CN210324162U - 内嵌式自电容触控显示基板及触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种内嵌式自电容触控显示基板，包括：具有阵列排布的多个像素区域的衬底基板；设置于衬底基板上的公共电极层，公共电极层被分割成多个相互独立的自电容电极，各自电容电极在衬底基板上的正投影覆盖多个像素区域；与自电容电极异层设置且对应连接的多条触控数据线，各触控数据线在衬底基板上的正投影均位于多个像素区域之间的间隙所在区域内；通过触控数据线与各自电容电极连接的触控侦测芯片，用于通过触控数据线在显示时间段对各自电容电极加载公共电极信号，在触控时间段通过触控数据线检测各自电容电极的电容值变化以判断触控位置。本实用新型还涉及一种触控显示装置。

Description

内嵌式自电容触控显示基板及触控显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示产品制作技术领域，尤其涉及一种内嵌式自电容触控显示基板及触控显示装置。
背景技术
目前，现有的内嵌(Incell)式触摸屏是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。其中，利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极所承受的电容为一固定值，当人体触碰屏幕时，对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。由于人体电容可以作用于全部自电容，相对于人体电容仅能作用于互电容中的投射电容，由人体碰触屏幕所引起的触控变化量会大于利用互电容原理制作出的触摸屏，因此相对于互电容的触摸屏能有效提高触控的信噪比，从而提高触控感应的准确性。
但是，在上述自电容式内嵌触摸屏的结构设计中，需要在现有的显示基板内部增加新的膜层，导致在制作显示基板时需要增加新的工艺，使生产成本增加，不利于提高生产效率。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种内嵌式自电容触控显示基板及触控显示装置，解决自电容触控结构需要增加新的膜层实现触控，导致生产成本增加的问题。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种内嵌式自电容触控显示基板，包括：
具有阵列排布的多个像素区域的衬底基板；
设置于所述衬底基板上的公共电极层，所述公共电极层被分割成多个相互独立的自电容电极，各所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影覆盖多个像素区域；
与所述自电容电极异层设置且对应连接的多条触控数据线，各所述触控数据线在所述衬底基板上的正投影均位于所述多个所述像素区域之间的间隙所在区域内；
通过所述触控数据线与各所述自电容电极连接的触控侦测芯片，用于通过所述触控数据线在显示时间段对各所述自电容电极加载公共电极信号，在触控时间段通过所述触控数据线检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置。
可选的，所述衬底基板上包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括两条所述栅线，相邻两条所述数据线之间设置有两列所述像素区域，每列所述像素区域的一侧包括一条数据线，每个所述像素区域的另一侧包括一条公共电极线，所述公共电极线复用为所述触控数据线。
可选的，所述衬底基板上包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括一条所述栅线，相邻两列所述像素区域之间包括一条所述数据线和一条所述触控数据线，所述触控数据线复用为所述公共电极线。
可选的，所述触控数据线与所述数据线同层设置，且所述触控数据线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。
可选的，还包括与所述触控数据线同层且平行设置的虚设触控数据线，每条所述触控数据线对应一条所述虚设触控数据线。
可选的，至少两条所述触控数据线通过一连接线短接，所述连接线位于显示区域外部。
可选的，各所述自电容电极上包括均匀分布的多个第一镂空部和多个第二镂空部，所述多个第一镂空部在所述衬底基板上的第一正投影位于第二正投影内，所述第二正投影为所述数据线和所述触控数据线在所述衬底基板上的正投影，所述多个第二镂空部在所述衬底基板上的正投影位于各所述像素区域所在的区域内。
本实用新型提供一种显示装置，包括上述的内嵌式自电容触控显示基板。
本实用新型的有益效果是：将公共电极层变更分割成自电容电极，无需增加额外的膜层，节省了生产成本，提高了生产效率。
附图说明
图1表示本实用新型实施例中自电容电极分布示意图；
图2表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图一；
图3表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图二；
图4表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图三；
图5表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图四；
图6表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图五；
图7表示本实用新型实施例一实施方式中触控显示基板结构示意图六；
图8表示本实用新型实施例另一实施方式中触控显示基板结构示意图一；
图9表示本实用新型实施例另一实施方式中触控显示基板结构示意图二；
图10表示本实用新型实施例另一实施方式中触控显示基板结构示意图三；
图11表示本实用新型实施例中阵列基板结构示意图；
图12A表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图一；
图12B表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图二；
图12C表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图三；
图12D表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图四；
图12E表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图五；
图12F表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图六；
图12G表示本实用新型实施例中阵列基板制作过程中部分结构示意图七。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
针对内嵌式自电容触控显示结构中，需要额外增设膜层，导致在制作显示基板时需要增加新的工艺，使生产成本增加，不利于提高生产效率的问题，本实施例提供一种内嵌式自电容触控显示基板，将公共电极层变更分割成自电容电极，在现有的显示基板的制作工艺的基础上，无需增加额外的膜层即可实现自电容式触控，节省了生产成本，提高了生产效率。
具体的，本实施例提供一种内嵌式自电容触控显示基板，如图1-图10所示，包括：
具有阵列排布的多个像素区域的衬底基板1；
设置于所述衬底基板1上的公共电极层，所述公共电极层被分割成多个相互独立的自电容电极10，各所述自电容电极10在所述衬底基板1上的正投影覆盖多个像素区域；
与所述自电容电极10异层设置且对应连接的多条触控数据线30，各所述触控数据线30在所述衬底基板1上的正投影均位于所述多个所述像素区域之间的间隙所在区域内；
通过所述触控数据线30与各所述自电容电极10连接的触控侦测芯片(图中未示)，用于通过所述触控数据线30在显示时间段对各所述自电容电极10加载公共电极信号，在触控时间段通过所述触控数据线30检测各所述自电容电极10的电容值变化以判断触控位置。
利用自电容的原理复用公共电极层作为自电容电极10，将公共电极层图形进行变更，分割成多个相互独立的自电容电极10；并在衬底基板1上设置连接各自电容电极10与触控侦测芯片的触控数据线30，各触控数据线30在衬底基板1的正投影均位于像素区域之间间隙所在区域内，会被触摸屏中的黑矩阵遮挡，因为像素区域之间间隙不用于显示，不会影响像素的开口率；触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极10的电容值变化可以判断出触控位置。由于本实施例提供的触摸屏是将公共电极层的结构进行变更分割成自电容电极10，所述触控数据线30可以与所述数据线20通过同次构图工艺形成，因此，在现有的阵列基板制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺，节省了生产成本，提高了生产效率。
本实施例中的一个具体实施方式中，所述衬底基板1上包括多条栅线40和多条数据线20，所述多条栅线40和所述多条数据线20交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括两条所述栅线40，相邻两条所述数据线20之间设置有两列所述像素区域，每列所述像素区域的一侧包括一条数据线20，每个所述像素区域的另一侧包括一条公共电极线，所述公共电极线复用为所述触控数据线30，如图2-图7所示，这样无需通过专门的构图工艺制作触控数据线，可以简化显示基板的结构和制作工艺，降低显示基板的生产成本。
在本实施方式中，在所述衬底基板1的各像素区域内具有位于所述公共电极层与衬底基板之间的薄膜晶体管结构，所述触控数据线30与数据线20同层设置，且所述触控数据线30复用每列像素区域的另一侧的公共电极线，所述触控数据线30的延伸方向与所述数据线20相同。
在本实施方式中，每个所述像素区域还包括像素电极70，所述像素电极70与所述公共电极层异层设置，且所述像素电极70与所述公共电极层之间设置有钝化层，所述薄膜晶体管包括栅极500、源极100和漏极200，所述源极100与所述数据线20连接，所述漏极200与所述像素电极70连接，且栅线40、数据线20、薄膜晶体管和像素区域的像素电极70形成间隔交叉的连接关系，即一条数据线20同时驱动位于数据线20两侧的像素区域，使得衬底基板1的数据线20的数量减少一半。
在本实施方式中，每一条所述触控数据线30均连接至所述触控侦测芯片，也可以将至少两条所述触控数据线30通过一连接线60短接，两条短接的所述触控数据线30通过所述连接线60连接至所述触控侦测芯片，所述连接线60位于显示区域外部，图2表示的是所述触控数据线30没有进行短接的示意图，图3和图4均表示两条所述触控数据线30进行短接的示意图，至少两条所述触控数据线30进行短接这样可以降低走线数量，简化显示基板的结构，降低显示基板的生产成本。
在本实施方式中，还包括与所述触控数据线30同层且平行设置的虚设触控数据线50，每条所述触控数据线30对应一条所述虚设触控数据线50，参考图2和图3。
本实施方式中，各所述自电容电极10上包括均匀分布的多个第一镂空部300和多个第二镂空部400，所述多个第一镂空部300在所述衬底基板1上的第一正投影位于第二正投影内，所述第二正投影为所述数据线20和所述触控数据线30在所述衬底基板1上的正投影，所述多个第二镂空部400在所述衬底基板1上的正投影位于各所述像素区域所在的区域内，其中，一个所述自电容电极10对应多个所述像素区域，在所述自电容电极10的内部区域从所述触控数据线30的一侧延伸至选通线上方的连接图案通过触摸接触孔连接到所述公共电极，参考图6，并且其中第一镂空部300位于所述触控数据线30和所述虚设触控数据线50之间，第二镂空部400位于所述触控数据线30以及所述数据线20的上方。
且所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的设置，有利于保持公共电极层的slit(狭缝)空间排布均匀性，有利于形成均匀分布的自电容，降低触控信号噪声，提高触摸位置检测的灵敏度。
所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的具体形状可有多种，本实施方式中，所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的形状相同，均为沿与所述数据线20的延伸方向相平行的方向延伸的条状结构，但并不以此为限。
需要说明的是，图1中显示了各所述自电容电极10对应连接不同的触控数据线，且一个所述自电容电极10连接一条触控数据线30，但是应当理解的是，在实际应用中，每个自电容电极10不仅仅限于连接一条触控数据线30，而是可以连接多条触控数据线30，例如图5，图5中表示出了一个自电容电极10连接了两条所述触控数据线30的连接方式。
本实施例的另一实施方式中，所述衬底基板1上包括多条栅线40和多条数据线20，所述多条栅线40和所述多条数据线20交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括一条所述栅线40，相邻两列所述像素区域之间包括一条所述数据线20和一条所述触控数据线30，所述触控数据线30复用为所述公共电极线，如图8-图10所示。
在本实施方式中，在所述衬底基板1的各像素区域内具有位于所述公共电极层下方的薄膜晶体管结构，所述触控数据线30与数据线20同层设置，所述触控数据线30与在显示阶段构成公共电极线，所述触控数据线30的延伸方向与所述数据线20相同。
在本实施方式中，每个所述像素区域还包括像素电极70，所述像素电极70与所述公共电极层异层设置，且所述像素电极70与所述公共电极层之间设置有钝化层，所述薄膜晶体管包括栅极500、源极100和漏极200，所述源极100与所述数据线20连接，所述漏极200与所述像素电极70连接，且栅线40、数据线20、薄膜晶体管和像素区域的像素电极70形成一一对应的连接关系。
在本实施方式中，每一条所述触控数据线30均连接至所述触控侦测芯片，也可以将至少两条所述触控数据线30通过一连接线60短接，两条短接的所述触控数据线30通过所述连接线60连接至所述触控侦测芯片，所述连接线60位于显示区域外部，图8表示两条所述触控数据线30进行短接的示意图。
在本实施方式中，还包括与所述触控数据线30同层且平行设置的虚设触控数据线50，每条所述触控数据线30对应一条所述虚设触控数据线50，参考图8。
本实施方式中，各所述自电容电极10上包括均匀分布的多个第一镂空部300和多个第二镂空部400，所述多个第一镂空部300在所述衬底基板1上的第一正投影位于第二正投影内，所述第二正投影为所述数据线20和所述触控数据线30在所述衬底基板1上的正投影，所述多个第二镂空部400在所述衬底基板1上的正投影位于各所述像素区域所在的区域内。其中，一个所述自电容电极10对应多个所述像素区域，在所述自电容电极10的内部区域从所述触控数据线30的一侧延伸至选通线上方的连接图案通过触摸接触孔连接到所述公共电极，参考图9，并且其中第一镂空部300位于所述触触控数据线30和所述虚设触控数据线50之间，第二镂空部400位于所述触控数据线30以及所述数据线20的上方。
且所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的设置，有利于保持公共电极层的slit(狭缝)空间排布均匀性，有利于形成均匀分布的自电容，降低触控信号噪声，提高触摸位置检测的灵敏度。
所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的具体形状可有多种，本实施方式中，所述第一镂空部300和所述第二镂空部400的形状相同，均为沿与所述数据线20的延伸方向相平行的方向延伸的条状结构，但并不以此为限。
本实施例还提供一种显示装置，包括上述的内嵌式自电容触控显示基板。
在显示装置应用为LCD(液晶显示器)时，显示屏包括阵列基板，所述公共电极层、触控数据线、数据线、栅线、像素电极等设置于阵列基板上，但本实施例触控显示装置也可以应用于其他显示结构，并不以此为限。
利用自电容的原理复用公共电极层作为自电容电极，将公共电极层图形进行变更，分割成多个相互独立的自电容电极；并在阵列基板上增加连接各自电容电极与触控侦测芯片的触控数据线，各触控数据线在阵列基板的正投影均位于像素区域之间间隙所在区域内，会被触控显示基板中的黑矩阵遮挡(即所述触控数据线在所述阵列基板上的正投影位于黑矩阵在阵列基板的正投影内)不会影响像素的开口率；触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。由于本实施例提供的触控显示基板是将公共电极层的结构进行变更分割成自电容电极，并且使用与数据线同层金属形成的触控数据线，因此，在现有的阵列基板制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺，节省了生产成本，提高了生产效率。
所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本实施例的衬底基板可以是玻璃，或PI(聚酰亚胺薄膜)等柔性基板。
以下是本实施例中触控显示基板应用于LCD，阵列基板上的像素区域的制造工艺过程。
图11是低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的示意图。其中薄膜晶体管形成于图2-图5中任一幅图所示的显示区内，显示区还包括呈阵列分布的多条数据线和多条栅线。在低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的制备工艺中，一般需要8～9道掩模工序。以下参照图12A～图12G，对图11所示的低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的制备工艺进行说明。
如图12A所示，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在整个绝缘基板1(衬底基板)上依次沉积氮化硅(SiN)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜，形成氮化硅和二氧化硅构成的缓冲层2。接着利用PECVD或者其它化学或物理气相沉积方法在缓冲层2上形成非晶硅(a-Si)薄膜。通过激光退火(ELA)或者固相结晶(SPC)方法，使得a-Si结晶成为多晶硅薄膜。然后采用传统掩模工艺在多晶硅薄膜上形成光刻胶层的图案，以光刻胶层为刻蚀阻挡层，通过等离子体刻蚀没有被光刻胶层保护的多晶硅薄膜，形成多晶硅有源层4和多晶硅存储电容3(光刻形成的多晶硅薄膜一部分做为TFT的有源层，另一部分做为存储电容的底电极，存储电容的顶电极采用栅极金属形成)。利用离子注入工艺对多晶硅有源层4中的晶体管沟道进行低浓度离子掺杂，在多晶硅有源层4中形成薄膜晶体管要求的导电沟道。
如图12B所示，通过掩模工艺在多晶硅有源层4上形成光阻材料组成的光刻胶5，以保护多晶硅有源层4不被离子注入。对没有光刻胶层保护的多晶硅存储电容3进行高浓度离子注入，将多晶硅存储电容3转化为低电阻的掺杂多晶硅薄膜。在图12C～图12G所示的后续工艺过程中，由于只在多晶硅存储电容3上形成由栅极绝缘层和栅极金属薄膜构成的电容的第二极板，因此在图12C～图12G中不再显示多晶硅存储电容3后续仅有的一次光刻工艺，即形成电容的第二极板的光刻工艺。
如图12C所示，通过光刻胶剥离工艺去除多晶硅有源层4上的光刻胶5，使用PECVD沉积SiO2薄膜或SiO2与SiN的复合薄膜，在多晶硅存储电容3、多晶硅有源层4以及整个缓冲层2上形成栅极绝缘层6。通过磁控溅射等物理气相沉积方法在栅极绝缘层6上沉积一种或者多种低电阻的金属材料薄膜，利用光刻工艺形成栅极7。该栅金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。使用栅极7作为离子注入阻挡层，对多晶硅有源层4进行离子掺杂，在未被栅极阻挡的多晶硅有源层区域形成低阻抗的源电极和漏极电极接触区。
如图12D所示，在包含栅极7的整个表面，使用PECVD依次沉积SiO2薄膜和SiN薄膜形成层间绝缘层8，通过掩模和刻蚀工艺刻蚀层间绝缘层8而形成源电极接触孔15和漏电极接触孔16。如图12E所示，使用磁控溅射在层间绝缘层8及源电极接触孔15和漏电极接触孔16之上沉积一种或多种低电阻的金属薄膜，通过掩模和刻蚀工艺形成源电极9和漏电极10，源电极9和漏电极10通过源电极接触孔15和漏电极接触孔16与多晶硅有源层4形成欧姆接触。使用快速热退火或热处理炉退火，激活多晶硅有源层4中掺杂的离子，在栅极7之下的多晶硅有源层4中形成有效的导电沟道。该源漏金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。
如图12F所示，使用PECVD在包含源电极9和漏电极10的整个表面沉积一层SiN薄膜，通过掩模和刻蚀工艺形成包含过孔17的钝化层11。使用快速热退火或热处理炉退火进行氢化工艺，修复多晶硅有源层4内部和界面的缺陷。再一次通过掩模工艺，在SiN钝化层11之上形成具有与过孔17相同的过孔的有机平坦化层18，填充器件表面的低凹形成平坦表面。
如图12G所示，使用磁控溅射在有机平坦化层18和过孔17之上沉积一层透明导电薄膜，通过光刻工艺刻蚀该透明导电薄膜在过孔17及部分有机平坦化层18之上形成像素区域的像素电极12，然后在有机平坦化层18及像素电极12上涂覆一层与有机平坦化层18类似的光敏有机材料，通过最后一道掩模工艺暴露出像素电极12的部分区域，形成图11中所示的像素定义层13，像素定义层13覆盖有机平坦化层18及部分的像素电极12区域。该透明导电薄膜可以是单层的氧化物导电薄膜，如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等，也可以是ITO(氧化铟锡)/Ag/ITO、IZO(氧化铟锌)/Ag等复合薄膜。
综上所述，至少需要8～9道光刻工艺形成图11所示的低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板，包括通过光刻工艺实现多晶硅有源层、存储电容掺杂、栅极、层间绝缘层接触孔、源电极和漏电极、钝化层过孔、平坦化层、像素电极。
以上所述为本实用新型较佳实施例，需要说明的是，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型保护范围。

Claims (8)

1.一种内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，包括：
具有阵列排布的多个像素区域的衬底基板；
设置于所述衬底基板上的公共电极层，所述公共电极层被分割成多个相互独立的自电容电极，各所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影覆盖多个像素区域；
与所述自电容电极异层设置且对应连接的多条触控数据线，各所述触控数据线在所述衬底基板上的正投影均位于所述多个所述像素区域之间的间隙所在区域内；
通过所述触控数据线与各所述自电容电极连接的触控侦测芯片，用于通过所述触控数据线在显示时间段对各所述自电容电极加载公共电极信号，在触控时间段通过所述触控数据线检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置。
2.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，所述衬底基板上包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括两条所述栅线，相邻两条所述数据线之间设置有两列所述像素区域，每列所述像素区域的一侧包括一条数据线，每个所述像素区域的另一侧包括一条公共电极线，所述公共电极线复用为所述触控数据线。
3.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，所述衬底基板上包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线交叉限定出所述多个像素区域，相邻两行所述像素区域之间包括一条所述栅线，相邻两列所述像素区域之间包括一条所述数据线和一条所述触控数据线，所述触控数据线复用为公共电极线。
4.根据权利要求2或3所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，所述触控数据线与所述数据线同层设置，且所述触控数据线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。
5.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，还包括与所述触控数据线同层且平行设置的虚设触控数据线，每条所述触控数据线对应一条所述虚设触控数据线。
6.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，至少两条所述触控数据线通过一连接线短接，所述连接线位于显示区域外部。
7.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示基板，其特征在于，各所述自电容电极上包括均匀分布的多个第一镂空部和多个第二镂空部，所述多个第一镂空部在所述衬底基板上的第一正投影位于第二正投影内，所述第二正投影为所述数据线和所述触控数据线在所述衬底基板上的正投影，所述多个第二镂空部在所述衬底基板上的正投影位于各所述像素区域所在的区域内。
8.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的内嵌式自电容触控显示基板。
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