CN109961815B - 动态随机存取存储器及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储区及一控制元件。该存储区包括一存储列。该控制元件经配置以根据该DRAM的温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新(row‑hammer refresh)。

Description

动态随机存取存储器及其操作方法

本公开主张2017/12/22申请的美国临时申请案第62/609,840号及2018/03/12申请的美国正式申请案第15/918,355号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开关于一种动态随机存取存储器(DRAM)及其操作方法，特别是关于一种DRAM温度感测的操作管理方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元的数据存储在单独的电容器中最简单的DRAM单元包括单个N型金属氧化物半导体(n-type metal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管和单个电容器。如果电荷存储在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为存储逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元存储逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此DRAM系统需要额外的更新电路来周期性地更新存储在电容器中的电荷。由于电容器只能存储非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bit line，BL)，其中位元线对中的第一位被称为位线真(bit line true，BLT)，另一个是位元线补数(bit line complement，BLC)。单个NMOS晶体管的栅极由字元线(wordline，WL)控制。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括一存储区及一控制元件。该存储区包括一存储列。该控制元件经配置以根据该DRAM的一温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

在一些实施例中，该DRAM还包括一感测器，经配置以感测该动态随机存取存储器的该温度。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度及该存储列的存取次数，选择性地准许存储列有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，当该温度高于该临界温度时，该控制元件判断出一第一临界次数。当该温度低于该临界温度时，该控制元件判断出大于该第一临界次数的一第二临界次数。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度，调整一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

本公开另提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括一感测器和一存储区。该感测器经配置以感测该动态随机存取存储器的一温度。该存储区包括一存储列。判断该存储列是否有资格进行一列锤子更新的一临界次数和该温度是正相关。

在一些实施例中，该动态随机存取存储器还包括一控制元件。该控制元件经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度和该存储列的存取次数，选择性地准许该存储列有资格进行列锤子更新。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出该临界次数。

在一些实施例中，当该温度高于该临界温度时，该控制元件判断出一第一临界次数。当该温度低于该临界温度时，该控制元件判断出大于该第一临界次数的一第二临界次数。

在一些实施例中，该控制元件更经配置以根据该温度，调整该临界次数。

本公开另提供一种动态随机存取存储器(DRAM)的操作方法。该操作方法包括：感测该DRAM的一温度；以及根据该温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

在一些实施例中，该操作方法还包括：根据该温度及该存储列的存取次数，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

在一些实施例中，该操作方法还包括：根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该操作方法还包括：根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该操作方法还包括：根据该温度，调整一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

在一些实施例中，该操作方法还包括：根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

在一些现有的DRAM中，不论温度如何，执行列锤子更新的临界值都是不变的。因此，在较低温度和给定的操作环境下，列锤子更新次数较高。因此，DRAM的功率耗损相对较无效能。此外，在较高温度和给定的操作环境下，列锤子更新次数较低。结果，DRAM存储的数据更有可能遗失。

在本公开中，控制元件不仅根据存储列的存取次数，而且根据温度来判断是否准许存储列有资格进行列锤子更新。在较低的温度下，执行列锤子更新的临界值相对较高。因此，在给定的操作环境中，列锤子更新次数较低。因此，DRAM的功率耗损相对较有效能。此外，在较高的温度下，执行列锤子更新的临界值相对较低。因此，在给定的操作环境中，列锤子更新次数较高。如此，在较高温度，存储器列存储的数据较不易遗失。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1是示意图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器(DRAM)；

图2是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的操作方法；

图3是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器的操作；

图4是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器的另一操作；

图5是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器判断出一临界次数的方案的操作。

图6是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器、图5方案的另一操作；

图7是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法；

图8是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器在调整临界次数方案的操作。

图9是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法；以及

图10是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法。

附图标记说明：

10 动态随机存取存储器(DRAM)

12 存储器阵列

14 更新元件

16 控制元件

18 感测器

20 方法

22 操作

24 操作

30 方法

32 操作

34 操作

36 操作

40 方法

42 操作

50 方法

120 存储胞

122 存储列

124 存储列

126 存储列

500 操作

502 操作

504 操作

506 操作

508 操作

510 操作

ACTIVE 命令

ADDR2 位址

BL1…BLm 位元线

ROW_HAM 列锤子更新

T1 温度

T2 温度

Tth 临界温度

WL1…WLn 字元线

具体实施方式

本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。

「一实施例」、「实施例」、「例示实施例」、「其他实施例」、「另一实施例」等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用「在实施例中」一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。

为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求定义。

图1是示意图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器(DRAM)10。参照图1，DRAM 10包括具有存储器阵列12的存储区、更新元件14、控制元件16以及感测器18。

存储器阵列12经配置以存储数据。存储器阵列12包括以二维阵列排列的复数个存储胞120。存储胞120经配置以存储数据。除了存储胞120，存储器阵列12还包括复数个字元线(WL至WLn)，和复数个位元线(BL1至BLm)，其中n和m是正整数。字元线(WL1至WLn)和位元线(BL1至BLm)用于控制关联的存储胞120的操作。存储胞120在一单个列中，字元线经配置以存取该等存储胞120，该等存储胞120可视为一个存储列。为便于讨论，下列图中，字元线、位元线和存储胞未被描绘，仅示出存储列。此外，在本实施例中，描述并图示单个存储器阵列12。但是，本公开不限于此。在一些实施例中，DRAM 10可以包括复数个存储器阵列，该等存储器阵列和存储器阵列12以相同的方式操作，如下所述。

更新元件14经配置以在存储器阵列12上执行列锤子更新，以减轻或甚至消除列锤子效应(row-hammer effect)。更详细地说，当在存储列自刷新周期内，多次存取存储列时，存储列受到列锤子效应。例如，当在自刷新周期内存取存储列的次数超过，例如约300,000次时，存储列受到列锤子效应，也就是，可能发生列锤子效应。为更了解列锤子效应，假设与存储列(以下称为目标列)相邻的两存储列(以下称为受害列)的存储胞120具有一逻辑高。如果在给定的时间区段内，存取目标列超过例如大约300,000次，在未存取受害存储列的情况下，受害存储列存储的数据可能从逻辑高翻转为逻辑低，此效应称为列锤子效应。因为这种翻转并非在计划中，因此这种翻转可能导致DRAM 10异常工作，或者提供错误的数据。

感测器18经配置以感测DRAM 10的温度。在一实施例中，感测器18可以安排在存储器阵列12中，在电路设计者感兴趣的存储列的附近。因此，基于这样的存储列的温度，控制元件16能够执行一操作。

控制元件16经配置以根据感测器18感测的温度和存储列的存取次数，选择性地准许存储列有资格进行一列锤子更新。

通常，随着温度升高，发生列锤子效应可能性增加。相反地，如果温度较低，即使在自刷新周期内多次存取存储列，这种可能性也较低。

在本公开中，控制元件16不仅基于存储列的存取次数，而且基于感测器18感测的温度，判断是否准许存储列有资格进行列锤子更新。

控制元件16在较低温度及一给定的操作环境中的功能为准许较高的临界值来执行列锤子更新。因为不容易达到这样的临界值，因此执行列锤子更新的次数较少。因此，DRAM 10的功率消耗是相对较有效率地。

此外，控制元件16在较高温度及一给定的操作环境中的功能为准浦较低的临界值来执行列锤子更新。因为不容易达到这样的临界值，因此执行列锤子更新的次数较多。如此，在较高温度，存储在存储列的数据较不易遗失。

在一些现有的DRAM中，不论温度如何，执行列锤子更新的临界值都是不变的。如前所述，在较低温度下，列锤子效应发生的可能性较低。不需要经常进行列锤子更新。但是，因为现有的DRAM中，临界是不变的，在较低温度和一给定的操作环境下，列锤子更新次数仍然较多。因此，DRAM的功消耗是相对较无效率地。此外，在较高温度和一给定的操作环境下，列锤子更新次数较低。结果，存储在DRAM的数据更有可能遗失。

图2是流程图，例示本公开的一些实施例的DRAM 20的操作方法；参照图2，操作方法20包括操作22和24。

操作方法20从操作22开始，其中感测DRAM的温度。

操作方法20继续操作24，其中根据DRAM的温度，选择性地准许存储列有资格进行一列锤子更新。

操作方法40仅是本公开的一个实施例，非意图限制权利要求所定义的本公开的构思与范围。在操作方法40之前、期间和之后可以有额外的操作，并可替换、删除或移动一些操作以用于此方法的另外实施例。

在本公开中，采用操作方法20执行列锤子更新的DRAM的功率消耗是相对较有效率地。

图3是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器10的操作。参照图3，存储器阵列12包括存储列122、124和126。

在操作中，感测器18感测DRAM 10的温度T1，并传输感测结果到控制元件16。控制元件16根据温度T1，判断出临界次数是Y次，例如5,000次。此外，控制元件16接收一ACTIVE命令，ACTIVE命令指示存取与ADDR2位址相关联的存储列124X次，例如小于Y次的3,000次。因此，控制元件16不准许存储列124有资格进行列锤子更新(换句话说，控制元件16禁止在存储列124上执行列锤子更新)。

图4是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器10的另一操作。参照图4，在操作中，控制元件16接收ACTIVE命令，ACTIVE命令指示存取与ADDR2位址相关联的存储列124Y次，其中Y次等于临界次数(换句话说，根据温度T1判断出Y次)。因此，控制元件16准许存储列124有资格进行列锤子更新(换句话说，控制元件16准许在存储列124执行列锤子更新)。

图5是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器10判断出一临界次数的方案的操作。参照图5，控制元件16根据温度和一临界温度间的一比较结果，判断出一临界次数，借此判断该存储列124是否有资格进行列锤子更新。

在图5所示方案中，感测器18感测温度T1，其中T1小于临界温度Tth。相应地，控制元件16根据温度T1和临界温度Tth间的比较结果来判断出临界次数是Y次。

因为控制元件16接收到小于Y次的X次ACTIVE命令，其中Y次是临界次数。因此，控制元件16不准许存储列124有资格进行列锤子更新。

图6是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器、图5的方案的另一操作。参照图6，感测器18感测温度T2，其中T2大于临界温度Tth。相应地，控制元件16判断出临界次数是小于Y次的X次，其中X次是根据温度T2与临界温度Tth间的一比较结果来判断。

因为控制元件16接收X次的ACTIVE命令。存取X次等于X次的临界次数。因此，控制元件16准许存储列124有资格进行列锤子更新。

对比图5例示实施例，在较高温度下，如图6所示，临界次数(X次)较低，因此很容易达到。在一给定的操作环境中，对存储列124执行相对频繁地列锤子更新。如此，存储在存储列124的数据较不易遗失。

相比之下，比较图5和图4实施例，在图4实施例中，温度T1较低，因此临界次数(Y次)较高，因此不容易达到。在一给定的操作环境中，对存储列124执行相对不频繁地列锤子更新。因此，DRAM 10的功率消耗相对较有效率地。

在一些现有的DRAM中，判断存储列是否适合列锤子更新的临界次数是固定、不能改变的，特别是不能根据DRAM的温度来改变。如此，在较高温度下操作的DRAM判断是否执行列锤子更新的临界次数仍然根据在较低温度下操作的DRAM所使用的相同的临界次数。因此，DRAM存储的数据更有可能遗失。相反地，当温度降到较低的温度时，临界次数不会改变，因此仍然保持相对较低。较低临界次数很容易达到，因此在给定的操作环境中相对频繁地执行列锤子更新。因此，DRAM的功率消耗相对较无效率地。

图7是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法30。参照图7，操作方法30与图2描述和说明的方法20类似，操作方法30另包括操作34和36。

操作方法30开始于操作34，其中根据DRAM的温度和一临界温度间的比较结果，决定一临界次数，借此判断该存储列是否有资格进行列锤子更新。

操作方法30继续操作36，其中根据临界次数，选择性地准许存储列有资格进行一列锤子更新。

操作方法30仅是本公开的一个实施例，非意图限制权利要求所定义的本公开的构思与范围。在操作方法30之前、期间和之后可以有额外的操作，并可替换、删除或移动一些操作以用于此方法的另外实施例。

在本公开中，采用操作方法30执行列锤子更新的DRAM的功率消耗较有效率地。

图8是示意图，例示说明本公开的一些实施例，图1的动态随机存取存储器10在调整临界次数方案中的操作。参照图8，控制元件16经配置以根据温度调整一临界次数，该临界次数是经配置以判断存储列124是否有资格进行列锤子更新，并且根据该临界次数选择性地准许存储列124有资格进行列锤子更新。

例如，在第一状态下，感测器18感测DRAM 10的温度是T1。控制元件16根据温度T1，判断出临界次数是Y次。

在第一状态的后的第二状态中，感测器18感测DRAM 10的温度是T2(小于温度T1)。根据温度T2，控制元件16将临界次数从Y次增加到大于Y次的Z次。因为Y次的存取次数小于减少的Z次(临界次数)，在符合临界次数为Y次的情况下，控制元件16将准许存储列124具有资格，否则不准许存储列124具有资格。简而言之，判断存储列是否有资格进行一列锤子更新的临界次数和温度是正相关。因此，DRAM 10的功率消耗相对较有效率地。

在图8所示的实施例中，仅描述和说明临界数的增加。但是，本公开不限于此。临界次数的减少可依照类似于临界次数的增加的方式来实现。

图9是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法40。参照图9，操作方法40与图7描述和说明的操作方法30类似，操作方法40另包括操作42。

在操作方法42中，根据DRAM的温度，调整临界次数。

操作方法40仅是本公开的一个实施例，非意图限制权利要求所定义的本公开的构思与范围。在操作方法40之前、期间和之后可以有额外的操作，并可替换、删除或移动一些操作以用于此方法的另外实施例。

在本公开中，采用操作方法40执行列锤子更新的DRAM的功率消耗相对较有效率地。

图10是流程图，例示本公开的一些实施例的动态随机存取存储器的另一操作方法50。参照图10，方法50与图2描述和说明的操作方法20类似，除了例如操作方法50包括操作500、502、504、506、508和510之外。

在操作22之后，操作方法50继续操作500，其中判断温度是否改变。如果温度改变，操作方法50继续操作502，其中调整临界次数。如果温度未改变，操作方法50进行到操作504，其中保持临界次数不变。

在操作502和504之后，操作方法50继续操作506，其中判断存储列的存取次数是否达到临界次数。如果存取次数达到临界次数，方法50进行到操作508，其中准许存储列有资格进行列锤子更新。如果存取次数未达到临界次数，则方法50继续操作510，其中禁止存储列有资格进行列锤子更新。

操作方法50仅是本公开的一个实施例，非意图限制权利要求所定义的本公开的构思与范围。在操作方法50之前、期间和之后可以有额外的操作，并可替换、删除或移动一些操作以用于此方法的另外实施例。

在本公开中，采用操作方法50执行列锤子更新DRAM的功率消耗相对较有效率地。

在本公开中，对比图5例示实施例，在较高温度下，如图6所示，临界次数(X次)较低，因此很容易达到。在一给定的操作环境中，对存储列124执行相对频繁地列锤子更新。如此，存储列124存储的数据较不易遗失。相比之下，比较图5和图4实施例，在图4实施例中，温度T1较低，因此临界次数(Y次)较高，因此不容易达到。在一给定的操作环境中，对存储列124执行相对不频繁地列锤子更新。因此，DRAM 10的功率消耗相对较有效率地。

本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括一存储区及一控制元件。该存储区包括一存储列。该控制元件经配置以根据该DRAM的温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新(row-hammer refresh)。

本公开另提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括一感测器和一存储区。该感测器经配置以感测该动态随机存取存储器的一温度。该存储区包括一存储列。判断该存储列是否有资格进行一列锤子更新的一临界次数和该温度是正相关。

本公开另提供一种动态随机存取存储器(DRAM)的操作方法。该操作方法包括：感测该DRAM的一温度；以及根据该温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本公开的权利要求内。

Claims (20)

1.一种动态随机存取存储器DRAM，包括：

一存储区，包括一存储列；以及

一控制元件，经配置以根据该DRAM的一温度，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新，以减轻或消除当多次存取存储列时该存储列受到的列锤子效应。

2.如权利要求1所述的DRAM，还包括：

一感测器，经配置以感测该动态随机存取存储器的该温度。

3.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度及该存储列的存取次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

4.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

5.如权利要求4所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

6.如权利要求5所述的DRAM，其中：

当该温度高于该临界温度时，该控制元件判断出一第一临界次数，以及

当该温度低于该临界温度时，该控制元件判断出大于该第一临界次数的一第二临界次数。

7.如权利要求1所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度，调整一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

8.如权利要求7所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

9.一种动态随机存取存储器DRAM，包括：

一感测器，经配置以感测该动态随机存取存储器的一温度；以及

一存储区，包括一存储列；

其中经配置以判断该存储列是否有资格进行一列锤子更新的一临界次数和该温度是正相关，该列锤子更新减轻或消除当多次存取存储列时该存储列受到的列锤子效应。

10.如权利要求9所述的DRAM，还包括：

一控制元件，经配置以根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

11.如权利要求10所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度和该存储列的存取次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

12.如权利要求10所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出该临界次数。

13.如权利要求12所述的DRAM，其中：

当该温度高于该临界温度时，该控制元件判断出一第一临界次数，以及

当该温度低于该临界温度时，该控制元件判断出大于该第一临界次数的一第二临界次数。

14.如权利要求10所述的DRAM，其中该控制元件更经配置以根据该温度，调整该临界次数。

15.一种动态随机存取存储器DRAM的操作方法，包括：

感测该DRAM的一温度；以及

根据该温度，选择性地准许一存储列有资格进行一列锤子更新，以减轻或消除当多次存取存储列时该存储列受到的列锤子效应。

16.如权利要求15所述的操作方法，还包括：

根据该温度及该存储列的存取次数，选择性地准许该存储列有资格进行一列锤子更新。

17.如权利要求15所述的操作方法，还包括：

根据该温度和一临界温度间的一比较结果来判断出一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

18.如权利要求17所述的操作方法，还包括：

根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

19.如权利要求15所述的操作方法，还包括：

根据该温度，调整一临界次数，该临界次数是经配置以判断该存储列是否有资格进行该列锤子更新。

20.如权利要求19所述的操作方法，还包括：

根据该临界次数，选择性地准许该存储列有资格进行该列锤子更新。

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