KR20170094148A - 다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기 - Google Patents

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KR20170094148A
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insulating layer
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light
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토시히코 와타나베
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소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
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Abstract

다층 배선 구조에 있어서, 각 배선의 사이에 마련된 절연층을, 자외선을 포함하는 가시광 영역의 광에 대해 투과율이 높은 재료를 사용하여 형성한 경우, 상층의 배선의 결함을 외관 검사할 때에, 하층의 배선이 동시에 인식되어 버림에 의해, 하층의 배선이 상층 배선 검사의 노이즈가 되어 검사 정밀도가 저하되고, 제조 수율 및 신뢰성의 향상의 방해가 된다는 과제를 해결하기 위해, 본 개시의 다층 배선 기판은, 기판과, 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이, 흑화 처리, 흑화 대체 조화 처리, 에칭 처리, 도금 처리 중의 어느 하나의 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 구비한다.

Description

다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기{MULTILAYER WIRING BOARD, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 기술은, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 복수의 배선이 적층된 다층 배선 기판 및 이것을 구비한 표시 장치, 및 전자 기기에 관한 것이다.
휘도가 높은 표시 장치에서는, 주변부재는 직접 또는 간접적으로 강도가 높은 광에 폭로된다. 이 때문에, 예를 들면, 발광 소자의 바로 위, 또는 바로 아래의 절연층에는, 자외선 영역에 대한 내광성이 요구되고 있고, 예를 들면, 자외선을 포함하는 가시광 영역의 광에 대해 투과율이 높은 재료가 사용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2 참조).
그런데, 전자 디바이스는, 그 성능을 향상시키기 위해 배선의 갯수가 증가되고, 회로가 복잡하게 되어 있다. 특히, 표시 장치 등에서는, 박막 트랜지스터(thin film transistor ; TFT)의 수나 배선 회로의 갯수가 많고, 또한, 용량 소자를 재면적화 하는 등에 의해 회로가 보다 복잡하게 되어 있다. 더욱, 고정밀화한 경우에는, 화소수의 증가에 수반하여 구동용의 배선이나 신호선을 형성하는 배선층의 고밀도화가 진행되어, 단락이 증가하여 제조 수율이 저하된다. 이 문제를 해결하기 위해, 구동용의 배선이나 신호선을 형성하는 배선층은 절연층을 통하여 적층된, 이른바 다층 배선 구조가 이용되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개2002-270898호 공보 특허 문헌 2 : 일본 특개2003-115613호 공보
그렇지만, 다층 배선 구조에서 각 배선의 사이에 마련된 절연층을, 상기한 바와 같은, 자외선을 포함하는 가시광 영역의 광에 대해 투과율이 높은 재료(예를 들면, 투명 절연 재료)를 사용하여 형성한 경우, 상층의 배선의 결함을 외관 검사할 때에, 하층의 배선이 동시에 인식되어 버린다. 이에 의해, 하층의 배선이 상층 배선 검사의 노이즈가 되어 검사 정밀도가 저하되고, 제조 수율 및 신뢰성의 향상의 방해로 되어 있다.
따라서 제조 수율 및 신뢰성을 향상시키는 것이 가능한 다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기를 제공하는 것이 바람직하다.
본 기술의 한 실시 형태의 다층 배선 기판은, 기판과, 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 구비하는 것이다.
본 기술의 한 실시 형태의 표시 장치는, 상기 본 기술의 다층 배선 기판에 발광 소자를 구비한 것이다.
본 기술의 한 실시 형태의 전자 기기는, 상기 본 기술의 다층 배선 기판에 전자 디바이스를 구비한 것이다.
본 기술의 한 실시 형태의 다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기에서는, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설된 제1 배선 및 제2 배선 중, 적어도 일방에 표면처리를 시행함에 의해, 광학적인 S/N비가 높아져, 검사 정밀도가 향상한다.
본 기술의 한 실시 형태의 다층 배선 기판 및 표시 장치, 및 전자 기기에 의하면, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설된 제1 배선 및 제2 배선 중, 적어도 일방에 표면처리를 시행하도록 하였기 때문에, 광학적인 S/N비가 높아져, 검사 정밀도가 향상한다. 따라서, 제조 수율이 향상함과 함께, 높은 신뢰성을 갖는 다층 배선 기판을 구비한 표시 장치 및 전자 기기를 제공하는 것이 가능해진다. 또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어느 효과라도 좋다.
도 1은 본 개시의 한 실시의 형태에 관한 다층 배선 기판의 단면도.
도 2a는 도 1에 도시한 다층 배선 기판의 평면 모식도.
도 2b는 비교례로서의 다층 배선 기판의 평면 모식도.
도 3은 도 1에 도시한 다층 배선 기판의 단면 모식도.
도 4는 도 1에 도시한 다층 배선 기판을 이용한 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 도면.
도 5a는 백플레인의 구성을 설명하기 위한 평면 모식도.
도 5b는 백플레인의 구성을 설명하기 위한 평면 모식도.
도 6은 적용례 1의 외관을 도시하는 사시도.
이하, 본 개시에서의 실시의 형태에 관해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 실시의 형태(다층 배선 중, 하층 배선을 표면처리한 예)
1-1. 기본 구성
1-2. 표시 장치의 구성
1-3. 작용·효과
2. 적용례(전자 디바이스를 구비한 및 전자 기기의 예)
<1. 실시의 형태>
(1-1. 기본 구성)
도 1은, 본 개시의 한 실시의 형태에 관한 다층 배선 기판(다층 배선 기판(1))의 단면 구성을 사시(斜視)한 것이다. 이 다층 배선 기판(1)은, 예를 들면, 도 4에 도시한 바와 같은 타이 링 디스플레이 등의 표시 장치를 구성하는 표시 패널의 기판으로서 사용되는 것이다. 다층 배선 기판(1)은, 기재(基材)(11)의 표면 및 이면에 복수의 배선(배선(12A, 12B, 15A, 15B)) 등이 배설된 기판(10)상에, 다시 광투과성을 갖는 절연층(21)을 통하여 배선(22) 및, 전자 디바이스로서, 예를 들면, 발광 소자(31) 등이 형성된 구성을 갖는다. 본 실시의 형태에서는, 기판(10)의 표면에 마련된 배선(12B)(제1 배선)은 표면처리가 시행되고, 절연층(21)상에 마련된 배선(22)(제2 배선)과는, 예를 들면, 가시광 영역에서의 반사율이 서로 다르게 되어 있다.
기판(10)은, 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재(11)와, 기재(11)의 표면에 절연층(13)을 통하여 적층된 배선(12A 및 12B)과, 기재(11)의 이면에 절연층(16)을 통하여 적층된 배선(15A) 및 배선(15B)을 갖는다. 배선(12A) 및 배선(12B)은, 절연층(13)을 관통하는 범프(14)에 의해 서로 전기적으로 접속되고, 배선(15A 및 15B)은, 절연층(16)을 관통하는 범프(17)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 배선(12A) 및 배선(15A)은, 기재(11)를 관통하는 관통 전극(18)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 기재(11)의 이면측에 마련된 배선(15B)상에는, 보호막으로서 절연층(19)이 마련되어 있다. 절연층(19)에는 임의의 위치에, 예를 들면, 배선(15B)과 외부 회로(도시 생략)를 접속하기 위한 개구(19A)가 마련되어 있다.
기재(11)는, 예를 들면, 유리 기판 외에, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드류, 폴리아미드류, 폴리아세탈류, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸에테르케톤, 폴리올레핀류 등의 플라스틱 기판, 표면에 절연 처리가 된 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 스테인리스 등의 금속박 기판 또는 종이 등을 사용할 수 있다. 이 밖에, Al 등의 메탈 베이스 기판의 표면에 폴리이미드나 에폭시계 등의 절연성 수지층이 형성되고, 이 절연성 수지층상에 상기 반사성 재질의 배선 패턴을 인쇄한 것을 사용하여도 좋다. 또한,
FR4(구글스에폭시 수지)나 CEM3(구글스컴포지트 수지) 등의 유리 함유 수지로 이루어지는 필름 기재라도 좋다.
배선(12A, 12B, 15A, 15B)은, 기재(11)상의 선택적인 영역에 마련되고, 예를 들면 구리(Cu), 백금(Pt), 티탄(Ti), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), Cu, 텅스텐(W), Ni, Al 및 탄탈(Ta) 등의 금속 단체(單體) 또는 합금에 의해 구성되어 있다. 특히, 저항률이 낮고, 배선 지연 시간을 저감하고 고속화가 가능한 Cu를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 중의 2종 이상을 적층시켜서 사용하도록 하여도 좋다. 범프(14, 17) 및 관통 전극(18)에 대해서도, 배선(12A, 12B, 15A, 15B)과 같은 재료를 사용할 수 있다.
본 실시의 형태에서는, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 적층된 2종류의 배선 중의 일방에 표면처리가 시행되어 있다. 구체적으로는, 배선(12B)과, 절연층(21)을 사이에 배선(12B)의 위에 형성된 배선(22)의 중, 절연층(21)의 하층에 마련된 배선(12B)에 표면처리가 시행되어 있다. 표면처리는, 예를 들면, 배선(12B)과 배선(22)과의 가시광 영역에서의 반사율이 서로 다르게 되면 좋다. 구체적으로는, 배선(12B)의 표면을 조화(粗化)하는 에칭 처리나, 특히 Cu를 사용하는 경우의 흑화 처리를 들 수 있다. 또한, 여기서 흑화 처리란, 이른바 산화구리를 생성시키는 흑화 처리 및 흑화 대체(代替)로서의 조화흑화 처리(흑화 대체 조화 처리)를 포함한다. 또한, 표면처리하는 배선은, 상층측의 배선 및 하층측의 배선의 어느 것이라도 좋지만, 후술하는 절연층과의 밀착성이나 단락 결함을 검출하는 외관 검사의 용이성 때문에, 하층측의 배선에 시행하는 것이 바람직하다.
도 2a는, 도 1에 도시한 다층 배선 기판(1)의 배선층(12B, 22) 및 절연층(21)의 적층 구조의 일부의 평면 구성을 모식적으로 도시한 것이다. 도 2b는, 다층 배선 기판(1)과 마찬가지로, 광투과성을 갖는 절연층(1210)을 사이에 적층된 배선(1120, 1220)의 평면 구성을 모식적으로 도시한 것이다. 하층의 배선(배선(1120))이 흑화 처리되지 않은 다층 배선 기판(1000)과 비교하여, 본 실시의 형태의 다층 배선 기판(1)에서는, 상층 배선(배선(22))과 하층 배선(배선(12B))과의 콘트라스트가 높아진다. 즉, 단락 결함을 검출하는 외관 검사에서의 검사 정밀도가 향상한다.
이 밖에, 배선(12B)과 배선(22)이 다른 색조가 되도록, 일방을 도금 처리하여도 좋다. 구체적으로는, 배선(12B) 및 배선(22)을, 예를 들면, Cu를 사용하여 형성하는 경우에는, 예를 들면, 배선(12B)을, Ni, 주석(Sn), 아연(Zn), 은(Ag) 또는 금(Au)을 사용한 무전해 도금을 행하도록 하여도 좋다. 이에 의해, 에칭 처리나 흑화 처리와 마찬가지로, 광학 검사 등의 단락 결함 검사에서의 검사 정밀도가 향상한다. 또한, 배선(12B)을 피복하게 되는 도금 금속은, 배선(12B)을 구성하는 금속(예를 들면, Cu)보다도 전계 인가시에 있어서의 이온 유리성(遊離性)이 낮은 금속(예를 들면, Ni)을 사용함에 의해, 이온 마이그레이션에 대한 내성이 향상한다.
또한, 광투과성을 갖는 절연층(21)을 사이에 적층된 배선층(12B) 및 배선(22)의 배설 피치는, 도 3에 도시한 바와 같이, 하층측의 배선(배선(12B))을 크게 하는 것이 바람직하다. 배선(12B)의 표면이 조화되면, 앵커 효과에 의해 배선(12B)과 절연층(21)과의 밀착성이 향상하기 때문이다. 또한, 하층측의 배선(배선(12B))은, 상층측의 배선(배선(22))과 비교하여 단락 결함 검사가 확인하기 어렵고, 또한, 단락부의 절단·수복이 하기 어렵다. 이 때문에, 배선(12B)의 배선 피치를 크게, 즉, 디자인 룰을 완화함에 의해, 배선(12B)에서의 단락의 발생이 저감된다. 또한, 경우에 따라서는, 하층 배선의 외관 검사가 불필요하게 된다. 배선(12B) 및 배선(22)의 피치 폭으로서는, 예를 들면, 배선(22)의 피치 폭이 150㎛ 미만임에 대해, 배선(12B)의 피치 폭은, 예를 들면 150㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
절연층(13, 16, 19)은, 예를 들면 실리콘산화물(SiO), 실리콘질화물(SiN), 실리콘산질화물(SiON), 하프늄산화물(HfO), 알루미늄산화물(AlO), 알루미늄질화물(AlN), 탄탈산화물(TaO), 지르코늄산화물(ZrO), 하프늄산질화물, 하프늄실리콘산질화물, 알루미늄산질화물, 탄탈산질화물 및 지르코늄산질화물 중의 적어도 1종을 포함하는 재료에 의해 형성된다. 절연층(13, 16, 19)은 단층 구조로 하여도 좋고, 또는, 예를 들면 SiN막 및 SiO막 등의 2종류 이상의 재료를 사용한 적층 구조로 하여도 좋다. 절연층(13, 16, 19)은, 도포(塗布) 형성 후에 에칭에 의해 소정의 형상으로 패터닝되지만, 재료에 의해서는, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비어 인쇄 등의 인쇄 기술에 의해 패턴 형성하여도 좋다.
기판(10)상에는, 광투과성을 갖는 절연층(21)을 통하여 배선(22), 발광 소자(31) 및 드라이버 IC(integrated circuit)(32)가 형성되어 있다.
절연층(21)은, 배선(15B)과 배선(22) 사이의 단락을 막기 위한 것이다. 절연층(21)의 재료로서는, 후술하는 발광 소자(31)로부터 사출되는 광에 폭로됨에 의한 열화를 억제하기 위해, 내광성을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 실리콘계, 폴리이미드계, 폴리아크릴레이트계, 에폭시계, 크레졸노볼락계 또는 폴리스티렌계, 폴리아미드계, 불소계 등의 유기 절연 재료를 들 수 있다. 또한, 절연층(21)에 사용되는 재료는 유기 절연 재료로 한정되지 않고, 예를 들면 상기 절연층(13, 16, 19)에서 들었던 무기 절연 재료를 사용하여도 좋다.
배선(22)은, 상기 배선(12A, 12B, 15A, 15B)에서 들었던 재료를 사용할 수 있다. 배선(22)은, 12A, 12B, 15A, 15B와 동일한 재료를 사용하여도 좋고, 다른 재료를 사용하여도 좋다. 특히 Cu를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 배선(12A, 12B, 15A, 15B) 및 배선(22)은, 예를 들면, 도금이나 각종 증착법, 또는 스퍼터링에 의해 형성할 수 있다.
발광 소자(31)는, 예를 들면 P형 반도체와 n형 반도체와의 접합면에 순방향으로 전류를 주입한 때에 캐리어인 전자와 정공이 재결합하여 발광하는 발광 다이오드(light emitting diode ; LED)를 들 수 있다. 발광 소자(31)의 재료는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 청색으로 발광하는 질화갈륨(GaN), 녹색으로 발광하는 인화갈륨(GaP), 적색으로 발광하는 비화인화갈륨(GaAsP), 비화알루미늄갈륨(AlGaAs) 등의 갈륨계의 화합물 반도체를 들 수 있다.
드라이버 IC(32)는, 예를 들면, 반도체 기판(Si 기판)의 표면에 반도체 회로 형성 기술을 이용하여 회로를 형성하여 이루어지는 반도체 소자이다.
발광 소자(31) 및 드라이버 IC(32)는, 각각 소자 단체라도 좋고, 패키지에 수용되거나, 또는 수지 등에 의해 몰드되어, 칩 부품화되어 있어도 좋다.
또한, 발광 소자(31)는, 상기 적색으로 발광하는 재료, 녹색으로 발광하는 재료 및 청색으로 발광하는 재료를 각각 사용하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발하는 발광 소자(31)(31R, 31G, 31B, 각각 도시 생략)를 조합시켜서 화소를 구성함으로써, 휘도가 높은 표시 장치(표시 장치(2))를 구성할 수 있다. 이하에, 표시 장치(2)의 구성을 설명한다.
(1-2. 표시 장치의 구성)
도 4는, 본 개시의 다층 배선 기판(1)을 이용한 표시 장치(2)의 전체 구성을 도시한 것이다. 이 표시 장치(2)는, 이른바 타이 링 디스플레이로서, 복수의 표시 패널(여기서는 합계 4장의 표시 패널(1A, 1B, 1C, 1D))을 구비한다. 이들의 표시 패널(1A∼1D)은, 상기 다층 배선 기판(1)을 이용한 것으로, 다층 배선층(1)상에, 예를 들면, 접착층을 통하여 대향 기판이 부착된 구성을 갖는다(모두 도시 생략). 표시 패널(1A∼1D)은, 예를 들면 2×2의 영역에 2차원 배치되고, 이들 표시 패널(1A∼1D)의 각 표시 영역을 조합시켜서 영상을 표시하는 것이 가능한 것이다. 또한, 도 4 중의 「A」「B」와 그 방향은, 사용되는 백플레인의 종류와 배치 상태를 모식적으로 도시한 것이다. 표시 패널(1A∼1D)에서 사용되는 백플레인의 종류와 레이아웃에 관해서는 후술한다.
이 표시 장치(1)에서는, 표시 패널(1A∼1D)의 각각에 대해, 예를 들면, 표시 구동용의 드라이버 IC(32)가 접속되어 있다. 구체적으로는, 표시 패널(1A)에는, 예를 들면, 신호선 구동 회로(120A)와 주사선 구동 회로(130A)가, 예를 들면 COF(Chip on film)(140)에 의해 실장되어 있다. 또한, 이들의 드라이버 IC는, 도 1에 도시한 바와 같이, 표시 패널(1A)에 직접적으로 형성되어(내장되어) 있어도 좋고, 다른 수법, 예를 들면 COG(Chipon glass)에 의해 실장되어 있어도 좋다. 또한, 표시 소자로서, 상기 발광 소자(31)를 이용하는 경우에는, 표시 패널(1A)에는, 또한 전원선 구동 회로(도시 생략)가 접속된다. 표시 패널(1B)에 관해서도, 표시 패널(1A)과 마찬가지로, 예를 들면 신호선 구동 회로(120B)와 주사선 구동 회로(130B)가 COF(140)를 통하여 접속되어 있다. 마찬가지로, 표시 패널(1C)에는, 예를 들면 신호선 구동 회로(120C)와 주사선 구동 회로(130C)가 COF(140)를 통하여 접속되고, 표시 패널(1D)에는, 예를 들면 신호선 구동 회로(120D)와 주사선 구동 회로(130D)가 COF(140)를 통하여 접속되어 있다.
신호선 구동 회로(120A∼120D)와, 주사선 구동 회로(130A∼130)의 어느 것이나, 구동 제어부(110)에 접속되어 있다. 외부로부터 입력된 영상 신호(Din)에 의거하여, 표시 패널(1A∼1D)의 각각에서 독립한 표시 구동 제어가 가능하게 되어 있다. 구동 제어부(110)는, 예를 들면 타이밍 컨트롤러(111)와, 감마 조정부(112a∼112d)를 포함한다.
표시 패널(1A∼1D)은 각각, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소(P)를 갖는다. 표시 패널(1A∼1D)은, 신호선 구동 회로(120A∼120D)와, 주사선 구동 회로(130A∼130D)에 의한 표시 구동에 의해, 각 화소(P)가 액티브 매트릭스 구동되고, 이에 의해, 외부로부터 입력된 영상 신호(Din)에 의거한 영상 표시를 행하는 것이다. 또한, 각 도면에서, 화소(P) 및 후술하는 단자부(130)의 개수나 피치, 사이즈 등은 설명상 간략화하여 나타낸 것이고, 실제의 것과는 다르다.
이들 표시 패널(1A∼1D)의 각 면(面) 형상은, 예를 들면 직사각형상 또는 정사각형상(여기서는 직사각형상)이다. 표시 패널(1A∼1D)은, 전체로서 밭전(田)자형상이 되도록 인접하여 배치되어 있다. 상세하게는, 표시 패널(1A∼1D)은, 예를 들면 도시하지 않은 몸체 또는 기판 등의 위에, 전면에 깔아 배치되어 있다. 이들의 표시 패널(1A∼1D)의 각 표시 영역을 조합시켜서 이루어지는 영역이, 표시 장치(1)의 표시 영역(표시 영역(100))으로 되어 있다. 또한, 이하에서는, 표시 패널(1A∼1D)을 특히 구별하지 않는 경우에는, 대표하여 표시 패널(1A)을 예로 들어 설명을 행한다.
도 5a는, 백플레인(41A)의 구성을, 도 5b는 백플레인(41B)의 구성을 각각 도시한 것이다. 도 5a에 도시한 바와 같이, 백플레인(41A)은, 표시 영역(100)의 일부에 상당하는 영역(영역(10A))에 화소(P)마다 화소 회로(150)를 갖고 있다. 환언하면, 백플레인(41A)에는, 복수의 화소 회로(150)가 2차원 배치되어 있다. 이 화소 회로(150)의 형성 영역(즉 영역(10A))의 주변 영역 중의 직사각형상의 2변에 따른 영역(X1, Y1)에, 실장용의 단자부(130)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 직사각형상의 좌우 상하에 배치된 4변 중 좌측과 상측의 2변에 따라, 단자부(130)가 복수 배치되어 있다. 이 단자부(130)는, 상술한 신호선 구동 회로(120A∼120D) 또는 주사선 구동 회로(130A∼130D) 등과 배선 접속하기 위한 패드이다. 한편, 도 5b에 도시한 바와 같이, 백플레인(41B)은, 표시 영역(100)의 일부에 상당하는 영역(영역(10B))에 화소(P)마다 화소 회로(150)를 갖고 있다(백플레인(41B)에는, 복수의 화소 회로(150)가 2차원 배치되어 있다). 이 화소 회로(150)의 형성 영역(즉 영역(10B))의 주변 영역 중의 직사각형상의 2변에 따른 영역(X2, Y2)에, 실장용의 단자부(130)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 예를 들면 직사각형상의 좌우 상하의 4변 중 좌측과 하측의 2변에 따라, 단자부(130)가 복수 배치되어 있다. 이와 같이, 백플레인(41A, 11B)에서는, 예를 들면 단자부(130)의 레이아웃(예를 들면 위치)이 다르다.
이들의 백플레인(41A, 11B) 중 백플레인(41A)이, 예를 들면, 표시 패널(1A, 1D)에 배치되고, 백플레인(41B)이, 표시 패널(1B, 1C)에 배치되어 있다. 즉, 표시 패널(1A, 1D)의 조(組)에는, 서로 같은 종류의 백플레인으로서 백플레인(41A)이 사용되고, 표시 패널(1B, 1C)의 조에는, 서로 같은 종류의 백플레인으로서 백플레인(41B)이 사용되고 있다. 또한, 백플레인의 「종류」는, 예를 들면 화소 회로(150) 및 단자부(130)의 레이아웃에 의해 구별되고, 「같은 종류」란, 예를 들면 화소 회로(150) 및 단자부(130)의 레이아웃이 개략 동일한 것을 의미하는 것으로 한다. 즉, 화소 회로(150) 및 단자부(130)의 위치나 형상, 개수 등이 대강 동등한 것이면 좋고, 설계상 다소의 오차가 생겨 있어도 좋고, 국부적인 레이아웃 변경이 이루어진 것 등도 포함하는 것으로 한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 구동 제어부(110)의 타이밍 컨트롤러(111)는, 예를 들면 신호선 구동 회로(120A∼120D) 및 주사선 구동 회로(130A∼130D)의 각 회로가 연동하여 동작하도록 제어하는 것이다. 이 타이밍 컨트롤러(111)는, 예를 들면, 외부로부터 입력된 영상 신호(Din)에 응하여, 상술한 각 회로에 대해 제어 신호를 출력하는 것이다.
감마 조정부(112a∼112d)는, 표시 패널(1A∼1D)의 각각에 대해 개별적으로 마련되어 있고, 예를 들면, 외부로부터 입력된 디지털의 영상 신호(Din)에 대해 감마 조정(감마 보정)을 행하고, 그에 의해 얻어진 영상 신호를 신호선 구동 회로(120A∼120D)에 출력하는 것이다. 구체적으로는, 감마 조정부(112a)는 표시 패널(1A)의 감마 조정을 행하고, 감마 조정부(112b)는 표시 패널(1B)의 감마 조정을 행하고, 감마 조정부(112c)는 표시 패널(1C)의 감마 조정을 행하고, 감마 조정부(112d)는 표시 패널(1D)의 감마 조정을 행하는 것이다. 또한, 구동 제어부(110)에서는, 이 감마 조정 외에도 다른 신호 처리, 예를 들면 오버드라이브 보정 등이 행하여져도 좋다.
신호선 구동 회로(120A∼120D)는, 예를 들면, 타이밍 컨트롤러(111)로부터의 제어 신호에 응하여, 감마 조정부(112a∼112d)로부터 입력된 영상 신호에 대응하는 아날로그의 신호 전압을, 각 신호선(DTL)에 인가하는 것이다.
주사선 구동 회로(130A∼130D)는, 예를 들면, 타이밍 컨트롤러(111)로부터의 제어 신호에 응하여, 복수의 주사선(WSL)을 소정의 단위마다 순차적으로 선택하는 것이다. 주사선 구동 회로(130A∼130D)는, 예를 들면, 1 또는 복수의 주사선(WSL)을 소정의 시퀀스로 선택함에 의해, Vth 보정이나 신호 전압의 기록, μ보정 등을 소망하는 순번으로 실행시키는 것이다. 여기서, Vth 보정이란, 구동 트랜지스터(Tr1)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 접근시키는 보정 동작을 가리키고 있다. 신호 전압의 기록이란, 구동 트랜지스터(Tr1)의 게이트에 대해, 신호 전압을, 기록 트랜지스터(Tr2)를 통하여 기록하는 동작을 가리키고 있다. μ보정이란, 구동 트랜지스터(Tr1)의 게이트-소스 사이에 유지되는 전압(Vgs)을, 구동 트랜지스터(Tr1)의 이동도(μ)의 크기에 응하여 보정하는 동작을 가리키고 있다.
(1-3. 작용·효과)
전술한 바와 같이, 전자 디바이스에서는, 그 성능을 향상시키기 위한 배선의 갯수가 증가되고, 회로가 복잡하게 되어 있다. 예를 들면, 도 1에 도시한 다층 배선 기판(1)의 배선(22)과 같이, 절연층을 사이에 복수의 배선이 적층됨과 함께, 하나의 층에도 복수의 배선이 마련되어 고밀도화된 경우, 성막 공정의 불량에 의하여, 배선 사이에서 단락이 생기기 쉬워진다. 이 단락은, 배선 사이를 전기적으로 단락시켜, 회로 이상을 일으키는 원인이 된다. 이 때문에, 단락 결함을 검출하는 외관 검사에 의해 단락부의 유무를 검사하고, 이에 의해 검출된 단락부를 절단·수복, 또는 제거할 것이 필요해진다.
그렇지만, 도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들면, 발광 소자로서 LED를 이용한 휘도가 높은 표시 장치(2)에서는, 주변부재는 직접 또는 간접적으로 강도가 높은 광에 폭로되기 때문에, 발광 소자 바로 아래의 절연층(예를 들면, 도 1에서 절연층(21))에는, 광투과성을 갖는 절연 재료가 사용된다. 이 때문에, 절연층(21)상에 형성된 배선(22)의 단락 결함 검사를 행한 경우, 절연층(21)의 하층에 마련된 배선(예를 들면, 배선(12B))이 노이즈가 되어 검사 정밀도가 저하되고, 제조 수율 및 신뢰성이 저하될 우려가 있다.
이에 대해, 본 실시의 형태의 다층 배선 기판(1)에서는, 광투과성을 갖는 절연층(21)의 하층에 마련된 배선(12B)에 표면처리를 시행하고, 배선(12B)과 배선(22)과의, 예를 들면, 가시광 영역에서의 반사율이 다르도록 하였다. 이에 의해, 배선(12B)과 배선(22)과의 광학적인 S/N비가 높아져, 광학 검사 등의 단락 결함 검사(외관 검사)에서의 검사 정밀도가 향상한다.
이상과 같이, 본 실시의 형태에서는, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 적층된 2종류의 배선 중의 일방, 예를 들면, 절연층(21)의 하층에 마련된 배선(12B)에 표면처리를 시행하도록 하였다. 이에 의해, 배선(12B)과 배선(22)과의, 예를 들면, 가시광 영역에서의 반사율이 다르게 되고, 배선(12B)과 배선(22)과의 광학적인 S/N비가 높아진다. 따라서, 단락 결함을 검출하는 외관 검사의 검사 정밀도가 향상하고, 다층 배선 기판(1)의 제조 수율이 향상함과 함께, 높은 신뢰성을 갖는 표시 장치, 및 전자 기기를 제공하는 것이 가능해진다.
특히, 표면처리로서, 하층측의 배선(12B)의 표면에 에칭 처리 또는 흑화 처리와 같은 조화 처리를 행함에 의해, 광학적인 S/N비의 향상에 더하여, 배선(12B)과 절연층(21)과의 밀착성이 향상하고, 막 벗겨짐 등의 발생이 저감된다. 따라서, 다층 배선 기판(1) 및 이것을 구비한 표시 장치, 및 전자 기기의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 배선(22)과는 다른 색조의 금속을 사용한 도금 처리에 의해 하층측의 배선(12B)의 표면에 도금막을 형성함에 의해서도, 외관 검사의 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다. 특히, 배선(12B)을 구성하는 금속보다도 전계 인가시에 있어서의 이온 유리성이 낮은 금속을 선택함에 의해, 이온 마이그레이션에 대한 내성이 향상하고, 보다 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다.
<2. 적용례>
상기 실시의 형태에서 설명한 다층 배선 기판(1)(및 이것을 구비한 표시 장치(2))는, 예를 들면, 텔레비전 장치, 디지털 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치 또는 비디오 카메라 등, 외부로부터 입력된 영상 신호 또는 내부에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기의 표시 장치에 적용하는 것이 가능하다. 이하에 그 한 예를 나타낸다.
도 6은, 상기 실시의 형태의 다층 배선 기판(1)이 적용된 텔레비전 장치의 외관을 도시한 것이다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들면, 프런트 패널(210) 및 필터 유리(220)를 포함하는 영상 표시 화면부(200)를 갖고 있고, 영상 표시 화면부(200)에, 상기 다층 배선 기판(1)이 사용되고 있다.
이상, 실시의 형태 및 적용 예를 들어 설명하였지만, 본 개시 내용은 이들의 실시의 형태 등으로 한정되지 않고, 여러가지의 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시의 형태에 있어서 설명한 각 층의 재료 및 두께, 또는 성막 방법 및 성막 조건, 또는 단락 결함의 절단 및 수복 등은 한정되는 것이 아니고, 다른 재료 및 두께로 하여도 좋고, 또는 다른 성막 방법 및 성막 조건 또는 절단 및 수복 방법을 이용하여도 좋다.
또한, 본 실시의 형태에서는, 전자 디바이스로서 발광 소자(31)를 이용하였지만, 예를 들면 수광 소자를 이용하여도 좋다.
또한, 본 명세서 중에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고 한정되는 것이 아니고, 또한, 다른 효과가 있어도 좋다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성을 취하는 것도 가능하다.
(1) 기판과, 상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 구비한 다층 배선 기판.
(2) 상기 제1 배선은 상기 절연층의 하층측에, 상기 제2 배선은 상기 절연층의 상층측에 마련되고, 상기 표면처리는, 상기 제1 배선에 시행되어 있는, 상기 (1)에 기재된 다층 배선 기판.
(3) 상기 표면처리는, 흑화 처리, 에칭 처리, 도금 처리 중의 어느 하나인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다층 배선 기판.
(4) 상기 제1 배선의 배선 피치는, 상기 제2 배선보다도 큰, 상기 (1) 내지 (3)의 어느 하나에 기재된 전자 디바이스.
(5) 상기 제1 배선은, 상기 제1 배선을 구성하는 재료보다도 반사율이 낮은, 상기 제1 배선과는 다른 금속재료에 의해 피복되어 있는, 상기 (1) 내지 (4)의 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판.
(6) 상기 금속재료는, 상기 제1 배선을 구성하는 재료보다도 전위 인가에 의한 이온 유리성이 낮은, 상기 (5)에 기재된 다층 배선 기판.
(7) 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 동일 재료에 의해 형성되어 있는, 상기 (1) 내지 (6)의 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판.
(8) 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)에 의해 형성되어 있는, 상기 (1) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판.
(9) 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 도금에 의해 형성되어 있는, 상기 (1) 내지 (8)의 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판.
(10) 상기 금속재료는, 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 주석(Sn), 텅스텐(W) 또는 티탄(Ti) 또는 이들 금속의 어느 하나를 포함하는 합금인, 상기 (5) 내지 (9)의 어느 하나에 기재된 다층 배선 기판.
(11) 다층 배선 기판상에 마련된 복수의 발광 소자를 구비하고, 상기 다층 배선 기판은, 기판과, 상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 갖는 표시 장치.
(12) 다층 배선 기판상에 마련된 복수의 전자 디바이스를 구비하고, 상기 다층 배선 기판은, 기판과, 상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면 처리된 제1 배선 및 제2 배선을 갖는 전자 기기.
(13) 상기 전자 디바이스는, 수광 소자인, 상기 (12)에 기재된 전자 기기.
본 출원은, 일본 특허청에서 2014년 12월 5일에 출원된 일본 특허출원 번호2014-247066호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원의 모든 내용을 참조에 의해 본 출원에 원용한다.
당업자라면, 설계상의 요건이나 다른 요인에 응하여, 여러가지의 수정, 콤비네이션, 서브콤비네이션 및 변경을 상도할 수 있는데, 그들은 첨부의 청구의 범위나 그 균등물의 범위에 포함되는 것으로 이해된다.

Claims (13)

  1. 기판과,
    상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 구비한 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선은 상기 절연층의 하층측에, 상기 제2 배선은 상기 절연층의 상층측에 마련되고, 상기 표면처리는 상기 제1 배선에 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표면처리는, 흑화 처리, 흑화 대체 조화 처리, 에칭 처리, 도금 처리 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선의 배선 피치는, 상기 제2 배선보다도 큰 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 배선은, 상기 제1 배선을 구성하는 재료보다도 반사율이 낮은, 상기 제1 배선과는 다른 금속재료에 의해 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 금속재료는, 상기 제1 배선을 구성하는 재료보다도 전위 인가에 의한 이온 유리성이 낮은 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 동일 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은, 도금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 금속재료는, 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 주석(Sn), 텅스텐(W) 또는 티탄(Ti) 또는 이들 금속의 어느 하나를 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판.
  11. 다층 배선 기판상에 마련된 복수의 발광 소자를 구비하고,
    상기 다층 배선 기판은,
    기판과,
    상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 다층 배선 기판상에 마련된 복수의 전자 디바이스를 구비하고,
    상기 다층 배선 기판은,
    기판과,
    상기 기판상에 마련되고, 광투과성을 갖는 절연층을 사이에 배설함과 함께, 적어도 일방이 표면처리된 제1 배선 및 제2 배선을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는, 수광 소자인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220025652A (ko) * 2020-08-24 2022-03-03 플레이니트라이드 디스플레이 컴퍼니 리미티드 접합 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP6823262B2 (ja) * 2017-03-15 2021-02-03 ミツミ電機株式会社 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール
JP7173653B2 (ja) * 2017-06-27 2022-11-16 ソニーグループ株式会社 表示素子実装基板及び表示装置
US10756073B2 (en) * 2018-02-13 2020-08-25 Lumens Co., Ltd. Micro LED module with flexible multilayer circuit substrate
US11635186B2 (en) * 2018-03-13 2023-04-25 Motherson Innovations Company Limited Polymeric substrate and a method of providing same
JP7454854B2 (ja) * 2018-12-14 2024-03-25 国立大学法人大阪大学 表示装置およびその製造方法
JP7263204B2 (ja) * 2019-10-16 2023-04-24 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3551025B2 (ja) 1998-06-25 2004-08-04 松下電工株式会社 プリント配線板のヴィアホールの検査方法
JP4480236B2 (ja) * 1999-08-06 2010-06-16 イビデン株式会社 電解めっき液、その液を用いた多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板
EP1207730B1 (en) * 1999-08-06 2009-09-16 Ibiden Co., Ltd. Electroplating solution, method for fabricating multilayer printed wiring board using the solution, and multilayer printed wiring board
JP4876319B2 (ja) 2001-03-09 2012-02-15 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
JP4887587B2 (ja) 2001-08-01 2012-02-29 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP4454453B2 (ja) 2004-09-27 2010-04-21 イビデン株式会社 Ｉｃチップ実装用基板および光通信用デバイス
JP2008172151A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 多層配線基板
JP2009111307A (ja) * 2007-11-01 2009-05-21 Dainippon Printing Co Ltd 部品内蔵配線板
CN102612265B (zh) * 2007-11-01 2016-05-11 大日本印刷株式会社 内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220025652A (ko) * 2020-08-24 2022-03-03 플레이니트라이드 디스플레이 컴퍼니 리미티드 접합 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널
US11887842B2 (en) 2020-08-24 2024-01-30 PlayNitride Display Co., Ltd. Spliced micro light-emitting-diode display panel

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