JP7325258B2 - エキスパンド装置 - Google Patents

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Description

本発明は、エキスパンド装置に関する。
デバイスが表面に形成されたウェーハにレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成し、ウェーハが貼着されたエキスパンドシート(ダイシングテープ)を拡張することで改質層を破断基点に個々のチップに分割する加工方法が知られている。
前述したウェーハは、分割後のデバイスを基板等に固定するためのDAF(Die Attach Film)が貼着され、エキスパンドシートを拡張することで個々のチップ毎にDAFを分割することが求められることがある。この場合、DAFの分割時、延性材であるDAFの分割性を向上させるため、例えばDAFに対応した領域のエキスパンッドテープに冷却プレートを接触させてDAFを冷却する手法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
一方、拡張されたエキスパンドシートが弛むことで隣接するチップ同士が接触して損傷するのを防止するために、拡張後、被加工物の外周とフレームの内周との間のエキスパンドシートに温風を噴射し加熱してエキスパンドシートを収縮させる方法も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2006-049591号公報 特開2011-077482号公報
しかしながら、特許文献2に示された方法は、エキスパンドシートを収縮する際、温風を噴射すると冷却プレートの周囲も加熱してしまう。このために、特許文献2に示された方法は、例えば連続して複数の被加工物ユニットのエキスパンドシートを拡張する場合に、最初の被加工物ユニットのエキスパンドシートを拡張して加熱収縮した後、次の被加工物ユニットのエキスパンドシートを拡張する際にDAFを十分冷却できないおそれがある。特許文献2に示された方法は、DAFを十分に冷却されないとDAFをチップ毎に破断できないおそれがある。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、連続して複数の被加工物ユニットのエキスパンドシートを拡張する場合でも、拡張後の被加工物ユニットのエキスパンドシートの弛みを解消してチップ損傷を防ぐとともに、次に拡張する被加工物ユニットの冷却不良を抑制することができるエキスパンド装置を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のエキスパンド装置は、被加工物と、被加工物に貼着されたエキスパンドシートと、エキスパンドシートの外周側が貼着された環状フレームと、からなる被加工物ユニットの該エキスパンドシートを拡張するエキスパンド装置であって、被加工物ユニットの環状フレームを保持するフレーム保持手段と、被加工物に対応した大きさの当接面を含み、該フレーム保持手段で保持された該環状フレームを含む該被加工物ユニットの該エキスパンドシートに当接する冷却テーブルと、該フレーム保持手段で保持された該環状フレームに貼着された該エキスパンドシートを拡張する拡張手段と、被加工物の外周側と該環状フレームの内周縁との間の該エキスパンドシートに対面して温風を噴射する温風噴射部を有した加熱手段と、被加工物と該温風噴射部との間に配設され、該被加工物に向かって気体を噴出する噴出口を有し、該温風噴射部から噴射された温風の進入を防止する温風進入防止手段と、該冷却テーブルの外周を覆い、かつ該加熱手段が該被加工物の外周側と該環状フレームの内周縁との間の該エキスパンドシートに温風を噴射する際に、該冷却テーブルとの間から圧縮エアーを吹き出すテーブルカバーと、を備えたことを特徴とする。
前記エキスパンド装置は、該冷却テーブルが該被加工物と該エキスパンドシートとの間の接着フィルムを冷却しながら該拡張手段が該エキスパンドシートを拡張する際に、該テーブルカバーは、該冷却テーブルとの間から該圧縮エアーを吹き出し、かつ、該フレーム保持手段は、全周に亘って設けられた吹き出し口から圧縮エアーを吹き出しても良い。
前記エキスパンド装置は、該温風進入防止手段が、被加工物に対面し、該当接面に対応したサイズに形成された、被加工物の外周側より中央側において被加工物との間の距離が遠くなるよう反りを有した湾曲面を含み、該湾曲面に該噴出口が形成されることで該湾曲面と被加工物の間に空気溜まりを形成しても良い。
本願発明は、連続して複数の被加工物ユニットのエキスパンドシートを拡張する場合でも、拡張後の被加工物ユニットのエキスパンドシートの弛みを解消してチップ損傷を防ぐとともに、次に拡張する被加工物ユニットの冷却不良を抑制することができるという効果を奏する。
図1は、実施形態1に係るエキスパンド装置の加工対象の被加工物ユニットの一例を示す斜視図である。 図2は、実施形態1に係るエキスパンド装置の構成例を模式的に示す断面図である。 図3は、図2に示されたエキスパンド装置の湾曲プレート等を模式的に示す断面図である。 図4は、図2に示されたエキスパンド装置のフレーム載置プレートに被加工物ユニットの環状フレームが載置された状態を模式的に示す断面図である。 図5は、図4に示されたエキスパンド装置のフレーム保持ユニットが環状フレームを固定した状態を模式的に示す断面図である。 図6は、図5に示されたフレーム載置プレートを上昇させてエキスパンドシートを拡張した状態を模式的に示す断面図である。 図7は、図6に示されたエキスパンドシートを加熱、収縮する状態を模式的に示す断面図である。 図8は、実施形態1の変形例に係るエキスパンド装置の構成例を模式的に示す断面図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るエキスパンド装置を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るエキスパンド装置の加工対象の被加工物ユニットの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るエキスパンド装置の構成例を模式的に示す断面図である。図3は、図2に示されたエキスパンド装置の湾曲プレート等を模式的に示す断面図である。
実施形態1に係るエキスパンド装置は、図1に示す被加工物ユニット200の被加工物201を個々のチップ202に分割する装置である。実施形態1では、加工対象の被加工物ユニット200は、図1に示すように、被加工物201と、被加工物201に貼着されたエキスパンドシート210と、エキスパンドシート210の外周側が貼着された環状フレーム211とを備える。
被加工物201は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素又はSiC(炭化ケイ素)などを基板203とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハである。被加工物201は、図1に示すように、表面204の互いに交差する複数の分割予定ライン205で区画された各領域にそれぞれデバイス206が形成されている。被加工物201は、表面204の裏側の裏面207にエキスパンドシート210が貼着され、エキスパンドシート210の外周に環状フレーム211が貼着されて、裏面207側から基板203に対して透過性を有する波長のレーザー光線が分割予定ライン205に沿って照射されて、基板203の内部に分割予定ライン205に沿った分割起点である改質層208が形成されている。
被加工物201は、改質層208を分割起点に分割予定ライン205に沿って個々のチップ202に分割される。チップ202は、基板203の一部分と、基板203の表面に形成されたデバイス206とを備える。
なお、改質層208とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
エキスパンドシート210は、被加工物201の外径よりも大径な円板状に形成され、伸縮性を有する樹脂から構成されて、加熱されると収縮する熱収縮性を有する。
また、実施形態1では、被加工物ユニット200は、被加工物201の基板203の裏面207とエキスパンドシート210との間に円板状のDAF(Die Attach Film)212が貼着されている。DAF212は、チップ202を他のチップ又は基板等に固定するためのダイボンディング用の接着フィルムである。実施形態1では、DAF212は、被加工物201の外径よりよりも大径でかつ環状フレーム211の内径よりも小径な円板状に形成されている。DAF212は、個々のチップ202毎に分割される。分割後のチップ202において、DAF212は、チップ202の基板203の裏面207に貼着されている。
実施形態1に係るエキスパンド装置1は、被加工物ユニット200のエキスパンドシート210を拡張して、被加工物201を個々のチップ202に分割するとともに、DAF212をチップ202毎に分割する装置である。エキスパンド装置1は、図2に示すように、チャンバ10と、フレーム保持手段であるフレーム保持ユニット20と、冷却テーブル30と、拡張手段である拡張ユニット40と、加熱手段である加熱ユニット50と、制御手段である制御ユニット100とを備える。
チャンバ10は、箱状に形成され、フレーム保持ユニット20と、冷却テーブル30と、拡張ユニット40と、加熱手段である加熱ユニット50とを収容している。チャンバ10は、側壁11に開口12を設け、開口12を通して、被加工物ユニット200が出し入れされる。なお、開口12は、開閉扉13により開閉される。
フレーム保持ユニット20は、被加工物ユニット200の環状フレーム211を保持して、固定するものである。フレーム保持ユニット20は、フレーム載置プレート21と、フレーム押さえプレート22とを備える。フレーム載置プレート21は、内径が環状フレーム211の内径よりも若干小さくかつ被加工物201及びDAF212の外径よりも大きいとともに、外径が環状フレーム211の外径よりも若干大きな円環状に形成され、上面23が水平方向と平行に平坦に形成されている。フレーム載置プレート21は、上面23に被加工物ユニット200の環状フレーム211が載置される。
また、フレーム載置プレート21は、拡張ユニット40の昇降用シリンダ42により昇降自在に設けられている。フレーム載置プレート21は、昇降用シリンダ42のロッド45の先端が取り付けられて、ロッド45が伸縮することで、チャンバ10内で昇降する。なお、実施形態1では、フレーム載置プレート21は、昇降用シリンダ42により図2に示す上面23が開口12の下縁と水平方向に略並ぶ位置から上昇される。
フレーム押さえプレート22は、内径がフレーム載置プレート21の内径よりも小さくかつ被加工物201及びDAF212の外径よりも大きいとともに、外径が環状フレーム211の外径よりも若干大きな円環状に形成され、下面24が水平方向と平行に平坦に形成されている。フレーム押さえプレート22は、フレーム載置プレート21と同軸となる位置に設けられ、実施形態1では、フレーム載置プレート21よりも上方に配置される。実施形態1では、フレーム載置プレート21は、下面24が開口12と水平方向に略並ぶ位置に配置されて、下方に位置するフレーム載置プレート21と間隔をあけて配置されている。実施形態1では、フレーム載置プレート21は、チャンバ10内において、スライド支持部材25により昇降自在に支持されている。実施形態1では、フレーム載置プレート21は、図2に示す下面24が開口12と水平方向に略並ぶ位置に配置される位置からスライド支持部材25により上昇可能に支持されている。
フレーム保持ユニット20は、昇降用シリンダ42により下方に位置付けられたフレーム載置プレート21の上面23に開口12を通してチャンバ10内に挿入された被加工物ユニット200の環状フレーム211が載置される。フレーム保持ユニット20は、上面23に環状フレーム211が載置されたフレーム載置プレート21が昇降用シリンダ42により上昇させて、フレーム載置プレート21とフレーム押さえプレート22との間に環状フレーム211及びエキスパンドシート210の外周側を挟んで、環状フレーム211を保持するとともに、環状フレーム211及びエキスパンドシート210の外周側を挟んだ位置からフレーム載置プレート21とフレーム押さえプレート22とが上昇する。また、実施形態1では、フレーム保持ユニット20は、エキスパンドシート210のとの間をシールするシール部材26をフレーム押さえプレート22の下面24の全周に亘って取り付けている。
また、実施形態1では、フレーム保持ユニット20のフレーム押さえプレート22の下面24のシール部材26の内周側には、フレーム押さえプレート22の内部に設けられた供給路60、ボルテックスチューブ64、開閉弁61を介して、圧縮エアー供給源62から圧縮エアーが供給される圧縮エアー吹き出し口63が設けられている。圧縮エアー吹き出し口63は、フレーム押さえプレート22の全周に亘って設けられている。
冷却テーブル30は、被加工物201に対応した大きさの当接面31を含み、フレーム保持ユニット20で保持された環状フレーム211を含む被加工物ユニット200のエキスパンドシート210に当接するものである。冷却テーブル30は、厚手の円板状のテーブル本体32と、テーブル本体32を冷却する冷却ユニット33と、テーブル昇降ユニット34と、を備える。
テーブル本体32は、実施形態1では、アルミニウム合金により構成され、外径がフレーム押さえプレート22の内径よりも小さく形成され、フレーム押さえプレート22の内周のフレーム押さえプレート22と同軸となる位置に配置されている。テーブル本体32の下面は、外径が被加工物201の大きさである外径と対応した当接面31である。実施形態1では、テーブル本体32の外径は、DAF212の外径と等しいことで、下面である当接面31の外径が、被加工物201の大きさである外径と対応している。テーブル本体32の当接面31は、フレーム保持ユニット20により環状フレーム211が保持された被加工物ユニット200のエキスパンドシート210及びDAF212を介して被加工物201の裏面207と対向する。
また、テーブル本体32の当接面31には、テーブル本体32内に設けられ吸引路70及び開閉弁71を介してエジェクタ等の吸引源72と接続した吸引孔35が複数開口している。テーブル本体32は、吸引路70及び開閉弁71を介して吸引孔35が吸引源72により吸引されることで、エキスパンドシート210及びDAF212を介して被加工物201の裏面207側を当接面31に吸引保持することが可能である。
実施形態1では、冷却ユニット33は、テーブル本体32の上面の中央部に設けられ、テーブル本体32即ち当接面31を冷却するものである。実施形態1では、冷却ユニット33は、テーブル本体32を冷却可能なピストンクーラーであるが、本発明では、ピストンクーラーに限定されない。
テーブル昇降ユニット34は、図示しないモータ、モータにより回転するボールネジ等で構成され、テーブル本体32及び冷却ユニット33をチャンバ10内で昇降させる。
また、実施形態1において、冷却テーブル30のテーブル本体32及び冷却ユニット33は、テーブルカバー36により覆われている。テーブルカバー36は、テーブル本体32を保冷するものであり、実施形態では、テーブル本体32の外周面と間隔をあけて外周面を覆う円筒状の大径円筒部37と、外縁が大径円筒部37に連なりかつテーブル本体32の上面と間隔をあけて上面を覆うリング状の円環部38と、円環部38の内縁に連なりかつ冷却ユニット33の外周面と間隔をあけて外周面を覆う円筒状の小径円筒部39とを一体に備え、テーブル本体32及び冷却ユニット33と同軸に配置されている。テーブルカバー36は、テーブル本体32及び冷却ユニット33と一体にテーブル昇降ユニット34により昇降される。
なお、実施形態1は、冷却テーブル30とテーブルカバー36との間には、供給路80、開閉弁81を介して、圧縮エアー供給源82から圧縮エアーが供給される。
拡張ユニット40は、フレーム保持ユニット20で保持された環状フレーム211に貼着されたエキスパンドシート210を拡張するものである。拡張ユニット40は、チャンバ10に固定された拡張ドラム41と、フレーム載置プレート21を昇降させる昇降用シリンダ42とを備える。
拡張ドラム41は、円筒状のドラム部43を備える。ドラム部43は、内径がテーブルカバー36の大径円筒部37の外径よりも大きく、外径がフレーム押さえプレート22の内径よりも小さく形成されている。ドラム部43は、テーブル本体32の大径円筒部37の外周側でかつフレーム押さえプレート22の内周側に配置されて、フレーム保持ユニット20及び冷却テーブル30と同軸に配置されている。拡張ドラム41の下端には、下方に位置するフレーム押さえプレート22の下面24と同一平面上に設けられかつ軸心回りに回転自在に設けられた円柱状のコロ部材44が取り付けられている。
加熱ユニット50は、フレーム保持ユニット20で保持されエキスパンドシート210が拡張された被加工物ユニット200の被加工物201の外周側と環状フレーム211の内周縁との間のエキスパンドシート210を加熱し、収縮するものである。加熱ユニット50は、ヒータプレート51と、複数の温風噴射部52と、シャッタプレート53とを備える。
ヒータプレート51は、外径がフレーム押さえプレート22の内径と等しい円板状に形成され、フレーム載置プレート21の内周側でかつフレーム保持ユニット20及び冷却ユニット33と同軸に配置されている。ヒータプレート51は、上面が水平方向と平行でかつ下方に位置するフレーム載置プレート21の下面よりも下方に配置されている。ヒータプレート51は、チャンバ10に取り付けられたヒータプレート回転用モータ54により軸心回りに回転される。
複数の温風噴射部52は、フレーム保持ユニット20で保持されエキスパンドシート210が拡張された被加工物ユニット200の被加工物201の外周側と環状フレーム211の内周縁との間のエキスパンドシート210に対面して、温風300(図7に示す)を噴射するものである。複数の温風噴射部52は、ヒータプレート51の上面の外縁部に周方向に等間隔に設けられて、フレーム保持ユニット20で保持されエキスパンドシート210が拡張された被加工物ユニット200の被加工物201の外周側と環状フレーム211の内周縁との間のエキスパンドシート210に対面する。
温風噴射部52は、上部に開口部が設けられた有底筒状の噴射部本体521と、噴射部本体521内に収容された加熱部であるコイルヒータ522と、噴射部本体521内に供給路523及び開閉弁524を介してエアーを供給するエア供給源525とを備える。コイルヒータ522は、スイッチが閉じることで直流電源から電力が供給されて発熱する。温風噴射部52は、開閉弁524が開いてエア供給源525が、噴射部本体521内にエアーを供給し、供給されたエアーがコイルヒータ522により加熱され、開口部から温風300を噴射する。
シャッタプレート53は、外径がフレーム載置プレート21の内径よりも若干小さな円盤状に形成され、温風噴射部52の上方でかつフレーム載置プレート21の内周側にフレーム保持ユニット20及び冷却ユニット33と同軸に配置されている。シャッタプレート53は、ヒータプレート51に取り付けられたシャッタプレート回転用モータ55により軸心回りに回転される。また、シャッタプレート53は、外縁部に温風噴射部52を露出させることが可能な開口部56を設けている。
こうして、実施形態1に係るエキスパンド装置1は、フレーム保持ユニット20で保持される被加工物ユニット200の上方に冷却テーブル30を配置し、被加工物ユニット200の下方に加熱ユニット50を配置している。
制御ユニット100は、エキスパンド装置1の構成要素をそれぞれ制御して、被加工物ユニット200に対する加工動作をエキスパンド装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット100の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、エキスパンド装置1を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してエキスパンド装置1の構成要素に出力する。
制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとに接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
また、エキスパンド装置1は、温風侵入防止手段である湾曲プレート90を備える。湾曲プレート90は、フレーム保持ユニット20に保持された被加工物ユニット200の被加工物201と複数の温風噴射部52との間に配設され、被加工物201に向かって気体であるエアーを噴出する図3に示す噴出口91を有し、温風噴射部52から噴射された温風300の侵入を抑制するものである。湾曲プレート90は、外径が冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31と略等しい円板状に形成され、フレーム保持ユニット20及び冷却ユニット33と同軸に配置されているとともに、シャッタプレート53の上面に取り付けられている。
湾曲プレート90は、シャッタプレート53の上面に取り付けられることで、フレーム保持ユニット20に保持された被加工物ユニット200の被加工物201と対面する。湾曲プレート90は、外径が冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31と略等しいことで、当接面31に対応したサイズに形成されている。また、湾曲プレート90は、外径が冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31の外径と略等しいことで、ヒータプレート51上の温風噴射部52よりのシャッタプレート53の内周側に配置されている。
実施形態1において、湾曲プレート90は、厚みが一様で、かつフレーム保持ユニット20により保持された被加工物ユニット200の被加工物201の外周側より中央側において被加工物201との距離が遠くなる様に反りを有して形成されている。このために、湾曲プレート90の上面は、フレーム保持ユニット20により保持された被加工物ユニット200の被加工物201の外周側より中央側において被加工物201との距離が遠くなる様に反りを有する湾曲面92である。こうして、湾曲プレート90は、湾曲面92を含む。
実施形態1において、噴出口91は、図3に示すように、湾曲プレート90の中央に設けられ、供給路93及び開閉弁94を介してエア供給源95からのエアーが供給される。エア供給源95から供給されかつ噴出口91から噴出されたエアーは、湾曲プレート90の湾曲面92が前述したように湾曲しているので、湾曲面92と被加工物201との間に留まろうとして、湾曲面92と被加工物201との間に温風噴射部52から噴射された温風300が湾曲面92と被加工物201との間に侵入することを抑制する。
次に、本明細書は、前述したエキスパンド装置1の加工動作を説明する。図4は、図2に示されたエキスパンド装置のフレーム載置プレートに被加工物ユニットの環状フレームが載置された状態を模式的に示す断面図である。図5は、図4に示されたエキスパンド装置のフレーム保持ユニットが環状フレームを固定した状態を模式的に示す断面図である。図6は、図5に示されたフレーム載置プレートを上昇させてエキスパンドシートを拡張した状態を模式的に示す断面図である。図7は、図6に示されたエキスパンドシートを加熱、収縮する状態を模式的に示す断面図である。
前述した構成のエキスパンド装置1は、制御ユニット100に加工内容情報が登録され、加工開始指示を受け付けると加工動作を開始する。加工動作では、エキスパンド装置1は、フレーム載置プレート21を下降し、冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31をフレーム押さえプレート22の下面24よりも上方に位置付ける。エキスパンド装置1は、開閉弁61,71,81,94,524を閉じて、冷却ユニット33でテーブル本体32を冷却し、スイッチを閉じてコイルヒータ522に直流電源からの電力を供給して、コイルヒータ522を発熱した状態で、開閉扉13により開口12を開放する。エキスパンド装置1は、開口12を通して、被加工物ユニット200がチャンバ10内に挿入され、図4に示すように、チャンバ10内に挿入された被加工物ユニット200の環状フレーム211がフレーム載置プレート21の上面23に載置される。
エキスパンド装置1は、開閉扉13により開口12を閉じ、開閉弁61,81を開いて、圧縮エアー吹き出し口63から圧縮エアーを吹き出すとともに、圧縮エアー供給源82からの圧縮エアーをテーブル本体32及び冷却ユニット33とテーブルカバー36との間に供給する。エキスパンド装置1は、昇降用シリンダ42のロッド45を伸張して、フレーム載置プレート21を上昇するとともに、テーブル昇降ユニット34により冷却テーブル30のテーブル本体32等を下降する。
エキスパンド装置1は、図5に示すように、下方に位置するフレーム押さえプレート22とフレーム載置プレート21との間に環状フレーム211及びエキスパンドシート210の外周側を挟んで保持するとともに、当接面31をシール部材26の下面と同一平面上に位置付けて、エキスパンドシート210に貼着されたDAF212に近付ける。
エキスパンド装置1は、フレーム載置プレート21を更に上昇するとともに、エキスパンドシート210が当接面31に接触するタイミングで、テーブル昇降ユニット34により冷却テーブル30のテーブル本体32等を上昇する。なお、エキスパンドシート210が当接面31に接触すると、DAF212は、エキスパンドシート210及びテーブル本体32を介して冷却ユニット33により冷却される。
エキスパンド装置1は、フレーム押さえプレート22は、環状フレーム211及びフレーム載置プレート21等から押圧されて上昇して、フレーム押さえプレート22の下面24がコロ部材44の下端よりも上方まで上昇し、テーブル昇降ユニット34により冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31をコロ部材44の下端と同一平面上に位置付ける。すると、図6に示すように、フレーム保持ユニット20に保持された被加工物ユニット200のエキスパンドシート210がコロ部材44に当接して、エキスパンドシート210が面方向に拡張される。拡張の結果、エキスパンドシート210は、放射状に引張力が作用する。
このように被加工物201の裏面207に貼着されたエキスパンドシート210に放射状に引張力が作用すると、被加工物201は、分割予定ライン205に沿って改質層208が形成されているので、改質層208を基点として、分割予定ライン205に沿って個々のチップ202に分割される。また、被加工物201の裏面207に貼着されたDAF212は、被加工物201が個々のチップ202に分割される際に、エキスパンドシート210から作用する拡張方向の力がチップ202間に集中して、個々のチップ202毎に分割される。エキスパンド装置1は、昇降用シリンダ42のロッド45が伸張し終えると、開閉弁71を開いて、冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31にエキスパンドシート210を介して被加工物201即ち個々に分割されたチップ202を吸引保持する。
エキスパンド装置1は、昇降用シリンダ42のロッド45を縮小して、フレーム載置プレート21をフレーム押さえプレート22とともに下降するとともに、テーブル昇降ユニット34により冷却テーブル30のテーブル本体32等をフレーム載置プレート21とともに下降する。エキスパンド装置1は、図7に示すように、開閉弁61を閉じて圧縮エアー吹き出し口63からの圧縮エアーの吹き出しを停止し、開閉弁94を開き、湾曲プレート90の湾曲面92と冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31に吸引保持された被加工物201との間にエアーを供給する。さらに、エキスパンド装置1は、開閉弁524を開いて、温風300を温風噴射部52から噴射しながらヒータプレート回転用モータ54でヒータプレート51を回転する。
そして、エキスパンド装置1は、フレーム載置プレート21等の下降とともに、エキスパンドシート210がコロ部材44から離れるので、被加工物201の外周側から環状フレーム211の内周縁との間のエキスパンドシート210に一旦拡張されていることで生じる弛み部に全周に割って温風300を吹き付け、弛み部を加熱収縮する。
なお、エキスパンド装置1は、被加工物201の外周側から環状フレーム211の内周縁との間のエキスパンドシート210を加熱収縮する際、エア供給源95からエアーを湾曲プレート90と被加工物201との間に供給する。このために、湾曲プレート90は、前述した湾曲面92を含み、湾曲面92に噴出口91が形成されることで、湾曲面92と被加工物201との間にエア供給源95から供給されたエアーがたまる空気溜まり301を形成する。エキスパンド装置1は、空気溜まり301を形成することで、温風300の空気溜まり301への侵入、即ち温風300により被加工物201及び冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31が加熱されることを抑制する。こうして、湾曲プレート90は、温風噴射部52から噴射された温風300の湾曲プレート90と被加工物201との間に侵入することを抑制する。
エキスパンド装置1は、昇降用シリンダ42のロッド45が縮小し終えると、開閉弁71,81,94,524を閉じて、開閉扉13で開口12を開いて、被加工物201が個々のチップ202に分割され、DAF212が個々のチップ202毎に分割された被加工物ユニット200がチャンバ10外に搬出される。被加工物201が個々のチップ202に分割され、DAF212が個々のチップ202毎に分割された被加工物ユニット200は、エキスパンドシート210の拡張後、冷却テーブル30のテーブル本体32の当接面31に吸引保持された状態でエキスパンドシート210が加熱収縮されているので、分割されたチップ202同士が擦れることを抑制することができる。また、エキスパンド装置1は、図4から図7に示す工程を繰り返して、複数の被加工物ユニット200を順に連続して、被加工物201を個々のチップ202に分割し、DAF212を個々のチップ202毎に分割する。
以上説明したように、実施形態1に係るエキスパンド装置1は、温風噴射部52から噴射された温風300の湾曲プレート90と被加工物201との間に侵入することを抑制する温風進入防止手段である湾曲プレート90を備える。このために、エキスパンド装置1は、冷却テーブル30で被加工物201を冷却する領域であるテーブル本体32と湾曲プレート90との間に温風300が進入してこれらの間の雰囲気が温度上昇することを抑制でき、次の被加工物201の裏面207に貼着されたDAF212を冷却することができ、エキスパンドシート210を拡張する際の被加工物201及びDAF212の冷却不良を抑制できる。その結果、エキスパンド装置1は、連続して複数の被加工物ユニット200のエキスパンドシート210を拡張する場合でも、拡張後の被加工物ユニット200のエキスパンドシート210の弛みを解消してチップ202の損傷を防ぐとともに、次に拡張する被加工物ユニット200の冷却不良を抑制でき、分割不良が生じることを抑制することができるという効果を奏する。
また、実施形態1に係るエキスパンド装置1は、湾曲プレート90が湾曲面92を含み、湾曲面92にエアを噴出する噴出口91が形成されて、湾曲面92と被加工物201との間に空気溜まり301を形成するので、湾曲面92と被加工物201との間に温風300が侵入することを抑制することができる。
また、実施形態1に係るエキスパンド装置1は、エキスパンドシート210を加熱収縮する際、開閉弁81を開いて、冷却テーブル30のテーブル本体32及び冷却ユニット33とテーブルカバー36との間に圧縮エアー供給源82から供給される圧縮エアーを供給するので、前述した空気溜まり301の外周で圧縮エアー供給源82から供給される圧縮エアーが流れることとなり、温風300が空気溜まり301に侵入することを抑制することができる。
〔変形例〕
本発明の実施形態1の変形例に係るエキスパンド装置を図面に基づいて説明する。図8は、実施形態1の変形例に係るエキスパンド装置の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図8は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態1の変形例に係るエキスパンド装置1-1は、フレーム保持ユニット20で保持される被加工物ユニット200の下方にテーブルカバー36を備えていない冷却テーブル30及び拡張ドラム41-1を配置し、被加工物ユニット200の上方に加熱ユニット50を配置し、フレーム押さえプレート22が固定され、拡張ドラム41-1がドラム用シリンダ46の伸張するロッド47に取り付けられて、冷却テーブル30とともにフレーム載置プレート21の上面23よりも上昇することで、エキスパンドシート210を拡張すること以外、実施形態1のエキスパンド装置1と構成が等しい。なお、図8は、チャンバ10を省略している。
変形例に係るエキスパンド装置1-1は、温風進入防止手段である湾曲プレート90を備えるので、テーブル本体32と湾曲プレート90との間に温風300が進入してこれらの間の雰囲気が温度上昇することを抑制でき、実施形態1と同様に、連続して複数の被加工物ユニット200のエキスパンドシート210を拡張する場合でも、拡張後の被加工物ユニット200のエキスパンドシート210の弛みを解消してチップ202の損傷を防ぐとともに、次に拡張する被加工物ユニット200の冷却不良を抑制でき、分割不良が生じることを抑制することができるという効果を奏する。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、実施形態1では、フレーム保持ユニット20のフレーム押さえプレート22を昇降自在に設けたが、本発明では、フレーム保持ユニット20のフレーム押さえプレート22をチャンバ10に固定しても良い。
また、実施形態1では、被加工物201に分割予定ライン205に沿って分割起点である改質層208が形成されている例を説明したが、本発明では、改質層208に限定されない。本発明では、エキスパンド装置1の拡張前に、被加工物201に切削加工又はレーザアブレーション加工を施して分割予定ライン205に沿って個々のチップ202に分割しておいても良く、被加工物201に切削加工又はレーザアブレーション加工を施して分割予定ライン205に沿って表面204から凹の加工溝を形成しても良い。また、実施形態1では、被加工物ユニット200は、被加工物201とDAF212とを備えるが、本発明では、これに限定されずに、被加工物201とDAF212とのうち一方を備え、他方を備えなくても良い。
1 エキスパンド装置
20 フレーム保持ユニット(フレーム保持手段)
30 冷却テーブル
31 当接面
40 拡張ユニット(拡張手段)
50 加熱ユニット(加熱手段)
52 温風噴射部
90 湾曲プレート(温風進入防止手段)
91 噴出口
92 湾曲面
200 被加工物ユニット
201 被加工物
210 エキスパンドシート
211 環状フレーム
300 温風
301 空気溜まり

Claims (3)

  1. 被加工物と、被加工物に貼着されたエキスパンドシートと、エキスパンドシートの外周側が貼着された環状フレームと、からなる被加工物ユニットの該エキスパンドシートを拡張するエキスパンド装置であって、
    被加工物ユニットの環状フレームを保持するフレーム保持手段と、
    被加工物に対応した大きさの当接面を含み、該フレーム保持手段で保持された該環状フレームを含む該被加工物ユニットの該エキスパンドシートに当接する冷却テーブルと、
    該フレーム保持手段で保持された該環状フレームに貼着された該エキスパンドシートを拡張する拡張手段と、
    被加工物の外周側と該環状フレームの内周縁との間の該エキスパンドシートに対面して温風を噴射する温風噴射部を有した加熱手段と、
    被加工物と該温風噴射部との間に配設され、該被加工物に向かって気体を噴出する噴出口を有し、該温風噴射部から噴射された温風の進入を防止する温風進入防止手段と、
    該冷却テーブルの外周を覆い、かつ該加熱手段が該被加工物の外周側と該環状フレームの内周縁との間の該エキスパンドシートに温風を噴射する際に、該冷却テーブルとの間から圧縮エアーを吹き出すテーブルカバーと、
    を備えたエキスパンド装置。
  2. 該冷却テーブルが該被加工物と該エキスパンドシートとの間の接着フィルムを冷却しながら該拡張手段が該エキスパンドシートを拡張する際に、
    該テーブルカバーは、該冷却テーブルとの間から該圧縮エアーを吹き出し、かつ、該フレーム保持手段は、全周に亘って設けられた吹き出し口から圧縮エアーを吹き出す、請求項1に記載のエキスパンド装置。
  3. 該温風進入防止手段は、被加工物に対面し、該当接面に対応したサイズに形成された、被加工物の外周側より中央側において被加工物との間の距離が遠くなるよう反りを有した湾曲面を含み、該湾曲面に該噴出口が形成されることで該湾曲面と被加工物の間に空気溜まりを形成する、請求項1又は請求項2に記載のエキスパンド装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224775A (ja) 2008-02-20 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1608201A1 (en) 2004-06-15 2005-12-21 Alcatel Positioning of network processor in a packet based access multiplexer
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224775A (ja) 2008-02-20 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法
JP2013051368A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
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