WO2024009823A1 - 波長変換部材及び波長変換部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
波長変換効率の低下を抑制できる波長変換部材及び波長変換部材の製造方法が提供される。第１主面と、第１主面の反対に位置する第２主面と、第１主面に接続する端面と、を含む第１バリア層と、第３主面と第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、第３主面と第１バリア層の第２主面とが向かいあって第１バリア層上に配置された、量子ドットを含む波長変換層と、第５主面と第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、第５主面と波長変換層の第４主面とが向かいあって波長変換層上に配置された第２バリア層と、を含む積層体を備え、波長変換層は、第３主面に交差するとともに端面を通る一の断面において、端面より内側に位置し、かつ第３主面および第４主面を接続する第１側面を有し、第１側面は、被覆膜に被覆される。
Description
本開示は、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法に関する。
液晶表示装置等の画像表示装置の分野では、色再現性を向上させるため、量子ドットを含む波長変換部材を利用することが提案されている。このような装置では、量子ドットが水分、酸素等にさらされると、波長変換部材の波長変換効率が低下することがある。そのため、例えば、国際公開第２０１６／０３９０７９号では、量子ドットを含む機能層及び２つのガスバリアフィルムを有する機能層積層体と、その端面を覆う端面保護層と、を有する機能性積層フィルムが提案されている。
しかしながら、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制することに関しては未だ改善の余地がある。
そこで、本開示は、波長変換効率の低下を抑制できる波長変換部材及び波長変換部材の製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一実施形態に係る波長変換部材は、第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、前記第１主面に接続する端面と、を含む第１バリア層と、第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリア層の前記第２主面とが向かいあって前記第１バリア層上に配置された、量子ドットを含む波長変換層と、第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換層の前記第４主面とが向かいあって前記波長変換層上に配置された第２バリア層と、を含む積層体を備え、前記波長変換層は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記端面より内側に位置し、かつ前記第３主面および前記第４主面を接続する第１側面を有し、前記第１側面は、被覆膜に被覆される。
また、本開示の一実施形態に係る波長変換部材の製造方法は、第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの前記第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの前記第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、を含む積層体シートを準備することと、前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、前記第６主面から前記第１主面に向かって前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記孔を含む予備波長変換部材を形成することと、を含み、前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記孔が前記端面よりも内側に位置する。
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、前記第６主面から前記第１主面に向かって前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記孔を含む予備波長変換部材を形成することと、を含み、前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記孔が前記端面よりも内側に位置する。
また、本開示の他の実施形態に係る波長変換部材の製造方法は、第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの前記第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの前記第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、を含む積層体シートを準備することと、前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、前記第１バリアシートからなる底面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、前記内面を被覆膜で被覆することと、前記底面から前記第１主面に向って前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面を含む予備波長変換部材を形成することと、を含み、前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面が、前記端面よりも内側に位置する。
本開示の一実施形態に係る波長変換部材及び波長変換部材の製造方法によれば、波長変換効率の低下を抑制できる波長変換部材及び波長変換部材の製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本開示に係る発明を実施するための実施形態を説明する。なお、以下に説明する、本開示に係る波長変換部材及び波長変換部材の製造方法は、本開示に係る発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示に係る発明を以下のものに限定しない。各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態に分けて示す場合があるが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後述の実施形態では、前述と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態ごとには逐次言及しないものとする。各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合もある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。さらに本明細書に記載される数値範囲の上限及び下限は、数値範囲として例示された数値をそれぞれ任意に選択して組み合わせることが可能である。本明細書において、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、ＪＩＳ Ｚ８１１０に従う。蛍光体の半値幅は、発光材料の発光スペクトルにおいて、最大発光強度に対して発光強度が５０％となる発光スペクトルの波長幅（半値全幅；ＦＷＨＭ）を意味する。本明細書において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。また「積層」との語は、層を積み重ねることを示し、２以上の層が結合されていてもよく、２以上の層が分離可能であってもよい。また、「積層」との語は、２以上の層が接していてもよく、２以上の層が接しておらず他の部材を介して配置していてもよい。以下、本開示の実施形態を詳細に説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本開示の技術思想を具体化するための、波長変換部材及びその製造方法を例示するものであって、本開示は、以下に示す波長変換部材及びその製造方法に限定されない。
１．実施形態１
図１Ａに示すように、実施形態１に係る波長変換部材１００は、例えば、上面視形状が略矩形形状である。波長変換部材１００は、例えば、薄い板状である。図１Ｂに示すように、波長変換部材１００は、第１バリア層１０と、波長変換層２０と、第２バリア層３０と、を含む積層体１を含む。波長変換層２０は、第１バリア層１０上に配置される。第２バリア層３０は、波長変換層２０上に配置される。本明細書において、ある層が別の層「上」に配置されるとは、層と層とが接して配置されることに限定されず、層と層との間に別の部材を介して配置されることを含む。
図１Ａに示すように、実施形態１に係る波長変換部材１００は、例えば、上面視形状が略矩形形状である。波長変換部材１００は、例えば、薄い板状である。図１Ｂに示すように、波長変換部材１００は、第１バリア層１０と、波長変換層２０と、第２バリア層３０と、を含む積層体１を含む。波長変換層２０は、第１バリア層１０上に配置される。第２バリア層３０は、波長変換層２０上に配置される。本明細書において、ある層が別の層「上」に配置されるとは、層と層とが接して配置されることに限定されず、層と層との間に別の部材を介して配置されることを含む。
第１バリア層１０は、第１主面１１と、第１主面１１に接続する端面（以下、第１端面１３とも称する）と、を含む。波長変換層２０は、量子ドットを含む。波長変換層２０は、第３主面２１と第３主面２１の反対に位置する第４主面２２とを含む。波長変換層２０は、第３主面２１に交差するとともに第１端面１３を通る一の断面Ｍ１において、第１端面１３より内側に位置し、かつ第３主面２１および第４主面２２を接続する第１側面２４を有する。第１側面２４は、被覆膜３に被覆される。ここで、第３主面２１に交差するとともに第１端面１３を通る一の断面Ｍ１は、以下において、単に「断面Ｍ１」とも称する。また、断面Ｍ１は、本明細書を通して、同一の１つの断面に限定されず、第３主面２１に交差するとともに第１端面１３及び第１側面２４を通る断面であれば、いずれの断面であってもよい。
図１Ｂに示すように、実施形態１において、第１バリア層１０と、波長変換層２０と、第２バリア層３０とは、この順で厚み方向Ｚに積層されている。実施形態１における積層体１には、第２バリア層３０と、波長変換層２０と、第１バリア層１０の一部にわたって孔２が設けられる。孔２は、内面２ａにより規定される。内面２ａは、例えば、内側の側面２ｃと、外側の側面２ｄと、底面２ｂと、を含む。内側の側面２ｃは、後述する、第２バリア層３０の第３側面３４と、波長変換層２０の第１側面２４と、第１バリア層１０の第２側面１４と、を含む。図１Ａに示すように、孔２は、上面視において、積層体１の外周に沿って設けられる。
本明細書において、波長変換部材１００及び積層体１において、第１バリア層１０側を「下方」、「下面側」等と称し、厚み方向Ｚにおいて、第１バリア層１０と反対側を「上方」、「上面側」等と称することがある。また、厚み方向Ｚに交差する方向を「側方」と称することがある。
波長変換部材１００は、例えば、液晶表示装置のバックライトユニット等に利用される。この場合、波長変換部材１００は、例えば、複数の発光素子上に配置され、複数の発光素子を一括して覆う。複数の発光素子から出射された光は、波長変換部材１００の下面（例えば、第１バリア層１０側）から波長変換部材１００に入射する。該入射光のうち一部は波長変換され、波長変換されない入射光とともに波長変換部材１００の上面（例えば、第２バリア層３０側）から出射される。
以下に、波長変換部材１００の構成について詳細に説明する。
（第１バリア層）
第１バリア層１０は、例えば、水分、酸素等に対するバリア機能を有する層である。第１バリア層１０は、例えば、無機層を有するバリアフィルム等である。第１バリア層１０は、例えばフィルム状の樹脂硬化物である基材フィルムと基材フィルムの少なくとも一方の主面上に設けられる無機層とを有している。第１バリア層１０がバリア機能を有することで、第１バリア層１０側から入り込んでくる水分、酸素等が波長変換層２０に達することを抑制でき、波長変換層２０に含まれる量子ドットの発光効率の低下を抑えることができる。
第１バリア層１０は、例えば、水分、酸素等に対するバリア機能を有する層である。第１バリア層１０は、例えば、無機層を有するバリアフィルム等である。第１バリア層１０は、例えばフィルム状の樹脂硬化物である基材フィルムと基材フィルムの少なくとも一方の主面上に設けられる無機層とを有している。第１バリア層１０がバリア機能を有することで、第１バリア層１０側から入り込んでくる水分、酸素等が波長変換層２０に達することを抑制でき、波長変換層２０に含まれる量子ドットの発光効率の低下を抑えることができる。
図１Ｂに示すように、第１バリア層１０は、第１主面１１と、第１主面１１の反対に位置する第２主面１２と、を含む。第１主面１１と第２主面１２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に位置する。第１主面１１と第２主面１２とは、例えば、厚み方向Ｚに直交する略平面である。本明細書において、層の面が略平面であるとは、層の面が積層等の製造の過程で生じる凹凸を含む平面であることを意味する。該凹凸は、例えば、２０μｍ以下、又は２μｍ以下の高低差を含む。
第１バリア層１０の平均厚みは、例えば、積層体１の平均厚みの５％以上６０％以下であってよく、好ましくは２０％以上４５％以下であってよい。第１バリア層１０の平均厚みは、例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であってよく、好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下、又は２５μｍ以上１００μｍ以下であってよい。第１バリア層１０の平均厚みは、第１主面１１と第２主面１２との間の平均距離とも言える。第１バリア層１０がフィルム状である場合、平均厚みは、例えば、反射分光膜厚計等を用いて測定した任意の３箇所の厚みの算術平均値として求められる。
第１バリア層１０は、第１端面１３と、第２側面１４と、を含む。第１端面１３は、第１主面１１に接続する。実施形態１において、第１端面１３は、第１主面１１と第２主面１２とを接続する。第１端面１３は、例えば、厚み方向Ｚに延在する平面である。第２側面１４は、第２主面１２に接続する。第２側面１４は、断面Ｍ１において第１端面１３よりも内側に位置する。第２側面１４は、厚み方向Ｚに延在する平面であってよい。
第２側面１４は、積層体１の外周に沿って配置されている。第２側面１４は、例えば、積層体１の外周に沿って、環状に配置されている。断面Ｍ１において、第２側面１４と第１端面１３との間の距離は、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってよく、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下であってよい。第２側面１４が第１端面１３に対して傾斜している場合は、第２側面１４と第１端面１３との間の距離は、例えば、第２側面１４の上端と第１端面１３を含む平面との距離であってよい。第１側面２４と第１端面１３との間の距離が１００μｍ以上であることで、後述する外力により被覆膜３が損傷することを抑制することができる。また、第１側面２４と第１端面１３との間の距離が１０００μｍ以下であることで、例えば、波長変換機能を担わない部分の範囲を小さくすることができる。これにより、例えば、液晶表示装置においてベゼル幅を狭額縁化しやすくなる。
実施形態１において、第２側面１４は、孔２を規定する内面２ａに含まれる。図１Ｂに示すように、内面２ａは、例えば、内側の側面２ｃと、外側の側面２ｄと、底面２ｂと、を含む。内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとは、互いに向かい合っている。ここで、本明細書において、面と面とが向かい合うとは、面と面とが、間に他の部材を配置せずに互いに向かい合う状態と、間に他の部材を配置して互いに向かい合う状態と、の双方を含む。断面Ｍ１において、内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとの間の距離は、例えば２５μｍ以上１０００μｍ以下であってよく、好ましくは５０μｍ以上４００μｍ以下であってよい。内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとは、底面２ｂで接続している。底面２ｂは、第１バリア層１０からなる。内面２ａは、後述する被覆膜３で被覆される。
第２側面１４は、内面２ａの内側の側面２ｃに含まれる。第２側面１４は、例えば、底面２ｂと接続している。
第２側面１４は、被覆膜３で被覆されている。被覆膜３は、例えば、第２側面１４から波長変換層２０の内側に水分が入り込むことを抑制する膜である。被覆膜３はさらに、積層体１の内側に酸素が入り込むことを抑制する膜であってもよい。被覆膜３は、複数の層で構成されていてもよい。被覆膜３の平均厚みは、例えば０．０５μｍ以上５０μｍ以下であってよく、好ましくは０．２μｍ以上１０μｍ以下であってよい。被覆膜３はさらに、底面２ｂを被覆していてもよい。
図１Ｃに示すように、第１バリア層１０は、主バリア層１５と、中間層１６と、を含んでいてもよい。中間層１６は、主バリア層１５と波長変換層２０との間に配置される。主バリア層１５は、例えば、第１主面１１を含む。中間層１６は、例えば、第２主面１２を含む。中間層１６は、例えば、副バリア層とも言える。
主バリア層１５は、例えば、実質、第１バリア層１０のバリア機能を担う。中間層１６は、波長変換層２０と主バリア層１５の双方に対して密着性の良い部材が選択されてよい。これにより、中間層１６と波長変換層２０との境界、中間層１６と主バリア層１５との境界等から水分等が入り込むことを抑制することができる。
中間層１６の平均厚みは、例えば、第１バリア層１０の平均厚みの１％以上５０％以下であってよく、好ましくは、１０％以上３０％以下であってよい。中間層１６の平均厚みは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下であってよく、好ましくは１μｍ以上、又は１０μｍ以上であってよく、また好ましくは５μｍ以下、又は３μｍ以下であってよい。
図１Ｃに示すように、第１バリア層１０が、主バリア層１５と中間層１６とを含む場合、第２側面１４及び孔２の底面２ｂは、中間層１６に含まれてよい。すなわち、孔２が設けられる第１バリア層１０の一部は、中間層１６であってよい。これにより、第１バリア層１０において主バリア層１５の厚みを一様に維持することができ、バリア効果が低下することを抑制することができる。また、被覆膜３は、波長変換層２０と中間層１６との境界を被覆することが好ましい。これにより、波長変換層２０と中間層１６との境界から水分等が入り込むことを抑制することができる。
また、図１Ｇに示すように、第１バリア層１０が、主バリア層１５と中間層１６とを含む場合、第２側面１４及び孔２の底面２ｂは、主バリア層１５に含まれてよい。すなわち、孔２が設けられる第１バリア層１０の一部は、主バリア層１５であってよい。被覆膜３は、主バリア層１５と中間層１６との境界を被覆することが好ましい。これにより、主バリア層１５と中間層１６との境界から水分等が入り込むことを抑制することができる。
（波長変換層）
波長変換層２０は、波長変換部材１００に入射した光の一部の波長を変換する。波長変換層２０は、量子ドットを含む。波長変換層２０は、例えば、量子ドットを含むフィルム状の樹脂硬化物である。なお、量子ドットについての詳細は後述する。
波長変換層２０は、波長変換部材１００に入射した光の一部の波長を変換する。波長変換層２０は、量子ドットを含む。波長変換層２０は、例えば、量子ドットを含むフィルム状の樹脂硬化物である。なお、量子ドットについての詳細は後述する。
図１Ｂに示すように、波長変換層２０は、第３主面２１と、第３主面２１の反対に位置する第４主面２２とを含む。第３主面２１と第４主面２２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に位置する。第３主面２１と第４主面２２とは、例えば、厚み方向Ｚに直交する略平面である。波長変換層２０は、第３主面２１と第１バリア層１０の第２主面１２とが向かいあって第１バリア層１０上に配置されている。
波長変換層２０の平均厚みは、例えば、第１バリア層１０の平均厚みに対して２０％以上１５００％以下であってよく、好ましくは、１００％以上４００％以下であってよい。波長変換層２０の平均厚みは、例えば、例えば３０μｍ以上２００μｍ以下であってよく、好ましくは３０μｍ以上１５０μｍ以下、又は８０μｍ以上１２０μｍ以下であってよい。波長変換層２０の平均厚みは、第３主面２１と第４主面２２との間の平均距離とも言える。波長変換層２０がフィルム状である場合、平均厚みは、フィルム状の第１バリア層１０と同様にして求められる。
波長変換層２０は、端面（以下、第２端面２３とも称する）と、第１側面２４と、を含む。第２端面２３は、第１バリア層１０の第１端面１３と同一平面上に位置してよい。第２端面２３は、第３主面２１と第４主面２２とを接続する。第２端面２３は、厚み方向Ｚに延在する平面であってよい。第１側面２４は、第３主面２１と第４主面２２とを接続する。第１側面２４は、断面Ｍ１において、第１バリア層１０の第１端面１３より内側に位置する。第１端面１３より内側に位置するとは、断面Ｍ１において、第１端面１３を基準とし、厚さ方向Ｚに直交する方向において第１端面１３よりも積層体１の内部側に位置していることをいう。第１側面２４は、厚み方向Ｚに延在する平面であってよい。
第１側面２４は、積層体１の外周に沿って配置されている。第１側面２４は、例えば、積層体１の外周に沿って、環状に配置されている。断面Ｍ１における第１側面２４の第１端面１３からの距離は、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってよく、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下であってよい。断面Ｍ１において、第１側面２４の第１端面１３からの距離は、第２側面１４の第１端面１３からの距離と等しくてよい。なお、この場合の距離は、第１側面２４を含む平面と、第１端面１３を含む平面と、の距離である。また、この場合の距離は、厚さ方向Ｚに直交する方向における第１側面２４と第１端面１３との距離とも言える。第１側面２４が第１端面１３に対して傾斜している場合は、第１側面２４と第１端面１３との間の距離は、例えば、第１側面２４の上端と第１端面１３を含む平面との距離であってよい。
実施形態１において、第１側面２４は、孔２の内面２ａに含まれる。第１側面２４は、内面２ａの内側の側面２ｃに含まれる。実施形態１では、内側の側面２ｃにおいて、第１側面２４および第２側面１４は、同一平面上に位置している。
第１側面２４は、被覆膜３によって被覆されている。被覆膜３は、第１側面２４と第２側面１４とを連続して被覆する。第１側面２４を被覆する被覆膜３の平均厚みは、例えば０．２μｍ以上１０μｍ以下であってよい。第１側面２４を被覆する被覆膜３の平均厚みは、第２側面１４を被覆する被覆膜３の平均厚みと等しくてもよいし、異なっていてもよい。
また、波長変換層２０は１層であってもよく、２層以上であってもよい。波長変換層２０が複数の層である場合は、それぞれの層に含まれる量子ドットが有する発光ピーク波長を異ならせてもよい。また、波長変換層２０は、少なくとも量子ドットを含む層を有していればよく、例えば、量子ドット以外の蛍光体を含む層を有していてもよい。また、波長変換層２０のそれぞれの層には、１種類の量子ドットが含まれていてよく、２種類以上の量子ドットが含まれていてよく、又、１種類以上の量子ドットと１種類以上の蛍光体とが含まれていてよい。
（第２バリア層）
第２バリア層３０は、第１バリア層１０と同様、例えば、水分、酸素等に対するバリア機能を有する層である。第２バリア層３０は、例えば、無機層を有するバリアフィルム等を用いることができる。第２バリア層３０がバリア機能を有することで、第２バリア層３０側から入り込んでくる水分、酸素等が波長変換層２０に達することを抑制でき、波長変換層２０に含まれる量子ドットの発光効率の低下を抑えることができる。第２バリア層３０は、例えば、第１バリア層１０を構成する基材フィルム及び無機層と同じ部材を用いて、構成されてよい。
第２バリア層３０は、第１バリア層１０と同様、例えば、水分、酸素等に対するバリア機能を有する層である。第２バリア層３０は、例えば、無機層を有するバリアフィルム等を用いることができる。第２バリア層３０がバリア機能を有することで、第２バリア層３０側から入り込んでくる水分、酸素等が波長変換層２０に達することを抑制でき、波長変換層２０に含まれる量子ドットの発光効率の低下を抑えることができる。第２バリア層３０は、例えば、第１バリア層１０を構成する基材フィルム及び無機層と同じ部材を用いて、構成されてよい。
図１Ｂに示すように、第２バリア層３０は、第５主面３１と、第５主面３１の反対に位置する第６主面３２と、を含む。第５主面３１と第６主面３２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に位置する。第５主面３１と第６主面３２とは、例えば、厚み方向Ｚに直交する略平面である。第２バリア層３０は、第５主面３１と波長変換層２０の第４主面２２とが向かいあって波長変換層２０上に配置される。
第２バリア層３０の平均厚みは、例えば、第１バリア層１０の平均厚みに対して１０％以上７５０％以下であってよく、好ましくは、５０％以上２００％以下であってよい。第２バリア層３０の平均厚みは、例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であってよく、好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下、又は２５μｍ以上１００μｍ以下であってよい。第２バリア層３０の平均厚みは、第５主面３１と第６主面３２との間の平均距離とも言える。第２バリア層３０がフィルム状である場合、平均厚みは、フィルム状の第１バリア層１０と同様にして求められる。
第２バリア層３０は、端面（以下、第３端面３３とも称する）と、第３側面３４と、を含む。第３端面３３は、第１バリア層１０の第１端面１３と同一平面上に位置してよい。すなわち、第１端面１３と、第２端面２３と、第３端面３３とは、同一平面上に配置されてよい。第３端面３３は、第５主面３１と第６主面３２とを接続する。第３端面３３は、厚み方向Ｚに延在する平面であってよい。第３側面３４は、第５主面３１と第６主面３２とを接続する。第３側面３４は、断面Ｍ１において、第１バリア層１０の第１端面１３より内側に位置する。第３側面３４は、厚み方向Ｚに延在する平面であってよい。
第３側面３４は、積層体１の外周に沿って配置されている。第３側面３４は、例えば、積層体１の外周に沿って、環状に配置されている。断面Ｍ１における第３側面３４の第１端面１３からの距離は、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってよく、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下であってよい。断面Ｍ１において、第３側面３４の第１端面１３からの距離は、第２側面１４の第１端面１３からの距離と等しくてよい。なお、この場合の距離は、第３側面３４を含む平面と、第１端面１３を含む平面と、の距離である。また、この場合の距離は、厚さ方向Ｚに直交する方向における第３側面３４と第１端面１３との距離とも言える。第３側面３４が傾斜している場合は、第３側面３４と第１端面１３との間の距離は、例えば、第３側面３４の上端と第１端面１３を含む平面との距離であってよい。
実施形態１において、第３側面３４は、孔２の内面２ａに含まれる。第３側面３４は、内面２ａの内側の側面２ｃに含まれる。実施形態１では、内側の側面２ｃにおいて、第３側面３４および第１側面２４は、同一平面上に位置している。すなわち、内側の側面２ｃにおいて、第１側面２４、第２側面１４および第３側面３４は、同一平面上に位置している。
第３側面３４は、第１側面２４及び第２側面１４を被覆する被覆膜３によって被覆されている。被覆膜３は、第１側面２４と第２側面１４と第３側面３４とを連続して被覆する。第３側面３４を被覆する被覆膜３の平均厚みは、例えば０．２μｍ以上１０μｍ以下であってよい。第３側面３４を被覆する被覆膜３の平均厚みは、第１側面２４及び第２側面１４を被覆する被覆膜３の平均厚みと等しくてもよいし、異なっていてもよい。
なお、第２バリア層３０は、第１バリア層１０と同様に、主バリア層と、主バリア層及び波長変換層の間に配置される中間層と、を含んでいてもよい。
（孔）
上述したように、孔２は、内面２ａによって規定される。孔２は、例えば、内側の側面２ｃと、外側の側面２ｄと、底面２ｂと、で規定される。本実施形態において、孔２は、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０で構成される内側の側面２ｃと、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０で構成される外側の側面２ｄと、第１バリア層１０で構成される底面２ｂと、で規定されている。実施形態１において、孔２は、第６主面３２に開口を有する凹部とも言える。
上述したように、孔２は、内面２ａによって規定される。孔２は、例えば、内側の側面２ｃと、外側の側面２ｄと、底面２ｂと、で規定される。本実施形態において、孔２は、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０で構成される内側の側面２ｃと、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０で構成される外側の側面２ｄと、第１バリア層１０で構成される底面２ｂと、で規定されている。実施形態１において、孔２は、第６主面３２に開口を有する凹部とも言える。
上記では、内面２ａのうち、第３側面３４、第１側面２４、第２側面１４、及び底面２ｂが被覆膜３で被覆されることを説明したが、図１Ｂに示すように、外側の側面２ｄも被覆膜３に被覆されていてよい。すなわち、内面２ａ全体が被覆膜３で被覆されていてよい。実施形態１では、孔２は、積層体１の外周面には露出しておらず、積層体１の外周面と離隔している。積層体１の外周面とは、積層体１を側方から見たときの積層体１の面全体をいう。また、この場合の積層体１の外周面は、積層体１を厚さ方向Ｚに直交する方向から見たときの積層体１の面全体とも言える。
孔２は、内面２ａにおいて凹凸形状を有することが好ましい。孔２の内面が凹凸形状を有することで、内面２ａの表面積が増加し、被覆膜３と孔２の内面２ａとの固着強度が向上する。このような凹凸形状は、例えば、ウェットブラスト処理またはサンドブラスト処理によって形成することができる。
図１Ｄに示すように、孔２には、緩衝材４がさらに配置されていてもよい。緩衝材４は、例えば、内面２ａが被覆膜３で被覆された孔２に充填されて配置される。緩衝材４は、例えば、ガスバリア性及び／又は柔軟性を有する樹脂である。また、緩衝材４は、例えば、アルミナ、シリカ等のフィラーを含み、光反射性を有していてもよい。これにより、波長変換部材に入射する入射光の一部、または、波長変換層２０に含まれる量子ドット等が発する光の一部が孔２の内面２ａに到達したときに、その光を、光反射性を有する緩衝材４で反射させることができる。その結果、波長変換部材１００の上面から出射される光量を増やすことができる。すなわち、波長変換部材１００の発光効率を向上させることができる。緩衝材４は、例えば、フェニルシリコーン系の樹脂を含んでいてよい。
また、図１Ａに示す例では、上面視において、孔２は、積層体１の外周に沿って環状に連続して形成されている。しかしながら、孔は、図１Ｅに示すように、積層体１０１の外周に沿って、断続的に形成されていてもよい。すなわち、積層体１０１は、互いに離隔する複数の孔１０２を含んでいてもよい。なお、隣り合う孔１０２は、図１Ｅに示すように互いに離隔して配置されてもよく、又、孔１０２の端部同士が一部繋がるように配置されてもよい。また、隣り合う２つの孔１０２が離隔する距離は、小さいことが好ましい。これにより、孔１０２間を通って水分等が積層体１０１の内部に入り込むことを抑制することができる。この場合、隣り合う２つの孔１０２は、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下離隔してよく、好ましくは５０μｍ以上３００μｍ以下離隔してよい。なお、後述する通り、積層体１０１が互いに離隔する複数の孔１０２を含む場合、上面視で孔１０２間の離隔している領域の内側または外側に孔１０２をさらに配置することが好ましい。これにより、水分等が孔１０２間を通って積層体１０１の内部に入り込むことを効果的に抑制することができる。
また、図１Ａまたは図１Ｂ等で示す例では、孔２の幅が一定に形成されている。本明細書において、孔２の幅とは内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとの間の距離を示す。すなわち、上記に示す例では、上面視及び断面視において、内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとの間の距離が一定である。しかしながら、孔の幅は、上面視及び／又は断面視において、異なっていてもよい。
例えば、断面視において、孔２の幅は、積層体１の上面側から下面側に向けて狭くなっていてもよい。言い換えると、断面視において、内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとの間の距離は、第１バリア層１０に近づくにつれて小さくなっていてもよい。例えば、孔２は、内側の側面２ｃと外側の側面２ｄとが平面であり、且つ、孔２の幅が第１バリア層１０に近づくにつれて連続して小さくなっていてもよい。また、孔２の幅は、第１バリア層１０に近づくにつれて断続的に小さくなっていてもよい。すなわち、孔２は、内側の側面２ｃ及び／又は外側の側面２ｄにおいて段差を有していてもよい。
また、例えば、図１Ｆに示すように、上面視において、孔１１２は、幅が狭い幅狭部１１２Ａと、幅が広い幅広部１１２Ｂとを含んでいてもよい。幅狭部１１２Ａと幅広部１１２Ｂとは、連続していてよい。孔１１２は、複数の幅狭部１１２Ａと複数の幅広部１１２Ｂとを含んでいてよい。この場合、幅狭部１１２Ａと幅広部１１２Ｂとは、一定の間隔で交互に配列されていてもよい。積層体１１１の外周に沿って延びる幅広部１１２Ｂの長さ（以下、幅広部１１２Ｂの長さとも称する）Ｌ２は、積層体１の外周に沿って延びる幅狭部１１２Ａの長さ（以下、幅狭部１１２Ａの長さとも称する）Ｌ１よりも長くてよい。幅狭部１１２Ａの長さＬ１は、例えば、３μｍ以上２００μｍ以下であってよい。幅広部１１２Ｂの長さＬ２は、例えば、０．５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってよく、幅狭部１１２Ａの長さＬ１の１００倍以上であってよい。
図１Ｆに示す孔１１２は、例えば、以下のようにして形成される。まず、図１Ｅと同様にして、積層体１１１の外周に沿って互いに離隔する複数の孔１０２Ａを形成する。図１Ｆにおいて、孔１０２Ａは、図面下方の拡大図において点線で示されている。なお、図面の理解を容易にするために、孔１０２Ａを示す点線は、孔１０２の輪郭線を示す実線と重ならないように描かれている。複数の孔１０２Ａは、上面視で断続的に形成されている。この場合、複数の孔１０２Ａは第１ステップ目の孔とも言える。本明細書において、レーザ加工における「ステップ」とは、レーザ光を走査して照射する位置を先行する走査により照射した位置から異ならせる場合の各走査を意味する。一方で、レーザ光を走査して照射する位置を先行する走査により照射した位置と同一にする場合の各走査を「パス」という。次に、上面視で、複数の孔１０２Ａの内側または外側において、互いに離隔する複数の孔１０２Ｂを形成する。図１Ｆにおいて、孔１０２Ｂは、図面下方の拡大図において一点鎖線で示されている。なお、図面の理解を容易にするために、孔１０２Ｂを示す点線は、孔１０２の輪郭線を示す実線と重ならないように描かれている。図１Ｆでは、複数の孔１０２Ｂは、複数の孔１０２Ａの外側に配置されている。複数の孔１０２Ｂは、積層体１１１の外周に沿って形成される。複数の孔１０２Ｂは、上面視で断続的に形成される。この場合、複数の孔１０２Ｂは第２ステップ目の孔とも言える。また、複数の孔１０２Ｂは、例えば、複数の孔１０２Ａに平行になるように形成される。孔１０２Ｂは、上面視で、隣り合う２つの孔１０２Ａ間に跨って配置されることが好ましい。これにより、水分等が孔１０２Ａ間を通って積層体１１１の内部に入り込むことを効果的に抑制することができる。図１Ｆでは、複数の孔１０２Ａおよび複数の孔１０２Ｂは、互いに接しており、１つの孔１１２を形成している。なお、これに限られず、複数の孔１０２Ａおよび複数の孔１０２Ｂは離隔していてもよい。また、孔１１２は、第３ステップ目以降の孔を有していてよい。
（積層体）
図１Ｂに示すように、積層体１は、第１側面２４より内側に位置する積層体（以下、内側積層体１Ａとも称する）と、第１側面２４より外側に位置する積層体（以下、外側積層体１Ｂとも称する）と、を含む。図１Ｂでは、図の理解を容易にするために、内側積層体１Ａと外側積層体１Ｂとの境界を点線で示している。内側積層体１Ａは、波長変換部材１００の実質的な波長変換機能を担う部分である。上述したように、第１側面２４は、例えば、第１端面１３から距離が１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に設けられてよく、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下の範囲に設けられてよい。これにより、内側積層体１Ａの範囲を広くすることができる。
図１Ｂに示すように、積層体１は、第１側面２４より内側に位置する積層体（以下、内側積層体１Ａとも称する）と、第１側面２４より外側に位置する積層体（以下、外側積層体１Ｂとも称する）と、を含む。図１Ｂでは、図の理解を容易にするために、内側積層体１Ａと外側積層体１Ｂとの境界を点線で示している。内側積層体１Ａは、波長変換部材１００の実質的な波長変換機能を担う部分である。上述したように、第１側面２４は、例えば、第１端面１３から距離が１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に設けられてよく、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下の範囲に設けられてよい。これにより、内側積層体１Ａの範囲を広くすることができる。
積層体１において、第２側面１４、第１側面２４、及び第３側面３４は、厚み方向Ｚに交差する方向に延在してもよい。また、積層体１は、必要に応じてさらなる層を含んでいてもよい。さらなる層としては、例えば、ハードコート層、光学補償層、密着性付与層等を挙げることができる。
上記の構成を有する波長変換部材は、被覆膜３が、第１端面１３、第２端面２３、及び第３端面３３より内側に位置する。これにより、積層体１の側方から負荷される外力をまず第１端面１３、第２端面２３、及び第３端面３３で受けることができ、該外力により被覆膜３が損傷することを抑制できる。特に、第１側面２４を被覆する被覆膜３の損傷を抑制できる。その結果、量子ドットが水分等にさらされることが抑制され、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制できる。なお、積層体１の側方から負荷される外力とは、例えば、波長変換部材１００を液晶表示装置に配置する際、液晶表示装置のフレーム、位置決め部材等に接触することで負荷される力である。また、積層体１の側方から負荷される外力とは、例えば、波長変換部材の運搬時に負荷される力である。
上記の構成を有する波長変換部材において、積層体１は、第１側面２４より外側に位置する外側積層体１Ｂを含む。これにより、外側積層体１Ｂが、積層体１の側方から負荷される外力から被覆膜３を保護し、該外力により被覆膜３が損傷することを抑制できる。その結果、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制できる。同様に、外側積層体１Ｂは、該外力から内側積層体１Ａを保護し、内側積層体１Ａの損傷を抑制する。すなわち、外側積層体１Ｂが、積層体１の側方から負荷される外力に対する緩衝効果を有する。
また、上記の構成を有する波長変換部材において、孔２に緩衝材４を配置してもよい。これにより、積層体１の側方から負荷される外力から、被覆膜３及び内側積層体１Ａを緩衝材４でさらに保護し、被覆膜３及び内側積層体１Ａが損傷することをさらに抑制できる。その結果、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制できる。
また、上記の構成を有する波長変換部材において、被覆膜３は、第３側面３４、第１側面２４、及び第２側面１４を連続して被覆する。これにより、水分等が、第２バリア層３０と波長変換層２０との境界、及び第１バリア層１０と波長変換層２０との境界から積層体１に入り込むことを抑制できる。また、被覆膜３によって、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０の互いの接着強度を高めることができる。その結果、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制できる。
上記の構成を有する波長変換部材において、内面２ａが被覆膜３で被覆された孔２が、環状に設けられている。これにより、内側積層体１Ａに水分等が入り込むことを抑制でき、波長変換部材の波長変換効率の低下を抑制できる。
次に、被覆膜３、波長変換層２０、第１バリア層１０、及び第２バリア層３０の材料について詳細に説明する。
（被覆膜）
被覆膜３は、例えば、水分、酸素等をバリアする層である。被覆膜３は、第１層と、第１層上に配置される第２層と、を含んでいてもよい。第１層は、例えば、熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる。熱硬化型ウレタン樹脂は、例えば、アクリルポリオール樹脂とイソシアネートプレポリマーとを含む。熱硬化型ウレタン樹脂は、例えば、ヒドロキシ基を含有するアクリルポリオール樹脂と、分子内にＮＣＯ基を２個以上有するイソシアネート系化合物との複合物である。
被覆膜３は、例えば、水分、酸素等をバリアする層である。被覆膜３は、第１層と、第１層上に配置される第２層と、を含んでいてもよい。第１層は、例えば、熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる。熱硬化型ウレタン樹脂は、例えば、アクリルポリオール樹脂とイソシアネートプレポリマーとを含む。熱硬化型ウレタン樹脂は、例えば、ヒドロキシ基を含有するアクリルポリオール樹脂と、分子内にＮＣＯ基を２個以上有するイソシアネート系化合物との複合物である。
第２層は、例えば、塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなる。塩化ビニリデン樹脂は、例えば、サラン（登録商標）樹脂である。酸化物は、例えば、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との積層膜である。第２層として酸化物を採用する場合、第１層としてヒドロキシ基を含有するアクリルポリオール樹脂と、分子内にＮＣＯ基を少なくとも２個以上有するイソシアネート系化合物との複合物を採用すると、積層体１と酸化物との密着性を高めることができる。なお、第１層及び第２層はそれぞれ、材料に樹脂を採用する場合、該樹脂を複数回にわたって重ねて塗布して形成されてもよい。
また、被覆膜３は、例えば、めっき層と、めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含んでいてもよい。このような被覆膜３は、均一な厚さの被覆膜を形成することができる。めっき層は、例えば、めっきプライマー及び銅めっきの積層であってもよい。原子層堆積層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との積層である。
また、被覆膜３は、例えば、酸素プラズマ処理層と、酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含んでいてもよい。このような被覆膜３は、均一な厚さの被覆膜を形成することができる。化学気相成長層は、例えば、ポリパラキシレンの層である。化学気相成長層を採用することで、撥水性、及び、水蒸気、酸素等の気体に対するガスバリア性を高めることができる。さらに、化学気相成長層を採用することで、大気中の耐熱性を高めることができる。一例として、大気中で３００℃程度までの耐熱性を有する被覆膜３を形成することができる。また、酸素プラズマ処理層と化学気相成長層とを含む被覆膜３は、室温で成膜することができ、凹凸を有する面に対する被覆性が高い。
さらに、被覆膜３は、アルミナ、シリカ等のフィラーを含み、光反射性を有していてもよい。これにより、波長変換部材に入射する入射光の一部、または、波長変換層２０に含まれる量子ドット等が発する光の一部が孔２の内面２ａに到達したときに、その光を、光反射性を有する被覆膜３で反射させることができる。その結果、波長変換部材１００の上面から出射される光量を増やすことができる。
ここで、波長変換層２０は、例えば、９０℃を超える高温下に２時間以上さらされると、熱により損傷を受け、波長変換効率が低下することがある。それに対して、酸素プラズマ処理層と化学気相成長層とを含む被覆膜３の例は、８０℃以下で硬化および成膜することができるため、被覆膜３を形成する際に、波長変換層２０に熱による損傷を与えることを抑制できる。
また、被覆膜３は、後述する水分除去剤（水分捕捉剤）、酸素除去剤（酸素捕捉剤）、酸化防止剤、フィラー等からなる群から選択される少なくとも１種の機能性材料を含有する樹脂組成物からなる硬化樹脂層であってもよい。樹脂組成物は、例えば、母材としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂等を含んでいてよい。
一態様において被覆膜３は、孔２に充填される充填材からなっていてよい。充填材は、硬化性樹脂の硬化物を含んでいてよい、硬化性樹脂は、熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の光硬化性樹脂を含んでいてもよい。また、充填材はエチレン－ビニルアルコール共重合樹脂等のガスバリア性樹脂を含んでいてもよい。さらに充填材はアルミナ、シリカ等のフィラーを含み、光反射性を有していてもよい。
（波長変換層）
上述したように、波長変換層２０は量子ドットを含む。量子ドットとは、数ｎｍから数十ｎｍ程度の粒子径を有する半導体結晶粒子である。物質のサイズをナノメートルオーダーまで小さくすると、物質内に電子が限られた状態でしか存在できなくなる。そのため、電子状態が離散的となり、粒子サイズによってバンドギャップが変化する。量子ドットは光を吸収して、そのバンドギャップエネルギーに相当する波長の光を放出する。そのため、粒子サイズ、結晶組成等を制御することにより、量子ドットの発光波長を制御することができ、量子ドットは波長変換物質として機能する。波長変換層２０に含まれる量子ドットの粒径は、例えば、５０ｎｍ以下であってよい。量子ドットの粒径は、好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、１．６ｎｍ以上８ｎｍ以下、又は２ｎｍ以上７．５ｎｍ以下であってよい。
上述したように、波長変換層２０は量子ドットを含む。量子ドットとは、数ｎｍから数十ｎｍ程度の粒子径を有する半導体結晶粒子である。物質のサイズをナノメートルオーダーまで小さくすると、物質内に電子が限られた状態でしか存在できなくなる。そのため、電子状態が離散的となり、粒子サイズによってバンドギャップが変化する。量子ドットは光を吸収して、そのバンドギャップエネルギーに相当する波長の光を放出する。そのため、粒子サイズ、結晶組成等を制御することにより、量子ドットの発光波長を制御することができ、量子ドットは波長変換物質として機能する。波長変換層２０に含まれる量子ドットの粒径は、例えば、５０ｎｍ以下であってよい。量子ドットの粒径は、好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、１．６ｎｍ以上８ｎｍ以下、又は２ｎｍ以上７．５ｎｍ以下であってよい。
量子ドットを構成する半導体ナノ粒子の粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像で観察される粒子の外周の任意の二点を結ぶ線分であって、当該粒子の中心を通過する線分のうち、最も長い線分を指す。半導体ナノ粒子の平均粒径は、ＴＥＭ画像で観察される、粒径を計測可能な半導体ナノ粒子について、それぞれ粒径を測定し、それらの粒径の算術平均値を意味する。
半導体ナノ粒子がロッド状の形状を有するものである場合には、短軸の長さを粒径とみなす。ここで、ロッド状の形状の粒子とは、長軸を含む面を観察したときに、一方向に長い長方形状を含む四角形状（断面は、円、楕円、又は多角形状を有する）、楕円形状、又は多角形状（例えば鉛筆のような形状）等として観察されるものであって、短軸の長さに対する長軸の長さの比が１．２より大きいものを指す。ロッド状の形状の粒子について、長軸の長さは、楕円形状の場合には、粒子の外周の任意の二点を結ぶ線分のうち、最も長い線分を指し、四角形状又は多角形状の場合、外周を規定する辺の中で最も長い辺に平行であり、かつ粒子の外周の任意の二点を結ぶ線分のうち、最も長い線分を指す。短軸の長さは、外周の任意の二点を結ぶ線分のうち、前記長軸の長さを規定する線分に直交し、かつ最も長さの長い線分をいう。半導体ナノ粒子の平均粒径は、具体的には、５００００倍以上１５００００倍以下のＴＥＭ像で観察される、すべての計測可能な半導体ナノ粒子について粒径を測定し、それらの粒径の算術平均とする。ここで、「計測可能な」粒子は、ＴＥＭ像において粒子全体の輪郭が観察できるものである。したがって、ＴＥＭ像において、その一部が撮像範囲に含まれておらず、「切れて」いるような粒子は計測可能なものではない。１つのＴＥＭ像に含まれるナノ粒子が合計１００点以上である場合には、１つのＴＥＭ像を用いて平均粒径を求める。１つのＴＥＭ像に含まれるナノ粒子の数が少ない場合には、撮像場所を変更して、ＴＥＭ像をさらに取得し、２つ以上のＴＥＭ像に含まれる１００点以上の粒子について粒径を測定して平均粒径を求める。
量子ドットとして具体的には、例えば、ペロブスカイト系量子ドット、カルコパイライト系量子ドット、ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドット等が挙げられる。ペロブスカイト系量子ドットは、例えば下記式（１）で表される化合物を含んでいてよい。
［Ｍ１ ｗＡ１ （１－ｗ）］ｘＭ２ ｙＸｚ （１）
［Ｍ１ ｗＡ１ （１－ｗ）］ｘＭ２ ｙＸｚ （１）
前記式（１）中、Ｍ１は、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ及びＬｉからなる群から選択される少なくとも１種を含む第１元素を示す。Ａ１は、アンモニウムイオン、ホルムアミジニウムイオン、グアニジニウムイオン、イミダゾリウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン及びプロトン化チオウレアイオンからなる群から選択される少なくとも１種を含む非金属カチオンを示す。Ｍ２は、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ及びＢｉからなる群から選択される少なくとも１種を含む第２元素を示す。Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、シアン化物イオン、チオシアネート、イソチオシアネート及びスルフィドからなる群から選択される少なくとも１種を含むアニオン又は配位子を示す。ｘは１以上４以下の数であり、ｙは１以上２以下の数であり、ｚは３以上９以下の数であり、ｗは０以上１以下の数である。前記式（１）において、第１元素Ｍ１及び非金属カチオンＡ１の両方を含む場合、第１元素Ｍ１及び非金属カチオンＡ１は共に、配位子を構成する原子団を表す。
アンモニウムイオンは、例えば下記式（Ａ－１）で表されてよい。ホルムアミジニウムイオンは、例えば下記式（Ａ－２）で表されてよい。グアニジニウムイオンは、例えば下記式（Ａ－３）で表されてよい。プロトン化チオウレアイオンは、例えば下記式（Ａ－４）で表されてよい。イミダゾリウムイオンは、例えば下記式（Ａ－５）で表されてよい。ピリジニウムイオンは、例えば下記式（Ａ－６）で表されてよい。ピロリジニウムイオンは、例えば下記式（Ａ－７）で表されてよい。非金属カチオンを表す各式中、Ｒは、互いに独立して、水素原子、炭素数１から４のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ハロゲン原子及び擬ハロゲンからなる群から選択される少なくとも１種を表す。各式中の任意の２つのＲは互いに連結して炭素数３から６の含窒素脂肪族環を形成してもよい。
［Ｒ４Ｎ＋］ （Ａ－１）
［（ＮＲ２）２ＲＣ＋］ （Ａ－２）
［（ＮＲ２）３Ｃ＋］ （Ａ－３）
［（ＮＲ２）２Ｃ＋－ＳＲ］ （Ａ－４）
［（ＮＲ２）２ＲＣ＋］ （Ａ－２）
［（ＮＲ２）３Ｃ＋］ （Ａ－３）
［（ＮＲ２）２Ｃ＋－ＳＲ］ （Ａ－４）
前記式（１）で表される組成を有する化合物を含むペロブスカイト系量子ドットは、光源からの光照射によって緑色光又は赤色光を発する。ペロブスカイト系量子ドットは、緑色光に関しては、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、４７５ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光を発してよい。緑色光を発光するペロブスカイト系量子ドットの発光ピーク波長は、好ましくは５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、又は５２５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下の範囲内にあってよい。また、赤色光に関しては、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光を発してよい。赤色光を発光するペロブスカイト系量子ドットの発光ピーク波長は、好ましくは６１０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、又は６２５ｎｍ以上６３５ｎｍ以下の範囲内にあってよい。また、ペロブスカイト系量子ドットの発光スペクトルにおける半値幅は、例えば３５ｎｍ以下であってよく、好ましくは３０ｎｍ以下、又は２５ｎｍ以下であってよい。ペロブスカイト系量子ドットは、発光スペクトルにおいてバンド端発光を示してもよい。
カルコパイライト系量子ドットの第１態様は、例えば、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び硫黄（Ｓ）を含む第１半導体を含み、その表面には、Ｇａ及びＳを含む第２半導体が配置されて構成されていてよい。第２半導体は、さらにＡｇを含んでいてよい。第１半導体は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳを含むカルコパイライト型構造を有する半導体であってよい。カルコパイライト系量子ドットの第１態様では、第１半導体を含む粒子の表面に、第２半導体を含む付着物が配置されていてよく、第２半導体を含む付着物が第１半導体を含む粒子を被覆していてもよい。さらに、カルコパイライト系量子ドットは、例えば、第１半導体を含む粒子をコアとし、第２半導体を含む付着物をシェルとして、コアの表面にシェルが配置されるコアシェル構造を有していてもよい。第１態様のカルコパイライト系量子ドットの詳細については、例えば特開２０１８－０４４１４２号公報、国際公開第２０２２／１９１０３２号等の記載を参照することができる。
第１半導体は、少なくともＡｇを含み、その一部が置換されて銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）及びアルカリ金属（以下、Ｍａと記すことがある）の少なくとも１種をさらに含んでいてもよく、実質的にＡｇから構成されていてよい。ここで「実質的に」とは、ＡｇとＡｇ以外のＡｇを置換する元素の総原子数に対するＡｇ以外のＡｇを置換する元素の原子数の割合が、例えば１０％以下であり、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。また、第１半導体は、実質的にＡｇ及びアルカリ金属を構成元素としていてもよい。ここで「実質的に」とは、Ａｇ、アルカリ金属並びにＡｇ及びアルカリ金属以外のＡｇを置換する元素の総原子数に対するＡｇ及びアルカリ金属以外のＡｇを置換する元素の原子数の割合が、例えば１０％以下であり、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。なお、アルカリ金属には、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）が含まれる。
第１半導体は、例えば、以下の式（２ａ）で表される組成を有していてよい。
（ＡｇｐＭａ （１－ｐ））ｑＩｎｒＧａ（１－ｒ）Ｓ（ｑ＋３）／２ （２ａ）
ここで、ｐ、ｑ及びｒは、０＜ｐ≦１、０．２０＜ｑ≦１．２、０＜ｒ＜１を満たす。Ｍａはアルカリ金属を示す。
（ＡｇｐＭａ （１－ｐ））ｑＩｎｒＧａ（１－ｒ）Ｓ（ｑ＋３）／２ （２ａ）
ここで、ｐ、ｑ及びｒは、０＜ｐ≦１、０．２０＜ｑ≦１．２、０＜ｒ＜１を満たす。Ｍａはアルカリ金属を示す。
カルコパイライト系量子ドットの第１態様においては、表面に第２半導体が配置されていてもよい。第２半導体は、第１半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい半導体を含んでいてよい。第２半導体は、実質的にＧａ及びＳからなる半導体であってよい。また、第２半導体は、実質的にＡｇ、Ｇａ及びＳからなる半導体であってよい。ここで「実質的に」とは、Ｇａ及びＳを含む半導体、又は、Ａｇ、Ｇａ及びＳを含む半導体に含まれるすべての元素の原子数の合計を１００％としたときに、Ｇａ及びＳ以外、又は、Ａｇ、Ｇａ及びＳ以外の元素の原子数の割合が、例えば１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。
第１態様のカルコパイライト系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、４７５ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長範囲（例えば、緑色）に発光ピーク波長を有するバンド端発光を示してもよく、発光ピーク波長は好ましくは５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、又は５２５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下の範囲内であってよい。また、第１態様のカルコパイライト系量子ドットは、その発光スペクトルにおける半値幅が、例えば、４５ｎｍ以下であってよく、好ましくは４０ｎｍ以下、または３０ｎｍ以下あってよい。半値幅は例えば、１５ｎｍ以上であってよい。
カルコパイライト系量子ドットの第２態様は、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び硫黄（Ｓ）を含む第３半導体を含み、その表面には、Ｇａ及びＳを含む第４半導体が配置されて構成されていてよい。第４半導体は、さらにＡｇを含んでいてよい。第３半導体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳを含むカルコパイライト型構造を有する半導体であってよい。カルコパイライト系量子ドットの第２態様では、第３半導体を含む粒子の表面に、第４半導体を含む付着物が配置されていてよく、第４半導体を含む付着物が第３半導体を含む粒子を被覆していてもよい。さらに、カルコパイライト系量子ドットは、例えば、第３半導体を含む粒子をコアとし、第４半導体を含む付着物をシェルとして、コアの表面にシェルが配置されるコアシェル構造を有していてもよい。第２態様のカルコパイライト系量子ドットの詳細については、例えば国際公開２０２０／１６２６２２号、国際公開第２０２３／０１３３６１等の記載を参照することができる。
第３半導体は、少なくともＡｇとＣｕを含み、その一部が置換されて金（Ａｕ）及びアルカリ金属（Ｍａ）を含んでいてもよい。第３半導体は、実質的にＡｇ、Ｃｕ及びアルカリ金属を構成元素としていてもよい。ここで「実質的に」とは、Ａｇ、Ｃｕ及びアルカリ金属、並びにＡｇ、Ｃｕ及びアルカリ金属以外の元素の総原子数に対するＡｇ、Ｃｕ及びアルカリ金属以外の元素の原子数の割合が、例えば１０％以下であり、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。
第３半導体は、例えば、以下の式（２ｂ）で表される組成を有していてよい。
（ＡｇｓＣｕ（１－ｓ））ｔＩｎｕＧａ（１－ｕ）Ｓ（ｔ＋３）／２ （２ｂ）
ここで、ｓ、ｔ及びｕは、０＜ｓ＜１、０．２０＜ｔ≦１．２、０＜ｕ＜１を満たす。
（ＡｇｓＣｕ（１－ｓ））ｔＩｎｕＧａ（１－ｕ）Ｓ（ｔ＋３）／２ （２ｂ）
ここで、ｓ、ｔ及びｕは、０＜ｓ＜１、０．２０＜ｔ≦１．２、０＜ｕ＜１を満たす。
カルコパイライト系量子ドットの第２態様においては、表面に第４半導体が配置されていてもよい。第４半導体は、第３半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい半導体を含んでいてよい。第４半導体は、実質的にＧａ及びＳからなる半導体であってよい。また、第４半導体は、実質的にＡｇ、Ｇａ及びＳからなる半導体であってよい。ここで「実質的に」とは、Ｇａ及びＳを含む半導体、又は、Ａｇ、Ｇａ及びＳを含む半導体に含まれるすべての元素の原子数の合計を１００％としたときに、Ｇａ及びＳ以外、又は、Ａｇ、Ｇａ及びＳ以外の元素の原子数の割合が、例えば１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。
第２態様のカルコパイライト系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長範囲（例えば、赤色）に発光ピーク波長を有するバンド端発光を示してもよく、発光ピーク波長は好ましくは６１０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、又は６２５ｎｍ以上６３５ｎｍ以下の範囲内であってよい。また、第２態様のカルコパイライト系量子ドットは、その発光スペクトルにおける半値幅が、例えば、６０ｎｍ以下であってよく、好ましくは４０ｎｍ以下、または３０ｎｍ以下あってよい。半値幅は例えば、１５ｎｍ以上であってよい。
カルコパイライト系量子ドットの第３態様は、例えば、銀（Ａｇ）、ガリウム（Ｇａ）及びセレン（Ｓｅ）を含む第５半導体を含み、その表面には、亜鉛（Ｚｎ）及びＳ（硫黄）を含む第６半導体が配置されて構成されていてよい。第５半導体は、少なくともＡｇ、ＧａおよびＳｅを含み、その一部が置換されてインジウム（Ｉｎ）及び硫黄（Ｓ）を含んでいてもよい。また、第６半導体は、ＧａおよびＳｅの少なくとも一方をさらに含んでいてよい。第５半導体は、Ａｇ、Ｇａ及びＳｅを含むカルコパイライト型構造を有する半導体であってよい。カルコパイライト系量子ドットの第３態様では、第５半導体を含む粒子の表面に、第６半導体を含む付着物が配置されていてよく、第６半導体を含む付着物が第５半導体を含む粒子を被覆していてもよい。さらに、カルコパイライト系量子ドットは、例えば、第５半導体を含む粒子をコアとし、第６半導体を含む付着物をシェルとして、コアの表面にシェルが配置されるコアシェル構造を有していてもよい。第３態様のカルコパイライト系量子ドットの詳細については、例えば国際公開２０２１／０３９２９０等の記載を参照することができる。
第５半導体は、例えば、以下の式（２ｃ）で表される組成を有していてよい。
ＡｇＩｎｘＧａ１－ｘＳｙＳｅ１－ｙ （２ｃ）
ここで、ｘ及びｙは、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１を満たす。
ＡｇＩｎｘＧａ１－ｘＳｙＳｅ１－ｙ （２ｃ）
ここで、ｘ及びｙは、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１を満たす。
カルコパイライト系量子ドットの第３態様においては、表面に第６半導体が配置されていてもよい。第６半導体は、第５半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい半導体を含んでいてよい。第６半導体は、実質的にＺｎ及びＳからなる半導体であってよい。ここで「実質的に」とは、Ｚｎ及びＳを含む半導体に含まれるすべての元素の原子数の合計を１００％としたときに、Ｚｎ及びＳ以外の元素の原子数の割合が、例えば１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下であることを示す。
第３態様のカルコパイライト系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長範囲（例えば、赤色）に発光ピーク波長を有するバンド端発光を示してもよく、発光ピーク波長は好ましくは６１０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、又は６２５ｎｍ以上６３５ｎｍ以下の範囲内であってよい。また、第３態様のカルコパイライト系量子ドットは、その発光スペクトルにおける半値幅が、例えば、５０ｎｍ以下であってよく、好ましくは４０ｎｍ以下、または３０ｎｍ以下あってよい。半値幅は例えば、１５ｎｍ以上であってよい。
ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、ＩＩＩ－Ｖ族半導体を含む半導体ナノ粒子を含んでいてよい。ＩＩＩ－Ｖ族半導体としては、例えばＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＴｉＮ、ＴｉＰ、ＴｉＡｓ、ＴｉＳｂ等を挙げることができる。好適には、リン化インジウム（ＩｎＰ）である。
ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、ＩＩＩ－Ｖ族半導体を含む半導体ナノ粒子の表面に、半導体ナノ粒子を構成するＩＩＩ－Ｖ族半導体とは異なる第７半導体を含む付着物が配置されていてよく、第７半導体を含む付着物がＩＩＩ－Ｖ族半導体を含む粒子を被覆していてもよい。さらに、ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族半導体を含む粒子をコアとし、第７半導体を含む付着物をシェルとして、コアの表面にシェルが配置されるコアシェル構造を有していてもよい。第７半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい半導体であってよい。ＩＩＩ－Ｖ族半導体と第７半導体の組み合わせとしては、例えば、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＮ／ＧａＮ、ＩｎＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
例えば、ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって緑色光又は赤色光を発してよい。緑色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、４７５ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有するバンド端発光を示してよい。発光ピーク波長は、好ましくは５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、又は５２５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下の範囲内にあってよい。また、赤色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である光源からの光照射によって、６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有するバンド端発光を示してもよい。発光ピーク波長は好ましくは６１０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、又は６２５ｎｍ以上６３５ｎｍ以下の範囲内であってよい。また、ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットは、その発光スペクトルにおける半値幅が、例えば、６０ｎｍ以下であってよく、好ましくは４０ｎｍ以下、または３０ｎｍ以下あってよい。半値幅は例えば、１５ｎｍ以上であってよい。
量子ドットは、必要に応じてペロブスカイト系量子ドット、カルコパイライト系量子ドット及びＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドット以外の他の量子ドットを含んでいてもよい。他の量子ドットとしては、ＩＩ－ＶＩ族半導体、ＩＶ－ＶＩ族半導体、ＩＶ族半導体からなる群より選択される少なくとも１種を含む粒子が挙げられる。
ＩＩ－ＶＩ族半導体の具体例としては、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ等が挙げられる。ＩＶ－ＶＩ族半導体の具体例としては、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ等が挙げられる。ＩＶ族半導体の具体例としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ等が挙げられる。
量子ドットは、その表面に表面修飾剤が配置されていてもよい。表面修飾剤の具体例としては、炭素数２以上２０以下のアミノアルコール；イオン性表面修飾剤；ノニオン性表面修飾剤；炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含窒素化合物；炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含硫黄化合物；炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含酸素化合物；炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含リン化合物；第２族元素、第１２族元素及び第１３族元素からなる群から選択される少なくとも１種を含むハロゲン化物等を挙げることができる。表面修飾剤は、１種単独でも、異なる２種以上のものを組み合わせて用いてもよい。
表面修飾剤として用いられるアミノアルコールは、アミノ基及びアルコール性水酸基を有し、炭素数２以上２０以下の炭化水素基を含む化合物であればよい。アミノアルコールの炭素数は、好ましくは１０以下、より好ましくは６以下である。アミノアルコールを構成する炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルカン、アルケン、アルキン等の炭化水素に由来してよい。炭化水素に由来するとは、炭化水素から少なくとも２つの水素原子を取り除いて炭化水素基が構成されることを意味する。アミノアルコールとして具体的には、アミノエタノール、アミノプロパノール、アミノブタノール、アミノペンタノール、アミノヘキサノール、アミノオクタノール等を挙げることができる。例えば、半導体ナノ粒子表面にアミノアルコールのアミノ基が結合し、その反対側である粒子最表面に水酸基が露出することで半導体ナノ粒子の極性に変化が生じ、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等）への分散性が向上する。
表面修飾剤として用いられるイオン性表面修飾剤としては、分子内にイオン性官能基を有する含窒素化合物、含硫黄化合物、含酸素化合物等が挙げられる。イオン性官能基はカチオン性、アニオン性のいずれであってもよく、少なくともカチオン性基を有することが好ましい。表面修飾剤の具体例及び表面修飾の方法は、例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．４５，ｐｐ８９８－９００，２０１６の記載を参照することができる。
イオン性表面修飾剤は、例えば、３級又は４級アルキルアミノ基を有する含硫黄化合物であってよい。アルキルアミノ基のアルキル基の炭素数は、例えば１以上４以下であってよい。また、含硫黄化合物は、炭素数２以上２０以下のアルキル又はアルケニルチオールであってよい。イオン性表面修飾剤として具体的には、ジメチルアミノエタンチオールのハロゲン化水素塩、トリメチルアンモニウムエタンチオールのハロゲン塩、ジメチルアミノブタンチオールのハロゲン化水素塩、トリメチルアンモニウムブタンチオールのハロゲン塩等が挙げられる。
表面修飾剤として用いられるノニオン性表面修飾剤としては、例えば、アルキレングリコール単位、アルキレングリコールモノアルキルエーテル単位等を含むノニオン性官能基を有する含窒素化合物、含硫黄化合物、含酸素化合物等が挙げられる。アルキレングリコール単位におけるアルキレン基の炭素数は、例えば、２以上８以下であってよく、好ましくは２以上４以下である。またアルキレングリコール単位の繰り返し数は、例えば１以上２０以下であってよく、好ましくは２以上１０以下である。ノニオン性表面修飾剤を構成する含窒素化合物はアミノ基を有していてよく、含硫黄化合物はチオール基を有していてよく、含酸素化合物は水酸基を有していてよい。ノニオン性表面修飾剤の具体例としては、メトキシトリエチレンオキシエタンチオール、メトキシヘキサエチレンオキシエタンチオール等が挙げられる。
炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含窒素化合物としてはアミン類、アミド類等が挙げられる。炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含硫黄化合物としてはチオール類等が挙げられる。炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含酸素化合物としてはカルボン酸類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、ケトン類などが挙げられる。炭素数４以上２０以下の炭化水素基を有する含リン化合物としては、例えば、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアリールホスフィンオキシド等が挙げられる。
第２族元素、第１２族元素及び第１３族元素からなる群から選択される少なくとも１種を含むハロゲン化物としては、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化亜鉛、塩化カドミウム、塩化アルミニウム、塩化ガリウム等が挙げられる。
波長変換層２０に含まれる量子ドットは、４７５ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第１量子ドット及び６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第２量子ドットからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。また、量子ドットは、第１量子ドットの少なくとも１種及び第２量子ドットの少なくとも１種を含んでいてもよい。第１量子ドットは、例えばペロブスカイト系量子ドット、ＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドット及び第１態様のカルコパイライト系量子ドットからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。好ましくは、第１量子ドットは、ペロブスカイト系量子ドット及び第１態様のカルコパイライト系量子ドットからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。また第２量子ドットは、例えばペロブスカイト系量子ドット、第２態様のカルコパイライト系量子ドット、第３態様のカルコパイライト系量子ドット及びＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。好ましくは、第２量子ドットは、第２態様のカルコパイライト系量子ドット、第３態様のカルコパイライト系量子ドット及びＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。波長変換層２０が、第１量子ドットと第２量子ドットを含むことで、波長変換層２０に例えば発光ピーク波長が例えば３８０ｎｍ以上５４５ｎｍ以下の範囲内である青色光が照射されると、第１量子ドット及び第２量子ドットからそれぞれ緑色光及び赤色光が射出される。その結果、第１量子ドット及び第２量子ドットから射出される緑色光及び赤色光と、波長変換層２０を透過する青色光の混色により、白色光が得られる。
積層体１を構成する波長変換層は１層であってもよく、２層以上であってもよい。積層体１を構成する波長変換層２０が、例えば２層である場合は、一方の波長変換層２０が第１量子ドットを含み、他方の波長変換層２０が第２量子ドットを含んでいてよい。波長変換層２０は、例えば、緑色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、を含む。波長変換層２０は、緑色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットを含む層と、を含んでいてもよい。波長変換層２０は、緑色光を発するペロブスカイト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットを含む層と、を含んでいてもよい。波長変換層２０は、緑色光を発するペロブスカイト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、を含んでいてもよい。また波長変換層は、緑色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットを含む層と、を含んでいてよい。また波長変換層は、緑色光を発するペロブスカイト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するＩＩＩ－Ｖ族半導体系量子ドットを含む層と、を含んでいてよい。
波長変換層２０は、量子ドットに加えて必要に応じて量子ドット以外の発光材料として蛍光体の少なくとも１種を含んでいてもよい。蛍光体としては例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体などを用いることができる。本明細書において、蛍光体の組成を表す式中、カンマ（，）で区切られて記載されている複数の元素は、これらの複数の元素のうち少なくとも１種の元素を組成中に含有することを意味する。また、蛍光体の組成を表す式中、コロン（：）の前は母体結晶を表し、コロン（：）の後は賦活元素を表す。
波長変換層２０は、例えば、緑色光を発するカルコパイライト系量子ドットと、マンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体と、を含んでいてよい。波長変換層２０は、緑色光を発するペロブスカイト系量子ドットと、マンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体と、を含んでいてもよい。また、波長変換層は、緑色光を発するカルコパイライト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するマンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体を含む層と、を含んでいてよい。さらに波長変換層は、緑色光を発するペロブスカイト系量子ドットを含む層と、赤色光を発するマンガンで賦活されたフッ化物錯体蛍光体を含む層と、を含んでいてよい。
波長変換層２０は、量子ドットに加えて硬化樹脂を含んでいてもよい。硬化樹脂は、後述する光硬化性組成物の硬化物であってよい。波長変換層２０に含まれる量子ドットの含有率は、硬化樹脂の全量に対して、例えば、０．０１質量％以上１．０質量％以下であってよく、好ましくは０．０５質量％以上０．５質量％以下、又は０．１質量％以上０．５質量％以下であってよい。量子ドットの含有率が０．０１質量％以上であると、光を照射する際に充分な発光強度が得られる傾向にあり、量子ドットの含有率が１．０質量％以下であると、量子ドットの凝集が抑えられ、色ムラが抑制される傾向にある。
硬化樹脂を形成する光硬化性組成物は、例えば（メタ）アクリル化合物を含んでいてよい。（メタ）アクリル化合物は、１分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有する単官能（メタ）アクリル化合物であってもよく、１分子中に２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する多官能（メタ）アクリル化合物であってもよい。（メタ）アクリル化合物としては、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよく、単官能（メタ）アクリル化合物及び多官能（メタ）アクリル化合物を併用してもよい。ここで（メタ）アクリル化合物とは、アクリル化合物、メタクリル化合物及びこれらの混合物を包含し、類似の表記においても同様である。
（第１バリア層及び第２バリア層）
第１バリア層１０と第２バリア層３０とは、同一材料を採用することができる。
第１バリア層１０及び第２バリア層３０の酸素透過率は、例えば０．５ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であってよく、好ましくは０．３ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、又は０．１ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であってよい。第１バリア層１０及び第２バリア層３０の酸素透過率は、酸素透過率測定装置（例えば、ＭＯＣＯＮ社、ＯＸ－ＴＲＡＮ）を用いて、温度２３℃かつ相対湿度６５％の条件で測定することができる。
第１バリア層１０と第２バリア層３０とは、同一材料を採用することができる。
第１バリア層１０及び第２バリア層３０の酸素透過率は、例えば０．５ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であってよく、好ましくは０．３ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、又は０．１ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であってよい。第１バリア層１０及び第２バリア層３０の酸素透過率は、酸素透過率測定装置（例えば、ＭＯＣＯＮ社、ＯＸ－ＴＲＡＮ）を用いて、温度２３℃かつ相対湿度６５％の条件で測定することができる。
第１バリア層１０及び第２バリア層３０を構成する無機層を有するバリアフィルムは、例えば基材フィルムと基材フィルムの少なくとも一方の主面上に設けられる無機層とを有していてよい。また例えば、第１バリア層１０及び第２バリア層３０は、２つの基材フィルムと、２つの基材フィルムの間に配置される無機層を含む積層フィルムであってもよい。基材フィルムの構成材料としては、例えば、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。基材フィルムの構成材料としては、好ましくは、ポリエステル、セルローストリアセテートが挙げられる。
上記基材フィルムの平均厚みは、例えば１０μｍ以上１５０μｍ以下であってよく、好ましくは２０μｍ以上１２５μｍ以下であってよい。基材フィルムの平均厚みが、１０μｍ以上であると、波長変換部材のアッセンブリ、取扱い時における皺、折れの発生が効果的に抑制される。また１５０μｍ以下であれば、画像表示装置の軽量化及び薄膜化に資することができる。
基材フィルムは、単一のフィルムから構成されていてもよく、複数のフィルムから構成される積層フィルムであってもよい。このような積層フィルムは、用途に応じて、同種の構成原料のフィルムからなる複数の層から構成されていてもよく、異なる種類の構成原料のフィルムからなる複数の層から構成されていてもよい。
無機層は、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物等の無機化合物からなる膜であってよい。具体的には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属酸化物；窒化アルミニウム等の金属窒化物、炭化アルミニウム等の金属炭化物、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化窒化炭化ケイ素等のケイ素酸化物；窒化ケイ素、窒化炭化ケイ素等のケイ素窒化物；炭化ケイ素等のケイ素炭化物；これらの水素化物などを挙げることができる。無機層は１種の無機化合物から構成されていてもよく、２種以上の無機化合物から構成されていてもよい。
無機層の平均厚みは、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってよく、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上７５ｎｍ以下であってよい。
無機層は、形成材料に応じて公知の方法で形成すればよい。具体的には、ＣＣＰ－ＣＶＤ、ＩＣＰ－ＣＶＤ等のプラズマＣＶＤ法、マグネトロンスパッタリング、反応性スパッタリング等のスパッタリング法、真空蒸着法、気相堆積法などを挙げることができる。
第１バリア層１０及び第２バリア層３０の表面には、プリズム加工が施されていてよい。例えば、波長変換部材１００の出射面側に位置する第２バリア層３０の表面にアレイ状のプリズム加工が施される。これにより、波長変換部材１００の出射面において、効率的に光を出射することができる。また、波長変換部材１００の入射面側に位置する第１バリア層１０には、特定の波長の光を透過し、かつ、該特定の波長以外の波長の光を反射させる反射機構を設けてよい。第１バリア層１０は、例えば、ダイクロイックミラー層を備えていてよい。これにより、波長変換部材１００内で反射された光のうち波長変換部材１００の入射面側に戻る光を反射機構により出射面側に反射させることができる。なお、反射機構は、第２バリア層３０に設けられていてもよい。
第１バリア層１０及び第２バリア層３０がそれぞれ、主バリア層１５と、中間層１６と、を含む場合、上記の第１バリア層１０及び第２バリア層３０の材料は、主バリア層１５に適用できる。
中間層１６は、母材として例えば、波長変換層の説明で例示した硬化樹脂と同様の構成を有する硬化樹脂を含んでいてよい。中間層１６は、硬化樹脂に加えて機能性材料の少なくとも１種を更に含んでいてもよい。機能性材料としては、水分除去剤（水分捕捉剤）、酸素除去剤（酸素捕捉剤）、酸化防止剤等を挙げることができ、これらからなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてよい。
水分除去剤としては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の第２族元素の酸化物、ハイドロタルサイト、アルミノケイ酸塩（例えば、ゼオライト）、酸化ケイ素（例えば、シリカゲル）等が挙げられる。ここで、ハイドロタルサイトは、以下の式（３）で表される組成を有する化合物であってよい。
［Ｍ３ １－ｘＭ４ ｘ（ＯＨ）２］ｘ＋［Ａｎ－ ｘ/ｎ・ｍＨ２Ｏ］ｘ－ （３）
［Ｍ３ １－ｘＭ４ ｘ（ＯＨ）２］ｘ＋［Ａｎ－ ｘ/ｎ・ｍＨ２Ｏ］ｘ－ （３）
式（３）中、Ｍ３はＭｇ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋等の２価の金属イオンを示す。Ｍ４は、Ｆｅ３＋、Ｃｒ３＋、Ｃｏ３＋、Ｉｎ３＋等の３価の金属イオンを示す。Ａｎ－はＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、ＮＯ３
－、ＣＯ３
２－、ＳＯ４
２－、Ｆｅ（ＣＮ）６
３－、ＣＨ３ＣＯＯ－、シュウ酸イオン、サリチル酸イオンなどのｎ価のアニオンを示す。ｘは、０＜ｘ≦０．３３を満たす。ｍは正の数である。
また酸素除去剤としては、セリア－ジルコニア固溶体（ＣＺ固溶体）等が挙げられる。また酸化防止剤としては、アスコルビン酸、カテキン、ジブチルヒドロキシトルエン、トコフェロール、ブチルヒドロキシアニソール等が挙げられる。
中間層１６における機能性材料の含有量は、例えば硬化樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下であってよく、好ましくは０．１質量部以上１５質量部以下、又は０．１質量部以上２質量部以下であってよい。中間層１６における機能性材料の含有量を上記範囲に設定することで、外気等に含まれる水分等が入り込むことを抑制しつつ、機能性材料に起因する波長変換部材の発光効率の低下を抑制することができる。
２．実施形態２
図２に示すように、実施形態２に係る波長変換部材２００は、第１バリア層２１０の第２側面２１４、波長変換層２２０の第１側面２２４、及び第２バリア層２３０の第３側面２３４を被覆する被覆膜３が積層体２０１の外周面に露出する点で、実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。積層体２０１の外周面とは、積層体２０１を側方から見たときの積層体２０１の面全体をいう。また、この場合の積層体２０１の外周面は、積層体２０１を厚さ方向Ｚに直交する方向から見たときの積層体２０１の面全体とも言える。
図２に示すように、実施形態２に係る波長変換部材２００は、第１バリア層２１０の第２側面２１４、波長変換層２２０の第１側面２２４、及び第２バリア層２３０の第３側面２３４を被覆する被覆膜３が積層体２０１の外周面に露出する点で、実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。積層体２０１の外周面とは、積層体２０１を側方から見たときの積層体２０１の面全体をいう。また、この場合の積層体２０１の外周面は、積層体２０１を厚さ方向Ｚに直交する方向から見たときの積層体２０１の面全体とも言える。
波長変換部材２００は、実施形態１の波長変換部材１００と比較して、例えば、第２バリア層２３０、波長変換層２２０、及び第１バリア層２１０の外周に位置する部分を除去した形状である。第２バリア層２３０の第３側面２３４は、第２バリア層２３０の第３端面とも言え、波長変換層２２０の第１側面２２４は、波長変換層２０の第２端面とも言える。すなわち、実施形態２では、第２端面及び第３端面が、第１端面１３より内側に位置する。図２に示す例では、第３側面２３４、第１側面２２４、及び第２側面２１４は、厚み方向Ｚに対して交差して延在しているが、被覆膜３が第１端面１３よりも内側にいる限りにおいて、厚み方向Ｚに沿って延在していてもよい。
第１バリア層２１０は、第２側面２１４と第１端面１３との間で段部１７を有してもよい。段部１７の表面は、積層体２０１の外周面に露出し、被覆膜３で被覆されていてもよい。段部１７を被覆する被覆膜３は、例えば、第１端面１３より内側に位置する。
上記の構成を有する波長変換部材２００は、積層体２０１の側方から負荷される外力を第１端面１３により受けることができる。これにより、該外力から被覆膜３を保護し、被覆膜３が損傷することを抑制できる。また、実施形態２に係る波長変換部材２００では、後述する孔を設ける工程において、孔の開口を大きく取りやすい。これにより、被覆膜３を配置する工程において、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等により被覆膜３を配置しやすくなり、一様な膜厚の被覆膜３を形成することができる。
積層体２０１のうち被覆膜３と接する領域は、少なくとも凹凸形状を有することが好ましい。具体的には、第１バリア層２１０の第２側面２１４、波長変換層２２０の第１側面２２４、及び第２バリア層２３０の第３側面２３４は、凹凸形状を有することが好ましい。該領域に凹凸形状を設けることで、該領域と被覆膜３との固着強度が向上する。このような凹凸形状は、例えば、ウェットブラスト処理またはサンドブラスト処理によって形成することができる。以降の他の実施形態についても同様である。
３．実施形態３
図３に示すように、実施形態３に係る波長変換部材３００は、被覆膜３が、孔２に充填されて配置され、かつ、第６主面３２をさらに被覆する点で実施形態１の波長変換部材１００と異なる。さらに、実施形態３に係る波長変換部材３００は、第６主面３２上に積層された第３バリア層４０をさらに備える点で実施形態１の波長変換部材１００と異なる。
図３に示すように、実施形態３に係る波長変換部材３００は、被覆膜３が、孔２に充填されて配置され、かつ、第６主面３２をさらに被覆する点で実施形態１の波長変換部材１００と異なる。さらに、実施形態３に係る波長変換部材３００は、第６主面３２上に積層された第３バリア層４０をさらに備える点で実施形態１の波長変換部材１００と異なる。
第３バリア層４０は、第７主面４１と第８主面４２とを有する。第８主面４２は、厚み方向Ｚにおいて、第７主面４１の反対に位置する。第７主面４１と第８主面４２とは、例えば、厚み方向Ｚに直交する略平面である。第３バリア層４０の材料は、第１バリア層１０及び第２バリア層３０の材料と同一の材料を採用できる。第３バリア層４０は、被覆膜３を介して第２バリア層３０上に配置される。第３バリア層４０は、第７主面４１が第２バリア層３０の第６主面３２に向かい合って配置されるとも言える。
被覆膜３は、孔２に充填されて配置され、孔２の内面２ａを被覆する。被覆膜３は、さらに、第２バリア層３０と第３バリア層４０との間に配置される。被覆膜３は、第２バリア層３０の第６主面３２、及び第３バリア層４０の第７主面４１を被覆する。第２バリア層３０と第３バリア層４０との間に配置される被覆膜３の平均厚みは、例えば、第１バリア層１０の平均厚みの１％以上５０％以下であってよく、好ましくは５％以上１０％以下であってよい。該被覆膜３の平均厚みは、例えば、０．２μｍ以上１００μｍ以下であってよく、好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下であってよい。
第２バリア層３０の第６主面３２を被覆する被覆膜３と、孔２に充填される被覆膜３とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。被覆膜３は、例えば、孔２の内面２ａと、第６主面３２と、を連続して被覆する。
上記の構成を有する波長変換部材３００は、積層体３０１のバリア性能をより向上させることができる。具体的には、波長変換部材３００の上面側から波長変換層２０への水分、酸素等が入り込むことを第３バリア層４０、被覆膜３、及び第２バリア層３０で抑制することができ、バリア性能が向上する。
また、上記の構成を有する波長変換部材３００は、被覆膜３により積層体３０１に含まれる各層の互いの接着強度をより高めることができる。
また、上記の構成を有する波長変換部材３００は、被覆膜３により積層体３０１に含まれる各層の互いの接着強度をより高めることができる。
４．実施形態４
図４に示すように、実施形態４に係る波長変換部材４００は、被覆膜３が孔２に充填されて配置されており、かつ、第４主面２２を被覆する点において、実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。また、実施形態４に係る波長変換部材４００は、孔２が、波長変換層２０及び第１バリア層１０の一部にわたって設けられ、第２バリア層３０に設けられない点で実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。
図４に示すように、実施形態４に係る波長変換部材４００は、被覆膜３が孔２に充填されて配置されており、かつ、第４主面２２を被覆する点において、実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。また、実施形態４に係る波長変換部材４００は、孔２が、波長変換層２０及び第１バリア層１０の一部にわたって設けられ、第２バリア層３０に設けられない点で実施形態１に係る波長変換部材１００と異なる。
被覆膜３は、孔２に充填されて配置され、孔２の内面２ａを被覆する。実施形態４において、内側の側面２ｃは、第１側面２４及び第２側面１４を含む。被覆膜３は、さらに、波長変換層２０と第２バリア層３０との間に配置される。第２バリア層３０は、被覆膜３を介して波長変換層２０上に配置される。第２バリア層３０は、第５主面３１が波長変換の第４主面２２に向かい合って配置されるとも言える。被覆膜３は、波長変換層２０の第４主面２２、及び第２バリア層３０の第５主面３１を被覆する。波長変換層２０と第２バリア層３０との間に配置される被覆膜３の平均厚みは、第１バリア層１０の平均厚みの１％以上５０％以下であってよく、好ましくは５％以上１０％以下であってよい。該被覆膜３の平均厚みは、例えば、例えば、０．２μｍ以上１００μｍ以下であってよく、好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下であってよい。
波長変換層２０の第４主面２２を被覆する被覆膜３と、孔２に充填される被覆膜３とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。例えば、第４主面２２を被覆する被覆膜３と孔２に充填される被覆膜３とは同じ材料であり、被覆膜３は孔２の内面２ａと第４主面２２とを連続して被覆する。
上記の構成を有する波長変換部材４００は、積層体４０１のバリア性能をより向上させることができる。具体的には、波長変換部材４００の上面側から波長変換層２０への水分、酸素等が入り込むことを第２バリア層３０、及び被覆膜３で抑制することができ、バリア性能が向上する。
５．製造方法１
実施形態１の波長変換部材１００の製造方法（以下、製造方法１とも称する）について説明する。
製造方法１は、
（１－１）積層体シートを準備する工程と、
（１－２）孔を形成する工程と、
（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程と、
（１－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程と、
を含んでよい。
製造方法１は、さらに、
（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程
を含んでいてよい。
実施形態１の波長変換部材１００の製造方法（以下、製造方法１とも称する）について説明する。
製造方法１は、
（１－１）積層体シートを準備する工程と、
（１－２）孔を形成する工程と、
（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程と、
（１－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程と、
を含んでよい。
製造方法１は、さらに、
（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程
を含んでいてよい。
（１－１）積層体シートを準備する工程
図５Ａに示すように、本工程で準備される積層体シート５０１は、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０と、を含む。第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０とは、この順で厚み方向Ｚに配置される。
図５Ａに示すように、本工程で準備される積層体シート５０１は、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０と、を含む。第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０とは、この順で厚み方向Ｚに配置される。
第１バリアシート５１０は、第１主面５１１と、第１主面５１１の反対に位置する第２主面５１２と、を含む。第１主面５１１と第２主面５１２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に配置される。第１バリアシート５１０は、主バリアシートと、中間シートと、を含んでいてもよい。中間シートは、主バリアシート及び波長変換シート５２０の間に積層される。
波長変換シート５２０は、第３主面５２１と、第３主面５２１の反対に位置する第４主面５２２と、を含む。第３主面５２１と第４主面５２２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に配置される。波長変換シート５２０は、第３主面５２１と第１バリアシート５１０の第２主面５１２とが向かいあって第１バリアシート５１０上に配置される。波長変換シート５２０は、量子ドットを含む。
第２バリアシート５３０は、第５主面５３１と、第５主面５３１の反対に位置する第６主面５３２と、を含む。第５主面５３１と第６主面５３２とは、厚み方向Ｚにおいて反対に配置される。第２バリアシート５３０は、第５主面５３１と波長変換シート５２０の第４主面５２２とが向かいあって波長変換シート５２０上に配置される。
積層体シート５０１は、例えば、以下のようにして製造することができる。連続搬送されるフィルム状の第１バリアシート５１０の表面に、波長変換シート５２０の材料である光硬化性組成物を付与して第１組成物層を形成する。光硬化性組成物の付与方法としては例えば、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法、ロールコーティング法等が挙げられる。次いで第１組成物層上にフィルム状の第２バリアシート５３０を貼り合わせる。これにより第１バリアシート５１０、第１組成物層及び第２バリアシート５３０がこの順に積層された積層体シート５０１の前駆体が得られる。次いで、いずれかの第１バリアシート５１０側及び／又は第２バリアシート５３０側から光を照射することにより、第１組成物層を硬化して波長変換シート５２０を形成して、第１バリアシート５１０、波長変換シート５２０及び第２バリアシート５３０がこの順に積層された積層シートが得られる。このとき必要に応じて、光を照射する前に第１組成物層に乾燥処理、熱処理等を実施してもよい。なお、積層体シート５０１は、上記の製造方法により準備してもよく、また譲受等により準備してもよい。
積層体シート５０１は、さらに、第１主面５１１を被覆する第１保護シート５５１、及び第６主面５３２を被覆する第２保護シート５５２を含んでいてよい。第１保護シート５５１及び第２保護シート５５２の材料は、例えば、表面がアクリル樹脂又はシリコーン樹脂で被覆されたポリイミドフィルムである。第１保護シート５５１及び第２保護シート５５２は、波長変換部材を製造するために使用され、後の工程で除去される。レーザ光が入射される側に配置される保護シートは、例えば、レーザ光で積層体シート５０１を溶断する際に、溶断時に発生する樹脂飛散物が積層体シート５０１の表面に付着することを抑制するものである。
（１－２）孔を形成する工程
図５Ｂに示すように、本工程では、積層体シート５０１に孔２を形成する。孔２は、第２バリアシート５３０と、波長変換シート５２０と、第１バリアシート５１０の一部と、にわたって形成される。孔２は、内面２ａを有する。内面２ａは、第３側面３４と、第１側面２４と、第２側面１４と、を含む。第３側面３４は、第５主面５３１及び第６主面５３２を接続する。第１側面２４は、第３主面５２１及び第４主面５２２を接続する。第２側面１４は、第２主面５１２に接続する。内面２ａはさらに、第１バリアシート５１０からなる底面２ｂを含む。孔２は、例えば、上面視において、後述する予備波長変換部材５０５の外周に沿って形成される。孔２は、該外周に沿って環状に形成されてもよい。
図５Ｂに示すように、本工程では、積層体シート５０１に孔２を形成する。孔２は、第２バリアシート５３０と、波長変換シート５２０と、第１バリアシート５１０の一部と、にわたって形成される。孔２は、内面２ａを有する。内面２ａは、第３側面３４と、第１側面２４と、第２側面１４と、を含む。第３側面３４は、第５主面５３１及び第６主面５３２を接続する。第１側面２４は、第３主面５２１及び第４主面５２２を接続する。第２側面１４は、第２主面５１２に接続する。内面２ａはさらに、第１バリアシート５１０からなる底面２ｂを含む。孔２は、例えば、上面視において、後述する予備波長変換部材５０５の外周に沿って形成される。孔２は、該外周に沿って環状に形成されてもよい。
孔２は、厚み方向Ｚに沿って形成される。孔２は、第２保護シート５５２、第２バリアシート５３０、波長変換シート５２０、及び第１バリアシート５１０の一部を、例えば厚み方向Ｚに除去することで形成される。本明細書では、このように積層体シート５０１の一部を除去することをハーフカットとも称する。孔２は、第１バリアシート５１０の第１主面５１１および第１保護シート５５１には達しない。
孔２は、例えば、レーザ加工によって積層体シート５０１をハーフカットして形成される。レーザの種類は、レーザ光の波長が、第１バリア層１０、波長変換層２０、及び第２バリア層３０に吸収がある波長域を含むものであればよい。レーザ加工により孔２を形成することで、内面２ａを滑らかな面にすることができる。孔２の形成に用いられるレーザのレーザ光は、例えば、２５５ｎｍ以上１０．６μｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光である。また、レーザ光のスポット径は、例えば、３μｍ以上２００μｍ以下である。
孔２の形成に用いられるレーザは、例えばＣＯ２レーザである。ＣＯ２レーザの波長は、例えば１０．６μｍである。ＣＯ２レーザの走査速度は、例えば１００ｍｍ／ｓ以上４００ｍｍ／ｓ以下であり、周波数は、例えば１ｋＨｚ以上３０ｋＨｚ以下であり、出力は、例えば３．４Ｗ以上１００Ｗ以下である。孔２は、例えば、周波数が５ｋＨｚであり、出力が３０ＷであるＣＯ２レーザを走査速度２００ｍｍ／ｓで２パス又は２ステップ照射して形成される。孔２の形成に用いられるレーザは、紫外線（ＵＶ）レーザ、グリーンレーザ等であってもよい。また、ダイシングにより、孔２を形成してもよい。
孔２は、ガルバノ方式のレーザ照射装置により形成されてよい。レーザ光源は、例えばＣＯ２レーザである。ガルバノ方式のレーザ照射装置は、例えば２つのガルバノミラーと、ガルバノミラーで反射された光が入射するレンズと、を有する。２つのガルバノミラーは、例えば、波長変換部材を上から見たときに、反射光を第１方向について制御するガルバノミラーと、反射光を第１方向と交差する第２方向について制御するガルバノミラーと、を含む。ガルバノ方式のレーザ照射装置では、２枚のガルバノミラーの角度を変化させることで任意の照射位置に対してレーザ光を照射することができるため、例えばノズルを移動させながらレーザ光を照射するレーザ照射装置と比べて、直線以外の微細な加工（例えば、Ｒ加工等）を行いやすくなる。
レーザ加工により孔２を形成する場合、孔２は、１回のパスによる照射で形成されてもよく、複数回のパス又は複数回のステップによる照射で形成されてもよい。
また、孔２を複数ステップ（例えば、２ステップ）で形成する場合、例えば、図６Ａに示す照射位置に１ステップ目の照射を行い、図６Ｂに示す照射位置に２ステップ目の照射を行う。２ステップ目の照射位置は、１ステップ目の照射位置よりも外側に位置している。これにより、１ステップ目と２ステップ目とで照射位置を移動させずに照射を行う場合と比較して、孔２の開口を広くすることができる。さらに、孔２の内面２ａの面積を広くすることができる。２ステップ目の照射位置を１ステップ目の照射位置より内側に移動させても同様に、孔２の開口、及び内面２ａの面積を広くすることができる。２ステップ目の照射において、１ステップ目の照射位置から外側又は内側へ移動させる距離は、例えば、レーザ光のスポット径以下であり、好ましくは３μｍ以上２００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以上１５０μｍ以下である。なお、図６Ｂ、図７、及び図８では、例示的に、１ステップ目の照射光を破線で示し、２ステップ目の照射光を一点鎖線で示している。また、孔を形成する工程の説明において、「内側」及び「外側」とは、製造される波長変換部材における内側及び外側を意味する。
このように照射位置を移動させて孔２の開口を広くすることにより、後述の、孔の内面を被覆膜で被覆する工程において、被覆膜３の材料を孔２に配置しやすくなる。また、被覆膜３の材料として樹脂を採用し、樹脂を孔２に塗布した際、孔２からあふれ出る等した樹脂が、積層体シート５０１の上面に堆積することを抑制できる。これにより、供給される所定量の樹脂を孔２内に配置することができる。また、積層体シート５０１が第２保護シート５５２を含まない場合、又は第２保護シート５５２を除去した後に被覆膜３を形成する場合に、樹脂が第２バリアシート５３０の上面に堆積することを抑制でき、製造される波長変換部材の表面を滑らかにできる。さらに、照射位置を移動させて孔２の内面２ａの面積を広くすることにより、被覆膜３と積層体シート５０１との密着強度を高めることができる。その結果、積層体１と被覆膜３との密着強度が高い波長変換部材を得ることができる。また、２ステップ目の照射位置を１ステップ目の照射位置よりも外側に移動させると、製造された波長変換部材において、内側積層体１Ａの範囲を広くすることができる。
また、図１Ｆに示す波長変換部材を製造する場合、製造される波長変換部材の外周に沿って、２ステップ目の照射位置を１ステップ目の照射位置より外側又は内側に移動させることで、幅狭部と幅広部とを含む孔を形成することができる。これにより、孔の開口、及び孔の内面の面積を広くできる。
また、レーザ加工により孔２を形成する場合、１ステップ目の照射位置から２ステップ目の照射位置を内側又は外側へ移動させ、且つ、１ステップ目における照射光の照射強度とステップ目の照射光の照射強度とを異ならせてもよい。例えば、図７に示すように、２ステップ目の照射位置を１ステップ目の照射位置より外側に移動させ、かつ、２ステップ目における照射光の照射強度を１ステップ目における照射光の照射強度よりも弱くする。２ステップ目における照射光の照度強度は、例えば、波長変換シート５２０にレーザ光が到達しない照射強度である。２ステップ目の照射光の照度強度は、例えば、第２バリアシート５３０の少なくとも一部を除去する照射強度であってよい。これにより、孔２の開口、及び孔２の内面２ａの面積を広くできる。さらに、第２バリアシート５３０から露出する波長変換シート５２０の範囲を狭くすることができる。その結果、製造された波長変換部材において、第２バリア層３０から露出した波長変換層２０の範囲を狭くでき、水分、酸素等が波長変換層２０に入り込むことをより抑制できる。
また、１ステップ目における照射光の照射強度と２ステップ目の照射光の照射強度とを異ならせ、かつ、１ステップ目における照射光の照射幅と２ステップ目における照射光の照射幅とを異ならせてもよい。例えば、図８に示すように、２ステップ目における照射光の照射強度を１ステップ目における照射光の照射強度よりも弱くし、かつ、２ステップ目における照射光の照射幅を１ステップ目における照射光の照射幅より広くする。２ステップ目における照射光の照度強度は、例えば、第２バリアシート５３０の一部を除去し、波長変換シート５２０に達しない照射強度である。２ステップ目における照射光の照度幅は、例えば、１ステップ目の照射光における照射幅の１．５倍以上４倍以下である。これにより、孔２の開口、及び孔２の内面２ａの面積を広くできる。さらに、第２バリアシート５３０から露出する波長変換シート５２０の範囲を狭くすることができる。
また、図８の形態において、２ステップ目の照射位置は、上面視で、２ステップ目の孔の底面が１ステップ目で形成される孔と重なる範囲で内側又は外側に移動させてもよい。２ステップ目の照射位置は、例えば、１回目のステップの照射位置よりも５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で内側又は外側である。これにより、孔２の開口、及び孔２の内面２ａの面積を広くできるとともに、第２バリアシート５３０から露出する波長変換シート５２０の範囲を狭くすることができる。
なお、レーザ加工におけるステップ数は２回に限定されず、３回以上であってもよい。３回以上の複数ステップで照射する場合も、適宜、照射位置を移動させること、照射強度を異ならせること、及び／若しくは、照射幅を異ならせること、で上記と同様の効果が得られる。また、孔２は、１回のパスによる照射で形成されてよく、２回以上のパスによる照射で形成されてよい。
また、孔２は、カッター等を用いて積層体シート５０１をハーフカットして形成されてもよい。カッターは、トムソン刃、超音波カッター等を採用できる。孔２は、例えば、積層体シート５０１にカッターを押し込み、積層体シート５０１を圧縮させて形成される。また、孔２は、積層体シート５０１に加熱したカッターを押し込み、積層体シート５０１を熱溶融させて形成してもよい。熱溶解させることで、内面２ａを滑らかな面にすることができる。
また、孔２は、いわゆる精密ハーフカットにより形成されてもよい。具体的には、孔２は、精密ハーフカットにより、第２保護シート５５２、第２バリアシート５３０、波長変換シート５２０、及び第１バリアシート５１０の一部を除去して形成されてもよい。
また、孔２は、マスクを用いたブラスト処理、プラズマによるドライエッチング処理等で形成されてもよい。
孔を形成する工程は、孔２を形成した後に、孔２の内面２ａに対して凹凸形状を形成する工程をさらに有していてよい。このような工程として、例えば、ウェットブラスト処理またはサンドブラスト処理を用いることができる。
第１バリアシート５１０が主バリアシートと中間シートとを含む場合、孔２は、例えば、第２バリアシート５３０と、波長変換シート５２０と、中間シートと、にわたって形成される。すなわち、孔２が形成される第１バリアシート５１０の一部は、中間シートであってもよい。
（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程
図５Ｃに示すように、本工程では、内面２ａを被覆膜３で被覆する。このとき、第２保護シート５５２の表面も併せて被覆膜３で被覆してもよい。被覆膜３の材料として樹脂を採用する場合、樹脂を内面２ａに塗布し、硬化させることで被覆膜３を形成できる。樹脂は、例えば、エアディスペンサによって孔２に配置されることで、内面２ａに塗布される。また、容量計量式、スクリュー式、ジェット式等のディスペンス方式を用いてもよい。このように樹脂を塗布して被覆膜３を形成する場合、塗布後であり硬化前の樹脂が、重力により底面２ｂ側に移動する。その結果、例えば、第１側面２４を被覆する被覆膜３を、第３側面３４を被覆する被覆膜３よりも厚くできる。これにより、波長変換層２０に水分等が入り込むことをより抑制することができる。なお、樹脂の塗布と硬化とを複数回にわたって実施し被覆膜３を形成することで、該重力を利用して第１側面２４の被覆膜３をより厚くすることができる。
図５Ｃに示すように、本工程では、内面２ａを被覆膜３で被覆する。このとき、第２保護シート５５２の表面も併せて被覆膜３で被覆してもよい。被覆膜３の材料として樹脂を採用する場合、樹脂を内面２ａに塗布し、硬化させることで被覆膜３を形成できる。樹脂は、例えば、エアディスペンサによって孔２に配置されることで、内面２ａに塗布される。また、容量計量式、スクリュー式、ジェット式等のディスペンス方式を用いてもよい。このように樹脂を塗布して被覆膜３を形成する場合、塗布後であり硬化前の樹脂が、重力により底面２ｂ側に移動する。その結果、例えば、第１側面２４を被覆する被覆膜３を、第３側面３４を被覆する被覆膜３よりも厚くできる。これにより、波長変換層２０に水分等が入り込むことをより抑制することができる。なお、樹脂の塗布と硬化とを複数回にわたって実施し被覆膜３を形成することで、該重力を利用して第１側面２４の被覆膜３をより厚くすることができる。
（１－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程
図５Ｄに示すように、本工程では、第６主面５３２から第１主面５１１に向かって積層体シート５０１を切断する。言い換えると、積層体シート５０１を厚み方向Ｚに切断する。該切断により、第１主面５１１に接続する第１端面１３を露出させ、孔２を含む予備波長変換部材５０５を形成する。
図５Ｄに示すように、本工程では、第６主面５３２から第１主面５１１に向かって積層体シート５０１を切断する。言い換えると、積層体シート５０１を厚み方向Ｚに切断する。該切断により、第１主面５１１に接続する第１端面１３を露出させ、孔２を含む予備波長変換部材５０５を形成する。
予備波長変換部材５０５は、第３主面５２１に交差するとともに第１端面１３を通る一の断面Ｍ１において、孔２が第１端面１３よりも内側に位置する。断面Ｍ１において、孔２の内面２ａに含まれる第１側面２４は、例えば、第１端面１３から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する。
積層体シート５０１の切断は、孔２を形成する工程と同様に、例えば、レーザ加工、カッターによる切断、精密ハーフカット等によって実施される。積層体シート５０１の切断に用いられるレーザのレーザ光は、例えば、２５５ｎｍ以上１０．６μｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光である。また、レーザ光のスポット径は、例えば、３μｍ以上２００μｍ以下である。
積層体シート５０１の切断に用いられるレーザは、例えばＣＯ２レーザである。ＣＯ２レーザの波長は、例えば１０．６μｍである。ＣＯ２レーザの走査速度は、例えば５０ｍｍ／ｓ以上４００ｍｍ／ｓ以下であり、周波数は、例えば１ｋＨｚ以上３０ｋＨｚ以下であり、出力は、例えば３．４Ｗ以上１００Ｗ以下である。積層体シート５０１は、例えば、周波数が５ｋＨｚであり、出力が３０ＷであるＣＯ２レーザを走査速度１００ｍｍ／ｓで１パス照射して切断できる。
（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程
図５Ｅに示すように、本工程では、第１保護シート５５１、第２保護シート５５２の表面を被覆する被覆膜３、及び第２保護シート５５２を除去し、積層体１を含む波長変換部材１００を得る。第１保護シート５５１、第２保護シート５５２の表面を被覆する被覆膜３、及び第２保護シート５５２は、例えば、エッチング、酸素、フッ素等のガスを用いたプラズマエッチング、レーザエッチング、又はブラストエッチング等によって除去される。さらに、ここで、孔２に緩衝材を配置してもよい。緩衝材を配置する工程は、（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程の後であれば、いずれのタイミングで行ってもよい。
図５Ｅに示すように、本工程では、第１保護シート５５１、第２保護シート５５２の表面を被覆する被覆膜３、及び第２保護シート５５２を除去し、積層体１を含む波長変換部材１００を得る。第１保護シート５５１、第２保護シート５５２の表面を被覆する被覆膜３、及び第２保護シート５５２は、例えば、エッチング、酸素、フッ素等のガスを用いたプラズマエッチング、レーザエッチング、又はブラストエッチング等によって除去される。さらに、ここで、孔２に緩衝材を配置してもよい。緩衝材を配置する工程は、（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程の後であれば、いずれのタイミングで行ってもよい。
上記では、（１－４）予備波長変換部材を形成する工程が（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程の後に実施される場合を説明した。なお、（１－４）予備波長変換部材を形成する工程は、（１－２）孔を形成する工程と（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程との間に実施されてもよい。（１－４）予備波長変換部材を形成する工程が、（１－２）孔を形成する工程の後に実施される場合、波長変換部材に対して、ハーフカットを行う工程とフルカットを行う工程との２つのカット工程を連続して実施することができる。これにより、２つのカット工程を同じ切断装置内で実施することができるため、カット工程にかかる時間を短縮することができる。なお、（１－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程は、予備波長変換部材から第２保護シート５５２を除去した後に行われてもよい。
６．製造方法２
実施形態２に係る波長変換部材２００の製造方法（製造方法２）は、孔を含む予備波長変換部材を形成する工程において、積層体シート５０１を切断する箇所が、製造方法１と異なる。また、製造方法２では、孔を形成する工程において、孔２が形成される方向が製造方法１と異なっていてもよい。また、製造方法２では、孔の内面を被覆膜で被覆する工程において、被覆膜３を形成後、被覆膜３の一部を除去する点で製造方法１と異なっていてもよい。
実施形態２に係る波長変換部材２００の製造方法（製造方法２）は、孔を含む予備波長変換部材を形成する工程において、積層体シート５０１を切断する箇所が、製造方法１と異なる。また、製造方法２では、孔を形成する工程において、孔２が形成される方向が製造方法１と異なっていてもよい。また、製造方法２では、孔の内面を被覆膜で被覆する工程において、被覆膜３を形成後、被覆膜３の一部を除去する点で製造方法１と異なっていてもよい。
以下に製造方法１と異なる点を具体的に説明する。なお、製造方法１と同一の内容は省略する。具体的には、製造方法２における（２－１）積層体シートを準備する工程、及び（２－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程はそれぞれ、製造方法１における（１－１）積層体シートを準備する工程、及び（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程と同一であるため、以下では省略する。
（２－２）孔を形成する工程
図９Ａに示す積層体シート５０１において、孔２０２は、第２保護シート５５２と、第２バリアシート５３０と、波長変換シート５２０と、第１バリアシート５１０の一部と、を厚み方向Ｚに対して交差する方向に形成される。具体的には、孔２０２を構成する第３側面２３４、第１側面２２４、第２側面２１４は、この順で、製造目的の波長変換部材２００の内側から外側に向かって拡がって傾斜する。換言すると、形成された孔２０２の内面２０２ａは、厚み方向Ｚに交差する第２側面２１４、第１側面２２４、及び第３側面２３４を含む。
図９Ａに示す積層体シート５０１において、孔２０２は、第２保護シート５５２と、第２バリアシート５３０と、波長変換シート５２０と、第１バリアシート５１０の一部と、を厚み方向Ｚに対して交差する方向に形成される。具体的には、孔２０２を構成する第３側面２３４、第１側面２２４、第２側面２１４は、この順で、製造目的の波長変換部材２００の内側から外側に向かって拡がって傾斜する。換言すると、形成された孔２０２の内面２０２ａは、厚み方向Ｚに交差する第２側面２１４、第１側面２２４、及び第３側面２３４を含む。
孔を形成する工程は、孔２０２を形成した後に、孔２０２の内面２０２ａに対して凹凸形状を形成する工程をさらに有していてよい。このような工程として、例えば、ウェットブラスト処理またはサンドブラスト処理を用いることができる。以降の他の実施形態に係る製造方法についても同様である。
（２－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程
孔２０２を形成した後、製造方法１と同様の方法により、孔２０２の内面２０２ａを被覆膜３で被覆する。なお、このとき、第２保護シート５５２の表面も被覆膜３で被覆してもよい。
孔２０２を形成した後、製造方法１と同様の方法により、孔２０２の内面２０２ａを被覆膜３で被覆する。なお、このとき、第２保護シート５５２の表面も被覆膜３で被覆してもよい。
その後、図９Ｂに示すように、孔２０２の底面２ｂの被覆膜３の一部を除去し、第１バリアシート５１０を露出させる。該除去は、例えば、エッチング、酸素、フッ素等のガスを用いたプラズマエッチング、レーザエッチング、又はブラストエッチング等で行われる。このとき、第１バリアシート５１０の一部をともに除去し、第１バリアシート５１０を露出させてもよい。該一部を除去することで、段部１７を形成することができる。
（２－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程
図９Ｃに示すように、製造方法２では、積層体シート５０１を孔２０２の底面２ｂから第１主面５１１に向けて切断する。例えば、段部１７の底部において、積層体シート５０１を厚み方向Ｚに切断する。該切断により、第１主面５１１に接続する第１端面１３を露出させる。
図９Ｃに示すように、製造方法２では、積層体シート５０１を孔２０２の底面２ｂから第１主面５１１に向けて切断する。例えば、段部１７の底部において、積層体シート５０１を厚み方向Ｚに切断する。該切断により、第１主面５１１に接続する第１端面１３を露出させる。
その後、第１保護シート５５１、第２保護シート５５２、及び第２保護シート５５２の表面を被覆する被覆膜３を除去する。これにより、図９Ｄに示すように、波長変換層２２０の第３主面２１に交差するとともに第１端面１３を通る一の断面Ｍ１において、第３側面２３４、第１側面２２４、及び第２側面２１４が、第１端面１３よりも内側に位置する波長変換部材２００を得ることができる。
７．製造方法３
実施形態３に係る波長変換部材３００の製造方法（製造方法３）は、孔の内面を被覆膜で被覆する工程において、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第６主面５３２を被覆膜３で被覆する点で製造方法１と異なる。さらに、製造方法３は、孔を含む予備波長変換部材を得る工程の前に、第３バリアシートを配置する工程を含む点で、製造方法１と異なる。
実施形態３に係る波長変換部材３００の製造方法（製造方法３）は、孔の内面を被覆膜で被覆する工程において、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第６主面５３２を被覆膜３で被覆する点で製造方法１と異なる。さらに、製造方法３は、孔を含む予備波長変換部材を得る工程の前に、第３バリアシートを配置する工程を含む点で、製造方法１と異なる。
以下に製造方法１と異なる点を具体的に説明する。なお、製造方法１と同一の内容は省略する。具体的には、製造方法３における（３－２）孔を形成する工程、及び（３－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程はそれぞれ、製造方法１における（１－２）孔を形成する工程、及び（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程と同一であるため、以下では省略する。
（３－１）積層体シートを準備する工程
図１０Ａに示すように、製造方法３における積層体シート５０１Ａは、第１保護シート５５１と、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０と、を含む。図１０Ａに示す積層体シート５０１Ａでは、（３－２）孔を形成する工程の後に、第２保護シートは除去されている。
図１０Ａに示すように、製造方法３における積層体シート５０１Ａは、第１保護シート５５１と、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、第２バリアシート５３０と、を含む。図１０Ａに示す積層体シート５０１Ａでは、（３－２）孔を形成する工程の後に、第２保護シートは除去されている。
（３－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程
図１０Ａに示すように、製造方法３においては、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第６主面５３２を被覆膜３で被覆する。被覆膜３の形成方法は、製造方法１と同様の方法を採用できる。
図１０Ａに示すように、製造方法３においては、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第６主面５３２を被覆膜３で被覆する。被覆膜３の形成方法は、製造方法１と同様の方法を採用できる。
（３－３．５）第３バリアシートを配置する工程
図１０Ｂに示すように、本工程では、第６主面５３２を被覆する被覆膜３上に第３バリアシート５４０を配置する。第３バリアシート５４０は、第６主面５３２を被覆する被覆膜３を接着部材として、被覆膜３上に配置させることができる。
図１０Ｂに示すように、本工程では、第６主面５３２を被覆する被覆膜３上に第３バリアシート５４０を配置する。第３バリアシート５４０は、第６主面５３２を被覆する被覆膜３を接着部材として、被覆膜３上に配置させることができる。
（３－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程
孔を含む予備波長変換部材を形成する工程では、積層体シート５０１Ａとあわせて第３バリアシート５４０及び第６主面５３２を被覆する被覆膜３を切断して、第１端面を露出させる。
孔を含む予備波長変換部材を形成する工程では、積層体シート５０１Ａとあわせて第３バリアシート５４０及び第６主面５３２を被覆する被覆膜３を切断して、第１端面を露出させる。
８．製造方法４
実施形態４に係る波長変換部材４００の製造方法（製造方法４）は、積層体シートを準備する工程において、第２バリアシート５３０を含まない積層体シートを準備する点で製造方法１と異なる。また、製造方法４は、孔の内面２ａを被覆膜で被覆する工程において、孔２に被覆膜３を充填させて内面を被覆し、かつ第４主面５２２を被覆膜３で被覆する点で製造方法１と異なる。さらに、製造方法４は、孔を含む予備波長変換部材を得る工程の前に、第２バリアシートを配置する工程を含む点で、製造方法１と異なる。
実施形態４に係る波長変換部材４００の製造方法（製造方法４）は、積層体シートを準備する工程において、第２バリアシート５３０を含まない積層体シートを準備する点で製造方法１と異なる。また、製造方法４は、孔の内面２ａを被覆膜で被覆する工程において、孔２に被覆膜３を充填させて内面を被覆し、かつ第４主面５２２を被覆膜３で被覆する点で製造方法１と異なる。さらに、製造方法４は、孔を含む予備波長変換部材を得る工程の前に、第２バリアシートを配置する工程を含む点で、製造方法１と異なる。
以下に製造方法１と異なる点を具体的に説明する。なお、製造方法１と同一の内容は省略する。具体的には、製造方法４における（４－２）孔を形成する工程、及び（４－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程はそれぞれ、製造方法１における（１－２）孔を形成する工程、及び（１－５）予備波長変換部材から波長変換部材を得る工程と同一であるため、以下では省略する。
（４－１）積層体シートを準備する工程
図１１Ａに示すように、製造方法４における積層体シート５０１Ｂは、第１保護シート５５１と、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、を含む。図１１Ａに示す積層体シート５０１Ｂでは、（４－２）孔を形成する工程の後に、第２保護シートは除去されている。
図１１Ａに示すように、製造方法４における積層体シート５０１Ｂは、第１保護シート５５１と、第１バリアシート５１０と、波長変換シート５２０と、を含む。図１１Ａに示す積層体シート５０１Ｂでは、（４－２）孔を形成する工程の後に、第２保護シートは除去されている。
（４－３）孔の内面を被覆膜で被覆する工程
図１１Ａに示すように、製造方法４においては、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第４主面５２２を被覆膜３で被覆する。被覆膜３の形成方法は、製造方法１と同様の方法を採用できる。
図１１Ａに示すように、製造方法４においては、孔２に被覆膜３を充填させて内面２ａを被覆し、かつ第４主面５２２を被覆膜３で被覆する。被覆膜３の形成方法は、製造方法１と同様の方法を採用できる。
（４－３．５）第２バリアシートを配置する工程
図１１Ｂに示すように、本工程では、第４主面５２２を被覆する被覆膜３上に第２バリアシート５３０を配置する。第２バリアシート５３０は、第４主面５２２を被覆する被覆膜３を接着部材として、被覆膜３上に配置させることができる。
図１１Ｂに示すように、本工程では、第４主面５２２を被覆する被覆膜３上に第２バリアシート５３０を配置する。第２バリアシート５３０は、第４主面５２２を被覆する被覆膜３を接着部材として、被覆膜３上に配置させることができる。
（４－４）孔を含む予備波長変換部材を形成する工程
孔を含む予備波長変換部材を形成する工程では、積層体シート５０１Ｂとあわせて第２バリアシート５３０及び第４主面５２２を被覆する被覆膜３を切断して、第１端面を露出させる。
孔を含む予備波長変換部材を形成する工程では、積層体シート５０１Ｂとあわせて第２バリアシート５３０及び第４主面５２２を被覆する被覆膜３を切断して、第１端面を露出させる。
９．他の構成
また、例えば、本開示は、以下のような構成をとることができる。
項（１）
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、前記第１主面に接続する端面と、を含む第１バリア層と、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリア層の前記第２主面とが向かいあって前記第１バリア層上に配置された、量子ドットを含む波長変換層と、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換層の前記第４主面とが向かいあって前記波長変換層上に配置された第２バリア層と、
を含む積層体を備え、
前記波長変換層は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記端面より内側に位置し、かつ前記第３主面および前記第４主面を接続する第１側面を有し、
前記第１側面は、被覆膜に被覆される、波長変換部材。
また、例えば、本開示は、以下のような構成をとることができる。
項（１）
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、前記第１主面に接続する端面と、を含む第１バリア層と、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリア層の前記第２主面とが向かいあって前記第１バリア層上に配置された、量子ドットを含む波長変換層と、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換層の前記第４主面とが向かいあって前記波長変換層上に配置された第２バリア層と、
を含む積層体を備え、
前記波長変換層は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記端面より内側に位置し、かつ前記第３主面および前記第４主面を接続する第１側面を有し、
前記第１側面は、被覆膜に被覆される、波長変換部材。
項（２）
前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記積層体は、前記波長変換層と前記第１バリア層の一部とにわたって設けられ、かつ、前記第１側面及び前記第２側面を含む内面を有する孔が設けられ、
前記被覆膜は、前記孔内において、前記第１側面と前記第２側面とを連続して被覆する、項１に記載の波長変換部材。
前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記積層体は、前記波長変換層と前記第１バリア層の一部とにわたって設けられ、かつ、前記第１側面及び前記第２側面を含む内面を有する孔が設けられ、
前記被覆膜は、前記孔内において、前記第１側面と前記第２側面とを連続して被覆する、項１に記載の波長変換部材。
項（３）
前記第２バリア層は、前記断面において、前記第５主面及び前記第６主面を接続し、前記端面より内側に位置する第３側面を有し、
前記孔は、前記第２バリア層にさらにわたって設けられ、前記第３側面をさらに含む前記内面を有し、
前記被覆膜は、前記孔内において、さらに前記第１側面と前記第３側面とを連続して被覆する、項２に記載の波長変換部材。
前記第２バリア層は、前記断面において、前記第５主面及び前記第６主面を接続し、前記端面より内側に位置する第３側面を有し、
前記孔は、前記第２バリア層にさらにわたって設けられ、前記第３側面をさらに含む前記内面を有し、
前記被覆膜は、前記孔内において、さらに前記第１側面と前記第３側面とを連続して被覆する、項２に記載の波長変換部材。
項（４）
前記孔には、緩衝材がさらに配置される、項２又は３に記載の波長変換部材。
前記孔には、緩衝材がさらに配置される、項２又は３に記載の波長変換部材。
項（５）
前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第６主面をさらに被覆し、
前記被覆膜を介して前記第６主面上に積層された第３バリア層をさらに備える、項２又は３に記載の波長変換部材。
前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第６主面をさらに被覆し、
前記被覆膜を介して前記第６主面上に積層された第３バリア層をさらに備える、項２又は３に記載の波長変換部材。
項（６）
前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第４主面をさらに被覆し、
前記第２バリア層は、前記被覆膜を介して前記第４主面に積層される、項２に記載の波長変換部材。
前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第４主面をさらに被覆し、
前記第２バリア層は、前記被覆膜を介して前記第４主面に積層される、項２に記載の波長変換部材。
項（７）
前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記第２バリア層は、前記断面において前記端面より内側に位置し、前記第５主面と前記第６主面とを接続する第３側面を有し、
前記被覆膜は、
前記第１側面と、前記第２側面と、前記第３側面とを連続して被覆し、
前記積層体の外周面に露出する、項１に記載の波長変換部材。
前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記第２バリア層は、前記断面において前記端面より内側に位置し、前記第５主面と前記第６主面とを接続する第３側面を有し、
前記被覆膜は、
前記第１側面と、前記第２側面と、前記第３側面とを連続して被覆し、
前記積層体の外周面に露出する、項１に記載の波長変換部材。
項（８）
前記第１バリア層は、主バリア層と、前記主バリア層及び前記波長変換層の間に積層され、前記第２側面を有する中間層と、を含む、項２から７のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記第１バリア層は、主バリア層と、前記主バリア層及び前記波長変換層の間に積層され、前記第２側面を有する中間層と、を含む、項２から７のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（９）
前記第１側面は、前記積層体の外周に沿って配置されている、項１から８のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記第１側面は、前記積層体の外周に沿って配置されている、項１から８のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（１０）
前記第１側面は、前記断面において前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、項１から９のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記第１側面は、前記断面において前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、項１から９のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（１１）
前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（１２）
前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（１３）
前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
項（１４）
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記第６主面から前記第１主面に向かって前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記孔を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記孔が前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記第６主面から前記第１主面に向かって前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記孔を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記孔が前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。
項（１５）
前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、項１４に記載の波長変換部材の製造方法。
前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、項１４に記載の波長変換部材の製造方法。
項（１６）
前記孔に緩衝材をさらに配置することをさらに含む、項１４又は１５に記載の波長変換部材の製造方法。
前記孔に緩衝材をさらに配置することをさらに含む、項１４又は１５に記載の波長変換部材の製造方法。
項（１７）
前記断面において、前記第１側面は、前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、項１４から１６のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記断面において、前記第１側面は、前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、項１４から１６のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（１８）
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、前記第１バリアシートからなる底面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記底面から前記第１主面に向って前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面が、前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。
第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、前記第１バリアシートからなる底面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記底面から前記第１主面に向って前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面が、前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。
項（１９）
前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、項１８に記載の波長変換部材の製造方法。
前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、項１８に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２０）
前記被覆膜の一部を除去し、前記第１バリアシートを露出させることをさらに含み、
前記予備波長変換部材は、前記端面に接続する、該露出した前記底面を含む、項１８又は１９に記載の波長変換部材の製造方法。
前記被覆膜の一部を除去し、前記第１バリアシートを露出させることをさらに含み、
前記予備波長変換部材は、前記端面に接続する、該露出した前記底面を含む、項１８又は１９に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２１）
前記孔を形成すること及び前記積層体シートを切断することは、レーザ加工で実施される、項１４から２０のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記孔を形成すること及び前記積層体シートを切断することは、レーザ加工で実施される、項１４から２０のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２２）
前記孔は、前記予備波長変換部材の外周に沿って配置されている、項１４から２１のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記孔は、前記予備波長変換部材の外周に沿って配置されている、項１４から２１のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２３）
前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２４）
前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２５）
前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２６）
前記予備波長変換部材を形成することは、前記被覆膜で被覆することの後に実施される、項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記予備波長変換部材を形成することは、前記被覆膜で被覆することの後に実施される、項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
項（２７）
前記被覆膜で被覆することは、前記予備波長変換部材を形成することの後に実施される、項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
前記被覆膜で被覆することは、前記予備波長変換部材を形成することの後に実施される、項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
以上、本開示の実施形態及び変形例を説明したが、開示内容は構成の細部において変化してもよく、実施形態及び変形例における要素の組合せ、順序の変化等は請求された本開示の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
参考例１ 積層シートの作製
半導体ナノ粒子を含む分散液の準備
まず、半導体ナノ粒子を含む分散液として、緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａと、赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂと、を準備した。分散液Ａに含まれる半導体ナノ粒子の含有量は１０質量％であった。分散液Ｂに含まれる半導体ナノ粒子の含有量は１０質量％であった。なお、分散液ＡおよびＢの分散媒は、イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）であった。
半導体ナノ粒子を含む分散液の準備
まず、半導体ナノ粒子を含む分散液として、緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａと、赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂと、を準備した。分散液Ａに含まれる半導体ナノ粒子の含有量は１０質量％であった。分散液Ｂに含まれる半導体ナノ粒子の含有量は１０質量％であった。なお、分散液ＡおよびＢの分散媒は、イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）であった。
発光特性
緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂについて、発光特性を測定した。量子効率測定装置（ＱＥ－２１００）を用いて、発光ピーク波長が４５０ｎｍである光を、緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂに照射して、室温（２５℃）における発光スペクトルを測定した。緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂは、４５０ｎｍの吸光度が０．１５となるようにクロロホルムで希釈して使用した。得られた発光スペクトルから緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａについては内部量子効率が８０％、発光ピーク波長が５３２ｎｍ、発光スペクトルにおける半値幅が３５ｎｍであった。得られた発光スペクトルから赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂについては、内部量子効率が７９％、発光ピーク波長が６２８ｎｍ、発光スペクトルにおける半値幅が３４ｎｍであった。内部量子効率（％）は、ナノ粒子に吸収された光量子のうち、発光に変換された光量子の割合であり、発光光量子数（％）を吸収光量子数（％）で除すことにより算出した。緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂの発光特性を表１に示す。
緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂについて、発光特性を測定した。量子効率測定装置（ＱＥ－２１００）を用いて、発光ピーク波長が４５０ｎｍである光を、緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂに照射して、室温（２５℃）における発光スペクトルを測定した。緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂは、４５０ｎｍの吸光度が０．１５となるようにクロロホルムで希釈して使用した。得られた発光スペクトルから緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａについては内部量子効率が８０％、発光ピーク波長が５３２ｎｍ、発光スペクトルにおける半値幅が３５ｎｍであった。得られた発光スペクトルから赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂについては、内部量子効率が７９％、発光ピーク波長が６２８ｎｍ、発光スペクトルにおける半値幅が３４ｎｍであった。内部量子効率（％）は、ナノ粒子に吸収された光量子のうち、発光に変換された光量子の割合であり、発光光量子数（％）を吸収光量子数（％）で除すことにより算出した。緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａおよび赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂの発光特性を表１に示す。
緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａは、内部量子効率が８０％であり、半値幅が３５ｎｍであった。また、発光ピーク波長が５３２ｎｍであり、発光ピーク波長が４５０ｎｍである光を吸収して緑色に発光した。赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂは、内部量子効率が７９％であり、半値幅が３４ｎｍであった。また、発光ピーク波長が６２８ｎｍであり、発光ピーク波長が４５０ｎｍである光を吸収して赤色に発光した。
２，２－ビス［［（３－メルカプトプロピオニル）オキシ］メチル］トリメチレン ビス［３－メルカプトプロピオネート］（ＰＥＭＰ）１０ｇと光開始重合開始剤である２，４，６―トリメチルベンゾイルホスフィンオキシド（ＴＰＯ）：０．３３ｇを褐色瓶中で２４ｈ攪拌し、ＰＥＭＰ／ＴＰＯ溶液を得た。
ＰＥＭＰ／ＴＰＯ溶液０．９ｇとトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（Ａ－ＤＣＰ；新中村化学工業株式会社製）：２．１ｇ、シリコーン粒子（ＫＭＰ－７０６；信越化学工業株式会社製）：０．０９ｇ及びを緑色に発光するＩｎＰを含む分散液Ａ：０．３ｇを自転公転ミキサーで混合し、光硬化性組成物Ａを調製した。
同様にＰＥＭＰ/ＴＰＯ溶液１．４ｇとトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（Ａ－ＤＣＰ；新中村化学工業株式会社製）：３．５ｇ、シリコーン粒子（ＫＭＰ－７０６；信越化学工業株式会社製）：０．５ｇ及びを赤色に発光するＩｎＰを含む分散液Ｂ：０．１５ｇを自転公転ミキサーで混合し、光硬化性組成物Ｂを調製した。
バリア層として、バリアフィルム（ＴＢＦ１００４；ｉ－ｃｏｍｐｏｎｅｔｓ社製）を準備した。また離型用基材として、ＰＥＴフィルムを準備した。片側にＰＥＴフィルム、もう片側にバリアフィルムを準備して、２枚のフィルムの間に光硬化組成物Ｂを塗布した後、ロール・トゥ・ロール塗工機を使用して、ＵＶ照射器から１２０ｍＪ／ｃｍ２の積算光量の紫外線を照射し、モノマーの重合反応を開始させて仮硬化させ、厚み５０μｍの波長変換層１の片面にバリアィルム、もう片面にＰＥＴフィルムが接着した積層シート１を準備した。
積層シート１のＰＥＴフィルムを剥がし、バリアフィルムと波長変換層１の間に光硬化組成物Ａを塗布した後、ロール・トゥ・ロール塗工機を使用して、ＵＶ照射器から６０６０ｍＪ／ｃｍ２の積算光量の紫外線を照射し、モノマーの重合反応を開始させて硬化させ、厚み５０μｍの波長変換層１および５０μｍの波長変換層２の主面にバリアフィルムが接着した積層シート２を作製した。
実施例１
以下のようにして、実施例１の波長変換部材を作製した。得られた積層シートに対して、積層シートの端面よりも内側において、バリア層および波長変換層を貫通し、他方のバリア層まで到達する孔を形成した。具体的には、一例として、積層シートの端面から孔の内面までの距離が５００μｍ以下となるようにＣＯ２レーザを用いてハーフカットした。孔は、積層シートの端面から３５０μｍの位置に中心があり、幅３００μｍであった。ハーフカットの条件としては、一例として、波長１０．６μｍのＣＯ２レーザを用いて、走査速度４００ｍｍ／ｓで２パス、周波数５ｋＨｚおよび出力３０Ｗの条件で１回目のハーフカット（１ステップ目）を実施し、その後１ステップ目の照射位置と隣接する位置に同条件で２回目のハーフカット（２ステップ目）を実施した。
以下のようにして、実施例１の波長変換部材を作製した。得られた積層シートに対して、積層シートの端面よりも内側において、バリア層および波長変換層を貫通し、他方のバリア層まで到達する孔を形成した。具体的には、一例として、積層シートの端面から孔の内面までの距離が５００μｍ以下となるようにＣＯ２レーザを用いてハーフカットした。孔は、積層シートの端面から３５０μｍの位置に中心があり、幅３００μｍであった。ハーフカットの条件としては、一例として、波長１０．６μｍのＣＯ２レーザを用いて、走査速度４００ｍｍ／ｓで２パス、周波数５ｋＨｚおよび出力３０Ｗの条件で１回目のハーフカット（１ステップ目）を実施し、その後１ステップ目の照射位置と隣接する位置に同条件で２回目のハーフカット（２ステップ目）を実施した。
次に、被覆膜として３０１７Ｂ（Ｔｈｒｅｅ Ｂｏｎｄ社製）をエアー式のディスペンス塗布によりハーフカットにより形成された孔に充填し、一例としてＵＶ照射器から６０００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量の紫外線を照射して硬化させて、実施例１の波長変換部材を作製した。
実施例２
被覆膜の種類をＴＢ３７１５（Ｔｈｒｅｅ Ｂｏｎｄ社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の波長変換部材を作製した。
被覆膜の種類をＴＢ３７１５（Ｔｈｒｅｅ Ｂｏｎｄ社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の波長変換部材を作製した。
実施例３
被覆膜の種類をＸＳ－ＬＭＰ１１００（協立化学社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の波長変換部材を作製した。
被覆膜の種類をＸＳ－ＬＭＰ１１００（協立化学社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の波長変換部材を作製した。
比較例１
孔に被覆膜を配置しなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の波長変換部材を作製した。
孔に被覆膜を配置しなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の波長変換部材を作製した。
退色性評価
上記で得られた波長変換部材について、以下のようにして端部からの退色性を評価した。各波長変換部材を、温度が８５℃、相対湿度が８５％の雰囲気の恒温恒湿槽（エスペック株式会社製）に静置した。５００時間を経過した後に恒温恒湿槽から取り出して保管試験後の試料とした。
上記で得られた波長変換部材について、以下のようにして端部からの退色性を評価した。各波長変換部材を、温度が８５℃、相対湿度が８５％の雰囲気の恒温恒湿槽（エスペック株式会社製）に静置した。５００時間を経過した後に恒温恒湿槽から取り出して保管試験後の試料とした。
保管試験後の試料について、デジタルカメラ（オリンパス製）を用いて主面側から外観を撮影して評価用画像を得た。評価用画像について画像解析ソフトを用いて、波長変換部材の１辺から対向する他辺への距離を横軸とする緑色に対応する発光強度プロファイルを得た。得られた発光強度プロファイルにおいて、波長変換部材の両端部からの距離が等しい中点における発光強度と、中点からそれぞれ０．５ｍｍの位置における２点の発光強度の計３点の発光強度の算術平均値を１００％とした相対発光強度プロファイルを得た。相対発光強度プロファイルにおいて相対発光強度８５％に対応する孔の内側面からの距離（ｍｍ）を求めて、退色性の評価値とした。結果を表２に示す。
日本国特許出願２０２２－１１０４９６号（出願日：２０２２年７月８日）、日本国特許出願２０２２－１９２７７２号（出願日：２０２２年１２月１日）および日本国特許出願２０２３－０３７７７７号（出願日：２０２３年３月１０日）の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
Claims (27)
- 第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、前記第１主面に接続する端面と、を含む第１バリア層と、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリア層の前記第２主面とが向かいあって前記第１バリア層上に配置された、量子ドットを含む波長変換層と、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換層の前記第４主面とが向かいあって前記波長変換層上に配置された第２バリア層と、
を含む積層体を備え、
前記波長変換層は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記端面より内側に位置し、かつ前記第３主面および前記第４主面を接続する第１側面を有し、
前記第１側面は、被覆膜に被覆される、波長変換部材。 - 前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記積層体は、前記波長変換層と前記第１バリア層の一部とにわたって設けられ、かつ、前記第１側面及び前記第２側面を含む内面を有する孔が設けられ、
前記被覆膜は、前記孔内において、前記第１側面と前記第２側面とを連続して被覆する、請求項１に記載の波長変換部材。 - 前記第２バリア層は、前記断面において、前記第５主面及び前記第６主面を接続し、前記端面より内側に位置する第３側面を有し、
前記孔は、前記第２バリア層にさらにわたって設けられ、前記第３側面をさらに含む前記内面を有し、
前記被覆膜は、前記孔内において、さらに前記第１側面と前記第３側面とを連続して被覆する、請求項２に記載の波長変換部材。 - 前記孔には、緩衝材がさらに配置される、請求項２又は３に記載の波長変換部材。
- 前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第６主面をさらに被覆し、
前記被覆膜を介して前記第６主面上に積層された第３バリア層をさらに備える、請求項２又は３に記載の波長変換部材。 - 前記被覆膜は、前記孔に充填されて配置され、かつ、前記第４主面をさらに被覆し、
前記第２バリア層は、前記被覆膜を介して前記第４主面上に積層される、請求項２に記載の波長変換部材。 - 前記第１バリア層は、前記断面において前記端面よりも内側に位置し、前記第２主面に接続する第２側面を有し、
前記第２バリア層は、前記断面において前記端面より内側に位置し、前記第５主面と前記第６主面とを接続する第３側面を有し、
前記被覆膜は、
前記第１側面と、前記第２側面と、前記第３側面とを連続して被覆し、
前記積層体の外周面に露出する、請求項１に記載の波長変換部材。 - 前記第１バリア層は、主バリア層と、前記主バリア層及び前記波長変換層の間に積層され、前記第２側面を有する中間層と、を含む、請求項２から７のいずれか１項に記載の波長変換部材。
- 前記第１側面は、前記積層体の外周に沿って配置されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の波長変換部材。
- 前記第１側面は、前記断面において前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、請求項１から９のいずれか１項に記載の波長変換部材。
- 前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１からなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１からなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。 - 前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
- 前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の波長変換部材。
- 第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの前記第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの前記第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記第６主面から前記第１主面に向かって前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記孔を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記孔が前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。 - 前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、請求項１４に記載の波長変換部材の製造方法。 - 前記孔に緩衝材をさらに配置することをさらに含む、請求項１４又は１５に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記断面において、前記第１側面は、前記端面から１００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲に位置する、請求項１４から１６のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 第１主面と、前記第１主面の反対に位置する第２主面と、を含む第１バリアシートと、
第３主面と前記第３主面の反対に位置する第４主面とを含み、前記第３主面と前記第１バリアシートの前記第２主面とが向かいあって前記第１バリアシート上に配置された、量子ドットを含む波長変換シートと、
第５主面と前記第５主面の反対に位置する第６主面とを含み、前記第５主面と前記波長変換シートの前記第４主面とが向かいあって前記波長変換シート上に配置された第２バリアシートと、
を含む積層体シートを準備することと、
前記第２バリアシートと、前記波長変換シートと、前記第１バリアシートの一部と、にわたる孔であって、前記第５主面及び前記第６主面を接続する第３側面と、前記第３主面及び前記第４主面を接続する第１側面と、前記第２主面に接続する第２側面と、前記第１バリアシートからなる底面と、を含む内面を有する前記孔を形成することと、
前記孔の前記内面を被覆膜で被覆することと、
前記底面から前記第１主面に向って前記積層体シートを切断し、前記第１主面に接続する端面を露出させ、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面を含む予備波長変換部材を形成することと、
を含み、
前記予備波長変換部材は、前記第３主面に交差するとともに前記端面を通る一の断面において、前記第３側面、前記第１側面、及び前記第２側面が、前記端面よりも内側に位置する、波長変換部材の製造方法。 - 前記第１バリアシートは、主バリアシートと、前記主バリアシート及び前記波長変換シートの間に積層された中間シートと、を含み、
前記孔が形成される前記第１バリアシートの一部は、前記中間シートである、請求項１８に記載の波長変換部材の製造方法。 - 前記被覆膜の一部を除去し、前記第１バリアシートを露出させることをさらに含み、
前記予備波長変換部材は、前記端面に接続する、該露出した前記底面を含む、請求項１８又は１９に記載の波長変換部材の製造方法。 - 前記孔を形成すること及び前記積層体シートを切断することは、レーザ加工で実施される、請求項１４から２０のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記孔は、前記予備波長変換部材の外周に沿って配置されている、請求項１４から２１のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記被覆膜は、
熱硬化型ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つからなる第１層と、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素系樹脂、及び酸化物からなる群から選択される少なくとも１つからなり、前記第１層上に配置される第２層と、
を含む、請求項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。 - 前記被覆膜は、めっき層と、前記めっき層上に配置される原子層堆積層と、を含む、請求項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記被覆膜は、酸素プラズマ処理層と、前記酸素プラズマ処理層上に配置される化学気相成長層と、を含む、請求項１４から２２のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記予備波長変換部材を形成することは、前記被覆膜で被覆することの後に実施される、請求項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
- 前記被覆膜で被覆することは、前記予備波長変換部材を形成することの後に実施される、請求項１４から２５のいずれか１項に記載の波長変換部材の製造方法。
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-
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- 2023-06-26 WO PCT/JP2023/023579 patent/WO2024009823A1/ja unknown
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