiAlSiO4)、钨酸锆(ZrW2O8)构成的粒子(专利文献2、3)。但是，β-锂霞石含有Li作为主要构成元素，由于Li离子扩散使绝缘性降低，因此，存在电特性不充分的问题。对钨酸锆进行了各种研究，但合成耗费的时间和成本大，虽然以实验室等级制造的报告很多，但尚未建立工业上制造的方法。
接着，明确了二氧化硅质材料中具有由FAU型、FER型、LTA型、MFI型和/或MWW型的晶体结构的结晶性二氧化硅质材料具有负的热膨胀系数，但分散在树脂材料中时，促进该树脂材料的黄变。
对促进黄变进行了研究，结果可知这些结晶性二氧化硅质材料中所含的来自铝元素的羟基成为活性点并作用于树脂。因此，发现可以通过利用由有机硅化合物构成的表面处理剂对结晶性二氧化硅质材料进行处理，能够使作为树脂材料黄变的一个原因的来自铝的活性点失活，从而能够抑制黄变。而且即使以能够抑制黄变的程度在表面形成来自表面处理剂的层，也能够将热膨胀系数保持在负的范围。
本发明是基于上述见解而完成的，解决上述课题的本发明的树脂组合物用填料在树脂组合物中含有而使用，所述树脂组合物用填料是具有结晶性二氧化硅质粒子材料和表面处理剂的填料材料，所述结晶性二氧化硅质粒子材料具有由FAU型、FER型、LTA型、MFI型和/或MWW型构成的晶体结构，所述表面处理剂由与所述结晶性二氧化硅质粒子材料的表面反应或附着的有机硅化合物构成，
所述表面处理剂的量为所述填料材料显示负的热膨胀系数的范围。
在此，作为所述有机硅化合物，优选为选自硅氮烷和/或硅烷偶联剂中的任1种以上。如果采用它们作为表面处理剂，则能够有效地抑制黄变。
进而，优选以全体的质量为基准，铝元素的含量为12％以下。通过减少导致黄变的铝元素的原始含量，能够有效地抑制黄变。
另外，FAU型的结晶性二氧化硅质材料具有高的负热膨胀系数，适于抑制热膨胀的目的。
这些树脂组合物用填料系优选在用于电子部件的安装材料的树脂组合物中含有而使用。如果树脂组合物的热膨胀系数大，则由于面方向的热膨胀而导致在焊料连接中产生裂纹，或者由于厚度方向的热膨胀而导致在印刷配线板的层间产生导通不良。另外，由于各构件的热膨胀系数的差大，容易产生半导体封装的翘曲。通过降低热膨胀系数，能够抑制这些不良情况的产生。另外，如果使用本发明的树脂组合物用填料，则与仅使用具有正的热膨胀系数的以往的填料的情况相比，能够以更少的填料配合比例实现所期望的热膨胀系数，因此，也可以期待得到树脂含有比例高、粘接性、固化后或半固化后的机械加工性良好的树脂组合物。
而且，本发明的树脂组合物用填料可以与分散该树脂组合物用填料的溶剂组合而作为含填料的浆料组合物使用，或者与分散该树脂组合物用填料的树脂材料组合而作为含填料的树脂组合物使用。
本发明的树脂组合物用填料因为具有上述构成而具有负的热膨胀系数且具有对树脂的不良影响少的效果。
附图说明
图1是表示本发明的结晶性二氧化硅质粒子材料的晶体骨架结构的图。
图2是表示对实施例中试验例2的树脂组合物用填料进行测定的热膨胀的图。
图3是表示对实施例中试验例6的树脂组合物用填料进行测定的热膨胀的图。
图4是表示对实施例中试验例7的树脂组合物用填料进行测定的热膨胀的图。
图5是表示对实施例中试验例8的树脂组合物用填料进行测定的热膨胀的图。
图6是表示对实施例中试验例13的树脂组合物用填料进行测定的热膨胀的图。
图7是对实施例中混合了试验例2、8、13的树脂组合物用填料的树脂组合物的热膨胀进行测定的图。
具体实施方式
本发明的树脂组合物用填料出于尽可能减小热膨胀系数的目的，通过在树脂组合物中含有而能够减小得到的树脂组合物的热膨胀系数。以下，基于实施方式对本发明的树脂组合物用填料详细地进行说明。
本实施方式的树脂组合物用填料系用于分散在树脂材料中而形成树脂组合物。作为组合的树脂材料，没有特别限定，可例示环氧树脂·酚醛树脂等热固化性树脂(也包含固化前的树脂)、聚酯·丙烯酸树脂·聚烯烃等热塑性树脂。进而，也可以含有本实施方式的树脂组合物用填料以外的填料(不论粉粒体、纤维状等形态)。例如也可以含有非晶质二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝、勃姆石、氮化铝、氮化硼、碳材料等无机物，由作为使填料分散的基质的树脂材料以外的树脂材料(纤维状的材料、粒子状的材料)构成的有机材料(不需要与作为基质的树脂材料严格区分，也难以区分)。即使树脂材料、其它填料具有正的热膨胀系数，通过本实施方式的树脂组合物用填料具有负的热膨胀系数，也能够减小所制造的树脂组合物的热膨胀系数。
作为含有本实施方式的树脂组合物用填料的比例，没有特别限定，但通过增多，能够减小最终得到的树脂组合物的热膨胀系数。例如，以树脂组合物全体的质量为基准，可以为5～85％左右的含量。
作为使本实施方式的树脂组合物用填料分散在树脂材料中的方法，没有特别限定，可以将树脂组合物用填料在干燥状态下混合，或者可以将一些溶剂作为分散介质并分散在其中，形成浆料后混合于树脂材料。
本实施方式的树脂组合物用填料系具有结晶性二氧化硅质粒子材料和对该结晶性二氧化硅质粒子材料进行表面处理的表面处理剂。结晶性二氧化硅质粒子材料具有由FAU型、FER型、LTA型、MFI型和/或MWW型构成的晶体结构。具有这些晶体结构的结晶性二氧化硅质粒子材料具有负的热膨胀系数。特别优选为FAU型。应予说明，结晶性二氧化硅质粒子材料不需要全部具有这些晶体结构，以全体的质量为基准，只要50％以上(优选为80％以上)具有这些晶体结构即可。在此，将由三个字母表示的类型的晶体骨架结构示于图1。
结晶性二氧化硅质粒子材料的粒度分布、粒子形状为在树脂组合物中含有时能够表现出必要的性质的程度。例如，将得到的树脂组合物用于半导体密封材料时，优选不含具有比使该半导体密封材料侵入的间隙更大的粒径的粒子材料。具体而言，优选为0.5μm～50μm左右，优选实质上不含100μm以上的粗大粒子。另外，将树脂组合物用于例如印刷配线板时，优选不含具有比该绝缘层的厚度更大的粒径的粒子材料。具体而言，优选为0.2μm～5μm左右，优选实质上不含10μm以上的粗大粒子。另外，粒子形状优选为长宽比低的形状，更优选为球状。
结晶性二氧化硅质粒子材料可以通过将具有对应的晶体结构的结晶性二氧化硅质粒子作为原料，单独或组合进行粉碎、分级、造粒、混合等操作而制造。在各操作中采用适当的条件，进行适当的次数，从而能够得到必要的粒度分布、粒子形状的粒子材料。对于作为原料的结晶性二氧化硅质材料本身，可以通过常规方法(例如水热合成法)合成。
结晶性二氧化硅质粒子材料的铝元素的含量，以全体的质量为基准，优选为12％以下，进一步优选为8％以下、4％以下。应予说明，推测优选结晶性二氧化硅质粒子材料中所含的铝接近0％，但现状是大多不可避免地含有。
表面处理剂由有机硅化合物构成。通过由有机硅化合物构成的表面处理剂在表面反应或附着，能够防止促进黄变的活性点与树脂接触。特别优选为硅烷化合物，进而，硅烷化合物中，通过采用硅烷偶联剂、硅氮烷类，能够与结晶性二氧化硅质粒子材料的表面牢固地结合。作为硅烷化合物，除能够遮蔽结晶性二氧化硅质粒子材料的黄变的活性点以外，为了提高与混合的树脂材料之间的亲和性，可以采用具有对树脂材料的亲和性高的官能团的硅烷化合物。
作为硅烷化合物，优选具有苯基、乙烯基、环氧基、甲基丙烯酸基、胺基、脲基、巯基、异氰酸酯基、丙烯酸基、烷基的化合物。硅烷化合物中，作为硅氮烷类，可例示1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷。
作为利用表面处理剂对结晶性二氧化硅质粒子材料进行处理的条件，没有特别限定。例如，假设结晶性二氧化硅质粒子材料为理想球体，以由平均粒径算出的表面积作为基准，由表面处理剂被覆的面积(由表面处理剂的分子大小和处理量算出的值。假设表面处理剂在结晶性二氧化硅质粒子材料的表面以一层进行附着或反应)可以为50％以上(进一步为60％以上、80％以上)。作为其它基准，可以为与存在于结晶性二氧化硅质粒子材料的表面的铝元素的量对应的量(例如，可以相对于存在于表面的铝元素为过量，或者为确认到抑制黄变的程度的量)。进而，作为表面处理剂的量的上限，越多越能够抑制对树脂的不良影响，但如果太多，则作为本实施方式的树脂组合物用填料有可能变得不表现负的热膨胀系数，因此，作为表面处理剂的量的上限，设为本实施方式的树脂组合物用填料显示负的热膨胀系数的范围。
对结晶性二氧化硅质粒子材料进行的表面处理可以以任何方式进行。可以直接接触表面处理剂或者使溶解表面处理剂于一些溶剂而成的溶液进行接触而使表面处理剂附着于结晶性二氧化硅质粒子材料的表面。附着的表面处理剂也可以进行加热等而促进反应。
实施例
·树脂的氧化的评价
以成为表2的组成的方式对表1的物性的结晶性二氧化硅质粒子材料A～D添加硅氮烷和硅烷偶联剂。然后，使用粉体混合用搅拌机混合后，进行干燥而完成表面处理，得到本试验例1～13的树脂组合物用填料。将制成的各试验例的树脂组合物用填料以填料填充率成为25质量％的方式混合于作为树脂材料的液态环氧树脂(双酚A∶双酚F＝50∶50)，将混合物在25℃保持24小时。以混合物的色调变化来评价保持后的树脂的氧化程度。将红变的情况设为“不合格”，将黄变～红变了但程度轻的情况设为“合格”，将未出现变化的情况设为“良”。将结果示于表2。
[表1]
Figure BDA0002225084790000061
[表2]
试验例 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
二氧化硅质粒子材料A 100 100 100 100 100 100
二氧化硅质粒子材料B 100 100
二氧化硅质粒子材料C 100 100
二氧化硅质粒子材料D 100 100
二氧化硅质粒子材料E 100
六甲基二硅氮烷 3 6 6 6 6
环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷 3
乙烯基三甲氧基硅烷 3
苯基氨基三甲氧基硅烷 3
平均热膨胀系数(ppm/K) - -6.6 - - - -4.1 -2.5 -2.0 - - - - 0.4
树脂的氧化 良 良 良 良 良 良 合格 良 不合格 不合格 不合格 不合格 良
由表2可知使用属于结晶性的二氧化硅质粒子材料(二氧化硅质粒子材料A～D)的试验例9～12作为填料时，确认到树脂的氧化(评价：不合格)，与此相对，使用属于非晶质的二氧化硅质粒子材料(二氧化硅质粒子材料E)的试验例13作为填料时，没有观察到树脂的氧化(评价：良)，因此，可知采用结晶性的二氧化硅质粒子材料时，树脂的氧化进行。
可知在这样的状态下，对进行树脂氧化的二氧化硅质粒子材料A～D也利用由硅烷化合物构成的表面处理剂进行表面处理而制成符合本发明的树脂组合物用填料的填料，从而能够抑制树脂的氧化。应予说明，与二氧化硅质粒子材料C(试验例7)相比，利用表面处理剂对二氧化硅质粒子材料A、B、D(试验例2、6、8)进行表面处理，能够进一步有效地抑制树脂的氧化，因此，可知铝的含量少的材料能够抑制树脂的氧化。
·热膨胀系数的评价
对试验例2、6、7、8和13的树脂组合物用填料进行热膨胀系数的评价。将各个树脂组合物用填料使用SPS烧结机在800℃烧结1小时，制作热膨胀测定用试验片。测定各试验片的热膨胀率。测定装置使用TMA-Q400EM(TAInstruments制造)，在测定温度-50℃～250℃的范围进行测定。将结果示于图2～6。另外，将由图2～6算出的热膨胀系数的平均值示于表2。
由图2～6可知试验例13(非晶质二氧化硅)中，热膨胀系数为正的值，与此相对，试验例2、6、7、8均显示负的热膨胀系数。另外，与MFI型晶体结构(试验例8)相比，FAU型晶体结构(试验例2、6、7)显示更大的负的热膨胀系数。MFI型中，在100℃以上的高温下负的热膨胀系数变大。另外，有Al含量越少越显示更大的负的热膨胀系数的趋势。
·树脂组合物的热膨胀系数的评价
接着，对试验例2、8和13的树脂组合物用填料评价实际制备树脂组合物时的热膨胀系数。将各个试验例的树脂组合物用填料以填料填充率成为37.5质量％的方式使用作为树脂材料的液态环氧树脂(双酚A：双酚F＝50：50)和胺系固化剂制作树脂固化物，制成热膨胀率测定用试验片。测定这些各试验片的热膨胀率。将结果示于图7。
由图7可知，对于树脂材料单独的树脂固化物的热膨胀，通过配合各个试验例的树脂组合物用填料，能够抑制热膨胀。特别是确认了相对于混合了试验例13的树脂组合物用填料的树脂组合物，混合了试验例2、8的树脂组合物用填料的树脂组合物均能够显著抑制树脂固化物的热膨胀系数。
产业上的可利用性
本发明的树脂组合物用填料具有负的热膨胀系数。因此，通过与显示正的热膨胀系数的树脂材料混合，能够抵消或降低树脂材料的正的热膨胀系数。其结果，能够得到热膨胀系数小、热特性优异的树脂组合物。

Claims (11)

1.一种树脂组合物用填料，在树脂组合物中含有而使用，所述树脂组合物用填料是具有结晶性二氧化硅质粒子材料和表面处理剂的树脂组合物用填料，所述结晶性二氧化硅质粒子材料具有由FAU型、FER型、LTA型、MFI型和/或MWW型构成的晶体结构，所述表面处理剂由与所述结晶性二氧化硅质粒子材料的表面反应或附着的有机硅化合物构成，
所述表面处理剂的量为所述树脂组合物用填料显示负的热膨胀系数的范围，
所述结晶性二氧化硅质粒子材料的粒径为0.5μm～100μm，
以全体的质量为基准，铝元素的含量为12％以下。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物用填料，其中，铝元素的含量为0.9％以下。
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物用填料，其中，所述有机硅化合物为选自硅氮烷和/或硅烷偶联剂中的任1种以上。
4.根据权利要求1或2所述的树脂组合物用填料，其中，所述晶体结构为FAU型。
5.根据权利要求3所述的树脂组合物用填料，其中，所述晶体结构为FAU型。
6.根据权利要求1或2所述的树脂组合物用填料，其中，在用于安装材料的树脂组合物中含有而使用。
7.根据权利要求3所述的树脂组合物用填料，其中，在用于安装材料的树脂组合物中含有而使用。
8.根据权利要求4所述的树脂组合物用填料，其中，在用于安装材料的树脂组合物中含有而使用。
9.根据权利要求5所述的树脂组合物用填料，其中，在用于安装材料的树脂组合物中含有而使用。
10.一种含填料的浆料组合物，具有权利要求1～9中任一项所述的树脂组合物用填料和分散所述树脂组合物用填料的溶剂。
11.一种含填料的树脂组合物，具有权利要求1～9中任一项所述的树脂组合物用填料和分散所述树脂组合物用填料的树脂材料。
CN201780089370.9A 2017-04-10 2017-07-28 树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂组合物 Active CN110520468B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017077865 2017-04-10
JP2017-077865 2017-04-10
PCT/JP2017/027489 WO2018189919A1 (ja) 2017-04-10 2017-07-28 樹脂組成物用フィラー、フィラー含有スラリー組成物、及びフィラー含有樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110520468A CN110520468A (zh) 2019-11-29
CN110520468B true CN110520468B (zh) 2021-11-02

Family

ID=63792988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780089370.9A Active CN110520468B (zh) 2017-04-10 2017-07-28 树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂组合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200040162A1 (zh)
JP (1) JP6441525B2 (zh)
KR (1) KR102089233B1 (zh)
CN (1) CN110520468B (zh)
TW (1) TWI666246B (zh)
WO (1) WO2018189919A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11613625B2 (en) 2017-04-10 2023-03-28 Admatechs Co., Ltd. Filler for resinous composition, filler-containing slurry composition and filler-containing resinous composition
WO2019193766A1 (ja) 2018-04-06 2019-10-10 株式会社アドマテックス 樹脂組成物用フィラー、フィラー含有スラリー組成物、及びフィラー含有樹脂組成物、並びに樹脂組成物用フィラーの製造方法
JP6564517B1 (ja) * 2018-12-17 2019-08-21 株式会社アドマテックス 電子材料用フィラー及びその製造方法、電子材料用樹脂組成物の製造方法、高周波用基板、並びに電子材料用スラリー
JP7351477B2 (ja) * 2019-07-23 2023-09-27 国立大学法人東京工業大学 樹脂組成物およびその樹脂成形体
CN115427520B (zh) * 2021-01-13 2023-04-21 穗晔实业股份有限公司 浆料组成物及其制备方法
WO2023210791A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 三菱ケミカル株式会社 シリカライト、組成物、液状封止剤、樹脂複合材、封止材、封止材の製造方法、及び電子デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1747900A (zh) * 2003-02-03 2006-03-15 昭和电工株式会社 改性层状金属硅酸盐材料及其制备方法
CN101117418A (zh) * 2006-07-31 2008-02-06 日立电线株式会社 无卤阻燃树脂组合物
CN101170964A (zh) * 2005-03-11 2008-04-30 环球油品公司 高通量微孔筛膜、含有这类膜的分离器和使用这类膜的方法
CN103906561A (zh) * 2012-06-08 2014-07-02 Lg化学株式会社 包含经表面处理过的沸石的高渗透通量反渗透膜及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS627747A (ja) * 1985-07-04 1987-01-14 Kanebo Ltd シリコーン系コーティング被膜を有する疎水性の抗菌性ゼオライト粒子及びその製造方法
JPS627748A (ja) * 1985-07-04 1987-01-14 Kanebo Ltd 防湿能を有する抗菌性ゼオライト粒子及びその製造方法
JP3335689B2 (ja) * 1992-12-18 2002-10-21 日本化学工業株式会社 ゼオライト系抗菌剤とその製造法および抗菌性ポリマー組成物
JP4511656B2 (ja) * 1999-10-19 2010-07-28 コニンクリーケ デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ 熱可塑性樹脂組成物
JP2002020111A (ja) * 2000-06-29 2002-01-23 Kyocera Corp 多孔質粉末およびその製造方法
JP4766852B2 (ja) 2004-07-30 2011-09-07 学校法人東京理科大学 タングステン酸ジルコニウムの製造方法
EP2113524A4 (en) 2007-02-23 2011-03-30 Panasonic Elec Works Co Ltd EPOXY RESIN COMPOSITION, PREPREG, LAMINATES AND PCB
ES2627613T3 (es) * 2010-08-04 2017-07-28 National Science And Technology Development Agency Mezcla maestra para preparar películas de plástico con permeabilidad selectiva alta al etileno y las películas de plástico producidas a partir de la misma
CN102212250A (zh) * 2011-04-15 2011-10-12 广东生益科技股份有限公司 填料组合物及使用其制作的覆铜箔层压板
JP6209030B2 (ja) * 2013-04-19 2017-10-04 株式会社アドマテックス シリカ被覆無機酸化物粒子およびその製造方法、並びに樹脂組成物
JP6388112B2 (ja) 2014-05-09 2018-09-12 日本電気硝子株式会社 フィラー粉末の製造方法
JP2016172689A (ja) * 2016-06-24 2016-09-29 株式会社アドマテックス シリカ粒子及び熱可塑性樹脂組成物
US11369950B2 (en) * 2018-02-21 2022-06-28 Saudi Arabian Oil Company Multi-functional composite catalyst materials and methods of synthesizing the catalyst materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1747900A (zh) * 2003-02-03 2006-03-15 昭和电工株式会社 改性层状金属硅酸盐材料及其制备方法
CN101170964A (zh) * 2005-03-11 2008-04-30 环球油品公司 高通量微孔筛膜、含有这类膜的分离器和使用这类膜的方法
CN101117418A (zh) * 2006-07-31 2008-02-06 日立电线株式会社 无卤阻燃树脂组合物
CN103906561A (zh) * 2012-06-08 2014-07-02 Lg化学株式会社 包含经表面处理过的沸石的高渗透通量反渗透膜及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Thermal expansion adjustable polymer matrix composites with giant negative thermal expansion filler;Koshi Takenaka;《Composites Science and Technology》;20140916;第104卷;第47-51页 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190084332A (ko) 2019-07-16
TWI666246B (zh) 2019-07-21
JP6441525B2 (ja) 2018-12-19
JP2018178112A (ja) 2018-11-15
WO2018189919A1 (ja) 2018-10-18
KR102089233B1 (ko) 2020-03-13
CN110520468A (zh) 2019-11-29
US20200040162A1 (en) 2020-02-06
TW201842025A (zh) 2018-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110520468B (zh) 树脂组合物用填料、含填料的浆料组合物以及含填料的树脂组合物
KR101070505B1 (ko) 세라믹 분말 및 그 용도
US8263686B2 (en) Optical semiconductor-sealing composition
JP2011184650A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置
KR20170074799A (ko) 액상 에폭시 수지 조성물
US11091647B2 (en) Filler for resinous composition, filler-containing slurry composition and filler-containing resinous composition as well as production process for filler for resinous composition
JP2020200478A (ja) 樹脂組成物、硬化物、封止用フィルム及び封止構造体
JP5112157B2 (ja) シリカ微粒子及びシリカ微粒子含有樹脂組成物
WO2018221681A1 (ja) 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置
CN101959925A (zh) 可硬化的反应树脂体系
JP2005171206A (ja) 樹脂配合用粉体混合物及び樹脂組成物
JP2004352783A (ja) 封止用樹脂組成物
KR102146996B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
JP2005171209A (ja) フィラー含有樹脂組成物及びその製造方法
US11613625B2 (en) Filler for resinous composition, filler-containing slurry composition and filler-containing resinous composition
CN115011306A (zh) 一种低密度有机硅灌封胶及其制备工艺
KR102400549B1 (ko) 방열 패드용 열전도성 조성물 및 이를 포함하는 방열 패드
KR102126049B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 이를 이용한 반도체 소자 밀봉 방법 및 반도체 소자
JP6557443B1 (ja) 樹脂組成物用フィラー、フィラー含有スラリー組成物、及びフィラー含有樹脂組成物、並びに樹脂組成物用フィラーの製造方法
CN116333439A (zh) 密封用片和电子元件装置
KR101659137B1 (ko) 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 반도체 장치
KR20120103896A (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 봉지된 반도체 장치
KR20210021049A (ko) 플레이크 형상 밀봉용 수지 조성물, 및 반도체 장치
KR20190081981A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20090070137A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant