CN110494936A - 包括种子层的转印膜的制造方法、利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法及蚀刻液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种包括电极层的转印膜的制造方法。根据本发明的包括电极层的转印膜的制造方法，其特征在于包括：在载体部件上利用导电性物质形成电极层的电极层形成步骤；在绝缘树脂层的至少一面上分别配设所述载体部件的配设步骤；加压所述载体部件和所述绝缘树脂层使之接合的接合步骤；及去除载体部件以在所述绝缘树脂层上转印电极层的转印步骤。

Description

包括种子层的转印膜的制造方法、利用种子层的选择性蚀刻 的电路板的制造方法及蚀刻液组合物
技术领域
本发明涉及一种包括种子层的转印膜的制造方法，更为详细地，涉及一种不使用铜箔薄膜也能够提供用于形成电路的种子层的包括种子层的转印膜的制造方法。
背景技术
通常印刷电路板(Printed Circuit Board)是装载各种电子部件并电性连接的基板形态的电子部件。
印刷电路板根据配线结构的电路图案层分为单层、双面、多层型等各种类型，在印刷电路板的应用初期，以在单面形成印刷配线等的结构相对简单的产品为主，但逐渐地随着电子产品的轻量化、小型化、多功能化及复合功能化，布线密度变高且结构变复杂，并向双面、多层型等多层产品演进。
这种印刷电路板中，以双面柔性印刷电路板为例说明双面印刷电路板的通常的制造方法。
准备在聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film)或聚酯(Polyester)薄膜等绝缘薄膜的两侧面分别层压薄膜的铜(Cu)的双面覆铜箔层压板(CCL；Copper Clad Laminate)薄膜原料之后，为了电性连接要形成所述铜(Cu)层电路图案的部分，利用钻孔机等在CCL薄膜的指定位置上形成通孔之后，对这一通孔进行金属镀以使铜(Cu)层电性连接。然后，在CCL薄膜的两侧铜(Cu)层上利用感光性薄膜或涂布液体，并通过曝光、显影、蚀刻、剥离工序，将各个铜(Cu)层加工成指定的电路图案的方法来制造双面柔性电路板。
但是，如上所述的传统的制造方法，由于要使用昂贵的铜箔薄膜，存在制造成本增多的问题。特别是，在制造高多层印刷电路板时，存在难以微细地形成内层电路的问题。
另外，作为实现现有电路的方法多使用着利用光固化树脂进行曝光、蚀刻而形成图案的平版印刷工序。平版印刷工序是在形成有镀铜层的基材上利用光固化树脂形成所要实现的图案，并进行曝光及蚀刻而制造铜电路板的方法。但是，这种平版印刷工序能实现的间距最小为35um，难以形成微图案。
由于这种工序上的困难，作为用于实现微细间距的工法，最近主要利用半加成方法(SAP，Semi Additive Process)方法。通过溅射、化学气相沉积、无电解镀或挤压方法，利用光固化树脂在层压有薄的金属种子层的基板材料上形成图案，并在这样形成的图案槽上镀上铜等导电性物质之后去除光固化树脂。通过镀铜形成电路之后，利用蚀刻液去除已去除光固化树脂的金属种子层，以实现微细间距电路。
但是，可适用SAP方法的覆铜箔层压板能够实现微间距，但不同于现有的二层、三层型覆铜箔层压板，在薄膜上形成有种子层，因此附着力不好，而且种子层由与铜(Cu)、铬(Cr)或镍(Ni)等的与铜金属一起蚀刻的金属或金属合金或金属化合物形成，因此在去除光固化树脂之后蚀刻种子层的工序中，如图9所示，由铜材质构成的电路形成部分也一起受到蚀刻，导致厚度和线宽不均匀(图3)。而且，如果不能完全去除种子层，则由于迁移导致不良产品产生。
目前为止，作为蚀刻金属配线或薄膜方法，最普遍使用的方法分为利用等离子处理或利用蚀刻溶液的方法，而使用蚀刻溶液时，通常由磷酸、硝酸、醋酸、盐酸、硫酸、氨、磷酸铁、硝酸铁、硫酸铁、盐酸铁、氯酸钠及水构成，因此作为蚀刻溶液使用时，不仅是银还同时蚀刻其他金属或金属合金或金属化合物，导致金属电路层受损。因此，具有形成蚀刻因子(Etch factor)低的不良图案的缺点。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种包括种子层的转印膜的制造方法，该方法不使用铜箔薄膜也能够提供用于电路形成的种子层。
而且，提供一种包括种子层的转印膜的制造方法，该方法利用表面平滑度粗糙的薄膜构成绝缘树脂层的同时能够防止种子层的表面平滑度降低。
本发明的目的在于提供一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，该方法提供平滑度优秀的种子层，以确保在种子层上形成的镀层平滑度，由此能够形成精细的电路图案。
而且，本发明的目的在于提供一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，该方法提供表面粗糙度优秀的种子层，使得用于在种子层上形成图案层的曝光工序中，在种子层的表面发生的散射相比铜材质镀层受到抑制，因此能够形成相对精细的图案槽，从而能够形成微电路。
而且，本发明的目的在于提供一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，该方法利用代替铜使用导电性好的银或银合金或银化合物通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂布或浸渍等工序形成薄种子层的转印膜，通过湿式工序或SAP工序形成图案后选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物以实现电路。
而且，本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物将金属电路层的去除抑制到最小，选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物，使得金属电路层不受损并且蚀刻因子(Etch factor)高。
所述目的通过本发明的包括种子层的转印膜的制造方法来实现。本发明的包括转印膜的制造方法包括：种子层形成步骤，用第一导电性物质在载体部件上形成种子层；配设步骤，在绝缘树脂层的至少一面上配设所述种子层；接合步骤，向厚度方向加压所述种子层和所述绝缘树脂层使之接合；及转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层。
在此，所述载体部件优选地包括以具有平滑表面为特征的种子层。
而且，所述第一导电性物质优选地由银(Ag)或银合金或银化合物构成。
而且，所述绝缘树脂层优选地由预浸(Prepreg)片或粘结片或热熔性(Hot-melt)热固化树脂形成。
而且，在所述接合步骤中，优选地通过热压(Hot-press)工序向所述种子层接合绝缘树脂层。
而且，所述载体部件和所述种子层的结合力优选地设置成相比所述绝缘树脂层和种子层之间的结合力相对更低。
而且，在所述配设步骤之前，优选地进行在所述种子层上形成热固化树脂层的热固化树脂层形成步骤。
而且，所述热固化树脂层优选地在未固化的状态下被涂布到种子层上之后，在接合步骤中得到固化。
而且，所述载体部件和所述种子层的结合力优选被设置成相比所述热固化树脂层和所述种子层的结合力相对更低。
本发明的另一目的可通过利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法来实现，该方法包括：转印膜准备步骤，准备在绝缘树脂层上层压有银(Ag)材质的种子层及载体部件的转印膜；载体部件去除步骤，剥离所述转印膜的载体部件而露出种子层；电路图案形成步骤，在所述种子层上形成铜(Cu)材质的电路图案；及种子层蚀刻步骤，去除通过所述电路图案露出的种子层。
在此，在所述种子层蚀刻步骤中，优选地利用能够仅溶解银材质的种子层的选择性蚀刻液去除所述种子层。
而且，在所述载体部件去除步骤之后，优选地进行如下步骤：第一镀层形成步骤，在所述绝缘树脂层的两面形成的种子层上形成铜(Cu)材质的第一镀层；通孔形成步骤，形成从一面的第一镀层贯通到另一面的第一镀层的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
而且，在所述种子层蚀刻步骤之后，优选地进行如下步骤：转印膜接合步骤，在所述电路图案上依次配设绝缘树脂层和形成有银(Ag)材质种子层的载体部件，向厚度方向加压所述接种子层和绝缘树脂层使之接合；转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层；及电路图案形成步骤，在所述种子层上形成(Cu)材质的电路图案。
而且，在所述转印步骤之后，优选地进行如下步骤：第一镀层形成步骤，在所述种子层上形成铜(Cu)材质的第一镀层；通孔形成步骤，为了使所述绝缘树脂层下部的电路图案露出，形成贯通所述第一镀层、所述种子层及所述绝缘树脂层的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
而且，所述电路图案形成步骤优选地包括：第二镀层形成步骤，在所述第一镀层及导电部的表面上形成铜材质的第二镀层；图案层形成步骤，在所述第二镀层上形成选择性地露出所述第二镀层的图案层；镀层蚀刻步骤，蚀刻从所述图案层之间露出的铜材质的第一镀层及第二镀层，以形成电路图案；及图案层去除步骤，去除所述图案层。
本发明的另一目可通过利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法实现，该方法包括：转印膜准备步骤，准备在绝缘树脂层的两面层压有银材质的种子层及载体部件的转印膜；载体部件去除步骤，剥离所述转印膜的载体部件以露出种子层；电路图案形成步骤，在所述种子层上形成铜材质的电路图案；及种子层蚀刻步骤，去除通过所述电路图案露出的种子层。
在此，在所述种子层蚀刻步骤中，优选地利用能够仅溶解银材质的种子层的选择性蚀刻液去除所述种子层。
而且，在转印膜准备步骤之后，优选地进行如下步骤：通孔形成步骤，形成将所述转印膜向厚度方向贯通的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
而且，在所述种子层蚀刻步骤之后，优选地进行如下步骤：接合步骤，在所述电路图案上依次配设绝缘树脂层和形成有银(Ag)材质种子层的载体部件，向厚度方向加压所述种子层和所述绝缘树脂层使之接合；转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层。
而且，在所述转印步骤之后，优选地进行电路图案形成步骤，用于在所述种子层上形成铜(Cu)材质的电路图案。
而且，在所述接合步骤之后，优选地进行如下步骤：通孔形成步骤，为了使所述绝缘树脂层下部的电路图案露出，形成贯通所述载体部件、所述种子层及所述绝缘树脂层的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
而且，所述电路图案形成步骤优选地包括：图案层形成步骤，在所述种子层上形成选择性地露出种子层的图案层；第一镀层形成步骤，在从所述图案层之间露出的种子层及导电部的表面上形成铜材质的第一镀层；及图案层去除步骤，去除所述图案层。
而且，所述选择性蚀刻液优选地包括：氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
而且，对于选择性蚀刻液的总量100％重量，所述选择性蚀刻液优选地包括氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，水为余量。
而且，所述氧化剂优选为从由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾构成的组中选择的一种以上。
而且，所述氧化性气体优选为从由空气、氧及臭氧构成的组中选择的一种以上；所述过氧化物为从由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoylperoxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)构成的组中选择的一种以上；所述过氧酸为从由甲酸(Formic acid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)构成的组中选择的一种以上。
而且，优选地所述胺类为从由脂肪胺、芳香胺及烷醇胺构成的组中选择的一种以上。
而且，优选地所述胺类或铵化合物为从由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、哌啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammonium phosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氢氧化铵(Ammonium hydroxide)构成的组中选择的一种以上。
而且，所述添加剂优选为从由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂构成的组中选择的一种以上。
本发明的另一目的可通过蚀刻液组合物实现。本发明的蚀刻液组合物的特征在于选择性的蚀刻银材质种子层，所述蚀刻液组合物包括：氧化剂、胺类或铵化合物；添加剂；及水。
在此，对于选择性蚀刻液组合物的总量100％重量，所述选择性蚀刻液优选地包括氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，水为余量。
而且，所述氧化剂优选为从由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾构成的组中选择的一种以上。
而且，所述氧化性气体优选为从由空气、氧及臭氧构成的组中选择的一种以上；所述过氧化物为从由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoylperoxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)构成的组中选择的一种以上；所述过氧酸为从由甲酸(Formic acid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)构成的组中选择的一种以上。
而且，所述胺类优选为从由脂肪胺、芳香胺及烷醇胺构成的组中选择的一种以上。
而且，所述胺类或铵化合物优选为从由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、哌啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammoniumphosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氢氧化铵(Ammonium hydroxide)构成的组中选择的一种以上。
而且，所述添加剂优选为从由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂构成的组中选择的一种以上。
本发明提供一种包括种子层的转印膜的制造方法，该方法不使用铜箔薄膜也能够提供用于形成电路的种子层。
而且，提供一种包括种子层的转印膜的制造方法，该方法通过在种子层与绝缘树脂层之间插入热固化树脂层，从而利用表面平滑度粗糙的薄膜构成绝缘树脂层的同时能够防止种子层的表面平滑度降低。
本发明提供一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，该方法能够提供平滑度优秀的种子层，以确保在种子层上形成的镀层的平滑度，从而能够形成精细的电路图案。
本发明提供一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，该方法能够提供表面粗糙度优秀的种子层，使得用于在种子层上形成图案层的曝光工序中，在种子层的表面发生的散射相比铜材质的镀层受到抑制，因此能够形成相对精细的图案槽，由此能够形成微电路。
而且，本发明提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物，以使铜电路不受损并且蚀刻因子高。利用所述蚀刻液组合物能够进行高性能、高集成电路的设计，且能适用于需要轻薄短小的多种产品。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的流程图。
图2是根据本发明的第一实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图3是根据本发明的第二实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的流程图。
图4是根据本发明的第二实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图5是根据本发明的第三实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图6是根据本发明的第四实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图7是根据本发明的第五实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图8是根据本发明的第六实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
图9是图示利用传统的基板材料和蚀刻液组合物的电路形成方法的简略图。
图10是图示本发明的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的简略图。
图11是利用本发明的电路板的制造方法填充导电性物质之后去除图案层而形成电路的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图12是利用本发明的蚀刻液组合物选择性地仅蚀刻银材质种子层而形成电路的SEM照片。
图13是对本发明的蚀刻液组合物及比较例进行的蚀刻实验表。
具体实施方式
在进行说明之前需要明确的是，对于具有相同结构的结构要素使用相同的附图标记并在第一实施例中进行代表性的说明，在其他实施例中只说明不同于第一实施例的结构。
以下，参照附图详细说明根据本发明的第一实施例的包括种子层的转印膜的制造方法。
附图中，图1是根据本发明的第一实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的流程图，图2是根据本发明的第一实施例的各工序步骤的剖面图。
如图1及图2所示，根据本发明的第一实施例的包括种子层的转印膜的制造方法包括：种子层形成步骤S11，利用导电性物质在载体部件11上形成种子层12；配设步骤S12，在绝缘树脂层13的至少一面上分别配设所述载体部件11；接合步骤S13，加压所述载体部件与绝缘树脂层13使之接合；及转印步骤S14，去除载体部件11以在所述绝缘树脂层13上转印种子层12。
在所述种子层形成步骤S11中，向具有如PI薄膜等的平滑度优秀的平滑表面的载体部件11上涂布由银(Ag)材质构成的导电性物质以形成种子层12。另外，所述种子层形成步骤S11也可以通过在载体部件11上涂布将银(Ag)纳米粒子分散到热固化树脂上而制造的银(Ag)膏的方式形成种子层12。另外，所述载体部件11可由如尼龙、金属片等平滑度优秀的同时在后述的转印步骤S14中能够容易地从种子层12剥离的材质构成。所述种子层形成步骤S11中，可通过涂布、丝网印刷、化学沉积法、电镀、无电解镀等方法在载体部件11上形成所述种子层12。
在所述配设步骤S12中，使如上所述形成有种子层12的一对载体部件11分别位于绝缘树脂层13的两侧面，此时配设为形成在载体部件11上的种子层12与绝缘树脂层13相对。在此，所述绝缘树脂层13可利用热固化树脂含浸在环氧玻璃上而以半固化状态提供的预浸片(Prepreg)或粘结片或热熔性(Hot-melt)热固化树脂等。
在所述接合步骤S13中，在一对载体部件11之间插入绝缘树脂层13的状态下，向厚度方向施加压力，以使种子层12接合于绝缘树脂层13的两侧面。在这种接合步骤S13中可利用施加压力的同时提供热的热压设备。另外，在本实施例中以在绝缘树脂层13的两面上接合载体部件11为例进行了说明，但根据需要也可仅在绝缘树脂层13的一面上接合设有种子层12的载体部件11而构成。
在所述转印步骤S14中，从种子层12剥离载体部件11。如果从种子层12去除载体部件11，则种子层12向绝缘树脂层13侧转印。另外，所述载体部件11与种子层12的结合力被设成比所述绝缘树脂层13与种子层12的结合力相对较低。因此，在所述转印步骤S14中，能够从种子层12容易地剥离载体部件11的同时，在载体部件11的剥离过程中能够防止种子层12从绝缘树脂层13分离。
根据如上所述的本实施例，以向用于形成电路的基材上转印由银(Ag)材质构成的导电性种子层12的方式提供，在转印过程中能够防止种子层12的平滑度变低，因此能够提供不使用昂贵的的铜箔薄膜也能够实现微电路的种子层12。
特别是，本实施例还能适用于高多层印刷电路板的内层电路，因此通过内层电路的微细化减少整个高多层印刷电路板的层(layer)以能够减少成品的厚度及重量，并且随着整个层的减少，能够减少累计不良率。
在附图中，图3是根据本发明的第二实施例的包括种子层的转印膜的制造方法的流程图，图4是根据本发明的第二实施例的各工序步骤的剖面图。
如图3及图4所示，根据本发明的第二实施例的包括种子层的转印膜的制造方法包括：种子层形成步骤S21，利用导电性物质在载体部件11上形成种子层12；热固化树脂层形成步骤S22，在种子层12上涂布热固化树脂层14；配设步骤S23，在绝缘树脂层13的至少一面上分别配设所述载体部件11；接合步骤S24，加压所述载体部件和绝缘树脂层13使之接合；及转印步骤S25，去除载体部件11以在所述绝缘树脂层13上转印种子层12。
在所述种子层形成步骤S21中，向具有如PI薄膜等的平滑度优秀的平滑表面的载体部件11上涂布由银(Ag)材质构成的导电性物质以形成种子层12。另外，所述载体部件11可由如尼龙、金属片等平滑度优秀同时，在后述的转印步骤S25中能够容易地从种子层12剥离的材质构成。在所述种子层形成步骤S21中，可通过涂布、丝网印刷、溅射、化学沉积、电解镀或无电解镀等方法在载体部件11上形成所述种子层12。
在所述热固化树脂层形成步骤S22中，在所述种子层12上涂布热熔性热固化树脂，以形成热固化树脂层14。
在所述配设步骤S23中，使如上所述形成有种子层12和热固化树脂层14的一对载体部件11分别位于绝缘树脂层13的两侧面，此时配设为形成在载体部件11上的热固化树脂层14与绝缘树脂层13相对。在此，所述绝缘树脂层13可利用热固化树脂含浸在环氧玻璃中以半固化状态提供的预浸片。
在所述接合步骤S24中，在一双载体部件11之间插入绝缘树脂层13的状态下，向厚度方向施加压力，以使在绝缘树脂层13的两侧面接合热固化树脂层14。在这种接合步骤S24中可利用施加压力的同时提供热的热压设备，可利用接合步骤S24过程中提供的热来固化所述热固化树脂层14。
具体地，所述热固化树脂层14可以在没有固化的状态下涂布到种子层12上。即，由于通过热压设备施加的压力及热紧贴在由预浸材料构成的绝缘树脂层13上，填塞绝缘树脂层13的粗糙表面的同时开始固化，接着随着绝缘树脂层13固化，防止因绝缘树脂层13的凹凸表面而种子层12的平滑度降低。另外，在本实施例中以在绝缘树脂层13的两面上接合载体部件11为例进行了说明，但根据需要也可在绝缘树脂层13的一面上接合载体部件11而构成。
同时，在本实施例中以热固化树脂层14先固化的过程中平坦地填塞绝缘树脂层13的粗糙表面为例进行了说明，但是为了确保种子层12的平滑度可改变绝缘树脂层13及热固化树脂层14的固化顺序或者材质等。
在所述转印步骤S25中，从种子层12剥离载体部件11。如果从种子层12去除载体部件11，则种子层12向绝缘树脂层13侧转印。另外，所述载体部件11与种子层12的结合力被设成比所述热固化树脂层14与种子层12的结合力低。因此，在所述转印步骤S25中，能够容易地从种子层12剥离载体部件11的同时，在载体部件11的剥离过程中能够防止种子层12从热固化树脂层14分离。
根据如上所述的本实施例，利用表面平滑度不良的低廉的预浸材料来构成绝缘树脂层13的同时，将热固化树脂层14插入为中间层，由此能够防止种子层12的表面平滑度降低。因此，能够提供相比以往的昂贵的铜箔薄膜能够以相对低廉的费用实现微电路的种子层12。
在附图中，图5是根据本发明的第三实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
如图5所示，根据本发明的第三实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法用于通过湿式工序制造双面电路板，包括转印膜准备步骤S111、载体部件去除步骤S112、第一镀层形成步骤S113、通孔形成步骤S114、导电部形成步骤S115、电路图案形成步骤及种子层蚀刻步骤S120。
在所述转印膜准备步骤S111中，如图5的(a)所示，准备根据本发明的第二实施例制造的转印膜。在此，所述载体部件11的内侧面上形成有由银(Ag)材质的导电性物质构成的种子层12，种子层12的内侧面上形成有热固化树脂层14，热固化树脂层14通过热压工序分别接合于绝缘树脂层13的两侧面。另外，在此也可适用根据本发明的第一实施例制造的转印膜。
在所述载体部件去除步骤S112中，如图5的(b)所示，剥离接合于种子层12的载体部件11，以使种子层12露出。
在所述第一镀层形成步骤S113中，如图5的(c)所示，利用电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质而形成第一镀层15，在所述通孔形成步骤S114中，如图5的(d)所示，形成从一面的第一镀层15贯通到另一面的第一镀层15的通孔16。
在所述导电部形成步骤S115中，如图5的(e)所示，利用无电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质，以在通孔16的内壁面上形成导电部17。另外，所述导电部17除了无电解镀之外，也可利用印刷或者涂布金属油墨的方法形成。
所述电路图案形成步骤包括第二镀层形成步骤S116、图案层形成步骤S117、镀层蚀刻步骤S118及图案层去除步骤S119。
在所述第二镀层形成步骤S116中，如图5的(f)所示，利用电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质，以在所述第一镀层15及导电部17的表面进一步形成第二镀层18。
在所述图案层形成步骤S117中，如图5的(g)所示，在所述第二镀层18上涂布感光性物质之后，通过平版印刷工序形成选择性地露出第二镀层18的图案层19。
在所述镀层蚀刻步骤S118中，如图5的(h)所示，蚀刻从图案层19之间露出的铜材质的第一镀层15及第二镀层18，在所述图案层去除步骤S119中，如图5的(i)所示，去除图案层19。
接着，在所述种子层蚀刻步骤S120中，如图5的(j)所示，去除通过所述第一镀层15及第二镀层18的被蚀刻的部位露出的种子层12。
根据这种本发明的第三实施例，通过湿式工序，能够形成在绝缘树脂层13的两侧面上形成有电路图案的双面印刷电路板。另外，在本实施例中以图5的镀层蚀刻步骤S118之后进行图案层去除步骤S119和种子层蚀刻步骤S120为例进行了说明，但是在图5的镀层蚀刻步骤S118之后也可以省略图案层去除步骤S119而进行种子层蚀刻步骤S120。
特别是，在所述种子层蚀刻步骤S120中，通过去除从电路图案之间露出的种子层，能够形成希望图案的电路。在此，作为去除种子层的方法，利用能够选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物种子层的蚀刻液。即，由于仅蚀刻银材质的种子层，铜材质的电路图案不受损。
即，传统的技术中种子层与电路均由铜材质形成，因此具有在去除种子层的过程中电路被蚀刻液受损的问题。相反，在本实施例中，种子层由银或银合金或银化合物构成，并使用选择性地仅蚀刻种子层的蚀刻液，因此能够形成在如图10所示的种子层的蚀刻工序中电路不受损的微间距电路板。
在附图中，图6是根据本发明的第四实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
如图6所示的根据本发明的第四实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法用于在上述第三实施例中制造的双面电路板上进一步层压电路图案以形成多层型电路板。第三实施例的种子层蚀刻步骤S120之后进一步进行转印膜接合步骤S121、转印步骤S122、第一镀层形成步骤S123、通孔形成步骤S124、导电部形成步骤S125、电路图案形成步骤和种子层蚀刻步骤S130。
在所述转印膜接合步骤S121中，如图6的(a)所示，若将在载体部件11的一面接合有银材质的种子层12和热固化树脂层14的根据本发明制造的转印膜配设在双面印刷电路板的两侧面，并在转印膜与双面电路板之间分别设置绝缘树脂层13之后，进行利用热压设备的接合工序，就能在双面电路板上提供用于形成多层电路的种子层12。所述转印膜接合步骤中所提供的转印膜可以提供根据本发明的第一实施例或者第二实施例制造的转印膜，而在本实施例中以适用根据第二实施例制造的转印膜为例进行说明。
接着，在所述转印步骤S112中，如图6的(b)所示，剥离接合于种子层12的载体部件11，以使种子层12露出。
在所述第一镀层形成步骤S123中，如图6的(c)所示，通过电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质而形成第一镀层15，在所述通孔形成步骤S124中，如图6的(d)所示，形成贯通第一镀层15、种子层12、热固化树脂层14及绝缘树脂层13以使下部的电路图案露出的通孔16，在所述导电部形成步骤S125中，如图6的(e)所示，通过无电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性材料，以在通孔16的内壁面上形成导电部17。
所述电路图案形成步骤包括第二镀层形成步骤S126、图案层形成步骤S127、镀层蚀刻步骤S128及图案层去除步骤S129。
在所述第二镀层形成步骤S126中，如图6的(f)所示，通过电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质，以在所述第一镀层15及导电部17的表面上进一步形成第二镀层18。
在所述图案层形成步骤S127中，如图6的(g)所示，在所述第二镀层18上涂布感光性物质之后，通过平版印刷工序形成选择性地露出第二镀层18的图案层19。
在所述镀层蚀刻步骤S128中，如图6的(h)所示，蚀刻从图案层19之间露出的铜材质的第一镀层15及第二镀层18，在所述图案层去除步骤S129中，如图6的(i)所示，去除图案层19。
接着，在所述种子层蚀刻步骤S130中，如图6的(j)所示，去除通过所述第一镀层15及第二镀层18的被蚀刻部位露出的种子层12。
根据这种本发明的第四实施例，通过湿式工序能够形成设置有多层电路图案的多层型印刷电路板。
在附图中，图7是利用本发明的包括种子层的转印膜的制造方法，通过SAP(SemiAdditive Process)工序制造双面印刷电路板的各工序步骤的剖面图。
在附图中，图7是根据本发明的第五实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
如图7所示的根据本发明的第五实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法用于通过SAP(Semi Additive Process)工序制造双面电路板，包括转印膜准备步骤S211、通孔形成步骤S212、导电部形成步骤S213、载体部件去除步骤S214、电路图案形成步骤及种子层蚀刻步骤S218。
在所述转印膜准备步骤S211中，如图5的(a)所示，准备根据本发明的第二实施例制造的转印膜。在此，所述载体部件11的内侧面上形成有由银(Ag)材质的导电性物质构成的种子层12，种子层12的内侧面上形成有热固化树脂层14，热固化树脂层14通过热压工序分别接合于绝缘树脂层13的两侧面。另外，在此也可适用根据本发明的第一实施例制造的转印膜。
在所述通孔形成步骤S212中，如图7的(b)所示，形成从一面的载体部件11贯通到另一面的载体部件11的通孔16，在所述导电部形成步骤S213中，如图7的(c)所示，通过无电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质，以在通孔16的内壁面上形成导电部17，在所述载体部件去除步骤S214中，如图7的(d)所示，剥离接合于种子层12的载体部件11，以使种子层12露出。
所述电路图案形成步骤包括图案层形成步骤S215、第一镀层形成步骤S126及图案层去除步骤S217。
在所述图案层形成步骤S215中，如图7的(e)所示，如果在所述种子层12上涂布感光性物质之后，通过平版印刷工序形成选择性地露出种子层12的图案层19，则按照所要形成电路的图案，通过图案层19的图案槽选择性地露出种子层12。在此，用于形成所述图案槽的平版印刷工序在银(Ag)材质的种子层12上进行，银(Ag)材质的种子层12能够提供相比由镀覆形成的铜(Cu)材质的镀层相对提高的表面粗糙度。即在曝光工序中，在位于下部层的种子层12的表面上发生的散射相比铜材质的镀层受到抑制，因此能够形成相对精细的图案槽，由此提供能够形成微电路的效果。
在所述第一镀层形成步骤S216中，如图7的(f)所示，向图案层19的图案槽内部填充铜材质的导电性物质以形成第一镀层15。作为这种填充方法，可利用将所述种子层12作为种子(Seed)的电解镀方法。由于在镀覆过程中通过图案槽漏出的种子层12发挥电极作用，因此铜材质的导电性物质能够填充到图案槽中。
在所述图案层去除步骤S217中，如图7的(g)所示，去除图案层19。图11是表示通过图案层去除步骤S217去除图案层19的状态的SEM照片。
接着，在所述种子层蚀刻步骤S218中，如图7的(h)所示，利用选择性蚀刻液去除从图案层19之间漏出的银(Ag)材质的种子层12。在此，作为去除种子层的方法，利用能够选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物种子层的蚀刻液。即，由于仅蚀刻银材质的种子层12，因此铜材质的电路图案不会受损。图12是表示通过种子层蚀刻步骤S218去除种子层12的状态的SEM照片。
根据这种本发明的第五实施例，通过SAP(Semi Additive Process)工序，能够在绝缘树脂层13的两侧面上形成设置有微细电路图案的双面电路板。
在附图中，图8是根据本发明的第六实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法的各工序步骤的剖面图。
如图8所示的根据本发明的第六实施例的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法用于在上述第五实施例中制造的双面电路板上进一步层压电路图案以形成多层型电路板，而第五实施例的种子层蚀刻步骤S218之后进一步进行转印膜接合步骤S129、通孔形成步骤S220、导电部形成步骤S221、转印步骤S222、电路图案形成步骤及种子层蚀刻步骤S226。
在所述转印膜接合步骤S219中，如图8的(a)所示，将在载体部件11的一面上接合种子层12和热固化树脂层14的根据本发明制造的转印膜配设在双面印刷电路板的两侧面，并在转印膜与双面印刷电路板之间分别设置绝缘树脂层13之后，进行利用热压设备的接合工序。通过这种转印膜接合步骤，在双面电路板上能够进一步提供用于形成多层电路的种子层12。
在所述通孔形成步骤S220中，如图8的(b)所示，形成贯通载体部件11、种子层12、热固化树脂层14及绝缘树脂层13，以形成使下部的第一镀层15露出的通孔16。
在所述导电部形成步骤S221中，如图8的(c)所示，通过无电解镀方式镀覆铜(Cu)材质的导电性物质，以在通孔16的内壁面上形成导电部17。
在所述转印步骤S222中，如图8的(d)所示，剥离接合在种子层12上的载体部件11，以使种子层12露出。
所述电路图案形成步骤包括图案层形成步骤S223、第一镀层形成步骤S224及图案层去除步骤(S225)。
在所述图案层形成步骤S215中，如图8的(e)所示，如果在所述种子层12上涂布感光性物质之后，通过平版印刷工序形成选择性地露出种子层12的图案层19，则按照所要形成电路的图案，通过图案层19的图案槽选择性地露出种子层12。在此，用于形成所述图案槽的平版印刷工序在银(Ag)材质的种子层12上进行，银(Ag)材质的种子层12能够提供相比由镀覆形成的铜(Cu)材质的镀层相对提高的表面粗糙度。即在曝光工序中，在位于下部层的种子层12的表面上发生的散射相比铜材质的镀层受到抑制，因此能够形成相对精细的图案槽，由此提供能够形成微电路的效果。
在所述第一镀层形成步骤S216中，如图8的(f)所示，向图案层19的图案槽内部填充铜材质的导电性物质以进一步形成第一镀层15。作为这种填充方法，可利用将所述种子层12作为种子(Seed)的电解镀方法。由于在镀覆过程中通过图案槽漏出的种子层12发挥电极作用，因此铜材质的导电性物质能够填充到图案槽中。
在所述图案层去除步骤S217中，如图8的(g)所示，去除图案层19。
在所述种子层蚀刻步骤S218中，如图8的(h)所示，利用选择性蚀刻液去除从图案层19之间漏出的银(Ag)材质的种子层12。
根据这种本发明的第六实施例，通过SAP(Semi Additive Process)工序，能够形成设置有多层电路图案的多层型电路板。
而且，如上所述，本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物。
所述种子层是由银或银合金或银化合物构成的薄膜，形成种子层时包括溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂布、浸渍工序及能够形成金属或金属合金或金属化合物的所有一般工序，并不特别限定种子层形成工序。
以下，详细说明本发明的银或银合金或银化合物的选择性蚀刻液组合物。
作为本发明的选择性蚀刻液组合物，可使用本申请人在韩国专利第10-0712879号中描述的包含铵化合物和氧化剂的蚀刻液组合物；也可使用包含氧化性气体或过氧化物或过氧酸等氧化剂和，脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或铵化合物和，螯合剂、消泡剂、润湿剂、pH调节剂及除此之外为了提高蚀刻液的蚀刻性能而选择的一种以上的添加剂和水的选择性蚀刻液组合物。下面具体说明选择性蚀刻液的各组成。
本发明的银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物中包含的氧化剂(Oxidizingagent)发挥氧化种子层表面上的银材质的作用。传统的技术公开了使用硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸铁、氯化铁、硫酸铁或磷酸铁等的蚀刻液组合物。但是，这种蚀刻液组合物是用于氧化并解离铜、镍、铬等金属的物质，不适合于用作选择性地仅蚀刻银的电路蚀刻液。
所述氧化剂使用如空气、氧、臭氧等的氧化性气体；如过硼酸钠(Sodiumperborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoyl peroxide)、过氧化钾(Potassiumperoxide)、过氧化钠(Sodium peroxide)等的过氧化物(Peroxides)；如甲酸(Formicacid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)、三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的过氧酸(Peroxy acid)；及过硫酸钾(Potassium persulfate)，而使用这种氧化剂时优选地混合使用至少一种以上的氧化剂。
对于银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物的总重量，所述氧化剂的含量优选为1至30重量％，更优选为5至18重量％。如果所述氧化剂少于1重量％，则由于蚀刻速度慢且不能进行完整的蚀刻，有可能发生大量的银残渣。如果银残渣存在于电路与电路之间，则会发生短路，成为产品发生不良的原因，而缓慢的蚀刻速度影响生产率。如果超过30重量％，露出的种子层的蚀刻速度是快，但是影响存在于电路层下的种子层，故导致过度的底切现象。这种底切现象是影响电路层的附着力的因素，因此优选抑制底切现象发生。
本发明的银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物中包含的脂肪胺(Aliphaticamine)或芳香胺(Aromatic amine)或烷醇胺(Alkanol amine)或铵化合物起到解离种子层中氧化的银的作用。通过氧化剂的氧化反应和通过脂肪胺或芳香胺的解离反应，能够选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物。如上说明，现有的蚀刻液组合物中所包含的硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸铁、盐酸铁、硫酸铁、磷酸铁等是一种物质作为主蚀刻剂与铜反应而同时发生氧化和解离。但是，本发明的蚀刻液是各两种物质负责氧化和解离反应，氧化的银和脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或铵化合物的解离反应相比铜的解离反应进行得更激烈，因此选择性地仅蚀刻由银或银合金或银化合物形成的种子层。
所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或铵化合物使用如乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、哌啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammonium phosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)、氢氧化铵(Ammonium hydroxide)等胺类或铵化合物，而使用这种胺类或铵化合物时优选地混合使用至少一种以上的胺类或铵化合物。
对于银材质种子层的蚀刻液组合物总重量，所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或铵化合物的含量优选为1至75重量％，更优选为20至70重量％。如果所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或铵化合物少于1重量％，则氧化的银的解离反应的发生并不良好，导致银种子层的蚀刻速度变慢。如果超过75重量％，种子层的选择性蚀刻是不存在问题，但是过度的胺类或铵化合物的使用会让氧化剂在蚀刻液中作为阻碍银或银合金或银化合物的氧化的主要因素来起作用，因此选择性蚀刻速度急剧降低。因此，胺类或铵化合物的使用量优选为能够发生种子层表面氧化反应，且溶解氧化的银，以顺利进行选择性蚀刻的量。
在本发明的银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物中包含的螯合剂、消泡剂、润湿剂、pH调节剂及除此之外为了提高蚀刻液的蚀刻性能而选择的一种以上的添加剂可以使用能够起到在氧化反应时可能发生的气泡的去除作用、给蚀刻液赋予能够很好地吸附于种子层表面的湿润性等作用、除此之外能够提高本发明效果的通常使用的添加剂。
对于银材料种子层的蚀刻液组合物总重量，根据添加剂的种类及作用，所述添加剂的含量优选为0.1至10重量％，更优选为1至7重量％。如果所述添加剂少于0.1重量％，则无法起到提高本发明的效果即选择性蚀刻特性的作用，如果超过10重量％，则在蚀刻液中发生胶化(或凝胶化)现象，大大降低蚀刻特性。
本发明的银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物包含上述物质，在100重量％的总量中水为余量。水优选使用去离子水。
以下，通过实施例更加详细地说明本发明，但实施例只是本发明的示例，本发明的范围并不限定于实施例。
实施例1：选择性蚀刻液组合物的制造
1-1：选择性蚀刻液组合物1的制造
混合过氧化氢(hydrogen peroxide)12重量％、单乙醇胺(Monoethanolamine)40重量％、润湿剂(wetting agent)1重量％、消泡剂(antifoaming agent)1重量％及去离子水(DI water)46重量％制造选择性蚀刻液组合物1。
1-2：选择性蚀刻液组合物2的制造
混合过碳酸钠(Sodium percarbonate)7重量％、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)32.5重量％、润湿剂0.5重量％、消泡剂1重量％及去离子水59重量％制造选择性蚀刻液组合物2。
1-3：选择性蚀刻液组合物3的制造
混合过碳酸钠4重量％、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)60重量％、润湿剂1.5重量％、消泡剂0.5重量％及去离子水34重量％制造选择性蚀刻液组合物3。
实施例2：比较例的制造
2-1：比较例1的制造
为了与实施例1中制造的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参照韩国公开专利公报第10-2016-0115189号中记载的实施例1，混合三价铁10重量％、硝酸5重量％、醋酸5重量％、EDTA 1重量％、乙醇酸1重量％及去离子水78重量％制造比较例1。
2-2：比较例2的制造
为了与实施例1中制造的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参照韩国公开专利公报第10-2010-0098409号中记载的实施例1，混合氨7重量％、过氧化氢1.5重量％及去离子水91.5重量％制造比较例2。
2-3：比较例3的制造
为了与实施例1中制造的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参照韩国公开专利公报第10-2010-0098409号中记载的比较例2，混合磷酸50重量％、硝酸5重量％、醋酸30重量％及去离子水15重量％制造比较例3。
实施例3：蚀刻实验结果
以对聚酰亚胺(PI)基板材料、试片大小2.5×2.5cm(Ag coating seed layer，镀银种子层，Cu FCCL)、蚀刻液量40g、蚀刻时间10秒、少于5ppm的N.D的ICP分析实验条件，对于实施例1中制造的选择性蚀刻液组合物及实施例2中制造的比较例进行蚀刻实验(图13)。
结果，选择性蚀刻液组合物1至3用10秒蚀刻时间蚀刻银而露出聚酰亚胺基板材料的表面，Cu FCCL表面没有发生特别的变色或特殊情况，可确认并未发生基于蚀刻液的表面氧化。
但是，可确认比较例1和2用相同的时间蚀刻时，银没有得到100％的蚀刻而存在残留物，Cu FCCL的表面被氧化而变色。而且，比较例3用相同的时间蚀刻时，银得到了100％的蚀刻，但是可确认Cu FCCL由于蚀刻速度过快而表面氧化急剧地进行。
通过ICP分析检测存在于蚀刻液中的银及铜成分而进行比较，可确认银没有得到100％的蚀刻的比较例1及2中检测出170ppm以下的银，在Cu FCCL表面被氧化而变色的比较例1至3中检测出铜。尤其是，在银被蚀刻得多的比较例1及3中，可确认铜的蚀刻速度也很快，检测出大量的铜。
结果，不同于比较例1至3，可确认选择性蚀刻液组合物1至3，在10秒的蚀刻时间内银被100％蚀刻成170ppm以上，铜为N.D(小于5ppm)，未被检测到。由此可明确地确认选择性蚀刻液组合物1至3选择性地仅蚀刻银。
本发明并不限于上述实施例，在权利要求书的范围内可以实现为多种形式的实施例。因此在不脱离权利要求书所要求保护的本发明精神的范围内，本领域技术人员可变形的各种范围均属于本发明的保护范围之内。
附图标记说明
11：载体部件
12：种子层
13：绝缘树脂层
14：热固化树脂层
15：第一镀层
16：通孔
17：导电部
18：第二镀层
19：图案层

Claims (36)

1.一种包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，包括：
种子层形成步骤，用第一导电性物质在载体部件上形成种子层；
配设步骤，在绝缘树脂层的至少一面上配设所述种子层；
接合步骤，向厚度方向加压并接合所述种子层和所述绝缘树脂层；及
转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层。
2.根据权利要求1所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述载体部件具有平滑表面。
3.根据权利要求2所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述第一导电性物质由银(Ag)、银合金或银化合物构成。
4.根据权利要求1所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述绝缘树脂层由预浸片或粘结片或热熔性(Hot-melt)热固化树脂形成。
5.根据权利要求4所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
在所述接合步骤中通过热压(Hot-press)工序向所述种子层接合绝缘树脂层。
6.根据权利要求1所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述载体部件与所述种子层的结合力被设成相比所述绝缘树脂层与所述种子层之间的结合力相对更低。
7.根据权利要求1所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
在所述配设步骤之前进行热固化树脂层形成步骤，所述热固化树脂层形成步骤用于在所述种子层上形成热固化树脂层。
8.根据权利要求7所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述热固化树脂层在未固化的状态下被涂布到种子层上之后，在接合步骤中得到固化。
9.根据权利要求8所述的包括种子层的转印膜的制造方法，其特征在于，
所述载体部件与所述种子层的结合力被设成相比所述热固化树脂层与所述种子层的结合力相对更低。
10.一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，包括：
转印膜准备步骤，准备在绝缘树脂层上层压有银(Ag)材质的种子层及载体部件的转印膜；
载体部件去除步骤，剥离所述转印膜的载体部件而露出种子层；
电路图案形成步骤，在所述种子层上形成铜(Cu)材质的电路图案；及
种子层蚀刻步骤，去除通过所述电路图案露出的种子层。
11.根据权利要求10所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述种子层蚀刻步骤中，利用能够仅溶解银材质的种子层的选择性蚀刻液进行去除所述种子层。
12.根据权利要求10所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述载体部件去除步骤之后，进行如下步骤：
第一镀层形成步骤，在所述绝缘树脂层的两面形成的种子层上形成铜(Cu)材质的第一镀层；
通孔形成步骤，形成从一面的第一镀层贯通到另一面的第一镀层的通孔；及
导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
13.根据权利要求10所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述种子层蚀刻步骤之后，进行如下步骤：
转印膜接合步骤，在所述电路图案上依次配设绝缘树脂层和形成有银(Ag)材质种子层的载体部件，向厚度方向加压所述种子层和所述绝缘树脂层使之接合；转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层；及电路图案形成步骤，在所述种子层上形成(Cu)材质的电路图案。
14.根据权利要求13所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述转印步骤之后，进行如下步骤：第一镀层形成步骤，在所述种子层上形成铜(Cu)材质的第一镀层；通孔形成步骤，为了使所述绝缘树脂层下部的电路图案露出，形成贯通所述第一镀层、所述种子层及所述绝缘树脂层的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
15.根据权利要求12或14所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述电路图案形成步骤包括：
第二镀层形成步骤，在所述第一镀层及所述导电部的表面上形成铜材质的第二镀层；
图案层形成步骤，在所述第二镀层上形成选择性地露出所述第二镀层的图案层；
镀层蚀刻步骤，蚀刻从所述图案层之间露出的铜材质的第一镀层及第二镀层，以形成电路图案；及
图案层去除步骤，去除所述图案层。
16.一种利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，包括：
转印膜准备步骤，准备在绝缘树脂层的两面层压有银材质的种子层及载体部件的转印膜；
载体部件去除步骤，剥离所述转印膜的载体部件而露出种子层；
电路图案形成步骤，在所述种子层上形成铜材质的电路图案；及
种子层蚀刻步骤，去除通过所述电路图案露出的种子层。
17.根据权利要求16所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述种子层蚀刻步骤中，利用能够仅溶解银材质的种子层的选择性蚀刻液去除所述种子层。
18.根据权利要求16所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在转印膜准备步骤之后，进行如下步骤：通孔形成步骤，形成将所述转印膜向厚度方向贯通的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
19.根据权利要求18所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述种子层蚀刻步骤之后，进行如下步骤：接合步骤，在所述电路图案上依次配设绝缘树脂层和形成有银(Ag)材质种子层的载体部件，向厚度方向加压所述种子层和所述绝缘树脂层使之接合；转印步骤，去除所述载体部件，以在所述绝缘树脂层上转印种子层。
20.根据权利要求19所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述转印步骤之后，进行电路图案形成步骤，用于在所述种子层上形成铜(Cu)材质的电路图案。
21.根据权利要求19所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
在所述接合步骤之后，进行如下步骤：通孔形成步骤，为了使所述绝缘树脂层下部的电路图案露出，形成贯通所述载体部件、所述种子层及所述绝缘树脂层的通孔；及导电部形成步骤，在所述通孔的内壁面上形成铜材质的导电部。
22.根据权利要求16或20所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述电路图案形成步骤包括：图案层形成步骤，在所述种子层上形成选择性地露出种子层的图案层；第一镀层形成步骤，在从所述图案层之间露出的种子层及导电部的表面上形成铜材质的第一镀层；及图案层去除步骤，去除所述图案层。
23.根据权利要求11或17所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述选择性蚀刻液包括氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
24.根据权利要求11或17所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
对于选择性蚀刻液的总量100％重量，所述选择性蚀刻液包括氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，水为余量。
25.根据权利要求23所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述氧化剂为从由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾构成的组中选择的一种以上。
26.根据权利要求25所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述氧化性气体为从由空气、氧及臭氧构成的组中选择的一种以上；
所述过氧化物为从由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoylperoxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)构成的组中选择的一种以上；
所述过氧酸为从由甲酸(Formic acid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)构成的组中选择的一种以上。
27.根据权利要求23所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述胺类为从由脂肪胺、芳香胺及烷醇胺构成的组中选择的一种以上。
28.根据权利要求23所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述胺类或铵化合物为从由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、哌啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammoniumphosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氢氧化铵(Ammonium hydroxide)构成的组中选择的一种以上。
29.根据权利要求23所述的利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法，其特征在于，
所述添加剂为从由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂构成的组中选择的一种以上。
30.一种蚀刻液组合物，其特征在于选择性地蚀刻权利要求11或17所述的银材质种子层，所述蚀刻液组合物包括：氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
31.根据权利要求30所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
对于选择性蚀刻液组合物的总量100％重量，所述选择性蚀刻液包括氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，水为余量。
32.根据权利要求30所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述氧化剂为从由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾构成的组中选择的一种以上。
33.根据权利要求32所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述氧化性气体为从由空气、氧及臭氧构成的组中选择的一种以上；
所述过氧化物为从由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoylperoxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)构成的组中选择的一种以上；
所述过氧酸为从由甲酸(Formic acid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)构成的组中选择的一种以上。
34.根据权利要求30所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述胺类为从由脂肪胺、芳香胺及烷醇胺构成的组中选择的一种以上。
35.根据权利要求30所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述胺类或铵化合物为从由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、哌啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammoniumphosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氢氧化铵(Ammonium hydroxide)构成的组中选择的一种以上。
36.根据权利要求30所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述添加剂为从由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂构成的组中选择的一种以上。
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