JP3136200B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルの下に
バックライトを配置した液晶表示装置に係り、特に、バ
ックライトの輝度と表示品質を向上できる液晶表示装置
に関する。
バックライトを配置した液晶表示装置に係り、特に、バ
ックライトの輝度と表示品質を向上できる液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動（デューティ比 1.0）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動（デューティ比 1.0）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。
【０００３】液晶表示パネル（液晶表示素子）は、液晶
層を基準として下部透明ガラス基板上に薄膜トランジス
タ、透明画素電極、薄膜トランジスタの保護膜、液晶分
子の向きを設定するための下部配向膜が順次設けられた
下部基板と、上部透明ガラス基板上にブラックマトリク
ス、カラーフィルタ、カラーフィルタの保護膜、共通透
明画素電極、上部配向膜が順次設けられた上部基板とを
互いの配向膜が向き合うように重ね合わせ、基板の縁周
囲に配置したシール材によって両基板を接着すると共に
両基板間に液晶を封止する。なお、下部基板側にはバッ
クライトが配置される。
層を基準として下部透明ガラス基板上に薄膜トランジス
タ、透明画素電極、薄膜トランジスタの保護膜、液晶分
子の向きを設定するための下部配向膜が順次設けられた
下部基板と、上部透明ガラス基板上にブラックマトリク
ス、カラーフィルタ、カラーフィルタの保護膜、共通透
明画素電極、上部配向膜が順次設けられた上部基板とを
互いの配向膜が向き合うように重ね合わせ、基板の縁周
囲に配置したシール材によって両基板を接着すると共に
両基板間に液晶を封止する。なお、下部基板側にはバッ
クライトが配置される。
【０００４】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディスプ
レイ」、日経エレクトロニクス、頁193〜210、1986年12
月15日、日経マグロウヒル社発行、で知られている。
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディスプ
レイ」、日経エレクトロニクス、頁193〜210、1986年12
月15日、日経マグロウヒル社発行、で知られている。
【０００５】従来の液晶表示装置は、透明電極と配向膜
等を積層した面がそれぞれ対向するように２枚の透明ガ
ラス基板を重ね合わせ、両基板間に液晶を封止してなる
液晶表示パネルと、その下に配置されたこの液晶表示パ
ネルに光を供給するバックライトと、上記液晶表示パネ
ルの３辺の外側あるいは上記バックライトの下に配置さ
れた上記液晶表示パネルの駆動回路を有するプリント基
板と、これらの各部材を収納し、液晶表示窓があけられ
た金属製フレームとを含んで構成されている。
等を積層した面がそれぞれ対向するように２枚の透明ガ
ラス基板を重ね合わせ、両基板間に液晶を封止してなる
液晶表示パネルと、その下に配置されたこの液晶表示パ
ネルに光を供給するバックライトと、上記液晶表示パネ
ルの３辺の外側あるいは上記バックライトの下に配置さ
れた上記液晶表示パネルの駆動回路を有するプリント基
板と、これらの各部材を収納し、液晶表示窓があけられ
た金属製フレームとを含んで構成されている。
【０００６】なお、上記バックライトは、光を導くため
の半透明の合成樹脂板から成る導光体の側面に沿って冷
陰極螢光管を近接して配置したタイプと、液晶表示パネ
ルの直下に複数本の冷陰極螢光管をそれぞれ平行に配列
したタイプがある。前者では導光体と液晶表示パネルと
の間、後者では複数本の冷陰極螢光管と液晶表示パネル
との間に、光を拡散し、液晶表示パネルに均一に光を照
射するための拡散板が配置され、この拡散板は各バック
ライトの構成要素となっている。
の半透明の合成樹脂板から成る導光体の側面に沿って冷
陰極螢光管を近接して配置したタイプと、液晶表示パネ
ルの直下に複数本の冷陰極螢光管をそれぞれ平行に配列
したタイプがある。前者では導光体と液晶表示パネルと
の間、後者では複数本の冷陰極螢光管と液晶表示パネル
との間に、光を拡散し、液晶表示パネルに均一に光を照
射するための拡散板が配置され、この拡散板は各バック
ライトの構成要素となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】なお、従来のバックラ
イトでは、液晶表示パネルと、その下に配置したバック
ライトの拡散板との間に、上面が多数本のストライプ溝
を平行に配列したプリズム面、下面が平滑面である透明
なプリズム板を配置することにより、輝度を増大させ、
明るく均一な液晶表示画面を得ようとする技術が提案さ
れている（特開平２−２５７１８８号公報、日経エレク
トロニクス 第 頁 １９９１年９月参照）。この技術
では、拡散板から大きな角度で拡散する光の拡散角度を
プリズム板のプリズム面によって小さくする、すなわ
ち、表示画面に対して垂直方向に近くすることにより、
輝度を増大させるものである。
イトでは、液晶表示パネルと、その下に配置したバック
ライトの拡散板との間に、上面が多数本のストライプ溝
を平行に配列したプリズム面、下面が平滑面である透明
なプリズム板を配置することにより、輝度を増大させ、
明るく均一な液晶表示画面を得ようとする技術が提案さ
れている（特開平２−２５７１８８号公報、日経エレク
トロニクス 第 頁 １９９１年９月参照）。この技術
では、拡散板から大きな角度で拡散する光の拡散角度を
プリズム板のプリズム面によって小さくする、すなわ
ち、表示画面に対して垂直方向に近くすることにより、
輝度を増大させるものである。
【０００８】しかし、この技術では、輝度は増大する
が、プリズム板の面上に平行に配列形成された多数本の
ストライプ溝と、液晶表示パネルの透明基板面上に上記
ストライプ溝と平行に配列形成された多数本の透明電極
配線（ゲートラインまたはデータライン、あるいはセグ
メント電極またはコモン電極）とが干渉し、表示画面に
干渉縞が発生し、表示品質が低下する問題があった。
が、プリズム板の面上に平行に配列形成された多数本の
ストライプ溝と、液晶表示パネルの透明基板面上に上記
ストライプ溝と平行に配列形成された多数本の透明電極
配線（ゲートラインまたはデータライン、あるいはセグ
メント電極またはコモン電極）とが干渉し、表示画面に
干渉縞が発生し、表示品質が低下する問題があった。
【０００９】本発明の目的は、バックライトの輝度を増
大させるとともに、表示画面における干渉縞の発生を防
止することができる液晶表示装置を提供することにあ
る。
大させるとともに、表示画面における干渉縞の発生を防
止することができる液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、少なくとも一方の透明基板面上に複数
本の配線を平行に配列した液晶表示パネルの下に、バッ
クライトを配置し、かつ、上記液晶表示パネルと上記バ
ックライトとの間に、複数本のストライプ溝を平行に配
列したプリズム板を配置してなる液晶表示装置におい
て、上記ストライプ溝のピッチをλ１（ｍｍ）とし、上
記ストライプ溝とほぼ平行な上記配線のピッチをλ
２（ｍｍ）とするとき、λ１≦０．０７５λ２／（λ２
＋０．０７５）である液晶表示装置を提供する。また、
透明基板面上に複数個の画素をマトリクス状に形成した
液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの下に設けられた
バックライトと、上記液晶表示パネルと上記バックライ
トとの間に設けられた複数本のストライプ溝を平行に配
列したプリズム板とを有し、上記ストライプ溝のピッチ
をＰ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ溝と平行な方向に
並んだ画素列の上記ストライプ溝と交差する方向のピッ
チをＰ２（ｍｍ）とするとき、Ｐ１≦０．０７５Ｐ２／
（Ｐ２＋０．０７５）である液晶表示装置を提供する。
さらに、透明基板面上に複数本の走査信号線および映像
信号線を形成した液晶表示パネルと、該液晶表示パネル
の下側に設けられた光源と、上記液晶表示パネルと上記
光源との間に設けられたプリズム板を有し、該プリズム
板は上記液晶表示パネル側の面に断面がＶ字状の複数本
のストライプ溝が並列に形成され、上記ストライプ溝の
山と山の間隔をｄ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ溝と
同方向に並んで形成された上記走査信号線または上記映
像信号線の隣り合う２本の配線の間隔をｄ２（ｍｍ）と
するとき、ｄ１≦０．０７５ｄ２／（ｄ２＋０．０７
５）である液晶表示装置を提供する。
めに、本発明は、少なくとも一方の透明基板面上に複数
本の配線を平行に配列した液晶表示パネルの下に、バッ
クライトを配置し、かつ、上記液晶表示パネルと上記バ
ックライトとの間に、複数本のストライプ溝を平行に配
列したプリズム板を配置してなる液晶表示装置におい
て、上記ストライプ溝のピッチをλ１（ｍｍ）とし、上
記ストライプ溝とほぼ平行な上記配線のピッチをλ
２（ｍｍ）とするとき、λ１≦０．０７５λ２／（λ２
＋０．０７５）である液晶表示装置を提供する。また、
透明基板面上に複数個の画素をマトリクス状に形成した
液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの下に設けられた
バックライトと、上記液晶表示パネルと上記バックライ
トとの間に設けられた複数本のストライプ溝を平行に配
列したプリズム板とを有し、上記ストライプ溝のピッチ
をＰ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ溝と平行な方向に
並んだ画素列の上記ストライプ溝と交差する方向のピッ
チをＰ２（ｍｍ）とするとき、Ｐ１≦０．０７５Ｐ２／
（Ｐ２＋０．０７５）である液晶表示装置を提供する。
さらに、透明基板面上に複数本の走査信号線および映像
信号線を形成した液晶表示パネルと、該液晶表示パネル
の下側に設けられた光源と、上記液晶表示パネルと上記
光源との間に設けられたプリズム板を有し、該プリズム
板は上記液晶表示パネル側の面に断面がＶ字状の複数本
のストライプ溝が並列に形成され、上記ストライプ溝の
山と山の間隔をｄ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ溝と
同方向に並んで形成された上記走査信号線または上記映
像信号線の隣り合う２本の配線の間隔をｄ２（ｍｍ）と
するとき、ｄ１≦０．０７５ｄ２／（ｄ２＋０．０７
５）である液晶表示装置を提供する。
【００１１】
【作用】本発明の液晶表示装置では、ストライプ溝のピ
ッチλ1（ｍｍ）を、λ1≦０．０７５λ2／（λ2＋０．
０７５）とすることにより、表示画面における干渉縞の
間隔を普通の人間の視力で認識できない７５μｍ（０．
０７５ｍｍ）以下にすることができるので、干渉縞が見
えず、表示品質を向上することができる。
ッチλ1（ｍｍ）を、λ1≦０．０７５λ2／（λ2＋０．
０７５）とすることにより、表示画面における干渉縞の
間隔を普通の人間の視力で認識できない７５μｍ（０．
０７５ｍｍ）以下にすることができるので、干渉縞が見
えず、表示品質を向上することができる。
【００１２】
【実施例】本発明、本発明の更に他の目的及び本発明の
更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかと
なるであろう。
更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかと
なるであろう。
【００１３】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装
置にこの発明を適用した実施例を説明する。なお、以下
説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装
置にこの発明を適用した実施例を説明する。なお、以下
説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】《マトリクス部の概要》図１はこの発明が
適用されるアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示
装置の一画素とその周辺を示す平面図、図２は図１の２
−２切断線における断面を示す図、図３は図１の３−３
切断線における断面図である。また、図４には図１に示
す画素を複数配置したときの平面図を示す。
適用されるアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示
装置の一画素とその周辺を示す平面図、図２は図１の２
−２切断線における断面を示す図、図３は図１の３−３
切断線における断面図である。また、図４には図１に示
す画素を複数配置したときの平面図を示す。
【００１５】図１に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは列方向に延在し、行方
向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは行方向に
延在し、列方向に複数本配置されている。
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは列方向に延在し、行方
向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは行方向に
延在し、列方向に複数本配置されている。
【００１６】図２に示すように、液晶ＬＣを基準に下部
透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ
および透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透明ガラ
ス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブ
ラックマトリクスパターンＢＭが形成されている。下部
透明ガラス基板ＳＵＢ１はたとえば１.１mm程度の厚さ
で構成されている。また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、Ｓ
ＵＢ２の両面にはディップ処理等によって形成された酸
化シリコン膜ＳＩＯが設けられている。このため、透明
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の表面に鋭い傷があった
としても、鋭い傷を酸化シリコン膜ＳＩＯで覆うことが
できるので、その上にデポジットされる走査信号線Ｇ
Ｌ、遮光膜ＢＭ等の膜質を均質に保つことができる。
透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ
および透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透明ガラ
ス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブ
ラックマトリクスパターンＢＭが形成されている。下部
透明ガラス基板ＳＵＢ１はたとえば１.１mm程度の厚さ
で構成されている。また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、Ｓ
ＵＢ２の両面にはディップ処理等によって形成された酸
化シリコン膜ＳＩＯが設けられている。このため、透明
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の表面に鋭い傷があった
としても、鋭い傷を酸化シリコン膜ＳＩＯで覆うことが
できるので、その上にデポジットされる走査信号線Ｇ
Ｌ、遮光膜ＢＭ等の膜質を均質に保つことができる。
【００１７】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
【００１８】《マトリクス周辺の概要》図１６は上下の
ガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬ
のマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を、図１７はその
周辺部を更に誇張した平面を、図１８は図１６及び図１
７のパネル左上角部に対応するシール部ＳＬ付近の拡大
平面を示す図である。また、図１９は図２の断面を中央
にして、左側に図１８の１９ａ−１９ａ切断線における
断面を、右側に映像信号駆動回路が接続されるべき外部
接続端子ＤＴＭ付近の断面を示す図である。同様に図２
０は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子Ｇ
ＴＭ付近の断面を、右側に外部接続端子が無いところの
シール部付近の断面を示す図である。
ガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬ
のマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を、図１７はその
周辺部を更に誇張した平面を、図１８は図１６及び図１
７のパネル左上角部に対応するシール部ＳＬ付近の拡大
平面を示す図である。また、図１９は図２の断面を中央
にして、左側に図１８の１９ａ−１９ａ切断線における
断面を、右側に映像信号駆動回路が接続されるべき外部
接続端子ＤＴＭ付近の断面を示す図である。同様に図２
０は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子Ｇ
ＴＭ付近の断面を、右側に外部接続端子が無いところの
シール部付近の断面を示す図である。
【００１９】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図１６〜図１８は後者の例を示
すもので、図１６、図１７の両図とも上下基板ＳＵＢ
１，ＳＵＢ２の切断後を、図１８は切断前を表してお
り、ＬＮは両基板の切断前の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそ
れぞれ基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断すべき位置を示
す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔ
ｇ，Ｔｄ（添字略）が存在する（図で上下辺と左辺の）
部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大き
さが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端
子群Ｔｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子
ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出
配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャ
リアパッケージＴＣＰ（図２０、図２１）の単位に複数
本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス部か
ら外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づ
くにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配
列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッ
チに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせる
ためである。
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図１６〜図１８は後者の例を示
すもので、図１６、図１７の両図とも上下基板ＳＵＢ
１，ＳＵＢ２の切断後を、図１８は切断前を表してお
り、ＬＮは両基板の切断前の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそ
れぞれ基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断すべき位置を示
す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔ
ｇ，Ｔｄ（添字略）が存在する（図で上下辺と左辺の）
部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大き
さが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端
子群Ｔｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子
ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出
配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャ
リアパッケージＴＣＰ（図２０、図２１）の単位に複数
本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス部か
ら外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づ
くにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配
列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッ
チに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせる
ためである。
【００２０】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明ガラス
基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なく
とも一箇所において、本実施例ではパネルの４角で銀ペ
ースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されている。こ
の引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成される。
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明ガラス
基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なく
とも一箇所において、本実施例ではパネルの４角で銀ペ
ースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されている。こ
の引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成される。
【００２１】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。
【００２２】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。
【００２３】《薄膜トランジスタＴＦＴ》薄膜トランジ
スタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加す
ると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなる
ように動作する。
スタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加す
ると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなる
ように動作する。
【００２４】各画素の薄膜トランジスタＴＦＴは、画素
内において２つ(複数)に分割され、薄膜トランジスタ
（分割薄膜トランジスタ）ＴＦＴ１およびＴＦＴ２で構
成されている。薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の
それぞれは実質的に同一サイズ（チャネル長、チャネル
幅が同じ）で構成されている。この分割された薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、ゲート電極
ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、intrinsic、導
電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン
（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極
ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、ソース、ド
レインは本来その間のバイアス極性によって決まるもの
で、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転
するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると理解
されたい。しかし、以下の説明では、便宜上一方をソー
ス、他方をドレインと固定して表現する。
内において２つ(複数)に分割され、薄膜トランジスタ
（分割薄膜トランジスタ）ＴＦＴ１およびＴＦＴ２で構
成されている。薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の
それぞれは実質的に同一サイズ（チャネル長、チャネル
幅が同じ）で構成されている。この分割された薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、ゲート電極
ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、intrinsic、導
電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン
（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極
ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、ソース、ド
レインは本来その間のバイアス極性によって決まるもの
で、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転
するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると理解
されたい。しかし、以下の説明では、便宜上一方をソー
ス、他方をドレインと固定して表現する。
【００２５】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは図５
（図１の第２導電膜ｇ２およびｉ型半導体層ＡＳのみを
描いた平面図）に示すように、走査信号線ＧＬから垂直
方向（図１および図５において上方向）に突出する形状
で構成されている（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲー
ト電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれの能動領域を越えるよう突出している。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極Ｇ
Ｔは、一体に（共通ゲート電極として）構成されてお
り、走査信号線ＧＬに連続して形成されている。本例で
は、ゲート電極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成さ
れている。第２導電膜ｇ２はたとえばスパッタで形成さ
れたアルミニウム（Ａｌ）膜を用い、１０００〜５５０
０Å程度の膜厚で形成する。また、ゲート電極ＧＴ上に
はＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。
（図１の第２導電膜ｇ２およびｉ型半導体層ＡＳのみを
描いた平面図）に示すように、走査信号線ＧＬから垂直
方向（図１および図５において上方向）に突出する形状
で構成されている（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲー
ト電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれの能動領域を越えるよう突出している。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極Ｇ
Ｔは、一体に（共通ゲート電極として）構成されてお
り、走査信号線ＧＬに連続して形成されている。本例で
は、ゲート電極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成さ
れている。第２導電膜ｇ２はたとえばスパッタで形成さ
れたアルミニウム（Ａｌ）膜を用い、１０００〜５５０
０Å程度の膜厚で形成する。また、ゲート電極ＧＴ上に
はＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。
【００２６】このゲート電極ＧＴは図１、図２および図
５に示されているように、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆
うよう（下方からみて）それより大き目に形成される。
したがって、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１の下方に螢光
管等のバックライトＢＬを取り付けた場合、この不透明
なＡｌからなるゲート電極ＧＴが影となって、ｉ型半導
体層ＡＳにはバックライト光が当たらず、光照射による
導電現象すなわち薄膜トランジスタＴＦＴのオフ特性劣
化は起きにくくなる。なお、ゲート電極ＧＴの本来の大
きさは、ソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２との間
をまたがるに最低限必要な（ゲート電極ＧＴとソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２との位置合わせ余裕分も
含めて）幅を持ち、チャネル幅Ｗを決めるその奥行き長
さはソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２との間の距
離（チャネル長）Ｌとの比、すなわち相互コンダクタン
スgmを決定するファクタＷ／Ｌをいくつにするかによっ
て決められる。この液晶表示装置におけるゲート電極Ｇ
Ｔの大きさはもちろん、上述した本来の大きさよりも大
きくされる。
５に示されているように、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆
うよう（下方からみて）それより大き目に形成される。
したがって、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１の下方に螢光
管等のバックライトＢＬを取り付けた場合、この不透明
なＡｌからなるゲート電極ＧＴが影となって、ｉ型半導
体層ＡＳにはバックライト光が当たらず、光照射による
導電現象すなわち薄膜トランジスタＴＦＴのオフ特性劣
化は起きにくくなる。なお、ゲート電極ＧＴの本来の大
きさは、ソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２との間
をまたがるに最低限必要な（ゲート電極ＧＴとソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２との位置合わせ余裕分も
含めて）幅を持ち、チャネル幅Ｗを決めるその奥行き長
さはソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２との間の距
離（チャネル長）Ｌとの比、すなわち相互コンダクタン
スgmを決定するファクタＷ／Ｌをいくつにするかによっ
て決められる。この液晶表示装置におけるゲート電極Ｇ
Ｔの大きさはもちろん、上述した本来の大きさよりも大
きくされる。
【００２７】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。
【００２８】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは薄膜トランジ
スタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート絶縁膜とし
て使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査
信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩはたと
えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜を用
い、１２００〜２７００Åの膜厚（この液晶表示装置で
は、２０００Å程度の膜厚）で形成する。ゲート絶縁膜
ＧＩは図１８に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を
囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，Ｇ
ＴＭを露出するよう除去されている。
スタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート絶縁膜とし
て使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査
信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩはたと
えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜を用
い、１２００〜２７００Åの膜厚（この液晶表示装置で
は、２０００Å程度の膜厚）で形成する。ゲート絶縁膜
ＧＩは図１８に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を
囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，Ｇ
ＴＭを露出するよう除去されている。
【００２９】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、図５に示すように、複数に分割された薄膜トランジ
スタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのチャネル形成領域
として使用される。ｉ型半導体層ＡＳは非晶質シリコン
膜または多結晶シリコン膜で形成し、２００〜２２００
Åの膜厚（この液晶表示装置では、２０００Å程度の膜
厚）で形成する。
は、図５に示すように、複数に分割された薄膜トランジ
スタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれのチャネル形成領域
として使用される。ｉ型半導体層ＡＳは非晶質シリコン
膜または多結晶シリコン膜で形成し、２００〜２２００
Åの膜厚（この液晶表示装置では、２０００Å程度の膜
厚）で形成する。
【００３０】このｉ型半導体層ＡＳは、供給ガスの成分
を変えてＳｉ3Ｎ4からなるゲート絶縁膜として使用され
る絶縁膜ＧＩの形成に連続して、同じプラズマＣＶＤ装
置で、しかもそのプラズマＣＶＤ装置から外部に露出す
ることなく形成される。また、オーミックコンタクト用
のリン（Ｐ）を２.５％ドープしたＮ(＋)型半導体層ｄ
０（図２）も同様に連続して２００〜５００Åの膜厚
（この液晶表示装置では、３００Å程度の膜厚）で形成
される。しかる後、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１はＣＶ
Ｄ装置から外に取り出され、写真処理技術によりＮ(＋)
型半導体層ｄ０およびｉ型半導体層ＡＳは図１、図２お
よび図５に示すように独立した島状にパターニングされ
る。
を変えてＳｉ3Ｎ4からなるゲート絶縁膜として使用され
る絶縁膜ＧＩの形成に連続して、同じプラズマＣＶＤ装
置で、しかもそのプラズマＣＶＤ装置から外部に露出す
ることなく形成される。また、オーミックコンタクト用
のリン（Ｐ）を２.５％ドープしたＮ(＋)型半導体層ｄ
０（図２）も同様に連続して２００〜５００Åの膜厚
（この液晶表示装置では、３００Å程度の膜厚）で形成
される。しかる後、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１はＣＶ
Ｄ装置から外に取り出され、写真処理技術によりＮ(＋)
型半導体層ｄ０およびｉ型半導体層ＡＳは図１、図２お
よび図５に示すように独立した島状にパターニングされ
る。
【００３１】ｉ型半導体層ＡＳは、図１および図５に示
すように、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの交差部
（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。この
交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線
ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低減する。
すように、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの交差部
（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。この
交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線
ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低減する。
【００３２】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
【００３３】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。なお、２つの薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１、ＴＦＴ２に同時に欠陥が発生することは稀で
あり、このような冗長方式により点欠陥や線欠陥の確率
を極めて小さくすることができる。透明画素電極ＩＴＯ
１は第１導電膜ｄ１によって構成されており、この第１
導電膜ｄ１はスパッタリングで形成された透明導電膜
（Indium-Tin-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０
００〜２０００Åの膜厚（この液晶表示装置では、１４
００Å程度の膜厚）で形成される。
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。なお、２つの薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１、ＴＦＴ２に同時に欠陥が発生することは稀で
あり、このような冗長方式により点欠陥や線欠陥の確率
を極めて小さくすることができる。透明画素電極ＩＴＯ
１は第１導電膜ｄ１によって構成されており、この第１
導電膜ｄ１はスパッタリングで形成された透明導電膜
（Indium-Tin-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０
００〜２０００Åの膜厚（この液晶表示装置では、１４
００Å程度の膜厚）で形成される。
【００３４】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》複数に分割された薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２のそれぞれのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ
２とは、図１、図２および図６（図１の第１〜第３導電
膜ｄ１〜ｄ３のみを描いた平面図）に示すように、ｉ型
半導体層ＡＳ上にそれぞれ離隔して設けられている。
２》複数に分割された薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２のそれぞれのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ
２とは、図１、図２および図６（図１の第１〜第３導電
膜ｄ１〜ｄ３のみを描いた平面図）に示すように、ｉ型
半導体層ＡＳ上にそれぞれ離隔して設けられている。
【００３５】ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の
それぞれは、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する下層側か
ら、第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を順次重ね合わせ
て構成されている。ソース電極ＳＤ１の第２導電膜ｄ２
および第３導電膜ｄ３は、ドレイン電極ＳＤ２の第２導
電膜ｄ２および第３導電膜ｄ３と同一製造工程で形成さ
れる。
それぞれは、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する下層側か
ら、第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を順次重ね合わせ
て構成されている。ソース電極ＳＤ１の第２導電膜ｄ２
および第３導電膜ｄ３は、ドレイン電極ＳＤ２の第２導
電膜ｄ２および第３導電膜ｄ３と同一製造工程で形成さ
れる。
【００３６】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの膜厚（この
液晶表示装置では、６００Å程度の膜厚）で形成する。
Ｃｒ膜は膜厚を厚く形成するとストレスが大きくなるの
で、２０００Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。
Ｃｒ膜はＮ(＋)型半導体層ｄ０との接触が良好である。
Ｃｒ膜は後述する第３導電膜ｄ３のＡｌがＮ(＋)型半導
体層ｄ０に拡散することを防止するいわゆるバリア層を
構成する。第２導電膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点
金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイ
ド（ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を
用いてもよい。
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの膜厚（この
液晶表示装置では、６００Å程度の膜厚）で形成する。
Ｃｒ膜は膜厚を厚く形成するとストレスが大きくなるの
で、２０００Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。
Ｃｒ膜はＮ(＋)型半導体層ｄ０との接触が良好である。
Ｃｒ膜は後述する第３導電膜ｄ３のＡｌがＮ(＋)型半導
体層ｄ０に拡散することを防止するいわゆるバリア層を
構成する。第２導電膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点
金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイ
ド（ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を
用いてもよい。
【００３７】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの膜厚（この液晶表示装置では、
４０００Å程度の膜厚）に形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜
に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが
可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および
映像信号線ＤＬの抵抗値を低減するように構成されてい
る。第３導電膜ｄ３として純Ａｌ膜の他にシリコンや銅
（Ｃｕ）を添加物として含有させたＡｌ膜を用いてもよ
い。
３０００〜５０００Åの膜厚（この液晶表示装置では、
４０００Å程度の膜厚）に形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜
に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが
可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および
映像信号線ＤＬの抵抗値を低減するように構成されてい
る。第３導電膜ｄ３として純Ａｌ膜の他にシリコンや銅
（Ｃｕ）を添加物として含有させたＡｌ膜を用いてもよ
い。
【００３８】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０が除去される。つまり、
ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ(＋)型半導体層ｄ０
は第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフ
アラインで除去される。このとき、Ｎ(＋)型半導体層ｄ
０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされる
ので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチン
グされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよ
い。
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０が除去される。つまり、
ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ(＋)型半導体層ｄ０
は第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフ
アラインで除去される。このとき、Ｎ(＋)型半導体層ｄ
０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされる
ので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチン
グされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよ
い。
【００３９】ソース電極ＳＤ１は透明画素電極ＩＴＯ１
に接続されている。ソース電極ＳＤ１は、ｉ型半導体層
ＡＳ段差（第２導電膜ｇ２の膜厚、陽極酸化膜ＡＯＦの
膜厚、ｉ型半導体層ＡＳの膜厚およびＮ(＋)型半導体層
ｄ０の膜厚を加算した膜厚に相当する段差）に沿って構
成されている。具体的には、ソース電極ＳＤ１は、ｉ型
半導体層ＡＳの段差に沿って形成された第２導電膜ｄ２
と、この第２導電膜ｄ２の上部に形成した第３導電膜ｄ
３とで構成されている。ソース電極ＳＤ１の第３導電膜
ｄ３は第２導電膜ｄ２のＣｒ膜がストレスの増大から厚
く形成できず、ｉ型半導体層ＡＳの段差形状を乗り越え
られないので、このｉ型半導体層ＡＳを乗り越えるため
に構成されている。つまり、第３導電膜ｄ３は厚く形成
することでステップカバレッジを向上している。第３導
電膜ｄ３は厚く形成できるので、ソース電極ＳＤ１の抵
抗値（ドレイン電極ＳＤ２や映像信号線ＤＬについても
同様）の低減に大きく寄与している。
に接続されている。ソース電極ＳＤ１は、ｉ型半導体層
ＡＳ段差（第２導電膜ｇ２の膜厚、陽極酸化膜ＡＯＦの
膜厚、ｉ型半導体層ＡＳの膜厚およびＮ(＋)型半導体層
ｄ０の膜厚を加算した膜厚に相当する段差）に沿って構
成されている。具体的には、ソース電極ＳＤ１は、ｉ型
半導体層ＡＳの段差に沿って形成された第２導電膜ｄ２
と、この第２導電膜ｄ２の上部に形成した第３導電膜ｄ
３とで構成されている。ソース電極ＳＤ１の第３導電膜
ｄ３は第２導電膜ｄ２のＣｒ膜がストレスの増大から厚
く形成できず、ｉ型半導体層ＡＳの段差形状を乗り越え
られないので、このｉ型半導体層ＡＳを乗り越えるため
に構成されている。つまり、第３導電膜ｄ３は厚く形成
することでステップカバレッジを向上している。第３導
電膜ｄ３は厚く形成できるので、ソース電極ＳＤ１の抵
抗値（ドレイン電極ＳＤ２や映像信号線ＤＬについても
同様）の低減に大きく寄与している。
【００４０】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。
【００４１】保護膜ＰＳＶ１は図１８に示すように、マ
トリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は
外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去され、
また上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵ
Ｂ１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペースト
ＡＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ
１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保
護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コン
ダクタンスｇｍを薄くされる。従って図１８に示すよう
に、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだ
け広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩより
も大きく形成されている。
トリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は
外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去され、
また上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵ
Ｂ１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペースト
ＡＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ
１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保
護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コン
ダクタンスｇｍを薄くされる。従って図１８に示すよう
に、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだ
け広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩより
も大きく形成されている。
【００４２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光（図２では上方からの光）がチャネル
形成領域として使用されるｉ型半導体層ＡＳに入射され
ないように、遮光膜ＢＭが設けられ、遮光膜ＢＭは図７
のハッチングに示すようなパターンとされている。な
お、図７は図１におけるＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ
１、カラーフィルタＦＩＬおよび遮光膜ＢＭのみを描い
た平面図である。遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性が高い
たとえばアルミニウム膜やクロム膜等で形成されてお
り、この液晶表示装置ではクロム膜がスパッタリングで
１３００Å程度の膜厚に形成される。
２側には、外部光（図２では上方からの光）がチャネル
形成領域として使用されるｉ型半導体層ＡＳに入射され
ないように、遮光膜ＢＭが設けられ、遮光膜ＢＭは図７
のハッチングに示すようなパターンとされている。な
お、図７は図１におけるＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ
１、カラーフィルタＦＩＬおよび遮光膜ＢＭのみを描い
た平面図である。遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性が高い
たとえばアルミニウム膜やクロム膜等で形成されてお
り、この液晶表示装置ではクロム膜がスパッタリングで
１３００Å程度の膜厚に形成される。
【００４３】従って、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび
大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、
その部分は外部の自然光やバックライト光が当たらなく
なる。遮光膜ＢＭは図７のハッチング部分で示すよう
に、画素の周囲に形成され、つまり遮光膜ＢＭは格子状
に形成され（ブラックマトリクス）、この格子で１画素
の有効表示領域が仕切られている。従って、各画素の輪
郭が遮光膜ＢＭによってはっきりとし、コントラストが
向上する。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対
する遮光とブラックマトリクスとの２つの機能をもつ。
Ｔ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび
大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、
その部分は外部の自然光やバックライト光が当たらなく
なる。遮光膜ＢＭは図７のハッチング部分で示すよう
に、画素の周囲に形成され、つまり遮光膜ＢＭは格子状
に形成され（ブラックマトリクス）、この格子で１画素
の有効表示領域が仕切られている。従って、各画素の輪
郭が遮光膜ＢＭによってはっきりとし、コントラストが
向上する。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対
する遮光とブラックマトリクスとの２つの機能をもつ。
【００４４】また、透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方
向の根本側のエッジ部に対向する部分（図１右下部分）
が遮光膜ＢＭによって遮光されているから、上記部分に
ドメインが発生したとしても、ドメインが見えないの
で、表示特性が劣化することはない。
向の根本側のエッジ部に対向する部分（図１右下部分）
が遮光膜ＢＭによって遮光されているから、上記部分に
ドメインが発生したとしても、ドメインが見えないの
で、表示特性が劣化することはない。
【００４５】なお、バックライトを上部透明ガラス基板
ＳＵＢ２側に取り付け、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１を
観察側（外部露出側）とすることもできる。
ＳＵＢ２側に取り付け、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１を
観察側（外部露出側）とすることもできる。
【００４６】遮光膜ＢＭは周辺部にも図１７に示すよう
に額縁状のパターンに形成され、そのパターンはドット
状に複数の開口を設けた図７に示すマトリクス部のパタ
ーンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは
図１７〜図２０に示すように、シール部ＳＬの外側に延
長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ
光がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、こ
の遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．
０ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避
けて形成されている。
に額縁状のパターンに形成され、そのパターンはドット
状に複数の開口を設けた図７に示すマトリクス部のパタ
ーンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは
図１７〜図２０に示すように、シール部ＳＬの外側に延
長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ
光がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、こ
の遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．
０ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避
けて形成されている。
【００４７】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬはアクリル樹脂等の樹脂材料で形成される染色基
材に染料を着色して構成されている。カラーフィルタＦ
ＩＬは画素に対向する位置にストライプ状に形成され
（図８）、染め分けられている（図８は図４の第１導電
膜膜ｄ１、遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬのみ
を描いたもので、Ｂ、Ｒ、Ｇの各カラーフィルターＦＩ
Ｌはそれぞれ、４５°、１３５°、クロスのハッチを施
してある）。カラーフィルタＦＩＬは図７，９に示すよ
うに透明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に
形成され、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透
明画素電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素
電極ＩＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。
ＦＩＬはアクリル樹脂等の樹脂材料で形成される染色基
材に染料を着色して構成されている。カラーフィルタＦ
ＩＬは画素に対向する位置にストライプ状に形成され
（図８）、染め分けられている（図８は図４の第１導電
膜膜ｄ１、遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬのみ
を描いたもので、Ｂ、Ｒ、Ｇの各カラーフィルターＦＩ
Ｌはそれぞれ、４５°、１３５°、クロスのハッチを施
してある）。カラーフィルタＦＩＬは図７，９に示すよ
うに透明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に
形成され、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透
明画素電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素
電極ＩＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。
【００４８】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面に染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤
色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。この
後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色
フィルタＲを形成する。つぎに、同様な工程を施すこと
によって、緑色フィルタＧ、青色フィルタＢを順次形成
する。
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面に染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤
色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。この
後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色
フィルタＲを形成する。つぎに、同様な工程を施すこと
によって、緑色フィルタＧ、青色フィルタＢを順次形成
する。
【００４９】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬを異なる色に染め分けた染料が液晶Ｌ
Ｃに漏れることを防止するために設けられている。保護
膜ＰＳＶ２はたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の
透明樹脂材料で形成されている。
ーフィルタＦＩＬを異なる色に染め分けた染料が液晶Ｌ
Ｃに漏れることを防止するために設けられている。保護
膜ＰＳＶ２はたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の
透明樹脂材料で形成されている。
【００５０】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加されるロ
ウレベルの駆動電圧Ｖｄminとハイレベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間電位に設定されるが、映像信号駆動回路
で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい
場合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透明画
素電極ＩＴＯ２の平面形状は図１７、図１８を参照され
たい。
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加されるロ
ウレベルの駆動電圧Ｖｄminとハイレベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間電位に設定されるが、映像信号駆動回路
で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい
場合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透明画
素電極ＩＴＯ２の平面形状は図１７、図１８を参照され
たい。
【００５１】《ゲート端子部》図９は表示マトリクスの
走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続
構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図１８下方付近に対応し、斜め配線の部分は
便宜状一直線状で表した。
走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続
構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図１８下方付近に対応し、斜め配線の部分は
便宜状一直線状で表した。
【００５２】ＡＯは写真処理用のマスクパターン、言い
換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、
図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲ
ート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選
択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図におい
て、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジ
ストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから
露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡ
Ｌ層ｇ２は表面にその酸化物Ａｌ2Ｏ3膜ＡＯＦが形成さ
れ下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はそ
の導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して
行われる。マスクパターンＡＯは走査線ＧＬに単一の直
線では交差せず、クランク状に折れ曲がって交差させて
いる。
換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、
図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲ
ート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選
択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図におい
て、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジ
ストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから
露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡ
Ｌ層ｇ２は表面にその酸化物Ａｌ2Ｏ3膜ＡＯＦが形成さ
れ下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はそ
の導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して
行われる。マスクパターンＡＯは走査線ＧＬに単一の直
線では交差せず、クランク状に折れ曲がって交差させて
いる。
【００５３】図中ＡＬ層ｇ２は、判り易くするためハッ
チを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパタ
ーニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面
にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、そ
れらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイ
スカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最
低限に押さえる狙いである。従って、本例では櫛の根本
に相当する部分もマスクＡＯに沿ってずらしている。
チを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパタ
ーニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面
にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、そ
れらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイ
スカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最
低限に押さえる狙いである。従って、本例では櫛の根本
に相当する部分もマスクＡＯに沿ってずらしている。
【００５４】ゲート端子ＧＴＭは酸化珪素ＳＩＯ層と接
着性が良くＡｌ等よりも耐電触性の高いＣｒ層ｇ１と、
更にその表面を保護し画素電極ＩＴＯ１と同レベル（同
層、同時形成）の透明導電層ｄ１とで構成されている。
なお、ゲート絶縁膜ＧＩ上及びその側面部に形成された
導電層ｄ２及びｄ３は、導電層ｄ３やｄ２のエッチング
時ピンホール等が原因で導電層ｇ２やｇ１が一緒にエッ
チングされないようその領域をホトレジストで覆ってい
た結果として残っているものである。又、ゲート絶縁膜
ＧＩを乗り越えて右方向に延長されたＩＴＯ層ｄ１は同
様な対策を更に万全とさせたものである。
着性が良くＡｌ等よりも耐電触性の高いＣｒ層ｇ１と、
更にその表面を保護し画素電極ＩＴＯ１と同レベル（同
層、同時形成）の透明導電層ｄ１とで構成されている。
なお、ゲート絶縁膜ＧＩ上及びその側面部に形成された
導電層ｄ２及びｄ３は、導電層ｄ３やｄ２のエッチング
時ピンホール等が原因で導電層ｇ２やｇ１が一緒にエッ
チングされないようその領域をホトレジストで覆ってい
た結果として残っているものである。又、ゲート絶縁膜
ＧＩを乗り越えて右方向に延長されたＩＴＯ層ｄ１は同
様な対策を更に万全とさせたものである。
【００５５】平面図において、ゲート絶縁膜ＧＩはその
境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線より
も右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭ
はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるよ
うになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の
一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が
図１８に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ
（図１７、図１８）が構成され、ゲート端子の左端は、
製造過程では、基板の切断領域ＣＴ１を越えて延長され
配線ＳＨｇによって短絡される。製造過程におけるこの
ような短絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲ
Ｉ１のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線より
も右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭ
はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるよ
うになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の
一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が
図１８に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ
（図１７、図１８）が構成され、ゲート端子の左端は、
製造過程では、基板の切断領域ＣＴ１を越えて延長され
配線ＳＨｇによって短絡される。製造過程におけるこの
ような短絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲ
Ｉ１のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
【００５６】《ドレイン端子ＤＴＭ》図１０は映像信号
線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図
であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図１８右
上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端
方向が基板ＳＵＢ１の上端部（又は下端部）に該当す
る。
線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図
であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図１８右
上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端
方向が基板ＳＵＢ１の上端部（又は下端部）に該当す
る。
【００５７】ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。検査端子ＴＳＴｄと外部接続ドレイン端
子ＤＴＭは上下方向に千鳥状に複数交互に配列され、検
査端子ＴＳＴｄは図に示すとおり基板ＳＵＢ１の端部に
到達することなく終端しているが、ドレイン端子ＤＴＭ
は、図１８に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成
し基板ＳＵＢ１の切断線ＣＴ１を越えて更に延長され、
製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線
ＳＨｄによって短絡される。検査端子ＴＳＴｄが存在す
る映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側にはドレ
イン接続端子が接続され、逆にドレイン接続端子ＤＴＭ
が存在する映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側
には検査端子が接続される。
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。検査端子ＴＳＴｄと外部接続ドレイン端
子ＤＴＭは上下方向に千鳥状に複数交互に配列され、検
査端子ＴＳＴｄは図に示すとおり基板ＳＵＢ１の端部に
到達することなく終端しているが、ドレイン端子ＤＴＭ
は、図１８に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成
し基板ＳＵＢ１の切断線ＣＴ１を越えて更に延長され、
製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線
ＳＨｄによって短絡される。検査端子ＴＳＴｄが存在す
る映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側にはドレ
イン接続端子が接続され、逆にドレイン接続端子ＤＴＭ
が存在する映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側
には検査端子が接続される。
【００５８】ドレイン接続端子ＤＴＭは前述したゲート
端子ＧＴＭと同様な理由でＣｒ層ｇ１及びＩＴＯ層ｄ１
の２層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した
部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶縁膜
ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶縁膜
ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするためのものであ
る。端子ＤＴＭ上では外部回路との接続を行うため保護
膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれている。ＡＯは前述
した陽極酸化マスクでありその境界線はマトリクス全体
をを大きく囲むように形成され、図ではその境界線から
左側がマスクで覆われるが、この図で覆われない部分に
は層ｇ２が存在しないのでこのパターンは直接は関係し
ない。
端子ＧＴＭと同様な理由でＣｒ層ｇ１及びＩＴＯ層ｄ１
の２層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した
部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶縁膜
ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶縁膜
ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするためのものであ
る。端子ＤＴＭ上では外部回路との接続を行うため保護
膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれている。ＡＯは前述
した陽極酸化マスクでありその境界線はマトリクス全体
をを大きく囲むように形成され、図ではその境界線から
左側がマスクで覆われるが、この図で覆われない部分に
は層ｇ２が存在しないのでこのパターンは直接は関係し
ない。
【００５９】マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭま
での引出配線は図１９の（Ｃ）部にも示されるように、
ドレイン端子部ＤＴＭと同じレベルの層ｄ１，ｇ１のす
ぐ上に映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ２，ｄ３がシ
ールパターンＳＬの途中まで積層された構造になってい
るが、これは断線の確率を最小限に押さえ、電触し易い
Ａｌ層ｄ３を保護膜ＰＳＶ１やシールパターンＳＬでで
きるだけ保護する狙いである。
での引出配線は図１９の（Ｃ）部にも示されるように、
ドレイン端子部ＤＴＭと同じレベルの層ｄ１，ｇ１のす
ぐ上に映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ２，ｄ３がシ
ールパターンＳＬの途中まで積層された構造になってい
るが、これは断線の確率を最小限に押さえ、電触し易い
Ａｌ層ｄ３を保護膜ＰＳＶ１やシールパターンＳＬでで
きるだけ保護する狙いである。
【００６０】《保持容量素子Ｃaddの構造》透明画素電
極ＩＴＯ１は、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される端
部と反対側の端部において、隣りの走査信号線ＧＬと重
なるように形成されている。この重ね合わせは、図１、
図３からも明らかなように、透明画素電極ＩＴＯ１を一
方の電極ＰＬ２とし、隣りの走査信号線ＧＬを他方の電
極ＰＬ１とする保持容量素子（静電容量素子）Ｃaddを
構成する。この保持容量素子Ｃaddの誘電体膜は、薄膜
トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶
縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。
極ＩＴＯ１は、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される端
部と反対側の端部において、隣りの走査信号線ＧＬと重
なるように形成されている。この重ね合わせは、図１、
図３からも明らかなように、透明画素電極ＩＴＯ１を一
方の電極ＰＬ２とし、隣りの走査信号線ＧＬを他方の電
極ＰＬ１とする保持容量素子（静電容量素子）Ｃaddを
構成する。この保持容量素子Ｃaddの誘電体膜は、薄膜
トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶
縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。
【００６１】保持容量素子Ｃaddは、図５からも明らか
なように、走査信号線ＧＬの第２導電膜ｇ２の幅を広げ
た部分に形成されている。なお、映像信号線ＤＬと交差
する部分の第２導電膜ｇ２は映像信号線ＤＬとの短絡の
確率を小さくするため細くされている。
なように、走査信号線ＧＬの第２導電膜ｇ２の幅を広げ
た部分に形成されている。なお、映像信号線ＤＬと交差
する部分の第２導電膜ｇ２は映像信号線ＤＬとの短絡の
確率を小さくするため細くされている。
【００６２】保持容量素子Ｃaddの電極ＰＬ１の段差部
において透明画素電極ＩＴＯ１が断線しても、その段差
をまたがるように形成された第２導電膜ｄ２および第３
導電膜ｄ３で構成された島領域によってその不良は補償
される。
において透明画素電極ＩＴＯ１が断線しても、その段差
をまたがるように形成された第２導電膜ｄ２および第３
導電膜ｄ３で構成された島領域によってその不良は補償
される。
【００６３】《表示装置全体等価回路》表示マトリクス
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１１に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１１に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。
【００６４】図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字
１，２，３，…，endは走査タイミングの順序に従って
付加されている。
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字
１，２，３，…，endは走査タイミングの順序に従って
付加されている。
【００６５】映像信号線Ｘ（添字省略）は交互に上側
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。
【００６６】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されている。
Ｖに接続されている。
【００６７】ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。
【００６８】《保持容量素子Ｃaddの等価回路とその動
作》図１に示される画素の等価回路を図１２に示す。図
１２において、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート
電極ＧＴとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容
量である。寄生容量Ｃgsの誘電体膜は絶縁膜ＧＩおよび
陽極酸化膜ＡＯＦである。Ｃpixは透明画素電極ＩＴＯ
１（ＰＩＸ）と共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）と
の間に形成される液晶容量である。液晶容量Ｃpixの誘
電体膜は液晶ＬＣ、保護膜ＰＳＶ１および配向膜ＯＲＩ
１、ＯＲＩ２である。Ｖlcは中点電位である。
作》図１に示される画素の等価回路を図１２に示す。図
１２において、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート
電極ＧＴとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容
量である。寄生容量Ｃgsの誘電体膜は絶縁膜ＧＩおよび
陽極酸化膜ＡＯＦである。Ｃpixは透明画素電極ＩＴＯ
１（ＰＩＸ）と共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）と
の間に形成される液晶容量である。液晶容量Ｃpixの誘
電体膜は液晶ＬＣ、保護膜ＰＳＶ１および配向膜ＯＲＩ
１、ＯＲＩ２である。Ｖlcは中点電位である。
【００６９】保持容量素子Ｃaddは、薄膜トランジスタ
ＴＦＴがスイッチングするとき、中点電位（画素電極電
位）Ｖlcに対するゲート電位変化ΔＶgの影響を低減す
るように働く。この様子を式で表すと、次式のようにな
る。
ＴＦＴがスイッチングするとき、中点電位（画素電極電
位）Ｖlcに対するゲート電位変化ΔＶgの影響を低減す
るように働く。この様子を式で表すと、次式のようにな
る。
【００７０】 ΔＶlc＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃadd+Ｃpix)}×ΔＶg ここで、ΔＶlcはΔＶgによる中点電位の変化分を表わ
す。この変化分ΔＶlcは液晶ＬＣに加わる直流成分の原
因となるが、保持容量Ｃaddを大きくすればする程、そ
の値を小さくすることができる。また、保持容量素子Ｃ
addは放電時間を長くする作用もあり、薄膜トランジス
タＴＦＴがオフした後の映像情報を長く蓄積する。液晶
ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を
向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るい
わゆる焼き付きを低減することができる。
す。この変化分ΔＶlcは液晶ＬＣに加わる直流成分の原
因となるが、保持容量Ｃaddを大きくすればする程、そ
の値を小さくすることができる。また、保持容量素子Ｃ
addは放電時間を長くする作用もあり、薄膜トランジス
タＴＦＴがオフした後の映像情報を長く蓄積する。液晶
ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を
向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るい
わゆる焼き付きを低減することができる。
【００７１】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、中点電位
Ｖlcはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなると
いう逆効果が生じる。しかし、保持容量素子Ｃaddを設
けることによりこのデメリットも解消することができ
る。
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、中点電位
Ｖlcはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなると
いう逆効果が生じる。しかし、保持容量素子Ｃaddを設
けることによりこのデメリットも解消することができ
る。
【００７２】保持容量素子Ｃaddの保持容量は、画素の
書込特性から、液晶容量Ｃpixに対して４〜８倍（４・Ｃ
pix＜Ｃadd＜８・Ｃpix）、寄生容量Ｃgsに対して８〜３
２倍（８・Ｃgs＜Ｃadd＜３２・Ｃgs）程度の値に設定す
る。
書込特性から、液晶容量Ｃpixに対して４〜８倍（４・Ｃ
pix＜Ｃadd＜８・Ｃpix）、寄生容量Ｃgsに対して８〜３
２倍（８・Ｃgs＜Ｃadd＜３２・Ｃgs）程度の値に設定す
る。
【００７３】《保持容量素子Ｃadd電極線の結線方法》
保持容量電極線としてのみ使用される初段の走査信号線
ＧＬ（Ｙ0）は、図１１に示すように、共通透明画素電
極ＩＴＯ２（Ｖcom）と同じ電位にする。図１８の例で
は、初段の走査信号線は端子ＧＴ０、引出線ＩＮＴ、端
子ＤＴ０及び外部配線を通じて共通電極ＣＯＭに短絡さ
れる。或いは、初段の保持容量電極線Ｙ0は最終段の走
査信号線Ｙendに接続、Ｖcom以外の直流電位点（交流接
地点）に接続するかまたは垂直走査回路Ｖから１つ余分
に走査パルスＹ0を受けるように接続してもよい。
保持容量電極線としてのみ使用される初段の走査信号線
ＧＬ（Ｙ0）は、図１１に示すように、共通透明画素電
極ＩＴＯ２（Ｖcom）と同じ電位にする。図１８の例で
は、初段の走査信号線は端子ＧＴ０、引出線ＩＮＴ、端
子ＤＴ０及び外部配線を通じて共通電極ＣＯＭに短絡さ
れる。或いは、初段の保持容量電極線Ｙ0は最終段の走
査信号線Ｙendに接続、Ｖcom以外の直流電位点（交流接
地点）に接続するかまたは垂直走査回路Ｖから１つ余分
に走査パルスＹ0を受けるように接続してもよい。
【００７４】《外部回路との接続構造》図２１は走査信
号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈｅ，Ｈｏを構成す
る、集積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板（通
称ＴＡＢ、Tape Automated Bonding）に搭載されたテー
プキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図であ
り、図２２はそれを液晶表示パネルの、本例では映像信
号回路用端子ＤＴＭに接続した状態を示す要部断面図で
ある。
号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈｅ，Ｈｏを構成す
る、集積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板（通
称ＴＡＢ、Tape Automated Bonding）に搭載されたテー
プキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図であ
り、図２２はそれを液晶表示パネルの、本例では映像信
号回路用端子ＤＴＭに接続した状態を示す要部断面図で
ある。
【００７５】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子ＤＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケ
ージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対し
て強くなる。
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子ＤＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケ
ージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対し
て強くなる。
【００７６】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。
【００７７】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１３〜図１５
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図２に示す画素部分、右側
は図９に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流
れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に
対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も
写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段
階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォト
レジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそ
れを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返し
の説明は避ける。以下区分けした工程に従って、説明す
る。
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１３〜図１５
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図２に示す画素部分、右側
は図９に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流
れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に
対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も
写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段
階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォト
レジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそ
れを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返し
の説明は避ける。以下区分けした工程に従って、説明す
る。
【００７８】工程Ａ、図１３ ７０５９ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。
【００７９】工程Ｂ、図１３ 膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。
【００８０】工程Ｃ、図１３ 写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ2になるように調整する（定
電流化成）。次に所定のＡｌ2Ｏ3膜厚が得られるのに必
要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。そ
の後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電
圧化成）。これは均一なＡｌ2Ｏ3膜を得る上で大事なこ
とである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化され、
走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に
膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される 工程Ｄ、図１４ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ2になるように調整する（定
電流化成）。次に所定のＡｌ2Ｏ3膜厚が得られるのに必
要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。そ
の後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電
圧化成）。これは均一なＡｌ2Ｏ3膜を得る上で大事なこ
とである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化され、
走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に
膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される 工程Ｄ、図１４ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。
【００８１】工程Ｅ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6、ＣＣ
ｌ4を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。
ｌ4を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。
【００８２】工程Ｆ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。
【００８３】工程Ｇ、図１５ 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。
【００８４】工程Ｈ、図１５ 膜厚が６００ÅのＣｒからなる第２導電膜ｄ２をスパッ
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ4、ＳＦ6を導入して、Ｎ(＋)型非晶質Ｓ
ｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間
のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ4、ＳＦ6を導入して、Ｎ(＋)型非晶質Ｓ
ｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間
のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
【００８５】工程Ｉ、図１５ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。
【００８６】《液晶表示モジュールの全体構成》図２３
は、液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図であり、各
構成部品の具体的な構成は図２４〜図３９に示す。
は、液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図であり、各
構成部品の具体的な構成は図２４〜図３９に示す。
【００８７】ＳＨＤは金属板から成るシールドケース
（＝メタルフレーム）、ＬＣＷは液晶表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＰＳＢはプリズム板、ＳＰＢは光拡散
板、ＭＦＲは中間フレーム、ＢＬはバックライト、ＢＬ
Ｓはバックライト支持体、ＬＣＡは下側ケースであり、
図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられ
てモジュールＭＤＬが組み立てられる。
（＝メタルフレーム）、ＬＣＷは液晶表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＰＳＢはプリズム板、ＳＰＢは光拡散
板、ＭＦＲは中間フレーム、ＢＬはバックライト、ＢＬ
Ｓはバックライト支持体、ＬＣＡは下側ケースであり、
図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられ
てモジュールＭＤＬが組み立てられる。
【００８８】モジュールＭＤＬは、下側ケースＬＣＡ、
中間フレームＭＦＲ、シールドケースＳＨＤの３種の保
持部材を有する。これらの３部材はそれぞれ略箱状を成
し、上記記載順に重箱式に積み重ねられ、シールドケー
スＳＨＤによって各部品を搭載した他の２部材を保持す
る構成になっている。表示パネルＰＮＬと光拡散板ＳＰ
Ｂは一旦中間フレームＭＦＲ上に置くことができ、４本
のバックライト（冷陰極螢光管）ＢＬを支持するバック
ライト支持体ＢＬＳは下側ケースＬＣＡ上に一旦置くこ
とができる。従って、下側ケースＬＣＡと中間フレーム
ＭＦＲの２部材にそれぞれ必要な部品を実装しながらこ
の２部材をひっくり返すことなく積み重ねて製造するこ
とができるので、製造を容易に行うことができ、組立性
が良く、信頼性の高い装置を提供できる利点がある。こ
れが本モジュールの１つの大きな特徴である。
中間フレームＭＦＲ、シールドケースＳＨＤの３種の保
持部材を有する。これらの３部材はそれぞれ略箱状を成
し、上記記載順に重箱式に積み重ねられ、シールドケー
スＳＨＤによって各部品を搭載した他の２部材を保持す
る構成になっている。表示パネルＰＮＬと光拡散板ＳＰ
Ｂは一旦中間フレームＭＦＲ上に置くことができ、４本
のバックライト（冷陰極螢光管）ＢＬを支持するバック
ライト支持体ＢＬＳは下側ケースＬＣＡ上に一旦置くこ
とができる。従って、下側ケースＬＣＡと中間フレーム
ＭＦＲの２部材にそれぞれ必要な部品を実装しながらこ
の２部材をひっくり返すことなく積み重ねて製造するこ
とができるので、製造を容易に行うことができ、組立性
が良く、信頼性の高い装置を提供できる利点がある。こ
れが本モジュールの１つの大きな特徴である。
【００８９】以下、各部材について詳しく説明する。
【００９０】《シールドケースＳＨＤ》図２４は、シー
ルドケースＳＨＤの上面、前側面、後側面、右側面、左
側面を示す図であり、図２５は、シールドケースＳＨＤ
を斜め上方からみたときの斜視図である。
ルドケースＳＨＤの上面、前側面、後側面、右側面、左
側面を示す図であり、図２５は、シールドケースＳＨＤ
を斜め上方からみたときの斜視図である。
【００９１】シールドケース（メタルフレーム）ＳＨＤ
は、１枚の金属板をプレス加工技術により、打ち抜きや
折り曲げ加工により作製される。ＬＣＷは表示パネルＰ
ＮＬを視野に露出する開口を示し、以下表示窓と称す。
は、１枚の金属板をプレス加工技術により、打ち抜きや
折り曲げ加工により作製される。ＬＣＷは表示パネルＰ
ＮＬを視野に露出する開口を示し、以下表示窓と称す。
【００９２】ＣＬは中間フレームＭＦＲ固定用爪（全部
で１９個）、ＦＫは下側ケースＬＣＡ固定用フック（全
部で９個）であり、シールドケースＳＨＤに一体に設け
られている。図に示された状態の固定用爪ＣＬは組立て
時、それぞれ内側に折り曲げられて中間フレームＭＦＲ
に設けられた四角い固定用爪穴ＣＬＨ（図２７の各側面
図参照）に挿入される。これにより、シールドケースＳ
ＨＤが表示パネルＰＮＬ等を保持・収納する中間フレー
ムＭＦＲを保持し、両者がしっかりと固定される。固定
用フックＦＫは、それぞれ下側ケースＬＣＡに設けた固
定用突起ＦＫＰ（図３４の各側面図参照）に嵌合され
る。これにより、シールドケースＳＨＤがバックライト
ＢＬ、バックライト支持体ＢＬＳ等を保持・収納する下
側ケースＬＣＡを保持し、両者がしっかりと固定され
る。なお、中間フレームＭＦＲと下側ケースＬＣＡとは
周縁部において嵌合し、また、シールドケースＳＨＤは
中間フレームＭＦＲに被覆・嵌合し、３部材は合体する
ようになっている。また、表示パネルＰＮＬの上面およ
び下面の表示に影響を与えない四方の縁周囲には薄く細
長い長方形状のゴムスペーサ（ゴムクッション。図示省
略）が設けられている。上面側のゴムスペーサは、表示
パネルＰＮＬとシールドケースＳＨＤとの間に介在さ
れ、下面側のゴムスペーサは、表示パネルＰＮＬと中間
フレームＭＦＲ及び光拡散板ＳＰＢとの間に介在され
る。これらのゴムスペーサの弾性を利用して、シールド
ケースＳＨＤを装置内部方向に押し込むことにより固定
用フックＦＫが固定用突起ＦＫＰにかかり、両固定用部
材がストッパとして機能し、さらに、固定用爪ＣＬが折
り曲げられ、爪穴ＣＬＨに挿入されて、シールドケース
ＳＨＤにより中間フレームＭＦＲと下側ケースＬＣＡが
固定され、モジュール全体が一体となってしっかりと保
持され、他の固定用部材が不要である。従って、組立が
容易で製造コストを低減できる。また、機械的強度が大
きく、耐振動衝撃性を向上でき、装置の信頼性を向上で
きる。また、固定用爪ＣＬと固定用フックＦＫは取り外
しが容易なため（固定用爪ＣＬの折り曲げを延ばし、固
定用フックＦＫを外すだけ）、３部材の分解・組立が容
易なので、修理が容易で、バックライトＢＬの交換も容
易である（バックライト交換などで外す率が大きい下側
ケースＬＣＡの固定用フックＦＫの方が固定用爪ＣＬよ
り取り外し易くなっている）。なお、本モジュールでは
下側ケースＬＣＡと中間フレームＭＦＲは上記固定用部
材による取付けの他、それぞれ４個ずつ設けた下側ケー
スＬＣＡのねじ穴が設けられた貫通孔ＬＨＬ（図３４〜
図３６参照）と中間フレームＭＦＲのねじ穴ＭＶＨ（図
２８参照）とねじにより更にねじ止めされている。
で１９個）、ＦＫは下側ケースＬＣＡ固定用フック（全
部で９個）であり、シールドケースＳＨＤに一体に設け
られている。図に示された状態の固定用爪ＣＬは組立て
時、それぞれ内側に折り曲げられて中間フレームＭＦＲ
に設けられた四角い固定用爪穴ＣＬＨ（図２７の各側面
図参照）に挿入される。これにより、シールドケースＳ
ＨＤが表示パネルＰＮＬ等を保持・収納する中間フレー
ムＭＦＲを保持し、両者がしっかりと固定される。固定
用フックＦＫは、それぞれ下側ケースＬＣＡに設けた固
定用突起ＦＫＰ（図３４の各側面図参照）に嵌合され
る。これにより、シールドケースＳＨＤがバックライト
ＢＬ、バックライト支持体ＢＬＳ等を保持・収納する下
側ケースＬＣＡを保持し、両者がしっかりと固定され
る。なお、中間フレームＭＦＲと下側ケースＬＣＡとは
周縁部において嵌合し、また、シールドケースＳＨＤは
中間フレームＭＦＲに被覆・嵌合し、３部材は合体する
ようになっている。また、表示パネルＰＮＬの上面およ
び下面の表示に影響を与えない四方の縁周囲には薄く細
長い長方形状のゴムスペーサ（ゴムクッション。図示省
略）が設けられている。上面側のゴムスペーサは、表示
パネルＰＮＬとシールドケースＳＨＤとの間に介在さ
れ、下面側のゴムスペーサは、表示パネルＰＮＬと中間
フレームＭＦＲ及び光拡散板ＳＰＢとの間に介在され
る。これらのゴムスペーサの弾性を利用して、シールド
ケースＳＨＤを装置内部方向に押し込むことにより固定
用フックＦＫが固定用突起ＦＫＰにかかり、両固定用部
材がストッパとして機能し、さらに、固定用爪ＣＬが折
り曲げられ、爪穴ＣＬＨに挿入されて、シールドケース
ＳＨＤにより中間フレームＭＦＲと下側ケースＬＣＡが
固定され、モジュール全体が一体となってしっかりと保
持され、他の固定用部材が不要である。従って、組立が
容易で製造コストを低減できる。また、機械的強度が大
きく、耐振動衝撃性を向上でき、装置の信頼性を向上で
きる。また、固定用爪ＣＬと固定用フックＦＫは取り外
しが容易なため（固定用爪ＣＬの折り曲げを延ばし、固
定用フックＦＫを外すだけ）、３部材の分解・組立が容
易なので、修理が容易で、バックライトＢＬの交換も容
易である（バックライト交換などで外す率が大きい下側
ケースＬＣＡの固定用フックＦＫの方が固定用爪ＣＬよ
り取り外し易くなっている）。なお、本モジュールでは
下側ケースＬＣＡと中間フレームＭＦＲは上記固定用部
材による取付けの他、それぞれ４個ずつ設けた下側ケー
スＬＣＡのねじ穴が設けられた貫通孔ＬＨＬ（図３４〜
図３６参照）と中間フレームＭＦＲのねじ穴ＭＶＨ（図
２８参照）とねじにより更にねじ止めされている。
【００９３】ＣＯＨは共通貫通穴である。共通貫通穴Ｃ
ＯＨは、このシールドケースＳＨＤの他、表示パネルＰ
ＮＬの駆動回路基板ＰＣＢ１、中間フレームＭＦＲの駆
動回路基板ＰＣＢ２、中間フレームＭＦＲ、下側ケース
ＬＣＡに２個ずつ共通して（同じ平面位置に）設けられ
た貫通穴で、製造時、固定して立てたピンに下側ケース
ＬＣＡから順に各共通貫通穴ＣＯＨを挿入して各部品を
実装していくことにより、各部材・各部品の相対位置を
精度良く設定するためのものである。また、当該モジュ
ールＭＤＬをパソコン等の応用製品に実装するとき、こ
の共通貫通穴ＣＯＨを位置決めの基準とすることができ
る。
ＯＨは、このシールドケースＳＨＤの他、表示パネルＰ
ＮＬの駆動回路基板ＰＣＢ１、中間フレームＭＦＲの駆
動回路基板ＰＣＢ２、中間フレームＭＦＲ、下側ケース
ＬＣＡに２個ずつ共通して（同じ平面位置に）設けられ
た貫通穴で、製造時、固定して立てたピンに下側ケース
ＬＣＡから順に各共通貫通穴ＣＯＨを挿入して各部品を
実装していくことにより、各部材・各部品の相対位置を
精度良く設定するためのものである。また、当該モジュ
ールＭＤＬをパソコン等の応用製品に実装するとき、こ
の共通貫通穴ＣＯＨを位置決めの基準とすることができ
る。
【００９４】ＦＧは金属性シールドケースＳＨＤと一体
に形成された６個のフレームグランドで、シールドケー
スＳＨＤに開けられた「コ」の字状の開口、換言すれ
ば、四角い開口部中に延びた細長い突起部により構成さ
れる。この細長い突起部が、それぞれ装置内部へ向かう
方向に折り曲げられ、表示パネルＰＮＬの駆動回路基板
ＰＣＢ１のグランドラインが接続されたフレームグラン
ドパッドＦＧＰ（図２６）に半田付けにより接続された
構造になっている。
に形成された６個のフレームグランドで、シールドケー
スＳＨＤに開けられた「コ」の字状の開口、換言すれ
ば、四角い開口部中に延びた細長い突起部により構成さ
れる。この細長い突起部が、それぞれ装置内部へ向かう
方向に折り曲げられ、表示パネルＰＮＬの駆動回路基板
ＰＣＢ１のグランドラインが接続されたフレームグラン
ドパッドＦＧＰ（図２６）に半田付けにより接続された
構造になっている。
【００９５】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図２６は、図１６等に示した表示パネルＰＮＬに駆
動回路を実装した状態を示す上面図である。
１》図２６は、図１６等に示した表示パネルＰＮＬに駆
動回路を実装した状態を示す上面図である。
【００９６】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図２１、図２２で説明した
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ オートメイテ
ィド ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１はそれぞれＴＣＰやコ
ンデンサＣＤＳ等が実装されたＰＣＢ（プリンテッド
サーキット ボード）から成る駆動回路基板で、３つに
分割されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであ
る。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動回
路基板ＰＣＢ１、および下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と
右側の駆動回路基板ＰＣＢ１とを電気的に接続するフラ
ットケーブルである。フラットケーブルＦＣとしては図
に示すように、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ
鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層と
ポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持した
ものを使用する。
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図２１、図２２で説明した
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ オートメイテ
ィド ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１はそれぞれＴＣＰやコ
ンデンサＣＤＳ等が実装されたＰＣＢ（プリンテッド
サーキット ボード）から成る駆動回路基板で、３つに
分割されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであ
る。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動回
路基板ＰＣＢ１、および下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と
右側の駆動回路基板ＰＣＢ１とを電気的に接続するフラ
ットケーブルである。フラットケーブルＦＣとしては図
に示すように、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ
鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層と
ポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持した
ものを使用する。
【００９７】《駆動回路基板ＰＣＢ１》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ１は、図２６に示すように、３個に分割され、表示
パネルＰＮＬの回りに「コ」字状に配置され、２個のフ
ラットケーブルＦＣによってそれぞれ電気的、機械的に
接続されている。駆動回路基板ＰＣＢ１は分割されてい
るので、表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ１との
熱膨張率の差により駆動回路基板ＰＣＢ１の長軸方向に
生じる応力（ストレス）がフラットケーブルＦＣの箇所
で吸収され、接続強度が弱いテープキャリアパッケージ
ＴＣＰテープの出力リード（図２１、図２２のＴＴＭ）
と表示パネルの外部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）の剥がれ
が防止でき、熱に対するモジュールの信頼性を向上でき
る。このような基板の分割方式は、更に、１枚の「コ」
の字状基板に比べて、それぞれが矩形上の単純な形状で
あるので１枚の基板材料から多数枚の基板ＰＣＢ１が取
得できプリント基板材料の利用率が高くなり、部品・材
料費が低減できる（本実施例の場合は約５０％に低減）
効果が有る。なお、駆動回路基板ＰＣＢ１は、ＰＣＢの
代わりに柔軟なＦＰＣ（フレキシブル プリンティド サ
ーキット）を使用すると、ＦＰＣはたわむのでリード剥
がれ防止効果をいっそう高めることができる。また、分
割しない一体型の「コ」の字状のＰＣＢを用いることも
でき、その場合は工数の低減、部品点数削減による製造
工程管理の単純化、ＰＣＢ間接続ケーブルの廃止による
信頼性向上に効果が有る。
ＣＢ１は、図２６に示すように、３個に分割され、表示
パネルＰＮＬの回りに「コ」字状に配置され、２個のフ
ラットケーブルＦＣによってそれぞれ電気的、機械的に
接続されている。駆動回路基板ＰＣＢ１は分割されてい
るので、表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ１との
熱膨張率の差により駆動回路基板ＰＣＢ１の長軸方向に
生じる応力（ストレス）がフラットケーブルＦＣの箇所
で吸収され、接続強度が弱いテープキャリアパッケージ
ＴＣＰテープの出力リード（図２１、図２２のＴＴＭ）
と表示パネルの外部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）の剥がれ
が防止でき、熱に対するモジュールの信頼性を向上でき
る。このような基板の分割方式は、更に、１枚の「コ」
の字状基板に比べて、それぞれが矩形上の単純な形状で
あるので１枚の基板材料から多数枚の基板ＰＣＢ１が取
得できプリント基板材料の利用率が高くなり、部品・材
料費が低減できる（本実施例の場合は約５０％に低減）
効果が有る。なお、駆動回路基板ＰＣＢ１は、ＰＣＢの
代わりに柔軟なＦＰＣ（フレキシブル プリンティド サ
ーキット）を使用すると、ＦＰＣはたわむのでリード剥
がれ防止効果をいっそう高めることができる。また、分
割しない一体型の「コ」の字状のＰＣＢを用いることも
でき、その場合は工数の低減、部品点数削減による製造
工程管理の単純化、ＰＣＢ間接続ケーブルの廃止による
信頼性向上に効果が有る。
【００９８】３個に分割された各駆動回路基板ＰＣＢ１
の各グランドラインに接続されたフレームグランドパッ
ドＦＧＰは、図２６に示すように、各基板毎に２個ずつ
合計６個設けてある。駆動回路基板ＰＣＢ１が複数に分
割されている場合、直流的には駆動回路基板のうち少な
くとも１ヶ所がフレームグランドに接続されていれば、
電気的な問題は起きないが、高周波領域ではその箇所が
少ないと、各駆動回路基板の特性インピーダンスの違い
等により電気信号の反射、グランドラインの電位が振ら
れる等が原因で、ＥＭＩ（エレクトロ マグネティック
インタフィアレンス）を引き起こす不要な輻射電波の発
生ポテンシャルが高くなる。特に、薄膜トランジスタを
用いたモジュールＭＤＬでは、高速のクロックを用いる
ので、ＥＭＩ対策が難しい。これを防止するために、複
数に分割された各駆動回路基板ＰＣＢ１毎に少なくとも
１ヶ所、本実施例では２ヶ所でグランド配線（交流接地
電位）をインピーダンスが十分に低い共通のフレーム
（すなわち、シールドケースＳＨＤ）に接続する。これ
により、高周波領域におけるグランドラインが強化され
るので、全体で１ヶ所だけシールドケースＳＨＤに接続
した場合と比較すると、本実施例の６ヶ所の場合は輻射
の電界強度で５ｄＢ以上の改善が見られた。
の各グランドラインに接続されたフレームグランドパッ
ドＦＧＰは、図２６に示すように、各基板毎に２個ずつ
合計６個設けてある。駆動回路基板ＰＣＢ１が複数に分
割されている場合、直流的には駆動回路基板のうち少な
くとも１ヶ所がフレームグランドに接続されていれば、
電気的な問題は起きないが、高周波領域ではその箇所が
少ないと、各駆動回路基板の特性インピーダンスの違い
等により電気信号の反射、グランドラインの電位が振ら
れる等が原因で、ＥＭＩ（エレクトロ マグネティック
インタフィアレンス）を引き起こす不要な輻射電波の発
生ポテンシャルが高くなる。特に、薄膜トランジスタを
用いたモジュールＭＤＬでは、高速のクロックを用いる
ので、ＥＭＩ対策が難しい。これを防止するために、複
数に分割された各駆動回路基板ＰＣＢ１毎に少なくとも
１ヶ所、本実施例では２ヶ所でグランド配線（交流接地
電位）をインピーダンスが十分に低い共通のフレーム
（すなわち、シールドケースＳＨＤ）に接続する。これ
により、高周波領域におけるグランドラインが強化され
るので、全体で１ヶ所だけシールドケースＳＨＤに接続
した場合と比較すると、本実施例の６ヶ所の場合は輻射
の電界強度で５ｄＢ以上の改善が見られた。
【００９９】シールドケースＳＨＤのフレームグランド
ＦＧは、金属の細長い突起部で構成され、折り曲げるこ
とにより容易に表示パネルＰＮＬのフレームグランドパ
ッドＦＧＰに接続でき、接続用の特別のワイヤ（リード
線）が不要である。また、フレームグランドＦＧを介し
てシールドケースＳＨＤと駆動回路基板ＰＣＢ１とを機
械的にも接続できるので、駆動回路基板ＰＣＢ１の機械
的強度も向上できる。
ＦＧは、金属の細長い突起部で構成され、折り曲げるこ
とにより容易に表示パネルＰＮＬのフレームグランドパ
ッドＦＧＰに接続でき、接続用の特別のワイヤ（リード
線）が不要である。また、フレームグランドＦＧを介し
てシールドケースＳＨＤと駆動回路基板ＰＣＢ１とを機
械的にも接続できるので、駆動回路基板ＰＣＢ１の機械
的強度も向上できる。
【０１００】《中間フレームＭＦＲ》図２７は、中間フ
レームＭＦＲの上面図、前側面図、後側面図、右側面
図、左側面図、図２８は、中間フレームＭＦＲの下面
図、図２９は、中間フレームＭＦＲの上面側から見た斜
視図である。
レームＭＦＲの上面図、前側面図、後側面図、右側面
図、左側面図、図２８は、中間フレームＭＦＲの下面
図、図２９は、中間フレームＭＦＲの上面側から見た斜
視図である。
【０１０１】中間フレームＭＦＲは駆動回路基板ＰＣＢ
１と一体に構成された液晶表示部ＬＣＤ、光拡散板ＳＰ
Ｂ、Ｌ字形の駆動回路基板ＰＣＢ２の保持部材である。
１と一体に構成された液晶表示部ＬＣＤ、光拡散板ＳＰ
Ｂ、Ｌ字形の駆動回路基板ＰＣＢ２の保持部材である。
【０１０２】ＢＬＷはバックライトＢＬの光を液晶表示
部ＬＣＤへ取り込むためのバックライト光取り入れ窓
で、ここに光拡散板ＳＰＢが載置・保持される。ＳＰＢ
Ｓは、光拡散板ＳＰＢの保持部である。ＲＤＷは放熱
穴、ＣＷは外部と接続されるコネクタ用の切欠きであ
る。ＭＶＨは４個のねじ穴であり、このねじ穴ＭＶＨと
下側ケースＬＣＡの貫通穴ＬＨＬ（図３４〜図３６参
照）を介して図示しないねじにより下側ケースＬＣＡと
中間フレームＭＦＲとが固定される。ＣＬＨはシールド
ケースＳＨＤの固定用爪ＣＬが挿入される固定用爪穴で
ある（図２７の各側面図、図２９参照）。２ＨＬは駆動
回路基板ＰＣＢ２（図３０参照）の固定用穴で、ナイロ
ンリベット等の止め具が挿入される。Ｌ字形の駆動回路
基板ＰＣＢ２は図２７の中間フレームＭＦＲの上面図の
右および下の縁のＬ字領域に配置される。なお、中間フ
レームＭＦＲは、バックライト支持体ＢＬＳ、下側ケー
スＬＣＡと同じ白色の合成樹脂により形成されている。
また、中間フレームＭＦＲは、合成樹脂で作られている
ので、駆動回路基板ＰＣＢ１および駆動回路基板ＰＣＢ
２の絶縁上有利である。
部ＬＣＤへ取り込むためのバックライト光取り入れ窓
で、ここに光拡散板ＳＰＢが載置・保持される。ＳＰＢ
Ｓは、光拡散板ＳＰＢの保持部である。ＲＤＷは放熱
穴、ＣＷは外部と接続されるコネクタ用の切欠きであ
る。ＭＶＨは４個のねじ穴であり、このねじ穴ＭＶＨと
下側ケースＬＣＡの貫通穴ＬＨＬ（図３４〜図３６参
照）を介して図示しないねじにより下側ケースＬＣＡと
中間フレームＭＦＲとが固定される。ＣＬＨはシールド
ケースＳＨＤの固定用爪ＣＬが挿入される固定用爪穴で
ある（図２７の各側面図、図２９参照）。２ＨＬは駆動
回路基板ＰＣＢ２（図３０参照）の固定用穴で、ナイロ
ンリベット等の止め具が挿入される。Ｌ字形の駆動回路
基板ＰＣＢ２は図２７の中間フレームＭＦＲの上面図の
右および下の縁のＬ字領域に配置される。なお、中間フ
レームＭＦＲは、バックライト支持体ＢＬＳ、下側ケー
スＬＣＡと同じ白色の合成樹脂により形成されている。
また、中間フレームＭＦＲは、合成樹脂で作られている
ので、駆動回路基板ＰＣＢ１および駆動回路基板ＰＣＢ
２の絶縁上有利である。
【０１０３】《光拡散板ＳＰＢ》光拡散板ＳＰＢ（図２
３参照）は、中間フレームＭＦＲのバックライト光取り
入れ窓ＢＬＷの四方の周縁部に設けられた保持部ＳＰＢ
Ｓ（図２７、図２９参照。中間フレームＭＦＲの上面よ
り低い）上で保持される。光拡散板ＳＰＢを保持部ＳＰ
ＢＳ上に載置すると、光拡散板ＳＰＢの上面と中間フレ
ームＭＦＲの上面とは同一平面になる。光拡散板ＳＰＢ
の上には、駆動回路基板ＰＣＢ１と一体となった液晶表
示部ＬＣＤが載置される。液晶表示部ＬＣＤと光拡散板
ＳＰＢとの間には、液晶表示部ＬＣＤの下面の四方の縁
周囲に配置された４本のゴムスペーサ（図示省略。《シ
ールドケースＳＨＤ》の説明の欄参照）が介在し、液晶
表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間がこれらのゴムス
ペーサにより密閉されている。すなわち、光拡散板ＳＰ
Ｂは中間フレームＭＦＲ（枠体）上に載置され、光拡散
板ＳＰＢの上面は、液晶表示部ＬＣＤによって覆われ、
かつ、液晶表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間隙はゴ
ムスペーサによって完全に密閉されている（光拡散板Ｓ
ＰＢと液晶表示部ＬＣＤとを中間フレームＭＦＲを用い
てバックライト部と独立に一体化・固定化した）。従っ
て、液晶表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間に異物が
侵入したり、表示領域以外に静電気等により付着してい
た異物が表示領域に移動したりして表示品質が低下する
問題を抑制できる。なお、光拡散板ＳＰＢは光拡散シー
トと比較して厚いので、光拡散板ＳＰＢ下面側の異物の
存在は目立たない。また、光拡散板ＳＰＢの下面側に存
在する異物は、液晶表示部ＬＣＤから遠いので、焦点を
結びにくく、像が拡散してしまうので、ほとんど問題と
ならない。さらに、光拡散板ＳＰＢと液晶表示部ＬＣＤ
とを順に中間フレームＭＦＲに保持させる構成なので、
組立性も良い。
３参照）は、中間フレームＭＦＲのバックライト光取り
入れ窓ＢＬＷの四方の周縁部に設けられた保持部ＳＰＢ
Ｓ（図２７、図２９参照。中間フレームＭＦＲの上面よ
り低い）上で保持される。光拡散板ＳＰＢを保持部ＳＰ
ＢＳ上に載置すると、光拡散板ＳＰＢの上面と中間フレ
ームＭＦＲの上面とは同一平面になる。光拡散板ＳＰＢ
の上には、駆動回路基板ＰＣＢ１と一体となった液晶表
示部ＬＣＤが載置される。液晶表示部ＬＣＤと光拡散板
ＳＰＢとの間には、液晶表示部ＬＣＤの下面の四方の縁
周囲に配置された４本のゴムスペーサ（図示省略。《シ
ールドケースＳＨＤ》の説明の欄参照）が介在し、液晶
表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間がこれらのゴムス
ペーサにより密閉されている。すなわち、光拡散板ＳＰ
Ｂは中間フレームＭＦＲ（枠体）上に載置され、光拡散
板ＳＰＢの上面は、液晶表示部ＬＣＤによって覆われ、
かつ、液晶表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間隙はゴ
ムスペーサによって完全に密閉されている（光拡散板Ｓ
ＰＢと液晶表示部ＬＣＤとを中間フレームＭＦＲを用い
てバックライト部と独立に一体化・固定化した）。従っ
て、液晶表示部ＬＣＤと光拡散板ＳＰＢとの間に異物が
侵入したり、表示領域以外に静電気等により付着してい
た異物が表示領域に移動したりして表示品質が低下する
問題を抑制できる。なお、光拡散板ＳＰＢは光拡散シー
トと比較して厚いので、光拡散板ＳＰＢ下面側の異物の
存在は目立たない。また、光拡散板ＳＰＢの下面側に存
在する異物は、液晶表示部ＬＣＤから遠いので、焦点を
結びにくく、像が拡散してしまうので、ほとんど問題と
ならない。さらに、光拡散板ＳＰＢと液晶表示部ＬＣＤ
とを順に中間フレームＭＦＲに保持させる構成なので、
組立性も良い。
【０１０４】《駆動回路基板ＰＣＢ２》図３０は、駆動
回路基板ＰＣＢ２の下面図である。中間フレームＭＦＲ
に保持・収納される液晶表示部ＬＣＤの駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、図３０に示すように、Ｌ字形をしており、Ｉ
Ｃ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されている。
この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電圧源から複数
の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路
や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線
管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に変換する
回路を含む回路が搭載されている。ＣＪは外部と接続さ
れる図示しないコネクタが接続されるコネクタ接続部で
ある。なお、駆動回路基板ＰＣＢ２と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ１とは、図３１に示すように、フラットケーブルＦＣ
により電気的に接続される（詳細後述）。また、駆動回
路基板ＰＣＢ２とインバータ回路基板ＩＰＣＢとは、駆
動回路基板ＰＣＢ２のバックライト接続部ＢＣ２および
インバータ回路基板ＩＰＣＢのバックライト接続部ＢＣ
Ｉに接続される図示しないバックライトコネクタおよび
バックライトケーブルにより、中間フレームＭＦＲに設
けたコネクタ穴ＣＨＬ（図２７〜図２９参照）を介して
電気的に接続される。
回路基板ＰＣＢ２の下面図である。中間フレームＭＦＲ
に保持・収納される液晶表示部ＬＣＤの駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、図３０に示すように、Ｌ字形をしており、Ｉ
Ｃ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されている。
この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電圧源から複数
の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路
や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線
管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に変換する
回路を含む回路が搭載されている。ＣＪは外部と接続さ
れる図示しないコネクタが接続されるコネクタ接続部で
ある。なお、駆動回路基板ＰＣＢ２と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ１とは、図３１に示すように、フラットケーブルＦＣ
により電気的に接続される（詳細後述）。また、駆動回
路基板ＰＣＢ２とインバータ回路基板ＩＰＣＢとは、駆
動回路基板ＰＣＢ２のバックライト接続部ＢＣ２および
インバータ回路基板ＩＰＣＢのバックライト接続部ＢＣ
Ｉに接続される図示しないバックライトコネクタおよび
バックライトケーブルにより、中間フレームＭＦＲに設
けたコネクタ穴ＣＨＬ（図２７〜図２９参照）を介して
電気的に接続される。
【０１０５】《駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２との電気的接続》図３１は、液晶表示部ＬＣＤの
駆動回路基板ＰＣＢ１（上面が見える）と中間フレーム
ＭＦＲの駆動回路基板ＰＣＢ２（下面が見える）との接
続状態を示す上面図である。
ＣＢ２との電気的接続》図３１は、液晶表示部ＬＣＤの
駆動回路基板ＰＣＢ１（上面が見える）と中間フレーム
ＭＦＲの駆動回路基板ＰＣＢ２（下面が見える）との接
続状態を示す上面図である。
【０１０６】液晶表示部ＬＣＤと駆動回路基板ＰＣＢ２
とは折り曲げ可能なフラットケーブルＦＣにより電気的
に接続されている。この状態で動作チェックを行うこと
ができる。駆動回路基板ＰＣＢ２は、フラットケーブル
ＦＣを180°折り曲げることにより、液晶表示部ＬＣＤ
の下面側に重ねて配置され、中間フレームＭＦＲの所定
の凹部に嵌合され、ナイロンリベット等の止め具等によ
り固定され、その上に液晶表示部ＬＣＤと一体になった
駆動回路基板ＰＣＢ１が載置・保持される。
とは折り曲げ可能なフラットケーブルＦＣにより電気的
に接続されている。この状態で動作チェックを行うこと
ができる。駆動回路基板ＰＣＢ２は、フラットケーブル
ＦＣを180°折り曲げることにより、液晶表示部ＬＣＤ
の下面側に重ねて配置され、中間フレームＭＦＲの所定
の凹部に嵌合され、ナイロンリベット等の止め具等によ
り固定され、その上に液晶表示部ＬＣＤと一体になった
駆動回路基板ＰＣＢ１が載置・保持される。
【０１０７】《バックライト支持体ＢＬＳ》図３２は、
バックライト支持体ＢＬＳの上面図、後側面図、右側面
図、左側面図、図３３は、バックライト支持体ＢＬＳの
上面側から見た斜視図である。
バックライト支持体ＢＬＳの上面図、後側面図、右側面
図、左側面図、図３３は、バックライト支持体ＢＬＳの
上面側から見た斜視図である。
【０１０８】バックライト支持体ＢＬＳは、４本のバッ
クライト（冷陰極螢光管）ＢＬ（図３７、図２３参照）
を支持する。ＳＰＣは穴（空間）であり、バックライト
支持体ＢＬＳは枠体を成している。
クライト（冷陰極螢光管）ＢＬ（図３７、図２３参照）
を支持する。ＳＰＣは穴（空間）であり、バックライト
支持体ＢＬＳは枠体を成している。
【０１０９】バックライト支持体ＢＬＳは、４本のバッ
クライトＢＬを白色のシリコンゴムＳＧ（図３７、図３
９参照）を介して支持するようになっている。ＳＳはバ
ックライト支持部で、ここにシリコンゴムＳＧを介して
各バックライトＢＬの両端を支持するようになってい
る。なお、シリコンゴムＳＧは、バックライトＢＬの点
燈領域内への異物侵入防止の役目もする。ＲＨはバック
ライトＢＬの両端に接続されたリード線ＬＤ（図３７参
照）が通るリード線穴である。
クライトＢＬを白色のシリコンゴムＳＧ（図３７、図３
９参照）を介して支持するようになっている。ＳＳはバ
ックライト支持部で、ここにシリコンゴムＳＧを介して
各バックライトＢＬの両端を支持するようになってい
る。なお、シリコンゴムＳＧは、バックライトＢＬの点
燈領域内への異物侵入防止の役目もする。ＲＨはバック
ライトＢＬの両端に接続されたリード線ＬＤ（図３７参
照）が通るリード線穴である。
【０１１０】ＳＨＬはバックライト支持体ＢＬＳに設け
た４個の貫通穴で、下側ケースＬＣＡのねじ穴ＬＶＨと
一致し、図示しないねじによって下側ケースＬＣＡに固
定される。
た４個の貫通穴で、下側ケースＬＣＡのねじ穴ＬＶＨと
一致し、図示しないねじによって下側ケースＬＣＡに固
定される。
【０１１１】ＳＲＭはバックライト支持体ＢＬＳの図３
２の左右両内側面に形成されたバックライトＢＬ（４本
のバックライトＢＬのうち外側の２本のバックライトＢ
Ｌ）のバックライト光反射部で、下側ケースＬＣＡのバ
ックライト光反射山ＲＭ（図３４、図３６参照）の上面
と同様にバックライトＢＬの光を液晶表示部ＬＣＤの方
に効率良く反射するための複数の平面の組み合せから構
成されている（《下側ケース》の説明の欄参照）。な
お、バックライト支持体ＢＬＳは、中間フレームＭＦ
Ｒ、下側ケースＬＣＡと同じ白色の合成樹脂により成型
により作られる。
２の左右両内側面に形成されたバックライトＢＬ（４本
のバックライトＢＬのうち外側の２本のバックライトＢ
Ｌ）のバックライト光反射部で、下側ケースＬＣＡのバ
ックライト光反射山ＲＭ（図３４、図３６参照）の上面
と同様にバックライトＢＬの光を液晶表示部ＬＣＤの方
に効率良く反射するための複数の平面の組み合せから構
成されている（《下側ケース》の説明の欄参照）。な
お、バックライト支持体ＢＬＳは、中間フレームＭＦ
Ｒ、下側ケースＬＣＡと同じ白色の合成樹脂により成型
により作られる。
【０１１２】《下側ケースＬＣＡ》図３４は、下側ケー
スＬＣＡの上面図（反射側）、後側面図、右側面図、左
側面図、図３５は、下側ケースＬＣＡの下面図、図３６
は、下側ケースＬＣＡの上面側から見た斜視図、図３８
は、下側ケースＬＣＡの断面図（図３４の３８−３８切
断線における断面図）である。
スＬＣＡの上面図（反射側）、後側面図、右側面図、左
側面図、図３５は、下側ケースＬＣＡの下面図、図３６
は、下側ケースＬＣＡの上面側から見た斜視図、図３８
は、下側ケースＬＣＡの断面図（図３４の３８−３８切
断線における断面図）である。
【０１１３】下側ケースＬＣＡは、バックライトＢＬ、
バックライト支持体ＢＬＳ、バックライトＢＬ点燈用の
インバータ回路基板ＩＰＣＢの保持部材（バックライト
収納ケース）であり、バックライトＢＬのバックライト
光反射板を兼ねており、バックライトＢＬの光を最も効
率良く反射する色である白色の合成樹脂で１個の型で一
体成型することにより作られる。下側ケースＬＣＡの上
面には、この下側ケースＬＣＡと一体に形成された３本
のバックライト光反射山ＲＭが形成され、バックライト
ＢＬのバックライト光反射面を構成している。３本のバ
ックライト光反射山ＲＭは、バックライトＢＬの光を液
晶表示部ＬＣＤの方に効率良く反射するための複数の平
面の組み合せから構成されている。すなわち、バックラ
イト光反射山ＲＭの断面形状は、図３８の断面図に示す
ように、バックライトＢＬの光を最も効率良く、反射す
るように計算により求められた曲線の近似直線で構成さ
れている。なお、バックライト光反射山ＲＭの高さは、
反射光率を上げるため、バックライトＢＬの上面より高
くなっている（図３９参照）。このように、バックライ
トＢＬの収納ケースとバックライトＢＬのバックライト
光反射板とを一体の部材で構成したので、部品点数を少
なくでき、構造を簡略化でき、製造コストを低減でき
る。従って、装置の耐振動衝撃性、耐熱衝撃性を向上で
き、信頼性を向上できる。また、下側ケースＬＣＡは、
合成樹脂で作られているので、インバータ回路基板ＩＰ
ＣＢの絶縁上有利である。
バックライト支持体ＢＬＳ、バックライトＢＬ点燈用の
インバータ回路基板ＩＰＣＢの保持部材（バックライト
収納ケース）であり、バックライトＢＬのバックライト
光反射板を兼ねており、バックライトＢＬの光を最も効
率良く反射する色である白色の合成樹脂で１個の型で一
体成型することにより作られる。下側ケースＬＣＡの上
面には、この下側ケースＬＣＡと一体に形成された３本
のバックライト光反射山ＲＭが形成され、バックライト
ＢＬのバックライト光反射面を構成している。３本のバ
ックライト光反射山ＲＭは、バックライトＢＬの光を液
晶表示部ＬＣＤの方に効率良く反射するための複数の平
面の組み合せから構成されている。すなわち、バックラ
イト光反射山ＲＭの断面形状は、図３８の断面図に示す
ように、バックライトＢＬの光を最も効率良く、反射す
るように計算により求められた曲線の近似直線で構成さ
れている。なお、バックライト光反射山ＲＭの高さは、
反射光率を上げるため、バックライトＢＬの上面より高
くなっている（図３９参照）。このように、バックライ
トＢＬの収納ケースとバックライトＢＬのバックライト
光反射板とを一体の部材で構成したので、部品点数を少
なくでき、構造を簡略化でき、製造コストを低減でき
る。従って、装置の耐振動衝撃性、耐熱衝撃性を向上で
き、信頼性を向上できる。また、下側ケースＬＣＡは、
合成樹脂で作られているので、インバータ回路基板ＩＰ
ＣＢの絶縁上有利である。
【０１１４】なお、ＬＶＨは４個のねじ穴であり、この
ねじ穴ＬＶＨとバックライト支持体ＢＬＳの貫通穴ＳＨ
Ｌ（図３２、図３３参照）を介して図示しないねじによ
りバックライト支持体ＢＬＳが下側ケースＬＣＡに固定
される。ＬＨＬは４個の貫通穴であり、この貫通穴ＬＨ
Ｌと中間フレームＭＦＲのねじ穴ＭＶＨ（図２８参照）
を介して図示しないねじにより中間フレームＭＦＲと下
側ケースＬＣＡとが固定される。ＩＨＬはナイロンリベ
ット等の止め具が挿入されるインバータ回路基板ＩＰＣ
Ｂの固定用穴、ＣＷは外部と接続されるコネクタ用の切
欠き、ＦＫＰはシールドケースＳＨＤの固定用フックＦ
Ｋが嵌合する固定用突起である（図３４の各側面図、図
３６参照）。
ねじ穴ＬＶＨとバックライト支持体ＢＬＳの貫通穴ＳＨ
Ｌ（図３２、図３３参照）を介して図示しないねじによ
りバックライト支持体ＢＬＳが下側ケースＬＣＡに固定
される。ＬＨＬは４個の貫通穴であり、この貫通穴ＬＨ
Ｌと中間フレームＭＦＲのねじ穴ＭＶＨ（図２８参照）
を介して図示しないねじにより中間フレームＭＦＲと下
側ケースＬＣＡとが固定される。ＩＨＬはナイロンリベ
ット等の止め具が挿入されるインバータ回路基板ＩＰＣ
Ｂの固定用穴、ＣＷは外部と接続されるコネクタ用の切
欠き、ＦＫＰはシールドケースＳＨＤの固定用フックＦ
Ｋが嵌合する固定用突起である（図３４の各側面図、図
３６参照）。
【０１１５】《バックライトＢＬ》図３７は、下側ケー
スＬＣＡにバックライト支持体ＢＬＳ、バックライトＢ
Ｌ、インバータ回路基板ＩＰＣＢを搭載した状態を示す
上面図、後側面図、右側面図、左側面図、図３９は、図
３７の３９−３９切断線における断面図である。
スＬＣＡにバックライト支持体ＢＬＳ、バックライトＢ
Ｌ、インバータ回路基板ＩＰＣＢを搭載した状態を示す
上面図、後側面図、右側面図、左側面図、図３９は、図
３７の３９−３９切断線における断面図である。
【０１１６】バックライトＢＬは、液晶表示部ＬＣＤの
真下に配置される直下型バックライトである。バックラ
イトＢＬは、４本の冷陰極螢光管により構成され、バッ
クライト支持体ＢＬＳにより支持され、バックライト支
持体ＢＬＳを下側ケースＬＣＡに図示しないねじを用い
バックライト支持体ＢＬＳの貫通穴ＳＨＬおよび下側ケ
ースＬＣＡのねじ穴ＬＶＨを介して固定することにより
バックライト収納ケースである下側ケースＬＣＡに保持
される。
真下に配置される直下型バックライトである。バックラ
イトＢＬは、４本の冷陰極螢光管により構成され、バッ
クライト支持体ＢＬＳにより支持され、バックライト支
持体ＢＬＳを下側ケースＬＣＡに図示しないねじを用い
バックライト支持体ＢＬＳの貫通穴ＳＨＬおよび下側ケ
ースＬＣＡのねじ穴ＬＶＨを介して固定することにより
バックライト収納ケースである下側ケースＬＣＡに保持
される。
【０１１７】ＥＣＬは冷陰極管の封止側（螢光体を管の
内表面に塗布したり、ガスを引いて真空にしたり、ガス
を封入したりする側のことをいう）である。図３７に示
すように、並んで配置された４本のバックライトＢＬの
封止側ＥＣＬが左右交互（図３７では上下交互）に配置
されている（千鳥配置）。これにより、螢光管における
螢光体塗布に起因して生じる表示画面の色温度の左右傾
斜（封止側の方が色温度が高い）を目立たなくでき、表
示品質を向上できる。
内表面に塗布したり、ガスを引いて真空にしたり、ガス
を封入したりする側のことをいう）である。図３７に示
すように、並んで配置された４本のバックライトＢＬの
封止側ＥＣＬが左右交互（図３７では上下交互）に配置
されている（千鳥配置）。これにより、螢光管における
螢光体塗布に起因して生じる表示画面の色温度の左右傾
斜（封止側の方が色温度が高い）を目立たなくでき、表
示品質を向上できる。
【０１１８】《インバータ回路基板ＩＰＣＢ》インバー
タ回路ＩＰＣＢは、４本のバックライトＢＬの点燈用回
路基板で、図３７に示すように、下側ケースＬＣＡに載
置され、下側ケースＬＣＡの固定用穴ＩＨＬ（図３４〜
図３６参照）を介して図示しないナイロンリベット等の
止め具によって固定される。インバータ回路ＩＰＣＢ上
には２個のトランスＴＦ１、ＴＦ２や、コンデンサ、コ
イル、抵抗等の電子部品が搭載されている。なお、熱源
となるインバータ回路基板ＩＰＣＢは、装置の上部側
（図３７では、上面図の左側に示す）に配置されるの
で、放熱性が良い。また、インバータ回路基板ＩＰＣＢ
は装置の上部側に配置され、Ｌ字形の駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２は装置の下部側および左側（図２７の中間フレーム
ＭＦＲの上面図の右および下の縁のＬ字領域）に配置さ
れ、熱源となるインバータ回路基板ＩＰＣＢと駆動回路
基板ＰＣＢ２とは、放熱性の点とモジュール全体の厚さ
を薄くする点から上下に重ならないように配置されてい
る。
タ回路ＩＰＣＢは、４本のバックライトＢＬの点燈用回
路基板で、図３７に示すように、下側ケースＬＣＡに載
置され、下側ケースＬＣＡの固定用穴ＩＨＬ（図３４〜
図３６参照）を介して図示しないナイロンリベット等の
止め具によって固定される。インバータ回路ＩＰＣＢ上
には２個のトランスＴＦ１、ＴＦ２や、コンデンサ、コ
イル、抵抗等の電子部品が搭載されている。なお、熱源
となるインバータ回路基板ＩＰＣＢは、装置の上部側
（図３７では、上面図の左側に示す）に配置されるの
で、放熱性が良い。また、インバータ回路基板ＩＰＣＢ
は装置の上部側に配置され、Ｌ字形の駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２は装置の下部側および左側（図２７の中間フレーム
ＭＦＲの上面図の右および下の縁のＬ字領域）に配置さ
れ、熱源となるインバータ回路基板ＩＰＣＢと駆動回路
基板ＰＣＢ２とは、放熱性の点とモジュール全体の厚さ
を薄くする点から上下に重ならないように配置されてい
る。
【０１１９】《バックライトＢＬ、バックライト支持体
ＢＬＳ、インバータ回路基板ＩＰＣＢ》バックライト支
持体ＢＬＳに、それぞれ両端にリード線ＬＤ（図３７参
照）が付いた４本のバックライトＢＬを嵌め込んだ後、
（バックライト支持体ＢＬＳとインバータ回路基板ＩＰ
ＣＢを下側ケースＬＣＡに収納・固定する前に）各バッ
クライトＢＬのリード線ＬＤをインバータ回路基板ＩＰ
ＣＢに半田付けする。これにより、バックライトＢＬと
バックライト支持体ＢＬＳとインバータ回路基板ＩＰＣ
Ｂとで１個のユニットが構成される（図２３、図３７参
照）。この状態でバックライトＢＬの点燈試験が可能で
ある。従来は、バックライトとインバータ回路基板とを
バックライト収納ケースにそれぞれ固定した後、バック
ライトのリード線をインバータ回路基板に半田付けする
構成だったので、半田付けのためのスペースが非常に狭
く、作業性が悪かったが、本モジュールでは、バックラ
イトＢＬおよびインバータ回路基板ＩＰＣＢを下側ケー
スＬＣＡに固定する前に、バックライトＢＬがバックラ
イト支持体ＢＬＳに支持された状態でバックライトＢＬ
のリード線ＬＤをインバータ回路基板ＩＰＣＢに半田付
けできるので、作業性が良い。また、不良部品が生じた
場合の部品交換も容易である。点燈試験が終了したら、
図３７に示すように、インバータ回路基板ＩＰＣＢをナ
イロンリベット等の止め具を用いて下側ケースＬＣＡの
固定用穴ＩＨＬを介して固定し、バックライト支持体Ｂ
ＬＳを図示しないねじにより４個の貫通穴ＳＨＬとねじ
穴ＬＶＨ（図３６、図３４参照）を介して下側ケースＬ
ＣＡに固定する。
ＢＬＳ、インバータ回路基板ＩＰＣＢ》バックライト支
持体ＢＬＳに、それぞれ両端にリード線ＬＤ（図３７参
照）が付いた４本のバックライトＢＬを嵌め込んだ後、
（バックライト支持体ＢＬＳとインバータ回路基板ＩＰ
ＣＢを下側ケースＬＣＡに収納・固定する前に）各バッ
クライトＢＬのリード線ＬＤをインバータ回路基板ＩＰ
ＣＢに半田付けする。これにより、バックライトＢＬと
バックライト支持体ＢＬＳとインバータ回路基板ＩＰＣ
Ｂとで１個のユニットが構成される（図２３、図３７参
照）。この状態でバックライトＢＬの点燈試験が可能で
ある。従来は、バックライトとインバータ回路基板とを
バックライト収納ケースにそれぞれ固定した後、バック
ライトのリード線をインバータ回路基板に半田付けする
構成だったので、半田付けのためのスペースが非常に狭
く、作業性が悪かったが、本モジュールでは、バックラ
イトＢＬおよびインバータ回路基板ＩＰＣＢを下側ケー
スＬＣＡに固定する前に、バックライトＢＬがバックラ
イト支持体ＢＬＳに支持された状態でバックライトＢＬ
のリード線ＬＤをインバータ回路基板ＩＰＣＢに半田付
けできるので、作業性が良い。また、不良部品が生じた
場合の部品交換も容易である。点燈試験が終了したら、
図３７に示すように、インバータ回路基板ＩＰＣＢをナ
イロンリベット等の止め具を用いて下側ケースＬＣＡの
固定用穴ＩＨＬを介して固定し、バックライト支持体Ｂ
ＬＳを図示しないねじにより４個の貫通穴ＳＨＬとねじ
穴ＬＶＨ（図３６、図３４参照）を介して下側ケースＬ
ＣＡに固定する。
【０１２０】また、従来は、冷陰極管を６本とインバー
タ回路基板２個を用い、（それぞれ２個のトランスを有
する）インバータ回路基板１個当たり冷陰極管３本ずつ
を点燈させる構成で、２個のインバータ回路基板がバッ
クライト収納ケース内のバックライトの上下両側（図３
７で言えば下側ケースＬＣＡの上面図の左右）に配置さ
れていたため、バックライト部全体の寸法が大きくな
り、また、熱源である２個のインバータ回路基板が上下
両側に配置されるため、放熱性の点で問題があった。し
かし、本装置では、インバータ回路基板ＩＰＣＢが１個
だけなので、バックライト部全体の寸法を小さくできる
と共に、放熱性も良い。また、本装置では、インバータ
回路基板ＩＰＣＢは、装置の上部側（図３７では、上面
図の左側に示す）に配置されているので、放熱性が良
い。
タ回路基板２個を用い、（それぞれ２個のトランスを有
する）インバータ回路基板１個当たり冷陰極管３本ずつ
を点燈させる構成で、２個のインバータ回路基板がバッ
クライト収納ケース内のバックライトの上下両側（図３
７で言えば下側ケースＬＣＡの上面図の左右）に配置さ
れていたため、バックライト部全体の寸法が大きくな
り、また、熱源である２個のインバータ回路基板が上下
両側に配置されるため、放熱性の点で問題があった。し
かし、本装置では、インバータ回路基板ＩＰＣＢが１個
だけなので、バックライト部全体の寸法を小さくできる
と共に、放熱性も良い。また、本装置では、インバータ
回路基板ＩＰＣＢは、装置の上部側（図３７では、上面
図の左側に示す）に配置されているので、放熱性が良
い。
【０１２１】《プリズム板》図２３に示すように、光拡
散板ＳＰＢの上、すなわち、液晶表示パネルＰＮＬと光
拡散板ＳＰＢとの間にはプリズム板（レンズフィルム）
ＰＳＢが配置されている。プリズム板ＰＳＢは、例えば
厚さ０．３６ｍｍのポリカーボネイトフィルムやアクリ
ルフィルムからなり、下面は平滑面で、上面は図４０に
示すような断面形状がＶ字状の多数のストライプ溝がそ
れぞれ平行に配列形成されている。なお、ストライプ溝
のＶ字の角度θはここでは９０°である。なお、光拡散
板ＳＰＢとプリズム板ＰＳＢとの間、あるいはプリズム
板ＰＳＢと液晶表示パネルＰＮＬとの間にすき間（ギャ
ップ）は設ける必要はなく、光拡散板ＳＰＢ上にプリズ
ム板ＰＳＢを載置し、プリズム板ＰＳＢ上に液晶表示パ
ネルＰＮＬが載置されるように構成すればよい。
散板ＳＰＢの上、すなわち、液晶表示パネルＰＮＬと光
拡散板ＳＰＢとの間にはプリズム板（レンズフィルム）
ＰＳＢが配置されている。プリズム板ＰＳＢは、例えば
厚さ０．３６ｍｍのポリカーボネイトフィルムやアクリ
ルフィルムからなり、下面は平滑面で、上面は図４０に
示すような断面形状がＶ字状の多数のストライプ溝がそ
れぞれ平行に配列形成されている。なお、ストライプ溝
のＶ字の角度θはここでは９０°である。なお、光拡散
板ＳＰＢとプリズム板ＰＳＢとの間、あるいはプリズム
板ＰＳＢと液晶表示パネルＰＮＬとの間にすき間（ギャ
ップ）は設ける必要はなく、光拡散板ＳＰＢ上にプリズ
ム板ＰＳＢを載置し、プリズム板ＰＳＢ上に液晶表示パ
ネルＰＮＬが載置されるように構成すればよい。
【０１２２】このようなプリズム板ＰＳＢを配置したこ
とにより、光拡散板ＳＰＢから大きな角度で拡散する光
の拡散角度をプリズム板ＰＳＢの上面に形成されたプリ
ズム面により小さく（表示画面に対して垂直方向に近
く）することができるので、バックライトＢＬの輝度を
増大することができる。しかも、全体として拡散方向を
小さくすることができるので、均一な輝度分布を保つこ
とができる。したがって、バックライトＢＬの光を効率
的に利用でき、明るく輝度の均一な表示画面を得ること
ができる。
とにより、光拡散板ＳＰＢから大きな角度で拡散する光
の拡散角度をプリズム板ＰＳＢの上面に形成されたプリ
ズム面により小さく（表示画面に対して垂直方向に近
く）することができるので、バックライトＢＬの輝度を
増大することができる。しかも、全体として拡散方向を
小さくすることができるので、均一な輝度分布を保つこ
とができる。したがって、バックライトＢＬの光を効率
的に利用でき、明るく輝度の均一な表示画面を得ること
ができる。
【０１２３】なお、本発明と従来のバックライトの輝度
を実測した。光拡散板ＳＰＢの上にプリズム板ＰＳＢを
配置しない場合は２６１０ｃｄ／ｍ2であったが、プリ
ズム板ＰＳＢを配置した場合は４３５０ｃｄ／ｍ2であ
り、約６７％も輝度が増大した。
を実測した。光拡散板ＳＰＢの上にプリズム板ＰＳＢを
配置しない場合は２６１０ｃｄ／ｍ2であったが、プリ
ズム板ＰＳＢを配置した場合は４３５０ｃｄ／ｍ2であ
り、約６７％も輝度が増大した。
【０１２４】しかし、上述のように、従来、単にプリズ
ム板を配置するだけでは、輝度は増大するが、プリズム
板の面上に平行に配列形成された多数本のストライプ溝
と、液晶表示パネルＰＮＬの透明基板ＳＵＢ１面上に平
行に配列形成された多数本の透明電極配線（プリズム板
のストライプ溝と平行なゲートラインＧＬまたはデータ
ラインＤＬ）とが干渉し、表示画面に干渉縞（ビート）
が発生し、表示品質が低下する問題があった。本発明で
は、この問題を以下に述べるように解決した。
ム板を配置するだけでは、輝度は増大するが、プリズム
板の面上に平行に配列形成された多数本のストライプ溝
と、液晶表示パネルＰＮＬの透明基板ＳＵＢ１面上に平
行に配列形成された多数本の透明電極配線（プリズム板
のストライプ溝と平行なゲートラインＧＬまたはデータ
ラインＤＬ）とが干渉し、表示画面に干渉縞（ビート）
が発生し、表示品質が低下する問題があった。本発明で
は、この問題を以下に述べるように解決した。
【０１２５】すなわち、現在、液晶表示装置において一
般に使用されているバックライトは、図２３に示すよう
に、複数本の冷陰極螢光管を液晶表示パネルＰＮＬの直
下に光拡散板ＳＰＢを介して平行に配列するか、あるい
は図示はしないが、冷陰極螢光管から出た光を半透明の
合成樹脂板から成る導光体と光拡散板の光学系を介して
液晶表示パネルに導くようになっている。このようなバ
ックライトでは、輝度は光拡散板の光線射出面に対して
法線方向から９０°までほぼ均一である。上記光学系の
上にストライプ溝を形成したプリズム板ＰＳＢを配置
し、バックライトＢＬから入射する拡散光の出射角をプ
リズム板ＰＳＢにより調整し、表示画面に垂直な方向の
輝度を上げるという技術が提案されている。しかし、従
来のプリズム板のストライプ溝のピッチは高々０．３〜
０．３５ｍｍ程度であり、液晶表示パネルに形成される
ゲートラインＧＬまたはデータラインＤＬ（図４参照）
の透明電極配線と干渉し（単純マトリクス方式の液晶表
示装置におけるセグメント電極およびコモン電極の場合
も同様）、干渉縞が発生した。本発明では、プリズム板
ＰＳＢのストライプ溝のピッチと、液晶表示パネルＰＮ
Ｌに形成されるストライプ溝と平行な透明電極配線のピ
ッチとの関係に着目し、干渉縞が発生しても、通常の視
力をもった人間では、識別できない程度に抑えようとす
るものである。すなわち、ストライプ溝を有するプリズ
ム板ＰＳＢと、ゲートラインＧＬまたはデータラインＤ
Ｌを有する液晶表示パネルＰＮＬとの間で発生する干渉
縞を人間の目が判別できない程度まで、プリズム板ＰＳ
Ｂのストライプ溝のピッチ（間隔）を小さくするもので
ある。
般に使用されているバックライトは、図２３に示すよう
に、複数本の冷陰極螢光管を液晶表示パネルＰＮＬの直
下に光拡散板ＳＰＢを介して平行に配列するか、あるい
は図示はしないが、冷陰極螢光管から出た光を半透明の
合成樹脂板から成る導光体と光拡散板の光学系を介して
液晶表示パネルに導くようになっている。このようなバ
ックライトでは、輝度は光拡散板の光線射出面に対して
法線方向から９０°までほぼ均一である。上記光学系の
上にストライプ溝を形成したプリズム板ＰＳＢを配置
し、バックライトＢＬから入射する拡散光の出射角をプ
リズム板ＰＳＢにより調整し、表示画面に垂直な方向の
輝度を上げるという技術が提案されている。しかし、従
来のプリズム板のストライプ溝のピッチは高々０．３〜
０．３５ｍｍ程度であり、液晶表示パネルに形成される
ゲートラインＧＬまたはデータラインＤＬ（図４参照）
の透明電極配線と干渉し（単純マトリクス方式の液晶表
示装置におけるセグメント電極およびコモン電極の場合
も同様）、干渉縞が発生した。本発明では、プリズム板
ＰＳＢのストライプ溝のピッチと、液晶表示パネルＰＮ
Ｌに形成されるストライプ溝と平行な透明電極配線のピ
ッチとの関係に着目し、干渉縞が発生しても、通常の視
力をもった人間では、識別できない程度に抑えようとす
るものである。すなわち、ストライプ溝を有するプリズ
ム板ＰＳＢと、ゲートラインＧＬまたはデータラインＤ
Ｌを有する液晶表示パネルＰＮＬとの間で発生する干渉
縞を人間の目が判別できない程度まで、プリズム板ＰＳ
Ｂのストライプ溝のピッチ（間隔）を小さくするもので
ある。
【０１２６】ランドルト環は人間の視力測定用の指標の
１つで、周知のようにＣ状をしている。視力は分離でき
る最小の視角（単位は分）の逆数で定義する。外形７．
５ｍｍ、太さと切れ目の幅がそれぞれ１．５ｍｍである
ランドルト環の切れ目を５ｍ離れた距離から見ると、視
角は１分である。これをやっと識別できる人の視力は
１．０である。一方、正常な目の人が、苦痛を感じるこ
となく、観察できる最短距離は、明視の距離として通常
２５ｃｍとされている。以上のことから、視力１．０の
人が２５ｃｍ離れて、やっと識別できる間隔は７５μｍ
程度であり、表示画面上の干渉縞のピッチがそれ以下で
あれば識別できないことがわかる。本発明は、干渉縞の
ピッチを７５μｍ以下に小さくするためのプリズム板Ｐ
ＳＢのストライプ溝のピッチに関するものである。
１つで、周知のようにＣ状をしている。視力は分離でき
る最小の視角（単位は分）の逆数で定義する。外形７．
５ｍｍ、太さと切れ目の幅がそれぞれ１．５ｍｍである
ランドルト環の切れ目を５ｍ離れた距離から見ると、視
角は１分である。これをやっと識別できる人の視力は
１．０である。一方、正常な目の人が、苦痛を感じるこ
となく、観察できる最短距離は、明視の距離として通常
２５ｃｍとされている。以上のことから、視力１．０の
人が２５ｃｍ離れて、やっと識別できる間隔は７５μｍ
程度であり、表示画面上の干渉縞のピッチがそれ以下で
あれば識別できないことがわかる。本発明は、干渉縞の
ピッチを７５μｍ以下に小さくするためのプリズム板Ｐ
ＳＢのストライプ溝のピッチに関するものである。
【０１２７】周波数が異なる同一方向（ｚ方向）に進行
する２つの光μ1とμ2の重ね合せを考える。ここで、μ
1はバックライトＢＬ上の光拡散板ＳＰＢから入射し、
プリズム板ＰＳＢを通過した光であり、μ2はプリズム
板ＰＳＢから入射し、ゲートラインＧＬまたはデータラ
インＤＬの透明電極配線が走っている液晶表示パネルＰ
ＮＬを通過した光である。これらの光μ1、μ2は次の式
で表すことができる。
する２つの光μ1とμ2の重ね合せを考える。ここで、μ
1はバックライトＢＬ上の光拡散板ＳＰＢから入射し、
プリズム板ＰＳＢを通過した光であり、μ2はプリズム
板ＰＳＢから入射し、ゲートラインＧＬまたはデータラ
インＤＬの透明電極配線が走っている液晶表示パネルＰ
ＮＬを通過した光である。これらの光μ1、μ2は次の式
で表すことができる。
【０１２８】 μ1＝ａ ｅｘｐ｛ｉ（ω1ｔ−２πｚ／Ｌλ1＋δ1）｝ … μ2＝ａ ｅｘｐ｛ｉ（ω2ｔ−２πｚ／Ｌλ2＋δ2）｝ … ここで、ａは振幅、ｉは複素表示、ω1は光μ1の角周波
数、ω2は光μ2の角周波数、ｚは場所、ｔは時間、Ｌλ
1（ｍｍ）は光μ1の波長、Ｌλ2（ｍｍ）は光μ2の波
長、δ1は光μ1の初期位相、δ2は光μ2の初期位相であ
る。
数、ω2は光μ2の角周波数、ｚは場所、ｔは時間、Ｌλ
1（ｍｍ）は光μ1の波長、Ｌλ2（ｍｍ）は光μ2の波
長、δ1は光μ1の初期位相、δ2は光μ2の初期位相であ
る。
【０１２９】間隔がλ 1 、λ 2 の２つの間隔の異なる格子
を平行に重ねた場合、現われるモアレ縞の間隔（ピッ
チ）Ｌを表す式は、 Ｌ＝λ1・λ2／｜λ2−λ1｜ … 上述のように、視力１．０の人が明視の距離２５ｃｍ離
れ、やっと識別できる間隔は７５μｍ程度であり、上記
式で表される干渉縞のピッチＬが７５μｍ（０．０７
５ｍｍ）以下であれば、通常の視力をもった人では干渉
縞を識別することができない。
を平行に重ねた場合、現われるモアレ縞の間隔（ピッ
チ）Ｌを表す式は、 Ｌ＝λ1・λ2／｜λ2−λ1｜ … 上述のように、視力１．０の人が明視の距離２５ｃｍ離
れ、やっと識別できる間隔は７５μｍ程度であり、上記
式で表される干渉縞のピッチＬが７５μｍ（０．０７
５ｍｍ）以下であれば、通常の視力をもった人では干渉
縞を識別することができない。
【０１３０】したがって、上記式から、プリズム板Ｐ
ＳＢのストライプ溝のピッチをλ1（ｍｍ）とし、液晶
表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬまたはデータライ
ンＤＬのピッチをλ2（ｍｍ）とした場合に、λ 1 （ｍ
ｍ）とλ 2 （ｍｍ）の関係が下記の式を満足すれば干渉
縞は識別することができない。
ＳＢのストライプ溝のピッチをλ1（ｍｍ）とし、液晶
表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬまたはデータライ
ンＤＬのピッチをλ2（ｍｍ）とした場合に、λ 1 （ｍ
ｍ）とλ 2 （ｍｍ）の関係が下記の式を満足すれば干渉
縞は識別することができない。
【０１３１】 λ1・λ2／｜λ2−λ1｜≦０．０７５ … この式を変形すると、 λ1≦０．０７５λ2／（λ2＋０．０７５） … 本発明は、このような条件を満足するピッチを有するプ
リズム板ＰＳＢを提供する。
リズム板ＰＳＢを提供する。
【０１３２】図４１に、プリズム板ＰＳＢのストライプ
溝のピッチλ1および液晶表示パネルＰＮＬのゲートラ
インＧＬまたはデータラインＤＬのピッチλ2と、これ
らの干渉により表示画面に生じる干渉縞のピッチＬとの
関係を示す。横軸はプリズム板ＰＳＢのストライプ溝の
ピッチλ1、縦軸は干渉縞のピッチＬを示す。図４０の
プリズム板ＰＳＢの断面図において、スネルの法則にし
たがい、入射光は屈折し、プリズム面のＡ面から射出す
る光がＢ面よりも多い。したがって、プリズム板ＰＳＢ
を通過した光は、ピッチがλ1である縞状の光となり、
液晶表示パネルＰＮＬ上の透明電極配線と干渉し、表示
画面で干渉縞が発生する。プリズム板ＰＳＢのストライ
プ溝のピッチλ1が大きくなるほど、プリズム板ＰＳＢ
の厚さは厚くなり、また、ピッチλ1があまり大きいと
液晶表示パネルＰＮＬを通してストライプ溝が見えてし
まうため、プリズム板ＰＳＢのストライプ溝のピッチλ
1は高々０．数ｍｍ程度が実用的である。図４１には、
液晶表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬまたはデータ
ラインＤＬのピッチλ2が、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．３ｍｍ、０．４ｍｍの場合について示した。Ｌ≦７
５μｍのストライプ溝のピッチλ1が上記式で表され
る。例えば、液晶表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬ
またはデータラインＤＬのピッチλ2が０．２ｍｍの場
合、干渉縞のピッチＬを７５μｍ以下にするには、スト
ライプ溝のピッチλ1を５４μｍ以下にすればよい。こ
のような細かいピッチλ1のストライプ溝を形成したプ
リズム板ＰＳＢを光拡散板ＳＰＢを介してバックライト
ＢＬ上に配置することにより、表示画面で干渉縞が識別
できないバックライトを実現することができる。
溝のピッチλ1および液晶表示パネルＰＮＬのゲートラ
インＧＬまたはデータラインＤＬのピッチλ2と、これ
らの干渉により表示画面に生じる干渉縞のピッチＬとの
関係を示す。横軸はプリズム板ＰＳＢのストライプ溝の
ピッチλ1、縦軸は干渉縞のピッチＬを示す。図４０の
プリズム板ＰＳＢの断面図において、スネルの法則にし
たがい、入射光は屈折し、プリズム面のＡ面から射出す
る光がＢ面よりも多い。したがって、プリズム板ＰＳＢ
を通過した光は、ピッチがλ1である縞状の光となり、
液晶表示パネルＰＮＬ上の透明電極配線と干渉し、表示
画面で干渉縞が発生する。プリズム板ＰＳＢのストライ
プ溝のピッチλ1が大きくなるほど、プリズム板ＰＳＢ
の厚さは厚くなり、また、ピッチλ1があまり大きいと
液晶表示パネルＰＮＬを通してストライプ溝が見えてし
まうため、プリズム板ＰＳＢのストライプ溝のピッチλ
1は高々０．数ｍｍ程度が実用的である。図４１には、
液晶表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬまたはデータ
ラインＤＬのピッチλ2が、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．３ｍｍ、０．４ｍｍの場合について示した。Ｌ≦７
５μｍのストライプ溝のピッチλ1が上記式で表され
る。例えば、液晶表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬ
またはデータラインＤＬのピッチλ2が０．２ｍｍの場
合、干渉縞のピッチＬを７５μｍ以下にするには、スト
ライプ溝のピッチλ1を５４μｍ以下にすればよい。こ
のような細かいピッチλ1のストライプ溝を形成したプ
リズム板ＰＳＢを光拡散板ＳＰＢを介してバックライト
ＢＬ上に配置することにより、表示画面で干渉縞が識別
できないバックライトを実現することができる。
【０１３３】現在の液晶表示パネルＰＮＬの透明導電膜
配線のピッチλ2は、例えば、ゲートラインＧＬでは、
中精細パネルの場合０．３ｍｍ、高精細の場合０．２ｍ
ｍ程度である。また、データラインＤＬでは、中精細パ
ネルの場合０．１ｍｍ、高精細の場合０．０７ｍｍ程度
である。プリズム板ＰＳＢのストライプ溝がゲートライ
ンＧＬと平行になるようにプリズム板ＰＳＢを配置すれ
ば、ストライプ溝のピッチλ1は５０μｍ程度であれ
ば、干渉縞は発生しないことがわかる。なお、中精細パ
ネル（ゲートラインＧＬのピッチλ2＝０．３３ｍｍ）
とプリズム板ＰＳＢ（ストライプ溝のピッチλ1＝０．
３５ｍｍ）を組み合わせたときに発生する干渉縞のピッ
チＬは実測で約５．７ｍｍであり、上記式が成立して
いる。
配線のピッチλ2は、例えば、ゲートラインＧＬでは、
中精細パネルの場合０．３ｍｍ、高精細の場合０．２ｍ
ｍ程度である。また、データラインＤＬでは、中精細パ
ネルの場合０．１ｍｍ、高精細の場合０．０７ｍｍ程度
である。プリズム板ＰＳＢのストライプ溝がゲートライ
ンＧＬと平行になるようにプリズム板ＰＳＢを配置すれ
ば、ストライプ溝のピッチλ1は５０μｍ程度であれ
ば、干渉縞は発生しないことがわかる。なお、中精細パ
ネル（ゲートラインＧＬのピッチλ2＝０．３３ｍｍ）
とプリズム板ＰＳＢ（ストライプ溝のピッチλ1＝０．
３５ｍｍ）を組み合わせたときに発生する干渉縞のピッ
チＬは実測で約５．７ｍｍであり、上記式が成立して
いる。
【０１３４】以上説明したように、液晶表示パネルＰＮ
ＬとバックライトＢＬの光拡散板ＳＰＢとの間に、複数
本のストライプ溝を平行に配列したプリズム板ＰＳＢを
配置し、かつ、このプリズム板ＰＳＢのストライプ溝の
ピッチλ1（ｍｍ）を、λ1≦０．０７５λ2／（λ2＋
０．０７５）とすることにより（ただし、λ2はストラ
イプ溝と平行な液晶表示パネルＰＮＬの透明電極配線の
ピッチ）、バックライトＢＬの輝度を増大させるととも
に、表示画面における干渉縞の発生を防止することがで
き、表示品質を向上することができる。
ＬとバックライトＢＬの光拡散板ＳＰＢとの間に、複数
本のストライプ溝を平行に配列したプリズム板ＰＳＢを
配置し、かつ、このプリズム板ＰＳＢのストライプ溝の
ピッチλ1（ｍｍ）を、λ1≦０．０７５λ2／（λ2＋
０．０７５）とすることにより（ただし、λ2はストラ
イプ溝と平行な液晶表示パネルＰＮＬの透明電極配線の
ピッチ）、バックライトＢＬの輝度を増大させるととも
に、表示画面における干渉縞の発生を防止することがで
き、表示品質を向上することができる。
【０１３５】また、従来のバックライトに薄いプリズム
板ＰＳＢを追加するだけの簡単な構成であり、薄型のバ
ックライトを提供することができ、かつ、同一輝度比で
消費電力を低減することができ、螢光管の寿命を向上す
ることができる。さらに、単純マトリクス方式の液晶表
示パネルに比べてＴＦＴを使用したアクティブ・マトリ
クス方式の液晶表示パネルは、透過率が低いが、本発明
によるバックライトでは輝度を増大させることができる
ので、導光体の側面に螢光管を配置した薄型のバックラ
イトが実用可能になる。
板ＰＳＢを追加するだけの簡単な構成であり、薄型のバ
ックライトを提供することができ、かつ、同一輝度比で
消費電力を低減することができ、螢光管の寿命を向上す
ることができる。さらに、単純マトリクス方式の液晶表
示パネルに比べてＴＦＴを使用したアクティブ・マトリ
クス方式の液晶表示パネルは、透過率が低いが、本発明
によるバックライトでは輝度を増大させることができる
ので、導光体の側面に螢光管を配置した薄型のバックラ
イトが実用可能になる。
【０１３６】以上本発明を実施例に基づいて具体的に説
明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。例えば、上記の実施例では、液
晶表示パネルＰＮＬの下に光拡散板ＳＰＢを介して４本
の冷陰極螢光管（熱陰極螢光管でもよい）を平行に配列
したバックライトＢＬを使用したが、導光体とその側面
に沿って近接して配置した螢光管からなるバックライト
にも同様に適用することができる。また、プリズム板Ｐ
ＳＢの材質、厚さ、構成等は種々のものを使用すること
ができる。例えば、プリズム板ＰＳＢの断面形状は図４
０に示したものに限定されず、例えばプリズム面の山は
とがった形状でなく、丸みを帯びていてもよく、また、
Ｖ字状ストライプ溝のＶ字の山・谷の角度やピッチ等も
材料の屈折率等を考慮して種々のものを使用することが
できる。また、ストライプ溝の角度やピッチもプリズム
板ＰＳＢ全体にわたって均一でなくてもよい。例えば、
液晶表示パネルＰＮＬの下に光拡散板ＳＰＢを介して螢
光管を配置した場合等は、全体として均一な輝度分布を
得るために、螢光管の直上のみ山をなだらかにしてもよ
い。また、プリズム板ＰＳＢと光拡散板ＳＰＢとを一体
に形成してもよく、例えば、下面側を透明樹脂材に拡散
粒子を混入した材料で光拡散層を形成し、上面側にプリ
ズム面を形成するように一体成形してもよい。また、プ
リズム板ＰＳＢの下面の平滑面はわずかに凸面または凹
面になっていてもよい。また、光拡散板ＳＰＢとして
は、公知の種々の拡散板を使用することができる。ま
た、プリズム板ＰＳＢのストライプ溝の長軸方向と蛍光
管の長軸方向との関係は平行でもよいし、直角でもよ
い。さらに、上記実施例では、アクティブ・マトリクス
方式の液晶表示装置に適用した例を示したが、本発明
は、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用するこ
とができることは言うまでもない。
明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。例えば、上記の実施例では、液
晶表示パネルＰＮＬの下に光拡散板ＳＰＢを介して４本
の冷陰極螢光管（熱陰極螢光管でもよい）を平行に配列
したバックライトＢＬを使用したが、導光体とその側面
に沿って近接して配置した螢光管からなるバックライト
にも同様に適用することができる。また、プリズム板Ｐ
ＳＢの材質、厚さ、構成等は種々のものを使用すること
ができる。例えば、プリズム板ＰＳＢの断面形状は図４
０に示したものに限定されず、例えばプリズム面の山は
とがった形状でなく、丸みを帯びていてもよく、また、
Ｖ字状ストライプ溝のＶ字の山・谷の角度やピッチ等も
材料の屈折率等を考慮して種々のものを使用することが
できる。また、ストライプ溝の角度やピッチもプリズム
板ＰＳＢ全体にわたって均一でなくてもよい。例えば、
液晶表示パネルＰＮＬの下に光拡散板ＳＰＢを介して螢
光管を配置した場合等は、全体として均一な輝度分布を
得るために、螢光管の直上のみ山をなだらかにしてもよ
い。また、プリズム板ＰＳＢと光拡散板ＳＰＢとを一体
に形成してもよく、例えば、下面側を透明樹脂材に拡散
粒子を混入した材料で光拡散層を形成し、上面側にプリ
ズム面を形成するように一体成形してもよい。また、プ
リズム板ＰＳＢの下面の平滑面はわずかに凸面または凹
面になっていてもよい。また、光拡散板ＳＰＢとして
は、公知の種々の拡散板を使用することができる。ま
た、プリズム板ＰＳＢのストライプ溝の長軸方向と蛍光
管の長軸方向との関係は平行でもよいし、直角でもよ
い。さらに、上記実施例では、アクティブ・マトリクス
方式の液晶表示装置に適用した例を示したが、本発明
は、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用するこ
とができることは言うまでもない。
【０１３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バックライトの輝度を増大させるとともに、表示画面に
おける干渉縞の発生を防止することができる。
バックライトの輝度を増大させるとともに、表示画面に
おける干渉縞の発生を防止することができる。
【図１】この発明を適用したアクティブ・マトリックス
方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその
周辺を示す要部平面図である。
方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその
周辺を示す要部平面図である。
【図２】図１の２−２切断線における１画素とその周辺
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】図１の３−３切断線における付加容量Ｃaddの
断面図である。
断面図である。
【図４】図１に示す画素を複数配置した液晶表示部の要
部平面図である。
部平面図である。
【図５】図１に示す画素の層ｇ２，ＡＳのみを描いた平
面図である。
面図である。
【図６】図１に示す画素の層ｄ１，ｄ２，ｄ３のみを描
いた平面図である。
いた平面図である。
【図７】図１に示す画素の画素電極層、遮光膜およびカ
ラーフィルタ層のみを描いた平面図である。
ラーフィルタ層のみを描いた平面図である。
【図８】図６に示す画素配列の画素電極層、遮光膜およ
びカラーフィルタ層のみを描いた要部平面図である。
びカラーフィルタ層のみを描いた要部平面図である。
【図９】ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部近
辺を示す平面と断面の図である。
辺を示す平面と断面の図である。
【図１０】ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接
続部付近を示す平面と断面の図である。
続部付近を示す平面と断面の図である。
【図１１】アクティブ・マトリックス方式のカラー液晶
表示装置の液晶表示部を示す等価回路図である。
表示装置の液晶表示部を示す等価回路図である。
【図１２】図１に示す画素の等価回路図である。
【図１３】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
【図１４】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
【図１５】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｉの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
【図１６】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明
するための平面図である。
するための平面図である。
【図１７】図１６の周辺部をやや誇張し更に具体的に説
明するためのパネル平面図である。
明するためのパネル平面図である。
【図１８】上下基板の電気的接続部を含む表示パネルの
角部の拡大平面図である。
角部の拡大平面図である。
【図１９】マトリクスの画素部を中央に、両側にパネル
角付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。
角付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。
【図２０】左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の
無いパネル縁部分を示す断面図である。
無いパネル縁部分を示す断面図である。
【図２１】駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩが
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。
【図２２】テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示
パネルＰＮＬの映像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。
パネルＰＮＬの映像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。
【図２３】液晶表示モジュールの分解斜視図である。
【図２４】液晶表示モジュールのシールドケースの上面
図、前側面図、後側面図、右側面図、左側面図である。
図、前側面図、後側面図、右側面図、左側面図である。
【図２５】シールドケースの上面側から見た斜視図であ
る。
る。
【図２６】液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した
状態を示す上面図である。
状態を示す上面図である。
【図２７】中間フレームの上面図、前側面図、後側面
図、右側面図、左側面図である。
図、右側面図、左側面図である。
【図２８】中間フレームの下面図である。
【図２９】中間フレームの上面側から見た斜視図であ
る。
る。
【図３０】中間フレームに搭載される駆動回路基板の下
面図である。
面図である。
【図３１】液晶表示部の駆動回路基板（上面が見える）
と中間フレームの駆動回路基板（下面が見える）との接
続状態を示す上面図である。
と中間フレームの駆動回路基板（下面が見える）との接
続状態を示す上面図である。
【図３２】バックライト支持体の上面図、後側面図、右
側面図、左側面図である。
側面図、左側面図である。
【図３３】バックライト支持体の上面側から見た斜視図
である。
である。
【図３４】下側ケースの上面図（反射側）、後側面図、
右側面図、左側面図である。
右側面図、左側面図である。
【図３５】下側ケースの下面図である。
【図３６】下側ケースの上面側から見た斜視図である。
【図３７】下側ケースにバックライト支持体、バックラ
イト、インバータ回路基板を搭載した状態を示す上面
図、後側面図、右側面図、左側面図である。
イト、インバータ回路基板を搭載した状態を示す上面
図、後側面図、右側面図、左側面図である。
【図３８】下側ケースの断面図（図３４の３８−３８切
断線における断面図）である。
断線における断面図）である。
【図３９】図３７の３９−３９切断線における断面図で
ある。
ある。
【図４０】プリズム板の断面形状を示すための部分断面
図である。
図である。
【図４１】プリズム板のストライプ溝のピッチλ1およ
び液晶表示パネルのゲートラインまたはデータラインの
ピッチλ2と、これらの干渉により表示画面に生じる干
渉縞のピッチＬとの関係を示す図である。
び液晶表示パネルのゲートラインまたはデータラインの
ピッチλ2と、これらの干渉により表示画面に生じる干
渉縞のピッチＬとの関係を示す図である。
ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線 ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層 ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＳＶ…保護
膜、ＢＭ…遮光膜 ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＩＴＯ…透明
画素電極 ｇ、ｄ…導電膜、Ｃadd…保持容量素子、ＡＯＦ…陽極
酸化膜 ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…
ドレイン端子 ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、Ｓ
ＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…バック
ライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…下側ケ
ース、ＲＭ…バックライト光反射山、ＰＳＢ…プリズム
板、λ1…プリズム板のストライプ溝のピッチ、λ2…液
晶表示パネルのゲートラインまたはデータラインのピッ
チ、Ｌ…干渉縞のピッチ。
像信号線 ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層 ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＳＶ…保護
膜、ＢＭ…遮光膜 ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＩＴＯ…透明
画素電極 ｇ、ｄ…導電膜、Ｃadd…保持容量素子、ＡＯＦ…陽極
酸化膜 ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…
ドレイン端子 ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、Ｓ
ＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…バック
ライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…下側ケ
ース、ＲＭ…バックライト光反射山、ＰＳＢ…プリズム
板、λ1…プリズム板のストライプ溝のピッチ、λ2…液
晶表示パネルのゲートラインまたはデータラインのピッ
チ、Ｌ…干渉縞のピッチ。
フロントページの続き (72)発明者 小林 直人 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイ スエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 上田 史朗 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 茂原工場内 (56)参考文献 特開 平３−200929（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも一方の透明基板面上に複数本の
配線を平行に配列した液晶表示パネルの下に、バックラ
イトを配置し、かつ、上記液晶表示パネルと上記バック
ライトとの間に、複数本のストライプ溝を平行に配列し
たプリズム板を配置してなる液晶表示装置において、上
記ストライプ溝のピッチをλ１（ｍｍ）とし、上記スト
ライプ溝とほぼ平行な上記配線のピッチをλ２（ｍｍ）
とするとき、 λ１≦０．０７５λ２／（λ２＋０．０７５）であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】透明基板面上に複数個の画素をマトリクス
状に形成した液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの下
に設けられたバックライトと、上記液晶表示パネルと上
記バックライトとの間に設けられた複数本のストライプ
溝を平行に配列したプリズム板とを有し、上記ストライ
プ溝のピッチをＰ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ溝と
平行な方向に並んだ画素列の上記ストライプ溝と交差す
る方向のピッチをＰ２（ｍｍ）とするとき、 Ｐ１≦０．０７５Ｐ２／（Ｐ２＋０．０７５）であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】透明基板面上に複数本の走査信号線および
映像信号線を形成した液晶表示パネルと、該液晶表示パ
ネルの下側に設けられた光源と、上記液晶表示パネルと
上記光源との間に設けられたプリズム板を有し、該プリ
ズム板は上記液晶表示パネル側の面に断面がＶ字状の複
数本のストライプ溝が並列に形成され、上記ストライプ
溝の山と山の間隔をｄ１（ｍｍ）とし、上記ストライプ
溝と同方向に並んで形成された上記走査信号線または上
記映像信号線の隣り合う２本の配線の間隔をｄ２（ｍ
ｍ）とするとき、 ｄ１≦０．０７５ｄ２／（ｄ２＋０．０７５）であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
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1996
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