CN110168791A - 电极叠层体的制造装置 - Google Patents

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Abstract

即便在作为用于校正隔膜的位置偏移的标准的基准位置产生误差的情况下，抑制隔膜和电极间的位置偏移。第一位置偏移量检测传感器22检测第一隔膜部件11A相对于规定的基准位置的宽度方向上的位置偏移量作为第一位置偏移量。电极供给部23向规定的电极供给位置供给电极12。第二位置偏移量检测传感器25检测第二隔膜部件13A相对于规定的基准位置的宽度方向上的位置偏移量作为第二位置偏移量。控制部27基于第一位置偏移量校正第一隔膜部件11A的位置，并且基于第二位置偏移量校正第二隔膜部件13A的位置。照相机26通过拍摄由与电极12的位置关系，检测第一隔膜部件11A在宽度方向上的实际的位置偏移量，控制部27基于实际的位置偏移量校正规定的基准位置。

Description

电极叠层体的制造装置
技术领域
本发明涉及具有在第一隔膜和第二隔膜之间夹持电极的结构的电极叠层体的制造装置。
背景技术
已知具备电极体的电池，该电极体具有介于隔膜之间，交替层叠多个正极和负极的结构。那样结构的电极体能够通过例如在第一隔膜和第二隔膜之间交替层叠多个具有夹持正极和负极中的一个电极的结构的电极叠层体和正极和负极中的另一个电极而形成。
作为那样的电极体的制造方法，专利文献1中记载了在长条状的隔膜上，沿着其长度方向交替重复载置正极和负极，进一步从其上层叠其他长条状的隔膜后，通过以经由隔膜交替重合的方式正极和负极折叠，经由隔膜正极和负极被交替层叠的电极体的制造方法。
另外，在专利文献2中记载了层叠长条状的正极片、长条状的隔膜和长条状的负极片时，通过边缘传感器，检测正极片相对于预先层叠的隔膜和负极片的位置偏移，校正位置偏移的技术。
根据专利文献1和2，作为用于制造电极叠层体的装置，可以想到如图6所示的构成的制造装置。
在图6示出的制造装置中，第一隔膜部件供给部61将呈辊状卷绕的长条状的第一隔膜部件11A供给至输送带60上。
第一位置偏移量检测传感器62在相比于第一隔膜部件11A被供给至输送带60上的位置更靠前的位置，检测第一隔膜部件11A相对于规定的基准位置的作为与长度方向正交方向的宽度方向上的边缘的位置偏移量。在此，将相对于规定的基准位置的第一隔膜部件的宽度方向上的边缘的位置偏移量称为第一位置偏移量。
电极供给部63通过向规定的电极供给位置供给电极12，向被供给至输送带60上的第一隔膜部件11A上供给电极12。电极12是正极和负极中一方的电极。此外，电极12在输送带60的输送方向以及与输送方向正交的方向上，以向相同的位置被重复供给的方式而构成。
第二隔膜部件供给部64以在与第一隔膜部件11A之间夹入电极12的方式，将长条状的第二隔膜部件13A供给至第一隔膜部件11A上。
第二位置偏移量检测传感器65在相比于第二隔膜部件13A被供给至第一隔膜部件11A上更靠前的位置，检测相对于规定的基准位置的第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置偏移量。在此，将相对于规定的基准位置的第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置偏移量称为第二位置偏移量。
第一隔膜部件供给部61和第二隔膜部件供给部64为在图6的Y轴方向，即与在输送带60上长条状的第一隔膜部件11A被输送的方向(X轴方向)正交的方向，并且在第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的宽度方向能够移动的构成。控制部67基于第一位置偏移量，使第一隔膜部件供给部61向Y轴方向移动，校正被供给至输送带60的第一隔膜部件11A的宽度方向上的边缘的位置。控制部67还基于第二位置偏移量，使第二隔膜部件供给部64向Y轴方向移动，校正被供给至输送带60上的第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置。
此后，通过以成为规定的形状的方式，切断层叠的第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A，形成包括第一隔膜、电极和第二隔膜的电极叠层体。
根据这样的构成，在使用长条状的第一隔膜部件11A、电极12以及长条状的第二隔膜部件13A形成电极叠层体时，能够抑制第一隔膜和第二隔膜与夹在其间的电极之间的位置偏移。
现有技術文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012－74402号公报；
专利文献2：日本特开平9－221252号公报。
发明内容
发明要解决的课题
但是，在上述的图6示出的制造装置中，当第一位置偏移量检测传感器62和第二位置偏移量检测传感器65在作为基准使用的规定的基准位置上产生误差时，由于基于存在误差的基准位置校正第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的边缘的位置，在制备的电极叠层体中，第一隔膜和第二隔膜与夹在其间的电极之间产生位置偏移。
本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供能够制造抑制长条状的隔膜部件的位置偏移，并且抑制隔膜和电极之间的位置偏移的电极叠层体的电极叠层体的制造装置。
用于解决课题的方法
本发明的电极叠层体的制造装置，具有在第一隔膜和第二隔膜之间夹持电极的结构，其特征在于，所述电极叠层体的制造装置具备：
输送带，将长条状的第一隔膜部件和长条状的第二隔膜部件向沿其长度方向的方向输送；
第一隔膜部件供给部，将所述第一隔膜部件供给至所述输送带上；
第一位置偏移量检测传感器，在相比于所述第一隔膜部件被供给至所述输送带上的位置更靠近前的位置，检测所述第一隔膜部件相对于规定的基准位置的、与所述长度方向正交的方向的宽度方向上的位置偏移量作为第一位置偏移量；
第一位置偏移校正部，基于所述第一位置偏移量，校正被供给至所述输送带上的所述第一隔膜部件的所述宽度方向上的位置；
电极供给部，通过向规定的电极供给位置供给所述电极，向被供给至所述输送带上的所述第一隔膜部件上供给所述电极；
第二隔膜部件供给部，以在与所述第一隔膜部件之间夹入所述电极的方式，将所述第二隔膜部件供给至所述第一隔膜部件上；
第二位置偏移量检测传感器，在相比于所述第二隔膜部件被供给至所述第一隔膜部件上的位置更靠近前的位置，检测所述第二隔膜部件相对于所述规定的基准位置的所述宽度方向上的位置偏移量作为第二位置偏移量；
第二位置偏移校正部，基于所述第二位置偏移量，校正被供给至所述第一隔膜部件上的所述第二隔膜部件的所述宽度方向上的位置；
摄像部，通过拍摄被供给至所述第一隔膜部件上的所述电极和所述第一隔膜部件，根据与所述电极的位置关系，检测所述第一隔膜部件的所述宽度方向上的实际的位置偏移量；
基准位置校正部，基于所述实际的位置偏移量，校正所述第一位置偏移量检测传感器和所述第二位置偏移量检测传感器作为基准使用的所述规定的基准位置；以及
切断部，为了获得所述电极叠层体，切断所层叠的所述第一隔膜部件和所述第二隔膜部件。
也可以构成为在所述第一位置偏移量小于规定的阈值的情况下，所述第一位置偏移校正部以所述第一位置偏移量为0的方式，对所述第一隔膜部件的位置进行一次校正；在所述第一位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第一位置偏移校正部以所述第一位置偏移量为0的方式，对所述第一隔膜部件的位置进行多次校正，
在所述第二位置偏移量小于所述规定的阈值的情况下，所述第二位置偏移校正部以所述第二位置偏移量为0的方式，对所述第二隔膜部件的位置进行一次校正；在所述第二位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第二位置偏移校正部以所述第二位置偏移量为0的方式，对所述第二隔膜部件的位置进行多次校正。
也可以为长条状的所述第一隔膜部件呈辊状卷绕在所述第一隔膜部件供给部，
在所述第一位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第一位置偏移校正部经过将呈辊状卷绕的所述第一隔膜部件的最外周的周长，除以所述电极被供给至所述第一隔膜部件上的间隔的电极间距而得到的值的次数，对所述第一隔膜部件的位置进行校正，
长条状的所述第二隔膜部件呈辊状卷绕在所述第二隔膜部件供给部，
在所述第二位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第二位置偏移校正部经过将呈辊状卷绕的所述第二隔膜部件的最外周的周长，除以所述电极间距而得到的值的次数，对所述第二隔膜部件的位置进行校正。
也可以为进一步具备计算部，计算由所述摄像部求得规定次数的所述实际的位置偏移量的平均值，
所述基准位置校正部基于所述实际的位置偏移量的平均值，校正所述规定的基准位置。
发明效果
根据本发明，由与被供给至规定的电极供给位置的电极的位置的关系，检测第一隔膜部件的宽度方向上的实际的位置偏移量，基于检测到的实际的位置偏移量，由于校正作为在检测第一隔膜部件和第二隔膜部件的位置偏移时的基准的规定的基准位置，即便在第一位置偏移量检测传感器和第二位置偏移量检测传感器在作为基准使用的规定的基准位置产生误差的情况下，也能够校正规定的基准位置。由此，能够制造抑制长条状的第一隔膜部件和第二隔膜部件的位置偏移，并且抑制隔膜和电极之间的位置偏移的电极叠层体。
附图说明
图1是示出电极叠层体的结构的剖视图。
图2是示出一实施方式中的电极叠层体的制造装置的概要构成的侧视图。
图3是用于说明校正第一隔膜部件的边缘的位置的方法的俯视图。
图4是用于说明校正前的规定的基准位置和校正后的规定的基准位置的俯视图。
图5是示出使用电极叠层体形成的电极体的结构的剖视图。
图6是示出由专利文献1和2可以想到的，用于制造电极叠层体的装置的概要构成的侧视图。
具体实施方式
以下示出本发明的实施方式，并进一步具体说明本发明的特征。
首先，简单地说明关于电极叠层体的结构，接着，说明关于电极叠层体的制造方法。
如图1所示，电极叠层体10具有依次层叠的第一隔膜11、电极12和第二隔膜13的结构。
电极12是正极和负极中一方的电极。在电极12为正极的情况下，电极12具备例如由铝等的金属箔组成的正极集电体以及形成在正极集电体的两面的正极活性物质。另外，在电极12为负极的情况下，电极12具备例如由铜等的金属箔组成的负极集电体以及形成在负极集电体的两面的负极活性物质。电极12的形状可以是矩形，也可以是非矩形。
作为第一隔膜11和第二隔膜13，能够使用相同材料，例如能够由绝缘性优异的聚丙烯制的微多孔性薄膜构成。
图2是示出一实施方式中的电极叠层体10的制造装置的概要构成的侧视图。
第一隔膜部件供给部21将呈辊状卷绕的长条状的第一隔膜部件11A供给至输送带30上。此时，对应于输送带30前进的速度，以适当地将第一隔膜部件11A供给至输送带30上的方式，控制第一隔膜部件11A的供给速度。
输送带30是例如金属制，沿着其长度方向的方向输送长条状的第一隔膜部件11A以及后述的第二隔膜部件13A。输送带30由驱动辊31驱动。
输送带30具有未图示的吸引孔。供给至输送带30上的第一隔膜部件11A通过经由吸引孔向下方被吸引，从而保持在输送带30上。另外，第二隔膜部件13A被供给至第一隔膜部件11A上，通过经由第一隔膜部件11A向下方被吸引，从而保持在第一隔膜部件11A上。
第一位置偏移量检测传感器22是例如激光传感器，在相比于第一隔膜部件11A被供给至输送带30上的位置更靠前的位置，检测第一隔膜部件11A相对于规定的基准位置Y0的，作为与长度方向正交的方向的宽度方向(Y轴方向)上的边缘的位置偏移量。在此，将该位置偏移量称为第一位置偏移量。
规定的基准位置Y0是用于确定第一隔膜部件11A供给至输送带30上的供给位置的成为基准的位置，以使被供给至规定的电极供给位置的电极12和第一隔膜部件11A在Y轴方向上的位置关系成为想要的位置关系。在该规定的基准位置Y0没有偏移，且第一隔膜部件11A在宽度方向没有弯曲的情况下，能够使被供给至基于基准位置Y0确定的位置的第一隔膜部件11A与被供给至第一隔膜部件11A上的电极12的位置关系成为想要的位置关系。
控制部27基于由第一位置偏移量检测传感器22检测到的第一位置偏移量，校正被供给至输送带30上的第一隔膜部件11A的宽度方向上的边缘的位置。
图3是用于说明校正第一隔膜部件11A的边缘的位置的方法的俯视图。第一隔膜部件供给部21构成为能够向图3的Y轴方向，即与输送带30的行进方向(X轴方向)正交的方向移动。
作为第一位置偏移校正部发挥功能的控制部27，以由第一位置偏移量检测传感器22检测到的第一位置偏移量为0的方式，通过向Y轴方向驱动第一隔膜部件供给部21，校正第一隔膜部件11A的宽度方向上的边缘的位置。若校正第一隔膜部件11A的边缘的位置以使第一位置偏移量为0，则被供给至输送带30上时的第一隔膜部件11A的一端S1的位置与Y轴方向上的规定的基准位置Y0一致。
电极供给部23是将电极12供给至规定的电极供给位置的机构部，由电极供给部23供给至规定的电极供给位置的电极12被供给至已供给到输送带30上的第一隔膜部件11A上。
在此，由于电极12被供给至规定的电极供给位置供给，因此在上述规定的基准位置Y0没有位置偏移，并且在基于规定的基准位置Y0没有位置偏移地供给第一隔膜部件11A的情况下，电极12被供给至第一隔膜部件11A上的规定的位置。
具体而言，电极12被供给至第一隔膜部件11A上的，从规定的基准位置Y0到Y轴方向上仅离开距离H1的位置。换言之，被供给至第一隔膜部件11A上的电极12和规定的基准位置Y0之间的距离为H1。距离H1为例如2.5mm。
此外，电极供给部23在每规定的时间向规定的电极供给位置重复供给电极12。由于第一隔膜部件11A被输送至输送带30上，电极12以规定的间隔被供给至第一隔膜部件11A上。在此，将被供给至第一隔膜部件11A上的，相邻的两个电极12间的，图2中用符号L示出的距离称为电极间距。电极间距L为例如102mm。
第二隔膜部件，将呈辊状卷绕的长条状的第二隔膜部件13A供给至输送带30上，更详细为，在其与第一隔膜部件11A之间以夹入电极12的方式，供给至第一隔膜部件11A上。此时，控制第二隔膜部件13A的供给速度，以使对应于输送带30的前进速度，适当地将第二隔膜部件13A供给至输送带30上。
第二位置偏移量检测传感器25是例如激光传感器，在相比于将第二隔膜部件13A供给至第一隔膜部件11A上的位置更靠前的位置，检测相对于规定的基准位置Y0的第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置偏移量。在此，将第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置偏移量称为第二位置偏移量。
控制部27基于由第二位置偏移量检测传感器25检测到的第二位置偏移量，校正被供给至输送带30上的第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置。
与第一隔膜部件供给部21同样地，第二隔膜部件供给部24也为向图3的Y轴方向，即与输送带30的行进方向(X轴方向)正交的方向能够移动的构成。
作为第二位置偏移校正部也发挥功能的控制部27，以由第二位置偏移量检测传感器25检测到的第二位置偏移量为0的方式，通过向Y轴方向驱动第二隔膜部件供给部24，来校正第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置。若校正第二隔膜部件13A的边缘的位置以使第二位置偏移量为0，则被供给至输送带30上时的第二隔膜部件13A的一端S2的位置与Y轴方向上的规定的基准位置Y0一致。
当以第一隔膜部件11A的输送方向为前方时，作为摄像部的照相机26设置在相比于电极12在第一隔膜部件11A上被承载的位置的靠近前方侧，并且是相比于第二隔膜部件13A在第一隔膜部件11A上被承载的位置的靠近后方侧。该照相机26拍摄能够确认承载在第一隔膜部件11A上的电极12与该第一隔膜部件11A的位置关系的区域，由与被供给至规定的电极供给位置的电极12的位置的关系，检测第一隔膜部件11A的宽度方向上的实际的位置偏移量。每次在将电极12供给至第一隔膜部件11A上时进行实际的位置偏移量的检测。
如上所述，在第一隔膜部件11A和电极12之间没有产生位置偏移的情况下，电极12和第一隔膜部件11A的宽度方向上的一端S1之间的距离为H1。因此，如果由照相机26拍摄的图像检测到的，电极12和第一隔膜部件11A的一端S1之间的距离为H2，则H2－H1为实际的位置偏移量。例如，H1为2.5mm，H2为3.5mm时，实际的位置偏移量为1.0mm。
尽管基于第一位置偏移量校正第一隔膜部件11A的边缘的位置，作为被供给至输送带30上的第一隔膜部件13A产生位置偏移的理由之一，能够举出第一位置偏移量检测传感器22在作为标准使用的规定的基准位置产生误差。
即，基于某种理由，第一位置偏移量检测传感器22在作为标准使用的规定的基准位置产生误差时，由于基于误差产生的基准位置进行位置偏移的校正，被供给至输送带30上的第一隔膜部件11A的一端S1与规定的基准位置Y0之间产生位置偏移，由此，第一隔膜部件11A和电极12之间产生位置偏移。另外，由于规定的基准位置Y0还被第二位置偏移量检测传感器25作为标准使用，第二隔膜部件13A和电极12之间也产生位置偏移。
在此，若第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A产生位置偏移，则从设置于输送带30的未图示的吸引孔的位置偏移的位置供给第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A，存在不能边吸引边稳定地输送第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的情况。另外，第二隔膜部件13A需要经由第一隔膜部件11A，通过来自吸引孔的吸引力被输送带30保持并输送，但若产生位置偏移，则由电极12使吸引被阻断，存在不能边吸引边稳定地输送第二隔膜部件13A的情况。
因此，在本实施方式中的电极叠层体10的制造装置中，从第一隔膜部件11A与被供给至规定的电极供给位置的电极12的位置关系出发，求得第一隔膜部件11A的宽度方向上的实际的位置偏移量，基于求得的实际的位置偏移量，校正作为用于第一位置偏移量检测传感器22和第二位置偏移量检测传感器25检测位置偏移量的标准使用的规定的基准位置Y0。由此，能够制造抑制长条状的第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的宽度方向上的位置偏移，并且抑制第一隔膜11、电极12以及第二隔膜13的位置偏移的电极叠层体10。
另外，通过抑制第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的宽度方向的位置偏移，由来自设置在输送带30的未图示的吸引孔的吸引力，能够边将第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A保持在输送带30上，边稳定地输送。
因此，作为基准位置校正部发挥功能的控制部27，基于由摄像部26检测到的，第一隔膜部件11A的实际的位置偏移量，校正规定的基准位置Y0。
在该实施方式中，计算由照相机26检测到的规定次数份的实际的位置偏移量的平均值k1，基于算出的位置偏移量的平均值k1，校正规定的基准位置Y0。规定次数例如为40次。此外，实际的位置偏移量的平均值k1由控制部27计算。
控制部27相对于当前的规定的基准位置Y0，将在Y轴方向仅偏移实际的位置偏移量的平均值k1的距离的位置设为校正后的规定的基准位置Y0。例如，如图4所示，若将规定的基准位置Y0的校正前的Y轴方向的位置坐标设为Y1，将规定的基准位置Y0的校正后的Y轴方向的位置坐标设为Y2，则Y2＝Y1+k1。
这样，若根据计算规定次数份的实际的位置偏移量的平均值k1，基于算出的位置偏移量的平均值k1校正规定的基准位置Y0的方法，相比于基于检测到的实际的位置偏移量，针对每电极间距L，校正规定的基准位置Y0的方法，能够减轻处理负载。
第一位置偏移量检测传感器22基于校正后的规定的基准位置Y0，检测第一隔膜部件11A的边缘的第一位置偏移量。控制部27基于检测到的第一位置偏移量，校正第一隔膜部件11A的宽度方向上的边缘的位置。
另外，第二位置偏移量检测传感器25基于校正后的规定的基准位置Y0，检测第二隔膜部件13A的边缘的第二位置偏移量。控制部27基于检测到的第二位置偏移量，校正第二隔膜部件13A的宽度方向上的边缘的位置。
在本实施方式中，当基于第一位置偏移量校正第一隔板件11A的边缘的位置时，控制部27基于第一位置偏移量的大小，改变校正方法。即，将第一位置偏移量与规定的阈值Th相比较，当第一位置偏移量小于规定的阈值Th时，将第一隔膜部件11A的边缘的位置进行一次校正，当第一位置偏移量为规定的阈值Th以上时，以小于第一位置偏移量的校正量经过多次来校正第一隔膜部件11A的边缘的位置。规定的阈值Th为例如0.3mm。
另外，当基于第二位置偏移量校正第二隔膜部件13A的边缘的位置时，控制部27基于第二位置偏移量的大小，改变校正方法。即，将第二位置偏移量与规定的阈值Th相比较，当第二位置偏移量小于规定的阈值Th时，对第二隔膜部件13A的边缘的位置进行一次校正，当第二位置偏移量为规定的阈值Th以上时，以小于第二位置偏移量的校正量经过多次来校正第二隔膜部件13A的边缘的位置。
在对第一隔膜部件11A的边缘的位置进行一次校正的情况下，使第一隔膜部件供给部21向Y轴方向移动以使第一位置偏移量成为0。在该情况下，使第一隔膜部件11A的边缘的位置移动时的校正量等于第一位置偏移量。
同样地，在对第二隔膜部件13A的边缘的位置进行一次校正的情况下，使第二隔膜部件供给部24向Y轴方向移动以使第二位置偏移量成为0。在该情况下，使第二隔膜部件13A的边缘位置移动时的校正量与第二位置偏移量相等。
接着，说明关于经过多次校正第一隔膜部件11A的边缘的位置的方法。此外，虽然省略说明，但关于经过多次校正第二隔膜部件13A的边缘的位置的方法是同样的。
在本实施方式中，通过呈辊状卷绕的第一隔板件11A的最外周的周长除以电极节距L，计算用于使第一位置偏移量为0的校正次数。呈辊状卷绕的第一隔膜部件11A的最外周的周长由未图示的周长检测传感器检测。
例如，当第一隔膜部件11A的最外周的周长为408mm，电极间距L为102mm时，校正次数为4(＝408/102)次。
在该情况下，每一次的校正量为第一位置偏移量除以校正次数的值。例如，在第一位置偏移量为1mm且校正次数为4次的情况下，每一次的校正量为0.25(＝1/4)mm。
此外，校正次数和每一次的校正量的设定方法并不限定于上述的方法。
控制部27通过使第一隔膜部件供给部21向Y轴方向仅以每一次的校正量移动，校正第一隔膜部件11A的边缘的位置。通过在每个电极间距L，以校正次数份进行该校正，辊状的第一隔膜部件11A卷出一周的过程中，第一位置偏移量为0。在第一位置偏移量为1mm且校正次数为4次的情况下，对每电极间距L，通过进行四次使第一隔膜部件供给部21向Y轴方向移动0.25mm的校正，校正1mm的位置偏移。
这样，在第一位置偏移量和第二位置偏移量为规定的阈值Th以上的情况下，通过将第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的边缘的位置分多次逐渐校正，能够抑制校正后的边缘的位置超过希望的位置，所谓的过冲的发生。
另外，第一位置偏移量和第二位置偏移量小于规定的阈值Th时，通过将第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的边缘位置进行一次校正，能够迅速地进行位置偏移的校正。
为了形成电极叠层体10，切断部28以切断包括电极12的规定的区域的方式，通过切断刃28a，切断第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A。由此，得到包括第一隔膜11、电极12以及第二隔膜13的电极叠层体10。此外，在由切断部28切断前，可以通过加热同时加压的热压融接的方法粘合被层叠的第一隔膜部件11A、电极12以及第二隔膜部件13A。
制备的电极叠层体10应用在电池的电极体的制作中。即，通过交替层叠制备的电极叠层体10、与电极12极性不同的第二电极14，制作如图5所示的电极体50。该电极体50例如用于锂离子电池等的电池的制造。
本发明并不限定于上述实施方式，在本发明的范围内，能够加入各种应用、变形。
例如，在上述实施方式中，计算由照相机26检测到的规定次数份的实际位置偏移量的平均值，基于计算的位置偏移量的平均值，校正规定的基准位置，但也可以针对每个电极间距L由照相机26检测到的实际的位置偏移量，校正规定的基准位置。
另外，在上述的实施方式中，将第一位置偏移量和第二位置偏移量分别与规定的阈值Th相比较，对应于比较的结果，改变第一位置偏移量和第二位置偏移量的校正方法，但也可以不与规定的阈值Th相比较，以第一位置偏移量和第二位置偏移量分别为0的方式，一次校正第一隔膜部件11A和第二隔膜部件13A的边缘位置。
说明了第一位置偏移量检测传感器22基于第一隔膜部件11A的边缘的位置，检测第一隔膜部件11A的第一位置偏移量，但也可以将第一隔膜部件11A的规定的位置作为基准，检测第一位置偏移量。同样地，第二位置偏移量检测传感器25也可以以第二隔膜部件13A的规定位置为基准，检测第二位置偏移量。
附图标记说明
10 电极叠层体
11 第一隔膜
11A 第一隔膜部件
12 电极
13 第二隔膜
13A 第二隔膜部件
14 第二电极
21 第一隔膜部件供给部
22 第一位置偏移量检测传感器
23 电极供给部
24 第二隔膜部件供给部
25 第二位置偏移量检测传感器
26 照相机(摄像部)
27 控制部
28 切断部
30 输送带
50 电极体。

Claims (4)

1.一种电极叠层体的制造装置，具有在第一隔膜和第二隔膜之间夹持电极的结构，其特征在于，
所述电极叠层体的制造装置具备：输送带，将长条状的第一隔膜部件和长条状的第二隔膜部件向沿所述输送带的长度方向的方向输送；
第一隔膜部件供给部，将所述第一隔膜部件供给至所述输送带上；
第一位置偏移量检测传感器，在相比于所述第一隔膜部件被供给至所述输送带上的位置更靠近前的位置，检测所述第一隔膜部件相对于规定的基准位置的宽度方向上的位置偏移量作为第一位置偏移量，所述宽度方向是与所述长度方向正交的方向；
第一位置偏移校正部，基于所述第一位置偏移量，校正被供给至所述输送带上的所述第一隔膜部件的所述宽度方向上的位置；
电极供给部，通过向规定的电极供给位置供给所述电极，向被供给至所述输送带上的所述第一隔膜部件上供给所述电极；
第二隔膜部件供给部，以在与所述第一隔膜部件之间夹入所述电极的方式，将所述第二隔膜部件供给至所述第一隔膜部件上；
第二位置偏移量检测传感器，在相比于所述第二隔膜部件被供给至所述第一隔膜部件上的位置更靠近前的位置，检测所述第二隔膜部件相对于所述规定的基准位置的所述宽度方向上的位置偏移量作为第二位置偏移量；
第二位置偏移校正部，基于所述第二位置偏移量，校正被供给至所述第一隔膜部件上的所述第二隔膜部件的所述宽度方向上的位置；
摄像部，通过拍摄被供给至所述第一隔膜部件上的所述电极和所述第一隔膜部件，根据与所述电极的位置关系，检测所述第一隔膜部件的所述宽度方向上的实际的位置偏移量；
基准位置校正部，基于所述实际的位置偏移量，校正所述第一位置偏移量检测传感器和所述第二位置偏移量检测传感器作为基准使用的所述规定的基准位置；以及
切断部，为了获得所述电极叠层体，切断所层叠的所述第一隔膜部件和所述第二隔膜部件。
2.根据权利要求1所述的电极叠层体的制造装置，其特征在于，
在所述第一位置偏移量小于规定的阈值的情况下，所述第一位置偏移校正部以所述第一位置偏移量为0的方式，对所述第一隔膜部件的位置进行一次校正；在所述第一位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第一位置偏移校正部以所述第一位置偏移量为0的方式，对所述第一隔膜部件的位置进行多次校正，
在所述第二位置偏移量小于所述规定的阈值的情况下，所述第二位置偏移校正部以所述第二位置偏移量为0的方式，对所述第二隔膜部件的位置进行一次校正；在所述第二位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第二位置偏移校正部以所述第二位置偏移量为0的方式，对所述第二隔膜部件的位置进行多次校正。
3.根据权利要求2所述的电极叠层体的制造装置，其特征在于，
长条状的所述第一隔膜部件呈辊状卷绕在所述第一隔膜部件供给部，
在所述第一位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第一位置偏移校正部经过将呈辊状卷绕的所述第一隔膜部件的最外周的周长除以电极间距而得到的值的次数，对所述第一隔膜部件的位置进行校正，所述电极间距是被供给至所述第一隔膜部件上的所述电极之间的间隔，
长条状的所述第二隔膜部件呈辊状卷绕在所述第二隔膜部件供给部，
在所述第二位置偏移量为所述规定的阈值以上的情况下，所述第二位置偏移校正部经过将呈辊状卷绕的所述第二隔膜部件的最外周的周长除以所述电极间距而得到的值的次数，对所述第二隔膜部件的位置进行校正。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电极叠层体的制造装置，其特征在于，
进一步具备计算部，计算由所述摄像部求得规定次数的所述实际的位置偏移量的平均值，
所述基准位置校正部基于所述实际的位置偏移量的平均值，校正所述规定的基准位置。
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