CN110010522A - 分割装置 - Google Patents

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Abstract

提供分割装置，能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。分割装置具有：框架固定部(40)，其固定被加工物单元(9)的环状框架(8)；片材扩展单元，其在与被加工物(1)垂直的方向上按压扩展片(7)的环状区域(101)而使扩展片(7)扩展，从而使被加工物(1)断裂；加热单元(60)，其对扩展后的扩展片(7)的环状区域(101)进行加热而使该环状区域收缩；气体提供单元(70)，其在扩展片(7)的加热期间利用向被加工物(1)的正面提供的提供气体(150)来覆盖被加工物(1)的正面，将被加工物(1)与从扩展片(7)产生的产生气体(160)隔离；以及吸引排气单元(80)，其在被加工物(1)的外周对产生气体(160)和提供气体(150)进行吸引而排出。

Description

分割装置
技术领域
本发明涉及将被加工物分割成各个芯片的分割装置。
背景技术
通常，公知有如下的加工方法：向在正面形成有器件的被加工物(晶片)照射激光光线，沿着分割预定线在内部形成改质层，通过对粘贴有被加工物的扩展片(划片带)进行扩展而以改质层为断裂基点分割成各个芯片。在这种加工方法中，由于对晶片的外周的扩展片进行扩展，因此在扩展后扩展片变得松弛，扩展后的芯片间隔逐渐变窄，在搬送时扩展片摇晃而使芯片彼此摩擦，从而成为缺损的原因。因此，开发出了对因扩展而松弛的扩展片进行加热而使扩展片收缩的加工技术和分割装置(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特许第5791866号公报
但是，在现有的方法中，因加热扩展片而导致从扩展片产生气体，该产生气体的成分有可能附着于被加工物(各芯片)的正面。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面的分割装置。
为了解决上述课题并达成目的，本发明为分割装置，其对由板状的被加工物、扩展片和环状框架构成的被加工物单元的该扩展片进行扩展而使该被加工物断裂，该被加工物沿着分割预定线形成有分割起点，该扩展片粘贴着该被加工物，该环状框架粘贴着该扩展片的外周，其中，该分割装置具有：框架固定部，其固定该被加工物单元的该环状框架；片材扩展单元，其在与该被加工物垂直的方向上对该被加工物的外周与该环状框架的内周之间的该扩展片的环状区域进行按压而使该扩展片扩展，从而使该被加工物从该分割起点断裂；加热单元，其具有加热部，该加热部对该扩展后的该扩展片的该环状区域进行加热而使该环状区域收缩；气体提供单元，其在该扩展片的加热期间向该被加工物的正面提供气体，利用该提供气体来覆盖该被加工物的正面，将该被加工物与从该扩展片产生的产生气体隔离；以及吸引排气单元，其在该被加工物的外周对该产生气体和该提供气体进行吸引而排出。
根据该结构，具有：气体提供单元，其在扩展片的加热期间向被加工物的正面提供气体，利用该提供气体来覆盖被加工物的正面，将被加工物与从扩展片产生的产生气体隔离；以及吸引排气单元，其在被加工物的外周对产生气体和提供气体进行吸引而排出，因此能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。
在该结构中，该吸引排气单元的吸气口也可以配置为与该环状区域对置并与该加热部相邻。根据该结构，由于加热部的加热而产生的产生气体通过与加热部相邻的吸气口而被快速吸引，因此能够有效地抑制该产生气体的成分附着于被加工物的正面。
根据本发明，具有：气体提供单元，其在扩展片的加热期间向被加工物的正面提供气体，利用该提供气体来覆盖被加工物的正面，将被加工物与从扩展片产生的产生气体隔离；以及吸引排气单元，其在被加工物的外周对产生气体和提供气体进行吸引而排出，因此能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。
附图说明
图1是示出作为本实施方式的分割装置的加工对象的被加工物的一例的立体图。
图2是示出具有图1所示的被加工物的被加工物单元的一例的立体图。
图3是示出本实施方式的分割装置的结构例的立体图。
图4是示出分割装置的结构例的剖视示意图。
图5是示出加热单元的加热部和吸引排气单元的排气部的配置结构例的立体图。
图6是示出使片材扩展单元上升而使扩展片扩展的状态的分割装置的剖视示意图。
图7是示出在使扩展片扩展后使片材扩展单元下降的状态的分割装置的剖视示意图。
图8是示出对扩展片的环状区域进行加热而使其收缩的状态的分割装置的剖视示意图。
标号说明
1：被加工物；3：分割预定线；5：正面；7：扩展片；8：环状框架；9：被加工物单元；10：分割装置；20：腔室；30：保持工作台；40：框架固定部；50：片材扩展单元；60：加热单元；62：加热部；70：气体提供单元；71：喷射口；80：吸引排气单元；81：排气块；811：吸气口；90：辅助吸引排气单元；91：排气筒；96：控制单元；100：改质层(分割起点)；101：环状区域；110：芯片；111：间隔；150：提供气体；160：产生气体。
具体实施方式
一边参照附图一边对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明不限定于以下的实施方式所记载的内容。另外，在以下所记载的构成要素中，包含本领域技术人员能够容易想到的方式和实质上相同的方式。并且，以下所记载的结构能够适当组合。另外，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行结构的各种省略、置换或者变更。
根据附图对本实施方式的分割装置进行说明。图1是示出作为本实施方式的分割装置的加工对象的被加工物的一例的立体图。图2是示出具有图1所示的被加工物的被加工物单元的一例的立体图。图3是示出本实施方式的分割装置的结构例的立体图。图4是示出分割装置的结构例的剖视示意图。图5是示出加热单元的加热部和吸引排气单元的排气部的配置结构例的立体图。
在本实施方式中，图1所示的被加工物1被分割加工为各个芯片。被加工物1是以硅、蓝宝石、砷化镓或者SiC(碳化硅)等作为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，被加工物1在正面5的由互相交叉的多个分割预定线3划分出的各个区域内分别形成有器件4。被加工物1在正面5的背面侧的背面6上粘贴有扩展片7，在扩展片7的外周粘贴有环状框架8，从背面6侧沿着分割预定线3照射对于基板2具有透过性的波长的激光光线，在基板2的内部形成沿着分割预定线3的作为分割起点的改质层100(在图2中以虚线示出)。另外，改质层100是指密度、折射率、机械强度和其他物理特性变成与周围不同的状态的区域，能够例示出熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及混合这些区域的区域等。另外，在本实施方式中，形成改质层100来作为分割起点，但也可以代替改质层100而形成激光加工槽或切削槽等。
如图2所示，沿着分割预定线3形成有改质层100的被加工物1、粘贴于被加工物1的背面6的扩展片7以及粘贴着扩展片7的外周的环状框架8构成了被加工物单元9。即，被加工物单元9由被加工物1、扩展片7和环状框架8构成。另外，扩展片7由具有伸缩性的树脂构成，具有当加热时收缩的热收缩性。
本实施方式的分割装置10是将形成有改质层100的被加工物1沿着分割预定线3分割成各个器件芯片(芯片)的装置。如图3所示，分割装置10具有腔室20、保持工作台30、框架固定部40、片材扩展单元50、加热单元60、气体提供单元70、吸引排气单元80以及控制单元96。
腔室20形成为上部开口的箱状。腔室20收纳有保持工作台30、框架固定部40的框架载置板41以及片材扩展单元50。
保持工作台30具有保持面31，该保持面隔着扩展片7对被加工物单元9的被加工物1进行吸引保持。保持工作台30呈圆板形状，具有：圆板状的框体32，其由不锈钢等金属构成；以及圆板状的吸附部33，其由多孔陶瓷等多孔质材料构成，并且被框体32围绕。框体32和吸附部33的上表面配置在同一平面上，构成了吸引保持被加工物1的保持面31。吸附部33与被加工物1大致同径。在本实施方式中，被加工物单元9以吸附于搬送单元95的状态被搬送至保持工作台30。
如图4所示，在保持工作台30的保持面31上隔着被加工物单元9的扩展片7来载置被加工物1的背面6侧。吸附部33与真空吸引源34连接，利用真空吸引源34使吸附部33进行吸附，由此，保持工作台30能够将被加工物1的背面6侧吸引保持于保持面31。
框架固定部40对被加工物单元9的环状框架8进行固定。框架固定部40具有框架载置板41和框架按压板42。如图3所示，框架载置板41设置有平面形状为圆形的开口部411，并且形成为上表面412与水平方向平行地平坦形成的板状。框架载置板41的开口部411的内径形成为比环状框架8的内径稍大。框架载置板41在开口部411内配置保持工作台30，并且开口部411与保持工作台30同轴配置。另外，框架载置板41在四个角处安装有气缸43的活塞杆431，配置为通过使活塞杆431伸缩而升降自如。框架载置板41设置有定心引导件44，该定心引导件44在上表面412的四个角处被设置为沿水平方向移动自如，并且通过沿着水平方向进行移动来调整环状框架8的位置，从而将被加工物1定位于与保持工作台30的吸附部33同轴的位置。
框架按压板42形成为与框架载置板41大致相同尺寸的板状，在中央设置有与开口部411相同尺寸的圆形的开口部421。框架按压板42安装于气缸45的活塞杆451的前端，通过使活塞杆451伸缩而在框架载置板41的上方的位置和从框架载置板41的上方退避后的位置的整个范围内移动自如。框架按压板42在四个角处设置有能够供定心引导件44进入的长孔422。
在框架按压板42被定位在从框架载置板41的上方退避后的位置并且定心引导件44彼此互相远离的状态下，框架固定部40在框架载置板41的上表面412上载置通过搬送单元95搬送来的被加工物单元9的环状框架8。框架固定部40使定心引导件44彼此接近而对被加工物单元9的被加工物1进行定位。框架固定部40将框架按压板42定位于框架载置板41的上方，使气缸43的活塞杆431伸长而使框架载置板41上升。由此，如图4所示，被加工物单元9的环状框架8被夹在框架载置板41与框架按压板42之间而固定。
片材扩展单元50使保持工作台30和框架固定部40沿着铅直方向的轴心向互相分开的位置相对移动，从而使扩展片7扩展。片材扩展单元50具有上推部件51和升降单元52。
上推部件51形成为圆筒状，并且形成为外径比载置于框架载置板41的上表面412的环状框架8的内径小，内径比粘贴于扩展片7的被加工物1和保持工作台30的外径大。上推部件51在内侧配置保持工作台30，并且与保持工作台30同轴配置。在上推部件51的上端以旋转自如的方式安装有滚子部件511(在图4等中示出)，该滚子部件511与保持工作台30的保持面31配置在同一平面上。
如图4所示，升降单元52具有使上推部件51升降的上推部件升降机构52A和使保持工作台30升降的保持工作台升降机构52B。上推部件升降机构52A具有两个气缸套520和贯穿插入于该气缸套520的活塞杆521，在活塞杆521的上端部固定有上推部件51。上推部件51的高度位置通过该两个上推部件升降机构52A来调节。另外，保持工作台升降机构52B具有两个气缸套525和贯穿插入于该气缸套525的活塞杆526，在活塞杆526的上端部固定有保持工作台30。保持工作台30的高度位置通过该两个保持工作台升降机构52B来调节。在本实施方式中，通过上推部件升降机构52A和保持工作台升降机构52B的调整，能够与保持工作台30一体地或者独立地对上推部件51的高度位置进行调整。
从保持面31和安装于上推部件51的上端的滚子部件511位于与框架载置板41的上表面412相同的平面上的状态起，通过升降单元52(上推部件升降机构52A和保持工作台升降机构52B)使上推部件51与保持工作台30一体地上升，由此，片材扩展单元50使扩展片7沿着面方向进行扩展。
加热单元60对作为扩展后的扩展片7的环状框架8的内周的内缘与作为被加工物1的外周的外缘之间的环状区域101(在图2和图4中示出)进行加热而使其收缩。加热单元60具有圆板状的单元主体61和安装于单元主体61的多个加热部62。
单元主体61配置于保持工作台30的上方并且与保持工作台30同轴配置。单元主体61具有：支承轴611，其在中央部沿着铅直方向延伸；以及多个开口部612，它们在单元主体61的外缘部沿周向等间隔地形成。另外，单元主体61通过未图示的移动单元被设置为升降自如，并且被设置为绕与铅直方向平行的轴心旋转自如。
加热部62配置在形成于单元主体61的外缘部的开口部612内。加热部62配置在与保持于保持工作台30和框架固定部40的被加工物单元9的扩展片7的环状区域101沿铅直方向对置的位置。在本实施方式中，设置有4个加热部62(开口部612)，但在本发明中不限定于4个。加热部62是向下方照射红外线而对扩展片7的环状区域101进行加热的形式(例如是当施加电压时进行加热而射出红外线的红外线陶瓷加热器)。另外，加热部62能够在开口部612内沿着单元主体61的半径方向和铅直方向分别独立移动。
在加热部62对扩展片7的环状区域101进行加热的期间，气体提供单元70向被加工物1的正面5提供气体(例如空气；提供气体)，从而利用该气体来覆盖被加工物1的正面5。这里，在加热部62对扩展片7的环状区域101进行加热时，有时由于挥发等而从扩展片7产生气体(产生气体)。如果该产生气体滞留在被加工物1上，则该产生气体的成分有可能附着于被加工物1的正面(器件)。因此，气体提供单元70利用所提供的气体来覆盖被加工物1的正面5，从而将被加工物1与在加热扩展片7时产生的产生气体隔离。气体提供单元70具有：喷射口71，其形成在加热单元60的单元主体61的中央，朝向被加工物1喷射气体；提供路72，其形成于支承轴611的内部并与该喷射口71连通；阀73，其与该提供路72连接；以及气体提供源74。在对扩展片7的环状区域101进行加热时，将阀73打开而使从气体提供源74提供的气体从喷射口71喷射。由此，在被加工物1的上方形成气流(空气层)而将被加工物1的正面5覆盖。
吸引排气单元80在被加工物1的外周侧对气体提供单元70所提供的气体和加热扩展片7时产生的产生气体进行吸引而排出。吸引排气单元80具有排气块(排气部)81、与该排气块81连结的排气路82以及与该排气路82连接的吸引源83。在本实施方式中，如图5所示，两个排气块81隔着加热部62配置，在各排气块81的下表面形成有吸气口811。由于该吸气口811配置为与扩展片7的环状区域101对置并与加热部62相邻，因此因加热部62的加热而产生的产生气体能够通过与加热部62相邻的吸气口811被快速地吸引而排出。另外，排气块81与加热部62连结，与加热部62一起在开口部612内沿着单元主体61的半径方向和铅直方向分别移动。
另外，在本实施方式中，除了吸引排气单元80之外，分割装置10还具有辅助吸引排气单元90。该辅助吸引排气单元90设置于比吸引排气单元80向外周侧远离被加工物1的位置，对不能被吸引排气单元80吸引的产生气体进行吸引而排出。辅助吸引排气单元90例如具有：多个排气筒91，它们形成为圆筒状，在框架载置板41的外侧沿周向等间隔地配置；排气路92，其与该排气筒91连结；以及吸引源93，其与该排气路92连接。排气筒91分别朝向框架载置板41形成有吸气口911。在本实施方式中，采用了在腔室20的外侧设置两个排气筒91并在腔室20的内侧设置两个排气筒91的结构，但排气筒91的形状和数量不限定于上述结构。通过设置该辅助吸引排气单元90，例如即使在上述的产生气体进入到腔室20内的情况下，由于通过排气筒91对该产生气体进行吸引而排出，因此能够抑制产生气体的成分附着于腔室20内和腔室20外的各部位。
控制单元96对分割装置10的上述构成要素(即，片材扩展单元50、加热单元60、气体提供单元70、吸引排气单元80以及辅助吸引排气单元90等)分别进行控制，使分割装置10对被加工物1实施加工动作。另外，控制单元96是计算机。控制单元96与未图示的显示单元和未图示的输入单元连接，其中，该显示单元由显示加工动作的状态和图像等的液晶显示装置等构成，该输入单元在操作员对加工内容信息等进行登记时使用。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
接着，对本实施方式的分割装置10的动作进行说明。首先，如图4所示，将被加工物单元9的被加工物1隔着扩展片7载置于保持工作台30的保持面31，利用框架固定部40将环状框架8固定。在将框架固定部40的框架按压板42定位于退避位置并且使气缸43的活塞杆431缩小而将框架载置板41的上表面412定位于比保持面31靠下方的位置的状态下，控制单元96使搬送单元95(参照图3)将形成有沿着分割预定线3的改质层100的被加工物单元9搬送至保持工作台30的上方。然后，将被加工物1的背面6隔着扩展片7载置于保持面31。
控制单元96使气缸45的活塞杆451伸长而将框架按压板42定位于框架载置板41的上方。使气缸43的活塞杆431伸长而使框架载置板41上升。由此，被加工物单元9的环状框架8被夹持在框架载置板41与框架按压板42之间。
接着，控制单元96使框架固定部40的定心引导件44彼此接近而将被加工物单元9的被加工物1定位，将被加工物单元9的环状框架8固定在框架载置板41与框架按压板42之间。在该情况下，当将被加工物单元9的环状框架8固定在框架载置板41与框架按压板42之间时，框架载置板41和保持工作台30位于使上表面412、安装于上推部件51的上端的滚子部件511以及保持面31位于同一平面上的接近位置，从而使上推部件51的滚子部件511与扩展片7的环状区域101抵接。
图6是示出使片材扩展单元上升而使扩展片扩展的状态的分割装置的剖视示意图。图7是示出在使扩展片扩展后使片材扩展单元下降的状态的分割装置的剖视示意图。在将被加工物单元9的环状框架8固定在框架载置板41与框架按压板42之间后，使保持工作台30和框架固定部40在与被加工物1的正面垂直的轴心方向上相对移动，对作为被加工物1的外周的外缘与作为环状框架8的内周的内缘之间的扩展片7的环状区域101进行扩展。即，控制单元96使片材扩展单元50的升降单元52(上推部件升降机构52A和保持工作台升降机构52B)的各活塞杆521、526分别伸长而使上推部件51和保持工作台30的高度位置上升。这样，由于设置于上推部件51的上端的滚子部件511与扩展片7的环状区域101抵接，因此扩展片7沿面方向进行扩展。通过使扩展片7扩展，对扩展片7呈放射状地作用拉伸力。
当以这种方式对粘贴于被加工物1的背面6的扩展片7呈放射状地作用拉伸力时，被加工物1以沿着分割预定线3形成的改质层100(图4)为基点，如图6所示的那样被分割成多个芯片110，并且芯片110之间变宽，在芯片110之间分别形成间隔111。另外，关于扩展片7的环状区域101，在扩展片7进行了扩展时，该环状区域101的截面从环状框架8的下表面朝向滚子部件511的上表面形成为直线状。
接着，控制单元96对真空吸引源34进行驱动而利用真空吸引源34使吸附部33进行吸引，将被加工物1的背面6侧隔着扩展片7吸引保持于保持面31，从而维持芯片110之间的间隔111。然后，在对真空吸引源34进行了驱动的状态下，控制单元96使片材扩展单元50的升降单元52(上推部件升降机构52A和保持工作台升降机构52B)的各活塞杆521、526分别缩短，如图7所示，使上推部件51和保持工作台30下降至与框架载置板41相同的高度位置。在该状态下，如图7所示，由于设置于上推部件51的上端的滚子部件511与扩展片7的环状区域101分离，因此扩展后的扩展片7的环状区域101向上方松弛。
图8是示出对扩展片的环状区域进行加热而使其收缩的状态的分割装置的剖视示意图。接着，对由于扩展而松弛的扩展片7的环状区域101进行加热而使其收缩。如图8所示，控制单元96通过向加热单元60的加热部62施加电压等而从加热部62射出红外线从而加热至规定的温度。然后，使用移动单元(未图示)使加热单元60下降，使加热部62接近环状区域101，并且使加热单元60绕轴心旋转。在本实施方式中，由于在加热单元60的单元主体61上设置有气体提供单元70的喷射口71和吸引排气单元80的排气块81，因此该喷射口71和该排气块81也与加热单元60一同下降。另外，控制单元96打开气体提供单元70的阀73，从喷射口71朝向芯片110(被加工物1)喷射提供气体150，并且使吸引排气单元80的吸引源83进行动作。
由此，通过从与扩展片7的环状区域101对置的加热部62射出的红外线来加热扩展片7的环状区域101，从而能够使该环状区域101的松弛部分收缩。另外，由于从喷射口71朝向芯片110(被加工物1)喷射提供气体150，并且使吸引排气单元80的吸引源83进行动作，因此在被加工物1的上方形成从中央朝向外侧(环状框架8侧)的提供气体150的气流(空气层)。因此，即使因加热而导致从扩展片7产生了产生气体160，由于该产生气体160与提供气体150一同通过形成于吸引排气单元80的排气块81的吸气口811(图5)而排出，因此能够抑制上述产生气体160的成分附着于芯片110(被加工物1)。
此外，控制单元96通过使辅助吸引排气单元90的吸引源93进行动作而能够通过排气筒91对吸引排气单元80所不能吸引的产生气体160进行吸引而排出。因此，即使在例如吸引排气单元80所不能吸引的产生气体160进入到腔室20内的情况下，由于通过排气筒91对这些产生气体160进行吸引而排出，因此能够抑制产生气体160的成分附着于腔室20内和腔室20外的各部位。
在使扩展片7的环状区域101充分收缩后，关闭阀73，停止加热部62的加热和吸引源83、93，并且使加热单元60上升，解除框架固定部40对环状框架8的固定。这样，通过使扩展后的扩展片7的环状区域101收缩，即使解除了保持工作台30的吸附部33的吸引，也维持了被加工物单元9的芯片110之间的间隔111。
像以上说明的那样，本实施方式的分割装置10对由板状的被加工物1、扩展片7和环状框架8构成的被加工物单元9的扩展片7进行扩展而使被加工物1断裂，该被加工物1沿着分割预定线3形成有作为分割起点的改质层100，该扩展片7粘贴着被加工物1，该环状框架8粘贴着扩展片7的外周，其中，该分割装置10具有：框架固定部40，其固定被加工物单元9的环状框架8；片材扩展单元50，其在与被加工物1垂直的方向上对被加工物1的外周与环状框架8的内周之间的扩展片7的环状区域101进行按压而使扩展片7扩展，从而使被加工物1从改质层100断裂；加热单元60，其具有加热部62，该加热部62对扩展后的扩展片7的环状区域101进行加热而使该环状区域101收缩；气体提供单元70，其在扩展片7的加热期间向被加工物1的正面提供气体，利用该提供气体150来覆盖被加工物1的正面，将被加工物1与从扩展片7产生的产生气体160隔离；以及吸引排气单元80，其在该被加工物1的外周对产生气体160和提供气体150进行吸引而排出，因此能够抑制在加热时从扩展片7产生的产生气体160的成分附着于被加工物1的正面。
另外，吸引排气单元80的吸气口811配置为与环状区域101对置并与该加热部62相邻，因此，由于加热部62的加热而产生的产生气体160通过与加热部62相邻的吸气口811而被快速地吸引，因此能够有效地抑制该产生气体160的成分附着于被加工物1的正面。
以上，对本发明的一个实施方式进行了说明，但上述实施方式只是作为例子而提出的，并不意味着限定发明的范围。

Claims (2)

1.一种分割装置，其对由板状的被加工物、扩展片和环状框架构成的被加工物单元的该扩展片进行扩展而使该被加工物断裂，该被加工物沿着分割预定线形成有分割起点，该扩展片粘贴着该被加工物，该环状框架粘贴着该扩展片的外周，其中，
该分割装置具有：
框架固定部，其固定该被加工物单元的该环状框架；
片材扩展单元，其在与该被加工物垂直的方向上对该被加工物的外周与该环状框架的内周之间的该扩展片的环状区域进行按压而使该扩展片扩展，从而使该被加工物从该分割起点断裂；
加热单元，其具有加热部，该加热部对该扩展后的该扩展片的该环状区域进行加热而使该环状区域收缩；
气体提供单元，其在该扩展片的加热期间向该被加工物的正面提供气体，利用该提供气体来覆盖该被加工物的正面，将该被加工物与从该扩展片产生的产生气体隔离；以及
吸引排气单元，其在该被加工物的外周对该产生气体和该提供气体进行吸引而排出。
2.根据权利要求1所述的分割装置，其中，
该吸引排气单元的吸气口配置为与该环状区域对置并与该加热部相邻。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7325258B2 (ja) * 2019-08-14 2023-08-14 株式会社ディスコ エキスパンド装置
KR20240021306A (ko) * 2021-09-14 2024-02-16 야마하하쓰도키 가부시키가이샤 익스팬드 장치
KR102542890B1 (ko) * 2023-04-03 2023-06-13 남진우 웨이퍼 신장 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261558A (ja) * 1997-01-16 1998-09-29 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置および加熱処理方法
WO2007023648A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Tokyo Electron Limited 基板加熱装置、塗布・現像装置および基板加熱方法
JP2014140856A (ja) * 2013-01-22 2014-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
CN105280553A (zh) * 2014-07-01 2016-01-27 株式会社迪思科 芯片间隔维持装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5791866A (en) 1980-11-26 1982-06-08 Kubota Ltd Production of composite roll for rolling which is not constant in thickness of outside shell layer
JP6249586B2 (ja) 2011-08-31 2017-12-20 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP6408366B2 (ja) * 2014-12-05 2018-10-17 リンテック株式会社 離間装置および離間方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261558A (ja) * 1997-01-16 1998-09-29 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置および加熱処理方法
WO2007023648A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Tokyo Electron Limited 基板加熱装置、塗布・現像装置および基板加熱方法
JP2014140856A (ja) * 2013-01-22 2014-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
CN105280553A (zh) * 2014-07-01 2016-01-27 株式会社迪思科 芯片间隔维持装置

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