CN112397416A - 扩展装置 - Google Patents
扩展装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112397416A CN112397416A CN202010799432.9A CN202010799432A CN112397416A CN 112397416 A CN112397416 A CN 112397416A CN 202010799432 A CN202010799432 A CN 202010799432A CN 112397416 A CN112397416 A CN 112397416A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- workpiece
- unit
- frame
- expanding
- warm air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
提供扩展装置,其在连续对多个被加工物单元的扩展片进行扩展的情况下也能消除扩展后的被加工物单元的扩展片的松弛而防止芯片损伤,并抑制下一个扩展的被加工物单元的冷却不良。扩展装置(1)具有:框架保持单元(20),其对被加工物单元的环状框架进行保持;冷却工作台(30),其包含抵接面(31),与框架保持单元所保持的被加工物单元的扩展片抵接;扩展单元(40),其对扩展片进行扩展;加热单元(50),其具有向被加工物的外周侧与环状框架的内周缘之间的扩展片喷射暖风的暖风喷射部(52);和弯曲板(90),其配设于被加工物与暖风喷射部之间,具有朝向被加工物喷出空气的喷出口,防止从暖风喷射部(52)喷射的暖风的侵入。
Description
技术领域
本发明涉及扩展装置。
背景技术
已知有如下的加工方法:对在正面上形成有器件的晶片照射激光光线,沿着分割预定线在内部形成改质层,对粘贴有晶片的扩展片(划片带)进行扩展,从而以改质层为断裂基点而分割成各个芯片。
有时要求上述晶片上粘贴有用于将分割后的器件固定于基板等的DAF(DieAttach Film,芯片贴装膜),通过对扩展片进行扩展而按照各个芯片分割DAF。在该情况下,在DAF的分割时,为了提高作为延展性材料的DAF的分割性,例如提出了使冷却板与DAF所对应的区域的扩展带接触而对DAF进行冷却的方法(例如参照专利文献1)。
另一方面,为了防止由于所扩展的扩展片发生松弛而使相邻的芯片彼此接触造成损伤,还提出了在扩展后向被加工物的外周与框架的内周之间的扩展片喷射暖风而进行加热从而使扩展片收缩的方法(例如参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2006-049591号公报
专利文献2:日本特开2011-077482号公报
但是,专利文献2所示的方法中,若在使扩展片收缩时喷射暖风,则也对冷却板的周围进行加热。因此,专利文献2所示的方法例如在连续地对多个被加工物单元的扩展片进行扩展的情况下,在对最初的被加工物单元的扩展片进行扩展并进行加热收缩之后,在对下一个被加工物单元的扩展片进行扩展时,有可能无法充分冷却DAF。专利文献2所示的方法若无法充分冷却DAF,则有可能无法按照每个芯片将DAF断裂。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供扩展装置,即使在连续地对多个被加工物单元的扩展片进行扩展的情况下,也能够消除扩展后的被加工物单元的扩展片的松弛而防止芯片损伤,并且能够抑制下一个进行扩展的被加工物单元的冷却不良。
为了解决上述课题实现目的,本发明的扩展装置对被加工物单元的扩展片进行扩展,该被加工物单元由被加工物、粘贴于被加工物的该扩展片以及粘贴有该扩展片的外周侧的环状框架构成,其特征在于,该扩展装置具有:框架保持构件,其对被加工物单元的环状框架进行保持;冷却工作台,其包含与被加工物对应的大小的抵接面,该冷却工作台与包含该框架保持构件所保持的该环状框架的该被加工物单元的该扩展片抵接;扩展构件,其对粘贴于该框架保持构件所保持的该环状框架的该扩展片进行扩展;加热构件,其具有面对被加工物的外周侧与该环状框架的内周缘之间的该扩展片而喷射暖风的暖风喷射部;以及暖风侵入防止构件,其配设于被加工物与该暖风喷射部之间,具有朝向该被加工物喷出气体的喷出口,防止从该暖风喷射部喷射的暖风的侵入。
所述扩展装置中,也可以是,该暖风侵入防止构件包含弯曲面,该弯曲面与被加工物面对,形成为与该抵接面对应的尺寸,该弯曲面按照在比被加工物的外周侧靠中央侧的位置与被加工物之间的距离变远的方式具有翘曲,该喷出口形成于该弯曲面,从而在该弯曲面与被加工物之间形成空气积存。
本申请发明起到如下的效果:即使在连续地对多个被加工物单元的扩展片进行扩展的情况下,也能够消除扩展后的被加工物单元的扩展片的松弛而防止芯片损伤,并且能够抑制下一个进行扩展的被加工物单元的冷却不良。
附图说明
图1是示出实施方式1的扩展装置的加工对象的被加工物单元的一例的立体图。
图2是示意性示出实施方式1的扩展装置的结构例的剖视图。
图3是示意性示出图2所示的扩展装置的弯曲板等的剖视图。
图4是示意性示出在图2所示的扩展装置的框架载置板上载置了被加工物单元的环状框架的状态的剖视图。
图5是示意性示出图4所示的扩展装置的框架保持单元固定了环状框架的状态的剖视图。
图6是示意性示出使图5所示的框架载置板上升而对扩展片进行了扩展的状态的剖视图。
图7是示意性示出对图6所示的扩展片进行加热而使扩展片收缩的状态的剖视图。
图8是示意性示出实施方式1的变形例的扩展装置的结构例的剖视图。
标号说明
1:扩展装置;20:框架保持单元(框架保持构件);30:冷却工作台;31:抵接面;40:扩展单元(扩展构件);50:加热单元(加热构件);52:暖风喷射部;90:弯曲板(暖风侵入防止构件);91:喷出口;92:弯曲面;200:被加工物单元;201:被加工物;210:扩展片;211:环状框架;300:暖风;301:空气积存。
具体实施方式
参照附图,对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外,在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外,以下所记载的结构可以适当组合。另外,可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
根据附图,对本发明的实施方式1的扩展装置进行说明。图1是示出实施方式1的扩展装置的加工对象的被加工物单元的一例的立体图。图2是示意性示出实施方式1的扩展装置的结构例的剖视图。图3是示意性示出图2所示的扩展装置的弯曲板等的剖视图。
实施方式1的扩展装置是将图1所示的被加工物单元200的被加工物201分割成各个芯片202的装置。在实施方式1中,如图1所示,加工对象的被加工物单元200具有:被加工物201;粘贴于被加工物201的扩展片210;以及粘贴有扩展片210的外周侧的环状框架211。
被加工物201是以硅、蓝宝石、砷化镓或SiC(碳化硅)等作为基板203的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等晶片。如图1所示,被加工物201在正面204的由相互交叉的多条分割预定线205划分的各区域内分别形成有器件206。被加工物201在正面204的背面侧的背面207上粘贴有扩展片210,在扩展片210的外周粘贴有环状框架211,从背面207侧沿着分割预定线205照射对于基板203具有透过性的波长的激光光线,在基板203的内部形成有沿着分割预定线205的作为分割起点的改质层208。
被加工物201以改质层208为分割起点而沿着分割预定线205被分割成各个芯片202。芯片202具有基板203的一部分和形成于基板203的正面的器件206。
另外,改质层208是指密度、折射率、机械强度或其他物理特性成为与周围的特性不同的状态的区域,可以例示出熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及这些区域混在的区域等。
扩展片210形成为直径比被加工物201的外径大的圆板状,由具有伸缩性的树脂形成,具有当加热时发生收缩的热收缩性。
另外,在实施方式1中,被加工物单元200在被加工物201的基板203的背面207与扩展片210之间粘贴有圆板状的DAF(Die Attach Film,芯片贴装膜)212。DAF 212是用于将芯片202固定于其他芯片或基板等的芯片接合用的粘接膜。在实施方式1中,DAF 212形成为直径比被加工物201的外径大且比环状框架211的内径小的圆板状。DAF 212按照各个芯片202被分割。在分割后的芯片202中,DAF 212粘贴于芯片202的基板203的背面207上。
实施方式1的扩展装置1是对被加工物单元200的扩展片210进行扩展而将被加工物201分割成各个芯片202并且将DAF 212按照每个芯片202进行分割的装置。如图2所示,扩展装置1具有:腔室10、作为框架保持构件的框架保持单元20、冷却工作台30、作为扩展构件的扩展单元40、作为加热构件的加热单元50以及作为控制构件的控制单元100。
腔室10形成为箱状,对框架保持单元20、冷却工作台30、扩展单元40以及作为加热构件的加热单元50进行收纳。腔室10在侧壁11设置有开口12,被加工物单元200通过开口12而出入。另外,开口12通过开闭门13进行开闭。
框架保持单元20对被加工物单元200的环状框架211进行保持而固定。框架保持单元20具有框架载置板21和框架按压板22。框架载置板21形成为内径比环状框架211的内径略小且比被加工物201和DAF 212的外径大、并且外径比环状框架211的外径略大的圆环状,上表面23与水平方向平行且平坦地形成。框架载置板21在上表面23上载置被加工物单元200的环状框架211。
另外,框架载置板21设置成通过扩展单元40的升降用气缸42升降自如。升降用气缸42的杆45的前端安装于框架载置板21,杆45进行伸缩从而框架载置板21在腔室10内升降。另外,在实施方式1中,框架载置板21通过升降用气缸42从图2所示的上表面23与开口12的下缘在水平方向上大致并排的位置上升。
框架按压板22形成为内径比框架载置板21的内径小且比被加工物201和DAF212的外径大、并且外径比环状框架211的外径略大的圆环状,下表面24与水平方向平行且平坦地形成。框架按压板22设置于与框架载置板21成为同轴的位置,在实施方式1中配置于比框架载置板21靠上方的位置。在实施方式1中,框架按压板22配置于下表面24与开口12在水平方向上大致并排的位置,与位于下方的框架载置板21隔开间隔而配置。在实施方式1中,框架按压板22在腔室10内通过滑动支承部件25支承为升降自如。在实施方式1中,框架按压板22通过滑动支承部件25支承为能够从配置于图2所示的下表面24与开口12在水平方向上大致并排的位置的位置上升。
框架保持单元20将通过开口12而插入至腔室10内的被加工物单元200的环状框架211载置在通过升降用气缸42而被定位于下方的框架载置板21的上表面23上。框架保持单元20通过升降用气缸42使在上表面23上载置有环状框架211的框架载置板21上升,在框架载置板21与框架按压板22之间夹持环状框架211和扩展片210的外周侧,对环状框架211进行保持,并且使框架载置板21和框架按压板22从夹持环状框架211和扩展片210的外周侧的位置上升。另外,在实施方式1中,框架保持单元20沿着框架按压板22的下表面24的整个圆周安装有对与扩展片210之间进行密封的密封部件26。
另外,在实施方式1中,在框架保持单元20的框架按压板22的下表面24的密封部件26的内周侧设置有压缩空气吹出口63,经由设置于框架按压板22的内部的提供路60、涡流管64、开闭阀61而从压缩空气提供源62向该压缩空气吹出口63提供压缩空气。压缩空气吹出口63沿着框架按压板22的整个圆周设置。
冷却工作台30包含与被加工物201对应的大小的抵接面31,与包含框架保持单元20所保持的环状框架211的被加工物单元200的扩展片210抵接。冷却工作台30具有:较厚的圆板状的工作台主体32;对工作台主体32进行冷却的冷却单元33;以及工作台升降单元34。
在实施方式1中,工作台主体32由铝合金形成,外径形成得比框架按压板22的内径小,配置于与框架按压板22的内周的框架按压板22成为同轴的位置。工作台主体32的下表面是外径与被加工物201的大小即外径对应的抵接面31。在实施方式1中,工作台主体32的外径与DAF 212的外径相等,从而作为下表面的抵接面31的外径与被加工物201的大小即外径对应。工作台主体32的抵接面31隔着通过框架保持单元20保持着环状框架211的被加工物单元200的扩展片210和DAF 212而与被加工物201的背面207对置。
另外,在工作台主体32的抵接面31上开口有多个吸引孔35,这些吸引孔35经由设置于工作台主体32内的吸引路70以及开闭阀71而与喷射器等吸引源72连接。工作台主体32经由吸引路70和开闭阀71而通过吸引源72对吸引孔35进行吸引,从而能够隔着扩展片210和DAF 212而将被加工物201的背面207侧吸引保持于抵接面31上。
在实施方式1中,冷却单元33设置于工作台主体32的上表面的中央部,对工作台主体32即抵接面31进行冷却。在实施方式1中,冷却单元33是能够对工作台主体32进行冷却的活塞冷却器,但在本发明中,不限于活塞冷却器。
工作台升降单元34由未图示的电动机、通过电动机进行旋转的滚珠丝杠等构成,在腔室10内使工作台主体32和冷却单元33升降。
另外,在实施方式1中,冷却工作台30的工作台主体32和冷却单元33通过工作台罩36覆盖。工作台罩36对工作台主体32进行保冷,在实施方式中,工作台罩36一体地具有:与工作台主体32的外周面隔开间隔而覆盖外周面的圆筒状的大径圆筒部37;外缘与大径圆筒部37连接且与工作台主体32的上表面隔开间隔而覆盖上表面的环状的圆环部38;以及与圆环部38的内缘连接且与冷却单元33的外周面隔开间隔而覆盖外周面的圆筒状的小径圆筒部39,工作台罩36与工作台主体32和冷却单元33配置成同轴。工作台罩36通过工作台升降单元34与工作台主体32和冷却单元33一体地升降。
另外,实施方式1从压缩空气提供源82经由提供路80、开闭阀81而向冷却工作台30与工作台罩36之间提供压缩空气。
扩展单元40对粘贴于框架保持单元20所保持的环状框架211的扩展片210进行扩展。扩展单元40具有固定于腔室10的扩展鼓41以及使框架载置板21升降的升降用气缸42。
扩展鼓41具有圆筒状的鼓部43。鼓部43形成得内径比工作台罩36的大径圆筒部37的外径大且外径比框架按压板22的内径小。鼓部43配置于工作台主体32的大径圆筒部37的外周侧且配置于框架按压板22的内周侧,与框架保持单元20和冷却工作台30配置于同轴。在扩展鼓41的下端安装有圆柱状的滚子部件44,该滚子部件44与位于下方的框架按压板22的下表面24设置于同一平面上且设置成绕轴心旋转自如。
加热单元50对框架保持单元20所保持的扩展片210已扩展的被加工物单元200的被加工物201的外周侧与环状框架211的内周缘之间的扩展片210进行加热而使扩展片210收缩。加热单元50具有加热板51、多个暖风喷射部52以及活动遮板53。
加热板51形成为外径与框架按压板22的内径相等的圆板状,配置于框架载置板21的内周侧且与框架保持单元20和冷却单元33配置成同轴。加热板51配置于比上表面与水平方向平行且位于下方的框架载置板21的下表面靠下方的位置。加热板51通过安装于腔室10的加热板旋转用电动机54绕轴心旋转。
多个暖风喷射部52与框架保持单元20所保持的扩展片210已扩展的被加工物单元200的被加工物201的外周侧与环状框架211的内周缘之间的扩展片210面对而喷射暖风300(图7所示)。多个暖风喷射部52沿周向等间隔地设置于加热板51的上表面的外缘部,与框架保持单元20所保持的扩展片210已扩展的被加工物单元200的被加工物201的外周侧与环状框架211的内周缘之间的扩展片210面对。
暖风喷射部52具有:有底筒状的喷射部主体521,其在上部设置有开口部;线圈加热器522,其是收纳于喷射部主体521内的加热部;以及空气提供源525,其经由提供路523和开闭阀524而向喷射部主体521内提供空气。线圈加热器522通过将开关闭合,从直流电源提供电力而发热。暖风喷射部52将开闭阀524打开,空气提供源525向喷射部主体521内提供空气,所提供的空气被线圈加热器522加热,从开口部喷射暖风300。
活动遮板53形成为外径比框架载置板21的内径略小的圆盘状,在暖风喷射部52的上方且在框架载置板21的内周侧与框架保持单元20和冷却单元33配置成同轴。活动遮板53通过安装于加热板51的活动遮板旋转用电动机55而绕轴心旋转。另外,活动遮板53在外缘部设置有能够使暖风喷射部52露出的开口部56。
这样,实施方式1的扩展装置1在框架保持单元20所保持的被加工物单元200的上方配置有冷却工作台30,在被加工物单元200的下方配置有加热单元50。
控制单元100分别控制扩展装置1的构成要素,使扩展装置1实施对于被加工物单元200的加工动作。另外,控制单元100是计算机,该控制单元100具有:运算处理装置,其具有CPU(central processing unit,中央处理器)那样的微处理器;存储装置,其具有ROM(read only memory,只读存储器)或RAM(random access memory,随机存取存储器)那样的存储器;以及输入输出接口装置。控制单元100的运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理,将用于控制扩展装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出至扩展装置1的构成要素。
控制单元100与由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成的未图示的显示单元以及操作者在登记加工内容信息等时使用的未图示的输入单元连接。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
另外,扩展装置1具有作为暖风侵入防止构件的弯曲板90。弯曲板90配设于框架保持单元20所保持的被加工物单元200的被加工物201与多个暖风喷射部52之间,具有朝向被加工物201喷出作为气体的空气的图3所示的喷出口91,抑制从暖风喷射部52喷射的暖风300的侵入。弯曲板90形成为外径与冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31大致相等的圆板状,与框架保持单元20和冷却单元33配置成同轴,并且安装于活动遮板53的上表面上。
弯曲板90安装于活动遮板53的上表面上,从而与框架保持单元20所保持的被加工物单元200的被加工物201面对。弯曲板90的外径与冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31大致相等,从而形成为与抵接面31对应的尺寸。另外,弯曲板90的外径与冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31的外径大致相等,从而配置于比加热板51上的暖风喷射部52靠活动遮板53的内周侧的位置。
在实施方式1中,弯曲板90按照厚度均匀且在比框架保持单元20所保持的被加工物单元200的被加工物201的外周侧靠中央侧的位置与被加工物201的距离变远的方式具有翘曲而形成。因此,弯曲板90的上表面是按照在比框架保持单元20所保持的被加工物单元200的被加工物201的外周侧靠中央侧的位置与被加工物201的距离变远的方式具有翘曲的弯曲面92。这样,弯曲板90包含弯曲面92。
在实施方式1中,如图3所示,喷出口91设置于弯曲板90的中央,经由提供路93和开闭阀94而提供来自空气提供源95的空气。由于弯曲板90的弯曲面92如上述那样弯曲,因此从空气提供源95提供且从喷出口91喷出的空气要停留在弯曲面92与被加工物201之间,从而在弯曲面92与被加工物201之间抑制从暖风喷射部52喷射的暖风300侵入弯曲面92与被加工物201之间。
接着,本说明书对上述的扩展装置1的加工动作进行说明。图4是示意性示出在图2所示的扩展装置的框架载置板上载置了被加工物单元的环状框架的状态的剖视图。图5是示意性示出图4所示的扩展装置的框架保持单元固定了环状框架的状态的剖视图。图6是示意性示出使图5所示的框架载置板上升而对扩展片进行了扩展的状态的剖视图。图7是示意性示出对图6所示的扩展片进行加热而使扩展片收缩的状态的剖视图。
上述结构的扩展装置1在控制单元100中登记有加工内容信息,当接受加工开始指示时,开始加工动作。在加工动作中,扩展装置1使框架载置板21下降,将冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31定位于比框架按压板22的下表面24靠上方的位置。扩展装置1将开闭阀61、71、81、94、524关闭,利用冷却单元33对工作台主体32进行冷却,将开关闭合而向线圈加热器522提供来自直流电源的电力,在使线圈加热器522发热的状态下,通过开闭门13将开口12开放。扩展装置1通过开口12将被加工物单元200插入至腔室10内,如图4所示,将插入至腔室10内的被加工物单元200的环状框架211载置于框架载置板21的上表面23上。
扩展装置1通过开闭门13将开口12关闭,将开闭阀61、81打开而从压缩空气吹出口63吹出压缩空气,并且将来自压缩空气提供源82的压缩空气提供至工作台主体32和冷却单元33与工作台罩36之间。扩展装置1使升降用气缸42的杆45伸长而使框架载置板21上升,并且通过工作台升降单元34使冷却工作台30的工作台主体32等下降。
如图5所示,扩展装置1在位于下方的框架按压板22与框架载置板21之间夹持环状框架211和扩展片210的外周侧而保持,并且将抵接面31与密封部件26的下表面定位于同一平面上,靠近粘贴于扩展片210的DAF 212。
扩展装置1使框架载置板21进一步上升,并且在扩展片210与抵接面31接触的时机通过工作台升降单元34使冷却工作台30的工作台主体32等上升。另外,当扩展片210与抵接面31接触时,DAF 212隔着扩展片210和工作台主体32而被冷却单元33冷却。
扩展装置1使框架按压板22被环状框架211和框架载置板21等推压而上升,上升至框架按压板22的下表面24比滚子部件44的下端靠上方的位置,通过工作台升降单元34将冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31与滚子部件44的下端定位于同一平面上。于是,如图6所示,框架保持单元20所保持的被加工物单元200的扩展片210与滚子部件44抵接,扩展片210在面方向上扩展。扩展的结果是,拉伸力呈放射状作用于扩展片210。
当这样对粘贴于被加工物201的背面207上的扩展片210呈放射状作用拉伸力时,由于被加工物201沿着分割预定线205形成有改质层208,因此以改质层208为基点而沿着分割预定线205分割成各个芯片202。另外,关于粘贴于被加工物201的背面207上的DAF 212,在被加工物201被分割成各个芯片202时,从扩展片210作用的扩展方向的力集中于芯片202之间,从而该DAF 212按照各个芯片202被分割。扩展装置1中,当升降用气缸42的杆45结束伸长时,将开闭阀71打开,隔着扩展片210而将被加工物201即各个分割得到的芯片202吸引保持于冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31上。
扩展装置1使升降用气缸42的杆45缩短,使框架载置板21与框架按压板22一起下降,并且通过工作台升降单元34使冷却工作台30的工作台主体32等与框架载置板21一起下降。如图7所示,扩展装置1将开闭阀61关闭,停止来自压缩空气吹出口63的压缩空气的吹出,将开闭阀94打开,向弯曲板90的弯曲面92与冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31所吸引保持的被加工物201之间提供空气。另外,扩展装置1将开闭阀524打开,一边从暖风喷射部52喷射暖风300一边利用加热板旋转用电动机54使加热板51旋转。
并且,扩展装置1随着框架载置板21等的下降,扩展片210从滚子部件44离开,因此沿着整个圆周对在被加工物201的外周侧至环状框架211的内周缘之间的扩展片210上由于暂时扩展而产生的松弛部吹送暖风300,使松弛部加热收缩。
另外,扩展装置1在使被加工物201的外周侧至环状框架211的内周缘之间的扩展片210加热收缩时,从空气提供源95将空气提供至弯曲板90与被加工物201之间。因此,弯曲板90包含上述的弯曲面92且在弯曲面92上形成有喷出口91,从而形成从空气提供源95提供至弯曲面92与被加工物201之间的空气积聚的空气积存301。扩展装置1通过形成空气积存301,抑制暖风300侵入空气积存301即抑制通过暖风300对被加工物201和冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31进行加热。这样,弯曲板90抑制从暖风喷射部52喷射的暖风300侵入弯曲板90与被加工物201之间。
扩展装置1中,当升降用气缸42的杆45结束缩短时,将开闭阀71、81、94、524关闭,利用开闭门13将开口12打开,将被加工物201分割成各个芯片202,并将DAF 212按照各个芯片202分割后的被加工物单元200搬出至腔室10外。被加工物201被分割成各个芯片202且DAF 212按照各个芯片202被分割的被加工物单元200在扩展片210的扩展后,在吸引保持于冷却工作台30的工作台主体32的抵接面31的状态下使扩展片210加热收缩,因此能够抑制分割后的芯片202彼此摩擦。另外,扩展装置1重复进行图4至图7所示的工序而依次连续地将多个被加工物单元200的被加工物201分隔成各个芯片202,将DAF 212按照各个芯片202进行分割。
如以上所说明的那样,实施方式1的扩展装置1具有作为暖风侵入防止构件的弯曲板90,该弯曲板90抑制从暖风喷射部52喷射的暖风300侵入弯曲板90与被加工物201之间。因此,扩展装置1能够抑制暖风300侵入至利用冷却工作台30对被加工物201进行冷却的区域即工作台主体32与弯曲板90之间而使它们之间的气氛温度上升,能够对粘贴于下一个被加工物201的背面207上的DAF 212进行冷却,能够抑制在对扩展片210进行扩展时的被加工物201和DAF 212的冷却不良。其结果是,扩展装置1起到如下的效果:即使在连续地对多个被加工物单元200的扩展片210进行扩展的情况下,也能够消除扩展后的被加工物单元200的扩展片210的松弛而防止芯片202的损伤,并且能够抑制下一个扩展的被加工物单元200的冷却不良,能够抑制产生分割不良。
另外,实施方式1的扩展装置1中,弯曲板90包含弯曲面92,在弯曲面92上形成有喷出空气的喷出口91,在弯曲面92与被加工物201之间形成空气积存301,因此能够抑制暖风300侵入弯曲面92与被加工物201之间。
另外,实施方式1的扩展装置1在使扩展片210加热收缩时,将开闭阀81打开而向冷却工作台30的工作台主体32和冷却单元33与工作台罩36之间提供从压缩空气提供源82提供的压缩空气,因此从压缩空气提供源82提供的压缩空气在上述的空气积存301的外周流动,从而能够抑制暖风300侵入至空气积存301。
[变形例]
根据附图,对本发明的实施方式1的变形例的扩展装置进行说明。图8是示意性示出实施方式1的变形例的扩展装置的结构例的剖视图。另外,图8中,在与实施方式1相同的部分标记相同的标号,并省略了说明。
实施方式1的变形例的扩展装置1-1在框架保持单元20所保持的被加工物单元200的下方配置有不具有工作台罩36的冷却工作台30和扩展鼓41-1,在被加工物单元200的上方配置有加热单元50,框架按压板22是固定的,扩展鼓41-1安装于鼓用气缸46的伸长的杆47,与冷却工作台30一起上升至比框架载置板21的上表面23靠上方的位置,从而对扩展片210进行扩展,除此以外,结构与实施方式1的扩展装置1相同。另外,图8省略了腔室10。
变形例的扩展装置1-1具有作为暖风侵入防止构件的弯曲板90,因此能够抑制暖风300侵入工作台主体32与弯曲板90之间而使它们之间的气氛温度上升,与实施方式1同样地起到如下的效果:即使在连续地对多个被加工物单元200的扩展片210进行扩展的情况下,也能够消除扩展后的被加工物单元200的扩展片21的松弛而防止芯片202的损伤,并且能够抑制下一个扩展的被加工物单元200的冷却不良,能够抑制产生分割不良。
另外,本发明并不限于上述实施方式。即,可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。另外,在实施方式1中,将框架保持单元20的框架按压板22设置成升降自如,但在本发明中,也可以将框架保持单元20的框架按压板22固定于腔室10。
另外,在实施方式1中,对在被加工物201上沿着分割预定线205形成有作为分割起点的改质层208的例子进行了说明,但在本发明中,不限于改质层208。在本发明中,可以在扩展装置1的扩展前预先对被加工物201实施切削加工或激光烧蚀加工而沿着分割预定线205分割成各个芯片202,也可以对被加工物201实施切削加工或激光烧蚀加工而沿着分割预定线205形成从正面204凹陷的加工槽。另外,在实施方式1中,被加工物单元200具有被加工物201和DAF 212,但在本发明中,不限于此,可以具有被加工物201和DAF 212中的一方而不具有另一方。
Claims (2)
1.一种扩展装置,其对被加工物单元的扩展片进行扩展,该被加工物单元由被加工物、粘贴于被加工物的该扩展片以及粘贴有该扩展片的外周侧的环状框架构成,其中,
该扩展装置具有:
框架保持构件,其对被加工物单元的环状框架进行保持;
冷却工作台,其包含与被加工物对应的大小的抵接面,该冷却工作台与包含该框架保持构件所保持的该环状框架的该被加工物单元的该扩展片抵接;
扩展构件,其对粘贴于该框架保持构件所保持的该环状框架的该扩展片进行扩展;
加热构件,其具有面对被加工物的外周侧与该环状框架的内周缘之间的该扩展片而喷射暖风的暖风喷射部;以及
暖风侵入防止构件,其配设于被加工物与该暖风喷射部之间,具有朝向该被加工物喷出气体的喷出口,防止从该暖风喷射部喷射的暖风侵入。
2.根据权利要求1所述的扩展装置,其中,
该暖风侵入防止构件包含弯曲面,该弯曲面与被加工物面对,形成为与该抵接面对应的尺寸,该弯曲面按照在比被加工物的外周侧靠中央侧的位置与被加工物之间的距离变远的方式具有翘曲,该喷出口形成于该弯曲面,从而在该弯曲面与被加工物之间形成空气积存。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019148838A JP7325258B2 (ja) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | エキスパンド装置 |
JP2019-148838 | 2019-08-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112397416A true CN112397416A (zh) | 2021-02-23 |
Family
ID=74603831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010799432.9A Pending CN112397416A (zh) | 2019-08-14 | 2020-08-11 | 扩展装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7325258B2 (zh) |
KR (1) | KR20210020766A (zh) |
CN (1) | CN112397416A (zh) |
TW (1) | TW202107624A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230081644A (ko) | 2021-11-30 | 2023-06-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 익스팬드 장치 |
KR20230100060A (ko) | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 세메스 주식회사 | 다이 사이의 간격을 확장하기 위한 웨이퍼 익스팬더, 및 이를 포함하는 다이 공급 모듈 및 다이 본딩 설비 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1608201A1 (en) | 2004-06-15 | 2005-12-21 | Alcatel | Positioning of network processor in a packet based access multiplexer |
TWI498988B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method |
KR20110077482A (ko) | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 이유에스티(주) | 이피트리 데이터가 저장된 알에프아이디를 통한 기부자와 수혜자의 데이터관리 시스템 및 방법 |
JP6249586B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2017-12-20 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
JP7030469B2 (ja) * | 2017-10-02 | 2022-03-07 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置及びテープ拡張方法 |
JP7076204B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2022-05-27 | 株式会社ディスコ | 分割装置 |
-
2019
- 2019-08-14 JP JP2019148838A patent/JP7325258B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-14 KR KR1020200086503A patent/KR20210020766A/ko active Search and Examination
- 2020-08-10 TW TW109127062A patent/TW202107624A/zh unknown
- 2020-08-11 CN CN202010799432.9A patent/CN112397416A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202107624A (zh) | 2021-02-16 |
JP2021034397A (ja) | 2021-03-01 |
KR20210020766A (ko) | 2021-02-24 |
JP7325258B2 (ja) | 2023-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112397416A (zh) | 扩展装置 | |
JP6249586B2 (ja) | ワーク分割装置及びワーク分割方法 | |
CN109860110B (zh) | 晶片的分割方法和晶片的分割装置 | |
JP2007027562A (ja) | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 | |
KR20150128579A (ko) | 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법 | |
CN106024671B (zh) | 扩张装置 | |
TW201604943A (zh) | 膠帶擴張裝置 | |
TWI782160B (zh) | 分割裝置 | |
JP7437963B2 (ja) | エキスパンド装置 | |
TWI826641B (zh) | 擴展裝置 | |
US20230170246A1 (en) | Expanding apparatus | |
US20230298925A1 (en) | Expansion method | |
WO2023042261A1 (ja) | エキスパンド装置およびエキスパンド方法 | |
JP2023081298A (ja) | エキスパンド装置 | |
TW202221778A (zh) | 擴展裝置及擴展方法 | |
KR20200121229A (ko) | 익스팬드 장치, 익스팬드 방법 | |
JP6955927B2 (ja) | 接着フィルムの破断装置及び接着フィルムの破断方法 | |
JP2024061394A (ja) | 拡張方法及び拡張装置 | |
JP2019117896A (ja) | 被加工物の分割方法及び分割装置 | |
JP2022048638A (ja) | エキスパンド装置 | |
TW202125711A (zh) | 被加工物之加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |