CN114220878A - 一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明为一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。本发明利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外光电探测器结构及其制备方法。
背景技术
日盲波段(200nm～280nm)的深紫外光电探测技术已在情报传递、信息通信、导弹预警、紫外分析、生化分析等军事领域和火灾监测、医学治疗、公安侦查、环境检测等民用领域展现出广阔的应用前景。目前常用的紫外探测器主要有硅(1.1eV)基紫外探测器、AlGaN(3.4eV-6.2eV)基紫外探测器、MgZnO(3.3eV-7.8eV)紫外探测器和4H-SiC(3.26eV)紫外探测器。这些探测器有一定的优势，但也存在一些不足，其中硅基紫外探测器对可见光存在响应，需借助滤光片实现日盲紫外探测；AlGaN基紫外探测器中的AlGaN材料随着Al组分增加会导致晶体质量劣化；MgZnO紫外探测器中MgZnO材料随着Mg组分增加难以维持单一的纤锌矿结构；4H-SiC为间接带隙导致探测器的量子效率较低。而近几年，崭露头角的Ga2O3(4.9eV)基日盲紫外探测器的吸收边正好直接匹配日盲波段的深紫外光，同时可以避免掺杂合金组分波动，因此具有较高的光吸收效率。此外，Ga2O3基日盲紫外探测器具有较强的抗辐射能力，可用于极端环境，因而引起了国际上的广泛关注和研究。目前，报道中薄膜型Ga2O3基日盲紫外光电探测器占主导，但薄膜生长条件及成本较高，且Ga2O3薄膜中深能级缺陷密度较高，不利于载流子的输运，导致探测器光电转换、响应速率和外量子效率等性能较低。为改善器件性能，研究人员进行了系列探究，比如专利号为CN108963027A的中国专利公开了一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用，该专利通过微氧流量调控的方法，在薄膜生长的时候引入微量高纯氧气提高器件的响应速度。此外，专利号为CN110970513A的中国专利公开了一种MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法，该专利通过热氧化法氧化多孔结构的n-GaN，显著地增加氧化镓薄膜的比表面积，提高紫外探测性能。像氧化镓这种宽禁带氧化物，导带态源自镓原子，具有色散小、有效质量大、态密度高等特点的价带态主要来自O 2p轨道，价带态的这些特点有利于小极化子产生，这些极化子会导致自陷空穴(STH，self-trapped holes)现象的产生，从而捕获电子，降低器件的响应度。为避免这种现象对探测器性能的影响，上述两个专利分别通过在薄膜生长时引入微量纯氧和增加氧化镓的薄膜面积来抑制缺陷带来的影响。但大部分缺陷来自于材料固有的晶格缺陷，单从生长条件上试图改善氧化镓的晶体质量，目前技术难度大且稳定性低。
发明内容
本发明的目的为针对当前日盲紫外光电探测器存在的技术不足，提供一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器通过将日盲紫外光电探测器中原有的光吸收单层设计为氧化镓吸收层和氮化镓传输层异质结构，即将吸收边匹配日盲紫外波段的Ga2O3吸收层和具有高电子迁移速率的GaN传输层相结合，并且在吸收层上设置图形化的超薄金属层，利用金属半导体接触形成的电场将载流子输运到传输层，并利用传输层较高的载流子迁移率提高器件中的光电流，在实现日盲紫外光探测的同时增强了探测器的响应度。
本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：
一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，该探测器的结构为以下两种种：
第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；
或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层；
所述的第一种的金属层为图形化的金属层；图形化的金属层部分投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％；
所述的第二种中的绝缘层为图形化的绝缘层。图形化的绝缘层的投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％；
所述的吸收层的投影面积为传输层上表面面积的50％～90％；
所述的金属层的厚度为0.1nm～20nm，
所述的图形化的金属层和绝缘层中的图形为条形、矩形、圆形、圆环形或矩阵分布。
所述的第二种中的绝缘层的厚度为1nm～50nm；
所述的衬底为材质为4H-SiC、蓝宝石或Si；
所述的缓冲层得材质为AlN；
所述传输层的材质为未进行掺杂的GaN，其厚度为0.1μm～10μm。
所述吸收层的材质为未进行掺杂的Ga2O3，其厚度为0.005μm～0.5μm。
所述阴极电极、阳极电极与图形化的金属层的材质相同或不同，为Au、Ag、Ni、ITO、Ni/Au、Ti/Au或Pt/Au。
所述绝缘层的材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、HfO2、Ta2O5、AlN、LiF、金刚石或PMMA。
所述的阳极连接电压源的正极，阴极连接电压源的负极；金属层与阴极相连或不相连；
所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备方法，第一种包括如下步骤：
1)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在衬底表面上依次外延生长缓冲层、传输层、吸收层，得到紫外探测器的外延层结构；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层进行刻蚀至暴露出部分传输层的上表面，实现台面的制备；
3)利用光刻技术和金属蒸镀工艺制作出阴极电极、阳极电极和金属层；
第二种包括如下步骤：
1)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在衬底表面上依次外延生长缓冲层(102)、传输层和吸收层，得到紫外探测器的外延层结构；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层进行刻蚀至暴露出部分传输层的上表面，实现台面的制备；
3)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在暴露出的传输层和吸收层上外延生长绝缘层；
4)通过湿法刻蚀技术在吸收层上制作出绝缘层，其中，水平分布的绝缘层覆盖于吸收层的上表面，竖直分布的绝缘层覆盖于吸收层的侧壁；
5)利用光刻技术和金属蒸镀工艺，在暴露的传输层上制作出阴极电极、阳极电极，在水平分布的绝缘层上覆盖金属层。
所述的第一种的制备中，还包括步骤4)，用光刻工艺制作图形化金属层；
所述的第二种的制备中，在步骤4)和步骤5)之间，用光刻工艺及湿法刻蚀，将水平分布的绝缘层图形化。
本发明的实质性特点为：
日盲光是太阳光通过大气层被吸收的光，日盲波段的光定义在200-280nm，因为这个波段的光被太阳吸收了，所以在探测这部分的波段时不会受到太阳辐射的干扰，而氧化镓的吸收波段正好符合这个范围，但是因为氧化镓存在着一些无法被规避的晶体缺陷，会产生自陷空穴，导致氧化镓探测器响应度和响应速度较差。
本发明将原有的光吸收单层设计为可以吸收日盲光的氧化镓做吸收层(104)，迁移率高的氮化镓作为传输层(103)。利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，该电场方向由氧化镓指向金属，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。
本发明的有益效果是：
(1)与现有技术相比，本发明中具有传输层结构的MSM型日盲紫外探测器是将传统紫外探测器中的光吸收单层巧妙分为光吸收层和载流子传输层，利用Ga2O3材料做吸收层可直接探测日盲紫外波段；利用金属半导体界面处的耗尽电场将吸收层中的载流子推入传输层中，使载流子在迁移率较高的传输层中输运，可提高器件中的光电流，提升日盲紫外探测器的响应度(与标准GaN紫外探测器的光电流相比增加了70％)。从仿真结果上看，在253nm的波段即日盲紫外波段，GaN几乎没有什么吸收，而氧化镓在此波段有比较明显的吸收，GaN探测器即参考器件几乎没有光吸收，如图9所示，光电流和暗电流几乎一致，没有起到探测日盲波段的光的作用，而采用金属-氧化镓-氮化镓结构，有明显的光暗电流区别。说明光在氧化镓层被吸收，并且顺利的被肖特基电场推到氮化镓中进行输运。
(2)本发明中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备方法中的操作工艺是本技术领域的技术人员所具备的，其所涉及的原材料均可通过一般性途径获得，工艺简单可靠，可重复性强，生产成本低，适于产业推广，可应用于日盲紫外探测领域。
附图说明：
图1为现有技术中的标准的MSM型Ga2O3紫外探测器结构示意图。
图2为实施例1中得到的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的结构示意图。
图3为实施例1或实施例2中，在衬底表面上通过外延技术制作出吸收层104的外延片结构示意图。
图4为在图3基础上，通过光刻和干法刻蚀工艺暴露出部分传输层103的外延片结构示意图。
图5为实施例2中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的结构示意图。
图6为实施例3中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的结构示意图。
图7为通过光刻和湿法刻蚀技术得出具备图形化的绝缘层108的的外延片结构示意图。
图8为实施例4中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的结构示意图。
图9为实施例1得到的光暗电流对比仿真示意图，其中，图9(a)为实施例1中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器与标准GaN紫外探测器的暗电流对比图；图9(b)为实施例1中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器与标准GaN紫外探测器的光电流对比图。
图10为为实施例1和实施例2得到GaN横切电场对比仿真示意图，其中，图10(a)为实施例1中金属层和氧化镓接触形成的金半接触形成的肖特基电场的横向电场；图10(b)为实施例2中金属层和氧化镓接触形成的金半接触形成的肖特基电场和电源负极所产生电场耦合的横向电场。
其中，101.衬底，102.缓冲层，103.传输层，104.吸收层，105.阴极电极，106.阳极电极，107.金属层，108.绝缘层。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步说明，但不以此作为对本申请权利要求保护范围的限定。
图1为当前技术中深紫外氧化镓MSM探测器的结构图。该器件的组成从下到上依次为衬底101、缓冲层102、氧化镓吸收层103、阴极电极105和阳极电极106。在深紫外光照下条件下，氧化镓吸收层中光生电子和空穴在器件内部电场的作用下分别被器件的阳极和阴极收集，实现光信号向电信号的转变，即起到探测深紫外光的功能。但由于氧化镓材料中存在大量缺陷对电子具有捕获作用，阻碍了载流子的输运，从而导致日盲紫外探测器的光电流减弱，响应度和响应速率降低。
实施例1
本实施例所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备方法可参见图2、图3、图4和图9：
图2所示实施例表明，本发明具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其结构从下到上依次包括：衬底101、缓冲层102、传输层103；传输层103的上表面的中间位置分布为吸收层104，传输层103的上表面的两侧分布有阴极电极105和阳极电极106，吸收层104上为金属层107，其中阴极电极和电压源负极相连，阳极电极和电压源正极相连；
图3所示结构表明，本实施例中，在衬底101上通过外延技术制作出Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的外延片结构示意图，其结构包括：衬底101、缓冲层102、传输层103和吸收层104。
图4所示结构表明，本实施例中，在外延生长完吸收层104后，通过光刻和干法刻蚀工艺制作Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的台面的外延片结构示意图，其结构包括：衬底101、缓冲层102、传输层103和吸收层104。
所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器中的衬底101的材质为蓝宝石；缓冲层102的材料为AlN；阴极电极105和阳极电极106的材质均为Ni/Au；金属层107的材质为金属Ni；
所述传输层103的材质为未进行掺杂的GaN，其厚度为5μm；吸收层104的材质为未进行掺杂的Ga2O3，其厚度为0.1μm；传输层103的暴露面积为传输层103上表面面积的30％；金属层107的厚度为10nm。
上述具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器结构，其制备方法如下：
1)在MOCVD反应炉中，在衬底101表面上外延生长缓冲层102，生长温度为1050℃，气压为50mbar，从而将位错缺陷进行过滤并使晶格失配产生的应力得到释放；继续外延生长传输层103，生长温度为1050℃，气压为50mbar；最后在ALD反应炉中外延生长吸收层104，生长温度为250℃；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层104进行刻蚀至暴露出部分传输层103的上表面，制作成Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的台面；
3)利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和金属层107。
图9(a)和图9(b)所示曲线表明，在本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的暗电流与标准GaN紫外探测器的暗电流相同；具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的光电流与标准GaN紫外探测器的光电流相比增加了70％。
实施例2
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例1，与实施例1不同之处在于本实施例中阴极还与金属层107相连(该实施例参见图2)：
从图10可看出当金属层和电源负极即阴极相连，横向电场增长了两个数量级，横向电场的增强为光生电子更快速从氧化镓吸收层进入到氮化镓传输层中提供了更强的推动力。
实施例3
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例1，与实施例1不同之处在于本实施例将金属层107的进行了图形化处理(该实施例参见图5)：
利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和图形化金属层107。
其中，图形具体为矩形分布；图形化的金属层部分投影面积为吸收层104的上表面面积的50％；
所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器中的金属层107为条状图形化金属，材质和实施列1相同，厚度为1-10nm。
图形化的效果可以减少金属层对光的吸收，图形化的金属层会减小对光的遮挡，尽可能保证形成肖特基电场的同时避免金属层对光提取效率的影响。
实施例4
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例3，与实施例3不同之处在于本实施例将图形化金属层107与阴极相连(该实施例参见图5)：
利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和图形化金属层107，其中图形化金属层107和阴极电极105相连。
实施例5
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例1，与实施例1不同之处在于蒸镀金属层107之前沉积SiO2绝缘层108，厚度为10nm(该实施例参见图6)。
上述具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器结构，其制备方法如下：
1)在MOCVD反应炉中，在衬底101表面上外延生长缓冲层102，生长温度为1050℃，气压为50mbar，从而将位错缺陷进行过滤并使晶格失配产生的应力得到释放；继续外延生长传输层103，生长温度为1050℃，气压为50mbar；最后在ALD反应炉中外延生长吸收层104，生长温度为250℃；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层104进行刻蚀至暴露出部分传输层103的上表面，制作成Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的台面；
4)在ALD反应炉中，在暴露出的传输层103和吸收层104上沉积SiO2绝缘层；
5)利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和金属层107。
实施例6
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例5，与实施例5不同之处在于本实施例将金属层107与阴极相连(该实施例参见图6)：
利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和金属层107，其中金属层107和阴极电极105相连。
实施例7
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例3，与实施例3不同之处在于本实施例图形化了金属层107和绝缘层108(该实施例参见图8)：
所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器中的图形化的绝缘层108一部分完全覆盖于吸收层104的侧壁；另一部分图形化的绝缘层108完全覆盖于吸收层104的上表面，其图形与吸收层104完全一致；图形化的绝缘层108的材质为SiO2，厚度为10nm；
其中，图形具体为矩形分布；图形化的金属层部分投影面积为吸收层104的上表面面积的50％；
所述的图形化的金属层107完全覆盖于图形化的绝缘层108的上表面，并于阴极电极105相连，其材质为金属Ni，厚度为10nm。
上述具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器结构，其制备方法如下：
1)在MOCVD反应炉中，在衬底101表面上外延生长缓冲层102，生长温度为1050℃，气压为50mbar，从而将位错缺陷进行过滤并使晶格失配产生的应力得到释放；继续外延生长传输层103，生长温度为1050℃，气压为50mbar；最后在ALD反应炉中外延生长吸收层104，生长温度为250℃；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层104进行刻蚀至暴露出部分传输层103的上表面，制作成Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的台面；
3)在ALD反应炉中，在暴露出的传输层103和吸收层104上沉积SiO2绝缘层；
4)通过湿法刻蚀技术在吸收层104上制作出图形化的绝缘层108，其中一部分图形化的绝缘层108覆盖于吸收层104的上表面，另一部分图形化的绝缘层108完全覆盖于吸收层104的侧壁；
5)利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和图形化的金属层107，其中图形化的金属层107覆盖在图形化的绝缘层108上。
实施例8
本实施例中具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备步骤同实施例7，与实施例7不同之处在于本实施例将图形化金属层107与阴极相连(该实施例参见图8)：
利用光刻技术和e-beam蒸镀工艺制作出阴极电极105、阳极电极106和图形化的金属层107，其中图形化的金属层107覆盖在图形化的绝缘层108上，图形化的金属层107与阴极电极相连。
上述各实施例中具有传输层结构的MSM型日盲紫外探测器均可实现，并且对探测器光暗电流产生一定的影响。此外，具有传输层结构的MSM型日盲紫外探测器的作用效果会受到探测器中传输层、吸收层、图形化的绝缘层和图形化的金属层的材料和尺寸变化的影响，因此需要依据不同的器件结构、工艺方法做适当的优化，从而使具有传输层结构的MSM型日盲紫外探测器的起到最佳效果。
由于通过肖特基接触形成的漂移电场，使氧化镓层产生的光生电子进入氮化镓层进行输运，本专利的工艺步骤更简单且重复性高。本专利中的探测器包括吸收光的氧化镓吸收层和传输电子的氮化镓传输层，通过利用金属和氧化镓形成的肖特基接触，使光生电子在肖特基电场的作用下，从氧化镓进入氮化镓，使在氧化镓中产生的光生载流子不在氧化镓中输运而在氮化镓中输运，借助氮化镓的高电子迁移率，从而提高探测器的响应度和响应速度。
本发明未尽事宜为公知技术。
Claims (8)
1.一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为该探测器的结构为以下两种：
第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；
或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。
2.如权利要求1所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的第一种的金属层优选为图形化的金属层；图形化的金属层的投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％；
所述的第二种中的绝缘层优选为图形化的绝缘层。图形化的绝缘层的投影面积为吸收层的上表面面积的40％～80％。
3.如权利要求1所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的吸收层的投影面积为传输层上表面面积的50％～90％。
4.如权利要求2所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的图形化的金属层和绝缘层中的图形为条形、矩形、圆形、圆环形或矩阵分布。
5.如权利要求1所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的衬底为材质为4H-SiC、蓝宝石或Si；
所述的缓冲层得材质为AlN；
所述传输层的材质为未进行掺杂的GaN，其厚度为0.1μm～10μm；
所述吸收层的材质为未进行掺杂的Ga2O3，其厚度为0.005μm～0.5μm；
所述阴极电极、阳极电极与图形化的金属层的材质相同或不同，为Au、Ag、Ni、ITO、Ni/Au、Ti/Au或Pt/Au；
所述绝缘层的材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、HfO2、Ta2O5、AlN、LiF、金刚石或PMMA，厚度为1nm～50nm；
所述的金属层的厚度为0.1nm～20nm。
6.如权利要求1所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器，其特征为所述的阳极连接电压源的正极，阴极连接电压源的负极；金属层与阴极相连或不相连。
7.如权利要求1所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备方法，其特征为第一种包括如下步骤：
1)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在衬底表面上依次外延生长缓冲层、传输层、吸收层，得到紫外探测器的外延层结构；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层进行刻蚀至暴露出部分传输层的上表面，实现台面的制备；
3)利用光刻技术和金属蒸镀工艺制作出阴极电极、阳极电极和金属层；
第二种包括如下步骤：
1)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在衬底表面上依次外延生长缓冲层(102)、传输层和吸收层，得到紫外探测器的外延层结构；
2)通过光刻和干法刻蚀工艺对吸收层进行刻蚀至暴露出部分传输层的上表面，实现台面的制备；
3)通过沉积、蒸镀或溅射等薄膜外延生长技术，在暴露出的传输层和吸收层上外延生长绝缘层；
4)通过湿法刻蚀技术在吸收层上制作出绝缘层，其中，水平分布的绝缘层覆盖于吸收层的上表面，竖直分布的绝缘层覆盖于吸收层的侧壁；
5)利用光刻技术和金属蒸镀工艺，在暴露的传输层上制作出阴极电极、阳极电极，在水平分布的绝缘层上覆盖金属层。
8.如权利要求7所述的具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器的制备方法，其特征为所述的第一种的制备中，还包括步骤4)，用光刻工艺制作图形化金属层；
所述的第二种的制备中，在步骤4)和步骤5)之间，用光刻工艺及湿法刻蚀，将水平分布的绝缘层图形化。
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