CN111403455A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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CN111403455A CN202010227328.2A CN202010227328A CN111403455A CN 111403455 A CN111403455 A CN 111403455A CN 202010227328 A CN202010227328 A CN 202010227328A CN 111403455 A CN111403455 A CN 111403455A
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Abstract

本公开实施例公开了显示面板及显示装置，其中，所述显示面板包括：衬底基板；检测电路，所述检测电路位于所述衬底基板的一侧，包括晶体管以及与所述晶体管电连接的光敏检测部件，所述晶体管在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影互不交叠；平坦层，所述平坦层位于所述检测电路的背离所述衬底基板的一面，包括：在所述晶体管所在位置的背离所述衬底基板的第一表面，以及在所述光敏检测部件所在位置处的背离所述衬底基板的第二表面，所述第一表面与所述第二表面位于同一平面；发光器件，所述发光器件位于所述平坦层的背离所述检测电路的一侧。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示器是显示技术中的研究重点。相比于液晶显示设备，OLED显示设备具有许多优点，例如低功耗、低制造成本、自发光、更宽的视角以及更快速的响应。因此，OLED显示器在移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、电视、平板电脑、以及便携式计算机中得到了广泛应用。
当前，通常需要对显示面板进行光学补偿；而目前研发的光学补偿背板则是在背板中添加光敏器件和相应的检测电路，可以监控EL效率变化，从而对显示不一致进行补偿。
发明内容
本公开实施例提供显示面板，其中，包括：
衬底基板；
检测电路，所述检测电路位于所述衬底基板的一侧，包括晶体管以及与所述晶体管电连接的光敏检测部件，所述晶体管在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影互不交叠；
平坦层，所述平坦层位于所述检测电路的背离所述衬底基板的一面，包括：在所述晶体管所在位置的背离所述衬底基板的第一表面，以及在所述光敏检测部件所在位置处的背离所述衬底基板的第二表面，所述第一表面与所述第二表面位于同一平面；
发光器件，所述发光器件位于所述平坦层的背离所述检测电路的一侧；
像素电路，所述像素电路与所述发光器件电连接，且所述像素电路在所述衬底基板的正投影与所述发光器件在所述衬底基板的正投影、所述检测电路在所述衬底基板的正投影均不交叠。
在一种可能的实施方式中，至少两个所述发光器件共用一个所述光敏检测部件，共用同一所述光敏检测部件的每一所述发光器件与所述光敏检测部件均存在交叠区域；
至少两个所述光敏检测部件电连接于同一所述晶体管。
在一种可能的实施方式中，每四个所述发光器件共用一个所述光敏检测部件，四个所述发光器件位于相邻的两行两列，所述光敏检测部件位于四个所述发光器件的中心构成的四边形的中心位置处。
在一种可能的实施方式中，每两个所述光敏检测部件连接于一所述晶体管，所述晶体管位于相邻两行所述发光器件之间的相邻两个所述光敏检测部件之间。
在一种可能的实施方式中，所述光敏检测部件包括：第一检测电极，位于第一检测电极背离所述衬底基板一侧的光敏膜层，以及位于所述光敏膜层的背离所述第一检测电极一侧的第二检测电极；
所述晶体管包括位于所述衬底基板一侧的源漏极层，所述第一检测电极位于所述源漏极层。
在一种可能的实施方式中，所述晶体管包括：位于所述衬底基板与所述源漏极层之间的栅极层，以及位于所述栅极层与所述源漏极层之间的层间介质层；
所述栅极层包括：位于相邻两行所述发光器件之间且沿第一方向延伸的第一栅线，以及位于相邻两行所述发光器件之间的第一跨接电极，所述第一跨接电极在所述衬底基板的正投影与共用同一所述晶体管的两个所述光敏检测部件的所述第一检测电极均存在交叠区域；
两个所述第一检测电极经贯穿所述层间介质层的第一类过孔电连接于同一所述第一跨接电极，并通过所述第一跨接电极经贯穿所述层间介质层的第二类过孔电连接于所述晶体管在所述源漏极层的源极。
在一种可能的实施方式中，所述源漏极层还包括：位于相邻两个所述光敏检测部件之间且沿垂直于所述第一方向延伸的第一光检测信号线，所述第一光检测信号线复用作所述晶体管的漏极。
在一种可能的实施方式中，所述第一跨接电极包括：沿所述第一方向延伸的第一主支，以及与所述第一主支的两个端部分别连接，且沿垂直于所述第一方向朝背离所述第一栅线一侧延伸的两个第一分支；
所述第一跨接电极在所述第一分支处通过所述第一类过孔与所述第一检测电极电连接，在所述第一主支的中部通过所述第二类过孔与所述源极电连接。
在一种可能的实施方式中，所述栅极层还包括：与所述第一栅线的延伸方向相同，且位于所述第一栅线的背离所述第一跨接电极的一侧的第二光检测信号线。
在一种可能的实施方式中，所述源漏电极层还包括：过渡电极；所述发光器件包括：像素电极层，所述像素电极层包括：像素电极，以及第二跨接电极；所述显示面板还包括：位于所述第二检测电极与所述平坦层之间的钝化层，所述钝化层接触并覆盖所述晶体管的所述源漏极层，以及接触并覆盖所述光敏检测部件的所述第二检测电极；
所述第二跨接电极在所述衬底基板的正投影与共用同一所述晶体管的两个所述光敏检测部件的所述第二检测电极存在交叠区域，两个所述第二检测电极经贯穿所述平坦层以及所述钝化层的第三类过孔电连接于同一所述第二跨接电极，并通过所述第二跨接电极经贯穿所述平坦层以及所述钝化层的第四类过孔与所述过渡电极电连接，并通过所述过渡电极经贯穿所述层间介质层的第五类过孔与所述第二光检测信号线电连接。
在一种可能的实施方式中，所述第二跨接电极包括沿所述第一方向延伸的第二主支，以及由所述第二主支的中部沿垂直于所述第一方向延伸的第二分支，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一主支的正投影位于所述第一栅线的正投影与所述第二光检测信号线的正投影之间，所述第二分支的正投影位于所述第一主支的正投影的背离所述第一栅线的一侧；
所述第二跨接电极在所述第二主支的两个端部分别通过所述第三类过孔与所述第二检测电极电连接，在所述第二分支的端部通过所述第四类过孔与所述过渡电极电连接。
在一种可能的实施方式中，所述像素电极包括与所述第二跨接电极相邻的第一类像素电极，以及除所述第一类像素电极以外的第二类像素电极，其中，所述第一类像素电极的面积小于所述第二类像素电极的面积。
在一种可能的实施方式中，所述晶体管包括位于所述衬底基板与所述栅极层之间的有源层；
所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影之间具有间隙。
在一种可能的实施方式中，所述晶体管还包括位于所述衬底基板与所述有源层之间的遮光层；
所述遮光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述遮光层在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影互不交叠。
在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括数据线，所述数据线与所述遮光层位于同一层。
在一种可能的实施方式中，所述栅极层还包括沿所述第一方向延伸为所述发光器件提供像素扫描信号的第二栅线。
在一种可能的实施方式中，所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影为矩形。
本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的所述显示面板。
在一种可能的实施方式中，所述显示装置还包括：显示控制芯片，以及检测控制芯片；其中，所述显示控制芯片与所述像素电路电连接，以对所述发光器件的发光进行控制；所述检测控制芯片与所述检测电路电连接，以对所述光敏检测部件的检测进行控制。
附图说明
图1为相关技术提供的显示面板结构示意图；
图2为本公开实施例提供的显示面板的部分俯视结构示意图；
图3为图2中虚线框处的放大结构示意图；
图4为图3在虚线处的截面结构示意图；
图5为本公开实施例提供的源漏极层的俯视结构示意图；
图6为本公开实施例提供的光敏层的俯视结构示意图；
图7为本公开实施例提供的第二检测电极层的俯视的结构示意图；
图8为本公开实施例提供的栅极层的俯视的结构示意图；
图9为本公开实施例提供的像素电极层的俯视的结构示意图；
图10为本公开实施例提供的有源层的俯视的结构示意图；
图11为本公开实施例提供的遮光层的俯视的结构示意图；
图12为本公开实施例提供的包括有第二栅线的部分显示面板的俯视的结构示意图。
具体实施方式
参见图1所示，相关技术中，为了对发光器件021保证较高的补偿精度和信噪比，光敏检测部件011以及驱动该光敏检测部件011的晶体管012需要占用一定版图面积，导致开口率减小，因此为应对高分辨率(PPI)设计，需采用共用光敏检测部件011设计。针对高PPI光学补偿电路，目前已有若干个(如图1中八个)发光器件021共用一个光敏检测部件011(sensor)的设计方法，并将控制光敏检测部件011的晶体管012(TFT)及其栅控制线放置在光敏检测部件011下方，此方案导致光敏检测部件011下方由于跨线过多而非常不平坦，而为了保证光敏检测部件011较低的暗电流，需在光敏检测部件011下方增加多个膜层，并进行多次掩膜工艺(如，制作平坦层、边缘UV曝光层等)，然而，增加多个膜层后此区域段差较高，导致后续制作的膜层(如有机发光层)在光敏检测部件011边缘处存在断线风险。
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图2、图3和图4所示，其中，图3为图2在虚线方框处的放大结构示意图，图4为图3沿带双箭头虚线处的截面结构示意图，本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括：
衬底基板11；
检测电路100，检测电路100位于衬底基板11的一侧，包括晶体管101以及与晶体管101电连接的光敏检测部件102，晶体管101在衬底基板11的正投影与光敏检测部件102在衬底基板11的正投影互不交叠；
平坦层16，平坦层16位于检测电路100的背离衬底基板11的一面，包括：在晶体管101所在位置的背离衬底基板的第一表面161，以及在光敏检测部件102所在位置处的背离衬底基板11的第二表面162，第一表面161与第二表面162位于同一平面；
发光器件200，发光器件200位于平坦层16的背离检测电路100的一侧；
像素电路300，像素电路300与发光器件200电连接，且像素电路300在衬底基板11的正投影与发光器件200在衬底基板11的正投影、检测电路102在11衬底基板的正投影均不交叠，即，结合图2所示，同一行发光器件200，其像素电路300和检测电路100分别位于发光器件200的不同侧，如，像素电路300位于发光器件200的上侧，检测电路100位于发光器件200的下侧，即，本公开实施例提供的显示面板具体可以为底发射显示面板，发光器件200发出的光向下经衬底基板100出光，而像素电路300、检测电路100与发光器件100投影均不重叠，可以避免二者位于发光器件200正下方时，发光器件200发出的光被像素电路200以及检测电路100遮挡。
本公开实施例中，显示面板11，包括：包括晶体管101以及与晶体管101电连接的光敏检测部件102，晶体管101在衬底基板11的正投影与光敏检测部件102在衬底基板11的正投影互不交叠；平坦层16，平坦层16位于检测电路100的背离衬底基板11的一面，包括：在晶体管101所在位置的背离衬底基板11的第一表面161，以及在光敏检测部件102所在位置处的背离衬底基板11的第二表面162，第一表面161与第二表面162位于同一平面，即，本公开实施例中，通过将光敏检测部件102与驱动该光敏检测部件102的晶体管101错位设置，光敏检测部件102下方无晶体管101，平坦度高，光敏检测部件102暗电流低，可以使平坦层16在光敏检测部件102所在位置处与晶体管101所在位置处位于同一平面，进而在制作后续膜层时，可以改善显示面板在光敏检测部件102边缘处段差较大，降低了后续膜层(如发光器件200的有机发光层17)在光敏检测部件102边缘处爬坡时易产生位断线的风险，并且，相比于相关技术，本公开实施例省去了光敏检测部件102下方需要设置的多个平坦层，节省了掩膜次数。此外，第一表面161与第二表面162位于同一平面，可以形成较平整的表面，在后续形成发光器件时，可以使发光层较为平整，从而使显示面板具有较好的出光效果。
在具体实施时，至少两个发光器件200共用一个光敏检测部件102，共用同一光敏检测部件102的每一发光器件200与光敏检测部件102均存在交叠区域；至少两个光敏检测部件102电连接于同一晶体管101。更具体的，结合图2-图4所示，可以是每四个发光器件200共用一个光敏检测部件102，四个发光器件200位于相邻的两行两列，光敏检测部件102位于四个发光器件200的中心构成的四边形的中心位置处；每两个光敏检测部件102连接于一晶体管101，晶体管101位于相邻两行发光器件200之间的相邻两个光敏检测部件102之间。
本公开实施例中，每四个发光器件200共用一个光敏检测部件102，每两个光敏检测部件102连接于一晶体管101，相比于每一发光器件200均设置一光敏检测部件102和一晶体管101，本公开实施例可以节省光敏检测部件102以及晶体管101的所占空间，有利于显示面板实现高像素分辨率。
在具体实施时，参见图3和-图7所示，其中，图5为图3中的源漏极层图案，图6为图3中的光敏膜层图案，图7为图3中的第二检测电极图案，光敏检测部件102包括：第一检测电极42，位于第一检测电极42背离衬底基板11一侧的光敏膜层5，以及位于光敏膜层5的背离第一检测电极42一侧的第二检测电极6；晶体管101包括位于衬底基板11一侧的源漏极层，第一检测电极42位于源漏极层。具体的，源漏极层还可以包括源极46。本公开实施例中，光敏检测部件102的第一检测电极42与源漏极层同层设置，可以在改善段差问题的同时，减少制作光敏检测部件102所需的掩膜工艺次数。
在具体实施时，参见图3、图4、图8所示，其中，图8为栅极层图案，晶体管101包括：位于衬底基板11与源漏极层之间的栅极层，以及位于栅极层与源漏极层之间的层间介质层14；栅极层包括：位于相邻两行发光器件200之间且沿第一方向AB延伸的第一栅线31，以及位于相邻两行发光器件200之间的第一跨接电极33，第一跨接电极33在衬底基板11的正投影与共用同一晶体管101的两个光敏检测部件102的第一检测电极42均存在交叠区域(即，第一跨接电极33在衬底基板11的正投影与左侧的第一检测电极421和右侧的第一检测电极422均存在交叠区域)；两个第一检测电极42经贯穿层间介质层14的第一类过孔S1电连接于同一第一跨接电极33，并通过第一跨接电极33经贯穿层间介质层14的第二类过孔S2电连接于晶体管101在源漏极层的源极46，即，光敏检测部件102的位于源漏极层的第一检测电极42先通过第一类过孔S1向下与栅极层的第一跨接电极33电连接，而栅极层的第一跨接电极33通过第二类过孔S2再向上与源漏极层的源极46电连接，进而在不影响源漏极层其它信号线布线方式的情况下，实现将两个光敏检测部件102的第一检测电极42电连接于同一晶体管101的源极46。
本公开实施例中，通过在栅极层设置第一跨接电极33，通过第一跨接电极33实现将两个光敏检测部件102的第二检测电极6(即下电极)连接于同一晶体管101的源极46，进而实现通过一个晶体管101实现驱动两个光敏检测部件102。
在具体实施时，结合图3和图5所示，源漏极层还包括：位于相邻两个光敏检测部件102之间且沿垂直于第一方向AB(垂直于第一方向AB，也即，第二方向CD)延伸的第一光检测信号线41，第一光检测信号线41复用作晶体管的漏极。具体的，晶体管的源极46可以通过贯穿层间介质层14的过孔与有源层2的一端电连接，第一光检测信号线41可以通过贯穿层间介质层14的过孔有源层2的另一端电连接。
本公开实施例中，源漏极层还包括第一光检测信号线41，第一光检测信号线41复用作晶体管101的漏极，由于光检测部件101的第一检测电极42已与晶体管的源极46电连接，进而实现通过晶体管101将光敏检测部件102的第一检测电极42与第一光检测信号线41电连接，在通过光敏检测部件102检测时，当光敏检测部件102检测到变化的光电流信号后，可以通过第一检测电极42传输到晶体管101的源极46，通过晶体管101的导通作用传输到复用作晶体管101漏极的第一光检测信号线41，进而将检测到的光电流信号传输出去。
在具体实施时，参见图8所示，第一跨接电极33包括：沿第一方向AB延伸的第一主支331，以及与第一主支331的两个端部分别连接，且沿垂直于第一方向AB朝背离第一栅线31一侧延伸的两个第一分支332；第一跨接电极33在第一分支332处通过第一类过孔S1与第一检测电极42电连接，在第一主支331的中部通过第二类过孔S2与源极46电连接。本公开实施例中，第一跨接电极33包括第一主支331以及与第一主支331连接的两个第一分支332，且第一分支332朝背离第一栅线31的一侧延伸，可以避免第一分支331与同层的第一栅线31的交叉。
在具体实施时，参见图8所示，栅极层还包括：与第一栅线31的延伸方向相同，且位于第一栅线31的背离第一跨接电极33的一侧的第二光检测信号线32。第二光检测信号线32，具体可以为与光敏检测部件102的第二检测电极6提供信号的信号线。
在具体实施时，参见图3、图4、图5和图9所示，源漏极层还包括：过渡电极43；发光器件包括：像素电极层，像素电极层包括：像素电极71，以及第二跨接电极73；显示面板还包括：位于第二检测电极6与平坦层16之间的钝化层15，钝化层15接触并覆盖晶体管101的源漏极层，以及接触并覆盖光敏检测部件102的第二检测电极6；第二跨接电极73在衬底基板11的正投影与共用同一晶体管101的两个光敏检测部件102的第二检测电极6存在交叠区域，两个第二检测电极6(即，左侧光敏检测部件的第二检测电极61，以及右侧光敏检测部件的第二检测电极62)经贯穿平坦层16以及钝化层15的第三类过孔S3电连接于同一第二跨接电极73，并通过第二跨接电极73经贯穿平坦层16以及钝化层15的第四类过孔S4与过渡电极43电连接，并通过过渡电极43经贯穿层间介质层14的第五类过孔S5与第二光检测信号线32电连接。第三类过孔S3具体可以为套孔。
本公开实施例中，像素电极层还设置有第二跨接电极73，源漏极层还设置有过渡电极43，进而在将光敏检测部件102的第二检测电极6与第二光检测信号线32电连接时，可以先将两个光敏检测部件102的第二检测电极6向上与像素电极层的第二跨接电极73电连接，再将第二跨接电极73向下与源漏极层的过渡电极43电连接，再将源漏极层的过渡电极43向下与栅极层的第一检测信号线32电连接，进而最终实现光敏检测部件102的第二检测电极6与第二光检测信号线32电连接，以实现通过第二光检测信号线32为光敏检测部件102的第二检测电极6提供电信号。
在具体实施时，参见图3和图9所示，第二跨接电极73包括沿第一方向AB延伸的第二主支731，以及由第二主支731的中部沿垂直于第一方向AB延伸的第二分支732，其中，在垂直于衬底基板11的方向上，第一主支731的正投影位于第一栅线31的正投影与第二光检测信号线32的正投影之间，第二分支732的正投影位于第一主支731的正投影的背离第一栅线31的一侧(即，如图3中向下延伸)；第二跨接电极73在第二主支731的两个端部分别通过第三类过孔S3与第二检测电极6电连接，在第二分支732的端部通过第四类过孔S4与过渡电极43电连接。
本公开实施例中，第二跨接电极73包括第二主支731，以及由第二主支731的中部延伸的第二分支732，其中，第二分支732的正投影位于第一主支731的正投影的背离第一栅线31的一侧，以与过渡电极43存在交叠区域，进而通过打孔实现与过渡电极43的电连接。
具体的，结合图5所示，过渡电极43可以为沿垂直于第一方向AB延伸的条状，在衬底基板11的正投影与第二分支732的正投影存在交叠，同时也与第二光检测信号线32的正投影存在交叠，以通过打孔实现与二者的电连接。
具体的，结合图9所示，像素电极71包括与第二跨接电极73相邻的第一类像素电极(如9中第二跨接电极73左上侧的像素电极712、第二跨接电极73右上侧的像素电极715、第二跨接电极73左下侧的像素电极714、第二跨接电极73右下侧的像素电极717)，以及除第一类像素电极以外的第二类像素电极(如9中的像素电极711、像素电极716、像素电极713、像素电极718)，其中，第一类像素电极的面积小于第二类像素电极的面积。即，可以使第一类像素电极在与第二跨接电极73相对的部分去除，以避让该位置同层设置的第二跨接电极73。具体的，第一类像素电极的面积可以为第二类像素电极面积的80％～90％。
在具体实施时，参见图3和图10所示，晶体管包括位于衬底基板11与栅极层之间的有源层2；有源层2在衬底基板11的正投影与光敏检测部件102在衬底基板22的正投影之间具有间隙。
本公开实施例中，有源层2在衬底基板11的正投影与光敏检测部件102在衬底基板11的正投影之间具有间隙，即，二者不存在交叠，可以避免若将有源层2设置在光敏检测部件102正下方时，导致光敏检测部件102下方膜层较多，造成显示面板容易在光敏检测部件102边界存在较大膜层段差问题。
在具体实施时，结合图3和图11所示，晶体管101还包括位于衬底基板11与有源层之间的遮光层1；遮光层1在衬底基板11的正投影覆盖有源层2在衬底基板11的正投影，且遮光层1在衬底基板11的正投影与光敏检测部件101在衬底基板11的正投影互不交叠。
本公开实施例中，遮光层1在衬底基板11的正投影覆盖有源层2在衬底基板11的正投影，可以避免外界光对有源层2的照射，以避免对晶体管101性能的影响，另外，遮光层1在衬底基板11的正投影与光敏检测部件102在衬底基板11的正投影互不交叠，可以避免若将遮光层1设置在光敏检测部件102正下方时，导致光敏检测部件102下方膜层较多，造成显示面板容易在光敏检测部件102边界存在较大膜层段差问题。
在具体实施时，结合图4所示，遮光层1与有源层2之间还设置有缓冲层12，有源层2与栅极层之间还具有栅极绝缘层13；发光器件还包括位于像素电极71背离衬底基板11一侧的有机发光层17，位于有机发光层17背离像素电极71一侧的阴极层18。
在具体实施时，参见图3所示，遮光层1还可以通过贯穿栅极绝缘层13，以及缓冲层12的第六过孔S6与第一栅线31(也即栅极)电连接，连接到栅极后形成了双栅结构，也可以使晶体管101更好的关断，降低漏电流。
在具体实施时，参见图12所示，显示面板还包括数据线，数据线与遮光层1位于同一层。数据线具体可以包括为发射红光的红色发光器件提供数据信号的第一类数据线DR，为发射绿光的绿色发光器件提供数据信号的第二类数据线DG，为发射蓝光的蓝色发光器件提供数据信号的第三类数据线DB，为发射白光的白光发光器件提供数据信号的第四类数据线DW。遮光层1的材质具体可以为金属，遮光层1与数据线可以通过一次掩膜工艺实现。
本公开实施例中，因光敏检测部件102的第一检测电极42位于源漏极层，所占区域较大，进而将数据线设置于遮光层1，而非传统的将数据线设置在源漏极层，本公开实施例可以实现使数据线避让光敏检测部件102的第一检测电极42。
在具体实施时，结合图12所示，栅极层还包括沿第一方向AB延伸为发光器件提供像素扫描信号的第二栅线34，即，显示面板还包括第二栅线34，第二栅线34具体可以用于为像素电路的晶体管的栅极提供栅极信号，该第二栅线34可与第一栅线31同层设置。
本公开实施例中，为发光器件200提供像素扫描信号的第二栅线34位于栅极层，可以在形成驱动光敏检测部件102的晶体管的栅极层的同时，形成第二栅线34，减少显示面板的掩膜工艺次数。
在具体实施时，结合图3所示，光敏检测部件102在衬底基板11的正投影为矩形。
本公开实施例中，光敏检测部件102在衬底基板11的正投影为矩形，相比于投影为五变形、六变形以及更多顶角点的多边形，可以使光敏检测部件102在无光照射时具有较低的暗电流，进而提升光敏检测部件102的检测灵敏度。
在具体实施时，结图3和图5所示，源漏极层还可以包括第一电源线(VDD)44，电检测信号线(Senso_EL)45，即，沿纵向(第二方向CD)的第一电源线(VDD)44、电检测信号线(Senso_EL)45、第一光检测信号线(Sense_OP)41走线均使用源漏极层，沿横向(第一方向AB)的第一栅线31、第二栅线34、第二光检测信号线32走线采用栅极层，其中，数据线(DR/DG/DB/DW)在光敏检测部件102下方采用遮光层做走线，在其它位置采用源漏极层作为走线(由于光敏检测部件102下方为一整块金属作为其第一检测电极42，因此数据线走线在此处换层)。
在具体实施时，像素电路300对发光器件200发光的控制主要通过开关管晶体管Switch TFT和驱动晶体管Drive TFT，开关管晶体管Switch TFT和驱动晶体管Drive TFT的栅极可以同为第二栅线34，即，一个栅极(one gate)设计，可以节省布线(layout)空间，像素电路300具体还可以设置感测晶体管(Sense TFT)，感测晶体管(Sense TFT)的设计保留了电学补偿的功能，即，既可通过感测晶体管(Sense TFT)实现电学补偿，也可通过光敏检测部件102实现光学补偿。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的显示面板。
在具体实施时，显示装置还包括：显示控制芯片，以及检测控制芯片；其中，显示控制芯片与像素电路电连接，以对发光器件的发光进行控制；检测控制芯片与检测电路电连接，以对光敏检测部件的检测进行控制。显示控制芯片具体可以包括：栅极驱动芯片以及源极驱动芯片。显示装置的整体分布可以为：在显示面板的左侧设置栅极驱动芯片(GateIC)，控制第一栅线31和第二栅线34的信号，在显示面板的下边缘设置源极驱动芯片(Source IC)，控制第一电源线(VDD)44、第一类数据线DR、第二类数据线DG、第三类数据线DB、第四类数据线DW的信号输入，即，像素电路是通过栅极驱动芯片(Gate IC)向第二栅线34提供信号，以及通过源极驱动芯片(Source IC)向第一电源线(VDD)44、第一类数据线DR、第二类数据线DG、第三类数据线DB、第四类数据线DW提供信号，以实现对每一个发光器件的开关及不同亮度的显示；而光敏检测部件102通过显示面板上边缘的检测控制芯片(SensorIC)向第二光检测信号线32提供信号，以及通过栅极驱动芯片(Gate IC)向第一栅线31提供信号，以控制光敏检测部件102的探测，光敏检测部件102探测的光电流数据通过第一光检测信号线41传输到检测控制芯片(Sensor IC)；检测控制芯片(Sensor IC)得到了每个发光器件200的探测数据，传输到逻辑电路板(Tcon)，经过对数据的处理将感测到的值的差异转换成源极驱动芯片(Source IC)输入的数据线数值的差异，从而实现对每个发光器件200显示的光学补偿。
本公开实施例有益效果如下：本公开实施例中，显示面板，包括：包括晶体管以及与晶体管电连接的光敏检测部件，晶体管在衬底基板的正投影与光敏检测部件在衬底基板的正投影互不交叠；平坦层，平坦层位于检测电路的背离衬底基板的一面，包括：在晶体管所在位置的背离衬底基板的第一表面，以及在光敏检测部件所在位置处的背离衬底基板的第二表面，第一表面与第二表面位于同一平面，即，本公开实施例中，通过将光敏检测部件与驱动该光敏检测部件的晶体管错位设置，并使平坦层在光敏检测部件所在位置处与晶体管所在位置处位于同一平面，进而在制作后续膜层时，可以改善显示面板在光敏检测部件与晶体管交界处的段差，进而可以改善后续膜层断裂的风险，并且，相比于相关技术，本公开实施例省去了光敏检测部件下方需要设置的多个平坦层，节省了掩膜次数。
显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种显示面板，其中，包括：
衬底基板；
检测电路，所述检测电路位于所述衬底基板的一侧，包括晶体管以及与所述晶体管电连接的光敏检测部件，所述晶体管在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影互不交叠；
平坦层，所述平坦层位于所述检测电路的背离所述衬底基板的一面，包括：在所述晶体管所在位置的背离所述衬底基板的第一表面，以及在所述光敏检测部件所在位置处的背离所述衬底基板的第二表面，所述第一表面与所述第二表面位于同一平面；
发光器件，所述发光器件位于所述平坦层的背离所述检测电路的一侧；
像素电路，所述像素电路与所述发光器件电连接，且所述像素电路在所述衬底基板的正投影与所述发光器件在所述衬底基板的正投影、所述检测电路在所述衬底基板的正投影均不交叠。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中，至少两个所述发光器件共用一个所述光敏检测部件，共用同一所述光敏检测部件的每一所述发光器件与所述光敏检测部件均存在交叠区域；
至少两个所述光敏检测部件电连接于同一所述晶体管。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中，每四个所述发光器件共用一个所述光敏检测部件，四个所述发光器件位于相邻的两行两列，所述光敏检测部件位于四个所述发光器件的中心构成的四边形的中心位置处。
4.如权利要求3所述的显示面板，其中，每两个所述光敏检测部件连接于一所述晶体管，所述晶体管位于相邻两行所述发光器件之间的相邻两个所述光敏检测部件之间。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中，所述光敏检测部件包括：第一检测电极，位于第一检测电极背离所述衬底基板一侧的光敏膜层，以及位于所述光敏膜层的背离所述第一检测电极一侧的第二检测电极；
所述晶体管包括位于所述衬底基板一侧的源漏极层，所述第一检测电极位于所述源漏极层。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中，所述晶体管包括：位于所述衬底基板与所述源漏极层之间的栅极层，以及位于所述栅极层与所述源漏极层之间的层间介质层；
所述栅极层包括：位于相邻两行所述发光器件之间且沿第一方向延伸的第一栅线，以及位于相邻两行所述发光器件之间的第一跨接电极，所述第一跨接电极在所述衬底基板的正投影与共用同一所述晶体管的两个所述光敏检测部件的所述第一检测电极均存在交叠区域；
两个所述第一检测电极经贯穿所述层间介质层的第一类过孔电连接于同一所述第一跨接电极，并通过所述第一跨接电极经贯穿所述层间介质层的第二类过孔电连接于所述晶体管在所述源漏极层的源极。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述第一跨接电极包括：沿所述第一方向延伸的第一主支，以及与所述第一主支的两个端部分别连接，且沿垂直于所述第一方向朝背离所述第一栅线一侧延伸的两个第一分支；
所述第一跨接电极在所述第一分支处通过所述第一类过孔与所述第一检测电极电连接，在所述第一主支的中部通过所述第二类过孔与所述源极电连接。
8.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述源漏极层还包括：位于相邻两个所述光敏检测部件之间且沿垂直于所述第一方向延伸的第一光检测信号线，所述第一光检测信号线复用作所述晶体管的漏极。
9.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述栅极层还包括：与所述第一栅线的延伸方向相同，且位于所述第一栅线的背离所述第一跨接电极的一侧的第二光检测信号线。
10.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述源漏电极层还包括：过渡电极；所述发光器件包括：像素电极层，所述像素电极层包括：像素电极，以及第二跨接电极；所述显示面板还包括：位于所述第二检测电极与所述平坦层之间的钝化层，所述钝化层接触并覆盖所述晶体管的所述源漏极层，以及接触并覆盖所述光敏检测部件的所述第二检测电极；
所述第二跨接电极在所述衬底基板的正投影与共用同一所述晶体管的两个所述光敏检测部件的所述第二检测电极存在交叠区域，两个所述第二检测电极经贯穿所述平坦层以及所述钝化层的第三类过孔电连接于同一所述第二跨接电极，并通过所述第二跨接电极经贯穿所述平坦层以及所述钝化层的第四类过孔与所述过渡电极电连接，并通过所述过渡电极经贯穿所述层间介质层的第五类过孔与所述第二光检测信号线电连接。
11.如权利要求10所述的显示面板，其中，所述第二跨接电极包括沿所述第一方向延伸的第二主支，以及由所述第二主支的中部沿垂直于所述第一方向延伸的第二分支，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一主支的正投影位于所述第一栅线的正投影与所述第二光检测信号线的正投影之间，所述第二分支的正投影位于所述第一主支的正投影的背离所述第一栅线的一侧；
所述第二跨接电极在所述第二主支的两个端部分别通过所述第三类过孔与所述第二检测电极电连接，在所述第二分支的端部通过所述第四类过孔与所述过渡电极电连接。
12.如权利要求10所述的显示面板，其中，所述像素电极包括与所述第二跨接电极相邻的第一类像素电极，以及除所述第一类像素电极以外的第二类像素电极，其中，所述第一类像素电极的面积小于所述第二类像素电极的面积。
13.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述晶体管包括位于所述衬底基板与所述栅极层之间的有源层；
所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影之间具有间隙。
14.如权利要求13所述的显示面板，其中，所述晶体管还包括位于所述衬底基板与所述有源层之间的遮光层；
所述遮光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述遮光层在所述衬底基板的正投影与所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影互不交叠。
15.如权利要求14所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括数据线，所述数据线与所述遮光层位于同一层。
16.如权利要求8所述的显示面板，其中，所述栅极层还包括沿所述第一方向延伸为所述发光器件提供像素扫描信号的第二栅线。
17.如权利要求1所述的显示面板，其中，所述光敏检测部件在所述衬底基板的正投影为矩形。
18.一种显示装置，其中，包括如权利要求1-17任一项所述的显示面板。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：显示控制芯片，以及检测控制芯片；其中，所述显示控制芯片与所述像素电路电连接，以对所述发光器件的发光进行控制；所述检测控制芯片与所述检测电路电连接，以对所述光敏检测部件的检测进行控制。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752030A (zh) * 2020-07-29 2020-10-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、液晶显示面板及液晶显示装置
WO2021190163A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2022062695A1 (zh) * 2020-09-24 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN114594639A (zh) * 2022-03-09 2022-06-07 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法
CN114660862A (zh) * 2022-01-06 2022-06-24 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114220358B (zh) 2021-12-13 2023-05-30 Tcl华星光电技术有限公司 拼接屏及显示终端

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090009673A1 (en) * 2005-03-15 2009-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active Matrix Substance and Display Device Including the Same
CN106953026A (zh) * 2017-03-21 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108682390A (zh) * 2018-05-16 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其亮度检测方法
CN108878503A (zh) * 2018-07-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板、显示装置
CN109147660A (zh) * 2018-09-19 2019-01-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110047906A (zh) * 2019-05-21 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 基于透明光电二极管的显示装置、显示面板及其制造方法
CN110444553A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板
CN110660816A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种平板探测器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601301B (zh) * 2015-07-31 2017-10-01 友達光電股份有限公司 光學偵測裝置及其製作方法
CN110164847B (zh) * 2019-05-28 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、光检测方法及组件、显示装置
CN111403455B (zh) * 2020-03-27 2022-11-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090009673A1 (en) * 2005-03-15 2009-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active Matrix Substance and Display Device Including the Same
CN106953026A (zh) * 2017-03-21 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108682390A (zh) * 2018-05-16 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其亮度检测方法
CN110660816A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种平板探测器
CN108878503A (zh) * 2018-07-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板、显示装置
CN109147660A (zh) * 2018-09-19 2019-01-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110047906A (zh) * 2019-05-21 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 基于透明光电二极管的显示装置、显示面板及其制造方法
CN110444553A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021190163A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111752030A (zh) * 2020-07-29 2020-10-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN111752030B (zh) * 2020-07-29 2023-09-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、液晶显示面板及液晶显示装置
US11953774B2 (en) 2020-07-29 2024-04-09 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate, liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
WO2022062695A1 (zh) * 2020-09-24 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN114660862A (zh) * 2022-01-06 2022-06-24 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板
CN114660862B (zh) * 2022-01-06 2023-08-29 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板
CN114594639A (zh) * 2022-03-09 2022-06-07 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法

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