CN110517723A - 高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,属于微波复合材料领域。所述高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法包括:步骤1:对铁硅铝合金微粉片状化处理;步骤2:采用溶胶凝胶燃烧法制备Co2Z铁氧体;步骤3:将步骤1制备得到的铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按一定比例混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理。本发明采用片状铁硅铝与Co2Z铁氧体相复合的方法,利用片状化铁硅铝合金磁导率高,Co2Z铁氧体介电常数低的优点,优化制备工艺,有效提高复合吸波材料在低频段的吸波性能。
Description
技术领域
本发明涉及微波复合材料领域,特别是指一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法。
背景技术
微波吸收材料是一种重要的功能材料,它在隐身技术、微波通讯、微波暗室、抗电磁辐射以及防止电磁污染等方面得到了广泛的应用。随着技术的发展,对抗电磁干扰以及武器装备隐身提出了迫切要求,而电磁波工作频段的低频化对吸波材料提出了更高的要求。
金属微粉吸收材料主要是通过磁滞损耗、涡流损耗等吸收衰减电磁波。由于颗粒尺寸较小,表面原子所占比例急剧增大,导致能带结构发生变化,呈现一系列的量子尺寸效应、宏观电子隧道效应,使微粉的声、光、电、磁、热以及催化等特性明显不同于原来的宏观物质。金属微粉不仅具有良好的电磁参数,而且可以通过调节微粉粒度来调节电磁参数,这个特点有利于达到匹配和展宽频带。金属微粉吸波材料的缺点在于:抗氧化、耐酸碱能力差,远不如铁氧体;介电常数较大且频谱特性差,低频段吸收性能较差;密度较大,其吸收剂体积占空比一般大于50%。
铁氧体吸波材料是研究较多的一种吸波材料,按晶体结构的不同可分为立方晶系尖晶石型、六角晶系磁铅石型和稀土石榴石型3种。铁氧体的吸波性能来源于其既具有亚铁磁性又有介电性能,其相对磁导率和相对电导率均呈复数形式,它既能产生介电损耗又能产生磁滞损耗、吸波性能良好。虽然铁氧体吸波材料具有吸收强、频带较宽及成本低的优点,但其具有高温稳定性差等缺陷,在高温环境下和高频段范围内它们的吸收性能比较差,限制了其在特定环境中的广泛应用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是磁性金属微粉吸收剂在低频段如1GHz处存在磁导率低,吸收效能差的缺陷,提供一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提供技术方案如下:
本发明提供一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,包括:
步骤1:对铁硅铝合金微粉进行片状化处理;
步骤2:采用溶胶凝胶燃烧法制备Co2Z铁氧体;
步骤3:将步骤1制备得到的铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按一定比例混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得。
其中,所述步骤1中,片状化处理为采用高能球磨机对铁硅铝合金微粉进行球磨,球磨介质为工业乙醇,球磨助剂为硬脂酸。
进一步的,所述球磨工艺为:
一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min-150min,球磨速度320r/min-360r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h-2.5h,球磨速度200r/min-240r/min,球料比为15:1。
进一步的,所述球磨助剂与铁硅铝合金微粉的重量比为100:1。
进一步的,所述步骤2中,Co2Z铁氧体的制备方法为:
(1)称取硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴,溶解于去离子水中,加入络合剂柠檬酸,混合均匀形成溶胶;
(2)向溶胶中加入适量氨水,使其pH值为7;
(3)将溶胶在85℃恒温条件下匀速搅拌,使溶液中的水分不断地挥发,金属离子与络合剂进一步络合,缩聚形成粘稠、不具流动性的凝胶,将其置于120℃下保温20h,形成干凝胶;
(4)将得到的干凝胶在200℃下保温2h,使干凝胶中的柠檬酸等燃烧,发生自蔓延反应,得到的蓬松粉体即为Co2Z铁氧体的前驱体;
(5)将得到的前驱体进行高温煅烧即可得到Co2Z铁氧体。
进一步的,所述(1)中,硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴的质量百分比为62.5%:25.6%:11.9%;硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴的总量与柠檬酸的重量比为1:1.2,所述硝酸铁与水的重量比为1:0.5。
进一步的,所述(5)中,高温煅烧的条件为高温煅烧的条件为1250℃,2小时。
进一步的,所述步骤3中,铁硅铝合金微粉与Co2Z铁氧体的质量比为10:1-5。
进一步的,所述步骤3中,高能球磨法包括:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min-150min,球磨速度250r/min-550r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2.0h-2.5h,球磨速度250r/min,球料比为15-20:1。
本发明具有以下有益效果:
1、铁硅铝粉的片状化处理采用二次研磨工艺,粉的径厚比增大,磁导率大幅提升;
2、在铁硅铝表面包覆铁氧体进行表面改性后,能大幅降低粉体的介电常数,同时大幅提升在微波波段磁导率;
3、铁硅铝表面包覆铁氧体后可实现共振频率可调,使共振频率往高频移动,最高可移动至4.8GHz。
附图说明
图1为本发明实施例3步骤1中片状化处理的对铁硅铝合金微粉SEM图片;
图2为本发明实施例1-5制备的吸收材料的SEM图,其中a-e依次对应为实施例1-5。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明针对现有技术中磁性金属微粉吸收剂在低频段如1GHz处存在磁导率低,吸收效能差的缺陷,提供一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法。
实施例1
高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,包括:
步骤1:采用高能球磨机对铁硅铝合金微粉进行球磨,球磨介质为工业乙醇,添加量以能淹没钢球为准,球磨助剂为硬脂酸,硬脂酸与铁硅铝合金微粉的重量比为100:1,球磨条件为:
一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min,球磨速度320r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度240r/min,球料比为15:1。
步骤2:采用溶胶凝胶燃烧法制备Co2Z铁氧体,Co2Z铁氧体的制备方法为:
(1)称取硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴,溶解于去离子水中,加入络合剂柠檬酸,混合均匀形成溶胶;
(2)向溶胶中加入适量氨水,使其pH值为7;
(3)将溶胶在85℃恒温条件下匀速搅拌,使溶液中的水分不断地挥发,金属离子与络合剂进一步络合,缩聚形成粘稠、不具流动性的凝胶,将其置于120℃下保温20h,形成干凝胶;
(4)将得到的干凝胶在200℃下保温2h,使干凝胶中的柠檬酸等燃烧,发生自蔓延反应,得到的蓬松粉体即为Co2Z铁氧体的前驱体;
(5)将得到的前驱体进行高温煅烧即可得到Co2Z铁氧体。
步骤3:将步骤1制备得到的铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按质量比为10:1混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得,球磨条件为:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min,球磨速度550r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2.5h,球磨速度250r/min,球料比为15:1。
实施例2
该实施例中高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法:
步骤1中,球磨条件为:一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间120min,球磨速度340r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度230r/min,球料比为15:1。
步骤3中,铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按质量比为5:1混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得,球磨条件为:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间120min,球磨速度500r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为15:1。
其余制备工艺步骤参数均与实施例1完全相同。
实施例3
该实施例中高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法:
步骤1中,球磨条件为:一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间130min,球磨速度340r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h,球磨速度240r/min,球料比为15:1。
步骤3中,铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按质量比为10:3混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得,球磨条件为:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间2.5h,球磨速度450r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为15:1。
其余制备工艺步骤参数均与实施例1完全相同。
如图1所示,采用二级球磨处理后的铁硅铝合金微粉,粉末粒径尺寸分布均匀,无小颗粒粉末存在,说明二级球磨过程可有效避免常规球磨“冷焊接”现象的发生,同时二级球磨更进一步提高了铁硅铝粉末的径厚比,大幅提高铁硅铝合金微粉的磁性能。
实施例4
该实施例中高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法:
步骤1中,球磨条件为:一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间140min,球磨速度330r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2.5h,球磨速度210r/min,球料比为15:1。
步骤3中,铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按质量比为5:2混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得,球磨条件为:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间150min,球磨速度350r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为20:1。
其余制备工艺步骤参数均与实施例1完全相同。
实施例5
该实施例中高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法:
步骤1中,球磨条件为:一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min,球磨速度360r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2.5h,球磨速度200r/min,球料比为15:1。
步骤3中,铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按质量比为2:1混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得,球磨条件为:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间150min,球磨速度250r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为20:1。
其余制备工艺步骤参数均与实施例1完全相同。
由图2c可知,铁硅铝合金表面包裹的铁氧体均匀且比较密集,铁氧体使用效率最高,最大程度的提高了吸波材料的磁导率;图2-a中,片状铁硅铝合金微粉变小,片状铁硅铝的片状延展性较差,不利于表面铁氧体的包裹;图2-b/d/e制备出的吸波材料中,片状铁硅铝合金微粉变大,表面铁氧体分散变疏,导致吸波材料的电磁率下降。
为了进一步说明本发明的有益效果,仅以最佳实施例3为例,设置如下对比例,需要说明的是,本发明中所采用的的试剂,无特殊说明,均为市售产品。本发明中采用的高能球磨机为XGB-40行星式球磨机.
对比例1
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,铁硅铝微粉不经过片状化处理,其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例2
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,铁硅铝微粉片状化处理的球磨条件为:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间130min,球磨速度340r/min,球料比为10:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例3
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,铁硅铝微粉片状化处理的球磨条件为:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h,球磨速度240r/min,球料比为15:1。
其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例4
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤3中球磨条件为采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间2.5h,球磨速度450r/min,球料比为10:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例5
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤3中球磨条件为采用采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为15:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例6
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤1中,球磨条件为采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间130min,球磨速度340r/min,球料比为10:1;步骤3中,球磨条件为采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间2.5h,球磨速度450r/min,球料比为10:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例7
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤1中,球磨条件为采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间130min,球磨速度340r/min,球料比为10:1;;步骤3中,球磨条件为采用采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为15:1,其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例8
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤1中,球磨条件为采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h,球磨速度240r/min,球料比为15:1;步骤3中,球磨条件为采用采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间2.5h,球磨速度450r/min,球料比为10:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
对比例9
该实施例GHz波段吸收材料的制备方法中,步骤1中,球磨条件为采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h,球磨速度240r/min,球料比为15:1;步骤3中,球磨条件为采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2h,球磨速度250r/min,球料比为15:1;其余制备工艺参数及步骤均与实施例3相同。
测定上述实施例1-5及对比例1-9制备的吸收材料的电磁性能,将所制备的吸收材料与石蜡按比例85:15混合,加热到75℃,把混合均匀的材料倒入磨具中将其压制为内径3.04mm,外径7.00mm,厚度在3mm左右的环,制得同轴测试样品,采用矢量网络分析仪,测试1GHz材料的磁导率和介电常数,具体数据见下表所示。
表1
组别 | 磁导率 | 介电常数 |
实施例1 | 112 | 10.2 |
实施例2 | 146 | 9.1 |
实施例3 | 198 | 8.3 |
实施例4 | 196 | 9.2 |
实施例5 | 142 | 10.5 |
对比例1 | 46 | 14.1 |
对比例2 | 62 | 14.5 |
对比例3 | 65 | 15.3 |
对比例4 | 61 | 14.2 |
对比例5 | 67 | 13.6 |
对比例6 | 56 | 15.5 |
对比例7 | 62 | 15.8 |
对比例8 | 54 | 14.7 |
对比例9 | 63 | 15.6 |
由上表可知,本发明提供的在铁硅铝表面包覆铁氧体进行表面改性后,能大幅降低粉体的介电常数,同时大幅提升在微波波段磁导率。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1:对铁硅铝合金微粉进行片状化处理;
步骤2:采用溶胶凝胶燃烧法制备Co2Z铁氧体;
步骤3:将步骤1制备得到的铁硅铝合金微粉与步骤2制备得到的Co2Z铁氧体按一定比例混合后,采用高能球磨法对其进行改性处理,即得。
2.根据权利要求1所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,片状化处理为采用高能球磨机对铁硅铝合金微粉进行球磨,球磨介质为工业乙醇,球磨助剂为硬脂酸。
3.根据权利要求2所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述球磨工艺为:
一级球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min-150min,球磨速度320r/min-360r/min,球料比为10:1;
二级球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间1.5h-2.5h,球磨速度200r/min-240r/min,球料比为15:1。
4.根据权利要求2所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述球磨助剂与铁硅铝合金微粉的重量比为100:1。
5.根据权利要求1所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,Co2Z铁氧体的制备方法为:
(1)称取硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴,溶解于去离子水中,加入柠檬酸,混合均匀形成溶胶;
(2)向溶胶中加入适量氨水,使其pH值为7;
(3)将溶胶在85℃恒温条件下匀速搅拌得到粘稠凝胶,将其置于120℃下保温20h,形成干凝胶;
(4)将得到的干凝胶在200℃下保温2h,得到Co2Z铁氧体的前驱体;
(5)将得到的前驱体进行高温煅烧即可得到Co2Z铁氧体。
6.根据权利要5所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述(1)中,硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴的质量百分比为62.5%:25.6%:11.9%;硝酸铁、硝酸钡及硝酸钴的总量与柠檬酸的重量比为1:1.2,所述硝酸铁与水的重量比为1:0.5。
7.根据权利要5所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述(5)中,高温煅烧的条件为1250℃,2小时。
8.根据权利要1所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,铁硅铝合金微粉与Co2Z铁氧体的质量比为10:1-5。
9.根据权利要求1所述的高磁导率GHz波段吸收材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,高能球磨法包括:
第一阶段球磨:采用10kgΦ3mm钢球,球磨时间100min-150min,球磨速度250r/min-550r/min,球料比为10:1;
第二阶段球磨:采用10kgΦ5mm钢球与5kg直径5mm×高度5mm锆珠,球磨时间2.0h-2.5h,球磨速度250r/min,球料比为15-20:1。
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Denomination of invention: Preparation method of high permeability GHz band absorption materials Effective date of registration: 20230831 Granted publication date: 20220401 Pledgee: Shandong Linyi Luozhuang Rural Commercial Bank Co.,Ltd. Pledgor: SHANDONG ZHONGRUI ELECTRONICS Co.,Ltd. Registration number: Y2023980054798 |
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