CN110444553A - 感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板 - Google Patents

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Abstract

提供一种感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板。所述感光装置形成在衬底上，并且包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。

Description

感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板
技术领域
本公开涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种感光装置、包括该感光装置的探测基板、包括该感光装置的阵列基板以及其制造方法。
背景技术
近年来，光学指纹识别技术和X射线探测技术得到广泛地应用。感光装置是光学指纹识别技术和X射线探测技术中的主要部件，感光装置一般包括光敏元件和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，缩写为TFT)等，通过光敏元件可将可见光转换为电信号，薄膜晶体管可接收电信号并将电信号输出，以实现检测光的目的。因此，如何设计光敏元件和薄膜晶体管的结构以及优化它们的制造工艺，以改善感光装置的性能，逐渐成为研发人员关注的重要课题。
发明内容
为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种感光装置及其制造方法、包括该感光装置的探测基板和包括该感光装置的阵列基板。
在一个方面，提供一种感光装置，形成在衬底上，其中，所述感光装置包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。
例如，所述感光装置还包括层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括第一过孔和第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔，所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部。
例如，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区位于所述源极区与所述漏极区之间，所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极区或所述漏极区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
例如，所述第一凹陷部在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影至少部分重合。
例如，所述第一部分的厚度在100～200nm范围内。
例如，所述沟道区在所述衬底上的正投影落入所述第一栅极和所述第二栅极中的任一个在所述衬底上的正投影内。
例如，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极区在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重合，所述漏极区在所述衬底上的正投影与所述漏极在所述衬底上的正投影部分重合；并且，所述第一电极层接触所述源极或所述漏极，所述第一电极层在所述衬底上的正投影落入所述源极或所述漏极在所述衬底上的正投影内。
例如，所述感光装置还包括覆盖层，其中，所述覆盖层覆盖所述光敏元件和所述薄膜晶体管两者，所述覆盖层包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述第二电极层的一部分，所述第三过孔暴露所述第二栅极的一部分；并且，所述感光装置包括第一电极引线和第二电极引线，所述第一电极引线和所述第二电极引线位于同一层，所述第一电极引线的一部分填充于所述第二过孔，以与所述第二电极层电连接；所述第二电极引线的一部分填充于所述第三过孔，以与所述第二栅极电连接。
例如，所述有源层包括氧化物半导体层。
例如，所述光电转换层包括：
位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第一半导体层；
位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的本征半导体层；和
位于所述本征半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，
其中，所述第一半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的一个，所述本征半导体层为本征非晶硅层，所述第二半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的另一个。
例如，所述第一栅极、所述第二栅极、所述源极、所述漏极和所述第一电极层均包括金属导电材料，所述第二电极层包括透明导电材料。
在另一方面，还提供一种探测基板，包括：衬底；和位于所述衬底上的至少一个感光装置，其中，所述感光装置为上述的感光装置。
在又一方面，还提供一种阵列基板，包括：衬底；位于所述衬底上的多个子像素；多个显示器件，所述多个显示器件分别设置在所述多个子像素内；和至少一个感光装置，所述至少一个感光装置设置在至少一个子像素内，其中，所述感光装置为上述的感光装置。
例如，所述显示器件包括：有机发光元件；和显示驱动元件，所述显示驱动元件与所述有机发光元件电连接，用于驱动所述有机发光元件发光，其中，所述显示驱动元件包括薄膜晶体管，并且所述显示驱动元件的薄膜晶体管的结构与所述感光装置的薄膜晶体管的结构相同。
在再又一方面，还提供一种感光装置的制造方法，包括：
在衬底上形成薄膜晶体管的第一栅极；
在所述第一栅极远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的有源层；
在所述有源层远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的第二栅极和光敏元件的第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底一侧形成所述光敏元件的光电转换层；和
在所述光电转换层远离所述衬底一侧形成所述光敏元件的第二电极层，
其中，形成所述薄膜晶体管的第二栅极和光敏元件的第一电极层包括：使用相同的材料并且通过同一构图工艺形成所述薄膜晶体管的第二栅极和所述光敏元件的第一电极层。
例如，所述方法还包括：在所述有源层远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极层；
在所述源漏极层远离所述衬底的一侧形成层间绝缘材料层；和
通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔，以形成包括所述第一凹陷部和所述第一过孔的层间绝缘层，
其中，使用相同的材料并且通过同一构图工艺形成所述薄膜晶体管的第二栅极和所述光敏元件的第一电极层包括：
在所述层间绝缘层远离所述衬底的表面上以及在所述第一凹陷部和所述第一过孔中沉积金属材料层；和
通过一次构图工艺，对所述金属材料层进行构图，以形成所述第二栅极和所述第一电极层，使得所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔。
例如，所述通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔包括：
在所述层间绝缘材料层远离所述衬底的表面上涂覆光刻胶层；
利用灰调掩模板，对所述光刻胶层曝光和显影，使得所述光刻胶层对应待形成的第一过孔的部分被完全去除，所述光刻胶层对应待形成的第一凹陷部的部分被部分去除；
对所述层间绝缘材料层执行第一次刻蚀工艺，完全刻蚀在待形成的第一过孔的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一过孔；
对剩余的光刻胶层执行灰化工艺，以完全暴露出在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层；和
对所述层间绝缘材料层执行第二次刻蚀工艺，部分刻蚀在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一凹陷部，
或者，所述通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔包括：
在所述层间绝缘材料层远离所述衬底的表面上涂覆光刻胶层；
利用灰调掩模板，对所述光刻胶层曝光和显影，使得所述光刻胶层对应待形成的第一过孔的部分被完全去除，所述光刻胶层对应待形成的第一凹陷部的部分被部分去除；
对所述层间绝缘材料层执行第一次刻蚀工艺，部分刻蚀在待形成的第一过孔的位置处的层间绝缘材料层；
对剩余的光刻胶层执行灰化工艺，以完全暴露出在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层；和
对所述层间绝缘材料层执行第二次刻蚀工艺，完全刻蚀在待形成的第一过孔的位置处剩余的层间绝缘材料层，同时部分刻蚀在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一过孔和所述第一凹陷部。
在本公开的实施例中，通过设计光敏元件和薄膜晶体管的结构，可以改善感光装置的整体性能。
附图说明
通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。
图1是根据本公开实施例的感光装置的结构示意图；
图2是根据本公开实施例的感光装置的局部放大图；
图3是根据本公开实施例的探测基板的平面图；
图4是根据本公开实施例的阵列基板的平面图；
图5是根据本公开实施例的阵列基板沿图4中的线AA’截取的剖视图；
图6是根据本公开实施例的感光装置的制造方法的流程图；以及
图7、图8、图9A～图9C、图10、图11A～图11C和图12至图17分别示意性示出了根据本公开的一个示例性实施例的感光装置的制造方法的主要步骤被执行后形成的结构的截面图。
需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层、结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被命名为第二元件，类似地，第二元件可以被命名为第一元件。如在这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
应该理解的是，当元件或层被称作“形成在”另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接地或间接地形成在另一元件或层上。也就是，例如，可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称作“直接形成在”另一元件或层“上”时，不存在中间元件或中间层。应当以类似的方式来解释其它用于描述元件或层之间的关系的词语(例如，“在...之间”与“直接在…之间”、“相邻的”与“直接相邻的”等)。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制实施例。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在此使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
在本文中，如无特别说明，表述“厚度”指的是层或部件在垂直于衬底的上表面(在使用状态下，衬底的上表面为面对使用者的表面)的方向上的尺寸。
在本文中，如无特别说明，表述“位于同一层”一般表示的是：第一部件和第二部件可以使用相同的材料并且可以通过同一构图工艺形成。例如，表述“第一电极层和第二栅极位于同一层”一般表示：第一电极层和第二栅极可以使用相同的材料并且可以通过同一构图工艺形成。
图1是根据本公开实施例的感光装置的结构示意图。例如，根据本公开实施例的感光装置可以应用于X射线探测技术和光学指纹识别技术中，将在下文中进一步详细描述。如图1所示，根据本公开实施例的感光装置100可以形成在衬底200上，它可以包括光敏元件1和薄膜晶体管3。例如，光敏元件1可以为探测可见光的光敏元件。光敏元件1探测到可见光后，将可见光转换为电信号，然后将电信号传输至薄膜晶体管3，薄膜晶体管3可接收电信号并将电信号输出，以输出给监视器显示图像或输出给处理器识别指纹。需要理解的是，本公开实施例的光敏元件不局限于探测可见光，在其它实施例中，所述光敏元件还可以是探测例如红外光等非可见光的光敏元件。
例如，光敏元件1可以是光电二极管，它可以具有PIN结构。如图1所示，光敏元件1可以包括层叠设置的第一电极层11、第一半导体层(例如P型非晶硅层)12、本征半导体层(例如本征非晶硅层)13、第二半导体层(例如N型非晶硅层)14和第二电极层15。第一半导体层12、本征半导体层13和第二半导体层14构成PIN结构，用于实现光电转换，因此，它们可以合称为光电转换层。此处的“层叠设置”表示第一电极层11、第一半导体层12、本征半导体层13、第二半导体层14和第二电极层15依次形成在衬底200上，即，第一电极层11设置在所述光电转换层靠近衬底200的一侧，第二电极层15设置在所述光电转换层远离所述衬底200的一侧，因此，第一电极层11也可以称为光敏元件1的下电极，第二电极层15也可以称为光敏元件1的上电极。
例如，薄膜晶体管3可以具有双栅结构(dual-gate TFT)。如图1所示，薄膜晶体管3可以包括层叠设置的第一栅极31、栅绝缘层32、有源层33、源漏极层、层间绝缘层36和第二栅极37。所述源漏极层包括源极34和漏极35。此处的“层叠设置”表示第一栅极31、栅绝缘层32、有源层33、源漏极层、层间绝缘层36和第二栅极37依次形成在衬底200上，即，第一栅极31设置在有源层33靠近衬底200的一侧，更具体地，设置在栅绝缘层32靠近衬底200的一侧，第二栅极37设置在有源层33远离衬底200的一侧，更具体地，设置在层间绝缘层36远离衬底200的一侧。薄膜晶体管3具有底栅和顶栅结构，即，它具有双栅结构(dual-gate TFT)。
参照图1，光敏元件1的第一电极层11与薄膜晶体管3的第二栅极37位于同一层。即，第一电极层11与第二栅极37可以由相同的材料构成，并且通过同一构图工艺形成，由此有利于节省构图工艺的次数，从而降低了制造工艺的复杂度并且降低了制造成本。
例如，构成第一电极层11和第二栅极37的材料可以包括Mo、Al、Cu等金属及其合金。
例如，光敏元件1的第一电极层11与薄膜晶体管3的源极34或漏极35电连接。如图1所示，第一电极层11形成在源极34上，即，第一电极层11位于源极34远离衬底200的一侧，第一电极层11在衬底200上的正投影落入源极34在衬底200上的正投影内，并且第一电极层11面向源极34的表面(图1中的下表面)接触源极34面向第一电极层11的表面(图1中的上表面)，由此实现二者的电接触。这样，当光敏元件1探测到光后，将光信号转换为电信号，然后将电信号传输至薄膜晶体管3的源极34，并由薄膜晶体管3将电信号从漏极35输出，例如，输出至探测基板或显示装置的处理器或控制器。
在本公开的实施例中，薄膜晶体管具有位于有源层上方的第二栅极，该第二栅极可以有效地遮挡感光装置上方的光线(例如来自显示装置发光单元的光线或指纹的反射光)，从而可以减少光对薄膜晶体管的沟道区的照射，提升了薄膜晶体管的稳定性。
在本公开的实施例中，感光装置的薄膜晶体管具有双栅结构，使得薄膜晶体管的稳定性和阈值电压(Vth)的均一性都得到提升，从而能够提升感光装置的性能。
例如，薄膜晶体管3的有源层33可以包括氧化物半导体材料、多晶硅半导体材料(例如低温多晶硅)、非晶硅半导体材料、碳纳米管等非硅基半导体材料。在本公开的实施例中，薄膜晶体管3的有源层33可以由氧化物半导体形成，即薄膜晶体管3可以为氧化物薄膜晶体管(oxide TFT)。例如，有源层33可以包括ZnO基氧化物层。在这种情况下，有源层33还可以包含诸如In或Ga的第III族元素、诸如Sn的第IV族元素、它们的组合或者其它元素。再例如，有源层3可以包括Cu氧化物层(CuBO2层、CuAlO2层、CuGaO2层、CuInO2层等)、Ni氧化物层、掺杂有Ti的Ni氧化物层、掺杂有第I族、第II族和第V族元素中的至少一种的ZnO基氧化物层、掺杂有Ag的ZnO基氧化物层、PbS层、LaCuOS层或者LaCuOSe层。作为一个示例，有源层33可以包括钢镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，缩写为IGZO)、铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，缩写为ITZO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，缩写为IZO)。
在本公开的实施例中，薄膜晶体管3的第一栅极31和第二栅极37可以采用同一信号驱动。发明人经研究发现，通过设计薄膜晶体管3具有双栅结构和氧化物半导体材料构成的有源层，可以进一步提升薄膜晶体管的稳定性和阈值电压(Vth)的均一性都得到提升，从而能够进一步提升感光装置的性能。
具体地，例如，衬底200可以为刚性衬底或柔性衬底，诸如玻璃衬底或塑料衬底。
例如，薄膜晶体管3的第一栅极31可以设置在衬底200的上表面的一部分上。构成第一栅极31的材料可以包括Mo、Al、Cu等金属及其合金。第一栅极31的厚度可以在200～400nm左右。
薄膜晶体管3的栅极绝缘层32可以设置在衬底200的上表面上并且覆盖第一栅极31。栅极绝缘层32可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝等形成的绝缘材料膜层，也可以包括氮化硅、氧化硅等形成的叠层材料膜层。栅极绝缘层32的厚度可以在150～450nm。
薄膜晶体管3的有源层33可以设置在栅极绝缘层32远离衬底200的一侧。有源层33可以包括源极区331、沟道区332和漏极区333，沟道区332位于源极区331与漏极区333之间。如图1所示，沟道区332在衬底200上的正投影落入第一栅极31和第二栅极37中的每一个在衬底200上的正投影内。
薄膜晶体管3的所述源漏极层(即源极34和漏极35)可以设置在有源层33远离衬底200的一侧。构成源极34和漏极35的材料可以包括Mo、Al、Cu等金属及其合金，即，构成源极34和漏极35的材料可以与构成第一栅极31的材料相同。源极34可以与源极区331接触，漏极35可以与漏极区333接触。
薄膜晶体管3的层间绝缘层36可以设置在所述源漏极层远离衬底200的一侧。层间绝缘层36可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝等形成的绝缘材料膜层，也可以包括氮化硅、氧化硅等形成的叠层材料膜层。层间绝缘层36的厚度可以在300～500nm左右。
结合参照图1和图2，层间绝缘层36可以包括第一凹陷部361和第一过孔362。应该理解，通过部分去除层间绝缘层36对应于沟道区332的部分的厚度，可以在层间绝缘层36中形成所述第一凹陷部361，相应地，在本文中，为了描述方便，将层间绝缘层36位于沟道区332上方的部分称为层间绝缘层36的第一部分363，将层间绝缘层36位于源极区331、漏极区333、源极34和漏极35上方的部分称为层间绝缘层36的第二部分364。第一凹陷部361在衬底200上的正投影、第一部分363在衬底200上的正投影和沟道区332在衬底200上的正投影中的任两者至少部分重合。第二部分364在衬底200上的正投影与源极区331或漏极区333在衬底200上的正投影至少部分重合，或者说，第二部分364在衬底200上的正投影落入源极34和漏极35在衬底200上的正投影内。薄膜晶体管3的第二栅极37填充于第一凹陷部361，即第二栅极37的至少一部分可以设置在第一凹陷部361中。如图1所示，第二栅极37位于第一部分363远离有源层33的一侧，第二栅极37在衬底200上的正投影、第一部分363在衬底200上的正投影和沟道区332在衬底200上的正投影中的任两者至少部分重合，这样，层间绝缘层36的第一部分363夹在有源层33与第二栅极37之间，构成第二栅极37的栅极绝缘层。
在本公开的实施例中，层间绝缘层36的第一部分363的厚度可以小于层间绝缘层36的第二部分364的厚度，例如，层间绝缘层36的第二部分364的厚度可以在300～500nm左右，层间绝缘层36的第一部分363的厚度可以在100～200nm左右。以此方式，可以加强薄膜晶体管的第二栅极37(即顶栅)对沟道区的电压驱动作用，从而提升薄膜晶体管的性能。
应该理解，通过完全去除层间绝缘层36对应于光敏元件1的第一电极层11的部分的厚度，可以在层间绝缘层36中形成所述第一过孔362。光敏元件1的第一电极层11填充于第一过孔362，即第一电极层11的至少一部分可以设置在第一过孔362中。参照图1，薄膜晶体管的所述源漏极层延伸到光敏元件1的下方位置，第一过孔362暴露所述源漏极层，例如，暴露薄膜晶体管3的源极34。即，第一过孔362在衬底200上的正投影落入源极34在衬底200上的正投影内，相应地，第一电极层11在衬底200上的正投影落入源极34在衬底200上的正投影内，这样，第一电极层11可以与薄膜晶体管3的源极34接触，从而实现光敏元件1的第一电极层11与薄膜晶体管的电连接。
如图1所示，所述光电转化层可以设置在第一电极层11上，例如设置在第一电极层11远离衬底200的表面上。在被光线照射时，可用于将光信号转化为电信号。所述光电转化层可以包括第一半导体层12、本征半导体层13和第二半导体层14。
例如，第一半导体层12可以是非晶硅、非晶锗及其化合物等半导体材料进行N型/P型掺杂所形成的半导体层，也可以直接采用硅、锗及其化合物等半导体材料，还可以采用例如IGZO、ZnO、ITGO等半导体材料。第一半导体层12可以设置在第一电极层11上，例如设置在第一电极层11远离衬底200的表面上。第一半导体层12可以通过气相沉积、蒸镀、掺杂等工艺形成，在此不做特殊限定。
本征半导体层13可以采用非晶硅、非晶锗及其化合物等半导体材料，其可以设置在第一半导体层12远离第一电极层11的一侧，例如位于第一半导体层12远离第一电极层11的表面，并可通过气相沉积、蒸镀等工艺形成。
第二半导体层14可以是硅、锗及其化合物等半导体材料进行N型/P型掺杂所形成的半导体层，也可以采用硅、锗及其化合物等半导体材料，还可以采用IGZO、ZnO等半导体材料。第二半导体层14可以设置在本征半导体层13远离第一电极层11的一侧，例如位于本征半导体层13远离第一电极层11的表面上，并可通过气相沉积、蒸镀、掺杂等工艺形成。
需要说明的是，若第一半导体层12为N型半导体层，则第二半导体层14为P型半导体层；若第一半导体层12为P型半导体层，则第二半导体层14为N型半导体层。作为一个示例，第一半导体层12可以为N掺杂非晶硅层，其厚度可以在10～100nm左右；本征半导体层13可以为本征非晶硅层，其厚度可以在600～1200nm左右；第二半导体层14可以为P掺杂非晶硅层，其厚度可以在10～100nm左右。
如图1所示，第二电极层15可以设置在第二半导体层14远离衬底200的一侧。构成第二电极层15的材料可以包括透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)等，例如，第二电极层15的厚度可以在20～80nm，以便光线穿过。
如图1所示，感光装置100还可以包括覆盖层7，覆盖层7设置在光敏元件1的第二电极层15和薄膜晶体管3的第二栅极37远离衬底200的一侧，并且覆盖层7覆盖光敏元件1和薄膜晶体管3两者，即，覆盖层7在衬底200上的正投影覆盖光敏元件1和薄膜晶体管3两者在衬底200上的正投影。覆盖层7可以由透明且绝缘的材料构成，例如，构成覆盖层7的材料可以包括氧化硅、氮氧化硅等无机材料。覆盖层7覆盖第二电极层15远离衬底200的表面，还覆盖所述光电转化层12、13、14的侧面，从而可以保护第二电极层15和光电转化层，有利地，可以保护第一半导体层12、本征半导体层13和第二半导体层14免受水、氧等的侵蚀。
覆盖层7还可以包括第二过孔71和第三过孔73。第二过孔71暴露第二电极层15的一部分，即，第二过孔71在衬底200上的正投影落入第二电极层15在衬底200上的正投影内。第三过孔73暴露第二栅极37的一部分，即，第三过孔73在衬底200上的正投影落入第二栅极37在衬底200上的正投影内。
如图1所示，感光装置100还可以包括第一电极引线8和第二电极引线9。第一电极引线8和第二电极引线9可以位于同一层。第一电极引线8和第二电极引线9可以设置在覆盖层7远离衬底200的一侧。例如，构成第一电极引线8和第二电极引线9的材料可以包括Mo、Al、Cu等金属及其合金。第一电极引线8的一部分可以填充于第二过孔71中，这样，第一电极引线8可以与光敏元件1的第二电极层15电连接，从而将第二电极层15引出。第二电极引线9的一部分可以填充于第三过孔73中，这样，第二电极引线9可以与薄膜晶体管3的第二栅极37电连接，从而将第二栅极37引出。
如图1所示，感光装置100还可以包括钝化层10，钝化层10设置在第一电极引线8和第二电极引线9远离衬底200的一侧，并且钝化层10覆盖第一电极引线8和第二电极引线9，即，钝化层10在衬底200上的正投影覆盖第一电极引线8和第二电极引线9两者在衬底200上的正投影。钝化层10可以由透明且绝缘的材料构成，例如，构成钝化层10的材料可以包括氧化硅、氮氧化硅等无机材料。
图3是根据本公开实施例的探测基板的平面图。结合图1和图3，该探测基板可以包括衬底200和根据上述任一实施例的感光装置100，例如，该探测基板可以用于探测X射线。如图2所示，感光装置100的数量可为多个，且阵列分布于衬底基板200上，每个感光装置100可以将光信号转化为电信号。
该探测基板在使用时，例如，可以采用X射线照射探测基板，闪烁体层(或荧光体层)将X射线转换为可见光，感光装置100的光敏元件1探测到可见光后，将可见光转换为电信号，然后将电信号传输至薄膜晶体管3，薄膜晶体管3可以接收电信号并将电信号输出，以由影像监视器显示图像，从而实现X射线探测。
应该理解，由于根据本公开实施例的探测基板包括上述任一实施例描述的感光装置，所以，它具备上文中描述的感光装置的全部特点和优点，具体可以参照上文的描述，在此不再赘述。
图4是根据本公开实施例的阵列基板的平面图，图5是根据本公开实施例的阵列基板沿图4中的线AA’截取的剖视图。参照图4，所述阵列基板可以包括衬底200、多条扫描线GL和多条数据线DL，多条扫描线GL和多条数据线DL交叉以形成多个子像素SPX。在至少一个子像素SPX内，设置有显示器件400和感光装置，所述感光装置100为根据上述任一实施例的感光装置100。也就是说，所述阵列基板可以包括：衬底200；设置在衬底200上的多个子像素SPX；多个显示器件400，多个显示器件400分别设置在多个子像素SPX内；和设置在至少一个子像素SPX内的至少一个感光装置100。
需要说明的是，设置在一个子像素内的一个感光装置100可以对应设置在多个子像素SPX内的多个显示器件400，具体地，设置在一个子像素内的一个感光装置100可以接收从设置在多个子像素SPX内的多个显示器件400发出且经手指反射的指纹反射光，以实现指纹识别功能。
例如，根据本公开实施例的阵列基板可以为液晶显示装置的阵列基板，也可以是OLED显示装置或QLED显示装置的阵列基板，图4示出了根据本公开实施例的阵列基板的的剖视图，其以显示装置为OLED显示装置为例，并且仅示出了一个子像素的结构。
结合参照图1、图4和图5，显示器件400可以包括有机发光元件41和与有机发光元件41电连接的显示驱动元件42，显示驱动元件42用于驱动有机发光元件41进行发光显示。
可选地，有机发光元件41可以包括阳极411、阴极413以及位于阳极411与阴极413之间的发光层412。例如，该OLED显示单元可以是顶发射型OLED显示单元，阳极411可以是由金属制成的反射电极，阴极413可以是透明电极。
可选地，显示驱动元件42可以包括薄膜晶体管421。在本文中，为了区分，可以将感光装置100的薄膜晶体管3称为第一薄膜晶体管3，将显示驱动元件42的薄膜晶体管421称为第二薄膜晶体管421。
例如，第二薄膜晶体管421可以具有与第一薄膜晶体管3相同的结构，即，它也可以具有双栅结构(dual-gate TFT)。如图4所示，第二薄膜晶体管421可以包括层叠设置的第一栅极4211、栅绝缘层4212、有源层4213、源漏极层、层间绝缘层4216和第二栅极4217。所述源漏极层包括源极4214和漏极4215。同样地，第一栅极4211设置在有源层4213靠近衬底200的一侧，更具体地，设置在栅绝缘层4212靠近衬底200的一侧，第二栅极4217设置在有源层4213远离衬底200的一侧，更具体地，设置在层间绝缘层4216远离衬底200的一侧。薄膜晶体管421具有底栅和顶栅结构，即，它具有双栅结构(dual-gate TFT)。第二薄膜晶体管421更具体的结构可以参照上文针对第一薄膜晶体管3的描述，在此不再赘述。
如图5所示，第二薄膜晶体管421的漏极4215可以与有机发光元件41的阳极411电连接，用于驱动有机发光元件41进行发光显示。
参照图5，当指纹反射光(图5中的光线L1、L2示意性表示)照射至感光装置100的光敏元件1上时，光敏元件的饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，光电流随着指纹反射光强度的变化而变化，感光装置100的第一薄膜晶体管3将光电流信号导出至信号线，以根据该光电流信号进行指纹识别。
在本公开的实施例中，薄膜晶体管具有位于其有源层上方的第二栅极，该第二栅极可以有效地遮挡来自有机发光元件的光线或所述指纹反射光，从而可以减少光对薄膜晶体管的沟道区的照射，提升了薄膜晶体管的稳定性。
可选地，感光装置100的光敏元件1可以是能感应可见光的光敏元件。显示器件400的有机发光元件41可以作为感光装置100的光源，感光装置100用于根据显示器件400的有机发光元件41发出的光线经由触摸主体反射到光敏元件1上的反射光线进行指纹识别。在此情况下，不必为感光装置100单独设置光源。
参照图5，感光装置100在衬底200上的正投影与显示器件400在衬底200上的正投影不重合，具体地，感光装置100的光敏元件1在衬底200上的正投影与显示器件400的发光区在衬底200上的正投影不重合，这样，显示器件400在正常显示时发出的光线不会直接照射在感光装置100的光敏元件1上，从而不会对指纹识别功能造成干扰。
可选地，感光装置100中的光敏元件1可以是能感应非可见光的光敏元件，例如，能感应红外光的光敏元件。
例如，第二薄膜晶体管421的第一栅极4211、栅绝缘层4212、有源层4213、源漏极层、层间绝缘层4216和第二栅极4217可以分别与第一薄膜晶体管3的第一栅极31、栅绝缘层32、有源层33、源漏极层、层间绝缘层36和第二栅极37位于同一层。这样，可以不增加额外的构图工艺来制造两个薄膜晶体管，从而有利于阵列基板的制造，并且节省制造成本。
参照图5，覆盖层7和钝化层10还延伸至显示器件400，即显示器件400在衬底200上的正投影也落入覆盖层7和钝化层10中的每一个在衬底200上的正投影内。
可选地，所述阵列基板还可以包括平坦化层43和像素界定层44。平坦化层43设置在钝化层10远离衬底200的一侧。像素界定层44设置在平坦化层43远离衬底200的一侧。像素界定层44限定开口，有机发光元件41位于该开口内。
应该理解，由于根据本公开实施例的阵列基板包括上述任一实施例描述的感光装置，所以，它具备上文中描述的感光装置的全部特点和优点，具体可以参照上文的描述，在此不再赘述。
可选地，本公开的实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述阵列基板。所述显示装置可以包括但不限于：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。应该理解，该显示装置具有与前述实施例提供的阵列基板相同的有益效果。
图6是根据本公开实施例的感光装置的制造方法的流程图，图7至图17示意性示出了根据本公开的一个示例性实施例的感光装置的制造方法的主要步骤被执行后形成的结构的截面图。下面，结合图6、图7至图17来具体描述根据本公开的一个示例性实施例的感光装置的制造方法。
在步骤S51中，参照图7，在衬底200上形成底栅型薄膜晶体管的结构。例如，可以采用BCE(背沟道刻蚀工艺)型TFT类似的工艺，在衬底200上依次形成第一栅极31、栅绝缘层32、有源层33和源漏极层34、35。
需要说明的是，本公开的实施例不局限于背沟道刻蚀工艺(BCE)，在其它实施例中，也可以采用与ESL(刻蚀阻挡层)型TFT类似的工艺，在衬底200上形成底栅型薄膜晶体管的结构。
在步骤S52中，参照图8，在所述源漏极层远离衬底200的一侧形成层间绝缘材料层36’。例如，层间绝缘材料层36’可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝等形成的无机绝缘材料膜层，也可以包括氮化硅、氧化硅等形成的叠层材料膜层。层间绝缘材料层36’的厚度可以在300～500nm左右。
在步骤S53中，通过构图工艺，在层间绝缘材料层36’中形成第一凹陷部361和第一过孔362。
例如，可以在层间绝缘材料层36’远离衬底200的表面上涂覆光刻胶层50，然后采用半曝光掩模板技术，例如利用灰调掩模板(Gray Tone Mask)，对光刻胶层50执行曝光和显影，使得光刻胶层50具有如图9A所示的图案，即，光刻胶层50对应待形成的第一过孔362的部分被完全去除，光刻胶层50对应待形成的第一凹陷部361的部分被部分去除。然后，对层间绝缘材料层36’执行第一次刻蚀工艺。在第一次刻蚀中，由于对应待形成的第一过孔362位置处的层间绝缘材料层36’被完全暴露出来，所以通过第一次刻蚀工艺可以将该位置处的层间绝缘材料层36’完全刻蚀掉，以形成第一过孔362，如图9B所示。然后，对剩余的光刻胶层50执行灰化工艺，以完全暴露出位于沟道区332上方的层间绝缘材料层36’。然后，对层间绝缘材料层36’执行第二次刻蚀工艺。在第二次刻蚀中，控制刻蚀速率和刻蚀时间，以部分刻蚀位于沟道区332上方的层间绝缘材料层36’，在沟道区332上方保留一定厚度的层间绝缘材料层36’。例如，在沟道区332上方保留100～200nm厚的层间绝缘材料层36’，以在沟道区332上方形成第一凹陷部361和第一部分363，如图9C所示。
再例如，可以在层间绝缘材料层36’远离衬底200的表面上涂覆光刻胶层50，然后采用半曝光掩模板技术，例如利用灰调掩模板(Gray Tone Mask)，对光刻胶层50执行曝光和显影，使得光刻胶层50具有如图9A所示的图案，即，光刻胶层50对应待形成的第一过孔362的部分被完全去除，光刻胶层50对应待形成的第一凹陷部361的部分被部分去除。然后，对层间绝缘材料层36’执行第一次刻蚀工艺。在第一次刻蚀中，控制刻蚀速率和刻蚀时间，以部分刻蚀对应待形成的第一过孔362位置处的层间绝缘材料层36’，例如，在对应待形成的第一过孔362位置处，可以刻蚀掉100～200nm厚的层间绝缘材料层36’，如图10所示。然后，对剩余的光刻胶层50执行灰化工艺，以完全暴露出位于沟道区332上方的层间绝缘材料层36’。然后，对层间绝缘材料层36’执行第二次刻蚀工艺。在第二次刻蚀中，完全刻蚀掉在对应待形成的第一过孔362位置处剩余的层间绝缘材料层36’，同时，位于沟道区332上方的层间绝缘材料层36’被部分刻蚀掉，这样，在沟道区332上方保留一定厚度的层间绝缘材料层36’。需要理解的是，第二次刻蚀中在沟道区332上方保留的层间绝缘材料层36’的厚度与第一次刻蚀中在对应待形成的第一过孔362位置处刻蚀掉的层间绝缘材料层36’的厚度基本一致。例如，在沟道区332上方保留100～200nm厚的层间绝缘材料层36’，以在沟道区332上方形成第一凹陷部361和第一部分363，如图9C所示。
在上述实施例中，通过一次掩模板工艺，就可以实现在层间绝缘材料层36’中形成第一凹陷部361和第一过孔362，有利于减少掩模板的使用，节省制造成本。
例如，可以在层间绝缘材料层36’远离衬底200的表面上涂覆光刻胶层50。然后，对光刻胶层50执行第一次掩模板工艺，使得光刻胶层50具有如图11A所示的图案，即，光刻胶层50对应待形成的第一过孔362的部分被完全去除，这样，对应待形成的第一过孔362位置处的层间绝缘材料层36’被完全暴露出来。然后，对层间绝缘材料层36’执行第一次刻蚀工艺。在第一次刻蚀中，对应待形成的第一过孔362位置处的层间绝缘材料层36’完全刻蚀掉，以形成第一过孔362，如图11B所示。然后，去除光刻胶层50。然后，可以在层间绝缘材料层36’远离衬底200的表面上再次涂覆光刻胶层50’。然后，对光刻胶层50’执行第二次掩模板工艺，使得光刻胶层50’具有如图11C所示的图案，即，光刻胶层50’对应待形成的第一凹陷部361的部分被完全去除，这样，对应待形成的第一凹陷部361位置处的层间绝缘材料层36’被完全暴露出来。然后，对层间绝缘材料层36’执行第二次刻蚀工艺。在第二次刻蚀中，控制刻蚀速率和刻蚀时间，以部分刻蚀位于沟道区332上方的层间绝缘材料层36’，在沟道区332上方保留一定厚度的层间绝缘材料层36’。例如，在沟道区332上方保留100～200nm厚的层间绝缘材料层36’，以在沟道区332上方形成第一凹陷部361和第一部分363，如图9C所示。然后，去除光刻胶层50’。
在步骤S54中，在衬底200上形成第一电极层11和第二栅极37，使得第二栅极37的至少一部分填充于第一凹陷部361，第一电极层11的至少一部分填充于第一过孔362，如图12所示。
例如，可以采用溅射等沉积工艺在层间绝缘层36远离衬底200的表面上、第一凹陷部361和第一过孔362中沉积金属材料层，所述金属材料层由Mo、Al、Cu等金属及其合金中选择的一种构成。然后，通过构图工艺，对所述金属材料层进行构图，以形成第一电极层11和第二栅极37，使得第二栅极37的至少一部分填充于第一凹陷部361，第一电极层11的至少一部分填充于第一过孔362。这样，在衬底200上形成具有双栅结构的薄膜晶体管3。
在步骤S55中，在第一电极层11远离衬底200的表面上形成光电转换层和第二电极层。例如，可以在第一电极层11远离衬底200的表面上依次形成第一半导体层(例如P型非晶硅层)12、本征半导体层(例如本征非晶硅层)13、第二半导体层(例如N型非晶硅层)14和第二电极层15，如图13所示。这样，在衬底200上形成光敏元件1。
在本公开的实施例中，在沉积第一半导体层(例如P型非晶硅层)12、本征半导体层(例如本征非晶硅层)13和第二半导体层(例如N型非晶硅层)14等PIN结构的沉积工艺中，可能产生H离子(H+)，由于沟道区332上方形成有第二栅极37，所以第二栅极37可以阻挡H离子向沟道区332扩散，确保薄膜晶体管的沟道区不会被导体化，从而有利于保持薄膜晶体管的特性稳定。
在步骤S56中，如图14所示，在衬底200上形成覆盖层7，使得覆盖层7覆盖光敏元件1和薄膜晶体管3两者。
在步骤S57中，如图15所示，在覆盖层7中形成第二过孔71和第三过孔73，使得第二过孔71暴露第二电极层15的一部分，第三过孔73暴露第二栅极37的一部分。
在步骤S58中，如图16所示，在衬底200上形成第一电极引线8和第二电极引线9。
例如，可以采用溅射等沉积工艺在覆盖层7远离衬底200的表面上、第二过孔71和第三过孔73中沉积金属材料层，所述金属材料层由Mo、Al、Cu等金属及其合金中选择的一种构成。然后，通过构图工艺，对所述金属材料层进行构图，以形成第一电极引线8和第二电极引线9，使得第一电极引线8的至少一部分填充于第二过孔71，第二电极引线9的至少一部分填充于第三过孔73。
在步骤S59中，如图17所示，在第一电极引线8和第二电极引线9远离衬底200的一侧形成钝化层10，使得钝化层10覆盖第一电极引线8和第二电极引线9，并且钝化层10还覆盖光敏元件1和薄膜晶体管3两者。
需要说明的是，根据本公开的一些实施例，上述方法中的一些步骤可以单独执行或组合执行，以及可以并行执行或顺序执行，并不局限于图6所示的具体操作顺序。
虽然本公开总体构思的一些实施例已被图示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (17)

1.一种感光装置，形成在衬底上，其中，所述感光装置包括：
光敏元件，所述光敏元件包括：
位于所述衬底上的第一电极层；
位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和
夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：
位于所述衬底上的第一栅极；
位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和
位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，
其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。
2.根据权利要求1所述的感光装置，还包括层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括第一过孔和第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔，所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部。
3.根据权利要求2所述的感光装置，其中，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区位于所述源极区与所述漏极区之间，所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极区或所述漏极区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
4.根据权利要求3所述的感光装置，其中，所述第一凹陷部在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影至少部分重合。
5.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述第一部分的厚度在100～200nm范围内。
6.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述沟道区在所述衬底上的正投影落入所述第一栅极和所述第二栅极中的任一个在所述衬底上的正投影内。
7.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极区在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重合，所述漏极区在所述衬底上的正投影与所述漏极在所述衬底上的正投影部分重合；
并且其中，所述第一电极层接触所述源极或所述漏极，所述第一电极层在所述衬底上的正投影落入所述源极或所述漏极在所述衬底上的正投影内。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的感光装置，还包括覆盖层，其中，所述覆盖层覆盖所述光敏元件和所述薄膜晶体管两者，所述覆盖层包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述第二电极层的一部分，所述第三过孔暴露所述第二栅极的一部分；
并且其中，所述感光装置包括第一电极引线和第二电极引线，所述第一电极引线和所述第二电极引线位于同一层，所述第一电极引线的一部分填充于所述第二过孔，以与所述第二电极层电连接；所述第二电极引线的一部分填充于所述第三过孔，以与所述第二栅极电连接。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的感光装置，其中，所述有源层包括氧化物半导体层。
10.根据权利要求9所述的感光装置，其中，所述光电转换层包括：
位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第一半导体层；
位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的本征半导体层；和
位于所述本征半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，
其中，所述第一半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的一个，所述本征半导体层为本征非晶硅层，所述第二半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的另一个。
11.根据权利要求7所述的感光装置，其中，所述第一栅极、所述第二栅极、所述源极、所述漏极和所述第一电极层均包括金属导电材料，所述第二电极层包括透明导电材料。
12.一种探测基板，包括：
衬底；和
位于所述衬底上的至少一个感光装置，
其中，所述感光装置为根据权利要求1-11中任一项所述的感光装置。
13.一种阵列基板，包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个子像素；
多个显示器件，所述多个显示器件分别设置在所述多个子像素内；和
至少一个感光装置，所述至少一个感光装置设置在至少一个子像素内，
其中，所述感光装置为根据权利要求1-11中任一项所述的感光装置。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述显示器件包括：
有机发光元件；和
显示驱动元件，所述显示驱动元件与所述有机发光元件电连接，用于驱动所述有机发光元件发光，
其中，所述显示驱动元件包括薄膜晶体管，并且所述显示驱动元件的薄膜晶体管的结构与所述感光装置的薄膜晶体管的结构相同。
15.一种感光装置的制造方法，包括：
在衬底上形成薄膜晶体管的第一栅极；
在所述第一栅极远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的有源层；
在所述有源层远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的第二栅极和光敏元件的第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底一侧形成所述光敏元件的光电转换层；和
在所述光电转换层远离所述衬底一侧形成所述光敏元件的第二电极层，
其中，形成所述薄膜晶体管的第二栅极和光敏元件的第一电极层包括：使用相同的材料并且通过同一构图工艺形成所述薄膜晶体管的第二栅极和所述光敏元件的第一电极层。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述有源层远离所述衬底一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极层；
在所述源漏极层远离所述衬底的一侧形成层间绝缘材料层；和
通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔，以形成包括所述第一凹陷部和所述第一过孔的层间绝缘层，
其中，使用相同的材料并且通过同一构图工艺形成所述薄膜晶体管的第二栅极和所述光敏元件的第一电极层包括：
在所述层间绝缘层远离所述衬底的表面上以及在所述第一凹陷部和所述第一过孔中沉积金属材料层；和
通过一次构图工艺，对所述金属材料层进行构图，以形成所述第二栅极和所述第一电极层，使得所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔包括：
在所述层间绝缘材料层远离所述衬底的表面上涂覆光刻胶层；
利用灰调掩模板，对所述光刻胶层曝光和显影，使得所述光刻胶层对应待形成的第一过孔的部分被完全去除，所述光刻胶层对应待形成的第一凹陷部的部分被部分去除；
对所述层间绝缘材料层执行第一次刻蚀工艺，完全刻蚀在待形成的第一过孔的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一过孔；
对剩余的光刻胶层执行灰化工艺，以完全暴露出在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层；和
对所述层间绝缘材料层执行第二次刻蚀工艺，部分刻蚀在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一凹陷部，
或者，所述通过构图工艺在所述层间绝缘材料层中形成第一凹陷部和第一过孔包括：
在所述层间绝缘材料层远离所述衬底的表面上涂覆光刻胶层；
利用灰调掩模板，对所述光刻胶层曝光和显影，使得所述光刻胶层对应待形成的第一过孔的部分被完全去除，所述光刻胶层对应待形成的第一凹陷部的部分被部分去除；
对所述层间绝缘材料层执行第一次刻蚀工艺，部分刻蚀在待形成的第一过孔的位置处的层间绝缘材料层；
对剩余的光刻胶层执行灰化工艺，以完全暴露出在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层；和
对所述层间绝缘材料层执行第二次刻蚀工艺，完全刻蚀在待形成的第一过孔的位置处剩余的层间绝缘材料层，同时部分刻蚀在待形成的第一凹陷部的位置处的层间绝缘材料层，以形成所述第一过孔和所述第一凹陷部。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111106140A (zh) * 2019-12-24 2020-05-05 厦门天马微电子有限公司 传感器及其制造方法
CN111403455A (zh) * 2020-03-27 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111399292A (zh) * 2020-04-09 2020-07-10 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置
CN111830743A (zh) * 2020-07-10 2020-10-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN111863912A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 具有指纹识别功能的oled显示面板、显示装置及制备方法
CN112420748A (zh) * 2020-11-16 2021-02-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN112490275A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112713161A (zh) * 2020-12-30 2021-04-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN112736117A (zh) * 2020-12-23 2021-04-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN113065424A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别结构及其制备方法、显示基板、显示装置
CN113571536A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路
WO2021248565A1 (zh) * 2020-06-11 2021-12-16 武汉华星光电技术有限公司 Pin感光器件及其制作方法、及显示面板
WO2022188116A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示面板和显示装置
TWI781720B (zh) * 2021-08-10 2022-10-21 友達光電股份有限公司 光偵測裝置
EP4012777A4 (en) * 2020-02-13 2023-02-22 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
WO2023087373A1 (zh) * 2021-11-18 2023-05-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、移动终端
WO2023164961A1 (zh) * 2022-03-02 2023-09-07 武汉华星光电技术有限公司 指纹采集器件、显示面板
WO2023202436A1 (zh) * 2022-04-18 2023-10-26 京东方科技集团股份有限公司 指静脉传感器及电子设备

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111244119A (zh) * 2019-12-13 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
CN112713213B (zh) * 2020-12-30 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 光敏元件及其制备方法、显示装置
CN113178470A (zh) * 2021-04-25 2021-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备显示面板的方法和显示装置
CN113224100A (zh) * 2021-05-25 2021-08-06 信利半导体有限公司 一种非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器及电子设备
CN113325459B (zh) * 2021-05-28 2024-04-12 京东方科技集团股份有限公司 平板探测器及其制备方法、摄影设备
CN113611719A (zh) * 2021-07-30 2021-11-05 合肥维信诺科技有限公司 感光模组及其制备方法、指纹识别模块和x射线探测器
CN114171542B (zh) * 2021-12-06 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
TW202332072A (zh) * 2022-01-19 2023-08-01 友達光電股份有限公司 感測裝置
CN115117093A (zh) * 2022-06-14 2022-09-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN115295567A (zh) * 2022-08-15 2022-11-04 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及电子设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992296A (zh) * 2005-12-21 2007-07-04 三星Sdi株式会社 光传感器及使用该光传感器的有机发光显示器
JP2009288956A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Canon Inc タッチパネル機能付き有機ｅｌ表示装置
US20140217399A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Innolux Corporation Active matrix image sensing panel and apparatus
US20170092673A1 (en) * 2014-03-20 2017-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light detection device
US20170289805A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Motorola Mobility Llc Embedded active matrix organic light emitting diode (amoled) fingerprint sensor and self-compensating amoled
CN108279028A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 光电检测结构及其制作方法、光电检测装置
CN108550595A (zh) * 2018-05-07 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器
CN109061713A (zh) * 2018-08-08 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、阵列基板、x射线强度检测装置和方法
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US20190095672A1 (en) * 2017-09-28 2019-03-28 Apple Inc. Electronic device including mask collimation and related methods

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992296A (zh) * 2005-12-21 2007-07-04 三星Sdi株式会社 光传感器及使用该光传感器的有机发光显示器
JP2009288956A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Canon Inc タッチパネル機能付き有機ｅｌ表示装置
US20140217399A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Innolux Corporation Active matrix image sensing panel and apparatus
US20170092673A1 (en) * 2014-03-20 2017-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light detection device
US20170289805A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Motorola Mobility Llc Embedded active matrix organic light emitting diode (amoled) fingerprint sensor and self-compensating amoled
US20190095672A1 (en) * 2017-09-28 2019-03-28 Apple Inc. Electronic device including mask collimation and related methods
CN108279028A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 光电检测结构及其制作方法、光电检测装置
CN108550595A (zh) * 2018-05-07 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器
CN109061713A (zh) * 2018-08-08 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、阵列基板、x射线强度检测装置和方法
CN109300917A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王海宏 等: "《平板显示释疑手册（第1辑）》", 31 December 2016 *

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111106140A (zh) * 2019-12-24 2020-05-05 厦门天马微电子有限公司 传感器及其制造方法
EP4012777A4 (en) * 2020-02-13 2023-02-22 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
CN111403455A (zh) * 2020-03-27 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111403455B (zh) * 2020-03-27 2022-11-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111399292A (zh) * 2020-04-09 2020-07-10 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置
CN111399292B (zh) * 2020-04-09 2022-09-23 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置
US11404594B2 (en) 2020-06-11 2022-08-02 Wuhan China Star Optoelectronies Technology Co., Ltd. Positive-intrinsic-negative (PIN) photosensitive device, manufacturing method thereof, and display panel
WO2021248565A1 (zh) * 2020-06-11 2021-12-16 武汉华星光电技术有限公司 Pin感光器件及其制作方法、及显示面板
CN111830743A (zh) * 2020-07-10 2020-10-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN111863912A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 具有指纹识别功能的oled显示面板、显示装置及制备方法
CN112420748B (zh) * 2020-11-16 2022-07-12 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN112420748A (zh) * 2020-11-16 2021-02-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN112490275A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112736117B (zh) * 2020-12-23 2024-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN112736117A (zh) * 2020-12-23 2021-04-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN112713161B (zh) * 2020-12-30 2023-10-31 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
WO2022141493A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN112713161A (zh) * 2020-12-30 2021-04-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
WO2022188116A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示面板和显示装置
US11937465B2 (en) 2021-03-11 2024-03-19 Boe Technology Group Co., Ltd Array substrate, display panel and display device thereof
CN113065424A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别结构及其制备方法、显示基板、显示装置
CN113571536A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路
CN113571536B (zh) * 2021-07-26 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路
TWI781720B (zh) * 2021-08-10 2022-10-21 友達光電股份有限公司 光偵測裝置
WO2023087373A1 (zh) * 2021-11-18 2023-05-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、移动终端
WO2023164961A1 (zh) * 2022-03-02 2023-09-07 武汉华星光电技术有限公司 指纹采集器件、显示面板
WO2023202436A1 (zh) * 2022-04-18 2023-10-26 京东方科技集团股份有限公司 指静脉传感器及电子设备

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