CN110284120B - 清洗方法和成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。

Description

清洗方法和成膜装置
技术领域
本发明涉及一种清洗方法和成膜装置。
背景技术
已知一种成膜装置，进行如下成膜处理：在将基板收容于处理容器内的状态下，从气体导入管向处理容器内供给成膜气体来在基板上形成膜。在该成膜装置中，当向处理容器内供给成膜气体时，成膜气体引起热反应，因热反应生成的反应生成物沉积于基板，并在基板上形成膜。
另外，通过成膜处理生成的反应生成物不仅附着于基板，还附着于处理容器的内壁、气体导入管等成膜装置的内部。当在反应生成物附着于成膜装置的内部的状态下重复进行成膜处理时，反应生成物剥离并产生粒子。当粒子附着于基板时，所制造的半导体装置的成品率降低。
因此，提出了一种清洗方法，在进行成膜处理之后，从气体导入管供给含氟化氢气体的清洗气体，由此去除附着于成膜装置的内部的反应生成物来对成膜装置的内部进行清洗(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-333110号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的清洗方法中，将附着于气体导入管的内壁的反应生成物和附着于处理容器的内壁等基板处理区域的反应生成物同时去除，因此基板处理区域的表面状态发生变化。因此，在对成膜装置实施了清洗处理的情况下，实施在基板处理区域形成规定的膜的涂敷(coating)处理，在使基板处理区域的表面状态稳定化之后，再开始进行成膜处理。涂敷处理所需要的时间比较长，因此生产率降低。
因而，在本发明的一个方式中，目的在于，提供一种能够抑制因对成膜装置实施清洗处理引起的生产率降低的清洗方法。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的清洗方法是在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在所述成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括以下处理：在所述成膜处理中进行控制，使得所述处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，其中，所述原料气体供给部用于向所述处理容器内供给所述原料气体；在所述成膜处理之后实施清洗处理，在该清洗处理中，从所述原料气体供给部向所述处理容器内供给所述第二膜与所述第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对所述原料气体供给部内沉积的所述第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除；以及在所述清洗处理之后实施表面控制处理，在该表面控制处理中，使所述处理容器内沉积的所述第一膜的表面状态接近所述清洗处理之前的状态。
发明的效果
根据公开的清洗方法，能够抑制因对成膜装置实施清洗处理引起的生产率降低。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式所涉及的纵型热处理装置的一例的截面图。
图2是用于说明图1的纵型热处理装置的处理容器的图。
图3是示出第一实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。
图4是用于说明成膜处理的时序图。
图5是示出第二实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。
图6是示出第三实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。
附图标记说明
1：纵型热处理装置；34：处理容器；44：内管；46：外管；76：气体喷嘴；78：气体喷嘴；110：控制部。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，关于实质上相同的结构，通过标注相同的附图标记来省去重复的说明。
[成膜装置的整体结构]
关于能够应用本发明的实施方式所涉及的清洗方法的成膜装置，举例说明批量式的纵型热处理装置。图1是示出本发明的实施方式所涉及的纵型热处理装置的一例的截面图。图2是用于说明图1的纵型热处理装置的处理容器的图。
纵型热处理装置1具有：处理容器34，其收容作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”)；盖部36，其将处理容器34的下端的开口部气密地堵住；晶圆舟38，其能够被收容于处理容器34内，是将多个晶圆W以规定间隔保持的基板保持器具；气体供给部40，其向处理容器34内供给规定的气体；排气部41，其排出处理容器34内的气体；以及加热部42，其对晶圆W进行加热。
处理容器34具有下端部开放的具有顶部的圆筒形状的内管44、以及下端部开放并且覆盖内管44的外侧的具有顶部的圆筒形状的外管46。内管44和外管46由石英等耐热性材料形成，并且呈同轴状地配置而成为双重管构造。
内管44的顶部44A例如是平坦的。在内管44的一侧形成有沿着内管44的长边方向(上下方向)收容气体喷嘴的喷嘴收容部48。在本发明的实施方式中，如图2所示，使内管44的侧壁的一部分朝向外侧突出而形成凸部50，将凸部50内形成为喷嘴收容部48。
另外，在内管44的与喷嘴收容部48相向的相反侧的侧壁，沿着其长边方向(上下方向)形成有宽度L1的矩形形状的开口部52。
开口部52是形成为能够将内管44内的气体排出的排气口。开口部52形成为长度与晶圆舟38的长度相同或者比圆舟38的长度长地分别向上下方向延伸。即，开口部52的上端位于延伸至与晶圆舟38的上端对应的位置以上的高度的位置，开口部52的下端位于延伸至与晶圆舟38的下端对应的位置以下的高度的位置。具体地说，如图1所示，晶圆舟38的上端与开口部52的上端之间的高度方向上的距离L2在0mm～5mm左右的范围内。另外，晶圆舟38的下端与开口部52的下端之间的高度方向上的距离L3在0mm～350mm左右的范围内。
处理容器34的下端被例如由不锈钢形成的圆筒形状的歧管54支承。在歧管54的上端形成有凸缘部56，在凸缘部56上设置外管46的下端部来支承外管46的下端部。在凸缘部56与外管46的下端部之间插入安装O型圈等密封部件58，来使外管46内为气密状态。
在歧管54的上部的内壁设置有圆环状的支承部60，在支承部60上设置内管44的下端部来支承内管44的下端部。盖部36经由O型圈等密封部件62气密地安装在歧管54的下端的开口部，将处理容器34的下端的开口部、也即歧管54的开口部气密地堵住。盖部36例如由不锈钢形成。
旋转轴66经由磁性流体密封部64以贯穿的方式设置在盖部36的中央部。旋转轴66的下部以旋转自如的方式支承于由晶圆舟升降器构成的升降部68的臂68A上。
在旋转轴66的上端设置有旋转板70，在旋转板70上隔着石英制的保温台72载置保持晶圆W的晶圆舟38。因而，通过使升降部68升降来使盖部36和晶圆舟38一体地上下移动，从而能够相对于处理容器34内插入和抽出晶圆舟38。
气体供给部40设置于歧管54，用于向内管44内供给气体。气体供给部40具有多个(例如三个)石英制的气体喷嘴76、78、80。各个气体喷嘴76、78、80在内管44内沿着其长边方向设置，并且各个气体喷嘴76、78、80以其基端弯曲成L字形地贯穿歧管54的方式支承。
如图2所示，气体喷嘴76、78、80以在内管44的喷嘴收容部48内沿着周向成为一列的方式设置。在各个气体喷嘴76、78、80上沿着其长边方向以规定的间隔形成有多个气体孔76A、78A、80A，能够通过各个气体孔76A、78A、80A来朝向水平方向排放各气体。规定的间隔例如被设定为与晶圆舟38中支承的晶圆W的间隔相同。另外，高度方向上的位置被设定为使各个气体孔76A、78A、80A位于在上下方向上相邻的晶圆W之间的中间位置，从而能够高效地向晶圆W之间的空间部供给各气体。
作为气体的种类，能够使用原料气体、反应气体、第一清洗气体、第二清洗气体以及非活性气体，能够一边对各气体进行流量控制一边根据需要经由各气体喷嘴76、78、80供给各气体。在本实施方式中，气体喷嘴76供给原料气体、第一清洗气体以及非活性气体。从气体喷嘴76供给的非活性气体例如从比原料气体靠上游侧的位置供给，作为载气发挥功能。气体喷嘴78供给反应气体、第二清洗气体以及非活性气体。气体喷嘴80供给非活性气体。
原料气体例如可以是含硅气体。含硅气体例如可以是二氯硅烷(DCS：SiH2Cl2)、六氯二硅烷(HCD：Si2Cl6)、四氯硅烷(SiCl4)、三氯硅烷(SiHCl3)、八氯三硅烷(Si3Cl8)、氨基硅烷系化合物、硅氧烷化合物。氨基硅烷系化合物例如可以是丁基氨基硅烷(BAS)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、二甲基氨基硅烷(DMAS)、双二甲基氨基硅烷(BDMAS)、二丙基氨基硅烷DPAS、二异丙氨基硅烷(DIPAS)。
另外，原料气体例如可以是含金属气体。含金属气体例如可以是四氯化钛(TiCl4)、三甲基铝(TMA)、氯化铝(AlCl3)、四(二甲氨基)铪(TDMAH：Hf[N(CH3)2]4)、四(N-乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)、三(二甲基氨基)环戊二烯基锆((C5H5)Zr[N(CH3)2]3)。
反应气体是能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的气体。反应气体例如可以是氧化气体。氧化气体例如可以是氢(H2)与氧(O2)的混合气体、O2、水蒸气(H2O)、臭氧(O3)、H2与O3的混合气体、一氧化氮(NO)、一氧化二氮(N2O)、二氧化氮(NO2)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)。另外，反应气体例如也可以是氮化气体。氮化气体例如可以是氨(NH3)、有机氨气体、二氮烯(N2H2)、肼(N2H4)、肼化合物。肼化合物例如可以是单甲基肼(MMH)。
例如，在原料气体为含硅气体、反应气体为氧化气体的情况下，能够在晶圆W上形成硅氧化膜。另外，例如在原料气体为含硅气体、反应气体为氮化气体的情况下，能够在晶圆W上形成硅氮化膜。另外，例如在原料气体为含金属气体、反应气体为氧化气体的情况下，能够在晶圆W上形成金属氧化膜。作为金属氧化膜，例如能够例举氧化铝(AlO)等高介电常数膜(high-k膜)。另外，例如在原料气体为含金属气体、反应气体为氮化气体的情况下，能够在晶圆W上形成金属氮化膜。
在实施向处理容器34供给原料气体和反应气体来在晶圆W上形成反应生成物的膜的成膜处理时，第一清洗气体是气体喷嘴76内沉积的膜与处理容器34内沉积的膜的蚀刻选择比大于1的气体。下面，将处理容器34内沉积的膜称为第一膜，将气体喷嘴76内沉积的膜称为第二膜。能够根据在成膜处理中要在晶圆W上形成的膜的种类来选择第一清洗气体。例如，在成膜处理中要在晶圆W上形成硅氧化膜或硅氮化膜的情况下，第一清洗气体例如可以是氟(F2)、氯(Cl2)、F2与Cl2的混合气体、F2与氟化氢(HF)的混合气体、F2与H2的混合气体、F2与HF与NH3的混合气体、三氟化氮(NF3)、三氯化氮(NCl3)。但是，第一清洗气体优选为硅膜与硅氧化膜或硅氮化膜的蚀刻选择比大的气体，例如优选为Cl2。由此，能够几乎不对处理容器34内沉积的硅氧化膜或硅氮化膜进行蚀刻而选择性地去除气体喷嘴76内沉积的硅膜。另外，例如在成膜处理中要在晶圆W上形成金属氧化膜或金属氮化膜的情况下，第一清洗气体例如可以是Cl2。
第二清洗气体是能够对处理容器34内沉积的第一膜进行蚀刻的气体。在要在晶圆W上形成硅氧化膜或硅氮化膜的情况下，第二清洗气体例如可以是HF、F2与HF的混合气体、F2与H2的混合气体、NF3。
另外，在要在晶圆W上形成金属氧化膜或金属氮化膜的情况下，第二清洗气体例如可以是氯化氢(HCl)。
非活性气体例如可以是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)等稀有气体、氮(N2)。
另外，在歧管54的上部的侧壁且支承部60的上方形成有气体出口82，能够经由内管44与外管46之间的空间部84来排出从开口部52排出的内管44内的气体。在气体出口82处设置排气部41。排气部41具有与气体出口82连接的排气通路86，在排气通路86上依次插入设置有压力调整阀88和真空泵90，能够对处理容器34内进行抽真空。
在外管46的外周侧，以覆盖外管46的方式设置有圆筒形状的加热部42。加热部42对处理容器34内收容的晶圆W进行加热。
像这样形成的纵型热处理装置1的整体的动作例如由计算机等控制部110来控制。另外，进行纵型热处理装置1的整体的动作的计算机的程序被存储在存储介质112中。存储介质112例如可以是软盘、光盘、硬盘、快闪存储器、DVD等。
[清洗方法]
(第一实施方式)
说明第一实施方式所涉及的清洗方法的一例。第一实施方式所涉及的清洗方法例如通过由控制部110控制纵型热处理装置1的各部的动作来实施。图3是示出第一实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。图4是用于说明成膜处理的时序图。
最初，实施如下的成膜处理S102：向处理容器34内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在晶圆W上形成反应生成物的膜。在成膜处理S102中进行控制，使得处理容器34内沉积的第一膜与气体喷嘴76内沉积的第二膜为不同种类的膜，其中，气体喷嘴76用于向处理容器34内供给原料气体。例如图4所示，成膜处理S102可以是通过重复进行吸附步骤、第一吹扫步骤、反应步骤以及第二吹扫步骤来在晶圆W上形成具有规定膜厚的膜的基于原子层沉积法的处理。
吸附步骤是如下步骤：从气体喷嘴76向处理容器34内供给原料气体和非活性气体，使原料气体吸附于晶圆W。在吸附步骤中进行控制，使得例如从气体喷嘴76供给的非活性气体的流量大于从气体喷嘴76供给的原料气体的流量。但是，如果作为非活性气体的载气效果足够，则没有特别限定。另外，优选的是，在吸附步骤之前，开始从气体喷嘴76向处理容器34内供给非活性气体。并且，也可以从气体喷嘴78和气体喷嘴80供给非活性气体。原料气体例如可以是含硅气体、含金属气体。
第一吹扫步骤是如下步骤：在从气体喷嘴76向处理容器34内供给非活性气体的状态下，从气体喷嘴80向处理容器34内供给非活性气体，来对残留在处理容器34内的原料气体进行吹扫。并且，也可以从气体喷嘴78供给非活性气体。非活性气体例如可以是He、Ne、Ar等稀有气体、N2。
反应步骤是如下步骤：在从气体喷嘴76向处理容器34内供给非活性气体的状态下，从气体喷嘴78向处理容器34内供给反应气体，来使吸附在晶圆W上的原料气体与反应气体发生反应并形成反应生成物的膜。在反应步骤中，利用从气体喷嘴76向处理容器34内供给的非活性气体来防止反应气体侵入气体喷嘴76内。换言之，从气体喷嘴76向处理容器34内供给的非活性气体作为针对反应气体的逆向气流发挥功能。由此，在处理容器34内通过原料气体与反应气体发生反应而沉积反应生成物的膜，与此相对，在气体喷嘴76内沉积因原料气体的热分解而生成的膜。即，在反应步骤中，在处理容器34内和气体喷嘴76内沉积不同种类的膜。反应气体例如可以是氧化气体、氮化气体。并且，在反应步骤中，也可以从气体喷嘴80供给非活性气体。
第二吹扫步骤是如下步骤：在从气体喷嘴76向处理容器34内供给非活性气体的状态下，从气体喷嘴80向处理容器34内供给非活性气体，来对残留在处理容器34内的反应气体进行吹扫。并且，也可以从气体喷嘴78供给非活性气体。非活性气体例如可以是He、Ne、Ar等稀有气体、N2。
像这样，在成膜处理S102中进行控制，使得通过实施吸附步骤、第一吹扫步骤、反应步骤以及第二吹扫步骤，来使处理容器34内沉积的第一膜与气体喷嘴76内沉积的第二膜为不同种类的膜。例如，在将含硅气体或含金属气体用作原料气体、将氧化气体用作反应气体情况下，形成硅氧化膜或金属氧化膜来作为第一膜，并形成硅膜或金属膜来作为第二膜。另外，例如在将含硅气体或含金属气体用作原料气体、将氮化气体用作反应气体的情况下，形成硅氮化膜或金属氮化膜来作为第一膜，并形成硅膜或金属膜来作为第二膜。此外，在本实施方式中，举例说明了在成膜处理S102中始终从气体喷嘴76向处理容器34内供给非活性气体的情况，但不限定于此。关于从气体喷嘴76供给的非活性气体，只要是至少在从气体喷嘴78向处理容器34内供给反应气体时供给即可。另外，在本实施方式中，示出在吸附步骤、第一吹扫步骤以及第二吹扫步骤中从气体喷嘴78供给非活性气体的情况，并示出在吸附步骤和反应步骤中从气体喷嘴80供给非活性气体的情况，但不限定于此。
接着，实施如下的第一清洗处理S104：从气体喷嘴76向处理容器34内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的第一清洗气体，并对气体喷嘴76内沉积的第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除。将处理容器34内的温度升温至例如200℃～500℃来实施第一清洗处理S104。能够根据在成膜处理S102中要在晶圆W上形成的膜的种类来选择第一清洗气体。例如，在成膜处理S102中要在晶圆W上形成硅氧化膜或硅氮化膜的情况下，第一清洗气体例如可以是F2、Cl2、F2与Cl2的混合气体、F2与HF的混合气体、F2与HF与NH3的混合气体、NF3、NCl3。由此，能够抑制对处理容器34内沉积的硅氧化膜或硅氮化膜的蚀刻，并且能够将气体喷嘴76内沉积的硅膜去除。另外，第一清洗气体优选为硅膜与硅氧化膜或硅氮化膜的蚀刻选择比大的气体，例如优选为Cl2。由此，能够几乎不对处理容器34内沉积的硅氧化膜或硅氮化膜进行蚀刻而选择性地去除气体喷嘴76内沉积的硅膜。
接着，实施如下的表面控制处理S106：使处理容器34内沉积的第一膜的表面状态接近实施第一清洗处理S104之前的状态。将处理容器34内的温度升温至例如600℃～800℃来实施表面控制处理S106。在表面控制处理S106中，向处理容器34内供给根据在成膜处理S102中要在晶圆W上形成的膜的种类所选择的气体。例如，在成膜处理S102中要形成硅氧化膜的情况下，从气体喷嘴78向处理容器34内供给含氧气体。含氧气体例如可以是O2与H2的混合气体、O2、O3。另外，也可以使这些含氧气体等离子体化后供给到处理容器34内。另外，也可以是，在供给含氧气体的状态下，向处理容器34内照射紫外线(UV：ultraviolet)。另外，在使用两种以上的含氧气体的情况下，也可以使用两个以上的气体喷嘴78，将两种以上的含氧气体以在处理容器34内混合的方式进行供给。并且，也可以将例如O2和H2以在处理容器34内混合的方式进行供给。另外，例如在成膜处理S102中要形成硅氮化膜的情况下，从气体喷嘴78向处理容器34内供给含氮气体。含氮气体例如可以是NH3、被高温化而提高了反应性的N2、N2与H2的混合气体。另外，也可以将这些含氮气体等离子体化后供给到处理容器34内。另外，在使用两种以上的含氮气体的情况下，也可以使用两个以上的气体喷嘴78，将两种以上的含氮气体以在处理容器34内混合的方式进行供给。
接着，实施如下的判定处理S108：判定包含成膜处理S102、第一清洗处理S104以及表面控制处理S106的循环的重复次数是否为规定次数以上。在判定处理S108中上述循环的重复次数为规定次数以上的情况下，前进至第二清洗处理S110。另一方面，在上述循环的重复次数少于规定次数的情况下，返回至成膜处理S102。规定次数没有特别限定，例如可以是100次～250次。
接着，实施如下的第二清洗处理S110：从气体喷嘴78向处理容器34内供给第二清洗气体，并对处理容器34内沉积的第一膜进行蚀刻来将该第一膜去除。在第二清洗处理S110中，也可以对处理容器34内沉积的第一膜和气体喷嘴76内沉积的第二膜同时进行蚀刻。另外，在第二清洗处理S110中，也可以从气体喷嘴76、80向处理容器34内供给第二清洗气体。第二清洗气体是能够对处理容器34内沉积的第一膜进行蚀刻来将该第一膜去除的气体，能够根据第一膜的种类来选择第二清洗气体。在第一膜为硅氧化膜或硅氮化膜的情况下，例如能够使用HF、F2与HF的混合气体、F2与H2的混合气体、NF3等。并且，在第一膜为金属氧化膜或金属氮化膜的情况下，能够使用HCl。此外，当处理容器34内沉积的第一膜被去除时，结束处理。
根据以上所说明的第一实施方式所涉及的清洗方法，在第一清洗处理S104时，选择性地去除在相比于处理容器34内而言更容易发生膜剥离的气体喷嘴76内沉积的第二膜。因此，在再开始进行成膜处理S102时，不需要进行在处理容器34的内壁等晶圆处理区域形成规定的膜的涂敷处理，从而能够节省涂敷处理所需要的时间，提高生产率。
(第二实施方式)
说明第二实施方式所涉及的清洗方法的一例。第二实施方式所涉及的清洗方法例如通过由控制部110控制纵型热处理装置1的各部的动作来实施。图5是示出第二实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。
在第二实施方式所涉及的清洗方法中，重复实施成膜处理S202，在成膜处理S202的重复次数变为规定次数以上的情况下，实施第一清洗处理S206和表面控制处理S208。此外，其它方面可以与第一实施方式相同。下面，说明与第一实施方式不同的点。
如图5所示，在实施成膜处理S202之后，实施如下的判定处理S204：判定成膜处理S202的重复次数是否为规定次数以上。在判定处理S204中成膜处理S202的重复次数为规定次数以上的情况下，前进至第一清洗处理S206。另一方面，在成膜处理S202的重复次数少于规定次数的情况下，返回至成膜处理S202。规定次数没有特别限定，例如可以是5次～25次。
接着，实施如下的第一清洗处理S206：从气体喷嘴76向处理容器34内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的第一清洗气体，并对气体喷嘴76内沉积的第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除。
接着，实施如下的表面控制处理S208：使处理容器34内沉积的第一膜的表面状态接近实施第一清洗处理S206之前的状态。
接着，实施如下的判定处理S210：判定包含成膜处理S202、判定处理S204、第一清洗处理S206以及表面控制处理S208的循环的重复次数是否为规定次数以上。在判定处理S210中上述循环的重复次数为规定次数以上的情况下，前进至第二清洗处理S212。另一方面，在上述循环的重复次数少于规定次数的情况下，返回至成膜处理S202。规定次数没有特别限定，例如可以是10次～50次。
接着，实施如下的第二清洗处理S212：从气体喷嘴78向处理容器34内供给第二清洗气体。在第二清洗处理S212中，也可以对处理容器34内沉积的第一膜和气体喷嘴76内沉积的第二膜同时进行蚀刻来将它们去除。此外，当处理容器34内沉积的第一膜和气体喷嘴76内沉积的第二膜被去除时，结束处理。
根据以上所说明的第二实施方式所涉及的清洗方法，在第一清洗处理S206时，选择性地去除在相比于处理容器34内而言更容易发生膜剥离的气体喷嘴76内沉积的第二膜。因此，在再开始进行成膜处理S202时，不需要进行在处理容器34的内壁等晶圆处理区域形成规定的膜的涂敷处理，从而能够节省涂敷处理所需要的时间，提高生产率。
(第三实施方式)
说明第三实施方式所涉及的清洗方法的一例。第三实施方式所涉及的清洗方法例如通过由控制部110控制纵型热处理装置1的各部的动作来实施。图6是示出第三实施方式所涉及的清洗方法的一例的流程图。
在第三实施方式所涉及的清洗方法中，在成膜处理S302之后实施循环吹扫处理S304。此外，其它方面可以与第二实施方式相同。下面，说明与第二实施方式不同的点。
如图6所示，在实施成膜处理S302之后，实施循环吹扫处理S304。循环吹扫处理S304是将以下循环进行多次的处理，该循环如下：从气体喷嘴80向处理容器34内供给非活性气体来使处理容器34内升压，在使非活性气体与反应生成物混合之后，对处理容器34内进行抽真空，再次供给非活性气体。另外，在循环吹扫处理S304中，也可以从气体喷嘴76、78向处理容器34内供给非活性气体。
接着，实施如下的判定处理S306：判定成膜处理S302的重复次数是否为规定次数以上。在判定处理S306中成膜处理S302的重复次数为规定次数以上的情况下，前进至第一清洗处理S308。另一方面，在成膜处理S302的重复次数少于规定次数的情况下，返回至成膜处理S302。规定次数没有特别限定，例如可以是5次～25次。
接着，实施如下的第一清洗处理S308：从气体喷嘴76向处理容器34内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的第一清洗气体，并对气体喷嘴76内沉积的第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除。
接着，实施如下的表面控制处理S310：使处理容器34内沉积的第一膜的表面状态接近实施第一清洗处理S308之前的状态。
接着，实施如下的判定处理S312：判定包含成膜处理S302、循环吹扫处理S304、判定处理S306、第一清洗处理S308以及表面控制处理S310的循环的重复次数是否为规定次数以上。在判定处理S312中上述循环的重复次数为规定次数以上的情况下，前进至第二清洗处理S314。另一方面，在上述循环的重复次数少于规定次数的情况下，返回至成膜处理S302。规定次数没有特别限定，例如可以是10次～50次。
接着，实施如下的第二清洗处理S314：从气体喷嘴78向处理容器34内供给第二清洗气体。在第二清洗处理S314中，也可以对处理容器34内沉积的第一膜和气体喷嘴76内沉积的第二膜同时进行蚀刻来将它们去除。此外，当处理容器34内沉积的第一膜和气体喷嘴76内沉积的第二膜被去除时，结束处理。
根据以上所说明的第三实施方式所涉及的清洗方法，在第一清洗处理S308时，选择性地去除在相比于处理容器34内而言更容易发生膜剥离的气体喷嘴76内沉积的第二膜。因此，在再开始进行成膜处理S302时，不需要进行在处理容器34的内壁等晶圆处理区域形成规定的膜的涂敷处理，从而能够节省涂敷处理所需要的时间，提高生产率。
在上述的各实施方式中，气体喷嘴76是原料气体供给部的一例，气体喷嘴78是反应气体供给部的一例。
以上，说明了用于实施本发明的方式，但上述内容不是对发明的内容进行限定，能够在本发明的范围内进行各种变形和改进。
在上述的实施方式中，作为成膜装置，举例说明了一次对多个晶圆进行处理的批量式的纵型热处理装置，但本发明不限定于此。例如，也可以是将晶圆一片一片地进行处理的单片式的装置。另外，例如也可以是半批量式的装置，即利用旋转台使配置在处理容器内的旋转台上的多个晶圆进行公转，并依次经过被供给原料气体的区域和被供给与原料气体发生反应的反应气体的区域，来在晶圆的表面进行成膜。

Claims (11)

1.一种清洗方法，是在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在所述成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括以下处理：
在所述成膜处理中进行控制，使得所述处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，其中，所述原料气体供给部用于向所述处理容器内供给所述原料气体；
在所述成膜处理之后实施清洗处理，在该清洗处理中，从所述原料气体供给部向所述处理容器内供给所述第二膜与所述第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对所述原料气体供给部内沉积的所述第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除，在所述清洗处理后，所述处理容器内残留有所述第一膜；以及
在所述清洗处理之后实施表面控制处理，在该表面控制处理中，使所述处理容器内沉积的所述第一膜的表面状态接近所述清洗处理之前的状态，
其中，所述反应气体为氧化气体并且所述表面控制处理向所述处理容器内供给含氧气体，或者所述反应气体为氮化气体并且所述表面控制处理向所述处理容器内供给含氮气体。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成膜处理中，在供给所述反应气体时，从所述原料气体供给部供给非活性气体。
3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成膜处理中，在开始供给所述原料气体之前，开始从所述原料气体供给部供给非活性气体。
4.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成膜处理中，在供给所述原料气体时，从所述原料气体供给部同时供给所述原料气体和非活性气体。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，
所述非活性气体的流量大于所述原料气体的流量。
6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成膜处理中，始终从所述原料气体供给部供给非活性气体。
7.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，
从比所述原料气体靠上游侧的位置供给所述非活性气体。
8.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，
每当进行一次所述成膜处理时，实施所述清洗处理。
9.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，
每当进行多次所述成膜处理时，实施所述清洗处理。
10.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，
所述原料气体为含硅气体，
所述清洗气体为F2、Cl2、NF3、ClF3中的任一气体。
11.一种成膜装置，具有：
处理容器，其收容基板；
原料气体供给部，其向所述处理容器内供给原料气体；
反应气体供给部，其向所述处理容器内供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的膜的反应气体；以及
控制部，其控制所述原料气体供给部和所述反应气体供给部，
其中，在所述基板上形成所述反应生成物的膜的成膜处理中，所述控制部进行控制，使得所述处理容器内沉积的第一膜与所述原料气体供给部沉积的第二膜为不同种类的膜，
在所述成膜处理之后，所述控制部进行控制使得实施清洗处理，在该清洗处理中，从所述原料气体供给部向所述处理容器内供给所述第二膜与所述第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对所述原料气体供给部内沉积的所述第二膜进行蚀刻来将该第二膜去除，在所述清洗处理后，所述处理容器内残留有所述第一膜，
在所述清洗处理之后，所述控制部进行控制使得实施表面控制处理，在该表面控制处理中，使所述处理容器内沉积的所述第一膜的表面状态接近所述清洗处理之前的状态，
其中，所述反应气体为氧化气体并且所述表面控制处理向所述处理容器内供给含氧气体，或者所述反应气体为氮化气体并且所述表面控制处理向所述处理容器内供给含氮气体。
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