JP6783888B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 - Google Patents
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-
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Description
(a)基板を処理室に搬入する工程と、
(b)基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する工程と、
(d)(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する工程と、
(e)(c)工程と(d)工程とを繰り返す工程と、
を有し、
(b)工程では、処理ガスの供給と、不活性ガスの供給と、を繰り返す技術が提供される。
以下、本開示の一実施形態について、図1〜図6を用いて説明する。
図1に示されているように、基板処理装置100は、処理容器202を備えている。処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)などの金属材料により構成されている。処理室である処理容器202内には、ウエハWを処理する処理空間205と、ウエハWを処理空間205に搬送する際にウエハWが通過する搬送空間206とが形成されている。処理容器202は、上部容器202aと下部容器202bで構成される。上部容器202aと下部容器202bの間には仕切り板208が設けられる。
シャワーヘッド230の蓋231に設けられたガス導入孔231aと連通するよう、蓋231にはガス供給管242が接続される。ガス供給管242には、第1ガス供給管243a、第2ガス供給管244a、第3ガス供給管245a及び第4ガス供給管254が接続されている。
第1ガス供給管243aには、上流方向から順に、第1ガス供給源243b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)243c、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。
第2ガス供給管244aには、上流方向から順に、第2ガス供給源244b、MFC244c、及びバルブ244dが設けられている。
第3ガス供給管245aには、上流方向から順に、不活性ガス供給源245b、MFC245c、バルブ245d及びガス加熱装置253が設けられている。なお、ガス加熱装置253は必須の構成では無く、処理の内容に応じて設けられる。
第4ガス供給管254には、少なくとも、ガス供給管248aが接続され、その下流側に、上流方向から順に、気化器249と、プラズマ生成部であるプラズマ発生器250が設けられている。なお、第4ガス供給管254にガス供給管247aを接続しても良い。
処理容器202の雰囲気を排気する排気部を説明する。処理容器202には、処理空間205に連通するよう、排気管262が接続される。排気管262は、処理空間205の側方に設けられる。排気管262には、処理空間205内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるAPC(Auto Pressure Controller)266が設けられる。APC266は開度調整可能な弁体(図示せず)を有し、コントローラ280からの指示に応じて排気管262のコンダクタンスを調整する。排気管262においてAPC266の上流側にはバルブ267が設けられる。バルブ267の下流には、排気管262の圧力を計測する圧力モニタ部268が設けられる。
基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。
次に、基板処理装置100を使用して、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する処理を実施する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
(a)ウエハWを処理容器202内に搬入する工程と、
(b)ウエハWにH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)(b)工程の後で、ハロゲン元素を含むガスとしてSiCl4ガスを供給する工程と、
(d)(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスとしてO3ガスを供給する工程と、
(e)(c)工程と(d)工程とを繰り返す工程と、
を行うことで、ウエハ200上に、所定膜厚のシリコン酸化膜(SiO2膜、以下SiO膜ともいう)を形成する例について説明する。
基板処理装置100では基板載置台212をウエハWの搬送位置まで下降させることにより、基板載置台212の貫通孔214にリフトピン207を貫通させる。その結果、リフトピン207が、基板載置台212表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ149を開き、図示しないウエハ移載機を用いて、処理室内にウエハW(処理基板)を搬入し、リフトピン207上にウエハWを移載する。これにより、ウエハWは、基板載置台212の表面から突出したリフトピン207上に水平姿勢で支持される。
次に、親水化処理(S11)を行う。ウエハWに対して親水化処理を行うことにより、図5(A)に示すように、ウエハWの表面上にOH基が付着して、ウエハWの表面にOH終端が形成される。この親水化処理を、セルフリミッティングに反応が飽和し、OH基が吸着するまで行う。これにより、次のSiCl4ガス供給(S12)においてSi原料がウエハW表面に吸着しやすくなる。親水化処理工程S11については詳細を後述する。
(SiCl4ガス供給:ステップS12)
次に、第1ガス供給管243aのバルブ243dを開き、第1ガス供給管243a内にSiCl4ガスを流す。SiCl4ガスは、第1ガス供給管243aから流れ、MFC243cにより流量調整される。流量調整されたSiCl4ガスは、ガス供給管242、ガス導入孔231a、バッファ空間232、貫通孔234aを介して、処理空間205内に供給され、排気管262から排気される。
ウエハW上にSi,O,Clを含むSi含有層が形成された後、第1ガス供給管243aのバルブ243dを閉じ、SiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管262のバルブ267、APC266は開いたままとして、真空ポンプ269により処理空間205内を真空排気し、処理空間205内に残留する未反応もしくはSi含有層形成に寄与した後のSiCl4ガス、Cl2やHCl等の反応副生成物を処理空間205内から排除する(残留ガス除去)。なお、このとき、バルブ245dは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理空間205内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理空間205内に残留する未反応もしくはSi含有層形成に寄与した後のSiCl4ガス、Cl2やHCl等の反応副生成物を処理空間205内から排除する効果を高めることができる。
処理空間205内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管244aのバルブ244dを開き、第2ガス供給管244a内にO3ガスを流す。O3ガスは第2ガス供給管244aから流れ、MFC244cにより流量調整される。流量調整されたO3ガスは、第2ガス供給管244aを経由して、ガス供給管242、ガス導入孔231a、バッファ空間232、貫通孔234aを介して、処理空間205内に供給され、排気管262から排気される。
ウエハWの表面上のSi含有層の表面を酸化させてSiO層を形成した後、第2ガス供給管244aのバルブ244dを閉じ、O3ガスの供給を停止する。このとき、排気管262のバルブ267、APC266は開いたままとして、真空ポンプ269により処理空間205内を真空排気し、処理空間205内に残留する未反応もしくはSiO層形成に寄与した後のO3ガスやCl2等の反応副生成物を処理空間205内から排除する(残留ガス除去)。
上述したステップS12〜S15を1サイクルとして、このサイクルを所定回数(n回)、好ましくは複数回繰り返すことにより、ウエハW上に所定膜厚のHCl,Cl等の不純物の含有量が少ないSiO層が形成される。
そして、上述した親水化処理(S11)と、上述したSiO膜形成工程(S12〜S15)を順に行うサイクルを所定回数(n回)行った後、この親水化処理とSiO膜形成工程とを所定回数(m回)行うことにより、図6(C)に示すように、ウエハWの表面に形成されたSiO層上に所定膜厚のSiO膜を形成することが出来る。また、本ステップのように、SiO膜形成工程を所定回数(n回)行う毎に親水化処理(S11)を行うことにより、スループットを向上させることができる。
次に、基板載置台212を下降させ、基板載置台212の表面から突出させたリフトピン207上にウエハWを支持させる。その後、ゲートバルブ149を開き、ウエハ移載機を用いてウエハWを処理容器202の外へ搬出する。その後、基板処理工程を終了する場合は、不活性ガス供給系から処理容器202内に不活性ガスを供給することを停止する。
ガス供給管248aのバルブ248dを開き、第4ガス供給管254を介してバブラーとしての気化器249内に、O2ガスを供給する。O2ガスは、ガス供給管248aから流れ、MFC248cにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは、第4ガス供給管254を経由して気化器249内に供給される。
ウエハW上にH2O含有ラジカルを含む処理ガスが供給された後、ガス供給管248a(247a)のバルブ248d(247d)を閉じ、O2ガス(又はH2ガス及びO2ガス)の供給を停止する。このとき、排気管262のバルブ267、APC266は開いたままとして、真空ポンプ269により処理空間205内を真空排気し、処理空間205内に残留する未反応もしくはOH基形成に寄与した後のH2O含有ラジカルを含む処理ガスを処理空間205内から排除する(残留ガス除去)。なお、このとき、バルブ245dは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理空間205内への供給を維持する。
上述したステップS20〜S21を1サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回繰り返すことにより、次のSiO膜形成工程のSiCl4ガス供給におけるSiCl4ガスに含まれるSi原料がウエハWの表面に吸着されやすくなり、高アスペクト比のウエハWの表面に対して均一に処理ガスを吸着させて、均一にSiO膜を形成することが可能となる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
(a)H2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給して親水化処理(S11)を行うことにより、ハロゲン系の原料の吸着性を向上させて、低温で高品質な膜を形成することが可能となる。
(b)高アスペクト比のウエハ表面に対して、均一に処理ガスを吸着させて、均一に膜を形成することが可能となる。つまり、高アスペクト比の底部から上部まで均一に処理ガスを吸着させることが可能となる。
(c)SiO膜形成工程を所定回数行う毎に親水化処理(S11)を行うことにより、スループットを向上させることができる。
(d)上述の効果は、SiCl4ガス以外の原料ガスを用いる場合や、O3ガス以外の反応ガスを用いる場合や、N2ガス以外の不活性ガスを用いる場合にも、同様に得ることができる。
次に、本実施形態における親水化処理(S11)の変形例について図7を用いて説明する。
本ステップは、上述した図4において詳述した親水化処理(S11)におけるH2O含有ラジカル供給(S20)と同一の為、説明を省略する。
本ステップでは、上述した図4において詳述した親水化処理(S11)における不活性ガス供給(S21)において、第3ガス供給管245aから供給される不活性ガスであるN2ガスをガス加熱装置253や配管加熱部により加熱して処理空間205内へ供給する。つまり、ガス加熱装置253を制御することによりウエハWにホットガスを供給する。ホットガスの分子を不活性ガスであるN2ガスにぶつけて供給することにより、ウエハW上に吸着されたH2O分子やH2Oラジカルにエネルギーを与えることができ、ウエハW上に吸着されたH2O分子やH2Oラジカルの反応を促進させることができる。なお、ホットガスを供給する代わりにウエハWに赤外線などの電磁波を照射してもよい。
上述したステップS30〜S31を1サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回繰り返す(交互に行う)ことにより、ウエハW上、すなわち、ウエハWの表面にOH終端を均一に形成することが出来る。そして、次のSiO膜形成工程のSiCl4ガス供給におけるSiCl4ガスに含まれるSi原料がウエハWの表面に吸着されやすくなり、高アスペクト比のウエハWの表面に対して均一に処理ガスを吸着させて、均一にSiO膜を形成することが可能となる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。但し、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
図8は、親水化処理として用いるガスの評価結果を比較して示す図である。
具体的には、上述した基板処理工程における親水化処理における処理ガスとして、H2Oガス、H2Oラジカルガス、H2O2ガスを用いた場合のそれぞれの活性種のライフタイム、低温における酸化力、カバレッジ(段差被覆性)、酸化力の強弱の制御性及びガスの発生方法を比較した。
202 処理容器
249 気化器
250 プラズマ発生器
253 ガス加熱装置
Claims (23)
- (a)基板を処理室に搬入する工程と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する工程と、
(d)前記(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する工程と、
(e)前記(c)工程と前記(d)工程とを繰り返す工程と、
を有し、
前記(b)工程では、前記処理ガスの供給と、不活性ガスの供給と、を繰り返す
半導体装置の製造方法。 - (a)基板を処理室に搬入する工程と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する工程と、
(d)前記(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する工程と、
(e)前記(c)工程と前記(d)工程とを繰り返す工程と、
を有し、
前記(b)工程では、前記処理ガスの供給と、前記基板の加熱と、を交互に行う
半導体装置の製造方法。 - (a)基板を処理室に搬入する工程と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する工程と、
(d)前記(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する工程と、
(e)前記(c)工程と前記(d)工程とを繰り返す工程と、
(f)前記(b)工程と前記(e)工程とを繰り返す工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)基板を処理室に搬入する工程と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する工程と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する工程と、
(d)前記(c)工程の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する工程と、
(e)前記(c)工程と前記(d)工程とを繰り返す工程と、
を有し、
前記(e)工程をn回行うまで、前記(b)工程と前記(e)工程とを繰り返し行い、
前記n回後は、前記(e)工程を所定回数行わせる
半導体装置の製造方法。 - 前記(b)工程は、
気化器を用いてH2O含有ガスを生成する工程と、
生成されたH2O含有ガスをプラズマ生成部に供給して、H2O含有ラジカルを生成する工程と、
をさらに有する請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記気化器は、H2Oを含む液体をバブリングするバブラーで構成され、
前記H2O含有ガスは、バブリングにより生成される
請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記気化器は、水素含有ガスと酸素含有ガスとを高温環境下で反応させることにより、前記H2O含有ガスを生成する
請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の加熱は、前記基板に赤外線を照射することにより行われる
請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の加熱は、加熱した不活性ガスを供給することにより行われる
請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(b)工程では、前記処理ガスをセルフリミッティングに吸着させる
請求項1乃至9のいずれ一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(e)工程では、前記(c)工程の前に前記(b)工程を行わせる
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、
前記気化器により気化されたH2O含有ガスをプラズマ励起してH2O含有ラジカルを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部により生成されたH2O含有ラジカルを含む処理ガスを前記基板に供給する処理ガス供給部と、
前記処理室を排気する排気部と、
(a)基板を処理室に搬入する処理と、
(b)前記基板にH 2 O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する処理と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する処理と、
(d)前記(c)処理の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する処理と、
(e)前記(c)処理と前記(d)処理とを繰り返す処理と、
を有し、
前記(b)処理では、前記処理ガスの供給と、不活性ガスの供給と、を繰り返すよう前記気化器と前記プラズマ生成部と前記処理ガス供給部と前記排気部とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、
前記気化器により気化されたH2O含有ガスをプラズマ励起してH2O含有ラジカルを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部により生成されたH2O含有ラジカルを含む処理ガスを前記基板に供給する処理ガス供給部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
(a)基板を処理室に搬入する処理と、
(b)前記基板にH 2 O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する処理と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する処理と、
(d)前記(c)処理の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する処理と、
(e)前記(c)処理と前記(d)処理とを繰り返す処理と、
を有し、
前記(b)処理では、前記処理ガスの供給と、前記基板の加熱と、を交互に行うよう前記気化器と前記プラズマ生成部と前記処理ガス供給部と前記排気部と前記加熱部とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、
前記気化器により気化されたH2O含有ガスをプラズマ励起してH2O含有ラジカルを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部により生成されたH2O含有ラジカルを含む処理ガスを前記基板に供給する処理ガス供給部と、
前記処理室を排気する排気部と、
(a)基板を処理室に搬入する処理と、
(b)前記基板にH 2 O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する処理と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する処理と、
(d)前記(c)処理の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する処理と、
(e)前記(c)処理と前記(d)処理とを繰り返す処理と、
(f)前記(b)処理と前記(e)処理とを繰り返す処理と、
を行わせるよう前記気化器と前記プラズマ生成部と前記処理ガス供給部と前記排気部とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、
前記気化器により気化されたH2O含有ガスをプラズマ励起してH2O含有ラジカルを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部により生成されたH2O含有ラジカルを含む処理ガスを前記基板に供給する処理ガス供給部と、
前記処理室を排気する排気部と、
(a)基板を処理室に搬入する処理と、
(b)前記基板にH 2 O含有ラジカルを含む処理ガスを供給する処理と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給する処理と、
(d)前記(c)処理の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給する処理と、
(e)前記(c)処理と前記(d)処理とを繰り返す処理と、を有し、
前記(e)処理をn回行うまで、前記(b)処理と前記(e)処理とを繰り返し行い、
前記n回後は、前記(e)処理を所定回数行わせるよう前記気化器と前記プラズマ生成部と前記処理ガス供給部と前記排気部とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記気化器は、H2Oを含む液体をバブリングするバブラーで構成される
請求項12乃至15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記気化器は、水素含有ガスと酸素含有ガスとを高温環境下で反応させることにより、前記H2O含有ガスを生成する様に構成される
請求項12乃至15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記加熱部は、前記処理室の前記基板に赤外線を照射するよう構成される
請求項13に記載の基板処理装置。 - (a)基板を処理室に搬入させる手順と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給させる手順と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給させる手順と、
(d)前記(c)手順の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給させる手順と、
(e)前記(c)手順と前記(d)手順とを繰り返させる手順と、
を有し、
前記(b)手順では、前記処理ガスの供給と、不活性ガスの供給と、を繰り返す手順をコンピュータが基板処理装置に実行させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - (a)基板を処理室に搬入させる手順と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給させる手順と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給させる手順と、
(d)前記(c)手順の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給させる手順と、
(e)前記(c)手順と前記(d)手順とを繰り返させる手順と、
を有し、
前記(b)手順では、前記処理ガスの供給と、前記基板の加熱と、を交互に行う手順をコンピュータが基板処理装置に実行させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - (a)基板を処理室に搬入させる手順と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給させる手順と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給させる手順と、
(d)前記(c)手順の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給させる手順と、
(e)前記(c)手順と前記(d)手順とを繰り返させる手順と、
(f)前記(b)手順と前記(e)手順とを繰り返す手順と、
をコンピュータが基板処理装置に実行させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - (a)基板を処理室に搬入させる手順と、
(b)前記基板にH2O含有ラジカルを含む処理ガスを供給させる手順と、
(c)ハロゲン元素を含むガスを供給させる手順と、
(d)前記(c)手順の後で、酸素元素と窒素元素のいずれか又は両方を含むガスを供給させる手順と、
(e)前記(c)手順と前記(d)手順とを繰り返させる手順と、
を有し、
前記(e)手順をn回行うまで、前記(b)手順と前記(e)手順とを繰り返し行い、
前記n回後は、前記(e)手順を所定回数行わせる手順をコンピュータが基板処理装置に実行させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 前記(b)手順は、
気化器を用いてH2O含有ガスを生成する手順と、
生成されたH2O含有ガスをプラズマ生成部に供給して、H2O含有ラジカルを生成する手順と、
をさらに有する請求項19乃至22のいずれか一項に記載の記録媒体。
Priority Applications (8)
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