CN108519706B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板,包括位于显示区域的第一数据线和第一信号线以及位于非显示区域的第二数据线和第二信号线;本发明部分第二数据线、部分第二信号线与第一数据线或第一信号线为所述显示面板的同一膜层结构,通过在信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线交叉点的上方或下方设置绝缘层,阻隔所述信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线连接而造成短路,避免显示面板显示异常;并且,第二信号线与第二数据线形成的环形回路与地线连接,使得显示区域周边电荷进入地线,避免电荷释放,提升显示面板的良品率。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及平板显示器领域,特别涉及一种显示面板。
背景技术
LCD(Liquid crystal displays,液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器,主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。LCD显示装置中包括TFT(ThinFilm Transistor,薄膜晶体管)器件,而TFT-LCD即薄膜场效应晶体管液晶显示器,此类显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动,因而具有高反应速度、高亮度、高对比度、体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的显示器市场中占据主导地位。
TFT-LCD可分为多晶硅(Poly-Si TFT)与非晶硅(a-Si TFT),两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒(Grain)中的排列状态是整齐而有方向性的,因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了200-300倍;一般所称的TFT-LCD是指非晶硅,技术成熟,为LCD的主流产品;而多晶硅品则主要包含高温多晶硅(HTPS)与低温多晶硅(LTPS)两种产品。
目前,传统的LTPS及a-Si TFT显示面板的显示区域内无静电释放(ESD)防护设计;如图1和如图2所示,在传统LTPS显示面板包括显示区域10和非显示区域20,所述显示区域10包括栅极线101和数据线102以及由栅极线101和数据线102为包围形成的像素103;所述非显示区域20包括虚拟栅极线104和虚拟数据线105以及由虚拟栅极线104、虚拟数据线105、栅极线101以及数据线102为包围形成的虚拟像素106;在所述非显示区域20中,虚拟栅极线104和虚拟数据线105形成的回路导致大量的电荷累计,而导致显示区域10的异常,影响显示面板的良率;并且,虚拟栅极线104与数据线102或虚拟数据线105与栅极线101的连接,导致回路的短路,影响显示面板的正常显示。
发明内容
本发明提供一种显示面板,以解决现有显示面板的显示区域中因电荷积累而导致静电释放的问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种显示面板,其包括数据线和信号线,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述信号线包括第一信号线和第二信号线,所述第一数据线和所述第一信号线位于所述显示面板的显示区域,所述第二数据线和所述第二信号线位于所述显示面板的非显示区域;
所述第二数据线包括与所述第一信号线、所述第二信号线同层设置的第一部分第二数据线和与所述第一数据线同层设置的第二部分第二数据线,所述信号线与所述第二数据线相互交叉,在所述信号线和所述第二数据线的交叉处设置有第一隔离层;
或者,所述信号线包括与所述第二数据线同层设置的第一部分信号线和与所述第一数据线同层设置的第二部分信号线,所述信号线与所述第二数据线相互交叉,在所述信号线与所述第二数据线的交叉处设置有第一隔离层;
或者,所述第二信号线包括与所述第一数据线、所述第二数据线同层设置的第一部分第二信号线和与所述第一信号线同层设置的第二部分第二信号线,所述数据线与所述第二信号线相互交叉,在所述数据线和所述第二信号线的交叉处设置有第二隔离层;
或者,所述数据线包括与所述第二信号线同层设置的第一部分数据线和与所述第一信号线同层设置的第二部分数据线,所述数据线与所述第二信号线相互交叉,在所述数据线与所述第二信号线的交叉处设置有第二隔离层;
所述第二信号线与所述第二数据线在所述显示面板的非显示区域形成回路,所述回路的一端与地线连接。
在本发明的显示面板中,当所述第二数据线包括与所述第一信号线、所述第二信号线同层设置的第一部分第二数据线和与所述第一数据线同层设置的第二部分第二数据线时,所述第一部分第二数据线、所述第二信号线以及所述第一信号线由第一金属层制成,所述第二部分第二数据线以及所述第一数据线由第二金属层制成;
所述第一部分第二数据线和所述第二部分第二数据线通过第一过孔连接。
在本发明的显示面板中,所述第二部分第二数据线形成于所述信号线与所述第二数据线交叉处的上端或下端。
在本发明的显示面板中,当所述信号线包括与所述第二数据线同层设置的第一部分信号线和与所述第一数据线同层设置的第二部分信号线时,所述第一部分信号线和所述第二数据线由第一金属层制成,所述第二部分信号线以及所述第一数据线由第二金属层制成;
所述第一部分信号线和所述第二部分信号线通过第二过孔连接。
在本发明的显示面板中,当所述第二信号线包括与所述第一数据线、所述第二数据线同层设置的第一部分第二信号线和与所述第一信号线同层设置的第二部分第二信号线时,所述第一部分第二信号线、所述第二数据线以及所述第一数据线由第二金属层制成,所述第二部分第二信号线以及所述第一信号线由第一金属层制成;
所述第一部分第二信号线和所述第二部分第二信号线通过第三过孔连接。
在本发明的显示面板中,所述第二部分第二信号线形成于所述数据线与所述第二信号线交叉点的上端或下端。
在本发明的显示面板中,当所述数据线包括与所述第二信号线同层设置的第一部分数据线和与所述第一信号线同层设置的第二部分数据线时,所述第一部分数据线和所述第二信号线由第二金属层制成,所述第二部分数据线以及第一信号线由第一金属层制成;
所述第一部分数据线和所述第二部分数据线通过第四过孔连接。
有益效果:本发明提供一种显示面板,部分第二数据线、部分第二信号线与第一数据线或第一信号线为所述显示面板的同一膜层结构,通过在信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线交叉点的上方或下方设置绝缘层,阻隔所述信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线连接而造成短路,避免显示面板显示异常;并且,第二信号线与第二数据线形成的环形回路与地线连接,使得显示区域周边电荷进入地线,避免电荷释放,提升显示面板的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种显示面板的结构图;
图2为现有技术中一种显示面板的非显示区域的线路结构图;
图3为本发明优选实施例一一种显示面板的线路布局结构图;
图4为本发明优选实施例一一种显示面板的某一截面的膜层结构图;
图5为本发明优选实施例二一种显示面板的线路布局结构图;
图6为本发明优选实施例二一种显示面板的某一截面的膜层结构图;
图7为本发明优选实施例三一种显示面板的线路布局结构图;
图8为本发明优选实施例三一种显示面板的某一截面的膜层结构图;
图9为本发明优选实施例四一种显示面板的线路布局结构图;
图10为本发明优选实施例四一种显示面板的某一截面的膜层结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明提出了一种显示面板的结构图,如图1所示,所述显示面板包括显示区域10和非显示区域,所述非显示区域20形成于所述显示面板的外侧,并将所述显示区域10包围;
所述显示面板包括多条数据线和多条信号线,其中,所述数据线包括多条第一数据线202和第二数据线205,所述信号线包括多条第一信号线201和第二信号线204,所述第一数据线202和所述第一信号线201位于所述显示面板的显示区域,所述第二数据线205和所述第二信号线204位于所述显示面板的非显示区域;
所述显示区域10包括多个包含有薄膜晶体管的第一类像素203,所述第一类像素203为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中的任意一种;每一所述第一类像素203被两条相互平行的第一信号线201和两条相互平行的第一数据线202所包围,所述第一信号线201和所述第一数据线202相互交叉,所述第一信号线201和所述第一数据线202为所述显示面板的不同膜层结构;在本发明优选实施例中,所述第一信号线201为所述薄膜晶体管的栅极线,所述第一数据线202为所述薄膜晶体管的数据线;
所述非显示区域20包括第二类像素206,如图3所示,每一所述第二类像素206被一第二信号线204和一第二数据线205所包围,或者由一第一数据线202和一第二信号线204,或一第一信号线201和一第二数据线205所包围。
实施例一
所述第二数据线205包括第一部分第二数据线2051和第二部分第二数据线2052,所述第一部分第二数据线2051、所述第二信号线204以及所述第一信号线201由第一金属层制成,所述第二部分第二数据线2052以及所述第一数据线202由第二金属层制成,所述第一信号线201与所述第二数据线205相互交叉但不相交;优选的,所述第二类像素206为虚拟像素,所述第二信号线204为虚拟栅极线,所述第二数据线205为虚拟数据线;
在本实施例中,所述第二类像素206,即虚拟像素区的设置是为了,使由于是所述显示面板显示区域边缘而引起的结构变化及电磁变化,进而避免该变化不会对显示面板显示区域产生影响而在显示区域的外侧配置虚拟像素。
本发明优选实施例,如图3所示,所述第一信号线201由第一金属层制成,即形成所述薄膜晶体管的栅极层,所述第一数据线202由第二金属层制成,即形成所述薄膜晶体管的源漏极层;所述第二信号线204和所述第一部分第二数据线2051由所述第一金属层制成,形成虚拟栅极线和虚拟数据线,即所述虚拟栅极线、所述虚拟数据线以及所述薄膜晶体管的栅极层,在同一道光罩制程下由同一层金属所制成;
其中,所述第一金属层和所述第二金属层可以利用磁控溅射工艺沉积第一金属层薄膜,金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属,也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构,所述第一金属层和所述第二金属层原材料可以相同或不同;
另外,所述第二部分第二数据线2052位于所述第一信号线201与所述第二数据线205、或所述第二数据线205与所述第二信号线204交叉点的上方或下方;如图4所示,在本实施例中,该交叉点采用了跳线设计的方式,即所述第二部分第二数据线2052与所述第一部分第二数据线2051为不同的膜层结构;优选的,所述第一信号线201或所述第二信号线204位于所述第二部分第二数据线2052的下方;
所述跳线设计,即所述第二部分第二数据线2052由第二金属层所制备,并通过第一过孔2053与所述第一部分第二数据线2051连接,使得所述栅极线与所述虚拟数据线不连接,避免了栅极线和虚拟数据线直接连接,使得回路出现短路,导致显示画面异常;
所述第一信号线201与所述第二部分第二数据线2052之间设置有第一隔离层2054,所述第一隔离层2054优选为绝缘材料;本实施例中,所述第一信号线201与所述第二部分第二数据线2052之间所设置的第一隔离层可以为第一绝缘层、第一半导体层或其组合物中的一种或一种以上的组合物;
另外,所述第二信号线204和所述第二数据线205所构成的回路的一端与地线连接,将所述显示区域所积累的电荷通过该回路导入地线,避免了显示面板显示区域静电的释放而引起显示面板的异常,提升了显示面板的良率。
实施例二
本实施例与具体实施例一相同或相似,其中不同之处在于:
如图5和图6所示,所述信号线307包括第一部分信号线3071和第二部分信号线3072,所述第一部分信号线3071和所述第二数据线305由所述第一金属层制成,所述第二部分信号线3072以及所述第一数据线302由第二金属层制成;另外,所述第一部分信号线3071和所述第二部分信号线3072通过第二过孔3073连接;所述信号线和所述第二数据线305的交叉处设置有隔离层,此处隔离层的结构与具体实施例一相同;
本实施例与具体实施例一同样采用了跳线设计,但是跳线的位置为每一所述信号线307与所述第二数据线305交叉点,即对每一所述信号线307进行了更改,而具体实施例一中,仅对一条第二数据线305进行了改变,即对同一条第二数据线305进行多次跳线设计。
实施例三
如图7所示为本发明优选实施例二一种显示面板非显示区域的线路结构图,本实施例中,所述第二信号线404包括第一部分第二信号线4041和第二部分第二信号线4042,所述第一部分第二信号线4041、所述第二数据线405以及所述第一数据线402由第二金属层制成,所述第二部分第二信号线4042以及所述第一信号线401由第一金属层制成,所述第一数据线402与所述第二信号线404相互交叉但不相交;
所述第一信号线401即形成所述薄膜晶体管的栅极层,所述第一数据线402即形成所述薄膜晶体管的源漏极层;
所述第二信号线404和所述第二数据线405分别形成所述显示面板的虚拟栅极线和所述虚拟数据线,即所述虚拟栅极线、所述虚拟数据线以及所述薄膜晶体管的源漏极层,在同一道光罩制程下由同一层金属所制成;所述第一金属层和所述第二金属层的材料选择与具体实施例一相同,此处不再赘述。
另外,所述第二部分第二信号线4042位于所述第一数据线402与所述第二信号线404、或所述第二信号线404与所述第二数据线405交叉点的上方或下方;如图6所示,在本实施例中,该交叉点采用了跳线设计的方式,即所述第二部分第二信号线4042与所述第一部分第二信号线4041为不同的膜层结构;优选的,所述第一数据线402或所述第二数据线405位于所述第二部分第二信号线4042的上方;
所述跳线设计,即所述第二部分第二信号线4042由第二金属层所制备,并通过第三过孔4043与所述第一部分第二信号4041线连接,使得所述栅极线与所述虚拟数据线不连接,即避免了栅极线和虚拟数据线直接连接,使得回路出现短路,导致显示画面异常;
所述第一数据线402与所述第二部分第二信号线4042之间设置有第二隔离层4044,所述第二隔离层4044优选为绝缘材料;本实施例中,所述第一数据线402与所述第二部分第二信号线4042之间饿第二隔离层可以为第二绝缘层、第二半导体层或其组合物中的一种或一种以上的组合物;
另外,所述第二信号线404和所述第二数据线405所构成的回路的一端与地线连接,将所述显示区域所积累的电荷通过该回路导入地线,避免了显示面板显示区域静电的释放而引起显示面板的异常,提升了显示面板的良率。
实施例四
本实施例与具体实施例三相同或相似,其中不同之处在于:
如图9和图10所示,所述数据线508包括第一部分数据线5081和第二部分数据线5082,所述第一部分数据线5081和所述第二信号线504由所述第二金属层制成,所述第二部分数据线5082以及第一信号线501由第一金属层制成;所述第一部分数据线5081和所述第二部分数据线5082通过第四过孔5083连接;所述数据线508和所述第二信号线504的交叉处设置有隔离层,此处隔离层的结构与具体实施例三相同;
本实施例与具体实施例同样采用了跳线设计,但是跳线的位置为每一所述数据线508与所述第二信号线504交叉点,即对每一所述数据线进行了更改,而具体实施例三中,仅对一条第二信号线504进行了改变,即对同一条第二信号线504进行多次跳线设计。
本发明提供一种显示面板,包括位于显示区域的第一数据线和第一信号线以及位于非显示区域的第二数据线和第二信号线;本发明部分第二数据线、部分第二信号线与第一数据线或第一信号线为所述显示面板的同一膜层结构,通过在信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线交叉点的上方或下方设置绝缘层,阻隔所述信号线与第二数据线、或数据线与第二信号线连接而造成短路,避免显示面板显示异常;并且,第二信号线与第二数据线形成的环形回路与地线连接,使得显示区域周边电荷进入地线,避免电荷释放,提升显示面板的良品率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种显示面板,其特征在于,包括数据线和信号线,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述信号线包括第一信号线和第二信号线,所述第一数据线和所述第一信号线位于所述显示面板的显示区域,所述第二数据线和所述第二信号线位于所述显示面板的非显示区域;
所述第二数据线包括与所述第一信号线、所述第二信号线同层设置的第一部分第二数据线和与所述第一数据线同层设置的第二部分第二数据线,所述信号线与所述第二数据线相互交叉,在所述信号线和所述第二数据线的交叉处设置有第一隔离层;
或者,所述信号线包括与所述第二数据线同层设置的第一部分信号线和与所述第一数据线同层设置的第二部分信号线,所述信号线与所述第二数据线相互交叉,在所述信号线与所述第二数据线的交叉处设置有第一隔离层;
或者,所述第二信号线包括与所述第一数据线、所述第二数据线同层设置的第一部分第二信号线和与所述第一信号线同层设置的第二部分第二信号线,所述数据线与所述第二信号线相互交叉,在所述数据线和所述第二信号线的交叉处设置有第二隔离层;
或者,所述数据线包括与所述第二信号线同层设置的第一部分数据线和与所述第一信号线同层设置的第二部分数据线,所述数据线与所述第二信号线相互交叉,在所述数据线与所述第二信号线的交叉处设置有第二隔离层;
所述第二信号线与所述第二数据线在所述显示面板的非显示区域形成回路,所述回路的一端与地线连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述第二数据线包括与所述第一信号线、所述第二信号线同层设置的第一部分第二数据线和与所述第一数据线同层设置的第二部分第二数据线时,所述第一部分第二数据线、所述第二信号线以及所述第一信号线由第一金属层制成,所述第二部分第二数据线以及所述第一数据线由第二金属层制成;
所述第一部分第二数据线和所述第二部分第二数据线通过第一过孔连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二部分第二数据线形成于所述信号线与所述第二数据线交叉处的上端或下端。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述信号线包括与所述第二数据线同层设置的第一部分信号线和与所述第一数据线同层设置的第二部分信号线时,所述第一部分信号线和所述第二数据线由第一金属层制成,所述第二部分信号线以及所述第一数据线由第二金属层制成;
所述第一部分信号线和所述第二部分信号线通过第二过孔连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述第二信号线包括与所述第一数据线、所述第二数据线同层设置的第一部分第二信号线和与所述第一信号线同层设置的第二部分第二信号线时,所述第一部分第二信号线、所述第二数据线以及所述第一数据线由第二金属层制成,所述第二部分第二信号线以及所述第一信号线由第一金属层制成;
所述第一部分第二信号线和所述第二部分第二信号线通过第三过孔连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二部分第二信号线形成于所述数据线与所述第二信号线交叉点的上端或下端。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述数据线包括与所述第二信号线同层设置的第一部分数据线和与所述第一信号线同层设置的第二部分数据线时,所述第一部分数据线和所述第二信号线由第二金属层制成,所述第二部分数据线以及第一信号线由第一金属层制成;
所述第一部分数据线和所述第二部分数据线通过第四过孔连接。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020010198A (ko) * 2000-07-27 2002-02-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판
CN102257547A (zh) * 2010-01-06 2011-11-23 松下电器产业株式会社 有源矩阵基板、显示面板以及它们的检查方法
CN102540524A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 北京京东方光电科技有限公司 防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板
KR20140087620A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판용 모기판
CN104133333A (zh) * 2014-07-22 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3136200B2 (ja) * 1992-07-22 2001-02-19 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR101024651B1 (ko) * 2004-06-05 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법
US7538399B2 (en) * 2004-12-15 2009-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof
KR101133758B1 (ko) * 2005-01-19 2012-04-09 삼성전자주식회사 센서 및 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시판
TWM282451U (en) * 2005-07-29 2005-12-01 Merry Electronics Co Ltd Structure for reducing working height of amplifier
KR100759759B1 (ko) * 2006-04-27 2007-09-20 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
TWI353063B (en) * 2007-07-27 2011-11-21 Au Optronics Corp Photo detector and method for fabricating the same
KR101415684B1 (ko) * 2011-07-07 2014-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법
CN102931199A (zh) * 2012-11-02 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
JP6461548B2 (ja) * 2014-10-14 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置およびその製造方法
KR102410594B1 (ko) * 2015-04-30 2022-06-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 표시 패널
KR102384068B1 (ko) * 2015-09-11 2022-04-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20180095836A (ko) * 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
KR102567715B1 (ko) * 2016-04-29 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 패널 및 그 제조 방법
KR101857868B1 (ko) * 2016-08-26 2018-06-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102518426B1 (ko) * 2016-09-09 2023-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102662681B1 (ko) * 2016-12-26 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR102393377B1 (ko) * 2017-08-07 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20190067402A1 (en) * 2017-08-28 2019-02-28 HKC Corporation Limited Display panel and manufacturing method thereof and display device
CN110224003B (zh) * 2018-03-01 2023-06-09 天马日本株式会社 显示装置
US10452201B1 (en) * 2018-03-30 2019-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Touch sensor for display with shield
JP7120792B2 (ja) * 2018-04-10 2022-08-17 Tianma Japan株式会社 表示装置
JP7105098B2 (ja) * 2018-05-01 2022-07-22 Tianma Japan株式会社 表示装置
US10705636B2 (en) * 2018-06-21 2020-07-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020010198A (ko) * 2000-07-27 2002-02-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판
CN102257547A (zh) * 2010-01-06 2011-11-23 松下电器产业株式会社 有源矩阵基板、显示面板以及它们的检查方法
CN102540524A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 北京京东方光电科技有限公司 防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板
KR20140087620A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판용 모기판
CN104133333A (zh) * 2014-07-22 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法

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Publication number Publication date
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