JP2011102960A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板111本体、有機発光素子70、及び複数の発光用薄膜トランジスター20を含んで前記複数の画素領域毎に各々形成された発光部(SP)、フォトセンサー60、及び複数のセンサー用薄膜トランジスター30を含み、前記複数の画素領域のうちの少なくとも一部の画素領域に形成されたセンサー部(SP)を含む。また、前記複数の発光用薄膜トランジスター20及び前記複数のセンサー用薄膜トランジスター30、そして前記フォトセンサー60は、各々同一層に同一素材から形成された酸化物半導体層152,153及び酸化物光電変換層156を含む。
【選択図】図3
Description
前記発光駆動部を制御する発光制御部、前記センサー駆動部を制御するセンサー制御部、そして前記発光制御部及び前記センサー制御部と接続されたメイン制御部をさらに含むことができる。
111 基板本体、
10、20 発光用薄膜トランジスター(発光用TFT)、
30、40、50 センサー用薄膜トランジスター(センサー用TFT)、
60 フォトセンサー、
70 有機発光素子、
80 発光用蓄電素子、
231 ゲートライン、
232 データライン、
233 発光電源ライン、
236 リセットライン、
237 出力ライン、
238 センサー電源ライン、
900 メイン制御部、
910 発光制御部、
911、912 発光駆動部、
920 センサー制御部、
921、922 センサー駆動部。
Claims (25)
- 複数の画素領域を含む基板本体と、
有機発光素子及び複数の発光用薄膜トランジスターを含む、前記複数の画素領域毎に各々形成された発光部と、
フォトセンサー及び複数のセンサー用薄膜トランジスターを含む、前記複数の画素領域のうちの少なくとも一部の画素領域に形成されたセンサー部と、を含み、
前記複数の発光用薄膜トランジスター及び前記複数のセンサー用薄膜トランジスターならびに前記フォトセンサーは、各々同一層に同一素材で形成された酸化物半導体層及び酸化物光電変換層を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記酸化物半導体層及び前記酸化物光電変換層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうち一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板本体は、透明な絶縁性物質から形成され、
前記有機発光素子から放出された光は、前記基板本体を透過することを特徴とする、請求項1または2に記載の有機発光表示装置。 - 前記複数の発光用薄膜トランジスターと各々電気的に接続されたゲートライン、データライン、及び発光電源ラインをさらに含み、
前記複数の発光用薄膜トランジスターは、前記酸化物半導体層下に配置されたゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインと同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。 - 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有し、
前記断線部は、他の層に形成された接続部材を介して互いに接続されることを特徴とする、請求項4に記載の有機発光表示装置。 - 前記複数のセンサー用薄膜トランジスターと各々電気的に接続されたリセットライン、出力ライン、及びセンサー電源ラインをさらに含み、
前記複数のセンサー用薄膜トランジスターは、前記酸化物半導体層下に配置されたゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記リセットライン、前記出力ライン、及び前記センサー電源ラインと同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項4または5に記載の有機発光表示装置。 - 前記発光用トランジスターのゲート電極及び前記センサー用トランジスターのゲート電極は、同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光部と接続された発光駆動部、及び前記センサー部と接続されたセンサー駆動部をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光駆動部を制御する発光制御部と、
前記センサー駆動部を制御するセンサー制御部と、
前記発光制御部及び前記センサー制御部と接続されたメイン制御部と、をさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の有機発光表示装置。 - 前記センサー制御部は、前記センサー駆動部から伝送された検出信号を前記メイン制御部に伝送し、
前記メイン制御部は、前記検出信号によって前記発光制御部を制御して、前記発光駆動部を通して画像を表示することを特徴とする、請求項9に記載の有機発光表示装置。 - 基板本体と、
前記基板本体上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重畳するように形成された酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体層と同一素材から形成された酸化物光電変換層と、
前記酸化物半導体層及び前記酸化物光電変換層上に形成された層間絶縁膜と、
前記酸化物半導体層と接触するように前記層間絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物光電変換層と接触するように前記層間絶縁膜上に形成された一対のセンサー電極と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記酸化物半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート電極と同一層に同一素材から形成されたゲートライン、データライン、及び発光電源ラインをさらに含むことを特徴とする、請求項11または12に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有し、
前記断線部は、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記一対のセンサー電極と同一層に同一素材から形成された接続部材を介して互いに接続されることを特徴とする、請求項13に記載の有機発光表示装置。 - 前記ソース電極は、前記データライン及び前記発光電源ラインのうちのいずれか一つと接触することを特徴とする、請求項13または14に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート電極は、金属物質から形成され、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記一対のセンサー電極は、透明な導電性物質から形成されることを特徴とする、請求項11〜15のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。 - 前記層間絶縁膜は、平坦化層を含むことを特徴とする、請求項11〜16のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記ドレイン電極の一部の領域上に順次に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含むことを特徴とする、請求項11〜17のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 基板本体上にゲート電極、ゲートライン、データライン、及び発光電源ラインを含む第1導電配線を形成する段階と、
前記第1導電配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層及び酸化物光電変換層を含む酸化物半導体パターンを形成する段階と、
前記酸化物半導体パターン上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜を単独でエッチングするか、または、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして、複数の接触孔を形成する段階と、
前記複数の接触孔を通して前記酸化物半導体パターンや前記第1導電配線と接触するソース電極、ドレイン電極、及び一対のセンサー電極を含む第2導電配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記酸化物半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項19に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ソース電極は、前記データライン及び前記発光電源ラインのうちのいずれか一つと接触することを特徴とする、請求項19または20に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有することを特徴とする、請求項19〜21のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2導電配線は、接続部材をさらに含み、
前記接続部材は、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインの断線部を互いに接続することを特徴とする、請求項19〜22のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ドレイン電極の一部の領域上に有機発光層及び共通電極を順次に形成して有機発光素子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項19〜23のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1導電配線は、金属物質から形成され、
前記第2導電配線は、透明な導電性物質から形成されることを特徴とする、請求項19〜24のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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