CN112736117A - 显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 183
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 18
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract description 10
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract description 7
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 8
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Abstract
本申请公开了一种显示面板。该显示面板包括衬底、位于该衬底上的驱动电路层，该驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，相邻两个该感光构件之间设置有至少一该薄膜晶体管；其中，任一该感光构件包括至少一阵列单元，该阵列单元用于接收预定光线以及导出该预定光线的光电信息。本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术
随着生活水平的提高，具有交互功能的显示设备越来越受到关注。
现有技术中，氧化物半导体层相比于传统的半导体层具有更高的电子迁移率和稳定性。由于氧化物半导体层具有较高的带宽，所以只对波长较短的紫外光具有吸收效应，而对于可见光或红外光没有吸收，这就导致氧化物半导体层不适合做可见光或红外光的光传感器。从而限制了使用氧化物半导体层的显示面板在可见光或者近红外光方面的应用。
因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板，以解决现有技术中，氧化物半导体层无法吸收可见光或红外光，从而限制了使用氧化物半导体层的显示面板在可见光或者近红外光方面的应用的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
一种显示面板，包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管；
其中，任一所述感光构件包括至少一阵列单元，所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
在本申请的显示面板中，任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元及至少一第二阵列单元，一所述第一阵列单元与一所述第二阵列单元电连接；
其中，所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号，所述第二阵列单元用于将所述第一阵列单元的所述第一电信号转换为第二电信号，所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值。
在本申请的显示面板中，所述第一阵列单元包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一半导体单元、位于所述第一半导体单元上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第一源漏极单元；
所述第二阵列单元包括位于所述衬底上的第二栅极、位于所述第二栅极上的所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二半导体单元、位于所述第二半导体单元上的所述第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第二源漏极单元；
其中，所述第二绝缘层包括多个第一过孔，所述第一源漏极单元通过所述第一过孔与所述第二栅极电连接。
在本申请的显示面板中，所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第一源极、及第一漏极，所述第二绝缘层包括多个第二过孔、及多个第三过孔，所述第一源极通过所述第二过孔与所述第一半导体单元电连接，所述第一漏极通过所述第三过孔与所述第一半导体单元电连接；
所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第二源极、及第二漏极，所述第二绝缘层包括多个第四过孔、及多个第五过孔，所述第二源极通过所述第四过孔与所述第二半导体单元电连接，所述第二漏极通过所述第五过孔与所述第二半导体单元电连接；
其中，所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。
在本申请的显示面板中，所述第一半导体单元为N型半导体单元，所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元，所述第三绝缘层包括多个第六过孔及多个第七过孔，所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接。
在本申请的显示面板中，所述第一半导体单元为P型半导体单元，所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元，所述第三绝缘层包括多个第六过孔、多个第七过孔及多个第八过孔，所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第八过孔与所述第一栅极电连接。
在本申请的显示面板中，所述第一半导体单元的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。
在本申请的显示面板中，所述第一半导体单元的厚度为5000埃米～10000埃米，所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影的面积为100um2～10000um2。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第一阵列单元及所述第二阵列单元上的第四绝缘层、及位于所述第四绝缘层上的多个滤波单元，所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影位于所述滤波单元在所述衬底上的正投影之内。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括多个检测单元，一所述检测单元与一所述第二阵列单元电连接；
其中，所述检测单元用于检测所述第二阵列单元中的电流变化，以确定所述预定光线与所述显示面板的接触位置。
有益效果：本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板的第一种结构示意图；
图2为本申请显示面板的第二种结构示意图；
图3为本申请显示面板的第三种结构示意图；
图4为本申请显示面板的第四种结构示意图；
图5为图2所示结构的电路示意图；
图6为图3所示结构的电路示意图；
图7为本申请显示面板的局部俯视示意图；
图8为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图；
图9为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图；
图10为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图；
图11为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图；
图12为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图；
图13为本申请显示面板的制作方法的流程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中，氧化物半导体层相比于传统的半导体层具有更高的电子迁移率和稳定性。由于氧化物半导体层具有较高的带宽，所以只对波长较短的紫外光具有吸收效应，而对于可见光或红外光没有吸收，这就导致氧化物半导体层不适合做可见光或红外光的光传感器。从而限制了使用氧化物半导体层的显示面板在可见光或者近红外光方面的应用。
请参阅图1～图7，本申请公开了一种显示面板100，包括衬底200、位于所述衬底200上的驱动电路层210，所述驱动电路层210包括多个薄膜晶体管220以及与所述薄膜晶体管220同层设置的多个感光构件230，相邻两个所述感光构件230之间设置有至少一所述薄膜晶体管220。
其中，任一所述感光构件230包括至少一阵列单元，所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1～图7，包括衬底200、位于所述衬底200上的驱动电路层210，所述驱动电路层210包括多个薄膜晶体管220以及与所述薄膜晶体管220同层设置的多个感光构件230，相邻两个所述感光构件230之间设置有至少一所述薄膜晶体管220。其中，任一所述感光构件230包括至少一阵列单元，所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
本实施例中，所述第一阵列单元300及所述第二阵列单元400为顶栅结构或底栅结构，在此不做限定，为方便描述，下文以底栅结构为例。
本实施例中，任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元，其中所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号。感光构件只包括以第一阵列单元，即可接收预定光线与现实面板的接触点。
本实施例中，任一所述感光构件230包括至少一第一阵列单元300及至少一第二阵列单元400，一所述第一阵列单元300与一所述第二阵列单元400电连接。其中，所述第一阵列单元300用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号，所述第二阵列单元400用于将所述第一阵列单元300的所述第一电信号转换为第二电信号，所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值，具体请参阅图2。第一阵列单元接收预定光线，并将预定光线转换为光电信号，传输给第二阵列单元，第二阵列单元放大光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一阵列单元300包括位于所述衬底200上的第一栅极310、位于所述第一栅极310上的所述显示面板100的第一绝缘层510、位于所述第一绝缘层510上的第一半导体单元320、位于所述第一半导体单元320上的所述显示面板100的第二绝缘层520、及位于所述第二绝缘层520上的第一源漏极单元。所述第二阵列单元400包括位于所述衬底200上的第二栅极410、位于所述第二栅极410上的所述第一绝缘层510、位于所述第一绝缘层510上的第二半导体单元420、位于所述第二半导体单元420上的所述第二绝缘层520、及位于所述第二绝缘层520上的第二源漏极单元。其中，所述第二绝缘层520包括多个第一过孔610，所述第一过孔610使所述第二栅极410裸露。所述第一源漏极单元通过所述第一过孔610与所述第二栅极410电连接，具体请参阅图2。所述第一阵列单元300为光敏阵列单元，预定光线照射在第一阵列单元300上，第一半导体单元320受光激发，产生光电流，光电流通过所述第一源漏极单元，经第一过孔610导入所述第二栅极410，使得所述第二栅极410电压变大，从而所述第二半导体单元420中的电流变化，再经检测单元900检测到变化，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。
本实施例中，所述第一源极330通过所述第一过孔与所述第二栅极410电连接，具体请参阅图2～图4。
本实施例中，所述第一半导体单元320为N型半导体单元。所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第一源极330、及第一漏极340，所述第二绝缘层520包括多个第二过孔620、及多个第三过孔630，所述第二开孔、及所述第三开孔使所述第一半导体单元320裸露，所述第四开孔、及所述第五开孔使所述第二半导体单元420裸露，所述第一源极330通过所述第二过孔620与所述第一半导体单元320电连接，所述第一漏极340通过所述第三过孔630与所述第一半导体单元320电连接。所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第二源极430、及第二漏极440，所述第二绝缘层520包括多个第四过孔640、及多个第五过孔650，所述第二源极430通过所述第四过孔640与所述第二半导体单元420电连接，所述第二漏极440通过所述第五过孔650与所述第二半导体单元420电连接。所述显示面板100还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层530、及位于所述第三绝缘层530上的多个第一连接单元700，所述第三绝缘层530包括多个第六过孔660及多个第七过孔670，所述第六开孔使所述第一漏极340裸露，所述第七开孔使所述第二漏极440裸露，所述第一连接单元700通过所述第六过孔660与所述第一漏极340电连接，所述第一连接单元700通过所述第七过孔670与所述第二漏极440电连接，具体请参阅图2、图5。图5中710为所述显示面板的栅极线。当所述第一半导体单元320为N性半导体单元时，由于N型初始时，所述第一半导体单元320处于关闭状态，所述第一半导体单元320在关态的电流很小，所述第一源漏极单元中的电流很小，所以第二栅极410电压小，所述第二半导体单元420处于关闭状态。当受光照射时，第一半导体单元320受光激发，产生光电流，此时，所述第一源漏极单元流向所述第二栅极410的电流变大，所述第二栅极410电压变大，从而使所述第二源漏极单元中的电流流向外电路，可以被所述检测单元900检测到，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元320为P型半导体单元。所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第一源极330、及第一漏极340，所述第二绝缘层520包括多个第二过孔620、及多个第三过孔630，所述第一源极330通过所述第二过孔620与所述第一半导体单元320电连接，所述第一漏极340通过所述第三过孔630与所述第一半导体单元320电连接。所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第二源极430、及第二漏极440，所述第二绝缘层520包括多个第四过孔640、及多个第五过孔650，所述第二开孔、及所述第三开孔使所述第一半导体单元320裸露，所述第四开孔、及所述第五开孔使所述第二半导体单元420裸露，所述第二源极430通过所述第四过孔640与所述第二半导体单元420电连接，所述第二漏极440通过所述第五过孔650与所述第二半导体单元420电连接。所述显示面板100还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层530、及位于所述第三绝缘层530上的多个第一连接单元700，所述第三绝缘层530包括多个第六过孔660、多个第七过孔670及多个第八过孔680，所述第六开孔使所述第一漏极340裸露，所述第七开孔使所述第二漏极440裸露，所述第一连接单元700通过所述第六过孔660与所述第一漏极340电连接，所述第一连接单元700通过所述第七过孔670与所述第二漏极440电连接，所述第八开孔使所述第一栅极310裸露，所述第一连接单元700通过所述第八过孔680与所述第一栅极310电连接。其中，所述第一连接单元700还连接正向电压电线，具体请参阅图3、图6。当所述第一半导体单元320为P性半导体单元时，P型半导体材料的开关状态与N型半导体材料相反。所述第一连接单元700提供一个正向电压，由于所述第一连接单元700又提供所述第一栅极310的电压，所以所述第一半导体单元320开关处于关闭状态，所述第一元漏极单元中的电流较小。当有光照射时，所述第一半导体单元320的IdVg曲线向右发生偏移，在正向电压时，出现漏电流，此时所述第一半导体单元320处于打开状态，所述第一源漏极单元中电流增大，所述第一源漏极单元流向所述第二栅极410的电流变大，所述第二栅极410电压变大，使所述第二栅极410打开，从而使所述第二源漏极单元中的电流流向外电路，可以被所述检测单元900检测到，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元320的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。所述第一半导体单元320为光敏半导体材料，可以更好地接收可以见光或红外光线，增强了在可见光及近红外波长的光线交互应用。
本实施例中，P型有机半导体材料结构可以为：
本实施例中，所述第一半导体单元320的材料中包括Ge元素，以提高所述第一半导体单元320的光敏性。当预定光线为红外光时，也会有可见光进入，增强所述第一半导体单元320的光敏性，可以使所述第一为半导体单元对红外光的接收更为敏感，增强对红外光的照射点定位的准确性，提高预定光线与显示面板100接触位置的定位精度。
本实施例中，所述第一半导体单元320的厚度为5000埃米～10000埃米，所述第一半导体单元320在所述衬底200上的正投影的面积为100um2～10000um2。增大所述第一半导体单元320的厚度及光接收面积，可以增强所述第一半导体单元320的光敏性，当预定光线为红外光时，也会有可见光进入，增强所述第一半导体单元320的光敏性，可以使所述第一为半导体单元对红外光的接收更为敏感，增强对红外光的照射点定位的准确性，提高预定光线与显示面板100接触位置的定位精度。
本实施例中，所述第二半导体单元420的材料为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)中的任意一种或多种的组合。可以提供给所述第二半导体单元420更高的电子迁移率、稳定性、及较高的带宽，提升显示面板100的品质。
本实施例中，所述显示面板100还包括多个检测单元900及多条检测连接线，一所述检测单元900与一所述第二阵列单元400电连接。其中，所述检测单元900用于检测所述第二阵列单元400中的电流变化，以确定所述预定光线与所述显示面板100的接触位置，具体请参阅图5、图6。所述检测连接线用于检测单元900与元器件的连接。所述检测单元900为积分器，检测电路中电流变化，确定是否有预定光线照射所述第一半导体单元320，以及定位预定光线与显示面板100的接触位置。
本实施例中，所述检测单元900连接所述第二源极，具体请参阅图5、图6。
本实施例中，所述显示面板100还包括位于所述第一连接单元700上的第四绝缘层540、及位于所述第四绝缘层540上的多个滤波单元800。所述第一半导体单元320在所述衬底200上的正投影位于所述滤波单元800在所述衬底200上的正投影之内，具体请参阅图4。所述滤波单元800滤过可见光波长，使红外光波长的光透过，当预定光线为红外光时，提高红外光与显示面板100接触位置的识别精度。
本实施例中，所述显示面板100的多个像素单元20，所述像素单元20包括一绿色像素点、一红色像素点、及一蓝色像素点，至少一所述第一阵列单元300及对应所述第二阵列单元400在所述衬底200上的正投影位于相邻两个所述像素单元20在所述衬底200上的正投影之间。通过三色像素点构成一像素单元20，实现任意颜色显示，将所述第一阵列单元300及对应所述第二阵列单元400设置在相邻两个所述像素单元20之间，图中R代表红色像素点，G代表绿色像素点，B代表蓝色像素点，具体请参阅图7，更好地确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一栅极310及所述第二栅极410采用物理沉积成膜然后通过湿蚀刻制程进行图形化。所述第一栅极310及所述第二栅极410的材料为铜或者铝。
本实施例中，所述第一源漏极单元、所述第二源漏极单元、及所述第一连接单元700的材料为铜或者铝。
本实施例中，所述第一绝缘层510、所述第二绝缘层520、所述第三绝缘层530、及所述第四绝缘层540采用化学沉积成膜，所述第一过孔610～所述第八过孔680采用干蚀刻制程挖孔洞。
本实施例中，预定光线可以为可见光或/和红外光。
本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
请参阅图1～图13，本申请还公开了一种显示面板100的制作方法，包括：
S10、在衬底200上形成包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，以形成驱动电路层，相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管。
本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1～图13，所述显示面板100的制作方法，包括：
S10、在衬底200上形成包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，以形成驱动电路层。
本实施例中，相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管。其中，任一所述感光构件包括至少一阵列单元，所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
本实施例中，任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元，其中所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号。感光构件只包括以第一阵列单元，即可接收预定光线与现实面板的接触点。
本实施例中，任一所述感光构件230包括至少一第一阵列单元300及至少一第二阵列单元400，一所述第一阵列单元300与一所述第二阵列单元400电连接。其中，所述第一阵列单元300用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号，所述第二阵列单元400用于将所述第一阵列单元300的所述第一电信号转换为第二电信号，所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值，具体请参阅图2。第一阵列单元接收预定光线，并将预定光线转换为光电信号，传输给第二阵列单元，第二阵列单元放大光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一阵列单元300的材料包括感光材料，用于将预定光线转换为光信息信号，所述第二阵列单元400用于放大所述第一阵列单元300的所述光信息信号。
本实施例中，所述第一阵列单元300及所述第二阵列单元400为顶栅结构或底栅结构，在此不做限定，为方便描述，下文以底栅结构为例。
本实施例中，步骤S10包括：
S100、在衬底200上形成多个第一阵列单元300及多个第二阵列单元400，一所述第一阵列单元300与一所述第二阵列单元400电连接。
本实施例中，步骤S100包括：
S110、在衬底200上形成多个第一栅极310及多个第二栅极410。
S120、在所述第一栅极310及所述第二栅极410上形成第一绝缘层510。
本实施例中，步骤S110、及S120的流程结构图请参阅图8。
S130、在所述第一绝缘层510上形成多个第一半导体单元320及多个第二半导体单元420，所述第一半导体单元320与所述第一栅极310对应，所述第二半导体单元420与所述第二栅极410对应。
S140、在所述第一半导体单元320及所述第二半导体单元420上形成包括多个第一过孔610的第二绝缘层520。
本实施例中，步骤S130、及S140的流程结构图请参阅图9。
本实施例中，所述第一过孔610使所述第二栅极410裸露，具体请参阅图10。
S150、在所述第二绝缘层520上形成多个第一源漏极单元及多个第二源漏极单元。
本实施例中，所述第一源漏极单元通过所述第一过孔610与所述第二栅极410电连接，具体请参阅图10。
本实施例中，所述第一阵列单元300包括位于所述衬底200上的第一栅极310、位于所述第一栅极310上的所述显示面板100的第一绝缘层510、位于所述第一绝缘层510上的第一半导体单元320、位于所述第一半导体单元320上的所述显示面板100的第二绝缘层520、及位于所述第二绝缘层520上的第一源漏极单元。所述第二阵列单元400包括位于所述衬底200上的第二栅极410、位于所述第二栅极410上的所述第一绝缘层510、位于所述第一绝缘层510上的第二半导体单元420、位于所述第二半导体单元420上的所述第二绝缘层520、及位于所述第二绝缘层520上的第二源漏极单元。其中，所述第二绝缘层520包括多个第一过孔610，所述第一过孔610使所述第二栅极410裸露。所述第一源漏极单元通过所述第一过孔610与所述第二栅极410电连接，具体请参阅图2、图3。所述第一阵列单元300为光敏阵列单元，预定光线照射在第一阵列单元300上，第一半导体单元320受光激发，产生光电流，光电流通过所述第一源漏极单元，经第一过孔610导入所述第二栅极410，使得所述第二栅极410电压变大，从而所述第二半导体单元420中的电流变化，再经检测单元900检测到变化，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。
本实施例中，所述第一半导体单元320为N型半导体单元。步骤S140还包括：
S141在所述第二绝缘层520上形成多个第二开孔、多个第三开孔、多个第四开孔、及多个第五开孔。
本实施例中，所述第二开孔、及所述第三开孔使所述第一半导体单元320裸露，所述第四开孔、及所述第五开孔使所述第二半导体单元420裸露，具体请参阅图10。
本实施例中，步骤S150包括：
在所述第二绝缘层520上形成多个第一源极330、多个第一漏极340、多个第二源极430、以及多个第二漏极440。
本实施例中，所述第一源极330通过所述第二过孔620与所述第一半导体单元320电连接，所述第一漏极340通过所述第三过孔630与所述第一半导体单元320电连接。所述第二源极430通过所述第四过孔640与所述第二半导体单元420电连接，所述第二漏极440通过所述第五过孔650与所述第二半导体单元420电连接，具体请参阅图11。
本实施例中，步骤S150之后还包括：
S160、在所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上形成包括多个第六开孔以及多个第七开孔的第三绝缘层530。
S170、在所述第三绝缘层530上形成多个第一连接单元700。
本实施例中，所述第六开孔使所述第一漏极340裸露，所述第七开孔使所述第二漏极440裸露。所述第一连接单元700通过所述第六过孔660与所述第一漏极340电连接，所述第一连接单元700通过所述第七过孔670与所述第二漏极440电连接，具体请参阅图2、图12。
本实施例中，所述第一半导体单元320为N型半导体单元。所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第一源极330、及第一漏极340，所述第二绝缘层520包括多个第二过孔620、及多个第三过孔630，所述第一源极330通过所述第二过孔620与所述第一半导体单元320电连接，所述第一漏极340通过所述第三过孔630与所述第一半导体单元320电连接。所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第二源极430、及第二漏极440，所述第二绝缘层520包括多个第四过孔640、及多个第五过孔650，所述第二源极430通过所述第四过孔640与所述第二半导体单元420电连接，所述第二漏极440通过所述第五过孔650与所述第二半导体单元420电连接。所述显示面板100还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层530、及位于所述第三绝缘层530上的多个第一连接单元700，所述第三绝缘层530包括多个第六过孔660及多个第七过孔670，所述第一连接单元700通过所述第六过孔660与所述第一漏极340电连接，所述第一连接单元700通过所述第七过孔670与所述第二漏极440电连接，具体请参阅图2、图5。图5中710为所述显示面板的栅极线。当所述第一半导体单元320为N性半导体单元时，由于N型初始时，所述第一半导体单元320处于关闭状态，所述第一半导体单元320在关态的电流很小，所述第一源漏极单元中的电流很小，所以第二栅极410电压小，所述第二半导体单元420处于关闭状态。当受光照射时，第一半导体单元320受光激发，产生光电流，此时，所述第一源漏极单元流向所述第二栅极410的电流变大，所述第二栅极410电压变大，从而使所述第二源漏极单元中的电流流向外电路，可以被所述检测单元900检测到，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元320为P型半导体单元。与所述第一半导体单元320为P型半导体单元相似，不同之处为步骤S160还包括：
S161、在所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上形成包括多个第六开孔以、多个第七开孔、及多个第八开孔的第三绝缘层530。
本实施例中，所述第八开孔使所述第一栅极310裸露。所述第一连接单元700通过所述第八过孔680与所述第一栅极310电连接。所述第一连接单元700还连接正向电压电线，具体请参阅图3、图13。
本实施例中，所述第一半导体单元320为P型半导体单元。所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第一源极330、及第一漏极340，所述第二绝缘层520包括多个第二过孔620、及多个第三过孔630，所述第一源极330通过所述第二过孔620与所述第一半导体单元320电连接，所述第一漏极340通过所述第三过孔630与所述第一半导体单元320电连接。所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层520上的第二源极430、及第二漏极440，所述第二绝缘层520包括多个第四过孔640、及多个第五过孔650，所述第二源极430通过所述第四过孔640与所述第二半导体单元420电连接，所述第二漏极440通过所述第五过孔650与所述第二半导体单元420电连接。所述显示面板100还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层530、及位于所述第三绝缘层530上的多个第一连接单元700，所述第三绝缘层530包括多个第六过孔660、多个第七过孔670及多个第八过孔680，所述第一连接单元700通过所述第六过孔660与所述第一漏极340电连接，所述第一连接单元700通过所述第七过孔670与所述第二漏极440电连接，所述第一连接单元700通过所述第八过孔680与所述第一栅极310电连接。其中，所述第一连接单元700还连接正向电压电线，具体请参阅图3、图6。当所述第一半导体单元320为P性半导体单元时，P型半导体材料的开关状态与N型半导体材料相反。所述第一连接单元700提供一个正向电压，由于所述第一连接单元700又提供所述第一栅极310的电压，所以所述第一半导体单元320开关处于关闭状态，所述第一元漏极单元中的电流较小。当有光照射时，所述第一半导体单元320的IdVg曲线向右发生偏移，此时所述第一半导体单元320处于打开状态，所述第一源漏极单元中电流增大，所述第一源漏极单元流向所述第二栅极410的电流变大，所述第二栅极410电压变大，使所述第二栅极410打开，从而使所述第二源漏极单元中的电流流向外电路，可以被所述检测单元900检测到，确定所述预定光线与显示面板100的接触位置，进而可以实现远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，步骤S150还包括：
在任意一电线膜层形成时同时形成多个检测单元900及多条检测连接线。
本实施例中，一所述检测单元900与一所述第二阵列单元400电连接。其中，所述检测单元900用于检测所述第二阵列单元400中的电流变化，以确定所述预定光线与所述显示面板100的接触位置，具体请参阅图5、图6。所述检测连接线用于检测单元900与元器件的连接。所述检测单元900为积分器，检测电路中电流变化，确定是否有预定光线照射所述第一半导体单元320，以及定位预定光线与显示面板100的接触位置。
本实施例中，所述检测单元与所述第二源极相连接，具体请参阅图5、图6。
本实施例中，在形成所述感光构件230的步骤包括：
所述显示面板100的多个像素单元20，所述像素单元20包括一绿色像素点、一红色像素点、及一蓝色像素点，至少一所述第一阵列单元300及对应所述第二阵列单元400在所述衬底200上的正投影位于相邻两个所述像素单元20在所述衬底200上的正投影之间。
本实施例中，通过三色像素点构成一像素单元20，实现任意颜色显示，将所述第一阵列单元300及对应所述第二阵列单元400设置在相邻两个所述像素单元20之间，图中R代表红色像素点，G代表绿色像素点，B代表蓝色像素点，具体请参阅图7，更好地确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
本实施例中，所述第一半导体单元320的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。所述第一半导体单元320为光敏半导体材料，可以更好地接收可以见光或红外光线，增强了在可见光及近红外波长的光线交互应用。
本实施例中，P型有机半导体材料结构可以为：
本实施例中，所述第一半导体单元320的材料中包括Ge元素，以提高所述第一半导体单元320的光敏性。当预定光线为红外光时，也会有可见光进入，增强所述第一半导体单元320的光敏性，可以使所述第一为半导体单元对红外光的接收更为敏感，增强对红外光的照射点定位的准确性，提高预定光线与显示面板100接触位置的定位精度。
本实施例中，所述第一半导体单元320的厚度为5000埃米～10000埃米，所述第一半导体单元320在所述衬底200上的正投影的面积为100um2～10000um2。增大所述第一半导体单元320的厚度及光接收面积，可以增强所述第一半导体单元320的光敏性，当预定光线为红外光时，也会有可见光进入，增强所述第一半导体单元320的光敏性，可以使所述第一为半导体单元对红外光的接收更为敏感，增强对红外光的照射点定位的准确性，提高预定光线与显示面板100接触位置的定位精度。
本实施例中，所述第二半导体单元420的材料为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)中的任意一种或多种的组合。可以提供给所述第二半导体单元420更高的电子迁移率、稳定性、及较高的带宽，提升显示面板100的品质。
本实施例中，步骤S170之后还包括：
S180、在所述第一连接单元700上形成第四绝缘层540。
S190、在所述第四绝缘层540上形成多个滤波单元800。
本实施例中，所述显示面板100还包括位于所述第一连接单元700上的第四绝缘层540、及位于所述第四绝缘层540上的多个滤波单元800。所述第一半导体单元320在所述衬底200上的正投影位于所述滤波单元800在所述衬底200上的正投影之内，具体请参阅图4。所述滤波单元800滤过可见光波长，使红外光波长的光透过，当预定光线为红外光时，提高红外光与显示面板100接触位置的识别精度。
本实施例中，所述第一栅极310及所述第二栅极410采用物理沉积成膜然后通过湿蚀刻制程进行图形化。所述第一栅极310及所述第二栅极410的材料为铜或者铝。
本实施例中，所述第一源漏极单元、所述第二源漏极单元、及所述第一连接单元700的材料为铜或者铝。
本实施例中，所述第一绝缘层510、所述第二绝缘层520、所述第三绝缘层530、及所述第四绝缘层540采用化学沉积成膜，所述第一过孔610～所述第八过孔680采用干蚀刻制程挖孔洞。
本实施例中，预定光线可以为可见光或/和红外光。
本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
本申请公开了一种显示面板。该显示面板包括衬底、位于该衬底上的驱动电路层，该驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，相邻两个该感光构件之间设置有至少一该薄膜晶体管；其中，任一该感光构件包括至少一阵列单元，该阵列单元用于接收预定光线以及导出该预定光线的光电信息。本申请利用第一阵列单元作为感光阵列单元，将预定光线转换为光电信号，利用第二阵列单元放大该光电信号，通过检测光电信号产生的电流电容变化，从而确认预定光线在显示面板上的光斑位置，实现了远程光与显示面板高效的交互功能。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管同层设置的多个感光构件，相邻两个所述感光构件之间设置有至少一所述薄膜晶体管；
其中，任一所述感光构件包括至少一阵列单元，所述阵列单元用于接收预定光线以及导出所述预定光线的光电信息。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，任一所述感光构件包括至少一第一阵列单元及至少一第二阵列单元，一所述第一阵列单元与一所述第二阵列单元电连接；
其中，所述第一阵列单元用于将接收的所述预定光线转换为第一电信号，所述第二阵列单元用于将所述第一阵列单元的所述第一电信号转换为第二电信号，所述第二电信号中的电流数值大于所述第一电信号中的电流数值。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一阵列单元包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一半导体单元、位于所述第一半导体单元上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第一源漏极单元；
所述第二阵列单元包括位于所述衬底上的第二栅极、位于所述第二栅极上的所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二半导体单元、位于所述第二半导体单元上的所述第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第二源漏极单元；
其中，所述第二绝缘层包括多个第一过孔，所述第一源漏极单元通过所述第一过孔与所述第二栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第一源极、及第一漏极，所述第二绝缘层包括多个第二过孔、及多个第三过孔，所述第一源极通过所述第二过孔与所述第一半导体单元电连接，所述第一漏极通过所述第三过孔与所述第一半导体单元电连接；
所述第二源漏极单元包括位于所述第二绝缘层上的第二源极、及第二漏极，所述第二绝缘层包括多个第四过孔、及多个第五过孔，所述第二源极通过所述第四过孔与所述第二半导体单元电连接，所述第二漏极通过所述第五过孔与所述第二半导体单元电连接；
其中，所述第一半导体单元为N型半导体单元或P型半导体单元。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体单元为N型半导体单元，所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元，所述第三绝缘层包括多个第六过孔及多个第七过孔，所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体单元为P型半导体单元，所述显示面板还包括位于所述第一源漏极单元及所述第二源漏极单元上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的多个第一连接单元，所述第三绝缘层包括多个第六过孔、多个第七过孔及多个第八过孔，所述第一连接单元通过所述第六过孔与所述第一漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第七过孔与所述第二漏极电连接，所述第一连接单元通过所述第八过孔与所述第一栅极电连接。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体单元的材料为a-Si、有机小分子半导体、有机聚合物半导体中的任意一种。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体单元的厚度为5000埃米～10000埃米，所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影的面积为100um2～10000um2。
9.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一阵列单元及所述第二阵列单元上的第四绝缘层、及位于所述第四绝缘层上的多个滤波单元，所述第一半导体单元在所述衬底上的正投影位于所述滤波单元在所述衬底上的正投影之内。
10.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多个检测单元，一所述检测单元与一所述第二阵列单元电连接；
其中，所述检测单元用于检测所述第二阵列单元中的电流变化，以确定所述预定光线与所述显示面板的接触位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011541098.3A CN112736117B (zh) | 2020-12-23 | 显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112736117A true CN112736117A (zh) | 2021-04-30 |
| CN112736117B CN112736117B (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |