CN112420748B - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，显示面板包括衬底基板以及薄膜晶体管器件层，其中薄膜晶体管器件层包括延伸部、第四电极层以及第一过孔，第四电极层通过第一过孔与延伸部连接，并形成肖特基结结构。有效的提升了显示面板内各膜层对光线的接收性能，并提高了红外探测型显示面板的探测灵敏度，同时，显示面板的制备工艺简单，生产成本低。

Description

显示面板及显示面板的制备方法
技术领域
本揭示涉及显示面板显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的不断提高，液晶显示装置的显示技术也随之得到发展，显示装置已被广泛地应用于各种电子设备中。
现有的显示面板不仅需要具有高的分辨率、宽视角以及低功耗等一般的使用需求，而且还需要具备其他多样化的功能，如显示面板能进行人机互动、红外感知以及探测等更加丰富的功能等。目前，具有红外感光功能的显示装置成为发展方向之一。在制备红外感光功能型显示面板时，现有技术中通常采用多晶硅与非晶硅来制备阵列基板，由于添加有感光模块，因此制备的工艺较复杂。同时，在制备工艺中非晶硅虽然能做到足够厚，但是当膜层厚度过大后，接收红外探测的性能就急剧下降，进而不利于显示面板进行红外探测的需求。而对于多晶硅制备技术，其制备的膜层虽然能满足红外探测的要求，但是现有的多晶硅型显示器件中的光生载流子区域内对应的吸光截面的有效面积较小，结构设计不合理，进而导致显示面板在进行红外探测时，红外探测的灵敏度降低，使得红外探测的精度不准确。最终影响红外感光型显示装置综合性能的提高与发展。
综上所述，现有的液晶显示装置中，尤其对于红外感光型显示装置，显示装置内的膜层厚度以及器件的结构存在缺陷，以及不能精确的对红外光线进行感知并传输，红外感光探测的灵敏度较低、生产制备工艺较复杂的问题。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有技术中，在制备红外感光显示装置时，显示装置内部的结构以及各膜层设计不合理，显示装置在进行红外探测时，不能精确的对红外光线进行感知并传输，红外感光探测的灵敏度较低，以及制备工艺流程较复杂，生产成本较高等问题。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以简化显示装置的制备工艺流程，并提高红外感光显示装置的红外探测性能，降低显示装置的生产制造成本。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方法如下：
本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
衬底基板；
薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管器件层包括薄膜晶体管的栅极、源极、漏极、有源层以及层间绝缘层，所述有源层设置在所述衬底基板上；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述薄膜晶体管器件层上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极层上；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述平坦化层上；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二电极层上；以及
第三电极层，所述第三电极层设置在所述钝化层上；
其中，所述薄膜晶体管器件层还包括延伸部、第四电极层以及第一过孔，所述第一过孔设置在所述有源层上，所述第四电极层通过所述第一过孔与所述延伸部连接，且所述延伸部与所述有源层电连接，所述第四电极层与所述第一电极层电连接，所述延伸部与所述第四电极层用以形成肖特基结结构。
根据本揭示一实施例，所述延伸部与所述有源层设置在同一层膜层上，且所述延伸部的厚度与所述有源层的厚度相同。
根据本揭示一实施例，所述显示面板还包括第二过孔以及第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔对应的设置在所述第一电极层上，所述第二过孔贯穿所述平坦化层，所述第三过孔贯穿所述平坦化层和所述钝化层。
根据本揭示一实施例，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接，所述第三电极层通过所述第三过孔与所述第一电极层电连接。
根据本揭示一实施例，所述第一电极层包括所述薄膜晶体管器件层的所述源极和所述漏极。
根据本揭示一实施例，所述第二电极层、所述第三电极层和所述第四电极层的材料包括氧化铟锡膜层。
根据本揭示一实施例，所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述衬底基板内，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管器件层在所述衬底基板的投影位置上。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：
制备显示面板的衬底基板；
在所述衬底基板上沉积多晶硅层，并对所述多晶硅层图案化处理；
对部分所述多晶硅层进行离子掺杂，使掺杂区域内对应的所述多晶硅层形成薄膜晶体管的有源层，未进行掺杂的所述多晶硅层形成所述显示面板的延伸部；
在所述多晶硅层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积薄膜晶体管的栅极，并对所述栅极图案化处理；
在所述栅极上沉积无机绝缘层，在所述无机绝缘层上蚀刻形成第一过孔结构以及第一电极层，并在所述第一过孔内沉积第四电极层，所述第四电极层通过所述第一过孔与所述延伸部电连接；
在所述第一电极层上沉积第一平坦化层，在所述第一平坦化层上蚀刻形成第二过孔，并在所述第一平坦化层上制备第二电极层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接；
在所述第二电极层上制备钝化层，在所述钝化层上沉积并蚀刻形成第三电极层，并在所述钝化层上蚀刻形成第三过孔，所述第三电极层通过所述第三过孔与所述第一电极层电连接；
在所述第三电极层上制备封装层，并完成所述显示面板的制备。
根据本揭示一实施例，所述显示面板的制备方法中，所述延伸部与所述有源层设置在同一膜层上，且所述延伸部与所述有源层的膜层厚度相同。
根据本揭示一实施例，所述显示面板的制备方法中，所述衬底基板包括第一衬底和第二衬底，在所述第一衬底上制备遮光层，并在所述遮光层上制备所述第二衬底。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示实施例中的显示面板及显示面板的制备方法中，显示面板内的薄膜晶体管器件层包括薄膜晶体管的有源层以及延伸部，延伸部与有源层设置在同一膜层上，并且延伸部与有源层的一端电连接，同时，显示面板内的第四电极层通过过孔结构与薄膜晶体管的有源层电连接，进而第四电极层与有源层形成一垂直的肖特基结结构，由于设置有延伸部，延伸部使得有源层的长度和面积增加，进而增大了显示面板的有效吸光面积，提升了红外传感器对光线的接收性能，并提高了红外探测型显示面板的探测灵敏度，同时，本揭示实施例中的显示面板的制备工艺简单。
附图说明
下面结合附图，通过对本揭示的具体实施方式详细描述，将使本揭示的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图
图2为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图
图3-图9为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程过程中对应的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本揭示和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本揭示的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本揭示的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，本揭示实施例中提供的制备方法中，使用的光罩及蚀刻次数少，并且制备工序简单。同时，本揭示实施例中还通过在显示面板内的薄膜晶体管器件层中设置肖特基结结构，肖特基结结构有效的增大了显示面板中的感光区域的面积，使得显示面板对红外光线的感知灵敏度提高，并最终提高显示面板的红外感光性能。
如图1所示，图1为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图。显示面板包括衬底基板100以及设置在衬底基板100上的薄膜晶体管器件层10。
具体的，薄膜晶体管器件层10包括有薄膜晶体管20的有源层110、薄膜晶体管20的栅极绝缘层102、薄膜晶体管20的栅极层180 、薄膜晶体管20的源极1041、薄膜晶体管20的漏极1042以及无机绝缘层103。
其中，薄膜晶体管20的有源层110设置在第二衬底101上，栅极绝缘层102设置在第二衬底101上，并且栅极绝缘层102覆盖所述有源层110。
栅极层180 设置在栅极绝缘层102上，无机绝缘层103设置在栅极绝缘层102上，同时，栅极绝缘层102覆盖所述栅极层180 。
在薄膜晶体管20内，还设置有开孔结构，薄膜晶体管20的源极1041和漏极1042通过各自对应的过孔结构与薄膜晶体管20的有源层110电连接，从而实现源极1041和漏极1042与有源层110的导通。
本揭示实施例中，为了提高显示面板对红外光线的感知以及接收性能，在制备有源层110时，显示面板的薄膜晶体管20内的有源层110还包括有延伸部111。
在制备本揭示实施例中的延伸部111时，不对延伸部111对应区域内的有源层110进行掺杂处理，只对薄膜晶体管20内的源极1041以及漏极1042对应区域内的半导体层进行离子掺杂处理，使掺杂区域内的半导体层形成薄膜晶体管20的有源层110。
优选的，本揭示实施例中的延伸部111与薄膜晶体管20的有源层110可设置在同一膜层结构中，并且为了保证显示面板结构的一致性，延伸部111和有源层110的膜层厚度可设置为相同。
进一步的，在设置薄膜晶体管20的延伸部111时，为了保证该延伸部111的延伸长度，使延伸部111能接受较多的外界红外光线，优选的，可使延伸部111的伸出长度与有源层110的长度相同，或者延伸部111的伸出长度至少大于有源层110的长度。
本揭示实施例中，薄膜晶体管20主要为控制薄膜晶体管，通过薄膜晶体管20的打开或者关闭，以实现对外界红外光线的接收传输。
进一步的，薄膜晶体管20的源极1041和漏极1042通过相对应的过孔结构与有源层110电连接。
显示面板还包括第一电极层104，第一电极层104设置在薄膜晶体管器件层10上，具体的，第一电极层104可设置在无机绝缘层103上，第一电极层104可间隔的设置在无机绝缘层103上。
优选的，第一电极层104的材料可为氧化铟锡膜层，其中，第一电极层104可包括薄膜晶体管20的源极1041和漏极1042。
在无机绝缘层103上还设置有第四电极层112，本揭示实施例中，显示面板的延伸部111对应的膜层结构上，设置有第一过孔1011，第一过孔1011贯穿显示面板的栅极绝缘层102和无机绝缘层103，并使延伸部111部分暴露出。同时，第四电极112通过所述第一过孔1011结构与延伸部111电连接。
其中，本揭示实施例中在无机绝缘层103上设置有第一电极层104和第四电极层112，第四电极层112的顶部侧边还与该区域内设置的第一电极层104相接触，进而第一电极层104与第四电极层112之间导通，实现信号的传输。
第四电极层112可与对应区域内的第一电极层104部分接触或者完全接触，当两者完全接触时，可将对应区域内的第四电极112设置在第一电极层104上，使第四电极层112完全覆盖该区域内的第一电极层104，保证两者之间能紧密的连接。
进一步的，本揭示实施例中的显示面板还包括平坦化层105，平坦化层105设置在第一电极层104上，并且平坦化层105覆盖所述第一电极层104。
以及第二电极层106，第二电极层106设置在平坦化层105上，同时，在平坦化层105上还设置有第二过孔1012，第二过孔1012可设置在第一电极层104上方对应的区域内，其中，第二电极层106通过所述第二过孔1012与第一电极层104电连接。
本揭示实施例中，显示面板还包括钝化层107，钝化层107设置在平坦化层105上，同时，钝化层107还覆盖所述第二电极层106。
进一步的，显示面板还包括第三电极层108，第三电极层108设置在钝化层107上，同时，在第一电极层104上方对应的膜层上还设置有第三过孔1013，第三电极层108通过第三过孔1013与对应的第一电极层104电连接，其中，第三过孔1013贯穿钝化层107和平坦化层105。
本揭示实施例中，显示面板的延伸部111与第四电极层112以及部分第一电极层104构成红外感知器件30结构，当外界光线达到显示面板内时，通过红外感知器件30接收光信号，光信号在延伸部111与有源层110内转换为传输信号，并被传输。由于设置有延伸部111，延伸部111形成的肖特基结结构的长度较长，使得接收外界光线的电极的面积增大，进而有效的增大了显示面板的红外光线感知性能，当显示面板进行红外探测时，显示面板的感知功能以及探测灵敏度较高。
进一步的，第一电极层104与第二电极层106可构成触控模块40，从而实现显示面板的触控操作等功能，并且，在第二电极层106与相对的第三电极层108之间还形成一电容存储结构50，以存储显示面板内的电容。
优选的，本揭示实施例提供的第二电极层106、第三电极层108以及第四电极层112的材料可包括氧化铟锡膜层，所述氧化铟锡膜层为透明的氧化铟锡膜层，防止电极对光线的遮挡，以提高显示面板的综合性能。
显示面板还包括遮光层109，遮光层109可设置在衬底基板100上，同时，遮光层109对应的设置在薄膜晶体管20在衬底基板100的正投影区域内，以有效的对外界光线进行遮挡，保证显示面板的质量。
本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图。
同时，结合图3-图9，图3-图9为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程过程中对应的显示面板的结构示意图。
具体的，在制备本揭示实施例中提供的显示面板时，包括如下步骤：
S10：制备显示面板的衬底基板；
S11：在所述衬底基板上沉积多晶硅层，并对所述多晶硅层图案化处理；
本揭示实施例中，在制备衬底基板时，可先提供一第一衬底基板100，然后在第一衬底基板100上沉积遮光层109，并对遮光层109进行图案化处理，形成如图3所示的结构示意图。
当第一衬底基板100和遮光层109制备完成后，在第一衬底基板100上沉积第二衬底基板101，使得第二衬底基板101完全覆盖遮光层109。
第二衬底基板100制备完成后，在第二衬底基板101沉积多晶硅层1101。并对所述多晶硅层1101进行图案化处理，最终获得所需要的结构。
S12：对部分所述多晶硅层进行离子掺杂，使掺杂区域内对应的所述多晶硅层形成薄膜晶体管的有源层，未进行掺杂的所述多晶硅层形成所述显示面板的延伸部。
当多晶硅层1101蚀刻完成后，继续对该多晶硅层1101进行处理，对部分多晶硅层1101进行P离子掺杂处理，由于进行了离子掺杂处理，使得处理区域内的多晶硅层1101形成N+，最终形成薄膜晶体管的有源层110。
另一部分未进行处理的多晶硅层1101仍保持不变，未进行掺杂处理的多晶硅层1101形成了本揭示实施例提供的显示面板的延伸部111。
优选的，在对多晶硅层进行处理时，可将处理区域和不进行处理区域等分，这样，在处理完成后，多晶硅层1101段的长度与延伸部111的长度相同。
S13：在所述多晶硅层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积薄膜晶体管的栅极，并对所述栅极图案化处理。
如图4、图5所示，图5为本揭示实施例提供的显示面板的制备流程示意图对应的显示面板的结构示意图。继续对显示面板进行处理，在有源层1101和延伸部111上沉积栅极绝缘层102。
同时，在栅极绝缘层102上沉积薄膜晶体管的栅极180，栅极180沉积完成后，对栅极180进行图案化处理，最终获得如图5中所示的栅极180的结构。
S14：在所述栅极上沉积无机绝缘层，在所述无机绝缘层上蚀刻形成第一过孔结构以及第一电极层，并在所述第一过孔内沉积第四电极层，所述第四电极层通过所述第一过孔与所述延伸部电连接。
本揭示实施例中，如图6所示，图7所示，图6为本揭示实施例提供的又一显示面板的结构示意图。在栅极180上沉积无机绝缘层103，无机绝缘层103同时覆盖所述栅极180。
无机绝缘层103制备完成后，对无机绝缘层103进行蚀刻处理，形成多个过孔结构，如图7所示，在本揭示实施例中，薄膜晶体管的源极1041和薄膜晶体管的漏极1042通过相对应的过孔结构10111和过孔结构10112与薄膜晶体管的有源层电连接。
优选的，所示过孔结构还包括第一过孔1011，在蚀刻形成第一过孔1011时，在薄膜晶体管的延伸部111上方对应的膜层位置处进行蚀刻，蚀刻完成后形成第一过孔1011，其中第一过孔1011贯穿栅极绝缘层102和无机绝缘层103，并使延伸部111的部分区域暴露出，以便与其他膜层进行连接。
进一步的，在无机绝缘层103上沉积第一电极层104，第一电极层104可为透明的氧化铟锡膜层，本揭示实施例中，第一电极层104还可包括薄膜晶体管的源极1041和漏极1042。
同时，在无机绝缘层103上沉积第四电极层112，其中，第四电极层112通过第一过孔1011与显示面板的延伸部111电连接，进一步的，第四电极层112还覆盖部分对应区域内的第一电极层104，从而使得第一电极层104与第四电极层112之间导通，以完成信号的传输。
S15：在所述第一电极层上沉积第一平坦化层，在所述第一平坦化层上蚀刻形成第二过孔，并在所述第一平坦化层上制备第二电极层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接。
如图8所示，及图9所示，图8、图9为本揭示实施例提供的显示面板制备工艺流程对应的显示面板的结构示意图。
在第一电极层104上沉积第一平坦化层105，并对所述第一平坦化层105图案化处理，使显示面板形成第二过孔1012和第三过孔1013，其中，第二过孔1012贯穿第一平坦化层105，过孔蚀刻完成后，在第一平坦化层105上沉积第二电极层106，其中，第二电极层106通过第二过孔1012与第一电极层104电连接，第二电极层106与第一电极层104之间还可形成显示面板的触控膜层，以实现对显示面板的触控操作。
S16：在所述第二电极层上制备钝化层，在所述钝化层上沉积并蚀刻形成第三电极层，并在所述钝化层上蚀刻形成第三过孔，所述第三电极层通过所述第三过孔与所述第一电极层电连接。
本揭示实施例中，在第一平坦化层105上沉积钝化层107，钝化层107覆盖第二电极层106，同时钝化层107沉积完成后，进行图案化处理，形成第三过孔1013结构，其中，第三过孔1013贯穿第一平坦化层105和钝化层107两膜层，并使第三过孔1013对应区域内的第一电极层104暴露出。具体的，沉积完第一平坦化层105后，采用快速热退火进行氢化和活化，然后对第一平坦化层105进行曝光蚀刻，最终形成第三过孔1013结构。
并在钝化层107上沉积第三电极层108，第三电极层108通过第三过孔1013与对应的第一电极层104电连接。
S17：在所述第三电极层上制备封装层，并完成所述显示面板的制备。
最后，制备显示面板的封装层，完成对显示面板的制作和封装，最终获得到本揭示实施例中提供的显示面板。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，在制备过程中，采用的光罩次数较少，并且制备工序简单，可在不对产品的产线更改的情况下进行生产制备，生产成本低。同时，本揭示实施例中提供的显示面板中的薄膜晶体管器件层中设置有肖特基结结构，肖特基结结构可增大薄膜晶体管有源层的面积，使得更多的外界光线被接收，进而有效的增加了显示面板对红外光线的接收效率，并提高红外型显示面板的探测精度。
以上对本揭示实施例所提供的一种像素驱动电路及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本揭示的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管器件层包括薄膜晶体管的栅极、源极、漏极、有源层以及层间绝缘层，所述有源层设置在所述衬底基板上；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述薄膜晶体管器件层上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述第一电极层上；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述平坦化层上；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二电极层上；以及
第三电极层，所述第三电极层设置在所述钝化层上；
其中，所述薄膜晶体管器件层还包括延伸部、第四电极层以及第一过孔，所述第一过孔设置在所述有源层上，所述第四电极层通过所述第一过孔与所述延伸部连接，且所述延伸部与所述有源层电连接，所述第四电极层与所述第一电极层电连接，所述延伸部与所述第四电极层用以形成肖特基结结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部与所述有源层设置在同一层膜层上，且所述延伸部的厚度与所述有源层的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二过孔以及第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔对应的设置在所述第一电极层上，所述第二过孔贯穿所述平坦化层，所述第三过孔贯穿所述平坦化层和所述钝化层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接，所述第三电极层通过所述第三过孔与所述第一电极层电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层包括所述薄膜晶体管器件层的所述源极和所述漏极。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层、所述第三电极层和所述第四电极层的材料包括氧化铟锡膜层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述衬底基板内，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管器件层在所述衬底基板的投影位置上。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备显示面板的衬底基板；
在所述衬底基板上沉积多晶硅层，并对所述多晶硅层图案化处理；
对部分所述多晶硅层进行离子掺杂，使掺杂区域内对应的所述多晶硅层形成薄膜晶体管的有源层，未进行掺杂的所述多晶硅层形成所述显示面板的延伸部；
在所述多晶硅层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积薄膜晶体管的栅极，并对所述栅极图案化处理；
在所述栅极上沉积无机绝缘层，在所述无机绝缘层上蚀刻形成第一过孔结构以及第一电极层，并在所述第一过孔内沉积第四电极层，所述第四电极层通过所述第一过孔与所述延伸部电连接；
在所述第一电极层上沉积第一平坦化层，在所述第一平坦化层上蚀刻形成第二过孔，并在所述第一平坦化层上制备第二电极层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接；
在所述第二电极层上制备钝化层，在所述钝化层上沉积并蚀刻形成第三电极层，并在所述钝化层上蚀刻形成第三过孔，所述第三电极层通过所述第三过孔与所述第一电极层电连接；
在所述第三电极层上制备封装层，并完成所述显示面板的制备。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法中，所述延伸部与所述有源层设置在同一膜层上，且所述延伸部与所述有源层的膜层厚度相同。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法中，所述衬底基板包括第一衬底和第二衬底，在所述第一衬底上制备遮光层，并在所述遮光层上制备所述第二衬底。
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