CN110352504A - 光学模块的制造方法和光学模块 - Google Patents

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Abstract

具有:将发光元件面朝下安装在表面具有多个电极的基板上的工序,使含有光波长转换物质的树脂片与前述基板的发光元件安装面相对、在包括前述树脂片与前述发光元件之间的、前述树脂片与前述基板之间的空间填充第1光透过性树脂的工序,将前述树脂片的与填充有前述第1光透过性树脂的面相反侧的面用第2光透过性树脂覆盖的工序,以包围前述发光元件的方式形成从前述第2光透过性树脂的上表面达到前述基板的规定深度的槽的工序,在前述槽中填充光反射性树脂、同时将前述第2光透过性树脂的上表面用前述光反射性树脂覆盖的工序,将前述第2光透过性树脂上的前述光反射性树脂除去的工序,以及使填充于前述槽的前述光反射性树脂的一部分残留、以外侧面被前述光反射性树脂覆盖的方式沿前述光反射性树脂进行切割、使前述发光元件单片化的工序。

Description

光学模块的制造方法和光学模块
技术领域
本发明涉及光学模块的制造方法和光学模块。
背景技术
以往,已知一种半导体发光装置的制造方法,该半导体发光装置具有固着有发光元件的第1框架、与第1框架分开配置的通过金属线与发光元件的电极连接的第2框架、以及覆盖发光元件、第1框架和第2框架的树脂外壳(例如参照专利文献1)。
该专利文献1记载的半导体发光装置的制造方法中,首先,在交替配置有多个第1框架和多个第2框架的金属板的表面形成覆盖发光元件、第1框架和第2框架的第1树脂,在第1树脂表面粘贴牺牲片。然后,在金属板上的第1树脂和牺牲片上形成沿着树脂外壳外周的槽,在槽内部填充第2树脂,沿着槽将第2树脂分隔,从而形成将第1树脂的外缘用第2树脂覆盖的树脂外壳。然后,在覆盖分隔的树脂外壳上表面的第2树脂上粘贴粘合力比牺牲片大的粘合片,将该粘合片撕下,从而将形成于第1树脂的上表面的第2树脂与牺牲片一起去除。由此,使发光面露出,完成半导体发光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-4807号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,专利文献1记载的半导体发光装置的制造方法中,包括将最终被除去的牺牲片粘贴于第1树脂表面的工序。该牺牲片是制品不需要的材料,因而会增加制造成本。
此外,该半导体发光装置的制造方法中,在第1树脂中形成槽时进行基于切割的一次半切割,进一步在将第2树脂沿着槽分隔时进行基于切割的又一次半切割,合计进行两次半切割。这样的进行多次基于切割的半切割是使制造工序复杂化的重要原因。
因此,本发明的目的在于,提供能够缩短工序而实现模块的薄型化和小型化的光学模块的制造方法和光学模块。
用于解决课题的方法
为了实现上述目的,本发明一个方式涉及的光学模块的制造方法具有:
将发光元件面朝下安装在表面具有多个电极的基板上的工序,
使含有光波长转换物质的树脂片与前述基板的发光元件安装面相对、在包括前述树脂片与前述发光元件之间的、前述树脂片与前述基板之间的空间填充第1光透过性树脂的工序,
将前述树脂片的与填充有前述第1光透过性树脂的面相反侧的面用第2光透过性树脂覆盖的工序,
以包围前述发光元件的方式形成从前述第2光透过性树脂的上表面达到前述基板的规定深度的槽的工序,
在前述槽中填充光反射性树脂、同时将前述第2光透过性树脂的上表面用前述光反射性树脂覆盖的工序,
将前述第2光透过性树脂上的前述光反射性树脂除去的工序,以及
使填充于前述槽的前述光反射性树脂的一部分残留、以外侧面被前述光反射性树脂覆盖的方式沿前述光反射性树脂进行切割、使前述发光元件单片化的工序。
本发明另一方式涉及的光学模块的制造方法具有:
将发光元件面朝下安装在表面具有多个电极的基板上的工序,
将包括前述发光元件的侧面、上表面和下表面在内的前述基板的上表面用混合有光波长转换物质的第1光透过性树脂密封的工序,
将密封有前述第1光透过性树脂的面的上表面用第2光透过性树脂覆盖的工序,
以包围前述发光元件的方式形成从前述第2光透过性树脂的上表面达到前述基板的规定深度的槽的工序,
在前述槽中填充光反射性树脂、同时将前述第2光透过性树脂的上表面用前述光反射性树脂覆盖的工序,
将前述第2光透过性树脂上的前述光反射性树脂除去的工序,以及
使填充于前述槽的前述光反射性树脂的一部分残留、以外侧面被前述光反射性树脂覆盖的方式沿前述光反射性树脂进行切割、使前述发光元件单片化的工序。
本发明另一方式涉及的光学模块具有:
表面具有多个电极的基板,
面朝下安装于前述基板的前述多个电极的发光元件,
设于前述发光元件的上方、含有光波长转换物质的树脂片,
将包括前述发光元件与前述树脂片之间的、前述基板与前述树脂片之间密封的第1光透过性树脂,
覆盖前述树脂片的与前述第1光透过性树脂所密封的面相反侧的面的第2光透过性树脂,以及
沿着由前述基板、前述发光元件、前述树脂片、前述第1光透过性树脂和前述第2光透过性树脂构成的层叠体的外周侧面、以覆盖该外周侧面的方式设置的、含有光反射性物质的光反射性树脂。
本发明另一方式涉及的光学模块具有:
表面具有多个电极的基板,
面朝下安装于前述基板的前述多个电极的发光元件,
将包括前述发光元件在内的前述基板的前述表面上密封、混合有光波长转换物质的第1光透过性树脂,
覆盖前述第1光透过性树脂的上表面的第2光透过性树脂,以及
沿着由前述基板、前述发光元件、前述第1光透过性树脂和前述第2光透过性树脂构成的层叠体的外周侧面、以覆盖该外周侧面的方式设置的、含有光反射性物质的光反射性树脂。
本发明另一方式涉及一种光学模块,
具有:
表面设有多个电极、背面具备用于与主板进行电连接的多个外部连接端子、具有长方形的平面形状的基板,
沿着前述长方形的长度方向面朝下安装于前述电极的多个发光元件,以及
将包括前述多个发光元件在内的前述基板的前述表面上密封的光透过性树脂;
前述多个发光元件包括多组规定个数的前述发光元件电串联连接而成的发光元件组。
发明的效果
根据本发明,能够缩短工序而实现模块的薄型化和小型化。
附图说明
图1为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的基板准备工序的一个例子的图。
图2为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的接合糊涂布工序的一个例子的图。
图3为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的安装工序的一个例子的图。
图4为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的密封工序的一个例子的图。
图5为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的透明树脂涂布工序的一个例子的图。
图6为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的槽形成工序的一个例子的图。
图7为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的光反射树脂密封工序的一个例子的图。
图8为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的表面磨削工序的一个例子的图。
图9为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的模块单片化工序的一个例子的图。
图10为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块的电路构成的一个例子的图。
图11为显示第1实施方式涉及的光学模块的印刷配线板内部构成的一个例子的图。
图12为显示在背光单元中应用第1实施方式涉及的光学模块的例子的图。
图13为显示本发明第2实施方式涉及的光学模块制造方法的一个例子的图。
图14为显示本发明第3实施方式涉及的光学模块制造方法的一个例子的图。
具体实施方式
以下,参照附图进行用于实施本发明的方式的说明。
[第1实施方式]
图1为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的基板准备工序的一个例子的图。在基板准备工序中,准备用于安装LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片的印刷配线板10。印刷配线板10是用于安装LED芯片的基板的一个例子,也可以使用其他基板,只要能够安装LED芯片即可。本实施方式中,列举使用印刷配线板10作为基板的例子进行说明。其中,印刷配线板10例如可以构成为具有长方形的平面形状。
印刷配线板10在表面具有用于安装LED芯片的电极20,在背面具有用于与主板进行电连接的外部连接端子30。电极20和外部连接端子30均设有多个。安装的LED芯片通常具有阳极和阴极2个端子,因此电极20和外部连接端子30也均设有多个。此外,通常在印刷配线板10的表面上安装有多个LED芯片,因此根据安装的LED芯片的数量确定电极20和外部连接端子30的个数。
其中,表面侧的电极20与背面侧的外部连接端子30在印刷配线板10的内部通过配线图形连接,这一点的详细情况记载在下文中。
此外,在基板准备工序中,除了准备印刷配线板10以外,还进行要将附着于印刷配线板10的异物除去的印刷配线板10的清洗。此外,清洗后,通过烘烤使印刷配线板10干燥。
图2为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的接合糊涂布工序的一个例子的图。其中,外部连接端子30不与光学模块的制造方法直接关联,因而在图2以后省略图示。关于外部连接端子30,在说明印刷配线板10的内部结构时详细进行说明。
在接合糊涂布工序中,将接合糊40涂布在设于印刷配线板10表面的电极20上。接合糊40只要能够通过加热熔融使LED芯片的电极和印刷配线板10表面上的电极20接合、电连接即可,可以使用各种接合糊40。作为接合糊40,例如也可以使用Au-Sn(金-锡)糊。其中,在将接合糊40涂布在电极20表面上后,通过加热使接合糊40熔融,然后冷却。冷却后,通过清洗将助焊剂残渣除去。通过接合糊涂布工序,形成LED芯片能够安装在电极20上的状态。
图3为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的安装工序的一个例子的图。在安装工序中,将从晶圆进行单片化而得到的LED芯片50安装于印刷配线板10。其中,LED芯片50为发光元件的一个例子,只要是能够发光的元件则也可以安装其他元件。本实施方式中,列举使用LED芯片50作为发光元件的例子进行说明。
LED芯片50面朝下安装于印刷配线板10。即,LED芯片的端子(或电极)配置于下表面,不使用键合线,通过接合糊40与电极20直接接合。通过该倒装芯片安装,不需要键合线,能够实现薄型化安装。
其中,LED芯片50在电极20上的安装通常通过热压接工艺法进行,但只要能够进行倒装芯片安装则不限定于此,可以使用各种安装方法。其中,热压接工艺法是一边加热,一边使用压接头等将LED芯片50压接在基板10(准确地说是电极20)上的方法。
此外,LED芯片50中,与印刷配线板10相反侧的面、即图3的例子中的上表面为发光取出面。即,LED芯片50的与端子(或电极)相反侧的面为发光取出面,图3的例子中,光向上方发出。
图4为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的密封工序的一个例子的图。在密封工序中,使安装了LED芯片50的印刷配线板10的安装面与含有光波长转换物质的树脂片60相对,将印刷配线板10与含有光波长转换物质的树脂片60之间的空间用有机硅树脂70密封。其中,如图4所示,与图3相比上下反转,以LED芯片50的发光取出面为下表面的方式设置。
这里,含有光波长转换物质的树脂片60中的光波长转换物质例如可以含有对于将发出蓝色光的LED芯片50的光转换为白色光而言所必需的物质。例如,如果使用钇-铝-石榴石(Yttrium Aluminum Garnet)作为光波长转换物质,则能够获得白色光。此外,为了获得白色光,也可以不使用光波长转换物质,而是使用作为光的三原色的红色-绿色-蓝色的发光二极管芯片,作为1个发光源获得白色光。进一步,关于白色光以外的颜色的光,也可以通过LED芯片的发光色与光波长转换物质的组合而获得各种颜色的光。此外,通过在LED芯片的发光取出面涂布光波长转换物质,也能够不使用含有光波长转换物质的树脂片而获得期望颜色的光。
有机硅树脂70是热固性树脂,固化时可以构成透明体。其中,有机硅树脂70是一个例子,只要能够构成固化时使光透过的透明体则也可以使用其他树脂。
关于密封工序,只要能够将相对的印刷配线板10与含有光波长转换物质的树脂片60之间的空间、包括LED芯片50在内密封,则可以通过各种密封方法来实现,以下对密封工序的一个例子进行说明。
首先,将含有光波长转换物质的树脂片60载置于密封用模具内,用有机硅树脂70覆盖含有光波长转换物质的树脂片60的上表面整体。即在含有光波长转换物质的树脂片60的上表面涂布有机硅树脂70。然后,使用密封装置将LED芯片50用有机硅树脂70和含有光波长转换物质的树脂片60密封。即,在印刷配线板10的安装面与含有光波长转换物质的树脂片60之间的空间填充有机硅树脂70,将印刷配线板10、LED芯片50和含有光波长转换物质的树脂片60作为一体密封。其中,密封方法没有特别限定,可以根据用途使用压缩成型法、传递成型法等。
压缩成型法是将称量的有机硅树脂70放入经加热的模具的凹部(空腔),用压缩成型机加压使其固化的成型方法。此外,传递成型法是下述方法:将经预热的有机硅树脂70放入被称为传递室的加热室,使其软化后用辅助柱塞(Plunger)压入金属制的模具,保持这种状态使有机硅树脂70固化,然后将成型体取出。
通过像上面的例子那样将有机硅树脂70涂布在含有光波长转换物质的树脂片60的上表面,形成与粘接剂涂布在含有光波长转换物质的树脂片60的上表面同样的状态。即,有机硅树脂70作为密封材发挥功能,同时也作为粘接剂发挥功能。因此,形成了在含有光波长转换物质的树脂片60的上表面与LED芯片50的下表面(发光取出面)之间存在薄的有机硅树脂70作为粘接剂层的状态而密封。因此,这种情况下,LED芯片50和含有光波长转换物质的树脂片60的相对的面彼此以相隔着粘接剂层的微小空间而相对的状态密封。由此能够实现光学模块的薄型化和小型化。
其中,有机硅树脂70作为密封材发挥功能,因而即使在使LED芯片50和含有光波长转换物质的树脂片60相隔远的状态下也能够密封。因此,LED芯片50和含有光波长转换物质的树脂片60的相对间隔可以根据用途适当设定合适的间隔。
其中,在上面的例子中,对将有机硅树脂70涂布在含有光波长转换物质的树脂片60的上表面、并且在其上配置LED芯片50的例子进行了说明,但也可以是最开始使含有光波长转换物质的树脂片60与印刷配线板10的安装面相对,在它们之间的空间注入有机硅树脂70并密封。以这种方式,可以通过各种方法实现密封工序。
图5为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的透明树脂涂布工序的一个例子的图。在透明树脂涂布工序中,将含有光波长转换物质的树脂片60的与密封面相反侧的面用有机硅树脂80覆盖。如果如图5所示,与图4的例子相比上下反转,设为印刷配线板10位于下部、含有光波长转换物质的树脂片60位于上部的配置,则含有光波长转换物质的树脂片60的上表面成为露出面。因此,用有机硅树脂80覆盖含有光波长转换物质的树脂片60的上表面。如上述那样,有机硅树脂80是构成在热固化时使光透过的透明体的树脂,只要是具有那样的性质的树脂,则也可以使用有机硅树脂80以外的树脂。此外,有机硅树脂80可以使用与印刷配线板10与含有光波长转换物质的树脂片60之间的密封所用的有机硅树脂70完全相同的树脂(同一制品),也可以使用不同树脂(不同制品)。
其中,有机硅树脂80具有保护含有光波长转换物质的树脂片60的功能。即,覆盖露出的含有光波长转换物质的树脂片60,在不会挡光的情况下保护含有光波长转换物质的树脂片60的露出面。
有机硅树脂80的形成方法没有特别限定,可以使用上述压缩成型法、传递成型法,也可以通过灌封、印刷等形成。其中,灌封是通过树脂灌注进行的涂布。
如图5所示,从LED芯片50发出的光透过有机硅树脂70、含有光波长转换物质的树脂片60、有机硅树脂80,从上方射出。
图6为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的槽形成工序的一个例子的图。在槽形成工序中,形成从有机硅树脂80的上表面开始、贯穿含有光波长转换物质的树脂片60、有机硅树脂70、直到到达印刷配线板10的槽90。槽90形成为虽然不贯穿印刷配线板10但在印刷配线板10中也形成有槽90的深度,槽90的底面91形成于印刷配线板10内。其中,这样的将槽形成至印刷配线板10(基板)中途的现象也称为半切割,因而也可以将本工序称为半切割工序。
槽90以包围LED芯片50的方式形成。安装有多个LED芯片的情况下,以除了LED芯片间的区域以外包围LED芯片的方式形成槽90。槽90在后述单片化后的光学模块150的外周附近形成。图6中仅显示了1个方向的截面,但在与图6的切断方向垂直的方向上,两端也形成有槽90。即,以呈长方形包围LED芯片50的方式形成槽90,以形成长方形的框的方式形成槽90。其中,在欲呈圆形包围LED芯片50的情况下,可以在LED芯片50的周围形成圆形的槽90。以下的例子中,对下述例子进行说明:印刷配线板10具有长方形的平面形状,以沿着印刷配线板10的外形由长方形的框包围LED芯片50的方式形成槽90。
图7为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的光反射树脂密封工序的一个例子的图。在光反射树脂密封工序中,在槽90中填充含有光反射性物质的树脂。含有光反射性物质的树脂可以从各种树脂中选择,本实施方式中,列举使用白树脂100作为光反射性树脂的例子进行说明。白树脂100含有光反射性物质,因而能够适合作为光反射性树脂使用。填充于槽90的白树脂100构成光学模块的反射器。
白树脂100的填充方法没有特别限定,可以与涂布工序同样地,适当利用压缩成型法、传递成型法、灌封、印刷等。槽90达到印刷配线板10并被半切割,因而能够提高白树脂100与槽90的密合性。即,白树脂100达到印刷配线板10厚度方向的途中,因而能够形成与将桩打入地面类似的状态,进一步还可以增加白树脂100的接触面积,因而能够实现高密合性。
其中,将白树脂100填充于槽90时,可以不仅用白树脂100覆盖槽90、而且也覆盖有机硅树脂80的上表面。通常难以将白树脂100仅填充于槽90,因而可以将包括有机硅树脂80的上表面在内也用白树脂100密封。
图8为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的表面磨削工序的一个例子的图。在表面磨削工序中,对上表面进行磨削,直至有机硅树脂80露出。由此,不需要的白树脂100被除去,形成由透明体(有机硅树脂80)构成的光学模块的发光面。其中,表面磨削可以通过各种方法进行,例如可以通过研磨磨削对上表面的白树脂100进行磨削。
图9为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块制造方法的模块单片化工序的一个例子的图。在模块单片化工序中,以使白树脂100的一部分残留的方式,沿着槽90进行切割,使光学模块单片化。这是因为,通过使白树脂100的一部分残留,单片化的光学模块的外周侧面被白树脂100覆盖,形成在外周侧面形成有反射器的状态。由此,能够使LED芯片50发出的光中在侧面方向放射的光向内侧反射,高效地使光向上方射出。然后,模块单片化工序结束,从而完成单片化的光学模块150。
以这种方式,根据第1实施方式涉及的光学模块制造方法,能够通过LED芯片50向印刷配线板10的倒装芯片安装、含有光波长转换物质的树脂片60与印刷配线板10的安装面之间的空间利用透明树脂的密封、进一步的含有光波长转换物质的树脂片的露出面利用透明树脂的涂布,能够以少的工序数制造薄型化、小型化的光学模块。此外,通过将槽90以半切割形式形成,能够提高白树脂100的密合性。
图10为显示本发明第1实施方式涉及的光学模块的电路构成的一个例子的图。图1至图9中,为了便于说明,列举由2个LED芯片构成1个光学模块150的例子进行了说明。
但将光学模块应用于照亮液晶屏的背光单元等的情况下,排列非常多的LED芯片50而构成光学模块150。
图10中显示多个LED芯片50串联连接而成的3个LED芯片单元(LED芯片组)140a、140b、140c。这里,由LED芯片单元140a、140b、140c的集合体构成的整体对应于图9所示的光学模块150。以这种方式,为了方便,图1至9中仅例示了2个LED芯片50,但多数情况下光学模块150通常构成为包括更多的LED芯片50。这里,列举光学模块150具备3个LED芯片单元140a、140b、140c、进一步各个LED芯片单元140a、140b、140c包含多个LED芯片50的例子进行说明。
如图10所示,3个LED芯片单元140a、140b、140c分别具备阳极和阴极的两个端子。而且,阳极连接于共用的外部连接端子31a,阴极分别连接于不同的外部连接端子32a、32b、32c。
如果将所有的LED芯片50串联连接,则电压在串联电路中分压,因此为了将所有LED芯片50点亮,需要施加高电压。准备那样的电源对于智能手机等实际制品而言是困难的,因此以可以用能够施加的电压点亮所有LED芯片的方式,将由串联电路构成的LED芯片单元140a、140b、140c并联连接。通过设为这样的电路构成,将点亮所有LED芯片50所必需的电压用LED芯片单元140a、140b、140c分割,降低至点亮各LED芯片单元140a、140b、140c内的LED芯片50所必需的电压。
因此,根据能够施加的电压和点亮LED芯片50所必需的阈值电压来确定1个单元内LED芯片50的个数,通过将该LED芯片单元140a、140b、140c设为必要的个数,可以使同时点亮多个LED芯片50成为可能。
图11为显示第1实施方式涉及的光学模块150的印刷配线板10的内部构成的一个例子的图。电路构成与图10的电路构成是同样的。
如图11所示,印刷配线板10的内部由多个基板层11、12、13、14构成,形成有贯穿各基板层的通路B1~B18、沿着基板层11~14的配线层24、35~37。而且,LED芯片单元140a、140b、140c的各阳极分别与电极21a、21b、21c连接,通过基板层11的通路B1、B5、B6和配线层24、以及贯穿基板层12~14的通路B2、B3、B4共用连接于外部连接端子31a。
另一方面,LED芯片单元140a的阴极通过电极22a、贯穿最上层的基板层11的通路B7、基板层11、12间的配线层35、和贯穿基板层12~14的通路B8、B9、B10连接于外部连接端子32a。此外,LED芯片单元140b的阴极通过电极22b、贯穿最上层和第2层的基板层11、12的通路B11、B12、基板层12、13间的配线层36、和贯穿基板层13、14的通路B13、B14连接于外部连接端子32b。进一步,LED芯片单元140c的阴极通过电极22c、贯穿最上层~第3层的基板层11、12、13的通路B15、B16、B17、基板层13、14间的配线层37、和贯穿基板层14的通路B18连接于外部连接端子32c。以这种方式,LED芯片单元140a~140c的各阴极的连接中,利用基板层11~14的高低差,各配线独立形成,与各外部连接端子32a~32c连接。通过采用这样的构成,在印刷配线板10的内部设置多个配线路径,能够实现光学模块的小型化。
这里,外部连接端子31a、32a~32c汇总形成于印刷配线板10的端部。这是为了使电源供应容易,为了能够从1个位置进行电源供应。
另一方面,从防止局部翘曲的观点出发,外部连接端子31a、32a~32c优选在印刷配线板10的背面分散,遍及地形成。因此,也可以根据需要设置不连接配线的伪外部连接端子33。由此,即使光学模块150发热,也能够使印刷配线板10中产生的应力均匀,能够防止局部翘曲等。
此外,从同样的观点出发,也可以根据需要形成未填充金属材料的伪通路。即,也可以与通路B1~B4、通路B8~B10同样地、在不妨碍配线的位置形成贯穿规定的基板层11~14的通路,对于通路也试图均匀化。
图10和图11中,列举共用地构成阳极、各自地构成阴极的例子进行了说明,也可以设为共用地构成阴极、各自地设置阳极的构成。是否将阳极和阴极中的任一者构成为共用端子可以根据用途适当设定。
图12为显示在背光单元160中应用第1实施方式涉及的光学模块150的例子的图。图12的(a)为显示将光学模块150组装入背光单元160而成的构成的一个例子的图,图12的(b)为将组装入背光模块160的光学模块150取出的图。
如图12的(a)所示,在背光160长度方向上的一端,以沿着背光160外形的1条短边的方式设置光学模块150。发光面为沿着背光160的面的侧向。
如图12的(a)、(b)所示,在组装入背光单元160的情况下,光学模块150的宽度对背光单元160的高度产生影响,因而要求宽度的缩小。此外,光学模块150的高度对背光单元160的平面面积产生影响,因而要求光学模块150的薄型化。
这样一来,光学模块150在高度、宽度两者上均要求小型化。根据本实施方式涉及的光学模块及其制造方法,能够制造和构成薄型化的光学模块150,能够应对该要求。
其中,如图11、12所示,印刷配线板10具有长方形的平面形状的情况下,如果沿着长方形的长度方向配置LED芯片单元140a、140b、140c,则能够构成适合于背光单元160的光学模块150。
[第2实施方式]
图13为显示本发明第2实施方式涉及的光学模块制造方法的一个例子的图。第2实施方式涉及的光学模块制造方法中,密封工序与第1实施方式涉及的光学模块制造方法是不同的。
第2实施方式涉及的光学模块制造方法中,在密封工序中,使用混合有光波长转换物质的有机硅树脂71将包括LED芯片50在内的印刷配线板10的上表面密封。通过使用混合有光波长转换物质的有机硅树脂71将LED芯片50的侧面、上表面和下表面密封,能够实现光学模块151的薄型化。此外,混合有光波长转换物质的有机硅树脂71具有光波长转换功能,同时是透明的,因而能够适当实现光学模块151的功能。
其中,透明树脂涂布工序的不同在于用有机硅树脂80涂布的对象是含有光波长转换物质的树脂片60还是混合有光波长转换物质的有机硅树脂71,工序本身与第1实施方式是同样的。其他工序也与第1实施方式是同样的,因而省略其说明。其中,在这种情况下,有机硅树脂71与有机硅树脂80当然是不同的有机硅树脂。
此外,第2实施方式涉及的光学模块151不存在单独的含有光波长转换物质的树脂片60和有机硅树脂70,取而代之地设置混合有光波长转换物质的有机硅树脂71,在这一点上与第1实施方式涉及的光学模块150不同。关于其他构成,与第1实施方式是同样的,因而省略其说明。
根据第2实施方式涉及的光学模块151的制造方法和光学模块151,能够进一步减少工序和部件数量,能够进一步实现工序的缩短化和薄型化。
[第3实施方式]
图14为显示本发明第3实施方式涉及的光学模块制造方法的一个例子的图。第3实施方式涉及的光学模块152的制造方法中,在槽形成工序与光反射性树脂密封工序之间,进一步具有无机物层形成工序,在这一点上与第1和第2实施方式涉及的光学模块150、151的制造方法是不同的。在无机物层形成工序中,通过槽形成工序形成槽90后,在槽90的内表面形成由无机物构成的无机物层110。无机物层110例如可以由光反射率高的铝、铜等金属材料构成。无机物具有提高含有光反射性物质的白树脂100的光反射效率的功能,同时也能够有助于屏蔽水分、减少吸潮。
其他工序与第1和第2光学模块150、151的制造方法是同样的,因而省略其说明。其中,第3实施方式涉及的光学模块152的制造方法可以应用第1和第2光学模块150、151的制造方法中的任一种。
第3实施方式涉及的光学模块152在由印刷配线板10、LED芯片50、含有光波长转换物质的树脂片60和有机硅树脂70或有机硅树脂71、以及有机硅树脂80的层叠体构成的密封体120的外周侧面与白树脂100之间进一步设有覆盖密封体120的外周侧面的无机物层110,除了这一点以外,与第1和第2实施方式涉及的光学模块150、151是同样的。因此省略其说明。
根据第3实施方式涉及的光学模块152的制造方法和光学模块152,能够在提高白树脂100的光反射效率的同时,减少光学模块152的吸潮。
以上对本发明的优选实施方式进行了详细说明,但本发明不受上述实施方式的限制,可以不脱离权利要求的范围而对上述实施方式进行各种变形和替换。
本申请主张2017年3月15日在日本特许厅申请的基础申请2017-049732号的优先权,其全部内容通过参照引用于此。
符号说明
10:印刷配线板
11~14:基板层
20、21a~21c、22a~22c:电极
24、35、36、37:配线层
30、31a、32a~32c、33:外部连接端子
40:接合糊
50:LED芯片
60:含有光波长转换物质的树脂片
70、71、80:有机硅树脂
90:槽
100:白树脂
110:无机物层
140a~140c:LED芯片单元
150、151、152:光学模块
160:背光单元
B1~B18:通路

Claims (11)

1.一种光学模块的制造方法,具有:
将发光元件面朝下安装在表面具有多个电极的基板上的工序,
使含有光波长转换物质的树脂片与所述基板的发光元件安装面相对、在包括所述树脂片与所述发光元件之间的、所述树脂片与所述基板之间的空间填充第1光透过性树脂的工序,
将所述树脂片的与填充有所述第1光透过性树脂的面相反侧的面用第2光透过性树脂覆盖的工序,
以包围所述发光元件的方式形成从所述第2光透过性树脂的上表面达到所述基板的规定深度的槽的工序,
在所述槽中填充光反射性树脂、同时将所述第2光透过性树脂的上表面用所述光反射性树脂覆盖的工序,
将所述第2光透过性树脂上的所述光反射性树脂除去的工序,以及
使填充于所述槽的所述光反射性树脂的一部分残留、以外侧面被所述光反射性树脂覆盖的方式沿所述光反射性树脂进行切割、使所述发光元件单片化的工序。
2.一种光学模块的制造方法,具有:
将发光元件面朝下安装在表面具有多个电极的基板上的工序,
将包括所述发光元件的侧面、上表面和下表面在内的所述基板的上表面用混合有光波长转换物质的第1光透过性树脂密封的工序,
将密封有所述第1光透过性树脂的面的上表面用第2光透过性树脂覆盖的工序,
以包围所述发光元件的方式形成从所述第2光透过性树脂的上表面达到所述基板的规定深度的槽的工序,
在所述槽中填充光反射性树脂、同时将所述第2光透过性树脂的上表面用所述光反射性树脂覆盖的工序,
将所述第2光透过性树脂上的所述光反射性树脂除去的工序,以及
使填充于所述槽的所述光反射性树脂的一部分残留、以外侧面被所述光反射性树脂覆盖的方式沿所述光反射性树脂进行切割、使所述发光元件单片化的工序。
3.根据权利要求1或2所述的光学模块的制造方法,在形成所述槽的工序与填充所述光反射性树脂的工序之间,进一步具有在所述槽的表面形成由无机膜构成的层的工序。
4.一种光学模块,具有:
表面具有多个电极的基板,
面朝下安装于所述基板的所述多个电极的发光元件,
设于所述发光元件的上方、含有光波长转换物质的树脂片,
将包括所述发光元件与所述树脂片之间的、所述基板与所述树脂片之间密封的第1光透过性树脂,
覆盖所述树脂片的与所述第1光透过性树脂所密封的面相反侧的面的第2光透过性树脂,以及
沿着由所述基板、所述发光元件、所述树脂片、所述第1光透过性树脂和所述第2光透过性树脂构成的层叠体的外周侧面、以覆盖该外周侧面的方式设置的、含有光反射性物质的光反射性树脂。
5.根据权利要求4所述的光学模块,在所述层叠体的所述外周侧面与所述光反射性树脂之间,进一步设有由无机膜构成的层。
6.一种光学模块,具有:
表面具有多个电极的基板,
面朝下安装于所述基板的所述多个电极的发光元件,
将包括所述发光元件在内的所述基板的所述表面上密封、混合有光波长转换物质的第1光透过性树脂,
覆盖所述第1光透过性树脂的上表面的第2光透过性树脂,以及
沿着由所述基板、所述发光元件、所述第1光透过性树脂和所述第2光透过性树脂构成的层叠体的外周侧面、以覆盖该外周侧面的方式设置的、含有光反射性物质的光反射性树脂。
7.根据权利要求6所述的光学模块,在所述层叠体的所述外周侧面与所述光反射性树脂之间,进一步设有由无机膜构成的层。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的光学模块,
所述基板具有长方形的平面形状,
在所述基板上,沿着所述长方形的长度方向安装有多个所述发光元件,
所述发光元件包括多组规定个数的所述发光元件串联连接而成的发光元件组,
在所述基板的背面设有用于与主板进行电连接的多个外部连接端子。
9.根据权利要求8所述的光学模块,
多个所述发光元件组分别具有两个端子,
多个所述发光元件组各自的一个端子共用连接于所述多个外部连接端子中的1个,
多个所述发光元件组各自的另一端子各自连接于另外的所述外部连接端子。
10.根据权利要求9所述的光学模块,
所述基板具有多个层,
多个所述发光元件组各自的所述另一端子通过设于所述基板的不同层的配线各自连接于另外的所述外部连接端子。
11.一种光学模块,
具有:
表面设有多个电极、背面具备用于与主板进行电连接的多个外部连接端子、具有长方形的平面形状的基板,
沿着所述长方形的长度方向面朝下安装于所述电极的多个发光元件,以及
将包括所述多个发光元件在内的所述基板的所述表面上密封的光透过性树脂;
所述多个发光元件包括多组规定个数的所述发光元件电串联连接而成的发光元件组。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111522175A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 三星显示有限公司 显示装置
CN112017551B (zh) * 2019-05-30 2022-06-03 群创光电股份有限公司 光学装置
JP2021034642A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
WO2024009823A1 (ja) * 2022-07-08 2024-01-11 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び波長変換部材の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010279A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP2012069577A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US20120319150A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4246563B2 (ja) * 2003-08-22 2009-04-02 日本特殊陶業株式会社 光部品支持基板及びその製造方法、光部品付き光部品支持基板及びその製造方法
JP2008071806A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 C I Kasei Co Ltd 発光装置
US8796706B2 (en) * 2009-07-03 2014-08-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
KR101662038B1 (ko) 2010-05-07 2016-10-05 삼성전자 주식회사 칩 패키지
TWI552848B (zh) 2011-01-14 2016-10-11 Jx Nippon Oil & Energy Corp Method for manufacturing a mold for fine pattern transfer and a method for manufacturing a diffraction grating using the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device having the diffraction grating
JP2012174710A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Fujikura Ltd 多層配線板及びその製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
US9059420B2 (en) 2011-11-18 2015-06-16 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Organic EL element with light extraction and light emission efficiency
US20150162511A1 (en) 2012-07-27 2015-06-11 Konica Minolta, Inc. Led device and method for manufacturing same
JP6197422B2 (ja) 2013-07-11 2017-09-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法および支持基板付きウェハ
JP2015073084A (ja) * 2013-09-06 2015-04-16 日東電工株式会社 波長変換シート、封止光半導体素子および光半導体素子装置
KR102075993B1 (ko) * 2013-12-23 2020-02-11 삼성전자주식회사 백색 led 소자들을 제조하는 방법
US10278243B2 (en) * 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
KR102351666B1 (ko) 2014-07-14 2022-01-14 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널을 구비한 플랙서블 표시 장치
WO2016052025A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社 東芝 Ledモジュール及び照明装置
KR20170094148A (ko) 2014-12-05 2017-08-17 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기
TWI657597B (zh) * 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
WO2016152562A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 シャープ株式会社 発光装置、および発光装置パッケージ
US10009523B2 (en) 2015-05-11 2018-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic module and method of manufacturing the same
US9799243B2 (en) * 2015-07-07 2017-10-24 CI Holdings C.V. Lighting devices including solid state emitter groups for illuminating printed material with enhanced vibrancy
JP6713872B2 (ja) 2015-07-31 2020-06-24 日東電工株式会社 積層フィルム、積層フィルムの製造方法、光学部材、画像表示装置、光学部材の製造方法および画像表示装置の製造方法
JP2017069003A (ja) 2015-09-29 2017-04-06 日東電工株式会社 フレキシブル発光デバイス、照明装置および画像表示装置
JP6729143B2 (ja) 2015-10-29 2020-07-22 三菱マテリアル株式会社 樹脂組成物、接合体及び半導体装置
TWI722048B (zh) 2016-06-10 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102680862B1 (ko) * 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
JP7136532B2 (ja) * 2018-03-30 2022-09-13 ミネベアミツミ株式会社 モジュールの製造方法及び光学モジュールの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP2010010279A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2012069577A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US20120319150A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

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