CN110224003A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置。每个像素包括：透明上部电极，其覆盖第一区域的至少一部分和第二区域的至少一部分；反射下部电极，其设置在第二区域中；发光膜，其设置在透明上部电极与反射下部电极之间，发光膜被配置为响应于所供给的电流而发光；薄膜晶体管，其设置为在第二区域中比反射下部电极低，薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，其由透明氧化物制成并将电源电位供给线和透明上部电极互连，透明低电阻膜与由透明氧化物构成并包括沟道部的氧化物膜分离，并具有比沟道部的电阻低的电阻。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
已经提出了多种透明显示器，这些透明显示器显示图像，同时允许看见显示器背后的背景。例如，透明显示器可以用在汽车窗户或商店橱窗中。透明显示器可以利用自发光元件，例如有机发光二极管(OLED)元件。OLED元件是电流驱动的自发光元件，因此消除了对背光的需求。除此之外，OLED显示元件具有实现低功耗、宽视角和高对比度的优点。
发明内容
透明显示装置可以由于自发光元件的像素电路(包含配线)而部分不透明。因此，就需要一种技术，该技术能够实现对自发光元件的适当控制，同时增大透明显示装置中的透明区域。
本发明的一方面是一种显示装置，包括：基板；多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域以及与所述第一区域不同的第二区域；以及电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的第二区域，并在所述多个像素的外侧与电源线连接。所述多个像素中的每一个像素包括：透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由透明氧化物制成并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部电阻低的电阻。所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接。所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。
本发明的一方面实现了在透明显示装置中的更大的透明区域。
应当理解，前面的概述以及下述详述是示例性和说明性的，而不限制本发明。
附图说明
图1示意性示出了OLED显示装置的结构示例；
图2A示出了像素电路的结构示例；
图2B示出了像素电路的另一结构示例；
图2C示出了像素电路的又一结构示例；
图3示意性示出了包括子像素的阴极电极的透明导电膜与阴极电源线之间的连接；
图4是示意性示出了主像素的结构示例的俯视图；
图5A是示意性示出了子像素的结构示例的俯视图；
图5B是沿图5A的线VB-VB剖开的子像素的剖视图；
图6A示出了子像素的元件的制造步骤；
图6B示出了子像素的元件的制造步骤；
图6C示出了子像素的元件的制造步骤；
图6D示出了子像素的元件的制造步骤；
图6E示出了子像素的元件的制造步骤；
图7A是示意性示出了子像素的另一结构示例的俯视图；
图7B是沿图7A的线VIIB-VIIB剖开的子像素的剖视图；
图8A示出了子像素的元件的制造步骤；
图8B示出了子像素的元件的制造步骤；
图8C示出了子像素的元件的制造步骤；
图8D示出了子像素的元件的制造步骤；
图8E示出了子像素的元件的制造步骤；
图9A是示意性示出了子像素的又一结构示例的俯视图；
图9B是沿图9A的线IXB-IXB剖开的子像素的剖视图；
图10是示出了子像素的又一结构示例的剖视图；
图11是示出了子像素的又一结构示例的剖视图；
图12提供了在各种高频功率下通过He等离子体处理70nm厚的低电阻IGZO膜时光透射率的波长依赖性的测量结果；
图13A提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行X射线光电子能谱(XPS)分析的结果；
图13B提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；
图13C提供了对图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；
图13D提供了图12中的IGZO膜中的一个IGZO膜进行XPS分析的结果；以及
图14提供了在1700W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。
具体实施方式
在下文中，将结合附图描述本发明的实施方式。应当注意，所述实施方式仅是实现本发明的示例，并不限制本发明的技术范围。附图中共用的元件将用相同的附图标记表示。为了清楚地理解本说明书，附图会放大元件的尺寸和形状。
透明显示装置的整体结构
将参考图1描述此实施方式中的透明显示装置的整体结构。在下文中，有机发光二极管(OLED)显示装置被描述为透明显示装置的示例；然而，本发明的特征适用于OLED显示装置之外的任何自发光型显示装置，例如量子点显示装置。
图1示意性示出了OLED显示装置10的结构示例。OLED显示装置10包括OLED显示面板和控制装置。OLED显示面板包括其上形成有OLED元件的薄膜晶体管(TFT)基板100、用于封装OLED元件的封装基板200、以及用于将TFT基板100与封装基板200粘合的粘合部(玻璃料密封部)300。TFT基板100与封装基板200之间的空间填充干燥空气，并通过粘合部300密封。
在TFT基板100的显示区域125外侧的阴极电极形成区域114的外围，设置有扫描驱动器131、发射驱动器132、保护电路133和驱动器IC 134。它们通过柔性印刷电路(FPC)135连接到外部设备。
扫描驱动器131驱动TFT基板100上的扫描线。发射驱动器132驱动发射控制线以控制子像素的发光时段。保护电路133保护元件免受静电放电。驱动器IC 134安装有例如各向异性导电膜(ACF)。
驱动器IC 134具有显示控制功能。驱动器IC 134向扫描驱动器131和发射驱动器132提供电力和时序信号(控制信号)，并进一步向数据线提供与图像数据相对应的信号。
在下文中，由红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三种颜色的子像素组成的像素被称为主像素。子像素或主像素可以称为像素。本发明的特征适用于具有与前述三种颜色不同颜色的颜色组的像素的显示装置或黑白显示装置。
像素电路的结构
在TFT基板100上形成多个像素电路，以控制电流供应给子像素的阳极电极。图2A示出了像素电路的结构示例。每个像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容器C1。像素电路控制OLED元件(自发光元件)E1的发光。晶体管是薄膜晶体管(TFT)。在下文中，第一晶体管T1至第三晶体管T3简写为晶体管T1至晶体管T3。
晶体管T2是用于选择子像素的开关。晶体管T2是n沟道型TFT，其栅极端子与扫描线106连接。漏极端子与数据线105连接。源极端子与晶体管T1的栅极端子连接。
晶体管T1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。晶体管T1是n沟道型TFT，其栅极端子与晶体管T2的源极端子连接。晶体管T1的漏极端子与电源线(Vdd)108连接。源极端子与晶体管T3的漏极端子连接。存储电容器C1形成于晶体管T1的栅极端子与源极端子之间。
晶体管T3是用于控制到OLED元件E1的驱动电流的供给/停止的开关。晶体管T3是n沟道型TFT，其栅极端子与发光控制线107连接。晶体管T3的漏极端子与晶体管T1的源极端子连接。晶体管T3的源极端子与OLED元件E1连接。
接下来，描述像素电路的操作。扫描驱动器131将选择脉冲输出到扫描线106以使晶体管T2接通。从驱动器IC 134经由数据线105供给的数据电压被存储到存储电容器C1。存储电容器C1在一帧时段期间保持所存储的电压。根据所存储的电压，晶体管T1的电导以模拟方式改变，使得晶体管T1将与发光水平相对应的正向偏置电流供给至OLED元件E1。电流从OLED元件E1流入阴极电源线(Vss)110。阴极电源线110向阴极电极供给预定电位Vss。
晶体管T3位于驱动电流的供给路径上。发射驱动器132将控制信号输出到发射控制线107以控制晶体管T3的接通/断开。当晶体管T3接通时，驱动电流被供给到OLED元件E1。当晶体管T3断开时，停止供给。可以通过控制晶体管T3的接通/断开来控制一个场周期中的发光时间段(占空比)。
图2B示出了像素电路的另一结构示例。取代包括图2A中的发光晶体管T3，该像素电路包括复位晶体管T4。复位晶体管T4控制基准电压供应线111与OLED元件E1的阳极之间的电连接。根据从复位控制线109供给到复位晶体管T4的栅极的复位控制信号来执行该控制。
复位晶体管T4可用于各种目的。例如，复位晶体管T4可用于将OLED元件E1的阳极电极暂时复位至低于黑色信号电平的充分低的电压，以防止由OLED元件E1之间的漏电流引起的串扰。
复位晶体管T4还可用于测量驱动晶体管T1的特性。例如，通过在选择的偏置条件下测量从电源线(Vdd)108流到基准电压供应线(Vref)111的电流，可以精确地测量驱动晶体管T1的电压-电流特性，从而驱动晶体管T1将在饱和区域(saturated region)中操作，并且复位晶体管T4将在线性区域中操作。如果通过在外部电路处产生数据信号来补偿各个子像素的驱动晶体管T1之间的电压-电流特性的差异，则可以获得非常均匀的显示图像。
另一方面，当驱动晶体管T1断开且复位晶体管T4在线性区域中操作时，通过从基准电压供应线111施加电压以使OLED元件E1发光，可以精确地测量OLED元件E1的电压-电流特性。在OLED元件E1由于长期使用而劣化的情况下，例如，如果通过在外部电路处产生数据信号来补偿劣化，则显示装置可以具有长寿命。
图2C中的像素电路具有从图2A所示的像素电路中省略了晶体管T3和发射控制线的结构。图2A、图2B和图2C中的电路结构是示例；像素电路可以具有不同的电路结构。尽管图2A、图2B和图2C中的像素电路使用n沟道型TFT，但像素电路也可以采用p沟道型TFT。
阴极电源接触
图3示意性地示出了包括子像素的阴极电极的透明导电膜与阴极电源线之间的连接。每个子像素的阴极电极是片状未分离的透明导电膜的一部分；透明导电膜的外周与阴极电极形成区域114的外周一致。在下文中，将该透明导电膜称为阴极电极或阴极导电膜。
透明导电膜与阴极电源线(Vss)110的接触区域118A、118B和118C设置在显示区域125的外侧，但是设置在阴极电极形成区域114内。透明导电膜与阴极电源线110在接触区域118A、118B和118C中连接。透明导电膜可以直接与阴极电极形成区域114接触或者在接触区域中通过互连器连接。
分别考虑各个子像素的阴极电极，更靠近透明导电膜中心的阴极电极更远离接触区域；因此，阴极电极与接触区域之间的电阻(阴极电阻)变大。在下文中公开的结构示例包括连接透明导电膜和阴极电源线110的辅助配线。辅助配线是具有比阴极电极的片电阻小的片电阻的金属膜，因此，可以减小由阴极电阻引起的显示区域125中的中心区域与外围区域之间的亮度差。辅助配线是用于向阴极电极供给源极电位的电源电位供给线。
像素结构
图4是示意性地示出主像素的结构示例的俯视图。一个主像素251由三个子像素组成：红色子像素252R；绿色子像素252G；以及蓝色子像素252B。每个子像素与一个像素电路相关联。根据循环设置的相邻子像素组的关系来定义像素的边界；像素可以具有矩形形状或除了矩形之外的形状。
子像素252R的区域由透明区域521R(透明的第一区域的示例)和有源区域(第二区域的示例)522R组成。子像素252G的区域由透明区域521G(透明的第一区域的示例)和有源区域(第二区域的示例)522G组成。子像素252B的区域由透明区域521B(透明的第一区域的示例)和有源区域(第二区域的示例)522B组成。
在图4的示例中，不同颜色的子像素252R、252G和252B包括相同的透明区域和有源区域；然而，不同颜色的子像素之间的形状和尺寸可以不同。在下文中，一个给定的子像素由附图标记252表示，并且其透明区域和有源区域分别由附图标记521和522表示。
透明区域521使来自显示面板后方的可见光朝向前方透过。用户位于OLED显示装置10的前面以查看显示的图像。由于每个子像素252包括透明区域521，因此用户将整个显示区域125识别为用户可以在显示面板后面看到的透明区域。
有源区域522是子像素252的在透明区域521外部的区域。在有源区域522中设置像素电路中的OLED元件(EL)和多个TFT。
子像素结构
在下文中，描述子像素的结构。像素电路中的TFT是氧化物半导体TFT。作为氧化物半导体TFT的示例，以下描述采用InGaZnO(IGZO)TFT。IGZO半导体是透明的非晶氧化物半导体。本发明的特征适用于下述子像素和OLED显示装置，所述子像素和OLED显示装置包括利用诸如ZnO或InSnZnO(ITZO)的其它透明氧化物半导体的TFT。
图5A是示意性地示出子像素252的结构示例的俯视图。图5A包括子像素252的元件的一部分。子像素252包括透明区域521和有源区域522。在图5A的示例中，有源区域522的外周基本上与阳极电极162的外周一致。
在有源区域522中，设置(形成)驱动TFT T1。尽管图5A中未示出像素电路的其它晶体管，但是它们设置(形成)在有源区域522内。驱动TFT T1包括栅电极157、漏电极159、源电极160和与漏电极159和源电极160连接的IGZO膜。图5A示出了IGZO膜的低电阻接触区域(漏极区域)552和低电阻接触区域(源极区域)553。
驱动TFT T1的漏电极159与电源线(Vdd)108连接。如图5A的示例所示，漏电极159和电源线(Vdd)108是相同金属膜的一部分。电源线(Vdd)108穿过有源区域522，以避开透明区域521。
IGZO膜的漏电极159和漏极区域552在接触部(接触区)168处互连。IGZO膜的源电极160和源极区域553在接触部(接触区)169处互连。
辅助配线658(电源电位供给线的示例)穿过有源区域522，避开透明区域521。辅助配线658与阴极导电膜(其一部分是阴极电极)和阴极电源线互连，以降低阴极电阻引起的显示质量劣化。辅助配线658由金属制成，并且其片电阻小于阴极导电膜的片电阻。辅助配线658是不透明的(具有遮光性)；穿过有源区域522的辅助配线658有助于更大的透明区域521，从而提高OLED显示装置的精度。
辅助配线658在有源区域522中的接触部657处与低电阻IGZO膜的互连器555连接。低电阻IGZO膜的电阻率的数量级比典型的金属的电阻率的数量级高两位数。互连器555是透明的低电阻IGZO膜，具有与导体相同的电阻率。互连器555从有源区域522延伸到透明区域521中。
IGZO和其它氧化物半导体的导电率因其缺陷而增大。例如，由氧缺乏引起的供体缺陷增大了IGZO的导电率。由于间隙Zn或氧空位，ZnO具有n型单极性。
互连器555在透明区域521内的接触区域656中与阴极导电膜连接。透明互连器555有助于更大的透明区域521，以提高透明OLED显示装置的精度。互连器555是低电阻IGZO膜；它可以与TFT的IGZO膜一起形成，从而实现了高制造效率。
图5B是沿着图5A中的线VB-VB剖开的子像素252的剖视图。为了清楚地理解图示，图5B中的元件的尺寸比例与图5A中的元件的尺寸比例不同。图5B示出了TFT基板100上的子像素的部分结构。阳极电极(下电极)162、阴极电极(上电极)166和有机发光膜652设置在绝缘基板151上。
子像素是顶部发射型子像素，其从有机发光膜652向与绝缘基板151相反的一侧发光；阴极电极166是透明电极，其将来自有机发光膜652的光向封装基板200传输。
如图5B所示，阴极电极166是覆盖子像素的透明导电膜的一部分。对于子像素，阳极电极162分别形成。来自有机发光膜652的光的一部分被阳极电极162反射，穿过阴极电极166和封装基板200，并且到达显示装置10的显示表面。子像素可以具有下述结构：阳极电极是上电极，而阴极电极是下电极。
晶体管T1具有所谓的顶栅结构。晶体管T1的IGZO膜155和低电阻IGZO膜的互连器555设置在绝缘基板151上，晶体管T1的IGZO膜155和低电阻IGZO膜的互连器555之间插入有未示出的绝缘膜。晶体管T1的IGZO膜155包括源极区域553、漏极区域552以及在源极区域553与漏极区域552之间的沟道区域551。漏极区域552和源极区域553是低电阻IGZO。互连器555和IGZO膜155是处于同一层的元件，但它们是分离的。
栅电极157设置在IGZO膜155的沟道区域551上方，栅极绝缘膜156介于栅电极157与沟道区域551之间。栅电极157设置在沟道区域551和阳极电极162之间的层上。第一层间绝缘膜158和第二层间绝缘膜164设置在栅电极157的层上。漏电极159、源电极160和辅助配线658设置在第二层间绝缘膜164上。
漏电极159通过在穿过层间绝缘膜164和158的接触孔中设置的接触部168而与IGZO膜155的低电阻漏极区域552连接。源电极160通过在穿过层间绝缘膜164和158的接触孔中设置的接触部169而与IGZO膜155的低电阻源极区域553连接。
辅助配线658通过在穿过层间绝缘膜164和158的接触孔中设置的接触部657而与低电阻IGZO互连器555连接。漏电极159、源电极160、辅助配线658以及接触部168、169和657由具有高熔点的金属或这种金属的合金制成。
在漏电极159、源电极160和辅助配线658上设置绝缘平坦化膜161。阳极电极162设置在绝缘平坦化膜161上。阳极电极162通过在平坦化膜161的接触孔中设置的接触部而与源电极160连接。
在阳极电极162上方，设置绝缘像素限定层(PDL)163，以分离OLED元件。像素限定层163也称为元件分离膜。OLED元件包括彼此层叠的阳极电极162、有机发光膜652和阴极电极166。像素限定层163的开口限定子像素的发光区域。
有机发光膜652设置在阴极电极166与阳极电极162之间。空穴供给膜651设置在阳极电极162与有机发光膜652之间。空穴供给膜651可以由空穴注入层和空穴传输层组成，或者由具有这些层的功能的一层或多层组成。电子供给膜653设置在阴极电极166与有机发光膜652之间。电子供给膜653可以由电子注入层和电子传输层组成，或者由具有这些层的功能的一层或多层组成。
在图5B的示例中，用于一个子像素的空穴供给膜651和电子供给膜653是覆盖所有子像素的未分离的片状空穴供给膜和未分离的片状电子供给膜(层)的一部分。一个OLED元件在像素限定层163的开口内包括作为下电极的阳极电极、空穴供应层、有机发光层、电子供应层和作为上电极的阴极电极。
阴极电极166在穿过像素限定层163、平坦化膜161以及层间绝缘膜164和158的叠层的接触孔中的接触区域656中与互连器555连接。
在图5B的示例中，空穴供给膜651、电子供给膜653和载流子生成膜654插设于互连器555与阴极电极166之间。载流子生成膜654在阴极电极166和互连器555之间产生载流子以减小阴极电极166和互连器555之间的电阻。载流子生成膜654例如可以由MoO3或Mg制成。
如图5B中的箭头所示，电流经由空穴供给膜651、有机发光膜652和电子供给膜653从阳极电极162流到阴极电极166。一部分电流通过接触区域656中的电子供给膜653、载流子生成膜654和空穴供给膜651从阴极电极166流到互连器555。电流进一步通过辅助配线658从互连器555流到阴极电源线。
提供用于电流流过互连器555和辅助配线658而不流过阴极电极的这种路径，减小了由阴极电阻引起的显示质量的劣化。如图5B所示，辅助配线658位于低于光反射阳极电极162的层上的被阳极电极162覆盖的区域中。该结构实现了较小的有源区域522。
与图5B中的示例不同，可以针对每个子像素分别形成空穴供给膜651和电子供给膜653。在将电子供给膜653和空穴供给膜651图案化而不残留在接触区域656中的情况下，可以跳过载流子生成膜654的形成。在这种情况下，阴极电极166在接触区域656中与互连器555直接电连接，从而获得较小接触电阻的优点。
可以省略电子供给膜653、载流子生成膜654和空穴供给膜651。辅助配线和阴极电极的互连器可以仅被包括在显示区域125中的子像素的一部分中，并且辅助配线不需要穿过所有子像素。
尽管未在图5B中示出，封装基板200固定在距TFT基板100预定距离处。封装基板200是透明绝缘基板，其可以由玻璃制成。在TFT基板100与封装基板200之间保持空间，并且诸如干燥空气的气体密封地填充在其中。这种气密结构防止水分进入而损坏有机发光元件。可以采用与封装基板200不同的封装结构单元。这种结构单元的示例包括具有无机膜和有机膜的层压结构的薄膜封装(TFE)结构单元和由具有高耐水渗透性的材料制成的覆盖整个区域的柔性或非柔性封装基板。
制造方法
将描述在OLED显示装置10的制造中生产图5B所示的结构的方法的示例。例如，制造OLED显示装置10，首先通过化学气相沉积(CVD)将氮化硅沉积到绝缘基板151上以形成未示出的绝缘膜。
接下来，如图6A所示，该方法使用已知的氧化物半导体TFT制造技术形成氧化物半导体图案557。例如，该方法通过磁控溅射沉积氧化物半导体(金属氧化物)并对其进行退火。此外，该方法例如通过湿法蚀刻来将氧化物半导体层图案化。
如图6A中进一步所示，该方法通过CVD在氧化物半导体图案上沉积氧化硅并图案化氧化硅以形成栅极绝缘膜156。该方法还通过溅射沉积金属材料并图案化金属材料以形成栅电极157。栅电极157可以由Mo、W、Nb、Al、Nd、Ti或这些金属的合金制成。扫描线也与栅电极157一起形成。
接下来，如图6B所示，该方法使用栅电极157作为掩模对氧化物半导体层实施等离子体处理以制备低电阻IGZO膜。由于薄膜晶体管具有顶栅结构，因此该方法可以使用栅电极157作为掩模以有效地制备低电阻IGZO膜。对于等离子体处理，可以使用He、Ar或H。等离子体处理使IGZO半导体膜中的氧缺乏增加以降低电阻。高电阻(半导体)IGZO在膜形成时的电阻(在50nm厚度的情况下的片电阻)是几十兆欧姆到一千兆欧姆；经等离子体处理的低电阻IGZO的电阻为几千欧姆。取代等离子体处理，可以使用准分子激光照射来降低IGZO膜的电阻。
图12示出了在各种高频功率下通过He等离子体处理70nm厚的低电阻IGZO膜时光透射率的波长依赖性的测量结果。用于He等离子体处理的等离子体发生器的阴极电极具有大约400mm×500mm的尺寸。对IGZO膜进行等离子体处理90秒。
线122、123和124分别表示在250W、500W和1700W下通过He等离子体处理的IGZO膜的测量结果。在250W、500W和1700W的高频功率下通过等离子体处理的样品的片电阻均为约1kΩ；未观察到片电阻对高频功率的依赖性。图12还包括在未实施He等离子体处理的高电阻IGZO膜上的透射率测量结果121以进行比较(片电阻为约100MΩ)。
如图12所示，在250W和500W的高频功率下处理的IGZO膜可以保持与未经He等离子体处理的样品大致相同的透射率，从而具有高透明度。这种高透明度对于透明OLED显示装置在其透明区域中保持高透射率是有效的。相反，以1700W的高的高频功率处理的IGZO膜在约400nm处透射率下降。这种低电阻膜引起透明OLED显示装置的透明区域着色的问题。从这些结果可以理解，为了将透明区域的透射率保持在高水平，需要在等离子体处理中使用适当的高频功率以降低IGZO膜的电阻。
图13A至13D示出了对图12中的四个IGZO膜的X射线光电子能谱(XPS)分析的结果。用于分析的光谱仪是ULVAC PHI 5600-ci，其中的X射线源发射单色AlKαX射线。通过重复进行包括从IGZO膜表面获取XPS信号的步骤和用Ar离子枪蚀刻IGZO膜表面约0.6nm的步骤的循环以获得XPS信号在深度方向上的变化(仅图13D提供通过对膜每次蚀刻3nm所获得的结果)，来进行测量。
在图13A至13D的每个图中，横轴表示结合能，左纵轴表示XPS信号强度，右纵轴表示上述循环的数量。因此，最下面的数据表示在被蚀刻之前来自最顶部表面的XPS信号，并且上部数据表示在被蚀刻之后来自最顶部表面的XPS信号，或者来自原始IGZO膜的在厚度方向上的更深内部的XPS信号。
图13A至图13D表示源自铟3d5/2轨道的信号，已知其在约444eV至445eV范围内具有峰值。为了补偿由样品的充电差异引起的峰值迁移，将同时测量的源自碳1s轨道的信号的峰值调节到284.8eV以校正电荷迁移。
图13A示出了未经He等离子体处理的高电阻IGZO膜的XPS信号。从膜的最顶表面到较深区域，峰值为约444.8eV，并且基本上没有观察到差异(峰值由粗虚线表示)。
图13B示出了在250W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。由粗虚线表示的顶表面(至约1nm至2nm的深度)的峰值与图13A中的峰值几乎在相同的444.8eV处。然而，膜内部的峰值低于444.5eV，并且如带点的粗虚线所示为大约444.3eV；它们向较低能量侧迁移约0.5eV。另外，如在封闭的矩形区域137B中所示，从顶表面正下方的浅层观察到比444.0eV低的443.0eV处的子峰值。
图13C示出了在500W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。由粗虚线表示的顶表面(至约1nm至2nm的深度)的峰值与图13A中的峰值几乎在相同的444.8eV处。然而，膜内部的峰值低于444.5eV，并且如带点的粗虚线所示为大约444.3eV；它们向较低能量侧迁移约0.5eV。
这些特征与图13B中所示的特征相同。同时，从封闭矩形区域137C中的顶表面正下方的浅层观察到的低于444.0eV的443.0eV的子峰值处的信号强度高于图13B中的443.0eV的子峰值处的信号强度。该测量获得XPS信号，直到完全蚀刻70nm的低电阻IGZO膜。因此，该数据表明在整个70nm低电阻膜中发生了约0.5eV的低能量侧迁移。
图13D示出了在1700W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。由粗虚线表示的顶表面(至约1nm至2nm的深度)的峰值与图13A中的峰值几乎为相同的444.8eV。然而，膜内部的峰值低于444.5eV，并且如带点的粗虚线所示约为444.3eV；它们向更低能量迁移约0.5eV。这些特征与图13B和图13C中的特征相同。
从封闭的矩形区域137D中的顶表面正下方的浅层观察到的443eV的子峰值处的信号强度仍然高于图13C中的443eV的子峰值处的信号强度。由于图13B至图13D中所示的子峰值位于相当低的能量侧，所以在顶表面正下方的这些浅层是富铟层(具有极高的氧缺乏且在成分上接近纯铟金属的层)。
图14示出了在1700W的高频功率下通过He等离子体处理的低电阻IGZO膜的XPS信号。在该测量中使用的IGZO膜具有140nm的厚度。与图13D中的膜厚度为70nm的情况相同，在膜内部观察到向较低能量侧迁移约0.5eV的峰值。封闭的矩形区域147中的子峰值如图13D中所示的那样高。峰值在整个膜厚度中向较低能量侧迁移；这表明He等离子体处理影响整个140nm厚度的IGZO膜。
众所周知，随着金属氧化物膜中的氧缺乏变得更高，源自金属氧化物膜中包含的金属元素的电子轨道的XPS信号的峰值向较低能量侧迁移。因此，在图13B至图13D中观察到的膜内部在444.3eV附近的信号峰(带点的粗虚线)是由高度氧缺乏的IGZO膜引起的。在图13B至图13D中观察到的顶表面处444.8eV的峰值是由He等离子体处理后随时间自然氧化的表面膜引起的(在表面膜中，由He等离子体处理产生的氧缺乏已经通过自然氧化被补偿)。
从上面可以理解，对于该实施方式来说重要的是具有下述特性：源自暴露于He等离子体处理的透明低电阻膜和第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的XPS信号峰值，比源自被栅电极覆盖且未暴露于He等离子体处理的高电阻IGZO膜的铟3d5/2轨道的XPS信号峰值向更低能量侧迁移。该特性适用于不仅使用氦气而且使用氩气或氢气的等离子体处理。
尽管前面的描述采用了源自铟3d5/2轨道的信号，但与从未暴露于He等离子体的IGZO膜获得的峰值相比，在暴露于He等离子体的IGZO膜上，源自Ga 2p3/2轨道和Zn 2p3/2轨道的XPS信号示出了类似的峰值向更低能量侧迁移。
通过等离子体处理，制备每个TFT的IGZO膜155的源极区域553和漏极区域552以及辅助配线658与阴极电极166之间的互连器555。通过由低电阻IGZO制造互连器555，可以有效地制备互连器555。
接下来，如图6C所示，该方法例如通过CVD沉积氧化硅，以形成层间绝缘膜158和164。该方法通过各向异性蚀刻开设层间绝缘膜158和164中的接触孔。将待开设的接触孔用于连接IGZO膜155的漏电极159和漏极区域552的接触部168、用于连接IGZO膜155的源电极160和源极区域553的接触部169以及用于连接辅助配线658和互连器555的接触部657。
此外，该方法通过溅射沉积Mo、Al、Ti或其合金，并将其图案化以形成漏电极159、源电极160、辅助配线658和接触部168、169和657。除此之外，还形成数据线和电源线108。与漏电极159和源电极160一起形成辅助配线658有助于制造过程。可以在形成接触部168、169和657之后形成漏电极159、源电极160和辅助配线658。
接下来，如图6D所示，该方法沉积光敏有机材料，以形成平坦化膜161，随后开设用于连接TFT的源电极160和阳极电极162的接触孔。该方法在具有接触孔的平坦化膜161上形成阳极电极162。
每个阳极电极162包括三层：由ITO、IZO、ZnO、In2O3等制成的透明膜；由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其金属化合物制成的反射膜；以及如上所述的另一种透明膜。阳极电极162的三层结构仅是示例，阳极电极162可以具有两层结构。阳极电极162通过接触部与源电极160连接。
接下来，该方法例如通过旋涂沉积光敏有机树脂，并将光敏有机树脂图案化以形成像素限定层163。图案化在像素限定层163中形成孔；子像素的阳极电极162暴露在所形成的孔的底部处。像素限定层163分离子像素的各个发光区域。
接下来，如图6E所示，该方法在绝缘基板151上形成空穴供给膜651、载流子生成膜654、有机发光膜652和电子供给膜653，该绝缘基板151上形成有像素限定层163。这些例如通过气相沉积形成。在形成有机发光膜652和载流子生成膜654时，使用金属掩模在特定区域上形成膜。对于R、G和B颜色中的每一种颜色分别形成有机发光膜652。发光层的材料根据子像素的颜色而不同。
接下来，该方法将用于阴极电极166的金属材料沉积到TFT基板100上，以形成多个子像素共用的透明导电膜。透明导电膜沉积在像素限定层163和电子供给膜653上。如上所述，子像素的阴极电极166是多个子像素共用的透明导电膜的一部分。
有机发光元件由阳极电极162、阴极电极166和夹在它们之间的发光膜组成。该实施例中的发光膜包括电子供给膜653、有机发光膜652和空穴供给膜651。阴极电极166通过接触区域656中的电子供给膜653、载流子生成膜654和空穴供给膜651而与互连器555连接。
透明阴极电极166例如通过气相沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg而形成。优化阴极电极166的膜厚度，以提高光提取效率并确保更好的视角依赖性。
子像素的其它结构
在下文中，描述子像素的其它结构示例。图6A至图6E所示的结构包括由成为漏电极159和源电极160的金属膜制成的辅助配线658。在另一个结构示例中，辅助配线658可以由成为阳极电极162的金属膜制成。
在前述结构示例中，每个子像素252的阴极电极166是覆盖子像素的透明导电膜的一部分。阴极电极166覆盖子像素的整个区域，包括有源区域522和透明区域521。与该结构不同，阴极电极166可以针对每个子像素单独形成。从下层的辅助配线658向阴极电极166提供源极电位。阴极电极166可以部分地覆盖有源区域522和透明区域521。
图7A和图7B示出了子像素252的另一结构示例。在下文中，主要描述与图5A和图5B中所示的结构示例的不同之处。图7A是示意性地示出子像素252的结构示例的俯视图。图7B是沿着图7A中的线VIIB-VIIB剖开的子像素252的剖视图。除了图5A和图5B中所示的结构示例之外，图7A和图7B中示出的结构示例还包括驱动TFT T1的存储电容器C1的上部电容电极701和下部电容电极702。
上部电容电极701在有源区域522中的接触部711处与栅电极157连接。上部电容电极701从有源区域522延伸到透明区域521中。上部电容电极701是例如由ITO或IZO制成的透明电极。
下部电容电极702从IGZO膜155的与驱动TFT T1的源电极(第二电极)160的接触区域的源极区域553连续地延伸进入透明区域521。下部电容电极702由低电阻IGZO制成。
如图7B所示，上部电容电极701设置在层间绝缘膜158上。层间绝缘膜158插设于上部电容电极701与下部电容电极702之间。上部电容电极701和下部电容电极702在透明区域521中在层叠方向(竖直方向)上彼此相对。上部电容电极701、下部电容电极702和它们之间的层间绝缘膜158构成驱动TFT T1的存储电容器C1。
上部电容电极701和下部电容电极702都是透明的，并且可以位于透明区域521中。存储电容器C1可以配置在透明区域521中，以获得更大的透明区域521，从而提高透明OLED显示装置的精度。
对于图2A或图2C所示的像素电路结构，重要的是由低电阻IGZO制成的下部电容电极702的片电阻低于驱动TFT T1的接通电阻。由于驱动TFT T1的典型接通/断开比约是五位数，所以重要的是低电阻IGZO的片电阻的数量级比高电阻IGZO的片电阻的数量级低五位数或更多。具体地，重要的是低电阻IGZO的片电阻不大于1MΩ。
对于图2B中所示的像素电路结构，驱动TFT T1的存储电容器C1和源极端子的连接节点处的电压必须设置为Vref。重要的是由低电阻IGZO制成的下部电容电极702的片电阻足够小，使得上述连接节点处的电压可以适当地设置为Vref。为了达到这个条件，重要的是低电阻IGZO的片电阻的数量级比高电阻IGZO的片电阻的数量级低六位数或更多；具体地，重要的是低电阻IGZO的片电阻不大于100kΩ。
在下文中，描述制造图7A和图7B中所示的包括存储电容器C1的子像素252的部分结构的方法。将主要描述与参照图6A至图6E说明的方法的不同。如图8A所示，该方法形成氧化物半导体图案557。如图8A进一步所示，该方法在氧化物半导体图案557上形成栅极绝缘膜156，并且进一步形成栅电极157。
接下来，如图8B所示，该方法使用栅电极157作为掩模对氧化物半导体层施加等离子体处理，以制备低电阻IGZO膜。通过等离子体处理，制备TFT中的IGZO膜155的源极区域553和漏极区域552以及存储电容器C1的下部电容电极702。通过由低电阻IGZO制造下部电容电极702，可以有效地制备下部电容电极702。
接下来，如图8C所示，该方法形成层间绝缘膜158并在层间绝缘膜158中开设接触孔。该接触孔用于接触部711，接触部711用于连接存储电容器C1的上部电容电极701和栅电极157。此外，该方法例如通过溅射沉积ITO或IZO以形成上部电容电极701和接触部711。可以在形成接触部711之后形成上部电容电极701。
接下来，如图8D所示，该方法在上部电容电极701和层间绝缘膜158上形成层间绝缘膜164。该方法通过各向异性蚀刻开设穿过层间绝缘膜158和164的接触孔。接触孔用于接触部168，接触部168用于连接漏电极159和IGZO膜155的漏极区域552。该方法如上所述一起形成用于其它接触部的接触孔。此外，该方法形成漏电极159、源电极160、辅助配线658和接触部168。
接下来，如图8E所示，该方法在漏电极159、源电极160、辅助配线658和层间绝缘膜164上形成平坦化膜161。该方法开设用于互连TFT的源电极160和阳极电极162的接触孔，并且在具有接触孔的平坦化膜161上形成阳极电极162。阳极电极162通过接触部与源电极160连接。此外，该方法形成像素限定层163。
在图7A和图7B中所示的结构示例中，可以省略互连器555和辅助配线658。在存储电容器C1与栅极端子和驱动TFT T1的电源侧上的端子(与阳极电极相对的端子)连接的电路结构中，下部电容电极从下述接触区域延伸到透明区域521中：该接触区域与用于IGZO膜和阳极电极连接的接触区域相对。
图9A和图9B示出了子像素252的又一结构示例。图9B是沿图9A中的线IXB-IXB剖开的子像素252的剖视图。在下文中，主要描述与图7A和图7B中所示的结构示例的不同之处。图9A和图9B中示出的子像素252包括代替互连器555的互连器901，以用于辅助配线658和阴极电极166。
互连器901是与存储电容器C1的上部电容电极701类似的透明导电膜，并且形成在层间绝缘膜158上。互连器901由与上部电容电极701的材料相同的材料制成。互连器901在透明区域521中的接触区域911中与阴极电极166连接，并且在有源区域522中的接触部912处与辅助配线658连接。
接触部912形成在设置在层间绝缘膜164中的接触孔中。接触部912可以由与辅助配线658的材料相同的材料制成。阴极电极166在接触孔中的接触区域中与互连器901连接，该接触孔穿过层叠在一起的像素限定层163、平坦化膜161和层间绝缘膜164。
互连器901可以以与存储电容器C1的上部电容电极701相同的工艺(与其一起)形成。因此，可以有效地形成互连器901。
图10和图11各自示出了子像素252的又一结构示例。在图10和图11所示的结构示例中，驱动TFT T1是底栅型。图10中的驱动TFT T1具有蚀刻终止膜(etch stop film)。在图10中的结构示例中，底栅电极952设置在透明绝缘基板151上。通常，诸如氮化硅膜的绝缘膜插入到底栅电极952与基板151之间。绝缘膜956设置在底栅电极952和基板151上方。绝缘膜956可以是氧化硅膜。
存储电容器C1的下部电容电极953设置在绝缘膜956上。下部电容电极953在有源区域522中的绝缘膜956的接触孔中设置的接触部处与底栅电极952连接。下部电容电极953是透明导电膜，并且从有源区域522延伸到透明区域521中。下部电容电极953可以由ITO或IZO制成。
下部电容电极953与透明区域521中的跨过绝缘膜的未示出的上部电容电极相对。具体地，上部电容电极从驱动TFT T1的IGZO膜155的源极区域553连续地延伸到透明区域521中。上部电容电极和下部电容电极953在透明区域521中隔着绝缘膜957彼此相对。
绝缘膜957设置在绝缘膜956和下部电容电极953上。在绝缘膜957上，设置驱动TFTT1的IGZO膜155以及用于阴极电极166和辅助配线658的互连器954。互连器954与IGZO膜155分离。互连器954是由低电阻IGZO制成的透明低电阻膜，并且在相同的工序中与驱动TFT T1的IGZO膜155的低电阻区域一起形成。
在IGZO膜155、互连器954和绝缘膜957上设置绝缘膜958。绝缘膜958是蚀刻终止膜。在绝缘膜958上，设置漏电极159、源电极160和辅助配线658。在有源区域522中的绝缘膜958中设置的接触孔中，设置接触部168、169和657。
漏电极159在接触部168处与IGZO膜155的漏极区域552连接。源电极160在接触部169处与IGZO膜155的源极区域553连接。
互连器954在接触部657处与辅助配线658连接。互连器954还通过透明区域521中的接触区域与阴极电极166连接。阴极电极166通过接触孔中的接触区域与互连器954连接，该接触孔穿过层叠在一起的像素限定层163、平坦化膜161和绝缘膜958。平坦化膜161和平坦化膜161上方的层的层结构与参照图5B描述的结构相同。
图11中所示的驱动TFT T1是沟道蚀刻型底栅TFT。在下文中，主要描述与图10中所示的结构示例的不同之处。在图11的结构示例中，形成绝缘膜959代替图10中的结构示例中的绝缘膜958。漏电极159和源电极160分别与IGZO膜155的漏极区域552和源极区域553直接接触。辅助配线658与互连器954直接接触。
如上所述，用于连接辅助配线和阴极电极的由低电阻IGZO制成的互连器适用于包括具有底栅结构的驱动TFT的像素结构。
附录：
附录1、一种显示装置，包括：
基板；
多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；以及
电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的所述第二区域，并且在所述多个像素的外侧与电源线连接，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括：
透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；
反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；
发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及
透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由所述透明氧化物构成，并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部的电阻低的电阻，
其中，所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且
其中，所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。
附录2、根据附录1所述的显示装置，其中，所述透明上部电极是覆盖所述多个像素并且在所述多个像素的外侧与所述电源线连接的透明导电膜的一部分，并且所述透明上部电极覆盖所述第一区域和所述第二区域的整个区域。
附录3、根据附录1所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括在所述薄膜晶体管的栅电极与第二电极之间的存储电容器，所述第二电极是所述薄膜晶体管的源电极或漏电极，
其中，所述存储电容器包括：
第一透明电容电极，所述第一透明电容电极在所述第二区域中与所述栅电极连接并延伸到所述第一区域中；
第二透明电容电极，所述第二透明电容电极为包括所述沟道部的所述氧化物膜的一部分，所述第二透明电容电极从所述氧化物膜的与所述第二电极接触的接触区域连续地延伸到所述第一区域中，并且具有比所述沟道部的电阻低的电阻；以及
绝缘膜，所述绝缘膜位于所述第一透明电容电极与所述第二透明电容电极之间，并且
其中，所述第一透明电容电极的至少一部分和所述第二透明电容电极的至少一部分在所述第一区域中隔着所述绝缘膜彼此相对。
附录4、根据附录3所述的显示装置，其中，满足以下条件之一：
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；以及
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移。
附录5、根据附录3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值位于低于444.5eV的能量侧。
附录6、根据附录3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱在低于444.0eV的能量侧具有子峰。
附录7、根据附录1所述的显示装置，
其中，所述透明氧化物是InGaZnO，并且
其中，所述透明低电阻膜比所述沟道部更加氧缺乏。
附录8、根据附录1所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线位于比所述反射下部电极低的位置，并且穿过被所述反射下部电极覆盖的区域。
附录9、根据附录8所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线由与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极相同的材料制成，并且设置在设置有所述源电极和所述漏电极的同一绝缘膜上。
附录10、根据附录1所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线由与所述反射下部电极相同的金属膜制成。
附录11、根据附录1或附录3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管的栅电极设置在所述沟道部与所述反射下部电极之间的层上。
附录12、根据附录11所述的显示装置，其中，满足以下条件之一：
源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移；
源自所述透明低电阻膜的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移；以及
源自所述透明低电阻膜的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移。
附录13、根据附录11所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值位于低于444.5eV的能量侧。
附录14、根据附录11所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱在低于444.0eV的能量侧具有子峰。
附录15、根据附录1所述的显示装置，其中，所述透明低电阻膜具有不大于1MΩ的片电阻。
附录16、一种显示装置，包括：
基板；以及
多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括使光透过的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括：
透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；
反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；
发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极以及包括沟道部的由透明氧化物制成的氧化物膜；
第一透明电容电极，所述第一透明电容电极在所述第二区域中与所述栅电极连接并延伸到所述第一区域中；
第二透明电容电极，所述第二透明电容电极为所述氧化物膜的一部分，所述第二透明电容电极从所述氧化物膜的与第二电极接触的接触区域连续地延伸到所述第一区域中，并且具有比所述沟道部的电阻低的电阻，所述第二电极为所述源电极或所述漏电极；以及
绝缘膜，所述绝缘膜在所述第一透明电容电极与所述第二透明电容电极之间，并且
其中，所述第一透明电容电极的至少一部分和所述第二透明电容电极的至少一部分在所述第一区域中隔着所述绝缘膜彼此相对，而成为在所述栅电极与所述第二电极之间的存储电容器。
附录17、根据附录16所述的显示装置，其中，所述透明上部电极是覆盖所述多个像素并且在所述多个像素的外侧与电源线连接的透明导电膜的一部分，并且所述透明上部电极覆盖所述第一区域和所述第二区域的整个区域。
附录18、根据附录17所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每一个像素还包括：
辅助配线，所述辅助配线穿过所述第二区域，并在所述多个像素的外侧与所述电源线连接；以及
透明互连器，所述透明互连器由与所述第一透明电容电极相同的材料制成，与所述第一透明电容电极设置在相同的层，所述透明互连器与所述第一透明电容电极分离，在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且在所述第二区域中与所述辅助配线连接。
附录19、根据附录16所述的显示装置，其中，所述第二透明电容电极具有不大于所述沟道部的接通电阻的片电阻。
附录20、根据附录16所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管的所述栅电极设置在所述沟道部与所述反射下部电极之间的层上。
如上所述，已经描述了本发明的实施方式；然而，本发明不限于前述实施方式。本领域技术人员可以在本发明的范围内容易地修改、添加或转换前述实施方式中的每个元件。一个实施方式的结构的一部分可以用另一个实施方式的结构代替，或者一个实施方式的结构可以结合到另一个实施方式的结构中。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板；
多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括透明的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；以及
电源电位供给线，所述电源电位供给线穿过所述多个像素的所述第二区域，并且在所述多个像素的外侧与电源线连接，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括：
透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；
反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；
发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管具有由透明氧化物制成的沟道部；以及
透明低电阻膜，所述透明低电阻膜由所述透明氧化物构成，并将所述电源电位供给线和所述透明上部电极互连，所述透明低电阻膜与由所述透明氧化物构成并包括所述沟道部的氧化物膜分离，并具有比所述沟道部的电阻低的电阻，
其中，所述透明低电阻膜在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且
其中，所述透明低电阻膜在所述第二区域中与所述电源电位供给线连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明上部电极是覆盖所述多个像素并且在所述多个像素的外侧与所述电源线连接的透明导电膜的一部分，并且所述透明上部电极覆盖所述第一区域和所述第二区域的整个区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括在所述薄膜晶体管的栅电极与第二电极之间的存储电容器，所述第二电极是所述薄膜晶体管的源电极或漏电极，
其中，所述存储电容器包括：
第一透明电容电极，所述第一透明电容电极在所述第二区域中与所述栅电极连接并延伸到所述第一区域中；
第二透明电容电极，所述第二透明电容电极为包括所述沟道部的所述氧化物膜的一部分，所述第二透明电容电极从所述氧化物膜的与所述第二电极接触的接触区域连续地延伸到所述第一区域中，并且具有比所述沟道部的电阻低的电阻；以及
绝缘膜，所述绝缘膜位于所述第一透明电容电极与所述第二透明电容电极之间，并且
其中，所述第一透明电容电极的至少一部分和所述第二透明电容电极的至少一部分在所述第一区域中隔着所述绝缘膜彼此相对。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，满足以下条件之一：
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移；以及
源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自由所述透明氧化物制成的所述沟道部的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低能量侧迁移。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值位于低于444.5eV的能量侧。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜和所述第二透明电容电极的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱在低于444.0eV的能量侧具有子峰。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述透明氧化物是InGaZnO，并且
其中，所述透明低电阻膜比所述沟道部更加氧缺乏。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线位于比所述反射下部电极低的位置，并且穿过被所述反射下部电极覆盖的区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线由与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极相同的材料制成，并且设置在设置有所述源电极和所述漏电极的同一绝缘膜上。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源电位供给线由与所述反射下部电极相同的金属膜制成。
11.根据权利要求1或3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管的栅电极设置在所述沟道部与所述反射下部电极之间的层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，满足以下条件之一：
源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移；
源自所述透明低电阻膜的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的镓2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移；以及
源自所述透明低电阻膜的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值，比源自被所述栅电极覆盖并位于比所述栅电极更低位置的由所述透明氧化物制成的所述沟道部的锌2p3/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值向更低的能量侧迁移。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱的峰值位于低于444.5eV的能量侧。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，源自所述透明低电阻膜的铟3d5/2轨道的X射线光电子能谱光谱在低于444.0eV的能量侧具有子峰。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明低电阻膜具有不大于1MΩ的片电阻。
16.一种显示装置，包括：
基板；以及
多个像素，所述多个像素形成在所述基板上，所述多个像素中的每一个像素包括使光透过的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括：
透明上部电极，所述透明上部电极覆盖所述第一区域的至少一部分和所述第二区域的至少一部分；
反射下部电极，所述反射下部电极设置在所述第二区域中；
发光膜，所述发光膜设置在所述透明上部电极与所述反射下部电极之间，所述发光膜被配置为响应于被供应的电流而发光；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置为在所述第二区域中比所述反射下部电极低，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极以及包括沟道部的由透明氧化物制成的氧化物膜；
第一透明电容电极，所述第一透明电容电极在所述第二区域中与所述栅电极连接并延伸到所述第一区域中；
第二透明电容电极，所述第二透明电容电极为所述氧化物膜的一部分，所述第二透明电容电极从所述氧化物膜的与第二电极接触的接触区域连续地延伸到所述第一区域中，并且具有比所述沟道部的电阻低的电阻，所述第二电极为所述源电极或所述漏电极；以及
绝缘膜，所述绝缘膜在所述第一透明电容电极与所述第二透明电容电极之间，并且
其中，所述第一透明电容电极的至少一部分和所述第二透明电容电极的至少一部分在所述第一区域中隔着所述绝缘膜彼此相对，而成为在所述栅电极与所述第二电极之间的存储电容器。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述透明上部电极是覆盖所述多个像素并且在所述多个像素的外侧与电源线连接的透明导电膜的一部分，并且所述透明上部电极覆盖所述第一区域和所述第二区域的整个区域。
18.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每一个像素还包括：
辅助配线，所述辅助配线穿过所述第二区域，并在所述多个像素的外侧与所述电源线连接；以及
透明互连器，所述透明互连器由与所述第一透明电容电极相同的材料制成，与所述第一透明电容电极设置在相同的层，所述透明互连器与所述第一透明电容电极分离，在所述第一区域中与所述透明上部电极连接，并且在所述第二区域中与所述辅助配线连接。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二透明电容电极具有不大于所述沟道部的接通电阻的片电阻。
20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管的所述栅电极设置在所述沟道部与所述反射下部电极之间的层上。
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