CN110372209A - 一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法,所述方法包括在瓷砖生坯表面均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆,烧制成型,抛光和磨边处理;其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:10%~15%干粒A,25%~30%干粒B,40%~50%悬浮剂,15%~25%水;本发明制备方法操作简单、可控性强,制得的抛晶砖在阳光或灯光下能产生满天星的效果,富有美感;提供一种全新的装饰效果,使抛晶砖具有更高的装饰档次。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷砖生产技术领域,特别涉及陶瓷砖在制备过程中的表面装饰方法。
背景技术
随着人们生活水平的提高,人们对瓷砖的装饰效果越来越重视,目前市场上的瓷砖产品,多为纯平面,经过抛光处理,会有亮光和哑光的区别,瓷砖表面效果高度同质化,不同制造商的产品大同小异,优点不鲜明,消费者的选择少,不能满足消费者对瓷砖装饰需求。
另外,为了制备出更多可供消费者选择的瓷砖,目前制备表面具有凹凸效果的瓷砖多为采用表面具有凹凸的模具对砖坯挤压形成纹路,后续在砖坯上施釉,进行后处理得到的,这种方法存在模具成本高,对模具的要求高,操作复杂,凹凸纹理单一等问题。
此外,另一种制备表面凹凸效果的瓷砖是采用腐蚀性的试剂在瓷砖表面形成不同程度的凹坑,这种方法会破坏瓷砖表面的装饰层,腐蚀程度不可控,对瓷砖的性能造成影响。
可见,现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法,旨在解决现有技术制备表面凹凸瓷砖工艺复杂,凹凸效果可控性差,凹凸效果单一的技术问题。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
S001.在瓷砖生坯表面均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;
S002.将布施有干粒A、干粒B釉浆的砖坯烧制成型;
S003.对瓷砖进行抛光和磨边处理,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:10%~15%干粒A,25%~30%干粒B,40%~ 50%悬浮剂,15%~25%水。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述干粒A 由以下质量分数的成分组成:3%~6%氧化铝、60%~70%二氧化硅、 9%~12%氧化钙、1%~2%氧化镁、6%~8%氧化钾、0~1%氧化钠、0~ 1%氧化钡、0~1%氧化硼、7%~10%氧化锌、0~1%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:17%~20%氧化铝、50%~60%二氧化硅、4%~ 7%氧化钙、1%~3%氧化镁、3%~5%氧化钾、3%~5%氧化钠、1%~2%氧化钡、1%~2%氧化硼、3%~5%氧化锌、6%~8%氧化锶。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述步骤 S001中布施釉浆的方式包括淋釉。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述步骤 S001中布施量为150~250g/m2。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述干粒A、干粒B的粒径为120~230目。
所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其中,所述烧制成型温度为1180~1210℃。
一种具有满天星效果的抛晶砖,其中,所述抛晶砖通过具有满天星效果的抛晶砖的制备方法制备。
有益效果:
本发明提供了一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法,通过混合布施不同熔融温度的干粒A和干粒B,使其在烧制过程中因熔点、粘度、流动性的差异,在瓷砖表面形成均匀的凹凸效果;对瓷砖表面进行部分抛光后,抛光处和未抛光处对光产生不同的反射角度,使所述抛晶砖在阳光或灯光下能产生满天星的效果,富有美感,装饰效果比传统的表面具有凹凸效果的抛晶砖更胜一筹,制备方法简单,提供一种全新的装饰效果。
具体实施方式
本发明提供一种具有满天星效果的抛晶砖及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
(1)制坯:瓷砖生坯采用公知的原材料和布料方式压制而成,可为一种或多种颜色坯料混合布料、多管布料、微粉布料中的一种或多种布料方式,制备得到纯色或多颜色,无线条或多线条的砖坯,根据产品的性能选择砖坯原材料,按照设计的需求选择布料方式;
(2)在瓷砖生坯表面采用淋釉的方式均匀布施由10%~15%干粒 A,25%~30%干粒B,40%~50%悬浮剂,15%~25%水组成的釉浆;所述布施量为150~250g/m2;所述干粒A、干粒B的粒径为120~230 目;
(3)砖坯在1180~1210℃温度下烧制成型;
(4)对瓷砖进行抛光和磨边处理,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
所述方法中,采用淋釉的方式将釉浆均匀布施于砖坯表面,能在短时间内得到釉层均匀的效果,使釉浆均匀分布在砖坯表面,便于后续抛光后形成分布均匀的凹凸点,防止因分布不均匀,使局部干粒A、干粒B的量多,局部干粒A、干粒B的量少,造成产品整体反射效果不好的问题。釉浆在烧制成型过程中,通过混合布施不同熔融温度的干粒A和干粒B,因干粒A和干粒B中成分的粘度和流动性的差异,在砖坯表面形成高低不平、均匀分布的凹凸釉层,所述的凹凸点可以增加砖坯的立体感,使视觉效果更佳;经冷却、抛光和磨边处理后使瓷砖表面各处对光产生不同角度的反射作用,在具有凹凸效果的表面形成满天星的效果。所述方法简化了传统抛晶砖生产多层布釉的工艺,使制备过程变得简单、可控。
所述釉浆中的悬浮剂使釉浆各成分均匀分散在釉浆体系中,防止釉浆沉淀,所述质量分数范围的悬浮剂使釉浆的分散性好,便于后续将釉浆均匀布施于砖坯表面。
所述釉浆中的水含量过少,会使釉浆体系粘稠度过大,流平性差,加大釉浆均匀布施于砖坯的难度,容易使砖坯各处的釉浆布施量不一;水含量过多,釉浆的固含量过低,流动性大,不利于形成密集的凹凸点,影响成品满天星的效果。所述水含量范围的釉浆,粘度、流动性合适,使得施釉后得到的效果最佳。
进一步的,所述干粒A由以下质量分数的成分组成:3%~6%氧化铝、60%~70%二氧化硅、9%~12%氧化钙、1%~2%氧化镁、6%~8%氧化钾、0~1%氧化钠、0~1%氧化钡、0~1%氧化硼、7%~10%氧化锌、 0~1%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:17%~20%氧化铝、 50%~60%二氧化硅、4%~7%氧化钙、1%~3%氧化镁、3%~5%氧化钾、 3%~5%氧化钠、1%~2%氧化钡、1%~2%氧化硼、3%~5%氧化锌、6%~8%氧化锶。两种干粒由于成分配比上的不同,形成不同的始熔温度。上述成分及配比下的干粒A的始熔温度为900~950℃,干粒B的始熔温度为1100℃左右,所述釉浆中混合使用上述不同始熔温度的干粒,使其在烧成过程中逐步熔解,形成凹陷的效果;干粒A和干粒B 含有高含量的硅、钙和铝,使釉层具有较好的硬度、弹性和光亮度。
当釉浆的比重一定时,布施量决定了釉层的厚度,从而影响釉层的光泽度和硬度等性能,当所述布施量为150~250g/m2时,所述釉浆能在砖坯的表面形成光泽度良好、高硬度的面釉层。
干粒的粒径影响釉浆的流动性、延展性和附着力。粒径越大,釉浆的流动性、延展性、附着力越差,干粒越容易堆积,导致釉浆不能均匀地布施,影响产品的凹凸效果;反之,粒径越小,干粒稀疏地分布在砖坯上,不能形成明显的凹凸点,产品满天星效果差。所述干粒 A、干粒B的粒径为120~230目时制得的抛晶砖满天星效果最好。
进一步的,所述烧制成型温度为1180~1210℃。烧成温度过高,瓷砖容易发生变形,釉面起泡或流釉的现象;烧成温度过低,瓷砖的瓷化效果不完全,造成成品的强度降低。
一种具有满天星效果的抛晶砖,通过具有满天星效果的抛晶砖的制备方法制备。所述抛晶砖的表面具有凹凸的效果,在阳光或者灯光的照射下,其表面各处对光产生不同的反射效果,从而产生满天星的效果,富有美感。
综上所述,本发明通过混合布施不同熔融温度的干粒A和干粒B,使其在烧制过程中因熔点、粘度、流动性的差异,在瓷砖表面形成均匀的凹凸;对瓷砖表面进行抛光,使抛光处和凹陷的未抛光处对光的产生不同的反射效果,制得的抛晶砖在阳光或灯光下能产生满天星的效果,富有美感,装饰效果比传统的表面具有凹凸效果的抛晶砖更胜一筹,本发明制备方法简单,可控性强,提供一种全新的装饰效果。
实施例1
一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
在瓷砖生坯表面采用淋釉的方式均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;布施量为170g/m2,干粒A、干粒B的粒径为120目;将施釉后的砖坯放入窑炉中1200℃烧制成型;冷却、抛光、磨边,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:10%干粒A,25%干粒B,45%悬浮剂,20%水。
所述干粒A由以下质量分数的成分组成:5%氧化铝、66%二氧化硅、10%氧化钙、1%氧化镁、6%氧化钾、0.5%氧化钠、0.5%氧化钡、 0.5%氧化硼、10%氧化锌、0.5%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:17%氧化铝、55%二氧化硅、6%氧化钙、3%氧化镁、3%氧化钾、 3%氧化钠、1%氧化钡、1%氧化硼、4%氧化锌、7%氧化锶。
制备得到的具有满天星效果的抛晶砖硬度达到6H,釉层厚薄适中,光泽度为91°,瓷砖各处光泽度差异小于2,在日光灯或阳光下目视砖面各处的满天星效果好。
实施例2
一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
在瓷砖生坯表面采用淋釉的方式均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;布施量为220g/m2,干粒A、干粒B的粒径为230目;将施釉后的砖坯放入窑炉中1210℃烧制成型;冷却、抛光、磨边,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:15%干粒A,27%干粒B,43%悬浮剂,15%水。
所述干粒A由以下质量分数的成分组成:3%氧化铝、70%二氧化硅、9%氧化钙、1%氧化镁、7%氧化钾、0.3%氧化钠、0.6%氧化钡、0.6%氧化硼、8%氧化锌、0.5%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成: 20%氧化铝、50%二氧化硅、7%氧化钙、2%氧化镁、5%氧化钾、4%氧化钠、2%氧化钡、1%氧化硼、3%氧化锌、6%氧化锶。
制备得到的具有满天星效果的抛晶砖硬度达到6H,釉层厚薄适中,光泽度为93°,瓷砖各处光泽度差异小于3,在日光灯或阳光下目视砖面各处的满天星效果好。
实施例3
一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
在瓷砖生坯表面采用淋釉的方式均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;布施量为250g/m2,干粒A、干粒B的粒径为150目;将施釉后的砖坯放入窑炉中1190℃烧制成型;冷却、抛光、磨边,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:10%干粒A,30%干粒B,40%悬浮剂,20%水。
所述干粒A由以下质量分数的成分组成:6%氧化铝、61%二氧化硅、12%氧化钙、2%氧化镁、8%氧化钾、0.5%氧化钠、0.5%氧化钡、 0.5%氧化硼、9%氧化锌、0.5%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:19%氧化铝、57%二氧化硅、5%氧化钙、1%氧化镁、3%氧化钾、 3%氧化钠、1%氧化钡、2%氧化硼、3%氧化锌、6%氧化锶。
制备得到的具有满天星效果的抛晶砖硬度达到7H,釉层厚薄适中,光泽度为95°,瓷砖各处光泽度差异小于2,在日光灯或阳光下目视砖面各处的满天星效果好。
实施例4
一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,包括如下步骤:
在瓷砖生坯表面采用淋釉的方式均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;布施量为150g/m2,干粒A、干粒B的粒径为200目;将施釉后的砖坯放入窑炉中1180℃烧制成型;冷却、抛光、磨边,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:13%干粒A,25%干粒B,45%悬浮剂,17%水。
所述干粒A由以下质量分数的成分组成:3%氧化铝、68%二氧化硅、11%氧化钙、2%氧化镁、6%氧化钾、0.6%氧化钠、0.8%氧化钡、 0.8%氧化硼、7%氧化锌、0.8%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:17%氧化铝、59%二氧化硅、4%氧化钙、1%氧化镁、3%氧化钾、 5%氧化钠、1%氧化钡、1%氧化硼、3%氧化锌、6%氧化锶。
制备得到的具有满天星效果的抛晶砖硬度达到6H,釉层厚薄适中,光泽度为90°,瓷砖各处光泽度差异小于3,在日光灯或阳光下目视砖面各处的满天星效果好。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S001.在瓷砖生坯表面均匀布施含有干粒A、干粒B的釉浆;
S002.将布施有干粒A、干粒B釉浆的砖坯烧制成型;
S003.对瓷砖进行抛光和磨边处理,制得表面具有满天星效果的抛晶砖。
其中,所述釉浆由以下质量分数的成分组成:10%~15%干粒A,25%~30%干粒B,40%~50%悬浮剂,15%~25%水。
2.根据权利要求1所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述干粒A由以下质量分数的成分组成:3%~6%氧化铝、60%~70%二氧化硅、9%~12%氧化钙、1%~2%氧化镁、6%~8%氧化钾、0~1%氧化钠、0~1%氧化钡、0~1%氧化硼、7%~10%氧化锌、0~1%氧化锶;干粒B由以下质量分数的成分组成:17%~20%氧化铝、50%~60%二氧化硅、4%~7%氧化钙、1%~3%氧化镁、3%~5%氧化钾、3%~5%氧化钠、1%~2%氧化钡、1%~2%氧化硼、3%~5%氧化锌、6%~8%氧化锶。
3.根据权利要求1所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述步骤S001中布施釉浆的方式包括淋釉。
4.根据权利要求1所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述步骤S001中布施量为150~250g/m2。
5.根据权利要求1所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述干粒A、干粒B的粒径为120~230目。
6.根据权利要求1所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法,其特征在于,所述烧制成型温度为1180~1210℃。
7.一种具有满天星效果的抛晶砖,其特征在于,所述抛晶砖通过权利要求1~6中任一项所述的具有满天星效果的抛晶砖的制备方法制备。
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