CN110459640A - 一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法，自供能光电探测器包括绝缘透明的衬底，衬底的上端从下到上依次设有载流子传输层、Cs3Cu2I5光吸收层和第一接触电极，载流子传输层上设有第二接触电极；制备方法采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层，采用溶液或气相共蒸方法制备Cs3Cu2I5光吸收层，保证载流子传输层与Cs3Cu2I5光吸收层之间形成交错型能带排列，利用异质结界面处内建电场的形成使得光生载流子发生分离，从而实现探测器在零伏下的工作。本发明制备方法简单，各功能层均环境友好，所制备的器件对紫外光有高的探测率，紫外可见光抑制比超过10的四次方，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于 Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法。
背景技术
近年来，金属卤化物钙钛矿材料由于其优越的光学和电学性能开始引起人们的广泛关注，且在太阳能电池、发光二极管、光电探测器和激光等领域展现出极大的发展潜力。目前，基于钙钛矿材料的光电探测器报道很多，如光电导型探测器、光伏型探测器、雪崩探测器等，所展现出的器件性能(光响应率、比探测率、开关比等)可以和传统无机半导体以及二维材料等相媲美，已成为钙钛矿材料应用的热点方向。
但是，基于传统铅卤化物钙钛矿(CH3NH3PbX3、CsPbX3， X＝Cl/Br/I)的光电器件在铅毒性和稳定性上一直不能令人满意。例如，长时间暴露在紫外光照下，钙钛矿材料会发生重结晶生长，诱导产生新的结构缺陷，导致器件性能衰减；接触高温和高湿环境后，铅卤化物钙钛矿材料会迅速分解，对后续封装工艺的要求十分苛刻。因此，人们开始将目光转向稳定性更优的无铅钙钛矿体系材料，例如 CsSnX3、CsGeX3、Cs3Bi2X9和Cs2AgInX6等。除此之外，基于金属 Cu的无铅钙钛矿材料也具有优良的光电特性，且其分解焓以及价键结合力较大的特征也使得材料具有更高的结构稳定性。目前，基于金属Cu的新型钙钛矿量子点(Cs2CuX4，X＝Cl/Br/I)已可成功制备(P. Yang,G.N.Liu,B.Liu,X.Liu,Y.B.Lou,J.X.Chen,and Y.X.Zhao, Chem.Commun.54,11638(2018))，且展现出优良的发光性能和稳定性。
除了Cs2CuX4体系之外，基于金属Cu的钙钛矿产物在理论上还有很多，但在实验上报道的较少。我们通过对材料合成方法的改进以及合成条件的不断优化，最终制备出Cs3Cu2I5体系的钙钛矿材料。实验已经证实该材料较传统的铅卤化物钙钛矿具有更高的稳定性和载流子传输能力，且吸收光谱位于紫外光区域，是良好的紫外光探测材料。因此，结合该新型材料在环境友好、稳定性以及吸收光谱三个方面的特征，我们认为制备基于Cs3Cu2I5钙钛矿材料的自供能光电探测器具有重要的科学意义，有望应用在导弹预警、生物分析和医学消毒等方面，从而有效弥补传统铅卤化物钙钛矿探测器在稳定性和环境污染上的不足。
发明内容
本发明的目的在于针对传统铅卤化物钙钛矿材料在环境污染以及结构稳定性上的不足，提出一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法，能够实现对紫外光的高效探测，且克服了传统铅卤钙钛矿所面临的环境污染问题。利用Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜的环境友好和结构稳定上的优势，并通过器件结构设计实现Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜与载流子传输层之间的交错型能带排列，最终实现光电探测器对紫外光的良好光响应，且器件能够在零伏下工作。
本发明的技术方案是以下述方式实现的：一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，包括绝缘透明的衬底，衬底的上端从下往上依次依次设有载流子传输层、Cs3Cu2I5光吸收层和第一接触电极，载流子传输层上设有第二接触电极。
进一步地，所述衬底为双面抛光的透明衬底，为石英或Al2O3。
进一步地，载流子传输层为对紫外光有响应的半导体材料，为 ZnO、SnO2、TiO2或GaN半导体，其厚度为300～500纳米，电子浓度为3.0×1017～8.0×1017每立方厘米。
进一步地，Cs3Cu2I5光吸收层(3)的厚度为500～800纳米。
一种上述基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器及其制备方法，是按照下述步骤进行的：
(1)清洗衬底；
(2)采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层；
(3)在载流子传输层上利用一步旋涂法或气相共蒸法制备 Cs3Cu2I5薄膜；
(4)采用热蒸发法在Cs3Cu2I5光吸收层上制备第一接触电极，在载流子传输层上制备第二接触电极。
进一步地，步骤(2)中载流子传输层为ZnO或TiO2，利用磁控溅射方法制备载流子传输层：采用高纯氩气作为工作气体，高纯氧气作为反应气体，氩气和氧气的流量比为2:1。
进一步地，步骤(2)中载流子传输层为GaN，利用金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层。
进一步地，载流子传输层的厚度优选为400纳米，电子浓度优选为5.0×1017每立方厘米
进一步地，步骤(3)中，采用一步旋涂法制备Cs3Cu2I5光吸收层，包括以下步骤：
1)将CsI和CuI粉末混合于二甲基亚砜溶液中，在氩气氛围中，将溶液用旋涂的方式均匀旋涂在载流子传输层上，旋涂条件为：低速 500转每分钟/5秒，高速2000转每分钟/30秒；
2)在旋涂过程中采用甲苯作为反溶剂使得Cs3Cu2I5钙钛矿迅速结晶并具有较大的表面覆盖率。优选的，甲苯滴加时间为旋涂结束前 13秒，滴加量为50微升；
3)最后，对旋涂后的样品进行退火处理，优选的退火温度为 150℃，退火时间为20分钟。
进一步地，步骤(3)中，采用气相共蒸法制备Cs3Cu2I5光吸收层，包括以下步骤：
1)将CsI和CuI粉末研磨均匀，放入真空蒸镀腔中；
2)将制备有载流子传输层的衬底放置在CsI和CuI混合粉末上方，并对衬底进行热处理，优选的温度为100℃；待腔体压强降至10-4帕斯卡，调节功率至27瓦进行蒸镀，蒸镀时间为30分钟；
3)待蒸发结束后，将样品进行再次热处理，优选的处理温度为100℃，处理时间为1小时；最后，将样品自然降温至室温。
进一步地，步骤(3)中，Cs3Cu2I5光吸收层的厚度650纳米。
进一步地，步骤(4)中，Cs3Cu2I5钙钛矿的第一接触电极为Au，厚度优选为45纳米；载流子传输层的电极因材料而异，载流子传输层为ZnO或TiO2半导体，第二接触电极优选为Ag，厚度优选为100 纳米；载流子传输层为GaN半导体，第二接触电极优选为In，厚度优选为100纳米。
本发明的效果和益处：本发明利用简单的溶液或气相共蒸方法，制备出环境友好、结构稳定且对紫外光有良好光响应的Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜，克服了传统铅卤化物钙钛矿在铅毒性和结构不稳定性上的不利因素。
本发明采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层，采用溶液或气相共蒸方法制备Cs3Cu2I5光吸收层，保证载流子传输层与Cs3Cu2I5光吸收层之间形成交错型能带排列，利用异质结界面处内建电场的形成使得光生载流子发生分离，从而实现探测器在零伏下的工作、面向于紫外光探测器的自供能光电探测器。
该器件制备方法简单，各功能层均环境友好，从而为低成本、环境友好型自供能紫外光电探测器的研制提供了新的解决方案，具有重要的科学意义和实用价值，所制备的器件对紫外光有高的探测率，紫外可见光抑制比超过10的四次方，且能在零伏下工作，具有良好的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的Cs3Cu2I5自供能光电探测器的结构示意图。
图2为实施例1中ZnO载流子传输层的扫描电子显微镜照片。
图3为实施例1中Cs3Cu2I5光吸收层的扫描电子显微镜照片。
图4为实施例2中Cs3Cu2I5光吸收层的扫描电子显微镜照片。
图5为实施例3中GaN载流子传输层的扫描电子显微镜照片。
图6为本发明的Cs3Cu2I5自供能光电探测器的能带排列图。
图7为实施例3中Cs3Cu2I5自供能光电探测器在暗态、光照环境下电流随电压的变化曲线。
图8为实施例3中Cs3Cu2I5自供能光电探测器在265纳米的固定光照强度下，电流随时间的变化曲线。
图中部件名称：1为衬底，2为载流子传输层，3为Cs3Cu2I5光吸收层，4为第一接触电极，5为第二接触电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，包括绝缘透明的衬底1，衬底1上端从下往上依次设有载流子传输层2、Cs3Cu2I5光吸收层3以及第一接触电极4，载流子传输层2 上设有第二接触电极5。
本发明利用无铅Cs3Cu2I5钙钛矿材料作为光吸收层，通过器件结构的合理设计实现自供能紫外光电探测器的制备，克服了传统铅卤化物钙钛矿在铅毒性和结构不稳定性上的不足，从而为环境友好型、高性能紫外光探测器的研制提供新的解决方案。
所述衬底1为双面抛光的透明衬底，可以为石英或Al2O3。
所述载流子传输层2为对紫外光有响应的半导体材料，可以为 ZnO、TiO2或GaN半导体。
所述载流子传输层2可以采用磁控溅射法制备，也可以采用金属有机物化学气相沉积方法制备。载流子传输层2的厚度为300～500 纳米，电子浓度为3.0×1017～8.0×1017每立方厘米。
所述Cs3Cu2I5光吸收层3可以采用溶液法制备，也可以采用气相共蒸法制备，其厚度为500～800纳米。
所述Cs3Cu2I5光吸收层3的第一接触电极4为金，厚度为30～60 纳米。
一种上述基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)清洗衬底1；
(2)采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层2；
(3)在载流子传输层2上利用一步旋涂法或气相共蒸法制备 Cs3Cu2I5光吸收层3；
(4)采用热蒸发法在Cs3Cu2I5光吸收层3上制备第一接触电极，在载流子传输层2制备第二接触电极5。
所述步骤(3)中，Cs3Cu2I5光吸收层3采用一步旋涂法制备，在旋涂过程中滴加甲苯作为反溶剂，保证钙钛矿迅速结晶并具有较大的表面覆盖率。
所述步骤(3)中，Cs3Cu2I5光吸收层3采用气相共蒸法制备，在蒸发前对衬底进行热处理，优选的温度为100℃；待蒸发结束后，将样品进行再次热处理，优选的处理温度为100℃、处理时间为1小时。
下面结合具体实施方式说明本发明制备方法和性能。
实施例1：
(1)清洗衬底1，所述衬底1为石英衬底。
采用石英作为衬底，将其进行清洗，清洗步骤为：将衬底放于丙酮、乙醇和去离子水中各超声清洗10分钟，再循环一次；之后经高纯氮气吹干；然后，将衬底用等离子体清洗机处理，所用气体为氩气，处理时间为10分钟。
(2)制备n型ZnO薄膜作为载流子传输层2。
将清洗后的石英衬底放入磁控溅射腔体内，采用射频电源完成 ZnO载流子传输层的溅射，具体步骤为：安装ZnO靶材，将靶材与衬底间的位置调整至8厘米；开启机械泵，对溅射腔体抽真空，当腔体真空度低于10帕斯卡后，开启分子泵继续抽真空，直至腔体真空度低于5.0×10-4帕斯卡；向腔体中通入适量的高纯氩气和氧气，调节二者的流量比例至2:1；开启射频源，将其功率设定为100瓦，并将衬底温度设定为350℃，溅射时间设定为2.5小时。所获得n型ZnO 载流子传输层的厚度为400纳米，其电子浓度为5.0×1017每立方厘米。
图2为采用磁控溅射法制备的ZnO载流子传输层2的扫描电子显微镜照片。该薄膜由六方晶粒组成，晶粒的平均尺寸约为100纳米，而且薄膜的表面均匀致密，无明显空洞产生。
(3)采用一步旋涂法制备Cs3Cu2I5薄膜作为光吸收层。
1)首先，用高精度电子天平分别称量0.234克的CsI以及0.114 克的CuI，接着将其混合溶于2毫升的二甲基亚砜溶液中；然后用磁力搅拌器在70摄氏度条件下搅拌12小时；将配置好的溶液放置于氩气保护的手套箱中；然后，在手套箱中，将制备好的混合溶液用旋涂的方式均匀旋涂在ZnO载流子传输层上，旋涂条件为：低速500转每分钟/5秒，高速3000转每分钟/25秒；
2)在旋涂过程中采用甲苯作为反溶剂使得Cs3Cu2I5钙钛矿迅速结晶并具有较大的表面覆盖率，甲苯滴加时间为旋涂结束前13秒，滴加量为50微升；
3)最后在手套箱里对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为 150℃，时间为20分钟。
图3为采用一步旋涂法制备的Cs3Cu2I5光吸收层3的扫描电子显微镜照片。该薄膜厚度为650纳米，由高密度纳米晶粒组装而成，晶粒的平均尺寸约为150纳米，薄膜的表面覆盖率较高，但纳米晶粒的形状并不规则。
(4)在制备好的Cs3Cu2I5光吸收层以及ZnO载流子传输层上蒸镀电极。
采用热蒸发法并结合掩膜板在Cs3Cu2I5光吸收层3表面蒸镀Au 电极，Au接触电极的形状是直径为1.0毫米的圆形，其厚度为45纳米；在ZnO载流子传输层2上蒸镀Ag电极，Ag接触电极的形状是直径为2.0毫米的方形，其厚度为100纳米。
实施例2：
(1)采用透明的石英作为衬底。本实施例中对石英衬底的清洗方法和实施例1相同。
(2)在石英衬底上采用磁控溅射方法制备n型ZnO薄膜作为载流子传输层。本实施例中对n型ZnO薄膜的溅射方法和实施例1相同。
(3)在制备好的ZnO载流子传输层2上气相共蒸制备Cs3Cu2I5光吸收层3。
1)首先，用高精度电子天平分别称量0.234克的CsI以及0.114 克的CuI；然后，将CsI和CuI粉末研磨均匀，放入真空蒸镀腔中；
2)将制备有载流子传输层的衬底放置在CsI和CuI混合粉末上方；对衬底进行热处理，热处理温度为100℃，在该温度下进行蒸发；待腔体压强降至10-4帕斯卡，调节功率至27瓦进行蒸镀，蒸镀时间为30分钟；
3)待蒸发结束后，将样品进行再次热处理，优选的处理温度为 100℃、处理时间为1小时；最后，将样品自然降温至室温。
图4为采用气相共蒸法制备的Cs3Cu2I5光吸收层3的扫描电子显微镜照片。该薄膜厚度为550纳米，由高密度纳米晶粒组装而成，晶粒的平均尺寸约为330纳米；薄膜的表面较为光滑，晶粒分布较为均匀，表面覆盖率超过96％。
(4)在制备好的Cs3Cu2I5光吸收层3以及ZnO载流子传输层2 上蒸镀电极。本实施例中的工艺过程和制备参数和实施例1相同。
本实例与实施例1所不同的是，Cs3Cu2I5光吸收层采用气相共蒸法完成，这样可通过控制CsI、CuI层的蒸发温度和时间对Cs3Cu2I5光吸收层的结晶特性进行控制。
实施例3：
(1)采用透明的双面抛光的Al2O3作为衬底1。本实施例中对 Al2O3衬底的清洗方法和实施例1中石英衬底相同。
(2)在Al2O3衬底上采用金属有机物化学气相沉积法制备GaN 载流子传输层。
采用金属有机物化学气相沉积方法(Thomas Swan CCS 3×2″) 在双抛的Al2O3衬底上完成GaN载流子传输层的外延生长，具体生长过程如下：将清洗好的双抛Al2O3衬底放置于反应腔室内；接着，将样品加热至1060摄氏度，通入100毫升每分钟的氢气对Al2O3衬底表面进行高温处理来去除表面的杂质；然后，将衬底温度降至500℃生长GaN缓冲层，该缓冲层的厚度为30纳米；再升高温度至1030 ℃生长高温GaN层，在生长过程中，三甲基镓、硅烷和氨气的输入量分别为25微摩尔每分钟、7.6纳摩尔每分钟和3.5升每分钟。经过25分钟的生长过程，所获得n型GaN载流子传输层的厚度为450纳米，其电子浓度为5.2×1017每立方厘米。
图5为采用磁控溅射方法制备的GaN载流子传输层的扫描电子显微镜照片。该薄膜表面非常致密、光滑，无明显的形貌起伏和晶界，为高质量的GaN单晶薄膜；从表面形貌上无法观察到GaN晶粒的典型特征。
(3)在制备好的GaN载流子传输层2上采用一步旋涂法制备 Cs3Cu2I5光吸收层3。本实施例中对Cs3Cu2I5光吸收层的制备方法和实施例1相同。
(4)在制备好的Cs3Cu2I5光吸收层3以及GaN载流子传输层2 上蒸镀电极。本实施例中，Cs3Cu2I5的接触电极为Au，其制备方法和实施例1相同；GaN载流子传输层的接触电极为In，采用热蒸发法并结合掩膜板制备，In电极的形状是直径为2.0毫米的方形，其厚度为100纳米。
本实例与实施例1所不同的是，n型的载流子传输层为GaN，由于GaN和ZnO材料具有不同的能带特征，当二者分别和Cs3Cu2I5光吸收层接触时，会形成不同的能带排列形式，可以实现对光生载流子不同的分离和传输效果。
实施例4：
本实例与实施例2所不同的是，载流子传输层为TiO2，采用磁控溅射法完成，具体步骤为：将清洗后的石英衬底放入磁控溅射腔体内；安装TiO2陶瓷靶材，将靶材与衬底间的位置调整至10厘米；开启机械泵，对溅射腔体抽真空，当腔体真空度低于10帕斯卡后，开启分子泵继续抽真空，直至腔体真空度低于5.0×10-4帕斯卡；向腔体中通入适量的高纯氩气和氧气，调节二者的流量比例至2.5:1；开启射频源，将其功率设定为100瓦，并将衬底温度设定为400℃，溅射时间设定为3小时。所获得n型TiO2载流子传输层的厚度为330纳米，其电子浓度为3.5×1017每立方厘米。
本实例与实施例2所不同的是，n型的载流子传输层为TiO2，由于TiO2和ZnO材料具有不同的能带特征，当二者分别和Cs3Cu2I5光吸收层接触时，会形成不同的能带排列形式，可以实现对光生载流子不同的分离和传输效果。同时，磁控溅射的TiO2薄膜较ZnO薄膜具有更高的电子迁移率，对光生载流子的传输更为有利。
图6为本发明所述的Cs3Cu2I5自供能光电探测器的能带排列图。实验中激发光从衬底一侧入射，当入射光被Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜吸收后，会产生电子-空穴对，由于Cs3Cu2I5与载流子传输层之前形成了交错型能带排列，异质结界面处内建电场的形成使得光生电子-空穴对发生分离，从而实现探测器在零伏下的工作，这即是该探测器的工作原理。
图7为实施例3中所制备的GaN/Cs3Cu2I5异质结光电探测器在暗态、光照环境下电流随电压的变化曲线，在零伏下器件的开关比达到了3.2×103，器件具有明显的光伏特征。实验所用的激发光波长为265 纳米，光强为3.3毫瓦每平方厘米。
图8为实施例3中所制备的GaN/Cs3Cu2I5异质结光电探测器在零伏、265纳米的固定光照强度(3.3毫瓦每平方厘米)下电流随时间的变化曲线，在连续8个周期的光响应循环测试中，无光电流衰减的趋势，体现出良好的工作稳定性。器件的上升时间为95微秒，下降时间为130微秒，展现出对紫外光快速的响应速率。此外，器件的紫外可见光抑制比很高，为2.9×104。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，包括绝缘透明的衬底(1)，衬底(1)的上端从下到上依次设有载流子传输层(2)、Cs3Cu2I5光吸收层(3)和第一接触电极(4)，载流子传输层(2)上设有第二接触电极(5)。
2.根据权利要求1所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，其特征在于：载流子传输层(2)为对紫外光有响应的半导体材料。
3.根据权利要求2所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，其特征在于：载流子传输层(2)为ZnO、TiO2或GaN半导体，其厚度为300～500纳米，电子浓度为3.0×1017～8.0×1017每立方厘米。
4.根据权利要求1所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，其特征在于：Cs3Cu2I5光吸收层(3)的厚度为500～800纳米。
5.根据权利要求1所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器，其特征在于：所述衬底(1)为双面抛光的透明衬底，为石英或Al2O3。
6.一种权利要求1-5之一所述的基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)清洗衬底(1)；
(2)采用磁控溅射或金属有机物化学气相沉积方法制备载流子传输层(2)；
(3)在载流子传输层(2)上利用一步旋涂法或气相共蒸法制备Cs3Cu2I5光吸收层(3)；
(4)采用热蒸发法在Cs3Cu2I5光吸收层(3)上制备第一接触电极(4)，在载流子传输层(2)上制备第二接触电极(5)。
7.根据权利要求6所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，利用一步旋涂法制备Cs3Cu2I5光吸收层(3)，包括以下步骤：
1)将CsI和CuI粉末混合于二甲基亚砜溶液中，在氩气氛围中，将溶液用旋涂的方式均匀旋涂在载流子传输层(2)上；
2)在旋涂结束前13秒时滴加甲苯作为反溶剂，其滴加量为50微升；
3)最后对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为150℃，时间为20分钟。
8.根据权利要求6所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，采用气相共蒸法制备Cs3Cu2I5光吸收层(3)，包括以下步骤：
1)将CsI和CuI粉末研磨均匀，放入真空蒸镀腔中；
2)将制备有载流子传输层(2)的衬底(1)放置在CsI和CuI混合粉末的上方，并加热到100℃；在氮气氛围、压强为10-4帕斯卡、蒸发功率为27瓦的条件下进行蒸镀，蒸镀时间为30分钟；
3)待蒸发结束后，样品在100℃下保持1小时，最后样品自然降温至室温。
9.根据权利要求6所述的一种基于Cs3Cu2I5钙钛矿的自供能光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，Cs3Cu2I5光吸收层(3)的第一接触电极(4)为Au，厚度为30～60纳米。
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