JP2014140856A - レーザー加工装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】レーザー光線の照射で発生するデブリ等が対物レンズや駆動軸に付着することを抑制することができるレーザー加工装置を提供すること。
【解決手段】レーザー加工装置は被加工物を保持面で保持するチャックテーブル30と、チャックテーブル30に保持された被加工物にレーザー光線Lを照射して加工するレーザー光線照射手段10とを備え、保持面に垂直方向に立設してチャックテーブル30を囲繞する囲い手段40と、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を排気する排気手段50と、を有し、囲い手段40は、保持面上に前記仕切られる領域Aが形成される作用位置と、被加工物をチャックテーブル30に着脱する際に位置付けられる待避位置とに進退可能とする位置付け手段を具備する。
【選択図】図3
【解決手段】レーザー加工装置は被加工物を保持面で保持するチャックテーブル30と、チャックテーブル30に保持された被加工物にレーザー光線Lを照射して加工するレーザー光線照射手段10とを備え、保持面に垂直方向に立設してチャックテーブル30を囲繞する囲い手段40と、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を排気する排気手段50と、を有し、囲い手段40は、保持面上に前記仕切られる領域Aが形成される作用位置と、被加工物をチャックテーブル30に着脱する際に位置付けられる待避位置とに進退可能とする位置付け手段を具備する。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザー加工装置に関する。
IC、LSI等が形成された半導体ウエーハや、LEDが形成されたサファイアウエーハ等の被加工物の分割予定ラインにレーザー加工装置によってレーザー光線を照射し、被加工物の表面にレーザー加工溝を形成することで個々のデバイスに分割し、携帯電話、PC、LEDライト等の電気機器が製造される。このようなレーザー加工装置においては、被加工物にレーザー光線を照射すると、デブリと呼ばれる微細な粉塵が発生・飛散することから、被加工物に形成されたIC、LSI、LED等の素子の表面にデブリが堆積した場合、デバイスの品質が低下することが知られている。その対策として、素子が形成された被加工物の表面に保護膜を予め塗布してからレーザー加工を施し、保護膜と当該保護膜上に堆積するデブリとを洗浄して除去する加工方法や、レーザー加工ヘッドの対物レンズの光軸に沿ってエアーを噴出する噴出口を備えるとともに当該噴出口の周りからデブリを吸引して当該デブリが被加工物上の素子の表面に堆積することを抑制するレーザー加工装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
レーザー加工ヘッドの対物レンズの光軸に沿って噴出口を備えるとともに当該噴出口の周りからデブリを吸引するレーザー加工装置においては、吸引しきれないデブリや、被加工物に塗布した保護膜のうちレーザー光線の照射の加工熱により気化したものが対物レンズや駆動軸に付着する虞があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザー光線の照射で発生するデブリや、レーザー光線の照射の加工熱によって被加工物や保護膜が気化したものが対物レンズや駆動軸に付着することを抑制することができるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射して加工するレーザー光線照射手段とを備えたレーザー加工装置において、保持面に垂直方向に立設してチャックテーブルを囲繞する囲い手段と、囲い手段によって仕切られる領域の雰囲気を排気する排気手段と、を有し、囲い手段は、保持面上に前記仕切られる領域が形成される作用位置と、被加工物をチャックテーブルに着脱する際に位置付けられる待避位置とに進退可能とする位置付け手段を具備することを特徴とする。
また、上記レーザー加工装置において、排気手段は、チャックテーブルの保持面と同等以下の高さに雰囲気を吸引する吸引口が位置付けられていることが好ましい。
また、上記レーザー加工装置において、作用位置の囲い手段によって仕切られる領域内に、囲い手段の上方の開口部から気体を供給する給気手段を具備することが好ましい。
また、上記レーザー加工装置において、囲い手段は、チャックテーブルの保持面に垂直方向に進退するベローズによって構成されている事が好ましい。
本発明のレーザー加工装置によれば、保持面に垂直方向に立設してチャックテーブルを囲繞する囲い手段と、囲い手段によって仕切られる領域の雰囲気を排気する排気手段と、を有していることから、囲い手段によって仕切られる領域内でデブリや気化したものが発生するようになり、囲い手段によって仕切られる領域の雰囲気とともにデブリや気化したものを排気することができるので、対物レンズや駆動軸にデブリや気化したものが付着することを抑制することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の概略構成例を示す図である。図2は、図1に示すレーザー加工装置の要部を示す断面図である。図1に示す実施形態1に係るレーザー加工装置1は、レーザー光線照射手段10と、撮像手段20と、チャックテーブル30と、囲い手段40と、排気手段50と、を含んで構成されている。レーザー加工装置1は、レーザー光線照射手段10に対して、被加工物Wが保持されたチャックテーブル30を相対移動させることで、被加工物Wにレーザー加工を施して、被加工物Wにレーザー加工溝を形成する加工装置である。
図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の概略構成例を示す図である。図2は、図1に示すレーザー加工装置の要部を示す断面図である。図1に示す実施形態1に係るレーザー加工装置1は、レーザー光線照射手段10と、撮像手段20と、チャックテーブル30と、囲い手段40と、排気手段50と、を含んで構成されている。レーザー加工装置1は、レーザー光線照射手段10に対して、被加工物Wが保持されたチャックテーブル30を相対移動させることで、被加工物Wにレーザー加工を施して、被加工物Wにレーザー加工溝を形成する加工装置である。
ここで、被加工物Wは、特に限定されないが、例えば、シリコン、ヒ化ガリウム(GaAs)等を母材とし、IC(Integrated Circuit)やLSI(Large Scale Integration)等が形成された板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ、半導体製品のパッケージ部品、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の板状の無機材料基板、LED(Light Emitting Diode)が形成されたサファイアウエーハ、LCD(Liquid Crystal Display)ドライバー等の各種電子部品、金属や樹脂等の板状の延性材料、ミクロンオーダーの加工精度が要求される各種加工材料等である。
レーザー光線照射手段10は、例えば、YAGレーザー発振器やYVOレーザー発振器等で発振されたレーザー光線Lをレーザーヘッド11から被加工物Wに照射する。レーザー光線照射手段10は、図示しないZ軸移動手段により、装置本体2に対してZ軸方向に相対移動可能である。レーザー光線照射手段10は、チャックテーブル30との相対位置をX軸方向、Y軸方向、Z軸方向のそれぞれに相対移動させることで、チャックテーブル30に保持された被加工物Wに所望のレーザー加工を施す。撮像手段20は、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサを用いたカメラ等である。撮像手段20は、チャックテーブル30に保持された被加工物Wを撮像し、被加工物Wに対するレーザー光線照射手段10のアライメント調整を行うための画像データを生成する。
チャックテーブル30は、図2に示すように、保持面31を構成する部分がポーラスセラミック等から円盤形状に形成されている。チャックテーブル30は、テーブル移動基台32に支持されている。チャックテーブル30は、図示しない回転駆動源によりZ軸回りに回転可能であり、例えば、90度回転や連続回転することができる。チャックテーブル30は、保持面31と連通する吸引路33を有し、吸引源60の吸引経路61と吸引路33とが接続されており、吸引源60により被加工物Wを保持面31で吸引保持する。また、チャックテーブル30は、クランプ部34により、粘着テープTが貼着された被加工物Wを支持する環状フレームFをクランプする。
囲い手段40は、位置付け手段41と、環状部42と、ベローズ43と、アクチュエーター44と、周壁45と、を含んで構成されている。囲い手段40は、チャックテーブル30の保持面31に垂直方向(Z軸方向)に立設して前記チャックテーブル30を囲繞する。囲い手段40は、チャックテーブル30を囲繞することで、仕切られる領域A(図3参照)を形成する。本実施形態において、仕切られる領域Aは、囲い手段40の内側で囲繞される領域である。また、囲い手段40は、テーブル移動基台32に支持されており、位置付け手段41により、保持面31上に上記仕切られる領域Aが形成される作用位置と、被加工物Wをチャックテーブル30に着脱する際に位置付けられる待避位置と、に進退可能である。本実施形態において、作用位置は、囲い手段40のベローズ43を垂直方向(Z軸方向)に伸張させることで、チャックテーブル30の保持面31上に上記仕切られる領域Aが形成される位置であり、この仕切られる領域Aが形成された状態で、被加工物Wに対してレーザー光線照射手段10のレーザーヘッド11からレーザー光線Lが保持面31上に保持された被加工物Wに照射され、この被加工物Wの表面にレーザー加工が施される位置でもある。また、待避位置は、被加工物Wをチャックテーブル30に着脱する際、チャックテーブル30に着脱される被加工物Wとレーザー光線照射手段10とが干渉しない位置でもある。
位置付け手段41は、X軸移動手段41aとY軸移動手段41bとを有し、テーブル移動基台32に支持されるチャックテーブル30を装置本体2に対してX軸方向およびY軸方向のそれぞれに相対移動させる。各移動手段41a,41bは、例えば、パルスモータにより回転駆動されるボールねじ、複数のガイドレール等でそれぞれ構成されている。
環状部42は、レーザー光線照射手段10により被加工物Wにレーザー加工を施す際、レーザー光線照射手段10と干渉することのない大きさで開口された開口部42aを有している。
ベローズ43は、チャックテーブル30の保持面31に垂直方向(Z軸方向)に進退する、いわゆる伸縮自在の蛇腹の円筒である。ベローズ43は、チャックテーブル30を囲繞する。ベローズ43は、上端部が環状部42に連結され、下端部が周壁45に連結されている。ベローズ43は、伸張することで、レーザー光線照射手段10のレーザーヘッド11を上記仕切られる領域A内に入れ、収縮することで、レーザー光線照射手段10のレーザーヘッド11を上記仕切られる領域A外に出す。すなわち、ベローズ43は、レーザー光線照射手段10により被加工物Wにレーザー加工を施す際、レーザーヘッド11を上記仕切られる領域A内に入れることができ、チャックテーブル30に対して被加工物Wを着脱する際、レーザーヘッド11を上記仕切られる領域A外に出すことができる。
アクチュエーター44は、例えば、エアシリンダー44aとピストン44bとを有し、図示しない圧縮空気供給源の空気圧により、環状部42と接続されたピストン44bを垂直方向(Z軸方向)に伸縮駆動する。アクチュエーター44は、ピストン44bを伸張させることで、環状部42を上昇させると同時にベローズ43を伸張させ、ピストン44bを収縮させることで、環状部42を下降させると同時にベローズ43を収縮させる。すなわち、アクチュエーター44は、ベローズ43を伸縮させる。
周壁45は、例えば、円筒形状であり、チャックテーブル30を囲繞する。周壁45は、ベローズ43を収縮させた際、レーザー光線照射手段10のレーザーヘッド11と環状部42とが干渉することがない高さである。これにより、上記作用位置から上記待避位置へチャックテーブル30および囲い手段40を相対移動させることができる。
排気手段50は、例えば、円筒形状に形成されている。排気手段50は、排気装置70の排気経路71と接続されており、周壁45内に配設される吸引口51を有している。排気手段50は、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を排気する。排気手段50は、チャックテーブル30の保持面31と同等以下の高さに、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を吸引する吸引口51が位置付けられている。本実施形態において、チャックテーブル30の保持面31と同等以下の高さに、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を吸引する吸引口51が位置付けられているとは、囲い手段40の上方の開口部42aから被加工物W側へ下降する雰囲気が被加工物Wにぶつかって当該被加工物Wの表面に沿って流れる際、被加工物Wの表面に沿って流れる雰囲気を円滑に吸引することができる位置に、排気手段50の吸引口51が配置されていることをいう。排気装置70は、レーザー光線L(図3参照)の照射で発生するデブリD、レーザー光線Lの照射の加工熱で被加工物Wや保護膜などが気化したものを除去する除去手段を有している。
実施形態1に係るレーザー加工装置1は、以上のごとき構成であり、以下、図2および図3を参照して実施形態1に係るレーザー加工装置1のレーザー加工について説明する。図3は、図2に示すレーザー加工装置によるレーザー加工の動作を示す説明図である。
まず、レーザー加工装置1は、オペレータ等の作業員による加工指示の入力操作に基づいて、図2に示すように、被加工物Wをチャックテーブル30に着脱する際に位置付けられる待避位置にチャックテーブル30および囲い手段40を相対移動させる。ここで、囲い手段40は、アクチュエーター44によりベローズ43が収縮させられていることから、チャックテーブル30への被加工物Wの装着をしやすくする。
次に、IC、LSI、LED等の素子を保護膜で被覆した被加工物Wがチャックテーブル30の保持面31に載置される。保持面31に載置された被加工物Wは、吸引源60により吸引保持され、粘着テープTを介して被加工物Wを保持する環状フレームFは、クランプ部34によりクランプされる。
次に、チャックテーブル30および囲い手段40が、図3に示すように、保持面31上に上記仕切られる領域Aを形成する作用位置に相対移動され、撮像手段20により被加工物Wのアライメント調整用の画像が撮像され、レーザー光線照射手段10と被加工物Wとのアライメントが調整される。次に、囲い手段40のアクチュエーター44によりベローズ43が伸張され、上記仕切られる領域Aが形成された後、排気手段50により上記仕切られる領域A内の雰囲気が排気され、環状部42の開口部42aから排気手段50へ向かって排気される雰囲気の流れ(ダウンフロー)が形成される。
次に、レーザー光線照射手段10からレーザー光線Lが被加工物W上の分割予定ラインに照射され、被加工物W上にレーザー加工溝が形成される。レーザー光線Lの照射で発生するデブリD、レーザー光線Lの照射の加工熱で被加工物Wや保護膜が気化したものは、レーザー光線照射手段10の対物レンズ、各移動手段41a,41bの駆動軸、被加工物Wの表面に付着する前に、雰囲気の流れ(ダウンフロー)に乗って排気手段50から排気される。
次に、レーザー加工が施された被加工物Wをチャックテーブル30で保持しつつ、上記待避位置へチャックテーブル30および囲い手段40が相対移動された後、クランプ部34による環状フレームFのクランプが解除され、開閉弁62が閉弁されてチャックテーブル30から被加工物Wが取り外される。
以上のように、実施形態1に係るレーザー加工装置1によれば、保持面31に垂直方向(Z軸方向)に立設してチャックテーブル30を囲繞する囲い手段40と、囲い手段40によって仕切られる領域Aの雰囲気を排気する排気手段50と、を有しているので、上記仕切られる領域A内の雰囲気を排気手段50により排気することができ、上記仕切られる領域A内でデブリDや気化したものが発生するようになる。したがって、上記仕切られる領域A内の雰囲気とともにデブリDや気化したものを排気することができるので、レーザー光線照射手段10の対物レンズや各移動手段41a,41bの駆動軸にデブリDや気化したものが付着することを抑制することができる。
また、囲い手段40により保持面31上に上記仕切られる領域Aが形成されるので、レーザー加工装置1内へ飛散する前にデブリDや気化したものを強力に排気することができる。
また、環状部42の開口部42aから給気され、チャックテーブル30の保持面31と同等以下の高さに排気手段50の吸引口51が位置付けられて上記仕切られる領域A内の雰囲気が排気されるので、上記仕切られる領域A内の雰囲気の流れがダウンフローになり、囲い手段40の上方、すなわち開口部42aから雰囲気が流出することを抑制することができる。
また、囲い手段40が、チャックテーブル30の保持面31に垂直方向(Z軸方向)に進退するベローズ43によって構成されているので、ベローズ43を収縮させることによってレーザー光線照射手段10と囲い手段40とを接触させることなく、保持面31上に上記仕切られる領域Aを形成する作用位置と、被加工物Wをチャックテーブル30に着脱する際に位置付けられる待避位置と、にチャックテーブル30および囲い手段40が進退可能となる。また、囲い手段40がベローズ43によって構成されているので、簡単な構成で、上記作用位置と上記待避位置とにチャックテーブル30および囲い手段40が進退可能となる。
〔実施形態2〕
次に、実施形態2に係るレーザー加工装置1Aについて説明する。図4は、実施形態2に係るレーザー加工装置の要部を示す断面図である。実施形態2に係るレーザー加工装置1Aの基本的構成は、実施形態1に係るレーザー加工装置1と同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。
次に、実施形態2に係るレーザー加工装置1Aについて説明する。図4は、実施形態2に係るレーザー加工装置の要部を示す断面図である。実施形態2に係るレーザー加工装置1Aの基本的構成は、実施形態1に係るレーザー加工装置1と同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。
図4に示す実施形態2に係るレーザー加工装置1Aは、チャックテーブル30Aと、囲い手段40と、を含んで構成されている。また、レーザー加工装置1Aによりレーザー加工される被加工物Wは、粘着テープTが貼着されており、環状フレームFで固定されている。チャックテーブル30Aは、吸引源60の吸引経路61と接続される吸引路33と、排気装置70の排気経路71と接続される排気手段50Aと、環状フレームFと磁着する磁石Gと、を有している。排気手段50Aは、チャックテーブル30A中に排気路として形成されている。また、排気手段50Aは、上記仕切られる領域Aの雰囲気を吸引する吸引口51Aを有している。吸引口51Aは、保持面31の周囲の環状溝として形成されており、チャックテーブル31の保持面31と同等以下の高さに位置付けられている。磁石Gは、保持面31よりも外周で、この保持面31よりも一段下がった位置に埋設されており、この一段下がった位置で環状フレームFと磁着することにより、粘着テープTを保持面31側に向かって押し付けつつ当該保持面31上に保持することができる。
ここで、図4を参照して実施形態2に係るレーザー加工装置1のレーザー加工について説明する。まず、レーザー加工装置1Aは、作業員による加工指示の入力操作に基づいて、被加工物Wをチャックテーブル30Aに着脱する際に位置付けられる待避位置にチャックテーブル30Aおよび囲い手段40を相対移動させる。次に、保護膜で被覆した被加工物Wがチャックテーブル30Aの保持面31に載置される。保持面31に載置された被加工物Wは、吸引源60により吸引保持される。
次に、チャックテーブル30Aおよび囲い手段40が、保持面31上に上記仕切られる領域Aを形成する作用位置に相対移動され、撮像手段20により被加工物Wのアライメント調整用の画像が撮像され、レーザー光線照射手段10と被加工物Wとのアライメントが調整される。次に、囲い手段40のアクチュエーター44によりベローズ43が伸張され、上記仕切られる領域Aが形成された後、排気手段50Aにより上記仕切られる領域A内の雰囲気が排気され、環状部42の開口部42aから排気手段50Aに向かって排気される雰囲気の流れ(ダウンフロー)が形成される。
次に、レーザー光線照射手段10からレーザー光線Lが被加工物W上の分割予定ラインに照射され、被加工物W上にレーザー加工溝が形成される。レーザー光線Lの照射で発生するデブリD、レーザー光線Lの照射の加工熱で被加工物Wや保護膜が気化したものは、レーザー光線照射手段10の対物レンズ、各移動手段41a,41bの駆動軸、被加工物Wの表面に付着する前に、雰囲気の流れ(ダウンフロー)に乗って排気手段50Aから排気される。
次に、レーザー加工が施された被加工物Wをチャックテーブル30Aで保持しつつ、上記待避位置へチャックテーブル30Aおよび囲い手段40が相対移動された後、開閉弁62が閉弁されてチャックテーブル30Aから被加工物Wが取り外される。
以上のように、実施形態2に係るレーザー加工装置1Aによれば、保持面31の周囲の環状溝として形成された吸引口51Aから上記仕切られる領域A内の雰囲気を吸引するので、囲い手段40の開口部42aから排気手段50Aの吸引口51Aへ向かう雰囲気の直線的な流れを形成することができ、より強力なダウンフローを形成することができる。したがって、囲い手段40の上方、すなわち開口部42aから雰囲気が流出することをより抑えることができる。
また、保持面31の周囲の環状溝として吸引口51Aが形成されているので、保持面31に吸引保持される被加工物Wから発生するデブリDや気化したものを速やかに排気することができる。
また、チャックテーブル30Aと排気手段50Aとを一体化したことにより、排気手段50Aをチャックテーブル30Aの外側に配設した場合よりもコンパクト化することができる。
〔実施形態3〕
次に、実施形態3に係るレーザー加工装置1Bについて説明する。図5は、実施形態3に係るレーザー加工装置の要部を示す断面図である。実施形態3に係るレーザー加工装置1Bの基本的構成は、実施形態2に係るレーザー加工装置1Aと同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。
次に、実施形態3に係るレーザー加工装置1Bについて説明する。図5は、実施形態3に係るレーザー加工装置の要部を示す断面図である。実施形態3に係るレーザー加工装置1Bの基本的構成は、実施形態2に係るレーザー加工装置1Aと同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。
図5に示す実施形態3に係るレーザー加工装置1Bは、上記仕切られる領域A内へ気体を供給する給気手段80を有する。給気手段80は、レーザー光線照射手段10に取り付けられている。給気手段80は、例えば、いわゆるプロペラファンであり、複数のプロペラ81を有している。給気手段80は、保持面31上に上記仕切られる領域Aを形成する作用位置において、レーザー光線照射手段10のレーザーヘッド11を囲い手段40で囲繞した際、囲い手段40の開口部42aと隣接する。また、給気手段80は、排気手段50Aから排気される雰囲気よりも少ない量の気体を供給する。これにより、給気手段80からの気体の供給量よりも、排気手段50Aからの雰囲気の排気量を多くすることができ、囲い手段40の開口部42aから雰囲気が流出することを抑えることができる。
以上のように、実施形態3に係るレーザー加工装置1Bによれば、給気手段80によって囲い手段40の上方の開口部42aから気体を供給するので、上記仕切られる領域A内の雰囲気が流出することをさらに抑えることができる。
なお、上記実施形態においては、給気手段80がプロペラファンであるものについて説明したが、囲い手段40の上方の開口部42aから気体を上記仕切られる領域A内へ供給することができればよいので、圧縮空気供給源からの空気を供給するものであってもよい。
1,1A,1B レーザー加工装置
10 レーザー光線照射手段
31 保持面
40 囲い手段
41 位置付け手段
42a 開口部
43 ベローズ
50 排気手段
51 吸引口
80 給気手段
A 仕切られる領域
L レーザー光線
W 被加工物
10 レーザー光線照射手段
31 保持面
40 囲い手段
41 位置付け手段
42a 開口部
43 ベローズ
50 排気手段
51 吸引口
80 給気手段
A 仕切られる領域
L レーザー光線
W 被加工物
Claims (4)
- 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射して加工するレーザー光線照射手段とを備えたレーザー加工装置において、
前記保持面に垂直方向に立設して前記チャックテーブルを囲繞する囲い手段と、
前記囲い手段によって仕切られる領域の雰囲気を排気する排気手段と、を有し、
前記囲い手段は、
前記保持面上に前記仕切られる領域が形成される作用位置と、
被加工物を前記チャックテーブルに着脱する際に位置付けられる待避位置とに進退可能とする位置付け手段を具備することを特徴とするレーザー加工装置。 - 前記排気手段は、前記チャックテーブルの保持面と同等以下の高さに前記雰囲気を吸引する吸引口が位置付けられていることを特徴とする請求項1記載のレーザー加工装置。
- 前記作用位置の前記囲い手段によって仕切られる領域内に、前記囲い手段の上方の開口部から気体を供給する給気手段を具備することを特徴とする請求項1または2記載のレーザー加工装置。
- 前記囲い手段は、前記チャックテーブルの前記保持面に垂直方向に進退するベローズによって構成されている事を特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザー加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013009647A JP2014140856A (ja) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | レーザー加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2013009647A JP2014140856A (ja) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | レーザー加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014140856A true JP2014140856A (ja) | 2014-08-07 |
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ID=51422649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013009647A Pending JP2014140856A (ja) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | レーザー加工装置 |
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