CN116978423A - 存储器仿真方法 - Google Patents

存储器仿真方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116978423A
CN116978423A CN202210431094.2A CN202210431094A CN116978423A CN 116978423 A CN116978423 A CN 116978423A CN 202210431094 A CN202210431094 A CN 202210431094A CN 116978423 A CN116978423 A CN 116978423A
Authority
CN
China
Prior art keywords
word line
refresh
address
memory
command
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210431094.2A
Other languages
English (en)
Inventor
鲍杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202210431094.2A priority Critical patent/CN116978423A/zh
Publication of CN116978423A publication Critical patent/CN116978423A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本公开涉及半导体电路测试领域,特别涉及一种存储器仿真方法,包括:向存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令,并在第一刷新命令和第二刷新命令之间,向存储器提供多个字线开启命令;其中,字线开启命令的数量基于随机化种子生成,每一字线开启命令所对应的字线地址由相应的随机化种子产生,且每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生;获取存储器基于多个字线开启命令开启不同字线地址后,所需刷新的预设地址;获取存储器基于第二刷新命令所刷新的刷新字线地址;判断预设地址+1和预设地址‑1是否位于刷新字线地址中,以测试刷新电路的补充刷新功能是否正常,从而保证各存储区内存储数据的准确性。

Description

存储器仿真方法
技术领域
本公开涉及半导体电路测试领域,特别涉及一种存储器仿真方法。
背景技术
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)通过一个晶体管连接一存储区的结构(1T1C)存储数据,其中晶体管通过字线(word line,WL)控制,WL导通时,存储区内的电荷与位线(bit line,BL)的电荷共享,以将目标存储区中的数据读出,或向目标存储区中写入数据。
然而,字线频繁开启或长时间开启会导致相邻存储区内的电荷丢失,即存储器的行锤击(row hammer)现象,可能导致存储区内存储的数据发生错误,申请人发现可以额外设置刷新逻辑,以通过刷新电路对频繁开启的字线和长时间开启的字线相邻存储区进行数据刷新,以保证各存储区内存储数据的准确性。
如何对刷新电路的功能进行测试,以确保刷新电路的正常工作,从而保证各存储区内存储数据的准确性,是当下亟待解决的技术问题。
发明内容
本公开实施例提供一种存储器仿真方法,用于测试刷新电路的补充刷新功能是否正常,从而保证各存储区内存储数据的准确性。
本公开实施例提供了一种存储器仿真方法,应用于存储器,存储器用于对符合预设场景的字线地址进行补充刷新,符合预设场景的字线地址包括:开启时间超过预设时间的字线地址的相邻地址,和/或被开启次数超过预设次数的字线地址的相邻地址,包括:向存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令,并在第一刷新命令和第二刷新命令之间,向存储器提供多个字线开启命令;其中,字线开启命令的数量基于随机化种子生成,每一字线开启命令所对应的字线地址由相应的随机化种子产生,且每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生;获取存储器基于多个字线开启命令开启不同字线地址后,所需刷新的预设地址;获取存储器基于第二刷新命令所刷新的刷新字线地址;判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中。
通过模拟的存储器的正常工作环境,获取当前工作环境下,符合预设场景的预设地址,然后通过第二刷新命令刷新字线地址,判断预设地址+1和预设地址-1是否被刷新,以获取为存储器设计的补充刷新逻辑是否执行,从而实现对存储器的补充刷新功能进行测试。
另外,判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中,包括:若预设地址+1和预设地址-1位于刷新字线地址中,则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能正常;若预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常。
另外,向存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令,包括:向存储器提供多个刷新命令,刷新命令的数量基于随机化种子生成,且相邻刷新命令之间的间隔基于不同随机化种子生成;其中,在相邻刷新命令的间隔内,以存储器已刷新的刷新命令作为第一刷新命令,以存储器未刷新的刷新命令作为第二刷新命令。
另外,不同刷新命令的间隔内,字线开启命令的数量基于不同随机化种子生成,相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值不同,相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值不同,以模拟存储器在连续的正常工作环境下,存储器的补充刷新功能是否正常。
另外,不同刷新命令的间隔内,字线开启命令的数量所对应的随机化种子的值相同,相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值相同,相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值相同,以通过设置多个刷新命令,且不同刷新命令之间的间隔不同,以获取存储器仅在刷新间隔不同的差异下,存储器的补充刷新功能是否正常。
另外,判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中后,还包括:对于不同的第二刷新命令,若存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能都正常,则存储器的补充刷新功能正常;对于不同的第二刷新命令,存在存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常,则存储器的补充刷新功能异常。
另外,完成判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中的判断后,还包括:调整刷新命令的数量所对应的随机化种子的数值;调整每两个相邻的刷新命令之间的间隔所对应的不同随机化种子的数值;调整每两个相邻的刷新命令之间的字线开启命令的数量所对应的不同随机化种子的数值;调整每一字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值;调整每一字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值;再次判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中,通过反复调整各个随机化种子的值,以实现反复测试,以提高测试结果的说服力。
另外,存储器仿真方法,还包括:将获取的预设地址存储在判断模块中;将获取的刷新字线地址存储在判断模块中;判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中,在判断模块中自动化执行,通过实行测试自动化,节约测试结果判断所需的人力资源,且机器判断相比于人工判断,速度更快,准确率更高。
另外,存储器仿真方法,还包括:若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,输出未刷新的地址,输出未刷新的地址,便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。
另外,存储器仿真方法,还包括:若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,输出相应的第一刷新命令和第二刷新命令之间所有随机化种子所对应的值,输出随机化种子的值,即输出对应的测试环境,便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。
另外,预设地址为开启时间超过预设时间的字线地址,和/或开启次数超过预设次数的字线地址。
另外,预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间;电位翻转开启时间为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,字线地址的开启时间,通过预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间,以确保在测试条件下补充刷新功能正常的存储器在投入使用后,补充刷新功能仍正常。
另外,预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数;电位翻转开启次数为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,字线地址的开启次数,预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数,以确保在测试条件下补充刷新功能正常的存储器在投入使用后,补充刷新功能仍正常。
另外,刷新命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应刷新命令的数量,基于随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的刷新命令;刷新命令之间的间隔基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的刷新命令之间的时间间隔,基于随机化种子产生的整数,对应相应时间间隔插入刷新命令。
另外,字线开启命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应字线开启命令的数量,基于随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的字线开启命令;每一字线开启命令所对应的字线地址由随机化种子产生,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的字线地址,基于随机化种子产生的整数,基于字线开启命令开启相应字线地址;每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生,包括:预设设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的开启时间,基于随机化种子产生的整数,对应提供相应开启时长的字线开启命令。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制;为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领缺普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例提供的存储器的结构示意图;
图2为本公开一实施例提供的存储器仿真方法的流程示意图;
图3为本公开一实施例提供的存储器仿真方法的原理示意图。
具体实施方式
字线频繁开启或长时间开启会导致相邻存储区内的电荷丢失,即存储器的行锤击(row hammer)现象,可能导致存储区内存储的数据发生错误,申请人发现可以额外设置刷新逻辑,以通过刷新电路对频繁开启的字线和长时间开启的字线相邻存储区进行数据刷新,以保证各存储区内存储数据的准确性;如何对刷新电路的功能进行测试,以确保刷新电路的正常工作,从而保证各存储区内存储数据的准确性,是当下亟待解决的技术问题。
本公开一实施例提供了一种存储器仿真方法,用于测试刷新电路的补充刷新功能是否正常,从而保证各存储区内存储数据的准确性。
本领域的普通技术人员可以理解,在本公开各实施例中,为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本公开所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便,不应对本公开的具体实现方式构成任何限定,各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合,相互引用。
图1为本实施例提供的存储器的结构示意图,图2为本实施例提供的存储器仿真方法的流程示意图,图3为本实施例提供的存储器仿真方法的原理示意图,以下结合附图对本实施例提供的存储器仿真方法作进一步详细说明,具体如下:
对于本实施例提供的存储器,参考图1,存储器包括:
预处理模块101,用于接收字线开启命令Act和时钟信号Clk,并对接收到字线开启命令Act时的时钟信号Clk进行计数,当计数值达到预设值,将当前字线开启命令对应的字线地址作为字线地址信号输出。
字线开启命令Act用于打开字线WL,具体被打开的字线WL通过字线开启命令Act对应的字线地址Address控制;对接收到字线开启命令Act时的时钟信号Clk进行计数,即当字线开启命令Act和时钟信号Clk同时为有效电平,计数加一;如此设置,能够保证被长时间开启的字线能够统计到更多的计数值,从而增大被长时间开启的字线对应的字线地址Address作为字线地址信号输出的概率。
地址处理模块102,连接预处理模块101,统计接收到的所字线地址信号,将出现次数最多的字线地址信号作为行锤地址输出。
地址处理模块102用于输出多次出现的字线地址信号,即被多次开启的字线地址Address,另外由上文可知,被长时间开启的字线地址Address也有较大概率被输入到地址处理模块102,因此,地址处理模块102输出的行锤地址兼顾到了字线WL被多次开启或长时间开启的两种情形。
第一处理单元113,连接地址处理模块,用于根据接收到的行锤地址,生成第一补充刷新地址和第二补充刷新地址,其中,第一补充刷新地址和第二补充刷新地址指向的字线WL,与行锤地址指向的字线WL相邻。
即第一补充刷新地址=行锤地址+1,第二补充刷新地址=行锤地址-1,或者第一补充刷新地址=行锤地址-1,第二补充刷新地址=行锤地址+1。
第二处理单元123,用于根据刷新命令生成常规刷新地址。
刷新单元104,连接第一处理单元113和第二处理单元123,用于根据获取的地址信号执行刷新操作。
刷新单元104每次接收的地址信号即常规刷新地址、第一补充刷新地址和第二补充刷新地址中的一者,其中常规刷新地址即刷新命令对应的刷新地址。
控制单元103,连接第一处理单元113和第二处理单元123,用于选择输出常规刷新地址、第一补充刷新地址和第二补充刷新地址,或连接刷新单元104,用于控制刷新单元104选择接收常规刷新地址、第一补充刷新地址或第二补充刷新地址。
具体地,控制单元103被配置为,当第二处理单元123产生常规刷新地址,输出常规刷新地址,当刷新单元104完成常规刷新地址的刷新后,刷出第一补充刷新地址和第二补充刷新地址。
通过预处理模块101对接收到字线开启命令Act时的时钟信号Clk进行计数,以增大被长时间开启的字线对应的字线地址Address作为字线地址信号输出的概率,从而地址处理模块102对出现次数最多的字线地址信号进行计数,使得地址处理模块102输出的行锤地址兼顾到了字线WL被多次开启或长时间开启的两种情形,当接收到刷新命令时,控制单元103控制常规刷新地址输入到刷新单元104,用于对常规刷新地址进行刷新,当刷新单元104对常规刷新地址刷新完成后,控制单元103控制第一补充刷新地址和第二补充刷新地址输入到刷新单元104,刷新单元104基于第一补充刷新地址和第二补充刷新地址进行刷新,以防止字线WL频繁开启或长时间开启会导致相邻存储区内的电荷丢失,避免导致存储区内存储的数据发生错误。
存储器仿真方法,应用于存储器,存储器用于对符合预设场景的字线地址进行补充刷新,符合预设场景的字线地址包括:开启时间超过预设时间的字线地址的相邻地址,和/或被开启次数超过预设次数的字线地址的相邻地址,即本公开提供的存储器仿真方法用于对上述存储器的补充刷新功能进行测试。
参考图2,存储器仿真方法,包括:步骤11,提供第一刷新命令、第二刷新命令和多个字线开启命令。
具体参考图3,向存储器提供第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2,并在第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2之间,向存储器提供多个字线开启命令Active。
其中,第一刷新命令Ref1作为存储器已经处理过的刷新命令,第二刷新命令Ref2作为存储器即将处理的刷新命令,即存储器工作在第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2的时序之间。
其中,字线开启命令Active的数量基于随机化种子Number1生成,每一字线开启命令Active所对应的字线地址由相应的随机化种子生成,且每一字线开启命令Active所对应的开启时间由相应的随机化种子产生。
具体地,对于随机化种子Number1所生成的x个字线开启命令Active来说,对于第一字线开启命令,所开启的字线地址由随机化种子A1确定,所开启的时长由随机化种子t1确定;对于第二字线开启命令,所开启的字线地址由随机化种子A2确定,所开启的时长由随机化种子t2确定;……,对于第七字线开启命令,所开启的字线地址由随机化种子A7确定,所开启的时长由随机化种子t7确定;……,对于第x字线开启命令,所开启的字线地址由随机化种子Ax确定,所开启的时长由随机化种子tx确定。
通过不同随机化种子,完全模拟存储器在第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2之间字线开启的随机性,从而模拟存储器的正常工作环境,通过模拟存储器的正常工作环境,使得测试结果更具准确性。
参考图2,步骤12,获取所需刷新的预设地址。
具体地,获取存储器基于多个字线开启命令开启不同字线地址后,所需刷新的预设地址。
其中,预设地址为开启时间超过预设时间的字线地址,和/或开启次数超过预设次数的字线地址;也就是说,根据步骤11模拟的存储器的正常工作环境,获取当前工作环境下,符合预设场景的预设地址。
步骤13,获取存储器基于第二刷新命令所刷新的字线地址。
具体地,获取存储器基于第二刷新命令所刷新的刷新字线地址。
存储器基于第二刷新命令刷新字线地址,包括存储器的正常刷新功能和补充刷新功能,正常刷新功能即存储器的刷新操作所需刷新的字线地址,补充刷新功能用于刷新预设地址的相邻地址。
步骤14,判断补充刷新功能是否正常。
具体地,判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中。
由背景技术可知,字线频繁开启或长时间开启会导致相邻存储区内的电荷丢失,即预设地址的相邻地址的存储单元所存储的数据可能会出现错误,即预设地址+1和预设地址-1作为预设地址的相邻地址,补充刷新功能用于刷新预设地址+1和预设地址-1,通过判断判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址,即可知存储器是否继续了补充刷新,以及存储器的补充刷新功能是否正常。
综上所述,本实施例通过模拟的存储器的正常工作环境,获取当前工作环境下,符合预设场景的预设地址,然后通过第二刷新命令刷新字线地址,判断预设地址+1和预设地址-1是否被刷新,以获取为存储器设计的补充刷新逻辑是否执行,从而实现对存储器的补充刷新功能进行测试。
具体地,判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中,包括:若预设地址+1和预设地址-1位于刷新字线地址中,则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能正常;若预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常。
继续参考图3,在一些实施例中,向存储器提供第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2,包括:向存储器提供多个刷新命令,刷新命令的数量基于随机化种子生成,且相邻刷新命令之间的间隔基于不同随机化种子生成。其中,在相邻刷新命令的间隔内,以存储器已刷新的刷新命令作为第一刷新命令,以存储器未刷新的刷新命令作为第二刷新命令。
具体地,刷新命令的数量由随机化种子Number确定,其中,多个刷新命令中,第一刷新间隔由随机化种子T1确定,第二刷新间隔由随机化种子T2确定,第三刷新间隔由随机化种子T3确定,第四刷新间隔由随机化种子T4确定……
需要说明的是,基于不同随机化种子生成的相邻刷新命令的间隔需满足JEDEC所规定的标准。
在一些实施例中,不同刷新命令的间隔内,字线开启命令的数量所对应的随机化种子的值相同,相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值相同,相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值相同;即在其余条件都相同的情况下,仅改变刷新命令之间的间隔,以通过设置多个刷新命令,且不同刷新命令之间的间隔不同,以获取存储器在刷新间隔不同的差异下,存储器的补充刷新功能是否正常。
在一些实施例中,不同刷新命令的间隔内,字线开启命令的数量基于不同随机化种子生成。
具体地,第一刷新间隔内字线开启命令的数量由随机化种子Number1确定,第二刷新间隔内字线开启命令的数量由随机化种子Number2确定,第三刷新间隔内字线开启命令的数量由随机化种子Number3确定,第四刷新间隔内字线开启命令的数量由随机化种子Number4确定……
进一步地,相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值不同,相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值不同,即对于不同刷新间隔内的字线开启命令,对应的刷新地址和开启时间也不相同,以模拟存储器在连续的正常工作环境下,存储器的补充刷新功能是否正常。
对于此方案,判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中后,包括:对于不同的第二刷新命令,若存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能都正常,则存储器的补充刷新功能正常;对于不同的第二刷新命令,存在存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常,则存储器的补充刷新功能异常。
在一些实施例中,完成判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中的判断后,还包括:调整刷新命令的数量所对应的随机化种子的数值;调整每两个相邻的刷新命令之间的间隔所对应的不同随机化种子的数值;调整每两个相邻的刷新命令之间的字线开启命令的数量所对应的不同随机化种子的数值;调整每一字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值;调整每一字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值;以再次判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中。通过反复调整各个随机化种子的值,以实现反复测试,以提高测试结果的说服力。
在一些实施例中,存储器还包括判断模块,存储器仿真方法还包括:将获取的预设地址存储在判断模块中,并将获取的刷新字线地址存储在判断模块中,即对步骤12和步骤13将相应结果存储在判断模块中,此时步骤14在判断模块中自动化执行,即判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中,在判断模块中自动化执行。具体地,在执行完步骤14后,判断模块中存储有预设地址和存储器基于第二刷新命令所刷新的刷新字线地址,判断模块基于预设地址+1逐一比较多个刷新字线地址,以判断预设地址+1是否被刷新,同理,判断模块基于预设地址-1逐一比较多个刷新字线地址,以判断预设地址-1是否被刷新。
通过实行测试自动化,节约测试结果判断所需的人力资源,且机器判断相比于人工判断,速度更快,准确率更高。
进一步地,在一些实施例中,若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,输出未刷新的地址。输出未刷新的地址,便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。
进一步地,在一些实施例中,若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中,输出相应的第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2之间所有随机化种子所对应的值。输出随机化种子的值,即输出对应的测试环境,便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。
在一些实施例中,预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间;其中,电位翻转开启时间为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,字线地址的开启时间。
在一些实施例中,预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数;其中,电位翻转开启次数为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,字线地址的开启次数。
需要说明的是,上述提到的“电位翻转”这一特征指:存储器的行锤击(rowhammer)现象所导致的存储区内存储的数据发生电位变化。
其中,电位翻转开启时间和电位翻转开启次数为根据存储单元的性能的预估值,通过预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间,预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数,以确保在测试条件下补充刷新功能正常的存储器在投入使用后,补充刷新功能仍正常。
需要说明的是,在其他实施例中,预设时间设置值还可以设置为等于存储器电位翻转开启时间,预设次数设置值还可以设置为等于存储器电位翻转开启次数。
需要说明的是,对于本实施例所提供的随机化种子,刷新命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应刷新命令的数量,基于随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的刷新命令;刷新命令之间的间隔基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的刷新命令之间的时间间隔,基于随机化种子产生的整数,对应相应时间间隔插入刷新命令。字线开启命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应字线开启命令的数量,基于随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的字线开启命令;每一字线开启命令所对应的字线地址由随机化种子产生,包括:预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的字线地址,基于随机化种子产生的整数,基于字线开启命令开启相应字线地址;每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生,包括:预设设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的开启时间,基于随机化种子产生的整数,对应提供相应开启时长的字线开启命令。
本实施例通过不同随机化种子,完全模拟存储器在第一刷新命令Ref1和第二刷新命令Ref2之间字线开启的随机性,从而模拟存储器的正常工作环境,通过模拟存储器的正常工作环境,使得测试结果更具准确性。
本实施例中所涉及到的各单元均为逻辑单元,在实际应用中,一个逻辑单元可以是一个物理单元,也可以是一个物理单元的一部分,还可以以多个物理单元的组合实现。此外,为了突出本公开的创新部分,本实施例中并没有将与解决本公开所提出的技术问题关系不太密切的单元引入,但这并不表明本实施例中不存在其它的单元。
需要说明的是,上述实施例所提供的存储器仿真方法中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,可以得到新的存储器仿真方法实施例。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施例是实现本公开的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本公开的精神和范围。

Claims (15)

1.一种存储器仿真方法,应用于存储器,所述存储器用于对符合预设场景的字线地址进行补充刷新,所述符合预设场景的字线地址包括:开启时间超过预设时间的字线地址的相邻地址,和/或被开启次数超过预设次数的字线地址的相邻地址,其特征在于,包括:
向所述存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令,并在所述第一刷新命令和所述第二刷新命令之间,向所述存储器提供多个字线开启命令;
其中,所述字线开启命令的数量基于随机化种子生成,每一所述字线开启命令所对应的字线地址由相应的随机化种子产生,且每一所述字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生;
获取所述存储器基于多个所述字线开启命令开启不同字线地址后,所需刷新的预设地址;
获取所述存储器基于所述第二刷新命令所刷新的刷新字线地址;
判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中。
2.根据权利要求1所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中,包括:
若所述预设地址+1和所述预设地址-1位于所述刷新字线地址中,则所述存储器基于所述第二刷新命令的补充刷新功能正常;
若所述预设地址+1和所述预设地址-1未在所述刷新字线地址中,则所述存储器基于所述第二刷新命令的补充刷新功能异常。
3.根据权利要求1所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述向所述存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令,包括:
向所述存储器提供多个刷新命令,所述刷新命令的数量基于随机化种子生成,且相邻所述刷新命令之间的间隔基于不同随机化种子生成;
其中,在相邻刷新命令的间隔内,以所述存储器已刷新的所述刷新命令作为所述第一刷新命令,以所述存储器未刷新的所述刷新命令作为所述第二刷新命令。
4.根据权利要求3所述的存储器仿真方法,其特征在于,不同所述刷新命令的间隔内,所述字线开启命令的数量基于不同随机化种子生成,相同所述字线开启命令的开启时间所对应的所述随机化种子的值不同,相同所述字线开启命令所开启的字线地址所对应的所述随机化种子的值不同。
5.根据权利要求3所述的存储器仿真方法,其特征在于,不同所述刷新命令的间隔内,所述字线开启命令的数量所对应的所述随机化种子的值相同,相同所述字线开启命令的开启时间所对应的所述随机化种子的值相同,相同所述字线开启命令所开启的字线地址所对应的所述随机化种子的值相同。
6.根据权利要求3-5任一项所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中后,还包括:
对于不同的所述第二刷新命令,若所述存储器基于所述第二刷新命令的补充刷新功能都正常,则所述存储器的补充刷新功能正常;
对于不同的所述第二刷新命令,存在所述存储器基于所述第二刷新命令的补充刷新功能异常,则所述存储器的补充刷新功能异常。
7.根据权利要求4或5所述的存储器仿真方法,其特征在于,完成所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中的判断后,还包括:
调整所述刷新命令的数量所对应的所述随机化种子的数值;
调整每两个相邻的所述刷新命令之间的间隔所对应的所述不同随机化种子的数值;
调整每两个相邻的刷新命令之间的字线开启命令的数量所对应的所述不同随机化种子的数值;
调整每一所述字线开启命令的开启时间所对应的所述随机化种子的值;
调整每一所述字线开启命令所开启的字线地址所对应的所述随机化种子的值;
再次判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中。
8.根据权利要求1所述的存储器仿真方法,其特征在于,还包括:
将获取的所述预设地址存储在判断模块中;
将获取的所述刷新字线地址存储在所述判断模块中;
所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1是否位于所述刷新字线地址中,在所述判断模块中自动化执行。
9.根据权利要求8所述的存储器仿真方法,其特征在于,还包括:若所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1未在所述刷新字线地址中,输出未刷新的地址。
10.根据权利要求8所述的存储器仿真方法,其特征在于,还包括:若所述判断所述预设地址+1和所述预设地址-1未在所述刷新字线地址中,输出相应的所述第一刷新命令和所述第二刷新命令之间所有所述随机化种子所对应的值。
11.根据权利要求1所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述预设地址为开启时间超过预设时间的字线地址,和/或开启次数超过预设次数的字线地址。
12.根据权利要求11所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述预设时间设置值小于所述存储器电位翻转开启时间;所述电位翻转开启时间为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,所述字线地址的开启时间。
13.根据权利要求11所述的存储器仿真方法,其特征在于,所述预设次数设置值小于所述存储器电位翻转开启次数;所述电位翻转开启次数为:当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时,所述字线地址的开启次数。
14.根据权利要求3所述的存储器仿真方法,其特征在于,包括:
所述刷新命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置所述随机化种子产生范围内每一整数所对应所述刷新命令的数量,基于所述随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的所述刷新命令;
所述刷新命令之间的间隔基于随机化种子生成,包括:预先设置所述随机化种子产生范围内每一整数所对应的所述刷新命令之间的时间间隔,基于所述随机化种子产生的整数,对应相应时间间隔插入所述刷新命令。
15.根据权利要求4所述的存储器仿真方法,其特征在于,包括:
所述字线开启命令的数量基于随机化种子生成,包括:预先设置所述随机化种子产生范围内每一整数所对应所述字线开启命令的数量,基于所述随机化种子产生的整数,对应生成相应数量的所述字线开启命令;
每一所述字线开启命令所对应的字线地址由随机化种子产生,包括:预先设置所述随机化种子产生范围内每一整数所对应的字线地址,基于所述随机化种子产生的整数,基于字线开启命令开启相应字线地址;
每一所述字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生,包括:预设设置所述随机化种子产生范围内每一整数所对应的开启时间,基于所述随机化种子产生的整数,对应提供相应开启时长的所述字线开启命令。
CN202210431094.2A 2022-04-22 2022-04-22 存储器仿真方法 Pending CN116978423A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210431094.2A CN116978423A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 存储器仿真方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210431094.2A CN116978423A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 存储器仿真方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116978423A true CN116978423A (zh) 2023-10-31

Family

ID=88481928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210431094.2A Pending CN116978423A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 存储器仿真方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116978423A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117672290A (zh) * 2024-02-01 2024-03-08 长鑫存储技术(西安)有限公司 存储器结构、刷新方法及存储器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117672290A (zh) * 2024-02-01 2024-03-08 长鑫存储技术(西安)有限公司 存储器结构、刷新方法及存储器
CN117672290B (zh) * 2024-02-01 2024-05-17 长鑫存储技术(西安)有限公司 存储器结构、刷新方法及存储器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9691466B1 (en) Memory device including refresh controller
US9953696B2 (en) Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof
CN114121077A (zh) 用于提供刷新地址的设备和方法
CN114420181B (zh) 刷新电路和存储器
US20150120999A1 (en) Memory system and method for operating the same
US8284614B2 (en) Refresh control circuit and method for semiconductor memory device
KR20180049314A (ko) 어드레스 카운팅 회로, 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법
KR100909408B1 (ko) 반도체 메모리 및 반도체 메모리의 동작 방법
KR20180032091A (ko) 리프레시 제어 장치
CN114649044B (zh) 自动刷新次数测试方法及装置
EP0473421B1 (en) Semiconductor memory device
CN116978423A (zh) 存储器仿真方法
US6445637B2 (en) Semiconductor memory device with a refresh function
CN103093806B (zh) 自刷新脉冲产生电路
US11869570B2 (en) Refresh counter circuit, refresh counting method and semiconductor memory
US6925023B2 (en) Semiconductor memory device and electronic device
KR100712492B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 회로 및 그 방법
US20050002257A1 (en) Semiconductor memory device and electronic device
KR20090126976A (ko) 자동 리프레쉬 제어회로
KR100378189B1 (ko) 리프레시 잡음을 감소시키는 메모리 장치
US6944082B2 (en) Semiconductor memory device and electronic device for activation control of word lines in a semiconductor memory device
KR20160094686A (ko) 반도체 장치 및 그의 구동방법
KR20200032465A (ko) 메모리 및 메모리의 리프레시 동작 방법
KR100238236B1 (ko) 반도체 메모리장치의 셀프 리프레쉬 방법
JPH0536274A (ja) 半導体メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination