CN113823644B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113823644B
CN113823644B CN202111110637.2A CN202111110637A CN113823644B CN 113823644 B CN113823644 B CN 113823644B CN 202111110637 A CN202111110637 A CN 202111110637A CN 113823644 B CN113823644 B CN 113823644B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
display panel
area
emitting device
pixel circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111110637.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113823644A (zh
Inventor
代好
王磊
王淼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202111110637.2A priority Critical patent/CN113823644B/zh
Publication of CN113823644A publication Critical patent/CN113823644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113823644B publication Critical patent/CN113823644B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

本发明提供一种显示面板和显示装置。显示面板的显示区包括光学部件区、过渡区和第一显示区；显示区包括发光器件和像素电路，发光器件包括位于光学部件区的第一发光器件；像素电路包括位于过渡区的第一像素电路；第一发光器件通过连接线与第一像素电路电连接；像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的有源层位于第一硅半导体层，第二晶体管的有源层位于第二金属氧化物半导体层；连接线包括相互连接的第一线段和第二线段，第一线段位于光学部件区，第二线段位于过渡区；连接线包括第一连接线，第一连接线中第一线段位于第二金属氧化物半导体层。本发明能够提高光学部件区的透光率，同时能够节省工艺制程、降低制作成本。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在电子产品比如手机、平板电脑中，前置摄像头、红外感应元件等光学部件在产品的正面占据一定空间而影响屏占比。随着显示领域中全面屏概念的提出，各大厂商都在全面屏研究领域发力，目前普遍认为屏下光学部件方案是一种能够实现真正全面屏的较优方案。将光学部件比如摄像头设置在显示区域的下方，摄像头所在的位置能够正常显示，当需要使用摄像头时，光线穿透显示面板到达摄像头最终被摄像头利用。
LTPO(Low Temperature Poly Oxide，低温多晶氧化物)电子迁移率约为LTPS(LowTemperature Poly-Silicon，低温多晶硅)的10％，但漏电流仅为1％。而现在高端手机也逐渐从LTPS转向LTPO。LTPO搭配屏下光学部件是未来高端全面屏的必然趋势。而针对LTPO搭配屏下光学部件的方案中如何提高光学部件区透光率以及简化工艺制程，目前仍没有相关解决方案。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，能够提高光学部件区的透光率，同时能够节省工艺制程、降低制作成本。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板的显示区包括光学部件区、过渡区和第一显示区，过渡区位于光学部件区和第一显示区之间；
显示区包括多个发光器件和多个像素电路，发光器件包括位于光学部件区的第一发光器件；像素电路包括位于过渡区的第一像素电路；第一发光器件通过连接线与第一像素电路电连接；
显示面板包括衬底、以及位于衬底同侧的第一硅半导体层和第二金属氧化物半导体层；像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的有源层位于第一硅半导体层，第二晶体管的有源层位于第二金属氧化物半导体层；其中，
连接线包括相互连接的第一线段和第二线段，第一线段位于光学部件区，第二线段位于过渡区；
连接线包括第一连接线，第一连接线中第一线段位于第二金属氧化物半导体层。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：将驱动光学部件区内的第一发光器件的第一像素电路设置在过渡区，能够提高光学部件区的透光率。同时设置第一连接线中的第一线段位于第二金属氧化物半导体层，则第一连接线中的第一线段能够复用显示面板原有的工艺制程制作，节省工艺制程、降低制作成本。而且，位于第二金属氧化物半导体层的第一线段透光率较高，能够进一步提升光学部件区的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的局部示意图；
图2为图1中区域Q位置处一种放大示意图；
图3为本发明实施例中一种像素电路示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示面板膜层结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板局部示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板局部示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图；
图13为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的局部示意图，图2为图1中区域Q位置处一种放大示意图。图3为本发明实施例中一种像素电路示意图。
图1示意出了显示面板的部分显示区，如图1所示显示区AA包括光学部件区A1、过渡区A2和第一显示区A3，过渡区A2位于光学部件区A1和第一显示区A3之间。在组装成显示装置时，可以将光学部件设置在光学部件区A1对应的下方，光线能够穿透光学部件区A1被光学部件所接受，实现屏下光学部件方案。其中，光学部件包括摄像头、红外传感器、指纹识别模块、脸部识别模块等中的一种或多种。可选的，光学部件区A1的透光率大于第一显示区A3的透光率。本发明对于光学部件区A1的形状不做限定，图1中仅以光学部件区A1为圆形进行示意。在实际中可以适应光学部件的形状对光学部件区A1进行设计。
如图2所示，显示面板包括多个发光器件10和多个像素电路20，发光器件10包括位于光学部件区A1的第一发光器件11；像素电路20包括位于过渡区A2的第一像素电路21；第一发光器件11通过连接线30与第一像素电路21电连接。也就是说，在光学部件区A1内设置有第一发光器件11，光学部件区A1能够进行显示保证显示区AA画面的完整性。同时将驱动第一发光器件11发光的第一像素电路21设置在过渡区A2，能够提升光学部件区A1的透光率。本发明实施例中连接线30包括相互连接的第一线段41和第二线段42，第一线段41位于光学部件区A1，第二线段42位于过渡区A2。
发光器件10还可以包括位于过渡区A2的第二发光器件12和位于第一显示区A3的第三发光器件13。像素电路20还包括位于过渡区A2的第二像素电路22和位于第一显示区A3的第三像素电路23。其中，第二发光器件12与第二像素电路22电连接，第三发光器件13与第三像素电路23电连接。
本发明实施例中像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的有源层位于第一硅半导体层，第二晶体管的有源层位于第二金属氧化物半导体层；也就是说，第一晶体管和第二晶体管的有源层材料不同。在一种实施例中，第一硅半导体层为低温多晶硅半导体层，第二金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物半导体层。
如图3中示意出了一种像素电路，像素电路包括7个晶体管和1个电容，其中，像素电路10包括驱动晶体管Tm、数据写入晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、栅极复位晶体管T3、电极复位晶体管T4、第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6。图3中还示意出了第一扫描信号C1、第二扫描信号C2、第三扫描信号C3、发光控制信号E、第一电源信号P、复位信号Ref以及数据信号Data、存储电容Cst。
其中，栅极复位晶体管T3的栅极接收第二扫描信号C2，栅极复位晶体管T3的第一极接收复位信号Ref电连接，栅极复位晶体管T3的第二极连接到第一节点N1，驱动晶体管Tm的栅极连接到第一节点N1。数据写入晶体管T1的栅极接收第一扫描信号C1，其第一极接收数据信号Data，其第二极连接到第二节点N2。驱动晶体管Tm的第一极连接到第二节点N2，驱动晶体管Tm的第二极连接到第三节点N3。阈值补偿晶体管T2的栅极接收第三扫描信号C3，其第一极连接到第三节点N3，其第二极连接到第一节点N1。第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极均接收发光控制信号E，第一发光控制晶体管T5的第一极连接到第一电源信号P，第一发光控制晶体管T5的第二极连接到第二节点N2；第二发光控制晶体管T6的第一极连接到第三节点N3，第二发光控制晶体管T6的第二极连接到第四节点N4。电极复位晶体管T4的栅极可以接收第一扫描信号C1，电极复位晶体管T4的第一极可以连接到复位信号Ref，电极复位晶体管T4的第二极可以连接到第四节点N4，发光器件10的第一电极连接到第四节点N4，发光器件10的第二电极接收第二电源信号(图3中未示出)。
在一种实施例中，阈值补偿晶体管T2和栅极复位晶体管T3为第二晶体管，像素电路中其他晶体管均为第一晶体管。
在另一种实施例中，像素电路中阈值补偿晶体管T2为第二晶体管，其他晶体管均为第一晶体管。
在另一种实施例中，像素电路中栅极复位晶体管T3为第二晶体管，其他晶体管均为第一晶体管。
第二晶体管的有源层位于第二金属氧化物半导体层，则第二晶体管在关态下的漏流小，将阈值补偿晶体管T2和/或栅极复位晶体管T3设置成第二晶体管，能够改善漏流对第一节点N1电位的影响，在驱动发光器件发光的阶段能够稳定第一节点N1电位，改善显示面板画面闪烁问题，提升显示效果。
图4为本发明实施例提供的一种显示面板膜层结构示意图。如图4所示，显示面板包括衬底1以及位于衬底1同侧的第一硅半导体层2、第二金属氧化物半导体层3、第一金属层4、第二金属层5、第三金属层6、第四金属层7和第五金属层8。第一硅半导体层2位于第一金属层4的靠近衬底1的一侧。第二金属层5位于第一金属层4和第三金属层6之间，第二金属氧化物半导体层3位于第二金属层5和第三金属层6之间。第四金属层7位于第二金属氧化物半导体层3的远离衬底1的一侧，第五金属层8位于第四金属层7的远离衬底1的一侧。
由图4可以看出，第一晶体管M1的有源层w1位于第一硅半导体层2，第一晶体管M1的栅极g1位于第一金属层4。第二晶体管M2的有源层w2位于第二金属氧化物半导体层3，第二晶体管M2的至少一个栅极g2位于第三金属层6。在一些实施方式中，第二晶体管M2包括两个栅极，第二晶体管M2的有源层w2位于两个栅极之间，第二晶体管M2的另一个栅极位于第二金属层5。图4中还示意出了存储电容Cst，存储电容Cst的一个极板位于第二金属层5，另一个极板位于第一金属层4。存储电容Cst的一个极板复用为第二晶体管M2的一个栅极。
图4中还示意出了发光器件10，发光器件10包括第一电极a、发光层b和第二电极c。第一电极a和第二电极c中一者为阳极，另一者为阴极。
显示面板中包括扫描信号线、复位信号线、发光控制信号线、数据信号线、电源信号线。在一些实施方式中，根据各信号线与像素电路中晶体管的连接关系，将扫描信号线、复位信号线、发光控制信号线、数据信号线、电源信号线分布设置在第一金属层4、第二金属层5、第三金属层6、第四金属层7和第五金属层8中。
在一些实施方式中，显示面板包括第一金属层4、第二金属层5、第三金属层6、第四金属层7共四个金属层，根据各信号线与像素电路中晶体管的连接关系，将扫描信号线、复位信号线、发光控制信号线、数据信号线、电源信号线分布设置在四个金属层中。
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图，图5中示意出了位于光学部件区A1的一个第一发光器件11、以及位于过渡区A2内的一个第一像素电路21的部分结构。图5中示意第一发光器件11通过第一连接线31与第一像素电路21电连接。第一连接线31中第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3。可以理解，第一连接线31为多条连接线30中的一部分。第一连接线31为多条连接线30中的一类连接线，这一类连接线中的第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3。
第二金属氧化物半导体层3具有较高的透光率，将第一连接线31中位于光学部件区A1的第一线段41设置在第二金属氧化物半导体层3能够提升光学部件区A1的透光率。并且第二金属氧化物半导体层3为显示面板中原有的膜层，第一连接线31中第一线段41能够与第二晶体管M2的有源层w2在同一工艺制程中制作，节省工艺制程、降低制作成本。
需要说明的是，图5中仅为了示意第一连接线31中第一线段41所在膜层位置，不对第一线段41的线形进行限定。对于一条连接线30来说，其位于光学部件区A1内的第一线段41可以是直线，或者也可以是折线、曲线。
本发明实施例中将驱动光学部件区A1内的第一发光器件11的第一像素电路21设置在过渡区A2，能够提高光学部件区A1的透光率。同时设置第一连接线31中的第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3，则第一连接线31中的第一线段41能够复用显示面板原有的工艺制程制作，节省工艺制程、降低制作成本。而且，位于第二金属氧化物半导体层3的第一线段41透光率较高，能够进一步提升光学部件区A1的透光率。
在应用中光学部件区A1内设置的第一发光器件11的数目也非常多，将驱动第一发光器件11的第一像素电路21均设置在过渡区A2，则需要由光学部件区A1向过渡区A2引出数量非常多的连接线30。考虑由于连接线30数量多、第一发光器件11在光学部件区A1分散排布、也需要考虑过渡区A2内的空间对第一像素电路21的位置进行设置等因素，如果将所有的连接线30均制作在同一层，可能会存在连接不同第一发光器件11的连接线30相互交叉的情况。所以本发明考虑在显示面板中设置至少一层透明导电层，在透明导电层中制作部分连接线的第一线段。
在一些实施方式中，图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图6所示，显示面板包括位于第二金属氧化物半导体层3和发光器件之间的透明导电层9；连接线30包括第二连接线32，第二连接线32包括第一线段41和第二线段42，其中，第二连接线32中第一线段41位于透明导电层9。透明导电层9的透光率较高，将第二连接线32中第一线段41设置在透明导电层9，能够提升光学部件区A1的透光率。可以理解，第二连接线32与第一连接线31是并列概念。第二连接线32为多条连接线30中的一类连接线，这一类连接线中第一线段41位于透明导电层9。该实施方式中，第一连接线31中第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3，第二连接线32中第一线段41位于透明导电层9，则第一连接线31中第一线段41和第二连接线32中第一线段41的透光率均比较高，能够提升光学部件区A1的透光率。同时，第一连接线31中第一线段41和第二连接线32中第一线段41位于不同层，能够有利于根据光学部件区A1内第一发光器件11的排布对连接线30的布线进行设计，避免不同的第一线段41之间相互交叉。另外，第一连接线31中第一线段41能够与第二晶体管M2的有源层w2在同一工艺制程中制作，节省工艺制程、降低制作成本。
在一种实施例中，透明导电层9包括铟锡氧化物。
图6中还示意第二连接线32中第二线段42也位于透明导电层9。也即，在一些实施方式中，对于至少部分连接线30，其第一线段41和第二线段42位于同一层。
在一种实施例中，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部示意图，如图7所示，光学部件区A1和过渡区A2之间具有第一虚拟边界Y1。图7中仅示意出了过渡区A2内的部分第一像素电路21和部分第二像素电路22，并未示出过渡区A2内的第二发光器件21。其中，与第一连接线31连接的第一发光器件11距第一虚拟边界Y1的距离为第一距离，与第二连接线32连接的第一发光器件11距第一虚拟边界Y1的距离为第二距离；其中，第一距离小于第二距离。图7中并未对第一距离和第二距离进行标示，可以理解第一虚拟边界Y1并非显示面板中实际结构，而第一虚拟边界Y1可以理解为光学部件区A1和过渡区A2之间的交界位置，连接线需要由光学部件区A1引出后穿过第一虚拟边界Y1后延伸到过渡区A2。在比较两个第一发光器件11距第一虚拟边界Y1的距离大小时，可以将光学部件区A1和过渡区A2之间一条虚拟直线或虚拟曲线定为第一虚拟边界Y1。
在线段的线宽相同、且线长相同时，位于第二金属氧化物半导体层3的线段的电阻大于位于透明导电层9的线段的电阻。本发明实施例能够根据第一发光器件11距第一虚拟边界Y1的距离，对与该第一发光器件11连接的连接线30中第一线段41所在的膜层进行设置，以平衡不同的连接线30的长度不同产生的阻值差异。
在一些实施方式中，图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图8所示，连接线30还包括第三连接线31，第三连接线31中第一线段41包括串联的第一子段411和第二子段412；其中，第一子段411位于第二金属氧化物半导体层3，第二子段412位于透明导电层9。图8中示意第三连接线31中的第二线段42位于透明导电层9。第三连接线31的第一线段41由位于第二金属氧化物半导体层3的子段和位于透明导电层9的子段组成，第三连接线31的第一线段41的透光性能较好，不影响光学部件区A1的透光率。通过设置第三连接线31的第一线段41由位于不同膜层的子段组成，能够实现对第三连接线31的电阻进行调整，以平衡不同的连接线30的长度不同产生的阻值差异。
在一些实施方式中，至少部分连接线中第二线段位于第三金属层。图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图9示意出一条连接线30。第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3，第二线段42位于第三金属层6。连接线30还包括桥接线43，桥接线43的一端与第一像素电路21的输出端电连接，对应图3示意的像素电路来理解，第二发光控制晶体管T6的第二极与像素电路的输出端电连接。桥接线43的另一端连接到第二线段42电连接。图9中示意桥接线43、第二线段42、第一线段41依次串联连接。第三金属层6采用金属材料制作，在线段的线宽固定、长度固定时，位于第三金属层6的线段的电阻小于位于第二金属氧化物半导体层的线段的电阻，且位于第三金属层6的线段的电阻小于位于透明导电层的线段的电阻。本发明实施例中，位于过渡区A2的至少部分第二线段42位于第三金属层6，有利于降低连接线30上的电阻，防止连接线30上压降过大，影响第一发光器件11的发光亮度。
另外，在一些实施方式中，部分连接线的第二线段位于第三金属层，部分连接线30的第二线段位于透明导电层，即将第二线段在两个或者三个膜层中进行布线，有利于节省布线空间，能够有利于增加过渡区内排布的像素电路的个数，能够满足高分辨率的需求。
需要说明的是，图9仅为了示意桥接线43、第二线段42、第一线段41之间的连接关系，以及示意显示面板所包括的膜层，而图9中第一像素电路21仅做简化示意。
在一些实施方式中，对于一条连接线，其第一线段和第二线段位于不同层，设置第二线段和第一线段通过第一过孔相连接，第一过孔位于过渡区。如图9中示意的，第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3，第二线段42位于第三金属层6。第二线段42和第一线段41通过第一过孔V1相连接，第一过孔V1位于过渡区A2。将第一过孔V1设置在过渡区A2，能够不影响光学部件区A1的透光率。
图9中示意的连接线30相当于是第一连接线31，该第一连接线31的第一线段41位于第二金属氧化物半导体层3，该第一连接线31的第二线段42位于第三金属层6。
在一些实施方式中，第二连接线32的第二线段42位于第三金属层6，第二连接线32的第一线段41位于透明导电层9，且，第一线段41和第二线段42通过位于过渡区A2的过孔相连接。
在一些实施方式中，对于一条连接线30，其第二线段42和第一线段41通过至少两个第一过孔V1相连接。如此能够增加过渡区A2内的绝缘层打孔数目。在过渡区A2内的像素电路密度和第一显示区A3内的像素电路密度存在差异时，例如过渡区A2内的像素电路密度小于第一显示区A3内的像素电路密度，通过增加过渡区A2内的绝缘层打孔数目，利用绝缘层打孔作为氢化工艺中氢气排出的通道，能够减小由于两个区域内像素电路密度不同导致的两个区域内像素电路中晶体管的性能差异，由此改善显示不均现象。
在一些实施方式中，图10为本发明实施例提供的另一种显示面板局部示意图，如图10所示，在过渡区A2内：多个第一像素电路21在第一方向x排列成第一电路列21L，多个第二像素电路22在第一方向x上排列成第二电路列22L；在第二方向y上，n个第一电路列21L组成第一组z1，m个第二电路列22L组成第二组z2，第二方向y与第一方向x交叉，n为不小于1的整数，m为不小于2的整数；在第二方向y上，第一组z1和第二组z2交替排列。图10中，以m＝2、且n＝2进行示意。
在常规设置中像素电路设置在相应的发光器件下方，而在本发明实施例中将第一像素电路21设置在过渡区A2，同时过渡区A2内还需要设置第二像素电路22，为了留出设置第一像素电路21的空间，则第二像素电路22和与其对应的第二发光器件12的对位关系会发生变化。在垂直于衬底方向上，至少部分第二像素电路22和与其对应的第二发光器件12会存在错位，当存在错位时，如图10中所示的，第二像素电路22与第二发光器件12需要通过走线50相连接。则在对过渡区A2内布线时，还需要考虑走线50所在的膜层位置，保证走线50与连接线30之间相互绝缘。本发明实施例中在过渡区A2内设置第一组z1和第二组z2交替排布，能够有利于减小第二像素电路22和与其对应的第二发光器件12之间的错位距离，从而能够缩短过渡区A2内走线50的长度，有利于简化过渡区A2内的布线方式。
如图10所示的，在第一显示区A3，在第二方向y上，相邻两个像素电路的中心之间的间距为p1；在过渡区A2，在第二方向y上，相邻两个像素电路的中心之间的间距为p2，图10中示意两个第二像素电路22的中心之间的间距进行示意；其中，p2<p1。其中，可以沿像素电路占据的面积空间的边界划定出像素电路占据区域形状，以该区域形状的中心定义为像素电路的中心。该实施方式中，在过渡区A2内减小了在第二方向y上相邻两个像素电路中心之间的间距，可以通过减小单个像素电路在第二方向y上占据的长度来实现。如此能够增加过渡区A2内设置的像素电路的个数，能够保证在过渡区A2内有足够的空间设置第一像素电路21。
在一些实施方式中，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板局部示意图，图11中为了清楚示意过渡区A2内像素电路排布方式，并未示出过渡区A2内的第二发光器件12。如图11所示，过渡区A2包括第一子区A21和第二子区A22，第一子区A21与光学部件区A1相邻，第二子区A22位于第一子区A21的远离光学部件区A1的一侧；其中，第一像素电路21位于第一子区A21，第二像素电路22位于第二子区A22。本发明实施例中将驱动第一发光器件11的第一像素电路21设置在过渡区A2，能够提升光学部件区A1的透光率。在过渡区A2内将第一像素电路21均排布在靠近光学部件区A1的位置处能够减小连接线30的长度，能够降低连接线30上的压降，降低对第一发光器件11亮度的影响。而且能够减小至少部分连接线30在过渡区A2内的绕线长度，能够简化连接线30的布线方式。在结合连接线30的第一线段41所在膜层进行设置，将第一线段41设置在透光率较高的第二金属氧化物层或者透明导电层，能够进一步提升光学部件区A1的透光率。另外，将至少部分第一线段41设置在第二金属氧化物层，则第一线段41能够与第二晶体管M2的有源层w2在同一工艺制程中制作，节省工艺制程、降低制作成本。
在一些实施方式中，第一显示区A3内第三发光器件13的密度与光学部件区A1内第一发光器件11的密度相同。本发明实施例将驱动第一发光器件11的第一像素电路21设置在过渡区A2，能够提升光学部件区A1的透光率，通过对至少部分连接线30中第一线段41所在膜层进行设计，进一步提升光学部件区A1的透光率，并节省工艺制程、降低制作成本。同时不改变光学部件区A1内发光器件的密度，能够使得显示区整体分辨率均一，保证显示画面的显示效果。
在另一些实施方式中，第一显示区A3内第三发光器件13的密度大于光学部件区A1内第一发光器件11的密度。本发明实施例将驱动第一发光器件11的第一像素电路21设置在过渡区A2，能够提升光学部件区A1的透光率，通过对至少部分连接线30中第一线段41所在膜层进行设计，进一步提升光学部件区A1的透光率，并节省工艺制程、降低制作成本。同时设置光学部件区A1内发光器件的密度变小，能够进一步提升光学部件区A1的透光率。应用在屏下光学部件方案中，能够增加光学部件接收的光亮，提升光学部件性能。
在一些实施方式中，过渡区A2内第二发光器件21的密度与光学部件区A1内第一发光器件11的密度相同。
在一些实施方式中，第一发光器件11的发光面积为S1，与该第一发光器件11发光颜色相同的第三发光器件31的发光面积为S2，其中，S1<S2。为了实现彩色化显示，显示区内至少包括红色发光器件、蓝色发光器件和绿色发光器件。本发明实施例中设置光学部件区A1内红色发光器件的发光面积小于第一显示区A3内红色发光器件的发光面积，蓝色发光器件的发光面积小于第一显示区A3内蓝色发光器件的发光面积，绿色发光器件的发光面积小于第一显示区A3内绿色发光器件的发光面积。通过减小光学部件区A1内发光器件的发光面积能够增大光学部件区A1内透光区域的面积，从而进一步光学部件区A1的透光率。
在一种实施例中，第一显示区A3内第三发光器件13的密度与光学部件区A1内第一发光器件11的密度相同；且对于相同颜色的发光器件，光学部件区A1内发光器件的发光面积小于第一显示区A3内发光器件的发光面积。如此设置，能够在提升光学部件区A1的透光率的同时不降低光学部件区A1的显示分辨率。
在一些实施方式中，第一发光器件11的发光面积为S1，与该第一发光器件11发光颜色相同的第三发光器件31的发光面积为S2，其中，S1＝S2。也就是说，对于相同颜色的发光器件，光学部件区A1内发光器件的发光面积与第一显示区A3内发光器件的发光面积相同。如此设置能够简化发光器件制作时掩膜版的设计，简化工艺制程。
在一些实施方式中，第一发光器件11的发光面积为S1，与该第一发光器件11发光颜色相同的第三发光器件31的发光面积为S2，其中，S1>S2。也就是说，对于相同颜色的发光器件，光学部件区A1内发光器件的发光面积大于第一显示区A3内发光器件的发光面积相同。如此设置能够有利于提升第一发光器件11的亮度，减小光学部件区A1和第一显示区A3之间的亮度差异，提升显示均一性。
在一种实施例中，第一显示区A3内第三发光器件13的密度大于光学部件区A1内第一发光器件11的密度；且对于相同颜色的发光器件，光学部件区A1内发光器件的发光面积大于第一显示区A3内发光器件的发光面积相同。通过减小光学部件区A1内发光器件的密度，能够提升光学部件区A1的透光率。同时增大光学部件区A1内发光器件的亮度，减小光学部件区A1和第一显示区A3之间的亮度差异，提升显示均一性。
在一些实施方式中，图12为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图，如图12所示，光学部件区A1内第一发光器件11的形状为圆形，可选的，第一发光器件11的发光面积的形状即为该发光器件11的形状。如此能够改善光线穿透光学部件区A1时发生的衍射，应用在屏下光学部件方案中，能够提升光学部件性能。
在一些实施方式中，过渡区A2内第二发光器件21的形状与光学部件区A1内第一发光器件11的形状相同。
本发明实施例还提供一种显示装置，图13为本发明实施例提供的显示装置示意图，如图13所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板100。本发明实施例中显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能手表等任何具有显示功能的设备。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区包括光学部件区、过渡区和第一显示区，所述过渡区位于所述光学部件区和所述第一显示区之间；
所述显示区包括多个发光器件和多个像素电路，所述发光器件包括位于所述光学部件区的第一发光器件；所述像素电路包括位于所述过渡区的第一像素电路；所述第一发光器件通过连接线与所述第一像素电路电连接；
所述显示面板包括衬底、以及位于所述衬底同侧的第一硅半导体层和第二金属氧化物半导体层；所述像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的有源层位于所述第一硅半导体层，所述第二晶体管的有源层位于所述第二金属氧化物半导体层；其中，
所述连接线包括相互连接的第一线段和第二线段，所述第一线段位于所述光学部件区，所述第二线段位于所述过渡区；
所述连接线包括第一连接线，所述第一连接线中所述第一线段位于所述第二金属氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括位于所述第二金属氧化物半导体层和所述发光器件之间的透明导电层；
所述连接线包括第二连接线，所述第二连接线中所述第一线段位于所述透明导电层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述光学部件区和所述过渡区之间具有第一虚拟边界，
与所述第一连接线连接的所述第一发光器件距所述第一虚拟边界的距离为第一距离，与所述第二连接线连接的所述第一发光器件距所述第一虚拟边界的距离为第二距离；其中，所述第一距离小于所述第二距离。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述连接线还包括第三连接线，所述第三连接线中所述第一线段包括串联的第一子段和第二子段；其中，所述第一子段位于所述第二金属氧化物半导体层，所述第二子段位于所述透明导电层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括位于所述衬底同侧的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第三金属层之间；其中，所述第一晶体管的栅极位于所述第一金属层；所述像素电路包括存储电容，所述存储电容的一个极板位于所述第二金属层；所述第二晶体管的至少一个栅极位于所述第三金属层；
至少部分所述连接线中所述第二线段位于所述第三金属层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第二线段和所述第一线段通过第一过孔相连接，所述第一过孔位于所述过渡区。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第二线段和所述第一线段通过至少两个所述第一过孔相连接。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光器件还包括位于所述过渡区的第二发光器件，所述像素电路还包括位于所述过渡区的第二像素电路，所述第二发光器件与所述第二像素电路电连接；
在所述过渡区：
多个所述第一像素电路在第一方向排列成第一电路列，多个所述第二像素电路在所述第一方向上排列成第二电路列；
在第二方向上，n个所述第一电路列组成第一组，m个所述第二电路列组成第二组，所述第二方向与所述第一方向交叉，n为不小于1的整数，m为不小于2的整数；
在所述第二方向上，所述第一组和所述第二组交替排列。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光器件还包括位于所述过渡区的第二发光器件，所述像素电路还包括位于所述过渡区的第二像素电路，所述第二发光器件与所述第二像素电路电连接；
所述过渡区包括第一子区和第二子区，所述第一子区与所述光学部件区相邻，所述第二子区位于所述第一子区的远离所述光学部件区的一侧；其中，
所述第一像素电路位于所述第一子区，所述第二像素电路位于所述第二子区。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述发光器件还包括位于所述第一显示区的第三发光器件，所述像素电路还包括位于所述第一显示区的第三像素电路，所述第三发光器件与所述第三像素电路电连接；
在所述第一显示区，在所述第二方向上，相邻两个所述像素电路的中心之间的间距为p1；
在所述过渡区，在所述第二方向上，相邻两个所述像素电路的中心之间的间距为p2；其中，p2<p1。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光器件包括位于所述第一显示区的第三发光器件，
所述第一显示区内所述第三发光器件的密度与所述光学部件区内所述第一发光器件的密度相同。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述第一发光器件的发光面积为S1，与该所述第一发光器件发光颜色相同的所述第三发光器件的发光面积为S2，其中，S1<S2。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至12任一项所述的显示面板。
CN202111110637.2A 2021-09-18 2021-09-18 显示面板和显示装置 Active CN113823644B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111110637.2A CN113823644B (zh) 2021-09-18 2021-09-18 显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111110637.2A CN113823644B (zh) 2021-09-18 2021-09-18 显示面板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113823644A CN113823644A (zh) 2021-12-21
CN113823644B true CN113823644B (zh) 2024-02-20

Family

ID=78920930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111110637.2A Active CN113823644B (zh) 2021-09-18 2021-09-18 显示面板和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113823644B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023142305A1 (zh) * 2022-01-30 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2023173424A1 (zh) * 2022-03-18 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016001689A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 大日本印刷株式会社 有機半導体素子
CN110874990A (zh) * 2019-12-02 2020-03-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111725287A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN112186021A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112466209A (zh) * 2020-09-30 2021-03-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113241358A (zh) * 2021-04-30 2021-08-10 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114822250B (zh) * 2020-12-28 2023-06-06 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016001689A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 大日本印刷株式会社 有機半導体素子
CN110874990A (zh) * 2019-12-02 2020-03-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111725287A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN112186021A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112466209A (zh) * 2020-09-30 2021-03-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113241358A (zh) * 2021-04-30 2021-08-10 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113823644A (zh) 2021-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111180494B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110767710B (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
CN110190103B (zh) 一种显示面板和显示装置
US20210335221A1 (en) Display panel and display device
CN113823644B (zh) 显示面板和显示装置
US11810504B2 (en) Display substrate and display device
CN110931515B (zh) 一种阵列基板、显示面板以及显示装置
CN109410823B (zh) 显示面板及显示装置
CN113053309B (zh) 显示面板和显示装置
US20220376003A1 (en) Display panel and display apparatus
CN114822250B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN114335074A (zh) 显示面板及显示装置
CN112130698B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN113870713A (zh) 显示面板及显示装置
US20240040832A1 (en) Display panel and display device
CN115167046B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN114267283B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN114743504A (zh) 像素电路、显示面板及显示装置
CN114784073A (zh) 显示面板和显示装置
US20230326402A1 (en) Display panel and display device
US20240081109A1 (en) Display panel and display apparatus
US11910678B1 (en) Display panel and display device
US20240099098A1 (en) Display panel and display device
US20230200165A1 (en) Display panel and display device
US20230047640A1 (en) Display panel and display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant