CN110034038A - 晶片型粒子传感器 - Google Patents
晶片型粒子传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110034038A CN110034038A CN201811246070.XA CN201811246070A CN110034038A CN 110034038 A CN110034038 A CN 110034038A CN 201811246070 A CN201811246070 A CN 201811246070A CN 110034038 A CN110034038 A CN 110034038A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- light
- chip type
- type particle
- external gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011403 purification operation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
本发明设计一种晶片型粒子传感器，包括：传感器外壳，采用晶片形状，在内部空间形成对可供腔室内部的空气即外部气体流入的入口以及位于上述入口的相反一侧的出口进行贯通的外部气体移动路径；发光部，配备于上述内部空间，用于向通过上述外部气体移动路径的上述外部气体照射检查光线；受光部，安装于在上述内部空间的上述外部气体移动路径上形成的受光槽中，用于对因为上述外部气体中所包含的粒子而在上述检查光线上发生散射的散射光线进行接收；以及，控制部，用于以上述散射光线的光量信息为基础生成粒子信息。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶片型粒子传感器。
背景技术
半导体是通过在真空腔室的内部对作为原材料的晶片执行如氧化、光刻、蚀刻、薄膜、离子注入以及金属化等工程而加工生产。
因为经过精细加工处理的晶片可能包括由几十个或几百个集成电路元件构成的回路，所以工程上存在的细微粒子也有可能造成致命性的污染并进一步导致产品的不良。
因此，需要在相应的工程中对如粒子等微粒的存在与否进行监控，并在污染程度加剧时实现向管理人员进行通报，以便于能够快速地针对工程污染采取适当的应对方案。
为了解决如上所述的现有问题，在先行文献即韩国注册专利第10-1388304号(2014年04月16日)“基板型粒子传感器”中公开了一种在基底部的中心配置光源并在光源的周围配置多个光检测部的粒子传感器。借此，能够利用多个光检测部分别对从光源照向前侧方向的光线进行检测，从而借助于当腔室内的空气中有粒子存在时的光检测值的变化而实现对粒子的检测与检查。
但是，因为在如上所述的现有文献中所采用的是在开放的空间中向前侧方向照射光线并利用多个传感器对光线进行检测的结构，因此粒子所造成的多重光线散射现象会导致光检测值的可靠性的下降，因此需要开发出能够更加准确地实现粒子检测的技术。
专利内容
本发明的目的在于提供一种能够更加准确地对晶片腔室内部的污染程度进行检测的晶片型粒子传感器。
为了实现如上所述的课题，适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器，能够包括：传感器外壳，在内部空间形成对可供腔室内部的空气即外部气体流入的入口以及位于上述入口的相反一侧的出口进行贯通的外部气体移动路径；发光部，配备于上述内部空间，用于向通过上述外部气体移动路径的上述外部气体照射检查光线；受光部，安装于在上述内部空间的上述外部气体移动路径上形成的受光槽中，用于对因为上述外部气体中所包含的粒子而在上述检查光线上发生散射的散射光线进行接收；以及，控制部，用于以上述散射光线的光量信息为基础生成粒子信息。
其中，在上述传感器外壳中配备有在水平面上与上述外部气体移动路径形成一个交叉点的直线移动路径即发光路径，上述发光部能够被安装在上述发光路径的一端。
其中，上述受光槽能够形成于上述外部气体移动路径以及上述发光路径的上述交叉点上。
其中，上述发光路径能够通过上述外部气体移动路径被划分成第1发光路径以及第2发光路径。
其中，上述发光部，配置于上述第1发光路径，还能够包括：透镜部，通过安装于上述第1发光路径而对从上述发光部照射出来的上述检查光线进行聚光。
此外，本发明还能够包括：光吸收部，通过安装于上述第2发光路径而对流入到上述第2发光路径中的上述检查光线以及上述散射光线进行吸收。
其中，本发明还能够包括：光反射部，通过安装于上述外部气体移动路径而将上述散射光线反射到上述受光部。
其中，本发明还能够包括：送风部，通过安装于上述入口而对上述外部气体进行吸入。
其中，本发明还能够包括：过滤部，通过安装于上述出口而对在上述外部气体移动路径中移动的上述外部气体进行过滤。
如上所述构成的适用本发明的晶片型粒子传感器，能够通过在对真空腔室内部的外部气体进行吸入并移动到传感器内部同时向所移动的外部气体照射光线并对外部气体中所包含的粒子所导致的散射光线进行收集而更加准确地对粒子的存在与否以及粒子量进行测定。
此外，能够通过在外部气体移动的路径内部安装朝向受光部的反射部而提升散射光线的集中效果。
此外，能够通过对所流入的外部气体进行过滤之后再排出而同时执行粒子检查以及净化作业。
此外，能够通过配备温度测定部、湿度测定部以及气压测定部而对真空腔室内部的环境信息进行测定并将其体现到粒子信息的生成以及校正或作为驱动设备用的信息进行使用。
附图说明
图1是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的驱动原理进行说明的概念图。
图2是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的构成进行说明的斜视图。
图3是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的内部结构以及散射光线L2的检测方法进行说明的正面截面图。
图4是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的电气构成进行说明的块图。
图5是对适用本发明之另一实施例的利用晶片型粒子传感器100的粒子检查方法进行说明的流程图。
【符号说明】
1000：晶片型粒子传感器
250：温度测定部
110：基板外壳
270：湿度测定部
130：传感器外壳
290：气压测定部
150：送风部
310：电源供应部
170：发光部
330：内存部
180：透镜部
350：通信部
190：受光部
370：控制部
210：光吸收部
240：过滤部
C：真空腔室
A：外部气体
P：粒子
具体实施方式
接下来，将结合附图对适用本发明之较佳实施例的晶片型粒子传感器进行详细的说明。在本说明书中，即使是对不同实施例中的相同或类似的构成要素也分配了相同或类似的参考编号，并对重复的说明内容进行省略。
图1是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的驱动原理进行说明的概念图。
如图所示，真空腔室C是用于对晶片进行加工的工程手段，在其内部安装有用于对晶片进行支撑的晶片支撑部E。在将晶片安置到晶片支撑部E中之后，能够按照事先设定的工程流程执行如蚀刻、蒸镀等工程。
为了将产品的不良率最小化，需要将如上所述的真空腔室C的内部空间中的污染物质的存在最小化并对污染物质的存在与否进行检测。
污染物质大体上包括如灰尘(Dust)等粒子体，而在本发明中将上述污染物质统称为粒子(P：Particle)。
为了对真空腔室C内部的粒子P的存在以及粒子量进行检测，如图1所示，能够将晶片型粒子传感器100安置到晶片支撑部E中。晶片型粒子传感器100，能够以大体上与晶片形状类似的基板型形成。在将晶片型粒子传感器100配置到真空腔室C的内部之后，晶片型粒子传感器100能够将存在于真空腔室C内部的外部气体A吸入到自己的内部空间中。上述过程能够通过在晶片型粒子传感器100的一侧形成的入口(图2中的131，以下省略)实现，而所吸入的外部气体能够沿着贯通传感器100内部的移动路径进行移动。
此时，能够在与外部气体A的移动路径交叉的方向上向移动中的外部气体A照射光线。因为光线具有直行性，因此与外部气体A的存在与否无关，光线都将沿着直线方向照射，而当外部气体中有粒子P存在时可能会与所照射的光线发生碰撞。与粒子P发生碰撞的一部分光线会根据碰撞角度丧失直行性并向其他方向发生散射。
此时，能够在外部气体A的移动路径与光线发生交叉的位置中的一部分区域对发生散射的光线进行收集并利用所收集到的光量信息生成与外部气体A中所包含的粒子P相关的粒子信息。在晶片型粒子传感器100内部完成移动的外部气体A将通过位于入口相反一侧的出口(图2中的133)重新排出到真空腔室C的内部空间而实现循环，此时所排出的外部气体A能够以通过传感器100内部的过滤装置进行过滤的状态排出。
如上所述，晶片型粒子传感器100能够通过对真空腔室C内部的外部气体A的散射光线(图3中的L2)进行测定的方式收集粒子信息。
在上述内容中对晶片型粒子传感器100的简单的工作结构进行了说明。接下来，将结合图2以及图3对晶片型粒子传感器100的详细构成进行说明。
图2是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的构成进行说明的斜视图，图3是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器100的内部结构以及散射光线L2的检测方法进行说明的正面截面图。
如图所示，晶片型粒子传感器100能够包括：基板外壳110、传感器外壳130、送风部150、发光部170、透镜部180、受光部190、光吸收部210、反光部200、过滤部240、温度测定部250、湿度测定部270、气压测定部290、电源供应部310、内存部(图4中的330)、通信部(图4中的350)以及控制部(图4中的370)。
基板外壳110是用于安置到在上述内容中结合图1进行说明的晶片支撑部(图1中的E，以下省略)中的手段，能够以与晶片类似的极板形状形成。为了防止存在于真空腔室(图1中的C，以下省略)内部的物质发生吸附，能够在其表面涂布防吸附成分。
传感器外壳130具有用于将传感器构成配置到内部的内部空间结构，能够以其一侧面可结合到具有晶片形状的基板外壳110的方式形成。在本实施例中以传感器外壳130的形状为圆盘形的情况为例进行了图示，但是其形状并不限定于此，能够根据试验以及工程适用不同的形状。
传感器外壳130能够在其一侧形成可供外部气体A流入的入口131并在入口131的相反一侧形成出口133。此外，在传感器外壳130的内部空间能够形成对入口131以及出口133进行贯通的外部气体移动路径R1。通过上述外部气体移动路径R1，能够使位于真空腔室空间内部的外部气体A沿着传感器外壳130的内部空间进行移动。不仅如此，在传感器外壳130的内部空间还能够包括发光路径R2-1、R2-2以及受光槽135。
发光路径R2-1、R2-2是可供后续说明的发光部170所发射除的检查光线L1移动的路径，如图2所示，能够以在水平面上与外部气体移动路径R1形成一个交叉点的直线移动路径形成。在本实施例中，是以外部气体移动路径R1与发光路径R2-1、R2-2在水平面上形成相互直角相交的交叉点的情况为例进行了图示，但是其交叉角度并不限定于此，还能够采用形成1个交叉点的各种不同的交叉角度。
其中，能够以发光路径R2-1、R2-2与外部气体移动路径R1之间的交叉点为基准分别划分第1发光路径R2-1以及第2发光路径R2-2。
受光槽135能够采用可对后续说明的受光部190进行收容的凹槽结构。上述受光部135能够由在外部气体移动路径R1与发光路径的交叉区域形成的凹槽部构成。借此，收容于受光槽135中的受光部190能够以不暴露于外部气体移动路径R1以及发光路径R2-1、R2-2的状态被配置在与上述多个路径的交叉点相同的位置。在本实施例中，受光槽135以朝向传感器外壳130的底面的方向凹陷形成，但是并不限定于此，也能够以朝向上部面的方向凹陷形成。此外，虽未图示，还能够在传感器外壳130的底面以及上部面分别形成多个并对不同的受光部190分别进行收容。
送风部50是用于将存在于真空腔室空间内部的外部气体A吸入到传感器外壳130的外部气体移动路径R1中的手段。为此，送风部150能够以配置在传感器外壳130的入口131处旋转的方式形成。此时，能够适用如风扇等部件，可以根据控制部370的控制对其旋转速度进行调节。此外，送风部150的旋转方向能够是用于对外部气体进行吸入的正向旋转以及沿着与正向相反的方向旋转的逆向旋转。在本实施例中，送风部150以风扇部件为例进行了图示，但是并不限定于此，能够使用可对外部气体A进行吸入的各种送风手段。
发光部170是用于向流入到外部气体移动路径R1中的外部气体A照射检查光线L1的手段，能够被安装在发光路径R2-1、R2-2，在本实施例中能够被安装在第1发光路径R2-1。发光部170能够适用各种不同的光源，较佳地能够适用400至800nm波长范围的激光二极管(Laser Diode)。在如上所述的发光部170被配置于第1发光路径R2-1的情况下，在照射检查光线L1时能够经过与外部气体移动路径R1的交叉点以直线方式照射到第2发光路径R2-2。
透镜部180是用于对从发光部170照射出来的检查光线L 1进行集光的手段，能够被配置在第1发光路径R2-1中发光部170与外部气体移动路径R1之间。透镜部180用于提升集光效率，能够由多个形成。在本实施例中，能够将第1透镜181、第2透镜183以及第3透镜185从距离发光部170较近的区域开始依次安装。第1透镜181以及第2透镜183用于对从发光部170照射出来的检查光线L1进行准直，第3透镜185由聚焦透镜构成，用于将经过准直的检查光线L1向与外部气体移动路径R1的交叉点中心部进行聚光。借此，照射到外部气体A中的检查光线L1能够是被聚光之后的光线。
如上所述的镜头部180，能够由第1镜头181、第2镜头183以及第3镜头185整合形成的镜头总成构成。在如上所述的情况下，能够将上述镜头总成整体依次配置在整合外壳的内部并将其以可拆装的方式安装到第1发光路径R2-1。
受光部190是用于对当检查光线L1与外部气体A中所包含的粒子P发生冲突时发生散射的散射光线L2进行接收的手段。因此，受光部190能够被配置在外部气体移动路径R1以及发光路径R2-1、R2-2的交叉点即受光槽135中。此时，因为受光槽135是以凹陷的凹槽部形成，因此受光部190能够在位于外部气体A以及检查光线L2的移动路径的下部且不与其发生直接接触的状态下仅对散射光线L2进行检测并生成与其相关的光量信息。
反光部200如图3所示，是用于将散射光线L2聚光到受光部190中的手段，能够位于与受光槽135对应的上侧面。如上所述的反光部200，能够通过配备曲面形态的反射面而将散射光线L2聚光到受光部190中。反光部200的形状以及位置并不受到任何限定，能够采用可将散射光线L2聚光到受光部中的各种形态或配置位置。
光吸收部210是用于对从发光部170照射出来的检查光线L1进行吸收的手段，能够被配置在安装发光部170的第1发光路径R2-1的相反一侧即第2发光路径R2-2中。换言之，光吸收部210能够在检查光线L1经过外部气体移动路径R1并流入到第2发光路径R2-2时对其进行吸收。这是用于防止除因为外部气体A与检查光线L1之间的冲突而导致的散射光线L2之外的其他散射光线L2发生的手段。为此，光吸收部210能够以薄膜或其他的形态形成并被附着、涂层以及填充到第2发光路径R2-2中。作为光吸收部210的成分，能够包括钙钛矿(Perovskie)以及碳纳米管(Carbon Nano Tube)中的至少一种成分，除此之外还能够包括可对光线进行吸收的各种成分。
过滤部240是用于对已在外部气体移动路径R1中移动的外部气体A中所包含的粒子P进行去除的手段，能够被配置在出口133区域。过滤部240能够适用蜂窝结构的碳过滤器或高效空气过滤器，为了提升过滤效率能够采用多个过滤器重叠的结构。此外，能够通过利用电过滤器构成而借助于静电效果实现集尘，也能够同时适用一般过滤器以及电过滤器。
其中，虽然在本实施例中没有进行图示，但是在传感器外壳130的出口133还能够额外安装用于流畅地对外部气体进行排出的与入口131相同的送风部150。
温度测定部250是用于对外部气体A的温度变化进行检测并生成与其相关的温度信息的手段，如图所示，能够被安装于外部气体移动路径R1的一侧，也能够被安装于基板外壳110或传感器外壳130的外侧面。
湿度测定部270是用于对外部气体A的湿度变化进行检测并生成与其相关的湿度信息的手段，如图所示，能够被安装于外部气体移动路径R1的一侧，也能够被安装于基板外壳110或传感器外壳130的外侧面。
气压测定部290是用于对真空腔室内部的气压变化进行检测并生成与其相关的气压信息的手段，能够被选择性地安装在基板外壳110或传感器外壳130中的某一个位置。
电源供应部310是用于向需要电源的各个构成供应电源的手段，能够由可拆装的可更换电池构成或通过与真空腔室一侧的有线连接而接收从真空腔室传递过来的电力。
内存部330是用于对受光部190以及各个测定部中所生成的数据信息进行保存的手段。
通信部350是用于将上述数据信息传送到外部终端或接收外部终端的控制信号的手段，能够采用无线或有线构成。
控制部370是用于对上述构成的动作进行控制的手段，当从受光部190接收到与散射光线L2的检测相关的光量信息时，能够以此为基础生成与外部气体中所包含的粒子P的程度相关的粒子信息并通过通信部350将其传送到外部终端。
如上所述的电源供应部310、内存部330、通信部350以及控制部370虽然并没有在本实施例中具体进行图示，但是能够以与PCB基板整合成同一个结构并安装到传感器外壳130的内部或外部中的一部分区域，从而与其他构成电气连接。
在上述内容中对晶片型粒子传感器100的详细构成进行了说明。接下来，将结合图3以及图4对晶片型粒子传感器100的工作方法进行详细的说明。
图4是对适用本发明之一实施例的晶片型粒子传感器的电气构成进行说明的块图，图5是对适用本发明之另一实施例的利用晶片型粒子传感器的粒子检查方法进行说明的流程图。因为与已经在上述内容中结合图1至图3进行说明的晶片型粒子传感器的结构相同，所以将对所对应的附图编号进行省略。
接下来，将结合附图对晶片型粒子传感器的整体工作方法依次进行说明。
首先，能够为晶片型粒子传感器设定基准值。基准值能够是与真空腔室的外部气体中所包含的粒子所导致的散射光线的光量信息相关的基准值。此时，能够以上述基准值为基准对外部气体的粒子含量进行比较计算。
在对初始的基准值进行设定时，能够使用多种不同的方法。
通常，能够将事先通过试验设定的基准值信息保存到内存部中，或在实际的使用环境中实时地生成基准值。基准值的生成方法如下所述。
首先，能够在将晶片型粒子传感器配置到真空腔室之前从真空腔室的外部对发光部进行驱动并照射检查光线，然后将此时通过受光部检测到的散射光线的光量信息设定为基准值。
或者，能够在将晶片型粒子传感器配置到真空腔室的内部之后在不对送风部进行驱动的状态下通过受光部对散射光线的光量信息进行收集并将其设定为基准值。
不仅如此，也能够在将存在于晶片型粒子传感器内部的原有的粒子尽可能地排出到外部的状态下对基准值进行设定。为此，能够使送风部执行逆向旋转而非原有的正向旋转，并借此通过安装有过滤部的出口对外部气体进行吸入并将此时从受光部检测到的光量信息设定为基准值。进而，还能够在传感器外壳的入口安装可开闭的开闭部并通过在开闭入口的状态下使送风部正向旋转而将存在于内部的粒子排出到外部之后，将此时所检测到的光量信息设定为基准值。
基准值能够通过如上所述的多种方法进行设定，具体可以根据试验以及工程条件进行选择。
在完成基准值的设定之后，能够将晶片型粒子传感器配置到真空腔室的内部。在真空腔室的内部，能够借助于晶片支撑部实现水平安装。
接下来，当在真空腔室封闭的状态下接收到检查开始信号时，控制部能够通过对送风部进行驱动而使真空腔室内部的外部气体流入到位于传感器外壳内部空间的外部气体移动路径中。
在外部气体流入到外部气体移动路径中之后，控制部能够通过对发光部进行控制而使其开始照射检查光线。从配置于在水平面上与外部气体移动路径形成一个交叉点的发光路径上的发光部照射出来的检查光线，能够通过透镜部以聚光的状态照射。
以聚光的状态照射的检查光线会在外部气体移动路径与发光路径的交叉点上与外部气体发生接触并透过。此时，如果外部气体中包含有粒子，则会因为检查光线与粒子之间发生碰撞而导致检查光线转换成向与原有的直线方向不同的方向发生散射的散射光线。发生散射的散射光线中的一部分，能够被位于与交叉点连通形成的受光槽中的受光部接收。此外，散射光线中的一部分还能够向外部气体移动路径发生散射。如上所述的散射光线，能够被配置于外部气体移动路径上的反射部反射并聚光到受光部中。
透过外部气体之后的检查光线能够移动到与安装有发光部的第1发光路径相反一侧的第2发光路径。在第2发光路径中，能够配置利用光吸收物质进行填充或涂布的光吸收部。借此，流入到第2发光路径中的检查光线能够在没有反射或散射的状态下被光吸收部吸收并消失。
受光部能够接收散射光线并生成光量信息。所生成的光量信息将被传递到控制部，控制部能够通过对受光部的光量信息和基准值进行比较而生成与粒子的包含程度相关的粒子信息。
接下来，控制部能够通过通信部将粒子信息传送到位于外部的管理者的外部终端以便其对检查结果进行确认。
虽然并没有在本实施例中具体进行图示，但是受光部能够由配置在相互对称的位置上的第1受光部以及第2受光部构成。换言之，第1受光部能够被配置在向传感器外壳的底面凹陷的第1受光槽中，而第2受光部能够被配置在与第1受光槽相向形成的第2受光槽中。在如上所述的情况下，第1受光部以及第2受光部能够分别对散射光线进行接收，控制部能够以在第1受光部以及第2受光部中分别收集到的散射光线信息即第1光量信息以及第2光量信息的平均值为基础生成粒子信息。
此外，控制部能够对安装在晶片型粒子传感器中的用于对各种环境信息进行收集的测定部的数据信息进行接收。
温度测定部能够收集传感器外壳内部的温度信息，湿度测定部能够收集传感器外壳内部的湿度信息，气压测定部能够接收真空腔室内部的气压信息，并分别将所接收到的信息传递到控制部。控制部能够以所接收到的各种环境信息(温度、湿度、气压)作为参考，将其适用于粒子信息的生成或将其传送到外部终端。
不仅如此，虽然在上述的实施例中并没有具体进行记载，但是晶片型粒子传感器还能够包括用于对与传感器的当前状态相关的状态信息进行输出的警报部。警报部能够包括用于发出警报光线的警报光线发光部、用于输出如提示语音等声音信息的扬声器部。借此，控制部能够在判定出各个测定部所测定到的测定值超出基准值的故障、危险等状况时，通过对警报部进行驱动而借助于位于真空腔室外部的视觉以及听觉措施使管理人员及时了解掌握。
借助于如上所述的晶片型粒子传感器，能够更加准确地检测出与真空腔室内部的粒子包含程度相关的粒子信息。
如上所述的晶片型粒子传感器，并不限定于在上述内容中进行说明的实施例的构成以及工作方式。上述实施例还能够通过对各个实施例中的全部或一部分进行选择性组合而进行各种变形。
Claims (9)
1.一种晶片型粒子传感器，其特征在于，包括：
传感器外壳，在内部空间形成对可供腔室内部的空气即外部气体流入的入口以及位于上述入口的相反一侧的出口进行贯通的外部气体移动路径；
发光部，配备于上述内部空间，用于向通过上述外部气体移动路径的上述外部气体照射检查光线；
受光部，安装于在上述内部空间的上述外部气体移动路径上形成的受光槽中，用于对因为上述外部气体中所包含的粒子而在上述检查光线上发生散射的散射光线进行接收；以及，
控制部，用于以上述散射光线的光量信息为基础生成粒子信息。
2.根据权利要求1所述的晶片型粒子传感器，其特征在于：
上述传感器外壳，
配备有在水平面上与上述外部气体移动路径形成一个交叉点的直线移动路径即发光路径，
上述发光部，
被安装在上述发光路径的一端。
3.根据权利要求2所述的晶片型粒子传感器，其特征在于：
上述受光槽，
形成于上述外部气体移动路径以及上述发光路径的上述交叉点上。
4.根据权利要求2所述的晶片型粒子传感器，其特征在于：
上述发光路径，
通过上述外部气体移动路径被划分成第1发光路径以及第2发光路径。
5.根据权利要求4所述的晶片型粒子传感器，其特征在于：
上述发光部，
配置于上述第1发光路径，
还包括：透镜部，通过安装于上述第1发光路径而对从上述发光部照射出来的上述检查光线进行聚光。
6.根据权利要求4所述的晶片型粒子传感器，其特征在于，还包括：
光吸收部，通过安装于上述第2发光路径而对流入到上述第2发光路径中的上述检查光线以及上述散射光线进行吸收。
7.根据权利要求1所述的晶片型粒子传感器，其特征在于，还包括：
反光部，通过安装于与上述受光槽对应的位置而将上述散射光线反射到上述受光部。
8.根据权利要求1所述的晶片型粒子传感器，其特征在于，还包括：
送风部，通过安装于上述入口而对上述外部气体进行吸入。
9.根据权利要求2所述的晶片型粒子传感器，其特征在于，还包括：
过滤部，通过安装于上述出口而对在上述外部气体移动路径中移动的上述外部气体进行过滤。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180004594A KR102065671B1 (ko) | 2018-01-12 | 2018-01-12 | 웨이퍼형 파티클 센서 |
| KR10-2018-0004594 | 2018-01-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110034038A true CN110034038A (zh) | 2019-07-19 |
Family
ID=67234983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811246070.XA Pending CN110034038A (zh) | 2018-01-12 | 2018-10-25 | 晶片型粒子传感器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102065671B1 (zh) |
| CN (1) | CN110034038A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022030843A1 (ko) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 주식회사 공감센서 | 광산란 미세먼지 측정장치 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862136A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sharp Corp | 光電式煙感知器 |
| JP2006208254A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Amano Corp | 粉塵濃度検出装置 |
| KR101154236B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2012-06-18 | (주)랩코 | 슬림형 공기중 부유입자 측정센서 |
| CN103575624A (zh) * | 2012-08-06 | 2014-02-12 | 金济远 | 光学粒子测量装置 |
| JP2014219264A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 神栄テクノロジー株式会社 | 粒子測定装置 |
| CN204302153U (zh) * | 2014-10-20 | 2015-04-29 | 崔海林 | 颗粒物传感器 |
| CN106404618A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 粒子检测传感器 |
| CN206339466U (zh) * | 2016-03-25 | 2017-07-18 | 现代自动车株式会社 | 车辆粉尘传感器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159135A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-18 | Canon Inc | 粒子解析装置 |
| JPH05312712A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 微細粒子測定方法及び微細粒子測定装置 |
| JP6117093B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-04-19 | アズビル株式会社 | 粒子検出装置及び粒子の検出方法 |
| KR101932446B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2019-03-20 | 케이앤제이엔지니어링 주식회사 | 지하철 미세먼지 모니터링 방법 |
-
2018
- 2018-01-12 KR KR1020180004594A patent/KR102065671B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-25 CN CN201811246070.XA patent/CN110034038A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862136A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sharp Corp | 光電式煙感知器 |
| JP2006208254A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Amano Corp | 粉塵濃度検出装置 |
| KR101154236B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2012-06-18 | (주)랩코 | 슬림형 공기중 부유입자 측정센서 |
| CN103575624A (zh) * | 2012-08-06 | 2014-02-12 | 金济远 | 光学粒子测量装置 |
| JP2014219264A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 神栄テクノロジー株式会社 | 粒子測定装置 |
| CN204302153U (zh) * | 2014-10-20 | 2015-04-29 | 崔海林 | 颗粒物传感器 |
| CN106404618A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 粒子检测传感器 |
| CN206339466U (zh) * | 2016-03-25 | 2017-07-18 | 现代自动车株式会社 | 车辆粉尘传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190086272A (ko) | 2019-07-22 |
| KR102065671B1 (ko) | 2020-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106066294B (zh) | 颗粒传感器设备 | |
| KR101264075B1 (ko) | 광학 입자 측정 장치 | |
| JP4690789B2 (ja) | 大気中微粒子測定装置 | |
| CN110325844A (zh) | 用于监测空气颗粒物的系统和方法 | |
| JP6455470B2 (ja) | 粒子センサ、及びそれを備えた電子機器 | |
| US9612200B2 (en) | Particle detector | |
| CN105136637A (zh) | 用于检测空气中的颗粒物的传感器及其制造方法 | |
| JP2017026545A (ja) | 粒子検出センサ | |
| JP2012189483A (ja) | 粒子測定装置 | |
| JP3720799B2 (ja) | 花粉センサ | |
| CN110034038A (zh) | 晶片型粒子传感器 | |
| WO2020175070A1 (ja) | 散乱体測定方法及び散乱体測定装置 | |
| KR20190084537A (ko) | 먼지 측정 장치 | |
| KR102077724B1 (ko) | 미세먼지 측정장치 | |
| US20150001405A1 (en) | Particle detector and air conditioner | |
| KR20180076195A (ko) | 초미세먼지 측정장치 | |
| JP5925519B2 (ja) | 粒子検出装置 | |
| WO2013035405A1 (ja) | 粒子検出装置 | |
| WO2006106966A1 (ja) | 光測定装置 | |
| CN205038126U (zh) | 用于检测空气中的颗粒物的传感器及检测设备 | |
| JP2008039735A (ja) | 粒子計測装置 | |
| JP3874752B2 (ja) | 手持ち型粒子可視化装置 | |
| WO2021057792A1 (zh) | 一种颗粒物传感器和汽车空调总成 | |
| JP2015148444A (ja) | 医薬品の模擬粉体の飛散性評価方法、蛍光粒子の検出方法、及び蛍光粒子の検出装置 | |
| JPH09113436A (ja) | 粒子検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant after: Airframe Esme Co.,Ltd. Address before: Kwangju, South Korea Applicant before: Airframe Esme Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190719 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |