CN116333439A - 密封用片和电子元件装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够抑制粘合力变动的百分率、并且能够减少作为固化物的密封体片中的未反应物的密封用片和电子元件装置。密封用片含有环氧树脂、酚醛树脂、脲系固化促进剂和无机填充剂。刚制造后的密封用片的粘合力A0的、从粘合力A0向将密封用片在23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力A1的变动(A0‑A1)的百分率([A0‑A1]/A0×100)为10%以下。相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下。
Description
技术领域
本发明涉及密封用片和电子元件装置。
背景技术
已知有使用密封用片将电子元件密封而制造电子元件装置(例如,参照下述专利文献1。)。
专利文献1中记载的密封用片含有环氧树脂、酚醛树脂(固化剂)和咪唑系固化促进剂。密封用片通过埋设电子元件后进行热固化来形成密封体。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本特开2017-92103号公报
发明内容
发明要解决的课题
密封用片存在贴附于电子元件的一个面、其后在该贴附状态下长时间(例如,24小时左右)待机的情况。然而,专利文献1中记载的密封用片在长时间的待机中,粘合力大幅降低。这样一来,存在密封用片相对于电子元件的位置精度降低这样的不良情况。因此,对于密封用片,要求抑制粘合力变动的百分率。
此外,对于作为密封用片的固化物的密封体片,也要求未反应物少。
本发明提供能够抑制粘合力变动的百分率、并且能够减少作为固化物的密封体片中的未反应物的密封用片和电子元件装置。
用于解决课题的手段
本发明(1)包括一种密封用片,其是含有环氧树脂、酚醛树脂、脲系固化促进剂和无机填充剂的密封用片,刚制造后的密封用片的粘合力A0的、从上述粘合力A0向将上述密封用片在23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力A1的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)为10%以下,相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将上述密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下。
对于该密封用片而言,从粘合力A0向将密封用片在23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力A1的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)为10%以下,因此,即使当密封用片在低温区域中经过长时间时,也能够抑制粘合力变动的百分率。
另外,相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下,因此,密封体片的未反应物的量少。
本发明(2)包括(1)所述的密封用片,其中,上述脲系固化促进剂为脂肪族脲化合物。
脂肪族脲化合物在低温区域的反应性低,因而安装基板与电子元件间的间隙中的进入长度的变动百分率的减少效果高。
本发明(3)包括(1)或(2)所述的密封用片,其中,根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从上述第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动(L1-L2)的百分率([L1-L2]/L1×100)为90%以下。
<试验X>
依次实施下述的第1步骤至第5步骤。
第1步骤:由刚制造后的密封用片准备厚度200μm的样品。另外地,准备具备玻璃基板、及相互隔开300μm的间隔而排列配置的9个虚拟芯片的安装基板,该虚拟芯片经由凸块而安装于上述玻璃基板的上表面并且具有1mm×1mm×厚度200μm的尺寸。
第2步骤:通过真空平板按压,将上述样品以温度65℃、真空度1.6kPa以下、按压压力0.2MPa、60秒的方式朝向上述玻璃基板进行按压。
第3步骤:使上述样品与上述虚拟芯片的上表面接触,并在23℃、50%RH的条件下放置30分钟。
第4步骤:在大气压下将上述样品在150℃加热1小时,从而使上述样品热固化。
第5步骤:测定上述样品向位于上述玻璃基板的中央的上述虚拟芯片的下表面与上述玻璃基板的上表面之间分隔开的空隙内的进入长度L1。
<试验Y>
实施上述第1步骤至上述第5步骤。但是,将第3步骤的放置时间从30分钟变更为24小时。在第5步骤中,测定样品的第2进入长度L2。
对于该密封用片而言,从第1进入长度L1向第2进入长度L2的变动的百分率为90%以下,因而在低温区域中经过长时间时能够抑制密封体片的进入长度的变动。因此,密封的稳定性优异。
本发明(4)包括一种电子元件装置,其具备由(1)至(3)中任一项所述的密封用片所成形的密封体片、及通过上述密封体片密封的电子元件。
该电子元件装置具备由上述密封用片所成形的密封体片,因而密封的可靠性优异,未反应物的量少。
发明效果
本发明的密封用片和电子元件装置能够抑制粘合力变动的百分率,并且能够减少作为固化物的密封体片中的未反应物。
附图说明
[图1]图1A为试验X和试验Y各自的第1步骤。图1B为试验X和试验Y各自的第2步骤至第5步骤。
[图2]为电子元件装置的截面图。
[附图标记说明]
1 密封用片
2 玻璃基板
3,8 凸块
4 虚拟芯片
5 电子元件装置
6 密封体片
7 电子元件
9 安装基板
11 样品
具体实施方式
1.密封用片
对本发明的密封用片的一实施方式进行说明。
密封用片用于对电子元件进行密封。密封用片具有厚度。密封用片在面方向上延伸。面方向与厚度方向正交。密封用片具有大致板形状(膜形状)。
1.1密封用片的成分
密封用片含有环氧树脂、酚醛树脂、脲系固化促进剂和无机填充剂。具体而言,密封用片由含有上述成分的热固性组合物形成为片状。另外,热固性组合物包含树脂成分和填料成分。热固性组合物中的树脂成分的配合比例例如为1质量%以上,优选为5质量%以上,另外,例如为25质量%以下,优选为15质量%以下。热固性组合物中的填料成分的配合比例例如为75质量%以上,优选为85质量%以上,另外,例如为99质量%以下,优选为90质量%以下。填料成分相对于树脂成分100质量份的配合比例例如为300质量份以上,优选为700质量份以上,另外,例如为3000质量份以下,优选为1500质量份以下。
树脂成分含有上述环氧树脂、酚醛树脂和脲系固化促进剂。填料成分含有无机填充剂。
1.1.1环氧树脂
环氧树脂是热固性组合物中的主剂。环氧树脂的种类不受限定。作为环氧树脂,例如可举出2官能环氧树脂、及3官能以上的多官能环氧树脂。作为2官能环氧树脂,可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、及联苯型环氧树脂。作为多官能环氧树脂,例如可举出苯酚线型酚醛型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、三(羟基苯基)甲烷型环氧树脂、四(羟苯基)乙烷型环氧树脂、及二环戊二烯型环氧树脂。环氧树脂可以单独使用或并用2种以上。作为环氧树脂,优选地可举出2官能环氧树脂,更优选地可举出双酚F型环氧树脂、及改性双酚A型环氧树脂。从抑制粘合力变动的百分率(后述)的观点、及减少进入长度的变动的百分率(后述)的观点出发,双酚F型环氧树脂是优选的。另一方面,从减少关于发热量的比率(后述)的观点出发,改性双酚A型环氧树脂是优选的。
密封用片中的环氧树脂的配合比例不受限定。密封用片中的环氧树脂的配合比例例如为1质量%以上,优选为2质量%以上,另外,例如为25质量%以下,优选为10质量%以下。树脂成分中的环氧树脂的配合比例例如为5质量%以上,优选为15质量%以上,另外,例如为50质量%以下,优选为25质量%以下。
1.1.2酚醛树脂
酚醛树脂是使环氧树脂固化的潜伏性酚醛树脂。酚醛树脂的种类不受限定。作为酚醛树脂,例如可举出线型酚醛型酚醛树脂、及苯酚-芳烷基树脂。酚醛树脂可以单独使用或并用2种以上。作为酚醛树脂,从减少粘合力变动的百分率(后述)的观点出发,优选地可举出苯酚-芳烷基树脂。另外,作为酚醛树脂,从减少关于DSC的比率(后述)的观点出发,优选地可举出线型酚醛型酚醛树脂。
酚醛树脂相对于环氧树脂100质量份的配合比例例如为10质量份以上且150质量份以下。密封用片中的酚醛树脂的配合比例例如为0.5质量%以上,优选为2质量%以上,另外,例如为5质量%以下,优选为2.5质量%以下。树脂成分中的酚醛树脂的配合比例例如为3质量%以上,优选为10质量%以上,另外,例如为40质量%以下,优选为15质量%以下。
1.1.3脲系固化促进剂
脲系固化促进剂在低温区域中不促进密封用片的固化反应,另一方面,在高温区域中促进上述固化反应。具体而言,关于脲系固化促进剂,在低温区域中,热解离不易进行(异氰酸酯部分阻断氨基部分的解离),另一方面,在高温区域中,进行热解离,生成异氰酸酯化合物和胺化合物,上述胺化合物促进固化反应。低温区域例如为100℃以下,进一步为90℃以下,低温温度的下限不受限定。高温区域例如为超过100℃,进一步地为110℃以上、120℃以上、130℃以上、140℃以上,高温区域例如为210℃以下,进一步地为200℃以下、190℃以下、180℃以下。
作为脲系固化促进剂,例如可举出含有二烷基氨基的脲化合物。作为二烷基氨基,例如可举出二甲基氨基。脲系固化促进剂由于包含上述二甲基氨基,因而通过热解离而制造二甲基胺。
另外,作为脲系固化促进剂,例如可举出芳香族脲化合物、及脂肪族脲化合物。这些可以单独使用或并用。
芳香族脲化合物例如含有上述的二烷基氨基和芳香族基团。作为芳香族脲化合物,可举出下述式(1)所表示的含有二甲基氨基的芳香族脲化合物。
[化学式1]
化学式1
脂肪族脲化合物例如含有上述的二烷基氨基和脂肪族基团。作为脂肪族脲化合物,可举出下述式(2)所表示的含有二甲基氨基的脂肪族脲化合物。
[化学式2]
化学式2
作为脲系固化促进剂,优选地可举出脂肪族脲化合物。与芳香族脲化合物相比,脂肪族脲化合物在低温区域中的反应性较低,因而进入长度的变动百分率(后述)的减少效果高。另一方面,脂肪族脲化合物在高温区域中能够起到与芳香族脲化合物同等的固化促进效果。
脲系固化促进剂相对于环氧树脂100质量份的配合比例例如为0.1质量份以上,优选为1质量份以上,更优选为2质量份以上,另外,例如为10质量份以下,优选为5质量份以下,优选为3质量份以下。密封用片中的脲系固化促进剂的配合比例例如为0.01质量%以上,优选为0.02质量%以上,另外,例如为1质量%以下,优选为0.2质量%以下。树脂成分中的脲系固化促进剂的配合比例例如为0.1质量%以上,优选为0.2质量%以上,更优选为0.3质量%以上,另外,例如为1.5质量%以下,优选为1.0质量%以下,优选为0.7质量%以下。如果脲系固化促进剂的配合比例为上述下限以上且上限以下,则能够谋求进入长度的变动百分率的减少并起到高的固化促进效果。
1.1.4无机填充剂
无机填充剂例如可举出硅酸盐化合物和硅化合物。硅酸盐化合物和硅化合物分别记载于日本特开2021-097206号公报。
无机填充剂包含层状硅酸盐化合物。层状硅酸盐化合物是在加热密封用片而形成固化体片时,减少固化体片的流动性的固化时流动减少剂。作为层状硅酸盐化合物,例如可举出蒙脱石。层状硅酸盐化合物的表面可以经有机成分改性。作为有机成分,例如可举出烷基铵。作为烷基铵,例如可举出二甲基二硬脂基铵。上述层状硅酸盐化合物例如记载于日本特开2021-097206号公报。
密封用片(热固性树脂组合物)中的无机填充剂的配合比例例如为50质量%以上,优选为60质量%以上,更优选为65质量%以上,另外为80质量%以下,优选为70质量%以下。无机填充剂相对于树脂成分100质量份的配合比例例如为200质量份以上,优选为300质量份以上,另外,例如为1500质量份以下,优选为500质量份以下。
无机填充剂的配合比例的细节例如记载于日本特开2021-097206号公报。
需要说明的是,在本实施方式中,树脂成分优选不含有上述脲系固化促进剂以外的固化促进剂。作为脲系固化促进剂以外的固化促进剂,例如可举出咪唑系固化促进剂和磷系固化促进剂。特别是,树脂成分更优选不含有咪唑系固化促进剂。关于咪唑系固化促进剂,在低温区域中,氨基容易促进固化反应,因此,在本发明中是不适合的。另一方面,磷系固化促进剂的固化促进性低,因此,固化反应需要时间,后述的电子元件装置(参照图2)的制造效率降低,但是在树脂成分中微量的含有是容许的。
1.1.5添加剂
在热固性树脂组合物中,可以添加例如添加量。作为添加剂,可举出作为树脂成分的热塑性树脂、及硅烷偶联剂,另外,可举出颜料作为填料成分。其他添加剂的种类和配合比例不受限定。其他添加剂的种类和配合比例分别记载于日本特开2021-097206号公报。
1.1.6密封用片的制造
为了得到密封用片,将上述各成分以上述比例配合,制备热固性树脂组合物。优选地,将上述成分充分搅拌。根据需要,进一步配合溶剂(甲乙酮等酮系等),制备清漆。其后,将清漆涂布于未图示的剥离衬垫,其后,通过加热使其干燥,作为涂膜而制造具有片形状的密封用片。另一方面,也可以不制备清漆,而是通过混炼挤出而由热固性树脂组合物形成密封用片(涂膜)。
需要说明的是,为了制备厚的密封用片,也可以层叠(贴合)多个上述涂膜。
需要说明的是,密封用片为B阶段(半固化状态),具体而言,为C阶段前的密封用片。也就是说,其为完全固化前的密封用片。密封用片通过上述干燥中的加热、挤出混炼中的加热而由A阶段的热固性树脂组合物形成为B阶段片。
密封用片的厚度的下限例如为10μm,优选为25μm,更优选为50μm。密封用片的厚度的上限例如为3000μm,优选为1000μm,更优选为500μm,进一步优选为300μm。
1.2粘合力变动的百分率
刚制造后的密封用片的粘合力A0的、从粘合力A0向粘合力A1的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)为10%以下,上述粘合力A1是将刚制造后的密封用片置于23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力。
如果从粘合力A0向粘合力A1的变动的百分率超过10%,则当密封用片在低温区域中经过长时间时,粘合力大幅降低。
另一方面,对于该密封用片而言,上述变动的百分率为10%以下,因此,即使当密封用片在低温区域中经过长时间时,也能够尽可能地抑制粘合力变动的百分率。
另一方面,从粘合力A0向粘合力A1(将刚制造后的密封用片置于23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力)的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)优选为9%以下,更优选为7%以下,进一步优选为5%以下,特别优选为3%以下。上述粘合力变动的百分率例如为0.001%以上,进一步为0.01%以上、0.1%以上。
“刚制造后”是制造后的例如10分钟以内、进一步5分钟以内、进一步3分钟以内。
“长时间”是例如1小时以上且50小时以下。
为了求得粘合力A0、A1,准备上下对置的2片板。将密封用片固定于下侧的板,接下来,将上侧的板按压于密封用片,其后,以5μm/秒使上侧的板上升,将为了从密封用片剥离上侧的板所必需的载荷作为“刚制造后的密封用片的粘合力”而求得。
1.3根据DSC的发热量的比率
相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定(DSC)所求得的发热量,将刚制造后的密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下,优选为0.09以下,更优选为0.07以下,进一步优选为0.05以下,特别优选为0.03以下。
密封用片的发热量基于密封用片中的未反应物的反应。另外,关于150℃的加热,设定在将电子元件密封后用于使密封用片热固化的加热。因此,上述热固化后的密封体片(后述)的未反应物的量优选少,因而相对于刚制造后的密封用片的发热量,将刚制造后的密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的发热量的比率优选低。
在本实施方式中,上述发热量的比率为0.10以下,因而密封体片的未反应物的量少。此外,如果上述比率为上述优选的上限以下,则密封体片的未反应物的量进一步变少而是优选的。
关于密封用片的发热量,取得密封用片的DSC曲线。由峰面积的积分值求得发热量(mJ/mg)。差示扫描量热测定(DSC)在后面的实施例中记载。
1.4进入长度的变动百分率
根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从上述第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动(L1-L2)的百分率([L1-L2]/L1×100)例如为90%以下,优选为70%以下,更优选为65%以下,进一步优选为59%以下,另外,例如为10%以上,进一步为25%以上、45%以上。
从第1进入长度L1向第2进入长度L2的变动的百分率意指在低温区域中经过长时间时能够减少进入长度的变动的效果的程度,因而优选低,由此,密封的稳定性优异。
<试验X>
在试验X中,依次实施下述的第1步骤至第5步骤。由此,测定进入长度L1。
第1步骤:如图1A所示,由刚制造后的密封用片1准备厚度200μm的样品11。另外地,准备玻璃基板2、及9个经由凸块3而安装于玻璃基板2的上表面的虚拟芯片4。9个虚拟芯片4各自的尺寸为1mm×1mm×厚度200μm。9个虚拟芯片4相互隔开300μm的间隔,而以3列×3列的方式排列配置。
第2步骤:如图1B所示,通过真空平板按压,将样品11以温度65℃、真空度1.6kPa以下、按压压力0.2MPa、60秒的方式朝向玻璃基板2进行按压。
第3步骤:将样品11在23℃、50%RH的条件下放置30分钟。
第4步骤:在大气压下将样品11在150℃加热1小时,从而使样品11热固化。
第5步骤:测定样品向位于中央的虚拟芯片4的下表面与玻璃基板2的上表面之间分隔开的空隙10内的进入长度L1。
虽然未图示,但当存在形成于上述空隙10的外侧的未填充空间时,将未填充空间的长度L1设为负值而求得。
<试验Y>
另外地,在试验Y中,实施第1步骤至第5步骤。但是,将第3步骤的放置时间从30分钟变更为24小时。在第5步骤中,测定样品11的第2进入长度L2。
求得根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从上述第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动(L1-L2)的百分率([L1-L2]/L1×100)。
2.电子元件装置
参照图2,对具备由上述密封用片所成形的密封体片的电子元件装置的一实施方式进行说明。
电子元件装置5具有厚度。电子元件装置5在面方向上延伸。电子元件装置5具备密封体片6和电子元件7。电子元件装置5进一步具备凸块8和安装基板9。
2.1密封体片6
密封体片6对电子元件7进行密封。密封体片6配置在厚度方向上的电子元件装置5的一端部。密封体片6形成厚度方向上的电子元件装置5的一个面。密封体片6是上述密封用片1(参照图1A和图1B)的固化体。
2.2电子元件7
在本实施方式中,多个电子元件7被配置于电子元件装置5。电子元件7在截面视图具有大致矩形形状。多个电子元件7相互在面方向上隔开间隔地进行配置。在厚度方向上的电子元件7的另一面上设置有电极(未图示)。在本发明中,针对一个电子元件7,设置有多个电极。作为电子元件7,例如可举出半导体元件。
2.3凸块8
凸块8将多个电子元件7各自的电极(未图示)与安装基板9的电极电连接。凸块8配置在电子元件7的电极与安装基板9的电极之间。凸块8具有在厚度方向上延伸的形状。
2.4安装基板9
安装基板9配置在厚度方向上的电子元件装置5的另一端部。安装基板9形成厚度方向上的电子元件装置5的另一个面。安装基板9在面方向上延伸。安装基板9具有片形状。厚度方向上的安装基板9的一个面面对厚度方向上的电子元件7的另一个面。在上述安装基板9的一个面配置有电极(未图示)。
在安装基板9的一个面的面对上述电子元件7的区域与电子元件7的另一个面之间,分隔出间隙10。在间隙10的周端部,容许密封体片6的一部分进入。
3.一实施方式的作用效果
在一实施方式中,刚制造后的密封用片的粘合力A0的、从粘合力A0向粘合力A1(将密封用片在23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力)的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)为10%以下,因此,即使当密封用片在低温区域中经过长时间时,也能够尽可能地抑制粘合力变动的百分率。
另外,相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下,因此,密封体片6的未反应物的量少。
对于具有作为脂肪族脲化合物的脲系固化促进剂的密封用片,由于低温区域中的脂肪族脲化合物的反应性低,因而安装基板与电子元件间的间隙中的进入长度的变动百分率的减少效果高。
对于该密封用片而言,根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动(L1-L2)的百分率([L1-L2]/L1×100)为90%以下,因此,即使在低温区域中经过长时间,密封的稳定性也优异。
该电子元件装置5具备由上述密封用片所成形的密封体片6,因此,密封的可靠性优异,未反应物的量少。
[实施例]
以下示出实施例和比较例,更具体地对本发明进行说明。需要说明的是,本发明不受任何实施例和比较例限定。另外,在以下记载中所用的配合比例(含有比例)、物性值、参数等具体数值可以替换成上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配合比例(含有比例)、物性值、参数等相关记载的上限(以“以下”、“小于”定义的数值)或下限(以“以上”、“超过”定义的数值)。
以下示出在实施例和比较例中使用的各成分。
环氧树脂A:新日铁化学公司制的YSLV-80XY,双酚F型环氧树脂
环氧树脂B:DIC公司制的EPICLON EXA-4850-150,改性双酚A型环氧树脂
酚醛树脂A:群荣化学公司制的LVR-8210DL,线型酚醛型酚醛树脂
酚醛树脂B:明和化成株式会社制的HME-7851SS,苯酚-芳烷基树脂
热塑性树脂:根上工业公司制的HME-2006M,含有羧基的丙烯酸酯共聚物,固体成分浓度80质量%的甲乙酮溶液
硅烷偶联剂:信越化学公司制的KBM-403,3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷
固化促进剂A:San-Apro公司制的U-CAT 3513N,上述式(2)所示的脲系固化促进剂,脂肪族脲化合物
固化促进剂B:San-Apro公司制的U-CAT 3512T,上述式(1)所示的脲系固化促进剂,芳香族脲化合物
固化促进剂C:四国化成工业公司制的2PHZ-PW,2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑
固化促进剂D:北兴化学工业公司制的TPP-K,四苯基鏻四苯基硼酸盐
无机填充剂A:DENKA公司制的FB-8SMFD,球状熔融二氧化硅粉末,平均粒径7.0μm
无机填充剂B:用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学公司制的产品名:KBM-503)对Admatechs公司制的SC220G-SMJ(平均粒径0.5μm)进行表面处理而得的无机填充剂。用相对于无机填充剂的100质量份为1质量份的硅烷偶联剂进行表面处理而得的无机粒子。
层状硅酸盐化合物:HOJUN公司制的S-BEN NX,表面经二甲基二硬脂铵改性而得的有机化膨润土
顔料:三菱化学公司制的#20,CARBON BLACK,粒径50nm
溶剂:甲乙酮
实施例1
在由表面经硅酮脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)构成的剥离衬垫的表面,涂布清漆而形成涂膜。关于清漆,依照表1中记载的处方,将各成分配合和混合而制备。接下来,将涂膜在120℃加热干燥1.5分钟,在剥离衬垫的表面制造厚度50μm的涂膜。涂膜处于B阶段。接下来,将4片涂膜在90℃贴合,制造厚度200μm的样品11。需要说明的是,该样品11也处于B阶段。
实施例2至实施例5和比较例1、2
与实施例1同样地操作,制造密封用片的样品11。但是,依照表1而变更配合处方。
<<评价>>
对于实施例1至实施例5和比较例1、2的样品11,分别评价下述项目。将结果记载于表1。
<粘合力A0、A1的变动的百分率>
在粘弹性测定装置(TA Instruments公司制的RSA-G2)装配2片直径15mm的板。上侧和下侧的板分别为圆板状,将样品11用双面胶带固定于下侧的板。其后,在25℃气氛下使上侧的板(探头)下降,以1.74N的载荷将上侧的板按压在样品11上60秒。其后,以5μm/秒使上侧的板上升,将为了从样品11剥离上侧的板所必需的载荷作为“刚制造后的密封用片的粘合力A0”而求得。
另外地,对于将刚制造后的样品11在23℃、50%RH经过24小时而得的样品11,与上述同样地操作,将为了从样品11剥离上侧的板所必需的载荷作为“在23℃、50%RH经过24小时而得的密封用片的粘合力A1”而测定。
然后,求得刚制造后的样品11的粘合力A0的、从粘合力A0向将样品11在23℃、50%RH经过24小时后的样品11的粘合力A1的变动(A0-A1)的百分率([A0-A1]/A0×100)。
<发热量的比率>
根据差示扫描量热测定(DSC),测定刚制造后的样品11的发热量。具体而言,依照下述条件,由通过差示扫描量热测定而取得的DSC曲线求得发热量。
差示扫描量热计:TA Instruments公司制的Q2000
测定温度:-10℃~300℃
升温速度:10℃/分钟
样品盘:铝制
另外地,根据差示扫描量热测定(DSC),测定将刚制造后的样品11在150℃加热20分钟后的样品11的发热量。
然后,求得相对于刚制造后的样品11的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将样品11在150℃加热20分钟后的样品11的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率。
<进入长度L1、L2的变动百分率>
<试验X>
在试验X中,依次实施下述的第1步骤至第5步骤,由此,测定进入长度L1。
第1步骤:如图1A所示,由刚制造后的样品11准备厚度200μm的的样品11。另外地,准备玻璃基板2、及9个经由凸块3而安装于玻璃基板2的上表面的虚拟芯片4。9个虚拟芯片4各自的尺寸为1mm×1mm×厚度200μm。9个虚拟芯片4相互隔开300μm的间隔地配置。9个虚拟芯片4以纵3列、横3列的方式排列配置。
第2步骤:如图1B所示,通过真空平板按压,将样品11以温度65℃、真空度1.6kPa以下、按压压力0.2MPa、60秒的方式朝向玻璃基板2进行按压。
第3步骤:使样品11接触于虚拟芯片4的上表面,并在23℃、50%RH的条件下放置30分钟。
第4步骤:在大气压下将样品11在150℃加热1小时,从而使样品11热固化。
第5步骤:测定样品11的向位于玻璃基板2的中央的虚拟芯片4的下表面与玻璃基板2的上表面之间分隔开的空隙10内的进入长度L1。
<试验Y>
另外地,在试验Y中,实施第1步骤至第5步骤。但是,将第3步骤的放置时间从30分钟变更为24小时。在第5步骤中,测定样品11的第2进入长度L2。
求得根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从上述第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动(L1-L2)的百分率([L1-L2]/L1×100)。
[表1]
需要说明的是,上述发明是作为本发明的例示的实施方式而提供的,但这只不过是例示,不作限定性解释。对于该技术领域的技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在前述的权利要求书中。
Claims (5)
1.一种密封用片,其是含有环氧树脂、酚醛树脂、脲系固化促进剂和无机填充剂的密封用片,
刚制造后的密封用片的粘合力A0的、从所述粘合力A0向粘合力A1的变动即[A0-A1]的百分率,即[A0-A1]/A0×100为10%以下,所述粘合力A1是将所述密封用片置于23℃、50%RH经过24小时后的密封用片的粘合力,
相对于刚制造后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量,将所述密封用片在150℃加热20分钟后的密封用片的根据差示扫描量热测定所求得的发热量的比率为0.10以下。
2.根据权利要求1所述的密封用片,其中,所述脲系固化促进剂为脂肪族脲化合物。
3.根据权利要求1或2所述的密封用片,其中,根据试验X所求得的第1进入长度L1的、从所述第1进入长度L1向根据试验Y所求得的第2进入长度L2的变动即[L1-L2]的百分率,即[L1-L2]/L1×100为90%以下,
<试验X>
依次实施下述的第1步骤至第5步骤,
第1步骤:由刚制造后的密封用片准备厚度200μm的样品,另行准备具备玻璃基板、及相互隔开300μm的间隔而排列配置的9个虚拟芯片的安装基板,所述虚拟芯片经由凸块而安装于所述玻璃基板的上表面并且具有1mm×1mm×厚度200μm的尺寸;
第2步骤:通过真空平板按压,将所述样品以温度65℃、真空度1.6kPa以下、按压压力0.2MPa、60秒的方式朝向所述玻璃基板按压;
第3步骤:使所述样品与所述虚拟芯片的上表面接触,并在23℃、50%RH的条件下放置30分钟;
第4步骤:在大气压下将所述样品于150℃加热1小时,从而使所述样品热固化;
第5步骤:测定所述样品向位于所述玻璃基板的中央的所述虚拟芯片的下表面与所述玻璃基板的上表面之间分隔开的空隙内的进入长度L1,
<试验Y>
实施所述第1步骤至所述第5步骤,但是,将第3步骤的放置时间从30分钟变更为24小时,在第5步骤中,测定样品的第2进入长度L2。
4.一种电子元件装置,其具备:
由权利要求1或2所述的密封用片所成形的密封体片、及
通过所述密封体片密封的电子元件。
5.一种电子元件装置,其具备:
由权利要求3所述的密封用片所成形的密封体片、及
通过所述密封体片密封的电子元件。
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