CN113053309B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括像素电路，像素电路包括第一像素电路和第二像素电路；第一区域包括第一像素电路，第二区域包括第二像素电路，第一像素电路和第二像素电路分别与发光器件电连接；第一区域内第一像素电路的密度小于第二区域内第二像素电路的密度；其中，第一区域具有虚设孔，虚设孔至少贯穿显示面板中的部分膜层。虚设孔能够用作氢气排出的通道，降低第一像素电路中晶体管特性和第二像素电路中晶体管特征之间的差异，改善显示面板显示不均。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，具有低功耗、低成本、自发光、宽视角以及响应速度快等优点，成为目前显示领域的研究热点之一。有机发光二极管作为电流驱动器件，应用在显示领域，需要为其设置复杂的像素电路为发光二极管提供驱动电流以控制其发光。在现有技术中比如屏下摄像头方案或者显示区具有挖孔等方案中，显示面板中会存在像素电路设置密度不同的区域，由于制作工艺的影响，在像素电路密度不同的区域内薄膜晶体管的基础特性可能存在差异，表现在显示性能上会出现显示不均的现象。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决现有技术中显示不均的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括：

像素电路，像素电路包括第一像素电路和第二像素电路；

第一区域包括第一像素电路，第二区域包括第二像素电路，第一像素电路和第二像素电路分别与发光器件电连接；第一区域内第一像素电路的密度小于第二区域内第二像素电路的密度；

其中，第一区域具有虚设孔，虚设孔至少贯穿显示面板中的部分膜层。

第二方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板。

本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：在像素电路密度较小的第一区域内设置虚设孔，虚设孔贯穿显示面板中部分膜层，且虚设孔不用于连接电路部件，则在氢化工艺中，虚设孔能够作为第一像素电路中晶体管的沟道以及栅极绝缘层中氢排出的通道，从而增加了第一区域内的氢排出的通道，能够减小由于两个区域内像素电路密度不同导致的两个区域内像素电路中晶体管的特性之间的差异，改善显示不均现象。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板局部示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示面板中像素电路的结构示意图；

图3为本发明实施例提的一种显示面板中第一区域布线示意图；

图4为图3中切线A-A'位置处一种截面示意图；

图5为图3中切线A-A'位置处另一种截面示意图；

图6为图3中切线B-B'位置处一种截面示意图；

图7为图3中切线B-B'位置处另一种截面示意图；

图8为图3中切线B-B'位置处另一种截面示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一区域局部示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图13为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一区域局部简化示意图；

图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部示意图；

图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一区域内像素电路布线图；

图19为本发明实施例提供的显示装置示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

本发明实施例提供一种显示面板，能够应用于显示屏具有盲孔或者显示屏具有通孔、屏下摄像头(或其他光学组件)等方案中。在显示面板中像素电路密度较小的区域内设置虚设孔，虚设孔能够用作氢排出的通道，能够减小像素电路密度不同的区域内晶体管特征之间的差异，改善显示面板显示不均。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板局部示意图。图2为本发明实施例提供的一种显示面板中像素电路的结构示意图，图3为本发明实施例提的一种显示面板中第一区域布线示意图。图4为图3中切线A-A'位置处一种截面示意图。

如图1所示，显示面板包括第一区域A1和第二区域A2，第一区域A1包括第一像素电路10a(图中仅简化示意)，第二区域A2包括第二像素电路10b(图中仅简化示意)，第一像素电路10a和第二像素电路10b分别与发光器件(图中未示意)电连接；第一区域A1内第一像素电路10a的密度小于第二区域A2内第二像素电路10b的密度。也即，在本发明实施例中第一区域A1中像素电路设置密度和第二区域A2中像素电路设置密度存在差异。

在一种实施例中，设置第一区域A1中像素电路的密度小于第二区域A2中像素电路的密度，则能够增大第一区域A1的透光率，应用在屏下摄像头方案中，在组装成显示装置时，设置摄像头对应第一区域A1。在另一种实施例中，显示面板具有在显示面板厚度方向贯穿显示面板的通孔，通孔所在区域即为第一区域A1，在组装成显示装置时，通孔内可以设置摄像头、听筒等器件。在另一种实施例中，显示面板具有盲孔，在盲孔区域可以不设置发光器件，则盲孔区域不进行显示，盲孔所在区域即为第一区域A1，在组装成显示装置时，可以将光学器件设置在第一区域A1下方。

如图1中示意的，第一区域A1具有虚设孔Vo，图1中虚设孔Vo的排布仅做示意性表示，不作为对本发明的限定。本发明实施例中，虚设孔Vo至少贯穿显示面板中的部分膜层。

显示面板为多膜层堆叠结构，本发明实施例中定义的虚设孔Vo为不用于连接电路部件的膜层过孔。像素电路中相互连接的电路部件可能位于显示面板不同的结构层中，为了实现它们之间的电连接，则需要在绝缘层上制作过孔。在像素电路中包括真孔，真孔用于连接电路部件。

图2示意了一种像素电路的结构，第一像素电路10a和第二像素电路10b均可以采用相同的电路结构。图3示意出了第一区域A1内像素电路布线，结合图2和图3来理解显示面板中像素电路的布线。

如图2和图3所示，像素电路10包括驱动晶体管Tm、数据写入晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、栅极复位晶体管T3、电极复位晶体管T4、第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6。显示面板包括第一扫描线S1、第二扫描线S2、发光控制信号线E、电源信号线P、复位信号线Ref以及数据线D。其中，栅极复位晶体管T3的控制端与第一扫描线S1电连接，栅极复位晶体管T3的第一极与复位信号线Ref电连接，栅极复位晶体管T3的第二极连接到第一节点N1，驱动晶体管Tm的控制端连接到第一节点N1。数据写入晶体管T1的控制端连接到第二扫描线S2，其第一极连接到数据线D，其第二极连接到第二节点N2，驱动晶体管Tm的第一极连接到第二节点N2。阈值补偿晶体管T2的控制端连接到第二扫描线S2，其第一极连接到第三节点N3，驱动晶体管Tm的第二极连接到第三节点N3，阈值补偿晶体管T2的第二极连接到第一节点N1。第一发光控制晶体管T5的控制端和第二发光控制晶体管T6的控制端均连接到发光控制信号线E，第一发光控制晶体管T5的第一极连接到电源信号线P，第一发光控制晶体管T5的第二极连接到第二节点N2；第二发光控制晶体管T6的第一极连接到第三节点N3，第二发光控制晶体管T6的第二极连接到发光器件的第一电极。电极复位晶体管T4的控制端连接到第二扫描线S2，电极复位晶体管T4的第一极连接到复位信号线Ref，电极复位晶体管T4的第二极连接到发光器件的第一电极。

图2中仅示意性表示第一像素电路的电路结构，其不作为对本发明的限定。图2示意的像素电路结构图中晶体管均以P型进行示意，本发明对像素电路中晶体管的类型不做限定。另外，在图3示意的像素电路布线中，阈值补偿晶体管T2和栅极复位晶体管T3均为双栅晶体管。

如图2和图3中示意的，像素电路还包括第一电容Co，第一电容Co的第一极板与电源信号线P电连接，第一电容Co的第二极板连接到第四节点N4，第四节点N4为阈值补偿晶体管T2中两个晶体管的中间节点。第一电容Co能够稳定第四节点N4的电位，在像素电路工作在发光阶段时，能够减小阈值补偿晶体管T2向第一节点N1的漏流，从而稳定第一节点N1的电位，以保证驱动电流稳定。

图3中示意出了虚设孔Vo以及真孔K，其中，图中虚设孔Vo与第一像素电路10a的相对位置仅做示意性表示，虚设孔Vo的尺寸与真孔K的尺寸大小关系也不做限定。像素电路10中的真孔K为阵列层中绝缘层的开孔，真孔K用于连接电路部件，如图中示意的真孔K1，真孔K1用于使得像素电路中的晶体管与发光器件的第一电极电连接。

图3示意的像素电路布线图相当于仅示意出了阵列层的结构，图4示意的截面图示出了显示面板厚度方向上的膜层结构。如图4所示，显示面板包括衬底1和阵列层2，像素电路10位于阵列层2，阵列层2至少包括位于衬底1之上的半导体层11、第一功能金属层12、第二功能金属层13和第三功能金属层14，其中，像素电路10中各晶体管的有源层、以及部分晶体管之间的连接线位于半导体层11、第一扫描线S1、第二扫描线S2、发光控制信号线E位于第一功能金属层12、像素电容Cst的一个极板、以及复位信号线Ref位于第二功能金属层13，电源信号线P和数据线D位于第三功能金属层14。图4中示意虚设孔Vo贯穿与第三功能金属层14接触的绝缘层并向半导体层11的方向延伸。图中示意出了第一连接线X1，第一连接线X1位于第三功能金属层14，第一连接线X1一端连接电极复位晶体管T4的第一极，第一连接线X1的另一端连接到复位信号线Ref，从而实现电极复位晶体管T4的第一极与复位信号线Ref电连接。

显示面板还包括在阵列层2之上的显示层3、封装结构4以及盖板层5。显示层3包括像素定义层(图中未示出)和发光器件31，像素定义层用于间隔相邻的发光器件31。在一种实施例中，发光器件31为有机发光器件；在另一种实施例中，发光器件31为无机发光器件。发光器件31包括依次堆叠的第一电极31a、发光层31b和第二电极31c。像素电路中晶体管的第二极通过真孔K1与第一电极31a电连接。具体的，第一电极31a为反射电极，第二电极31c为透明电极。

在一种实施例中，封装结构4为刚性封装，封装结构4包括封装盖板。在另一种实施例中，封装结构4为柔性封装，封装结构4包括堆叠设置的至少一层无机封装层和至少一层有机封装层。

继续参考图3示意的第一电容Co结构，第一电容Co的第一极板(图中未标示)位于第二功能金属层13，也即第一电容Co的第一极板与复位信号线Ref位于同一层。第一电容Co的第一极板通过一个真孔K2连接到电源信号线P，第一电容Co的第一极板与部分半导体层相交叠，该部分半导体层复用为第一电容Co的第二极板。

图3示意的一个像素电路结构中共包括9个真孔K。在一些实施方式中，像素电路结构中不包括第一电容，则像素电路共包括8个真孔。也就是说，像素电路中真孔的个数与显示面板中像素电路布线方式相关。在显示面板制作工艺中，像素电路中的真孔能够作为氢气排出的通道，而第一区域A1的第一像素电路密度小于第二区域A2的第二像素电路密度，则第一区域A1中真孔的密度小于第二区域A2中真孔的密度。则在显示面板制作的氢化工艺之后，第一像素电路10a中晶体管的沟道的氢含量以及栅极绝缘层的氢含量与第二像素电路10b中晶体管的沟道氢含量以及栅极绝缘层的氢含量存在差异，由此导致第一像素电路10a中晶体管的特性和第二像素电路10b中晶体管的特性之间存在差异。本发明实施例中在第一区域A1内设置虚设孔Vo，虚设孔Vo贯穿显示面板中部分膜层，且虚设孔Vo不用于连接电路部件，则在氢化工艺中，虚设孔Vo能够作为第一像素电路10a中晶体管的沟道以及栅极绝缘层中氢排出的通道，从而增加了第一区域A1内的氢排出的通道，能够减小由于两个区域内像素电路密度不同导致的第一像素电路10a中晶体管的特性和第二像素电路10b中晶体管的特性之间的差异，改善显示不均现象。

在本发明实施例提供的一种显示面板中，一个第一像素电路与一个发光器件电连接，一个第二像素电路与一个发光器件电连接。

在本发明实施例提供的另一种显示面板中，一个第一像素电路与两个发光器件电连接，一个第二像素电路与两个发光器件电连接。

图4仅示意出一种虚设孔Vo的结构。基于本发明设计构思，虚设孔Vo可以贯穿阵列层2中的部分膜层、或者虚设孔Vo贯穿显示层3中的部分膜层。另外，本发明具体的实施例中还对虚设孔Vo在第一区域A1内的设置位置、以及设置密度进行设计。下面以具体的实施例进行说明。

具体的，本发明实施例提供的显示面板包括位于半导体层11远离衬底1一侧的第一功能层，虚设孔Vo贯穿第一功能层并向衬底1所在方向延伸。在显示面板制作时，首先提供衬底1，然后在衬底1之上依次制作阵列层2、显示层3等结构。将虚设孔Vo设置在半导体层11上方，在氢化工艺中第一区域内A1的虚设孔Vo能够作为氢排出的通道，从而能够减小第一像素电路中晶体管的特性和第二像素电路中晶体管的特性之间的差异，改善显示不均现象。本发明实施例中第一功能层可以是阵列层中的任意一个绝缘层、或者第一功能层为显示层中的像素定义层或者显示层中的电极层。

在一些实施方式中，第一功能层位于发光器件31的靠近衬底1的一侧。将虚设孔Vo设置在发光器件31所在膜层的下方，虚设孔Vo距离半导体层11较近，且虚设孔Vo的制作不会影响显示层以及显示层以上的结构，虚设孔Vo能够与像素电路中真孔的同一工艺制程中制作，工艺简单。

具体的，继续参考图4所示的，显示面板还包括第一金属层M1，第一金属层M1为在靠近衬底1一侧距发光器件31最近的金属层；第三功能金属层14复用为第一金属层M1。第一功能层G与第一金属层M1相接触；第一功能层G位于第一金属层M1靠近衬底1的一侧，也即第一功能层G为第一金属层M1靠近衬底1一侧的绝缘层。在衬底1之上制作阵列层2，像素电路位于阵列层2中，阵列层2包括导电层以及位于相邻导电层之间的绝缘层，其中，导电层包括金属层和半导体层，而且导电层和绝缘层都可以称为功能层。

在像素电路中，一些晶体管之间不需要通过真孔来连接，比如阈值补偿晶体管T2的第一极与第二发光控制晶体管T6的第一极均位于半导体层11，则这两个极之间的连接不需要过孔。

而一些晶体管与晶体管之间的连接或者晶体管与信号线之间的连接需要通过真孔K来实现，比如阈值补偿晶体管T2的第二极与驱动晶体管Tm的控制端电连接。驱动晶体管Tm的控制端(也即栅极)位于第一功能金属层12，阈值补偿晶体管T2的第二极位于半导体层11，在阵列层2制作时，并非在第一功能金属层12下方的绝缘层上直接制作开孔连接到阈值补偿晶体管T2的第二极。如图3中示意的第二连接线X2，第二连接线X2分别通过一个真孔K与阈值补偿晶体管T2的第二极和驱动晶体管Tm的控制端分别连接，以实现阈值补偿晶体管T2的第二极和驱动晶体管Tm的控制端之间的电连接。其中，第二连接线X2位于第一金属层M1，在第一金属层M1的工艺之前制作绝缘层的打孔工艺。第二连接线X2相当于桥接线，用于连接位于不同金属层的电路部件。桥接线位于衬底1之上距离发光器件31最近的金属层。

在本发明实施例提供的显示面板中像素电路中的桥接线连接到电路部件的真孔K、晶体管的第一极连接到信号线的真孔K、晶体管的第二极连接到发光器件31的真孔K都可以在同一打孔工艺中制作，以节省打孔工艺制程。本发明实施例中设置虚设孔Vo贯穿第一功能层G并向衬底1方向延伸，且第一功能层G位于第一金属层M1靠近衬底1的一侧，第一金属层M1为衬底1之上距发光器件31最近的金属层，则虚设孔Vo能够与像素电路中的真孔K在同一工艺制程中制作，在第一区域A1内增加虚设孔Vo作为氢气排出的通道以改善减小第一像素电路10a中晶体管特性和第二像素电路10b中晶体管特性的差异，不需要增加新的工艺制程。

具体的，显示面板的制作工艺包括氢化工艺，氢化工艺目的是在一定高温条件下排出晶体管有源层以及与有源层接触的栅极绝缘层中的氢。在一种实施例中，在绝缘层打孔工艺之后，在第一金属层M1的工艺之前进行氢化工艺。

继续参考图4所示的，阵列层2还包括平坦化层21，在第一金属层M1的工艺之后制作平坦化层21，以为发光器件31提供一个相对平坦的基底。发光器件31的第一电极31a通过平坦化层21上的开孔O连接到第一金属层M1中的转接电极，第一金属层M1中的转接电极再通过真孔K1连接到相应的晶体管，以实现像素电路与第一电极31a之间电连接。

在一种实施例中，如图4所示的，虚设孔Vo贯穿半导体层11和第一金属层M1之间的所有绝缘层。在显示面板中，在衬底之上依次设置有半导体层、栅极绝缘层、第一功能金属层，其中，像素电路中晶体管的控制端位于第一功能金属层，半导体层中的氢含量以及栅极绝缘层中的氢含量对晶体管的特性产生影响，该实施方式中设置第一区域内虚设孔贯穿半导体层和第一金属层之间的所有绝缘层，能够有利于第一区域内半导体层和栅极绝缘层中氢的排除，以减小第一像素电路中晶体管特性和第二像素电路中晶体管特性之间的差异，以改善显示不均的问题。

需要说明的是，图3示意的第一区域A1内像素电路布线图，为俯视示意图，在图3中可以看出像素电路各个电路部件之间的连接关系，而图3中对于虚设孔Vo的位置仅作为示意性表示，并不能够表示出虚设孔Vo贯穿的膜层。在相关具体实施例附图中示意图3中切线位置处的膜层结构，以对虚设孔Vo贯穿的膜层进行说明。

在另一种实施例中，图5为图3中切线A-A'位置处另一种截面示意图。如图5所示，虚设孔Vo贯穿第一功能层G并向衬底1的方向延伸，虚设孔Vo贯穿半导体层11和第一金属层M1之间的部分绝缘层。该实施例中虚设孔Vo的孔深度与图4实施例相比较小，虚设孔Vo并没有贯穿到半导体层11。而氢化工艺时是将未完成的显示面板置于一定高温环境中，在高温条件下氢能够在结构层中游动，则该实施方式中设置的虚设孔Vo同样能够作为氢排出的通道，用以减小第一像素电路中晶体管特性和第二像素电路中晶体管特性之间的差异。

在另一种实施例中，图6为图3中切线B-B'位置处一种截面示意图。如图6中示出了显示面板中的衬底1、阵列层2以及显示层3。显示层3包括像素定义层32和发光器件31，其中，像素定义层32用于间隔相邻的发光器件31。阵列层2包括位于衬底1之上的半导体层11、第一功能金属层12、第二功能金属层13、第三功能金属层14、以及平坦化层21，平坦化层21位于第三功能金属层14之上。该实施方式中虚设孔Vo贯穿第一功能层G并向衬底1方向延伸，第一功能层G位于第一金属层M1远离衬底1的一侧，第一功能层G复用为平坦化层21。

参考上述图4实施例中的说明可以知道，发光器件31的第一电极31a需要通过平坦化层21上的开孔O连接到下方像素电路中的晶体管，则显示面板工艺制程中包括对平坦化层21制作开孔的工艺。图6实施例中虚设孔Vo可以与平坦化层21的开孔O在同一工艺制程中制作，不增加新的工艺制程。

图6中示意虚设孔Vo贯穿平坦化层21与半导体层11之间的所有绝缘层。在另一种实施例中，虚设孔Vo贯穿平坦化层21并向衬底1方向延伸，虚设孔Vo贯穿平坦化层21与半导体层11之间的部分绝缘层。

具体的，图6实施例中虚设孔Vo与发光器件31不交叠，以避免在虚设孔Vo之上制作第一电极31a时对第一电极31a的导电性能产生影响。

具体的，在垂直于衬底1所在平面的方向上，虚设孔Vo与半导体层11不交叠。在像素电路中，半导体层11中有部分区域作为晶体管的有源层，也有部分区域作为晶体管之间的连接线，所以从俯视角度观看显示面板时，半导体层11具有特定的图案形状(可参照图3中的示意)。设置虚设孔Vo与半导体层11不交叠，一方面，虚设孔Vo的设计不需要改变半导体11的图案形状，则对半导体层11工艺制程没有任何影响；另一方面，虚设孔Vo的制作复用阵列层2中原有的打孔工艺，则在打孔工艺之后通常整面铺设金属层，则虚设孔Vo内会填充有金属材料，在不改变半导体层11的工艺制程前提下，如果设置虚设孔Vo与半导体层11相交叠，虚设孔Vo中的金属材料会影响与该虚设孔Vo交叠的半导体层11的导电性能，进而影响像素电路的工作，导致第一区域A1内第一像素电路10a的工作性能存在差异。在考虑上述因素的影响下对虚设孔Vo进行设置，对阵列层2工艺制程影响较小，且避免了第一区域A1内不同的第一像素电路10a之间驱动性能产生差异。

在另一种实施例中，图7为图3中切线B-B'位置处另一种截面示意图。第一功能层G复用为像素定义层32。虚设孔Vo贯穿像素定义层32并向衬底1的方向延伸。像素定义层32用于间隔相邻的发光器件31，在显示面板制作时，首先在阵列层2之上制作第一电极31a，然后制作整面的像素定义层材料，然后对像素定义层材料进行刻蚀形成开口，开口暴露第一电极31a，然后依次制作发光层31b和第二电极31c。也就是说，在像素定义层32制作时包括对像素定义层材料制作开口的工艺。该实施方式中，虚设孔Vo可以复用像素定义层的开口工艺来制作，仅需要对开口工艺中用到的掩膜板进行设计，而不增加新的工艺制程。

进一步的，结合上述图4以及图6实施例中的说明，可以知道，阵列层2中第一金属层M1工艺之前包括打孔工艺，在第一电极31a工艺之前也包括打孔工艺。在一种实施例中，图7实施例中的虚设孔Vo经三次打孔工艺形成，虚设孔Vo至少贯穿像素定义层32、与第一电极31a接触并靠近衬底1一侧的平坦化层21、以及与第一金属层M1接触并靠近衬底1一侧的绝缘层。

在另一种实施例中，图8为图3中切线B-B'位置处另一种截面示意图。如图8所示，发光器件31包括在衬底1之上堆叠的第一电极31a、发光层31b和第二电极31c，其中，第一功能层G的部分区域复用为第二电极31c，虚设孔Vo贯穿第一功能层G并向衬底1方向延伸。在常规结构中，第二电极31c所在膜层为整面结构，而本发明实施例中，第二电极31c所在膜层至少在第一区域A1内具有开孔，开孔向衬底1方向延伸，则在氢化工艺中，半导体层11中以及半导体层11之上栅极绝缘层中的氢能够在膜层之间游动，进而通过开孔(也即虚设孔Vo)向外排出，也就是增加了第一区域A1内氢排出的通道，由此能够减小第一像素电路10a中晶体管特性与第二像素电路10b中晶体管特性之间的差异，从而改善显示不均问题。

图8中示意虚设孔Vo贯穿第二电极31c和半导体层11之间的所有绝缘层，在另一种实施例中，虚设孔Vo仅贯穿第二电极31c和半导体层11之间的部分绝缘层。

在一些实施方式中，在同等面积区域内，第一区域A1内真孔K和虚设孔Vo的个数之和为n1，第二区域A2内真孔K的个数为n2；其中，1/9≤n1/n2≤1.5。其中，在划定第一区域A1和第二区域A2的同等面积区域进行比较时，可以划定一个像素电路占据的区域作为同等面积区域。在一种实施例中，在同等面积区域内，n1/n2＝1/9；则在一个像素电路占据的面积区域内，第二区域A2内真孔K的个数为9，那么第一区域A1虚设孔Vo和真孔的总个数为1。在一种实施例中，在同等面积区域内，n1/n2＝1；则在一个像素电路占据的面积区域内，第二区域A2内真孔的个数为9，那么第一区域A1虚设孔Vo和真孔的总个数为9。在第一区域A1内设置虚设孔Vo，以使得相同面积内第一区域A1内孔(真孔加虚设孔)的个数和第二区域A2内真孔K的个数相接近，能够增加第一区域A1内氢排出的通道，从而减小由于两个区域内像素电路密度不同导致的第一像素电路中晶体管的特性和第二像素电路中晶体管的特性之间的差异。

在一些实施方式中，在垂直于衬底1的方向上，第一区域A1内虚设孔Vo距半导体层11具有一定距离，则半导体层11中的氢以及栅极绝缘层中的氢需要在多个膜层中游动才能由虚设孔Vo排出，此种情况下设置n1/n2>1，也可以说，同等面积区域内第一区域A1内孔(虚设孔和真孔都定义为孔)的密度大于第二区域A2内真孔的密度。通过增加虚设孔Vo的设置个数来增大氢的排出量，以减小第一像素电路中晶体管的特性和第二像素电路中晶体管的特性之间的差异。

在第一区域A1内设置虚设孔Vo时需要对像素电路中的电路部件以及一些信号线进行避让，以避免虚设孔Vo影响电路性能。进一步的，设置n1/n2≤1.5，能够在保证虚设孔Vo在氢化工艺中用作氢排出的通道前提下，避免将虚设孔Vo设置的过多而增加第一区域A1内电路布线的复杂度。

具体的，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一区域局部示意图，如图9所示，第一区域A1包括像素区Q1和非像素区Q2，发光器件31位于像素区Q1，像素区Q1也即显示区内的像素发光区域，如图中示意的非像素区Q2围绕像素区Q1设置。虚设孔Vo位于非像素区Q2，也即在垂直于衬底1的方向上，虚设孔Vo与发光器件31不交叠，则虚设孔Vo的设置不会影响第一电极31a的平坦性，从而避免第一电极31a的平坦性较差导致色散而影响显示效果。

在一些实施方式中，第一区域内还设置有虚设像素电路，图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图，如图10所示，第一区域A1内包括虚设像素电路10x，第一区域A1内第一像素电路10a和虚设像素电路10x的密度之和小于第二区域A2内第二像素电路10b的密度。虚设像素电路10x的电路结构与第一像素电路10a的电路结构相同或不同，虚设像素电路10x包括连接电路部件的真孔K，但虚设像素电路10x不与发光器件31电连接。具体的，虚设像素电路10x不通过如图3以及图4中示意的真孔K1连接到发光器件的第一电极，以使得虚设像素电路10x不驱动发光器件发光。在第一区域A1内设置虚设像素电路10x，虚设像素电路10x中的真孔K也能够作为半导体层中的氢以及栅极绝缘层中的氢排出的通道，而且由于虚设像素电路10x的电路结构与第一像素电路10a的电路结构相同，则虚设像素电路10x的设置也能够改善第一区域A1和第二区域A2之间过渡时图形密度突变对刻蚀的影响。

虚设像素电路10x中真孔的个数与一个第一像素电路10a中真孔的个数相同，虚设像素电路10x的设置对较小两个区域内像素电路中晶体管特性差异改善效果明显，但是虚设像素电路10x中电路结构相对完整则整体占据的空间较大，而相比而言单个虚设孔Vo占据的空间相对较小，则虚设孔Vo能够设置的位置更加灵活。图10实施例综合考虑上述因素，在第一区域A1内同时设置虚设像素电路10x和虚设孔Vo，利用虚设像素电路10x来改善第一区域A1和第二区域A2之间过渡时图形密度突变对刻蚀的影响，同时利用虚设孔Vo以及虚设像素电路10x中的真孔K来增加第一区域A1内氢排出的通道，以保证第一像素电路10a中晶体管特性和第二像素电路10b中晶体管特性基本一致，改善显示不均的问题。

在另一种实施例中，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图，如图11所示，第一区域A1包括过渡区A1G和半透区A1T，过渡区A1G位于第二区域A2和半透区A1T之间，第一像素电路10a位于过渡区A1G。半透区A1T内发光器件的设置密度小于过渡区A1G内发光器件的设置密度，且过渡区A1G内发光器件的设置密度小于第二区域A2内发光器件的设置密度。其中，至少在过渡区A1G内靠近第二区域A2的一端设置有虚设孔Vo。在半透区A1T内不设置像素电路，将驱动半透区A1T内发光器件的像素电路设置在过渡区A1G内，以保证对半透区A1T内发光器件的驱动同时增大半透区A1T的透光率，该实施方式提供的显示面板能够应用在屏下摄像头方案中，在组装成显示装置时，将摄像头设置在半透区A1T的下方。在不调用摄像功能时，由位于过渡区A1G内的第一像素电路10a驱动半透区A1T内发光器件发光，以保证显示区显示完整的图像画面。在调用摄像功能时，环境光能够穿透半透区A1T位置处的显示面板被摄像头所接收，以完成拍摄成像。由于在第二区域A2和第一区域A1内像素电路密度不同，导致第二像素电路10b中晶体管特性和第一像素电路10a晶体管特性差异而引起的显示不均问题，在第二区域A2和第一区域A1之间的交界位置处相对比较明显，该实施方式至少在过渡区A1G内靠近第二区域A2的一端设置有虚设孔Vo，弱化显示时第二区域A2和过渡区A1G交界位置处的亮度差异，能够至少对显示亮度差异较大的区域进行改善。

进一步的，在过渡区A1G内靠近第二区域A2的一端、以及在过渡区A1G内均设置有虚设孔Vo，以对第一区域A1内所有的第一像素电路10a中晶体管的特性进行改善，以较大程度的改善显示不均问题。

在一种实施例中，过渡区A1G内虚设孔Vo和真孔K的孔设置密度之和为R1，第二区域A2内真孔K的孔设置密度为R2；其中，1/3≤R1/R2≤1。过渡区A1G内像素电路设置密度小于第二区域A2内像素电路设置密度，通过在过渡区A1G内设置虚设孔Vo以增大过渡区A1G内氢的排出通道，从而减小过渡区A1G内第一像素电路10a中晶体管特性和第二区域A2中晶体管特性之间的差异。在过渡区A1G内设置的虚设孔Vo的数量越多，则对位于两个区域内像素电路中晶体管特性差异改善效果越好。

第一像素电路10a位于过渡区A1G，在半透区A1T内不设置像素电路，则在制作时，过渡区A1G和半透区A1T交界位置处存在刻蚀图形突变，使得靠近半透区A1T的第一像素电路10a和距离半透区A1T较远的第一像素电路10a之间在驱动性能上存在差异，使得在边界位置附近的第一像素电路10a驱动的发光器件的亮度与其他位置处第一像素电路10a驱动的发光器件的亮度之间存在差异。进一步的，图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图，如图12所示，在半透区A1T内靠近过渡区A1G的一端设置有虚设孔Vo；在设置虚设孔Vo的部分半透区A1T内虚设孔Vo的孔设置密度为R3；其中，1/3≤R3/R1≤1。通过在半透区A1T内靠近过渡区A1G的一端设置有虚设孔Vo，以改善靠近半透区A1T的第一像素电路10a和距离半透区A1T较远的第一像素电路10a之间驱动性能的差异，使得过渡区A1G内第一像素电路10a之间驱动性能差异较小，改善不同的第一像素电路10a之间驱动性能差异导致的显示不均。另外，仅在半透区A1T靠近过渡区A1G的位置处设置虚设孔Vo，以尽量减小虚设孔Vo对半透区A1T的透光率的影响。

在一些实施方式中，在同等面积区域内，在半透区内虚设孔的分布方式与过渡区内的真孔和/或虚设孔的分布方式相同，其中，同等面积区域不限于一个像素电路占据的面积区域。在一种实施例中，在过渡区靠近半透区的位置处不设置虚设孔，则在过渡区靠近半透区的位置处仅包括第一像素电路中的真孔，则设置半透区内虚设孔的分布方式与第一像素电路中真孔的分布方式相同。在另一种实施例中，在过渡区靠近半透区的位置处设置有虚设孔，则在过渡区靠近半透区的位置处包括虚设孔以及第一像素电路中的真孔，则设置半透区内虚设孔的分布方式与过渡区内虚设孔和真孔的分布方式相同。

具体的，以过渡区靠近半透区的位置处不设置虚设孔为例，图13为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一区域局部简化示意图。如图13所示，半透区A1T内虚设孔Vo的分布方式与第一像素电路10a中真孔K的分布方式相同。该实施方式中在半透区A1T靠近过渡区A1G的位置处设置虚设孔Vo，以改善靠近半透区A1T的第一像素电路10a和距离半透区A1T较远的第一像素电路10a之间驱动性能的差异，使得过渡区A1G内第一像素电路10a之间驱动性能差异较小。另外，虚设孔Vo可以与像素电路中真孔K在同一工艺制程中制作，在同等面积区域内设置半透区A1T内虚设孔Vo的分布方式与过渡区A1G中孔的分布方式相同，则能够简化打孔工艺中掩膜板的设计。

显示面板还包括连接信号线，连接信号线由第二区域延伸到过渡区内；在垂直于显示面板所在平面方向上，虚设孔与连接信号线不交叠。具体的，图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图。图14中示意的像素电路结构与图3中示意的像素电路的结构稍有不同，图14中像素电路不包括第一电容Co。如图14所示，显示面板中包括在第一方向x延伸的信号线Xx和在第二方向y上延伸的信号线Xy，第一方向x和第二方向y相互交叉。结合上述图3像素电路的说明可以知道，信号线Xx包括第一扫描线、第二扫描线、复位信号线和发光控制信号线；信号线Xy包括数据线和电源信号线。

图14中示意的局部位置第二区域A2和过渡区A1G的边界大致沿第二方向y延伸，则显示面板中的部分信号线Xx会由第二区域A2延伸到过渡区A1G内，该部分信号线Xx提供信号时同时驱动第二区域A2内第二像素电路10b和过渡区A1G内第一像素电路10a。图中标示出由第二区域A2延伸到过渡区A1G内的连接信号线LX，在过渡区A1G靠近第二区域A2的位置处设置虚设孔Vo时，虚设孔Vo与连接信号线LX不交叠，以避免虚设孔Vo的打孔工艺之后铺设金属层对连接信号线LX的导电性能造成不良影响。

在另一种实施例中，第二区域A2至少半围绕第一区域A1设置，则第二区域A2和过渡区A1G的部分边界大致沿第二方向y延伸，则部分信号线Xy会由第二区域A2延伸到过渡区A1G，在过渡区A1G靠近第二区域A2的位置处设置虚设孔Vo，虚设孔Vo与信号线Xy不交叠。

在一种实施例中，图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图。如图15所示，以第二区域A2和第一区域A1的边界大致沿第二方向y延伸为例，显示面板包括在第一方向x延伸的信号线Xx和在第二方向y上延伸的信号线Xy，结合上述图3实施例示意的像素电路结构进行理解，信号线Xx包括第一扫描线S1、第二扫描线S2、发光控制信号线E、复位信号线Ref，信号线Xy包括电源信号线P和以及数据线D。像素电路与信号线电连接，图中对于像素电路的结构仅做简化示意。信号线包括第一信号线1X、第二信号线2X和第三信号线3X。第一信号线1X、第二信号线2X和第三信号线3X传输同类信号，其中，同类信号是指在驱动像素电路工作时起到相同功能的信号，比如驱动不同像素电路行的发光控制信号线属于传输同类信号的信号线，驱动不同像素电路行的复位信号线也属于传输同类信号的信号线。

如图15中示意的，第一信号线1X由第二区域A2内延伸到第一区域A1内；位于第一区域A1内的第一信号线1X的部分线段与多个第一像素电路10a电连接，且位于第二区域A2内的第一信号线1X的部分线段与多个第二像素电路10b电连接。第二信号线2X位于第二区域A2，第二信号线2X与多个第二像素电路10b电连接，第二信号线2X在第二区域A2靠近第一区域的位置处截止。第三信号线3X位于第一区域A1，第三信号线3X与多个第一像素电路10a电连接。

其中，在第一区域A1靠近第二区域A2位置处设置有虚设孔Vo，且在该位置处至少一条第三信号线3X通过第一桥接线71与第一信号线1X电连接。在第二区域A2靠近第一区域A1的位置处，至少一条第二信号线2X通过第二桥接线72与第一信号线1X电连接。图15中示意第一信号线1X、第二信号线2X和第三信号线3X均为复位信号线，该实施方式能够减少在第一区域A1和第二区域A2交界位置处由第二区域A2延伸到第一区域A1的信号线的数量，从而能够节省第一区域A1的空间，则节省出的空间能够用于设置更多数量的虚设孔Vo。而且在驱动像素电路工作时复位信号线Ref提供恒定电压信号，图15实施例中的设置不会影响复位信号线Ref对像素电路的驱动性能，而且能够降低显示面板中复位信号线Ref上的压降。

在另一种实施例中，第一信号线、第二信号线和第三信号线均为电源信号线。第二区域A2至少半围绕第一区域A1设置，第二区域A2和过渡区A1G之间的部分边界大致沿第二方向y延伸，则部分信号线Xy会由第二区域A2延伸到过渡区A1G，设置部分电源信号线P由第二区域A2延伸到第一区域A1，第二区域A2内部分电源信号线P在靠近第一区域A1的位置处截止；第一区域A1内部分电源信号线P在靠近第二区域A2的位置处截止，并且在靠近第二区域A2和第一区域A2交界位置处，驱动不同像素电路列的电源信号线P通过桥接线相连接，从而能够减少在第一区域A1和第二区域A2交界位置处由第二区域A2延伸到第一区域A1的信号线的数量，从而节省空间用于设置更多数量的虚设孔Vo。

在一种实施例中，图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图。如图16所示，显示面板中信号线包括第四信号线4X，第四信号线4X包括第一线段4Xa、第二线段4Xb和第三线段4Xc；第一线段4Xa位于第一区域A1，第一线段4Xa与多个第一像素电路10a电连接；第二线段4Xb位于第二区域A2，第二线段4Xb与多个第二像素电路10b电连接；第三线段4Xc位于第一区域A1靠近第二区域A2位置处，第三线段4Xc的一端连接第一线段4Xa，另一端连接第二线段4Xb。其中，在第一区域A1靠近第二区域A2位置处设置有虚设孔Vo，第三线段4Xc的线宽d3，小于第一线段4Xa的线宽d1，且小于第二线段4Xb的线宽d2；第三线段4Xc的线厚度，大于第一线段4Xa的线厚度，且大于第二线段4Xb的线厚度。该实施方式中，第四信号线4X由第二区域A2延伸到第一区域A1，将第四信号线4X中位于第一区域A1且靠近第二区域A2位置处的部分线段(也即第三线段4Xc)的线宽变窄，从而在第一区域A1且靠近第二区域A2位置处能够节省出空间以设置虚设孔Vo。同时设置第三线段4Xc的线厚度变大，以保证第四信号线4X整体电阻变化较小，避免对第四信号线4X传输的电压信号产生影响。

在像素电路中驱动晶体管的特性性能和阈值补偿晶体管的特性性能对驱动发光器件发光的驱动电流影响较大。本发明实施例中在第一区域A1内设置虚设孔Vo包括第一虚设孔，第一虚设孔与第一像素电路10a中驱动晶体管Tm相邻，通过虚设孔改善驱动晶体管Tm中的氢含量，以减小第一像素电路10a中驱动晶体管Tm的特性与第二像素电路10b中驱动晶体管Tm的特性之间的差异，从而改善显示不均。

在另一种实施例中，虚设孔Vo包括第二虚设孔，第二虚设孔与第一像素电路10a中阈值补偿晶体管T2相邻。通过虚设孔改善阈值补偿晶体管T2中的氢含量，以减小第一像素电路10a中阈值补偿晶体管T2的特性与第二像素电路10b中阈值补偿晶体管T2的特性之间的差异，从而改善显示不均。

在另一种实施例中，虚设孔Vo包括第一虚设孔和第二虚设孔，第一虚设孔与第一像素电路10a中驱动晶体管Tm相邻，第二虚设孔与第一像素电路10a中阈值补偿晶体管T2相邻。

在一种实施例中，图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部示意图，图17中示意出了部分半透区A1T和过渡区A1G，第一像素电路10a位于过渡区A1G，半透区A1T内发光器件31的设置密度小于过渡区A1G内发光器件31的设置密度，部分第一像素电路10a-1用于驱动过渡区A1G内的发光器件31，剩余部分第一像素电路10a-2用于驱动半透区A1T内的发光器件31。在常规的显示面板结构中，像素电路设置在其驱动的发光器件的下方，在垂直于显示面板方向上，像素电路中的晶体管基本与发光器件的第一电极交叠。图17实施例中由于将驱动半透区A1T内发光器件31的像素电路设置在过渡区A1G，则会导致过渡区A1G内部分第一像素电路10a中的晶体管不与发光器件31交叠，由于部分第一像素电路10a中部分晶体管不与发光器件31交叠，则环境光或者发光器件31发出的光会经过反射跟折射后照射到晶体管的沟道上，会导致晶体管特性发生变化，进而使得受光照的第一像素电路10a的驱动性能发生变化，表现在显示性能上出现显示不均。

进一步的，图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一区域内像素电路布线图，图18中像素电路的结构可以参考图3实施例进行理解，在此不再赘述。如图18所示，在像素电路中驱动晶体管Tm和阈值补偿晶体管T2的上方设置遮光层90，遮光层90位于晶体管结构的远离衬底的一侧。通过遮光层90对射向驱动晶体管Tm和阈值补偿晶体管T2的光线进行遮挡，以避免受光照后导致第一像素电路驱动性能发生变化，从而改善显示不均问题。

具体的，遮光层90与发光器件31的第一电极31a位于同一层，则遮光层90与第一电极31a在同一工艺制程中制作，遮光层90的设计不需要增加新的工艺制程，而且对显示面板的整体厚度没有影响。

图17以第一像素电路10a-2不与发光器件31交叠进行示意。在一些实施方式中，将驱动半透区A1T内发光器件31的像素电路设置在过渡区A1G后，需要对过渡区A1G内第一像素电路的排布进行设计，也可能是驱动过渡区A1G内发光器件31的第一像素电路10a-1中部分晶体管不与发光器件交叠。

本发明实施例还提供一种显示装置，图19为本发明实施例提供的显示装置示意图，如图19所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板100。对于显示面板的结构在上述实施例中已经说明，在此不再赘述。本发明实施例中显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能穿戴产品等任何具有显示功能的设备。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

像素电路，所述像素电路包括第一像素电路和第二像素电路；

第一区域和第二区域，所述第一区域包括所述第一像素电路，所述第二区域包括所述第二像素电路，所述第一像素电路和所述第二像素电路分别与发光器件电连接；

所述第一区域内所述第一像素电路的密度小于所述第二区域内所述第二像素电路的密度；其中，

所述第一区域具有虚设孔，所述虚设孔至少贯穿所述显示面板中的部分膜层；

所述第一区域包括过渡区和半透区，所述过渡区位于所述第二区域和所述半透区之间；所述第一像素电路位于所述过渡区；其中，

至少在所述过渡区内靠近所述第二区域的一端设置有所述虚设孔，在所述半透区内靠近所述过渡区的一端设置有所述虚设孔。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路具有真孔，所述真孔用于连接电路部件；

在同等面积区域内，所述第一区域内所述真孔和所述虚设孔的个数之和为n1，所述第二区域内所述真孔的个数为n2；其中，

1/9≤n1/n2≤1.5。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包括：

衬底，位于所述衬底之上依次远离所述衬底一侧的半导体层和第一功能层；所述虚设孔贯穿所述第一功能层并向所述衬底所在方向延伸。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一功能层位于所述发光器件的靠近所述衬底的一侧。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括第一金属层，所述第一金属层为在靠近所述衬底一侧距所述发光器件最近的金属层；其中，

所述第一功能层与所述第一金属层相接触；所述第一功能层位于所述第一金属层靠近所述衬底的一侧，或者所述第一功能层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述虚设孔贯穿所述半导体层和所述第一金属层之间的所有绝缘层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述虚设孔与所述半导体层不交叠。

8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一功能层复用为像素定义层。

9.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述发光器件包括在所述衬底之上堆叠的第一电极、发光层和第二电极，其中，所述第一功能层的部分区域复用为所述第二电极。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一区域包括像素区和非像素区，所述发光器件位于所述像素区；

所述虚设孔位于所述非像素区。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路具有真孔，所述真孔用于连接电路部件；

所述像素电路还包括虚设像素电路，所述虚设像素电路位于所述第一区域，所述虚设像素电路不与所述发光器件电连接；所述虚设像素电路包括所述真孔；

所述第一区域内所述第一像素电路和所述虚设像素电路的密度之和小于所述第二区域内所述第二像素电路的密度。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括连接信号线，所述连接信号线由所述第二区域延伸到所述过渡区内；在垂直于所述显示面板所在平面方向上，所述虚设孔与所述连接信号线不交叠。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路具有真孔，所述真孔用于连接电路部件；

所述过渡区内所述虚设孔和所述真孔的孔设置密度之和为R1，所述第二区域内所述真孔的孔设置密度为R2；其中，1/3≤R1/R2≤1。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，

在设置所述虚设孔的部分半透区内所述虚设孔的孔设置密度为R3；

其中，1/3≤R3/R1≤1。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，

在同等面积区域内，在所述半透区内所述虚设孔的分布方式与所述过渡区内的所述真孔和/或所述虚设孔的分布方式相同。

16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括信号线，所述像素电路与所述信号线电连接，

所述信号线包括第一信号线、第二信号线和第三信号线；所述第一信号线、所述第二信号线和所述第三信号线传输同类信号；

所述第一信号线由所述第二区域内延伸到所述第一区域内；位于所述第一区域内的所述第一信号线的部分线段与多个所述第一像素电路电连接，且位于所述第二区域内的所述第一信号线的部分线段与多个所述第二像素电路电连接；

所述第二信号线位于所述第二区域，所述第二信号线与多个所述第二像素电路电连接，所述第二信号线在所述第二区域靠近所述第一区域的位置处截止；

所述第三信号线位于所述第一区域，所述第三信号线与多个所述第一像素电路电连接；

其中，在所述第一区域靠近所述第二区域位置处设置有所述虚设孔，且在该位置处至少一条所述第三信号线通过第一桥接线与所述第一信号线电连接。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括信号线，所述像素电路与所述信号线电连接，

所述信号线包括第四信号线，所述第四信号线包括第一线段、第二线段和第三线段；

所述第一线段位于所述第一区域，所述第一线段与多个所述第一像素电路电连接；

所述第二线段位于所述第二区域，所述第二线段与多个所述第二像素电路电连接；

所述第三线段位于所述第一区域靠近所述第二区域位置处，所述第三线段的一端连接所述第一线段，另一端连接所述第二线段；

其中，在所述第一区域靠近所述第二区域位置处设置有所述虚设孔，所述第三线段的线宽，小于所述第一线段的线宽，且小于所述第二线段的线宽；所述第三线段的线厚度，大于所述第一线段的线厚度，且大于所述第二线段的线厚度。

18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一像素电路包括驱动晶体管和阈值补偿晶体管，

所述虚设孔包括第一虚设孔，所述第一虚设孔与所述驱动晶体管相邻；和/或，所述虚设孔包括第二虚设孔，所述第二虚设孔与所述阈值补偿晶体管相邻。

19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至18任一项所述的显示面板。

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