CN110382103B - 液体材料汽化供给装置和计算机可读存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液体材料汽化供给装置和计算机可读存储介质。不需要根据材料气体的种类来实施校准，即使是没有校准数据的材料气体也能够准确地控制流量。液体材料汽化供给装置包括：第一容器，使液体材料汽化而生成材料气体；第二容器，与所述第一容器连接，以规定压力收容由所述第一容器生成的所述材料气体；压力传感器，检测所述第二容器内的压力；导出通道，从所述第二容器导出所述材料气体；流体控制阀，设置于所述导出通道，开关该导出通道；以及流量控制部，从所述导出通道导出以规定压力收容于所述第二容器的所述材料气体时，基于由所述压力传感器检测的检测压力的下降，控制所述流体控制阀的开度，以控制从所述导出通道导出的所述材料气体的流量。

Description

液体材料汽化供给装置和计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及液体材料汽化供给装置和存储有液体材料汽化供给装置的控制程序的计算机可读存储介质。
背景技术
作为半导体制造工序中使用的液体材料汽化供给装置，如专利文献1中公开的那样，具备：汽化容器，使液体材料汽化而生成材料气体；压力传感器，检测汽化容器内的压力；导出通道，从汽化容器导出材料气体；以及流量控制装置(所谓质量流量控制器)，设置于导出通道，控制在该导出通道内流动的材料气体的流量。
但是，在所述专利文献1公开的以往的液体材料汽化供给装置中，由于内置于流量控制装置的流量传感器的灵敏度根据材料气体的种类而不同，所以需要根据材料气体的种类来实施校准，因此，存在如下问题：对没有校准数据的材料气体不能准确地控制流量。
现有技术文献
专利文献1：日本专利公开2014-236018
发明内容
在此，本发明的主要课题在于不需要根据材料气体的种类来实施校准，即使是没有校准数据的材料气体也能够准确地控制流量。
即，本发明提供一种液体材料汽化供给装置，其特征在于包括：第一容器，使液体材料汽化而生成材料气体；第二容器，与所述第一容器连接，以规定压力收容由所述第一容器生成的所述材料气体；压力传感器，检测所述第二容器内的压力；导出通道，从所述第二容器导出所述材料气体；流体控制阀，设置于所述导出通道，开关该导出通道；流量传感器，检测从所述导出通道导出的所述材料气体的流量；以及流量控制部，从所述导出通道导出以规定压力收容于所述第二容器的所述材料气体时，基于由所述压力传感器检测的检测压力的下降，控制所述流体控制阀的开度，以控制从所述导出通道导出的所述材料气体的流量，所述流量控制部包括：阀控制部，基于由所述流量传感器检测的检测流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度；流量计算部，基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量；以及设定流量修正部，基于由所述流量计算部计算的计算流量与所述设定流量的偏差，对所述设定流量进行修正。
按照本发明的液体材料汽化供给装置，基于由压力传感器检测的第二容器内的压力的下降，控制从第二容器导出的材料气体的流量，因此与材料气体的种类无关，能够准确地控制材料气体的流量。由此，即使是没有校准数据的材料气体也能够准确地控制流量。此外，由于在所述以往液体材料汽化供给装置中使用的流量控制装置耐热性低，所以存在如下问题：必须将与本发明的第一容器对应的汽化容器的加热温度的上限设定为较低，伴随于此汽化容器内的蒸汽压力的上限也较低，所以限制了材料气体的最大流量，但是按照本发明的液体材料汽化供给装置，由于能够由耐热性高的压力传感器或流体控制阀来控制材料气体的流量，所以能够将使液体材料汽化的加热温度的上限设定为较高，伴随于此从第一容器收容到第二容器的材料气体的蒸汽压力升高，作为结果，能够使材料气体的最大流量上升。此外，作为所述以往液体材料汽化供给装置中使用的流量控制装置固有的问题还存在响应速度慢的问题，但是按照本发明的液体材料汽化供给装置，能够基于由压力传感器检测的检测压力来控制流体控制阀的开度，因此响应速度变快。
此外，作为所述液体材料汽化供给装置的流量控制部可以包括：流量计算部，基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量；以及阀控制部，基于由所述流量计算部计算的计算流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度。
此外，作为所述液体材料汽化供给装置的流量控制部可以还具备流量传感器，所述流量传感器检测从所述导出通道导出的所述材料气体的流量，所述流量控制部包括：阀控制部，基于由所述流量传感器检测的检测流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度；流量计算部，基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量；以及设定流量修正部，基于由所述流量计算部计算的计算流量与所述设定流量的偏差，对所述设定流量进行修正。
按照这种结构，与以往的液体材料汽化供给装置同样，基于由流量传感器检测的检测流量来控制材料气体的流量，但是由于该控制基于参照由压力传感器检测的检测压力的下降而修正的设定流量，所以与材料气体的种类无关，能够准确地控制材料气体的流量。另外，在这种情况下，在由压力传感器对检测压力进行检测的时机期间，基于检测流量来控制从导出通道导出的材料气体的流量，因此能够抑制伴随在该时机期间产生的干扰等的噪声的影响。此外，如果不改变设定流量(不重新设定预先存储于存储器的成为基准的设定流量)，则通过对修正的设定流量的变动幅度设置限制，能够抑制由压力传感器检测的检测压力的噪声的变动大时的过度灵敏的流量变化。但是，由于使用流量传感器，所以响应速度变慢，此外，耐热性降低。
此外，所述任意一个流量控制部可以还具备单位时间变更部，所述单位时间变更部基于所述设定流量来改变所述单位时间，所述设定流量越小将所述单位时间改变为越长。
如果每单位时间的压力的下降量小，则容易受到由压力传感器检测的检测压力的误差的影响。因此，如所述流量控制部那样，如果设定流量越小将单位时间改变为越长，则每单位时间的压力的下降量变大，能够抑制由压力传感器检测的检测压力的误差的影响。
此外，作为所述液体材料汽化供给装置的流量控制部可以包括：流量计算部，基于由所述压力传感器在规定时机检测的检测压力与从所述规定时机经过规定时间后检测的检测压力之间的下降量，计算在该规定时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量；假设流量计算部，假设从所述第二容器按照预先设定的设定流量导出所述材料气体的情况，计算在该假设下在所述规定时间内导出的所述材料气体的流量；以及阀控制部，基于由所述流量计算部计算的计算流量与由所述假设流量计算部计算的假设流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度，在这种情况下，所述流量计算部可以基于由所述压力传感器从所述规定时机开始每隔单位时间检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在各单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量，并且基于该各计算流量，计算在所述规定时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量。
按照这种结构，材料气体从第二容器的导出越进展，从规定时机的经过时间越长，因此该经过时间中的压力的下降量越大，能够抑制由压力传感器检测的压力的误差的影响。
在此，由所述流量计算部计算的计算流量是在一定时间(所述单位时间、所述规定时间)内从导出通道导出的材料气体的平均流量，但是有时因干扰等在压力传感器的检测中产生噪声，在这种情况下，不能成为严格意义上的平均流量。因此，计算流量也可以认为是大体平均流量。
此外，作为所述液体材料汽化供给装置的流量控制部可以包括：假设压力计算部，假设从所述第二容器按照预先设定的设定流量导出所述材料气体的情况，计算在该假设下从导出所述材料气体开始经过规定时间后的所述第二容器内的假设压力；以及阀控制部，基于从所述第二容器导出所述材料气体开始经过所述规定时间后由所述压力传感器检测的检测压力与由所述假设压力计算部计算的假设压力的偏差，控制所述流体控制阀的开度。
此外，所述任意一个液体材料汽化供给装置可以还具备检测所述第二容器内的温度的温度传感器，所述流量控制部还包括检测压力修正部，所述检测压力修正部基于由所述温度传感器检测的检测温度，对由所述压力传感器检测的检测压力进行修正。在这种情况下，所述检测压力修正部可以基于在由所述压力传感器对检测压力进行检测时由所述温度传感器检测的检测温度，对所述检测压力进行修正，此外，从所述汽化容器向所述第二容器填充所述材料气体时，所述检测压力修正部可以预先取得由所述温度传感器检测的从填充开始到填充结束后所述第二容器内的温度稳定为止期间的温度的上升量，并且基于该温度的上升量，从所述第二容器导出所述材料气体时，对由所述压力传感器检测的检测压力进行修正。
如果材料气体从第二容器的导出进展，则第二容器内的压力下降，第二容器膨胀。伴随于此第二容器内的温度下降，由此，由压力传感器检测的检测压力产生误差。因此，如上所述如果在检测压力修正部中基于由温度传感器检测的检测温度，对由压力传感器检测的检测压力进行修正，则能够抑制由压力传感器检测的检测压力的误差。
此外，在所述任意一个液体材料汽化供给装置中，可以还具备压力控制机构，所述压力控制机构将从所述第一容器导入所述第二容器的所述材料气体控制为规定压力。
如果收容于第二容器的材料气体的压力增加，则伴随于此由压力传感器检测的检测压力也升高而容易产生误差。在此，如上所述利用压力控制机构来控制收容于第二容器的材料气体的压力，将收容于第二容器的材料气体的压力在一定程度上保持为较低，由压力传感器检测的检测压力也变低而能够抑制误差。
另外，作为所述压力控制机构的具体例可以列举的是，所述压力控制机构包括：开关阀，调节从所述第一容器导入所述第二容器的所述材料气体的流量；以及压力控制部，开关所述开关阀，根据所述第一容器与所述第二容器之间的压差，控制导入所述第二容器的所述材料气体的压力。在这种情况下，所述压力控制部可以调节对所述第一容器进行加热的加热器的温度，控制所述第一容器与所述第二容器之间的压差。
此外，作为所述压力控制机构的具体例可以列举的是，所述压力控制机构包括：泵，从所述第一容器向所述第二容器强制性地导入所述材料气体；以及压力控制部，使所述泵驱动停止，控制导入所述第二容器的所述材料气体的压力。按照这种结构，能够不使液体材料的加热温度上升而使导入第二容器的材料气体的压力上升，由此，能够不使液体材料长时间暴露于高温，能够降低液体材料的变质、分解等的风险。
此外，在所述任意一个压力控制机构中，所述压力控制部可以在由所述压力传感器检测的检测压力成为规定压力时，使所述材料气体向所述第二容器的导入停止。
即使是这种结构，也能够控制导入第二容器的材料气体的压力，将导入第二容器的材料气体的压力在一定程度上保持为较低，由压力传感器检测的检测压力变低而能够抑制误差。
此外，在所述任意一个液体材料汽化供给装置中，相对于所述第一容器连接有多个所述第二容器，所述液体材料汽化供给装置还具备导入容器数量调节部，所述导入容器数量调节部基于所述设定流量，调节导入所述材料气体的所述第二容器的数量。
按照这种结构，设定流量大时，使收容材料气体的第二容器的数量增加，能够确保从第二容器导出的材料气体的总量，另一方面，设定流量小时，使收容材料气体的第二容器的数量减少，能够使由压力传感器检测的检测压力的下降量变大来抑制误差。
此外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有液体材料汽化供给装置的控制程序，所述液体材料汽化供给装置包括：压力传感器，检测从使液体材料汽化而生成材料气体的第一容器以规定压力临时收容所述材料气体的第二容器内的压力；流体控制阀，开关从所述第二容器导出所述材料气体的导出通道；流量传感器，检测从所述导出通道导出的所述材料气体的流量；以及流量控制部，控制所述流体控制阀的开度，所述计算机可读存储介质的特征在于，所述控制程序使所述流量控制部能够发挥如下功能：从所述导出通道导出以规定压力收容于所述第二容器的所述材料气体时，基于由所述压力传感器检测的检测压力的下降，控制所述流体控制阀的开度，以控制从所述导出通道导出的所述材料气体的流量，所述控制程序使所述流量控制部能够作为阀控制部、流量计算部和设定流量修正部发挥功能，所述阀控制部基于由所述流量传感器检测的检测流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度，所述流量计算部基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量，所述设定流量修正部基于由所述流量计算部计算的计算流量与所述设定流量的偏差，对所述设定流量进行修正。
按照以上述方式构成的本发明，不需要根据材料气体的种类来实施校准，即使是没有校准数据的材料气体也能够准确地控制流量。
附图说明
图1是表示实施方式1的液体材料汽化供给装置的示意图。
图2是表示实施方式2的液体材料汽化供给装置的示意图。
图3是表示实施方式5的液体材料汽化供给装置的示意图。
附图标记说明
100 液体材料汽化供给装置
10 第一容器
20 第二容器
30 第一开关阀
40 第二开关阀
50 流体控制阀
L1 连接通道
L2 导入通道
L3 导出通道
H 加热器
PS 压力传感器
FS 流量传感器
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的液体材料汽化供给装置进行说明。
本实施方式的液体材料汽化供给装置例如用于在半导体制造工序中以稳定的流量向室(供给目的地)供给材料气体。另外，液体材料汽化供给装置也能够用于半导体控制工序以外的用途。
<实施方式1>
如图1所示，本实施方式的液体材料汽化供给装置100具备：第一容器10，使液体材料汽化而生成材料气体；第二容器20，临时以规定压力收容由第一容器10生成的材料气体；连接通道L1，连接第一容器10和第二容器20；导入通道L2，向第一容器10导入液体材料；以及导出通道L3，从第二容器20导出材料气体。另外，连接通道L1的与第一容器10连接的一端与该第一容器10内的气相空间连接。此外，导入通道L2的与连接于第一容器10的一端相反侧的另一端与未图示的液体材料供给装置连接，导出通道L3的与连接于第二容器20的一端相反侧的另一端与未图示的室连接。
并且，在连接通道L1设置有用于开关该流道的第一开关阀30，在导入通道L2设置有用于开关该流道的第二开关阀40，在导出通道L3设置有用于控制从第二容器20导出的材料气体的流量的流体控制阀50。此外，在第二容器20设置有用于检查其内部的压力的压力传感器PS。另外，第一开关阀30与权利要求中的开关阀对应。此外，作为流体控制阀50除了控制流量的阀以外还包括控制压力的阀等，只要能够控制流体即可。
另外，除了导入通道L2的另一端侧和导出通道L3的另一端侧以外的所述各构件(第一容器10、第二容器20、各阀30、40、50、压力传感器等)均收容在恒温区域TR内，由此，各构件保持为规定温度(高温)。由此，能够防止液体材料的再液化，并且将收容于第二容器20的材料气体的量保持为固定。此外，在第一容器10设置有用于对液体材料进行加热使其汽化的加热器H。
液体材料汽化供给装置100具备未图示的控制装置，控制装置与压力传感器PS和各阀30、40、50连接。另外，控制装置由所谓的计算机构成，该计算机包括CPU、存储器、A/D、D/A转换器和输入输出装置等，该控制装置通过执行存储于所述存储器的程序使各种设备协作来实现其功能。具体地说，发挥作为流量控制部和压力控制部的功能，该流量控制部控制从第二容器20导出的材料气体的流量，该压力控制部控制从第一容器10导入第二容器20的材料气体的压力。另外，本实施方式的包括第一开关阀30和压力控制部的机构与权利要求中的压力控制机构对应。
流量控制部包括：流量计算部，基于由压力传感器PS检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从第二容器20导出的材料气体的流量；以及阀控制部，基于由流量计算部计算的计算流量与预先设定的设定流量的偏差，以使计算流量接近设定流量的方式控制流体控制阀50的开度。
另外，具体地说，将由压力传感器PS检测的检测压力的每单位时间Δt的下降量ΔP代入气体的状态方程式即式(1)而得到式(2)，流量计算部首先根据该式(2)，计算在单位时间Δt从第二容器20导出的材料气体的总量Δn。
PV＝nRT 式(1)
ΔP＝Δn×(RT/V) 式(2)
其中，P是第二容器20内的压力，V是第二容器20的容积，n是收容在第二容器20内的材料气体的物理量，R是收容在第二容器20内的材料气体的摩尔气体常数，T是第二容器内的材料气体的温度。并且，第二容器20内的温度保持为固定。
并且，利用式(3)计算从第二容器20导出的材料气体的单位时间内的计算流量Q。
Q＝A×(ΔP/Δt) 式(3)
其中，A是系数，是基于材料气体的种类、温度T和压力P进行修正的值。另外，A的修正值有时成为小到能够忽视的程度的值。另外，所述各式中的Δt并不限定于单位时间，可以是任意的时间间隔。
具体地说，压力控制部具有如下功能：依次开关各阀30、40、50，根据第一容器10与第二容器20之间的压差，控制从第一容器10导入第二容器20的材料气体的压力。此外，还具有如下功能：通过调整设置于第一容器10的加热器H的加热温度，限制第一容器10内的压力的上升值，控制第一容器10与第二容器20之间的压差的大小。
接着，说明本实施方式的从第一容器10向第二容器20导入材料气体的动作。
首先，如果从输入装置向压力控制部输入导入指示信号，则压力控制部使第一开关阀30和第二开关阀40关闭并使流体控制阀50打开。接着，压力控制部调节设置于第一容器10的加热器H的加热温度，使第一容器10内的液体材料汽化来生成材料气体，使第一容器10内的压力上升到规定蒸汽压力。此时，并行地第二容器20通过设置于导出通道L3下游的真空泵(未图示)减压到大体真空状态。接着，压力控制部使流体控制阀50关闭，将第二容器20内保持为大体真空状态并使第一开关阀30打开。由此，在第一容器10内汽化的材料气体利用第一容器10与第二容器20之间的压差向第二容器20内导入材料气体，直到第二容器20内的压力到达所述规定蒸汽压力。最后，压力控制部使第一开关阀30关闭并使导入作业结束。由此，成为在第二容器20内以规定压力(规定蒸汽压力)收容有材料气体的状态。
另外，使第一容器10内的液体材料汽化时，可以预先取得将加热器H的各加热温度与伴随第一容器10的加热时间的压力上升的关系相关联的汽化数据，并将该汽化数据存储在存储器中，并且参照汽化数据来判断第一容器10内的压力(蒸汽压力)是否上升到规定值。此外，也可以另外设置检测第一容器10内的压力的压力传感器，利用该压力传感器实际测量第一容器10内的压力来进行判断。
接着，说明本实施方式的从第二容器20向供给目的地供给材料气体的动作。
首先，如果从输入装置向流量控制部输入供给指示信号，则流量控制部使流体控制阀50打开到预先设定的初始开度。由此，材料气体从第二容器20向导出通道L3流出。接着，流量计算部利用压力传感器PS来检测第二容器20内的压力，取得每单位时间Δt的压力下降量ΔPt并代入所述式(3)，计算在所述单位时间Δt内从第二容器20内导出的材料气体的计算流量QC。接着，阀控制部控制流体控制阀50的开度，使由流量计算部计算的计算流量QC接近预先设定的设定流量QS。并且，流量计算部每隔单位时间反复进行计算流量的计算，阀控制部根据该计算结果反复进行流体控制阀50的开度控制，由此将从第二容器20导出的材料气体控制为设定流量QS附近的流量。
另外，按照这种结构，在向供给目的地供给与第二容器20的容积对应的量的材料气体后，需要再向第二容器20导入材料气体，所以不能向供给目的地连续且持续地供给材料气体，但是近年，作为半导体控制工序的成膜技术的一种，确立了以脉冲方式供给材料气体的ALD(Atomic Layer Deposition原子层沉积)的技术，对该成膜技术的实际应用非常有效。
<实施方式2>
本实施方式的液体材料汽化供给装置是所述实施方式1的变形例，如图2所示，在所述实施方式1中的导出通道L3的流体控制阀50的下游设置有流量传感器FS。此外，本实施方式中的流量控制部包括：阀控制部，控制流体控制阀50的开度，使由流量传感器FS检测的检测流量接近预先设定的设定流量；流量计算部，基于由压力传感器PS检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从第二容器20导出的材料气体的流量；以及设定流量修正部，基于由流量计算部计算的计算流量与设定流量的偏差对设定流量进行修正。另外，其他结构与所述实施方式1相同。
接着，说明本实施方式的从第二容器20向供给目的地供给材料气体的动作。
首先，如果从输入装置向流量控制部输入供给指示信号，则流量控制部使流体控制阀50打开到预先设定的初始开度。由此，材料气体从第二容器20向导出通道L3流出。并且，阀控制部使控制流体控制阀50的开度的反馈控制开始，以使由流量传感器FS检测的检测流量Qm接近预先设定的设定流量QS。此外，利用压力传感器PS检测第二容器20内的压力，流量计算部计算每单位时间Δt的压力下降量ΔPt，并代入所述式(3)，计算在所述单位时间Δt内从第二容器20内导出的材料气体的计算流量QC。并且，设定流量修正部基于由流量计算部计算的计算流量QC与设定流量QS的偏差，对该设定流量QS进行修正。并且，由设定流量修正部每隔单位时间Δt对设定流量QS进行修正，并由阀控制部反复进行反馈控制，由此将从第二容器20导出的材料气体控制为设定流量QS附近的流量。
此外，在本实施方式中，通过对由设定流量修正部修正的设定流量QS的变动幅度设定限制，能够抑制由压力传感器检测的检测压力的噪声或变动大时的过度灵敏的流量变化。
<实施方式3>
本实施方式的液体材料汽化供给装置是所述实施方式1的变形例，除了流量控制部的结构不同以外，其他与所述实施方式1是同样的结构。本实施方式的流量控制部包括：流量计算部，基于由压力传感器PS在规定时机检测的检测压力与从所述规定时机经过规定时间后检测的检测压力之间的压力下降量，计算在该规定时间内从第二容器20导出的材料气体的流量；假设流量计算部，假设从第二容器20按照预先设定的设定流量导出材料气体的情况，计算在该假设下在所述规定时间内导出的材料气体的流量；以及阀控制部，基于由流量计算部计算的计算流量与由假设流量计算部计算的假设流量的偏差，以计算流量接近假设流量的方式控制流体控制阀的开度。
接着，说明本实施方式的从第二容器20向供给目的地供给材料气体的动作。
首先，如果从输入装置向流量控制部输入供给指示信号，则流量控制部使流体控制阀50打开到预先设定的初始开度。由此，材料气体从第二容器20向导出通道L3流出。接着，流量计算部检测由压力传感器PS在规定时机检测的检测压力Pm和从所述规定时机经过规定时间Δt’后检测的检测压力Pm’，计算所述规定时间Δt’的压力下降量ΔPt’并代入所述式(3)，计算在所述规定时间Δt’内从第二容器20内导出的材料气体的计算流量QC。此外，假设流量计算部假设从第二容器20按照预先设定的设定流量QS导出材料气体的情况，计算在该假设下在所述规定时间Δt’内导出的材料气体的假设流量QA。接着，阀控制部基于由流量计算部计算的计算流量QC与由假设流量计算部计算的假设流量QA的偏差，以计算流量QC接近假设流量QA的方式控制流体控制阀50的开度。并且，流量计算部和假设流量计算部在从规定时机开始的每隔经过时间反复进行计算，阀控制部基于该计算结果反复进行流体控制阀50的开度控制，由此将从第二容器20导出的材料气体控制为设定流量QS附近的流量。
按照这种结构，即使从规定时机开始的经过时间短时，在由压力传感器检测的检测压力中出现大的误差，此后经过时间越长误差越小，总体来看也大幅度抑制了误差的影响。
另外，在本实施方式中，可以通过如下方式计算计算流量QC。即，首先，基于由压力传感器PS在每隔单位时间Δt检测的检测压力的每个单位时间Δt的下降量，计算在各单位时间Δt内从第二容器导出的材料气体的流量。接着，将累计值除以其单位数，该累计值累计了包含在从规定时机到规定时间ΔT期间的各单位时间Δt的计算流量。由此，计算在所述规定时间ΔT内从第二容器导出的材料气体的计算流量QC。
<实施方式4>
本实施方式的液体材料汽化供给装置是所述实施方式1的变形例，除了流量控制部的结构不同以外，其他与所述实施方式1是同样的结构。本实施方式的流量控制部包括：假设压力计算部，假设从第二容器20按照预先设定的设定流量导出材料气体的情况，计算在该假设下从导出材料气体开始经过规定时间后的第二容器20内的假设压力；以及阀控制部，基于从第二容器20导出材料气体开始经过所述规定时间后由压力传感器PS检测的检测压力与假设压力的偏差，以检测压力接近假设压力的方式控制流体控制阀50的开度。
接着，说明本实施方式的从第二容器20向供给目的地供给材料气体的动作。
首先，如果从输入装置向流量控制部输入供给指示信号，则流量控制部使流体控制阀50打开到预先设定的初始开度。由此，材料气体从第二容器20向导出通道L3流出。接着，假设压力计算部假设从第二容器20按照预先设定的设定流量QS导出材料气体的情况，计算在该假设下从导出材料气体开始经过规定时间ΔT后的第二容器20内的假设压力PA。另外，在这种情况下，预先利用所述式(3)反算为了使从第二容器20导出的材料气体的流量成为设定流量QS所需要的假设压力PA。即，由于设定流量QS和规定时间ΔT已知，所以能够利用所述式(3)计算每个规定时间ΔT的压力下降量ΔPt，并且根据该压力下降量ΔPt和规定时间ΔT来计算假设压力PA。接着，阀控制部基于从第二容器20导出材料气体开始经过规定时间ΔT后由压力传感器PS检测的检测压力Pm与假设压力PA的偏差，以检测压力Pm接近假设压力PA的方式控制流体控制阀50的开度。并且，假设压力计算部在从第二容器20导出材料气体开始的每隔经过时间反复进行计算，阀控制部基于该计算结果反复进行流体控制阀50的开度控制，由此将从第二容器20导出的材料气体控制为设定流量QS附近的流量。
<实施方式5>
本实施方式的液体材料汽化供给装置是所述实施方式1的变形例，如图3所示，相对于所述实施方式1的第一容器10连接有两个第二容器20a、20b，此外，控制装置包括导入容器数量调节部(未图示)，该导入容器数量调节部基于设定流量，调节从第一容器10导入材料气体的第二容器20a、20b的数量。另外，两个第二容器20a、20b具有相同容积。并且，从第一容器10延伸的连接通道L1的下游分路并与各第二容器20a、20b连接，相对于该连接通道L1的分路点在下游分别设置有第一开关阀30a、30b。此外，从压力传感器PS延伸的连接管的前端侧分路并与各第二容器20a、20b连接，在该连接管的一方的与第二容器20a连接的前端侧设置有第三开关阀60。此外，从各第二容器20a、20b延伸的导出通道L3的下游合流，从一方的第二容器20a延伸的导出通道L3的相对于合流点在上游设置有第四开关阀70，该导出通道L3的相对于合流点在下游设置有流体控制阀50。
另外，导入容器数量调节部在设定流量大时，从在两个第二容器20a、20b收容有材料气体的状态打开第三开关阀60和第四开关阀70，使两个第二容器20a、20b的材料气体导出。由此，能够使向供给目的地供给的材料气体的总量增加。另一方面，设定流量小时，从在两个第二容器20a、20b收容有材料气体的状态使第三开关阀60和第四开关阀70关闭，仅使另一方的第二容器20b的材料气体导出。由此，由压力传感器PS检测的检测压力的每单位时间的压力下降量增加，能够抑制压力传感器PS的误差。此外，通过导入容器数量调节部以各第二容器20a、20b的材料气体交替导出的方式进行控制，能够连续地向供给目的地供给材料气体。具体地说，在导出收容于一方的第二容器20a的材料气体的期间，在另一方的第二容器20b收容材料气体，此外，在导出收容于另一方的第二容器20b的材料气体的期间，在一方的第二容器20a收容材料气体。并且，通过反复进行该动作，能够连续地向供给目的地供给材料气体。另外，在本实施方式中，设置有两个第二容器，但是可以设置三个以上，各容器的容积可以不相同。
<其他实施方式>
作为其他实施方式，在所述实施方式1、2中，可以在流量控制部设置单位时间变更部，该单位时间变更部基于设定流量来改变单位时间的间隔，设定流量越小将单位时间改变为越长。
通常，设定流量小时，每单位时间的压力下降量变小，伴随于此压力传感器PS的检测误差变大。在此，通过采用所述结构，根据设定流量来改变单位时间的间隔，设定流量小时，使单位时间的间隔变长，使每单位时间的压力下降量增加，由此能够抑制压力传感器PS的检测误差的影响。
此外，作为其他实施方式，在所述各实施方式中，可以设置检测第二容器PS内的温度的温度传感器TS，在流量控制部设置检测压力修正部，该检测压力修正部基于由温度传感器TS检测的检测温度，对由压力传感器PS检测的检测压力进行修正。
如果从第二容器20导出材料气体，第二容器20内的压力下降，则伴随于此产生绝热膨胀，第二容器20内的温度下降。由此，在由压力传感器PS进行的压力检测中产生误差。在此，通过采用所述结构，由温度传感器TS检测第二容器20内的温度，基于该检测温度对由压力传感器PS检测的检测压力进行修正，由此抑制误差。
具体地说，由压力传感器PS对检测压力进行检测时，可以由温度传感器TS检测温度，利用该检测温度对检测压力进行修正。此外，从第一容器10向第二容器20导入材料气体时，可以利用温度传感器TS预先测量从该导入开始到导入结束后第二容器20内的温度稳定为止的期间的温度的上升量，基于该温度的上升量在从第二容器20导出材料气体时，对由压力传感器PS检测的检测压力进行修正。
另外，通过使第二容器20的热传导面积变大，能够抑制伴随第二容器20内的压力下降的温度下降。
作为其他实施方式，在所述各实施方式中，可以代替设置于连接通道L1的第一开关阀30，设置从第一容器10向第二容器20强制性地供给材料气体的泵，由压力控制部控制泵的驱动停止，从第一容器10向第二容器20导入材料气体。在这种情况下，在从第一容器10向第二容器20导入材料气体的动作中，由压力传感器PS监测第二容器20内的压力，如果第二容器20内成为规定压力，则压力控制部可以使泵的驱动停止。另外，包括本实施方式的泵和压力控制部的机构与权利要求中的压力控制机构对应。
按照这种结构，即使不以高温对液体材料进行加热来使蒸汽压力上升，也能够确保收容于第二容器20的材料气体的压力，由此，不需要使液体材料长时间暴露于高温，能够降低液体材料的变质、分解等的风险。此外，不是基于第一容器10与第二容器20的压差，而是基于压力传感器PS的检测压力，设定材料气体相对于第二容器20的压力，因此能够有意地使第二容器20内的压力下降，由此，能够抑制压力传感器PS的检测误差。另外，即使如所述实施方式1那样，利用第一容器10与第二容器20的压差向第二容器20导入材料气体时，也能够基于压力传感器PS的检测压力使第一开关阀30关闭来设定第二容器20内的压力，能够与蒸汽压力相比有意地使第二容器20内的压力下降。
工业实用性
按照本发明，不需要根据材料气体的种类来实施校准，即使是没有校准数据的材料气体也能够准确地控制流量。

Claims (10)

1.一种液体材料汽化供给装置，其特征在于包括：
第一容器，使液体材料汽化而生成材料气体；
第二容器，与所述第一容器连接，以规定压力收容由所述第一容器生成的所述材料气体；
压力传感器，检测所述第二容器内的压力；
导出通道，从所述第二容器导出所述材料气体；
流体控制阀，设置于所述导出通道，开关该导出通道；
流量传感器，检测从所述导出通道导出的所述材料气体的流量；以及
流量控制部，从所述导出通道导出以规定压力收容于所述第二容器的所述材料气体时，基于由所述压力传感器检测的检测压力的下降，控制所述流体控制阀的开度，以控制从所述导出通道导出的所述材料气体的流量，
所述流量控制部包括：
阀控制部，基于由所述流量传感器检测的检测流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度；
流量计算部，基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量；以及
设定流量修正部，基于由所述流量计算部计算的计算流量与所述设定流量的偏差，对所述设定流量进行修正。
2.根据权利要求1所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，所述流量控制部还具备单位时间变更部，所述单位时间变更部基于所述设定流量来改变所述单位时间，所述设定流量越小将所述单位时间改变为越长。
3.根据权利要求1所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，
还具备检测所述第二容器内的温度的温度传感器，
所述流量控制部还包括检测压力修正部，所述检测压力修正部基于由所述温度传感器检测的检测温度，对由所述压力传感器检测的检测压力进行修正。
4.根据权利要求1所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，还具备压力控制机构，所述压力控制机构将从所述第一容器导入所述第二容器的所述材料气体控制为规定压力。
5.根据权利要求4所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，
所述压力控制机构包括：
开关阀，调节从所述第一容器导入所述第二容器的所述材料气体的流量；以及
压力控制部，开关所述开关阀，根据所述第一容器与所述第二容器之间的压差，控制导入所述第二容器的所述材料气体的压力。
6.根据权利要求5所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，所述压力控制部调节对所述第一容器进行加热的加热器的温度，控制所述第一容器与所述第二容器之间的压差。
7.根据权利要求4所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，
所述压力控制机构包括：
泵，从所述第一容器向所述第二容器强制性地导入所述材料气体；以及
压力控制部，使所述泵驱动停止，控制导入所述第二容器的所述材料气体的压力。
8.根据权利要求5所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，所述压力控制部在由所述压力传感器检测的检测压力成为规定压力时，使所述材料气体向所述第二容器的导入停止。
9.根据权利要求1所述的液体材料汽化供给装置，其特征在于，
相对于所述第一容器连接有多个所述第二容器，
还具备导入容器数量调节部，所述导入容器数量调节部基于所述设定流量，调节导入所述材料气体的所述第二容器的数量。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有液体材料汽化供给装置的控制程序，所述液体材料汽化供给装置包括：压力传感器，检测从使液体材料汽化而生成材料气体的第一容器以规定压力收容所述材料气体的第二容器内的压力；流体控制阀，开关从所述第二容器导出所述材料气体的导出通道；流量传感器，检测从所述导出通道导出的所述材料气体的流量；以及流量控制部，控制所述流体控制阀的开度，
所述计算机可读存储介质的特征在于，
所述控制程序使所述流量控制部能够发挥如下功能：从所述导出通道导出以规定压力收容于所述第二容器的所述材料气体时，基于由所述压力传感器检测的检测压力的下降，控制所述流体控制阀的开度，以控制从所述导出通道导出的所述材料气体的流量，
所述控制程序使所述流量控制部能够作为阀控制部、流量计算部和设定流量修正部发挥功能，
所述阀控制部基于由所述流量传感器检测的检测流量与预先设定的设定流量的偏差，控制所述流体控制阀的开度，
所述流量计算部基于由所述压力传感器检测的检测压力的每单位时间的下降量，计算在该单位时间内从所述第二容器导出的所述材料气体的流量，
所述设定流量修正部基于由所述流量计算部计算的计算流量与所述设定流量的偏差，对所述设定流量进行修正。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11404290B2 (en) * 2019-04-05 2022-08-02 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery
WO2021097143A2 (en) * 2019-11-12 2021-05-20 Forge Nano Inc. Coatings on particles of high energy materials and methods of forming same
CN111020536B (zh) * 2019-12-27 2022-05-24 清华大学无锡应用技术研究院 一种优化的化学气相沉积工艺
CN111501027B (zh) * 2019-12-27 2022-01-21 清华大学无锡应用技术研究院 化学气相沉积设备流场均匀控制的方法
CN111141332B (zh) * 2020-01-16 2024-05-28 清华大学 蒸馏酒摘酒过程的导流装置以及在线测量系统和方法
US11710838B2 (en) * 2020-11-06 2023-07-25 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Air system pressure observer control method for fuel cell system
CN112808171B (zh) * 2020-12-30 2023-01-31 邓会秋 无泵阀腐蚀性液体的加料系统及工艺
CN115505899A (zh) * 2022-08-16 2022-12-23 湖南顶立科技有限公司 一种沉积设备的工艺气源输入装置及其使用方法
CN116036899A (zh) * 2023-01-10 2023-05-02 中国核动力研究设计院 一种含微量杂质气体的二氧化碳配制及供应试验系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3141192B2 (ja) * 1995-12-11 2001-03-05 株式会社カワキタ リフィル用紙綴じ具
CN101479402A (zh) * 2006-06-27 2009-07-08 株式会社富士金 原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置
CN101724828A (zh) * 2008-10-31 2010-06-09 株式会社堀场制作所 材料气体浓度控制系统
CN103649367A (zh) * 2011-07-08 2014-03-19 株式会社富士金 半导体制造装置的原料气体供给装置
CN104947082A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 东京毅力科创株式会社 气体供给机构和气体供给方法以及使用其的成膜装置和成膜方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5835093B2 (ja) 1978-06-13 1983-07-30 日本真空技術株式会社 ガス導入装置
JPS60244332A (ja) 1984-05-21 1985-12-04 Sharp Corp 凝縮性材料のガス化供給装置
JPH03141192A (ja) 1989-10-26 1991-06-17 Fujitsu Ltd 気相成長装置および気相成長方法
US6039809A (en) * 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
US6119710A (en) * 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
JP3424654B2 (ja) * 2000-04-27 2003-07-07 株式会社島津製作所 液状物質の連続処理方法、連続処理装置及びそれらにより処理された液状物質
JP2006294466A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Mitsubishi Electric Corp 燃料電池発電システム
WO2007114156A1 (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. 原子層成長装置
CN101369514B (zh) * 2007-08-16 2013-06-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法
JP5461786B2 (ja) * 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
KR20100119346A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 한국에이에스엠지니텍 주식회사 증착 장치
JP5538119B2 (ja) * 2010-07-30 2014-07-02 株式会社フジキン ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法
JP5548292B1 (ja) * 2013-05-30 2014-07-16 株式会社堀場エステック 加熱気化システムおよび加熱気化方法
JP6551398B2 (ja) * 2014-03-31 2019-07-31 日立金属株式会社 質量流量の測定方法、当該方法を使用する熱式質量流量計、及び当該熱式質量流量計を使用する熱式質量流量制御装置
JP6477075B2 (ja) * 2015-03-17 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置及び成膜装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3141192B2 (ja) * 1995-12-11 2001-03-05 株式会社カワキタ リフィル用紙綴じ具
CN101479402A (zh) * 2006-06-27 2009-07-08 株式会社富士金 原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置
CN101724828A (zh) * 2008-10-31 2010-06-09 株式会社堀场制作所 材料气体浓度控制系统
CN103649367A (zh) * 2011-07-08 2014-03-19 株式会社富士金 半导体制造装置的原料气体供给装置
CN104947082A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 东京毅力科创株式会社 气体供给机构和气体供给方法以及使用其的成膜装置和成膜方法

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