CN117826485A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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周志超
谭志威
刘忠杰
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd
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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括依次设置的衬底层、第一导电层、第一半导体层、第二导电层和第三导电层，第一导电层包括位于光感测区的第一电极，第一半导体层包括位于光感测区的光电探测部，光电探测部与第一电极电连接，第二导电层包括位于光感测区的第二电极和位于像素区的第三电极，第二电极与光电探测部电连接，第三导电层包括位于像素区的第四电极，第四电极与第三电极对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极与边缘场开关技术中的第三电极同层设计，使得在阵列基板制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的快速发展，有源驱动边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)因具有视野角大和响应速度快等优势，已为目前液晶显示面板的主流技术之一。而光电探测器由于在相机、计算机视觉、人机交互、非触控式触摸屏和智能屏等领域具有广泛应用前景，也逐渐被整合至显示面板中。但目前这两种技术在显示面板中阵列基板制作过程中的制程相对独立，同时这两种技术在制程中所需要的光罩数量也相对较多，从而导致阵列基板的制程工序大大增加，进而导致阵列基板的制作成本较高，且制作效率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以解决现有阵列基板中光电探测器和边缘场开关技术制程工序复杂而导致制作成本较高的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，包括像素区和光感测区，所述阵列基板还包括：
衬底层；
第一导电层，设置在所述衬底层的一侧，所述第一导电层包括位于所述光感测区的第一电极；
第一半导体层，设置在所述第一导电层背离所述衬底层的一侧，所述第一半导体层包括位于所述光感测区的光电探测部，所述光电探测部与所述第一电极电连接；
第二导电层，设置在所述第一半导体层背离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括位于所述光感测区的第二电极和位于所述像素区的第三电极，所述第二电极与所述光电探测部电连接；
第三导电层，设置在所述第二导电层背离所述第一半导体层的一侧，所述第三导电层包括位于所述像素区的第四电极，所述第四电极与所述第三电极对应设置，所述第四电极与所述第三电极用于形成边缘场。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一半导体层还包括位于所述像素区的增垫部，所述第三电极在所述衬底层上的正投影与所述增垫部在所述衬底层上的正投影重叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电探测部在所述衬底层上的正投影位于所述第一电极在所述衬底层上的正投影内；所述第二电极在所述衬底层上的正投影与所述光电探测部在所述衬底层上的正投影重叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括位于所述光感测区的第一栅极，以及位于所述像素区的第二栅极；所述阵列基板还包括：
第一绝缘层，设置在所述第二导电层与所述第三导电层之间；
第二半导体层，设置在所述第一绝缘层背离所述第二导电层的一侧，所述第二半导体层包括位于所述光感测区的第一有源层，以及位于所述像素区的第二有源层；
第四导电层，位于所述第二半导体层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第四导电层包括位于所述光感测区的第一源漏极，以及位于所述像素区的第二源漏极；所述第一源漏极与所述第一电极电连接，所述第二源漏极与所述第四电极电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第一源漏极的位置开设有第一通孔，所述第二绝缘层上对应所述第一电极的位置开设有第二通孔；所述第三导电层包括第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一源漏极电连接，所述第一连接电极通过第二通孔与所述第一电极电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第二源漏极的位置开设有第三通孔；所述第三导电层包括第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第三通孔与所述第二源漏极电连接，所述第二连接电极与所述第四电极电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三导电层还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素区，所述公共电极与所述第三电极电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一半导体层的材质包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅和氟掺杂非晶硅中的一种或多种；所述第一半导体层为单层或多层结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导电层为透明导电层，所述第三导电层为透明导电层。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。
本申请实施例中阵列基板包括依次设置的衬底层、第一导电层、第一半导体层、第二导电层和第三导电层，第一导电层包括位于光感测区的第一电极，第一半导体层包括位于光感测区的光电探测部，光电探测部与第一电极电连接，第二导电层包括位于光感测区的第二电极和位于像素区的第三电极，第二电极与光电探测部电连接，第三导电层包括位于像素区的第四电极，第四电极与第三电极对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极与边缘场开关技术中的第三电极同层设计，使得在阵列基板制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种阵列基板的制作流程结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
10，显示面板；
100，阵列基板；S1，像素区；S2，光感测区；110，衬底层；120，缓冲层；130，第一导电层；131，第一电极；132，第一栅极；133，第二栅极；140，第一半导体层；141，光电探测部；142，增垫部；150，第二导电层；151，第二电极；152，第三电极；160，第一绝缘层；170，第二半导体层；171，第一有源层；172，第二有源层；180，第四导电层；181，第一源漏极；182，第二源漏极；190，第二绝缘层；191，第一通孔；192，第二通孔；193，第三通孔；194，第四通孔；200，第三导电层；210，第四电极；220，第一连接电极；230，第二连接电极；240，公共电极；
300，对置基板；
400，液晶层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，以下分别进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
首先，本申请实施例提供一种阵列基板，如图1所示，阵列基板100包括像素区S1和光感测区S2，像素区S1用于形成发光像素，当阵列基板100应用于显示面板10中时，对应的像素区S1用于显示一画面；光感测区S2用于设置光电传感器，并且能够依据不同的应用层面，而将光感测区S2设计于阵列基板100上的不同位置。
阵列基板100包括衬底层110，衬底层110作为阵列基板100的基体结构，用于对阵列基板100中的其他结构进行支撑，以确保阵列基板100的结构稳定性。其中，衬底层110能够为玻璃、石英、塑料或其他材质类型的刚性或柔性基板，此处并不做特殊限制。
阵列基板100包括第一导电层130、第一半导体层140和第二导电层150，第一导电层130设置在衬底层110的一侧，第一半导体层140设置在第一导电层130背离衬底层110的一侧，第二导电层150设置在第一半导体层140背离第一导电层130的一侧。第一导电层130包括位于光感测区S2的第一电极131，第一半导体层140包括位于光感测区S2的光电探测部141，光电探测部141与第一电极131电连接，第二导电层150包括位于光感测区S2的第二电极151，第二电极151与光电探测部141电连接。
即第一电极131、光电探测部141和第二电极151共同构成光电探测器，第二电极151用于写入信号，并经光电探测部141传输至第一电极131，然后经由第一电极131写出，以实现信号的传输。在本申请实施例中，第一导电层130能够为金属导电层，第二导电层150为透明导电层，即第一电极131的材质为金属材质，第二电极151的材质为透明导电材质，当外界光线透过第二电极151照射在光电探测部141上时，光电探测部141中产生电子空穴对，当施加电压于第一电极131与第二电极151上时，这些电子空穴对中的电子与空穴彼此分离，依其电性而往第一电极131与第二电极151流动，进而产生光电流变化。
其中，衬底层110与第一导电层130之间还设置有一层缓冲层120，缓冲层120用于将第一导电层130与衬底层110隔开，以避免衬底层110中的杂质离子扩散至第一导电层130中而影响光电探测器的光电性能。
需要说明的是，本申请实施例中的光感测区S2和像素区S1能够同时设置于阵列基板100的显示区，且每一光感测区S2对应地配置于每一像素区S1的范围内，或者，将多个像素区S1归类为一组，而每一光感测区S2对应地配置于每一组像素区S1中，此处并不限定光感测区S2与对应的像素区S1的数量及其相互配置方式。在实际的操作上，使用者将手指或是其它物体放置于光电传感器上方而使光线产生强度的变化，当施加一操作电压于光电传感器上的两个电极时，可以使得光电传感器依据光线强度的变化量产生并输出对应的信号以执行各种功能。也即本申请实施例中的光电传感器属于一种遮光感测模式，手指或物体的碰触会将光电传感器上方的光线遮蔽，光电传感器会输出对应的信号以达到触控控制的作用，也就是说遮光感测模式是以感测外界光线被遮蔽情形以进行触控感测。
或者，光感测区S2还可以选择性地配置于像素区S1整体的外围，即光感测区S2可以选择性地配置于阵列基板100的周边电路区，即非显示区，此时，光电传感器能够用于侦测环境光线的强弱，并将环境光线的变化转为光电信号，再根据此光电信号反馈至背光源的输出，以此来调节背光源的亮度，从而达到省电的效果。同时，根据侦测环境光线的强弱，还能够自动调节显示面板10的亮度和对比度，不仅能减缓高亮度和反光带来的眼睛疲劳，还能降低显示面板10的能量消耗。
阵列基板100包括第三导电层200，第三导电层200设置在第二导电层150背离第一半导体层140的一侧，第二导电层150包括位于像素区S1的第三电极152，第三导电层200包括位于像素区S1的第四电极210，且第四电极210与第三电极152对应设置，第四电极210与第三电极152用于形成边缘场，即第四电极210与第三电极152构成边缘场开关技术。当将阵列基板100应用至显示面板10中时，通过在第三电极152和第四电极210上输入控制信号，能够在第四电极210边缘形成边缘电场，以调节显示面板10中液晶的偏转角度，增大显示面板10的显示视角。通过将光电探测器中的第二电极151与边缘场开关技术中的第三电极152同层设计，使得在阵列基板100制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。
本申请实施例中阵列基板100包括依次设置的衬底层110、第一导电层130、第一半导体层140、第二导电层150和第三导电层200，第一导电层130包括位于光感测区S2的第一电极131，第一半导体层140包括位于光感测区S2的光电探测部141，光电探测部141与第一电极131电连接，第二导电层150包括位于光感测区S2的第二电极151和位于像素区S1的第三电极152，第二电极151与光电探测部141电连接，第三导电层200包括位于像素区S1的第四电极210，第四电极210与第三电极152对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极151与边缘场开关技术中的第三电极152同层设计，使得在阵列基板100制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。
可选的，第一半导体层140还包括位于像素区S1的增垫部142，第三电极152在衬底层110上的正投影与增垫部142在衬底层110上的正投影重叠。即第一半导体层140同时形成光电探测部141和增垫部142，第二导电层150同时形成第二电极151和第三电极152，且第二电极151与光电探测部141对应，第三电极152与增垫部142对应，从而使得第二导电层150和第一半导体层140能够采用一道光罩同时形成，以进一步提高光电探测器和边缘场开关技术的集成度，简化制程工序，降低生产成本。
对应的，光电探测部141在衬底层110上的正投影位于第一电极131在衬底层110上的正投影内，以便于第一电极131与后续膜层的电连接设计，第二电极151在衬底层110上的正投影则与光电探测部141在衬底层110上的正投影重叠，从而使得第二导电层150和第一半导体层140能够采用一道光罩同时形成，即第一半导体层140能够以第二导电层150的图案进行刻蚀，以简化阵列基板100的制程工序，降低生产成本。
也就是说，在制作阵列基板100时，能够依次沉积第一半导体层140和第二导电层150，并采用一道光刻工艺和一道刻蚀工艺，先对第二导电层150进行图案化处理，以形成第二电极151和第三电极152，然后再采用一道刻蚀工艺对第一半导体层140进行图案化处理，以在第二电极151下方形成光电探测部141，在第三电极152下方形成增垫部142，从而实现第二导电层150和第一半导体层140的一道光罩工艺。
此外，增垫部142的设置还能够将第三电极152垫高，以减小第三电极152与第二电极151之间的高度差异，从而减小光感测区S2与像素区S1之间的高度差异，以便于阵列基板100表面的平坦化处理。
其中，第一半导体层140的材质包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅和氟掺杂非晶硅中的一种或多种，第一半导体层140能够为单层或多层结构。
可选的，第一导电层130还包括位于光感测区S2的第一栅极132，以及位于像素区S1的第二栅极133，阵列基板100则还包括第一绝缘层160、第二半导体层170和第四导电层180，第一绝缘层160设置在第二导电层150与第三导电层200之间，第二半导体层170设置在第一绝缘层160背离第二导电层150的一侧，第二半导体层170包括位于光感测区S2的第一有源层171，以及位于像素区S1的第二有源层172，第四导电层180位于第二半导体层170背离第一绝缘层160的一侧，第四导电层180包括位于光感测区S2的第一源漏极181，以及位于像素区S1的第二源漏极182，第一源漏极181与第一电极131电连接，第二源漏极182与第四电极210电连接。
即第一绝缘层160、第二半导体层170和第四导电层180依次设置在第二导电层150与第三导电层200之间，第一栅极132、第一有源层171和第一源漏极181构成第一薄膜晶体管，第二栅极133、第二有源层172和第二源漏极182构成第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管与光电探测器中的第一电极131电连接，用于对光电探测器的光电信号进行输出，第二薄膜晶体管与第四电极210电连接，用于控制第四电极210上信号的输入，以在第四电极210边缘形成边缘场。通过将第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中对应各膜层分别同时制作，能够有效将光电探测器和边缘场开关技术集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。
需要说明的是，本申请实施例中的第一源漏极181包括第一源极和第一漏极，第二源漏极182包括第二源极和第二漏极，第一电极131能够与第一源极或第一漏极进行电连接，第四电极210能够与第二源极或第二漏极进行电连接，此处并不做特殊限制。
在一些实施例中，阵列基板100包括第二绝缘层190，第二绝缘层190位于第四导电层180与第三导电层200之间，用于将第四导电层180与第三导电层200隔开，避免第四导电层180与第三导电层200之间出现相互干扰。第二绝缘层190上对应第一源漏极181的位置开设有第一通孔191，第二绝缘层190上对应第一电极131的位置开设有第二通孔192，第三导电层200包括第一连接电极220，第一连接电极220通过第一通孔191与第一源漏极181电连接，第一连接电极220通过第二通孔192与第一电极131电连接。
即光电探测器通过第一连接电极220与第一薄膜晶体管实现电连接，以实现光电信号的输出，且第一连接电极220与第四电极210同层设置，并采用一道光罩同时形成，能够减少阵列基板100的制程工序，降低生产成本。
在另一些实施例中，阵列基板100包括第二绝缘层190，第二绝缘层190位于第四导电层180与第三导电层200之间，用于将第四导电层180与第三导电层200隔开，避免第四导电层180与第三导电层200之间出现相互干扰。第二绝缘层190上对应第二源漏极182的位置开设有第三通孔193，第三导电层200包括第二连接电极230，第二连接电极230通过第三通孔193与第二源漏极182电连接，第二连接电极230与第四电极210电连接。
即第四电极210通过第二连接电极230与第二薄膜晶体管实现电连接，以实现对第四电极210上信号的输入，从而形成边缘电场，同时，第二连接电极230与第四电极210同层设置，并采用一道光罩同时形成，能够减少阵列基板100的制程工序，降低生产成本。
在又一些实施例中，第三导电层200还包括公共电极240，公共电极240位于像素区S1，公共电极240与第三电极152电连接。即公共电极240与第四电极210、第一连接电极220和第二连接电极230均同层设置，并采用一道光罩同时形成，能够有效减少阵列基板100的制程工序，降低生产成本。
其中，公共电极240与第三电极152电连接，用于向第三电极152输入一个恒定的电压信号，尤其是当第三电极152下方形成有增垫部142时，由于增垫部142的材质为半导体材料，可能会对第三电极152上的信号产生一定的干扰，通过利用公共电极240向第三电极152输入一个恒定的电压信号，能够使第三电极152始终保持电压稳定，从而有助于确保第三电极152与第四电极210形成的边缘场的稳定，进而有助于改善边缘场作用至液晶时液晶偏转角度的稳定性，以确保最终显示面板10的显示品质。
需要说明的是，本申请实施例中的第二导电层150为透明导电层、第三导电层200为透明导电层，也即第二电极151、第三电极152和第四电极210均为透明电极，将第二电极151设置为透明电极以便于外界光线透过第二电极151照射在光电探测部141上，将第三电极152和第四电极210设置为透明电极则有助于确保像素区S1的开口率，从而确保像素区S1的显示视角和显示品质。
其中，第二导电层150的材质能够为氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铜、氧化铋、氧化铟锌、氧化锌锡、铝锡氧化物、铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物和铝铟锡锌氧化物中的一种或多种，第二导电层150能够为单层或多层结构；第三导电层200的材质能够为氧化锌、氧氮化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铜、氧化铋、氧化铟锌、氧化锌锡、铝锡氧化物、铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铝铟锡锌氧化物、硫化锌、钛酸钡、钛酸锶和铌酸锂中的一种或多种，第三导电层200能够为单层或多层结构。
具体的，为了更好的理解本申请实施例中阵列基板100的形成过程，以下将对阵列基板100的制作流程进行详细说明，如图2所示：
首先，提供一衬底层110，并在衬底层110上依次沉积一层缓冲层120和一层第一导电层130，然后采用一道光刻工艺和一道刻蚀工艺对第一导电层130进行图案化处理，图案化之后的第一导电层130一部分形成光电探测器的第一电极131，另一部分形成第一薄膜晶体管的第一栅极132和第二薄膜晶体管的第二栅极133；
接着，在第一导电层130上依次沉积一层第一半导体层140和第二导电层150，并采用一道光刻工艺和一道刻蚀工艺先对第二导电层150进行图案化处理，以形成光电探测器的第二电极151和边缘场的第三电极152，然后采用一道刻蚀工艺对第一半导体层140进行图案化处理，以在第二电极151下方形成光电探测器的光电探测部141，在第三电极152下方形成增垫部142，第一电极131、光电探测部141和第二电极151即构成光电探测器。
之后，在第二导电层150上依次沉积第一绝缘层160、第二半导体层170和第四导电层180，并采用一道半曝光光刻工艺和刻蚀工艺对第二半导体层170和第四导电层180进行图案化处理，以形成第一薄膜晶体管的第一有源层171和第一源漏极181，以及第二薄膜晶体管的第二有源层172和第二源漏极182。
然后，在第四导电层180上沉积一层第二绝缘层190，并采用一道光刻工艺和刻蚀工艺对第二绝缘层190进行图案化处理，以在对应第一源漏极181的位置形成第一通孔191，在对应第一电极131的位置形成第二通孔192，在对应第二源漏极182的位置形成第三通孔193，在对应第三电极152的位置形成第四通孔194。
最后，在第二绝缘层190上沉积一层第三导电层200，并采用一道光刻工艺和刻蚀工艺对第三导电层200进行图案化处理，以形成第四电极210、第一连接电极220、第二连接电极230和公共电极240，第一连接电极220通过第一通孔191和第二通孔192分别与第一源漏极181和第一电极131电连接，第二连接电极230与第四电极210电连接，并通过第三通孔193与第二源漏极182电连接，公共电极240则通过第四通孔194与第三电极152电连接。
也就是说，本申请实施例通过五道光刻工艺(五道光罩)即可将光电探测器和边缘场开关技术集成在一起，大大简化了阵列基板100的制程工序，降低了生产成本，在广视角空间交互显示领域具有重要的应用价值。
其次，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板的具体结构参照上述实施例，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
如图3所示，显示面板10包括阵列基板100、对置基板300和液晶层400，对置基板300与阵列基板100相对设置。在对显示面板10进行组装时，阵列基板100和对置基板300扣合形成容纳腔，液晶层400则填充在对置基板300和阵列基板100之间的容纳腔内。在显示面板10工作过程中，阵列基板100中的第三电极152与第四电极210形成边缘场，阵列基板100中的第四电极210与对置基板300中的对置电极也形成电场，以使液晶层400中的液晶分子发生转动，而第三电极152与第四电极210形成的边缘场能够进一步改变液晶分子的偏转角度，从而改变出射光线的角度并形成不同的显示画面。
具体的，阵列基板100包括依次设置的衬底层110、第一导电层130、第一半导体层140、第二导电层150和第三导电层200，第一导电层130包括位于光感测区S2的第一电极131，第一半导体层140包括位于光感测区S2的光电探测部141，光电探测部141与第一电极131电连接，第二导电层150包括位于光感测区S2的第二电极151和位于像素区S1的第三电极152，第二电极151与光电探测部141电连接，第三导电层200包括位于像素区S1的第四电极210，第四电极210与第三电极152对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极151与边缘场开关技术中的第三电极152同层设计，使得在阵列基板100制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。
需要说明的是，本申请实施例中显示面板10的应用范围十分广泛，包括电视机、电脑、移动电话、可折叠以及可卷曲显示屏等各种显示及照明的显示装置中，以及可穿戴设备如智能手环和智能手表等，均在本申请实施例中的显示面板10所属应用领域范围内。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括像素区和光感测区，所述阵列基板还包括：
衬底层；
第一导电层，设置在所述衬底层的一侧，所述第一导电层包括位于所述光感测区的第一电极；
第一半导体层，设置在所述第一导电层背离所述衬底层的一侧，所述第一半导体层包括位于所述光感测区的光电探测部，所述光电探测部与所述第一电极电连接；
第二导电层，设置在所述第一半导体层背离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括位于所述光感测区的第二电极和位于所述像素区的第三电极，所述第二电极与所述光电探测部电连接；
第三导电层，设置在所述第二导电层背离所述第一半导体层的一侧，所述第三导电层包括位于所述像素区的第四电极，所述第四电极与所述第三电极对应设置，所述第四电极与所述第三电极用于形成边缘场。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层还包括位于所述像素区的增垫部，所述第三电极在所述衬底层上的正投影与所述增垫部在所述衬底层上的正投影重叠。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电探测部在所述衬底层上的正投影位于所述第一电极在所述衬底层上的正投影内；所述第二电极在所述衬底层上的正投影与所述光电探测部在所述衬底层上的正投影重叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层还包括位于所述光感测区的第一栅极，以及位于所述像素区的第二栅极；所述阵列基板还包括：
第一绝缘层，设置在所述第二导电层与所述第三导电层之间；
第二半导体层，设置在所述第一绝缘层背离所述第二导电层的一侧，所述第二半导体层包括位于所述光感测区的第一有源层，以及位于所述像素区的第二有源层；
第四导电层，位于所述第二半导体层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第四导电层包括位于所述光感测区的第一源漏极，以及位于所述像素区的第二源漏极；所述第一源漏极与所述第一电极电连接，所述第二源漏极与所述第四电极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第一源漏极的位置开设有第一通孔，所述第二绝缘层上对应所述第一电极的位置开设有第二通孔；所述第三导电层包括第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一源漏极电连接，所述第一连接电极通过第二通孔与所述第一电极电连接。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第二源漏极的位置开设有第三通孔；所述第三导电层包括第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第三通孔与所述第二源漏极电连接，所述第二连接电极与所述第四电极电连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素区，所述公共电极与所述第三电极电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层的材质包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅和氟掺杂非晶硅中的一种或多种；所述第一半导体层为单层或多层结构。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层为透明导电层，所述第三导电层为透明导电层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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