CN109712786B - 电感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电感器，所述电感器可包括主体和设置在所述主体的相应的外表面上的外电极。所述主体可包括：支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中；薄膜导体层，在所述线圈和所述支撑构件之间。所述薄膜导体层可包括第二开口，所述薄膜导体层的端部中的一者或两者可在所述支撑构件和所述绝缘体之间。

Description

电感器

本申请要求于2017年10月25日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0139111号韩国专利申请和于2018年1月3日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0000826号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电感器，更具体地，涉及一种对高电感和小型化有利的功率电感器。

背景技术

根据信息技术(IT)的发展，产品已经迅速地小型化和薄型化，因此，针对小型薄型组件的需求已经增大。

第10-1999-0066108号韩国专利公开公布提供了一种适于技术趋势的功率电感器，所述功率电感器包括具有通路孔的板和设置在板的两个表面上并通过板的通路孔彼此电连接的线圈，由此努力提供一种包括具有均匀且高的厚宽比的线圈的电感器。

发明内容

本公开的一方面可提供一种电感器，所述电感器包括通过使多个线圈图案具有细线宽而具有高的厚宽比的线圈图案。

根据本公开的一方面，一种电感器可包括主体和在所述主体的相应的外表面上的外电极。所述主体可包括：支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中；以及薄膜导体层，在所述线圈和所述支撑构件之间并包括第二开口。所述薄膜导体层的至少一个端部在所述支撑构件和所述绝缘体之间。所述绝缘体包括隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体和第二绝缘体。所述线圈在所述第一绝缘体处的厚度H1和所述线圈在所述第二绝缘体处的厚度H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

根据本公开的另一方面，一种电感器可包括主体和在所述主体的相应的外表面上的外电极。所述主体可包括：支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中；以及薄膜导体层，在所述线圈和所述支撑构件之间并包括第二开口。所述薄膜导体层的两端部可被所述绝缘体覆盖并在所述支撑构件和所述绝缘体之间。

根据本公开的另一方面，一种电感器可包括支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中，在隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体部和第二绝缘体部之间，所述线圈的下表面具有与所述支撑构件直接接触的第一部分；以及薄膜导体层，在所述支撑构件上，在所述支撑构件和所述线圈的所述下表面的第二部分之间，并包括在所述第一绝缘体部下方的端部，其中，所述线圈具有从在所述第一绝缘体部处的厚度H1向在所述第二绝缘体部处的厚度H2倾斜的上表面，其中，H1和H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

根据本公开的另一方面，一种电感器可包括支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中，在隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体部和第二绝缘体部之间，所述线圈的下表面具有与所述支撑构件直接接触的第一部分；以及薄膜导体层，在所述支撑构件上，在所述支撑构件和所述线圈的所述下表面的第二部分之间，其中，所述线圈具有从在所述第一绝缘体部处的厚度H1向在所述第二绝缘体部处的厚度H2倾斜的上表面，其中，H1和H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更加清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，其中：

图1是根据本公开的第一示例性实施例的电感器的示意性透视图；

图2是沿着图1的I-I′线截取的截面图；

图3是根据第一示例性实施例的电感器的第一改进示例的截面图；

图4是根据第一示例性实施例的电感器的第二改进示例的截面图；

图5是根据第一示例性实施例的电感器的第三改进示例的截面图；

图6是根据第一示例性实施例的电感器的第四改进示例的截面图；

图7是根据本公开的第二示例性实施例的电感器的示意性透视图；

图8是沿着图7的I-I′线截取的截面图；

图9是根据第二示例性实施例的电感器的第一改进示例的截面图；

图10是根据第二示例性实施例的电感器的第二改进示例的截面图；

图11是根据第二示例性实施例的电感器的第三改进示例的截面图；以及

图12是根据第二示例性实施例的电感器的第四改进示例的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施例。

将描述根据本公开的示例性实施例的电感器，但是根据本公开的示例性实施例的电感器不必然受限于此。

第一示例性实施例

图1是示出根据本公开的第一示例性实施例的电感器的示意性透视图。图2是沿着图1的I-I′线截取的截面图。

参照图1和图2，电感器100可包括主体1和设置在主体的外表面上的外电极2。

外电极2可包括第一外电极21和第二外电极22。当第一外电极为输入端子时，第二外电极可以为输出端子。尽管图1中将第一外电极和第二外电极示出为具有“C”形状，但是第一外电极和第二外电极的形状不限于此。例如，本领域的技术人员可将第一外电极和第二外电极的截面形状选择为适当的截面形状，例如“L”形状或“I”形状，从而仅设置在主体的一个表面或两个表面上。第一外电极和第二外电极包含导电材料并可包括Cu预镀层或Ag-环氧树脂复合层。

主体1可形成电感器的外型。主体可具有在长度(L)方向上彼此背对的第一端表面和第二端表面、在宽度(W)方向上彼此背对的第一侧表面和第二侧表面以及在厚度(T)方向上彼此背对的上表面和下表面，并可具有大体上六面体形状。

主体1可包含磁性材料11。磁性材料可以是具有磁性质的任意材料。例如，磁性材料可以是铁氧体或金属磁性颗粒填充在树脂中的材料，其中金属磁性颗粒可包含铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、铝(Al)和镍(Ni)中的一种或更多种。

因为主体中的磁性材料用作由线圈12产生的磁通量的路径，所以除了线圈的引线部之外，磁性材料可完全包封线圈。

线圈12可缠绕为整体螺旋形状并包括连接到第一外电极21的第一引线部121和连接到第二外电极22的第二引线部122。线圈可包括在第一引线部和第二引线部之间缠绕为螺旋形状的多个线圈图案12a和12b作为线圈的主体。

多个线圈图案12a和12b可被支撑构件13支撑。支撑构件13可包括在其中央部分中的通孔H。因为在通孔中填充磁性材料，所以从线圈产生的磁通量可因此被增强。支撑构件可包含具有足以适当地支撑线圈图案等的强度且同时具有绝缘特性的材料。支撑构件的形状不受具体限制，且可以为具有便于加工的预定厚度的板。考虑到对于低轮廓电感器的需求，支撑构件的厚度可以为约60μm或更小。支撑构件可以为例如印刷电路板、ABF膜或PF-EL基板，但是不限于此。支撑构件还可包括用于形成过孔的通路孔，该过孔在通孔附近将在支撑构件的上表面上的线圈图案与在支撑构件的下表面上的线圈图案电连接。可存在多个通路孔，且通路孔的形状可以为直径在从支撑构件的中央向外部的方向上增大的锥形形状。然而，本领域技术人员可根据需要适当地选择通路孔的数量和形状。

绝缘体14可被支撑在支撑构件的至少一个表面上，也就是说，被支撑在支撑构件的上表面131和下表面132中的至少一者上。绝缘体14可包括具有与线圈的截面形状相似的螺旋形状的预定的第一开口14h。绝缘体14可用作用于线圈的镀覆生长的镀覆引导线且可用于使相邻的线圈图案绝缘。因为绝缘体14被构造为稳定地增大线圈的厚宽比，所以绝缘体可形成为具有比线圈的厚度大的厚度。当绝缘体比线圈厚时，可添加将绝缘体的厚度和线圈的厚度改变为彼此相等的工艺。例如，在完成形成线圈之后，绝缘体的从线圈的上表面突出的一部分可通过机械抛光或化学抛光而被至少部分地去除。

绝缘体14可包含永久型光敏绝缘材料。例如，绝缘体可包含含有双酚类环氧树脂的光敏材料作为主要成分。双酚类环氧树脂可以为例如双酚A型酚醛环氧树脂、双酚A型二缩水甘油醚双酚A型聚合物树脂等，但是不限于此。可以使用任意材料，只要其为通常的永久型抗蚀剂材料即可。

薄膜导体层15可形成在支撑构件的上表面131和下表面132中的至少一者上。薄膜导体层可形成为与线圈的截面形状对应的形状。薄膜导体层可用作在线圈的镀覆生长时的种子图案。薄膜导体层15可具有整体螺旋形状。当在主体W-T截面中观察时，薄膜导体层可包括在W方向上彼此分开的第一薄膜导体层151和第二薄膜导体层152。当在主体的L-T截面中观察时，第一薄膜导体层151和第二薄膜导体层152也可按照螺旋形状在L方向上彼此分开。第一薄膜导体层和第二薄膜导体层可在薄膜导体层的缠绕方向上彼此电连接。也就是说，第一薄膜导体层151可以为螺旋形状的外部绕组，第二薄膜导体层152可以为螺旋形状的内部绕组，因此当在平面图中观察时，第一薄膜导体层和第二薄膜导体层可以是连续的。第一薄膜导体层151和第二薄膜导体层152可在W方向上彼此分开第一薄膜导体层151和第二薄膜导体层152之间的预定的第二开口15h。

现将参照图1和图2描述被支撑构件支承的绝缘体14和薄膜导体层15之间的位置关系。第一薄膜导体层151可具有端部151a和151b，端部151a可在厚度方向上介于绝缘体和支撑构件之间，如图2所示。由于在形成薄膜导体层之后形成绝缘体，因此薄膜导体层可具有其一个端部151a被绝缘体覆盖的结构。本领域技术人员可适当地选择第一薄膜导体层151的从端部151a的端表面起被绝缘体覆盖的部分的宽度。然而，为了防止在第一薄膜导体层151和与第一薄膜导体层151相邻的另一薄膜导体层(诸如第二薄膜导体层152)之间的短路，被绝缘体覆盖的部分的宽度可小于绝缘体的下表面的宽度的一半。

可利用薄膜导体层的未被覆盖部分和线圈图案的组合来填充绝缘体14的第一开口14h。薄膜导体层15没有位于第一开口14h的中央中，而是朝向一个方向偏移。然而，填充第一开口14h的线圈图案的上表面可设置为大体上对称。

薄膜导体层15可以为单层或具有多个层堆叠的堆叠结构。

薄膜导体层15可具有多个层堆叠的堆叠结构，并可包括例如可形成在支撑构件的一个表面上的覆铜层叠板、可通过化学镀覆法形成在覆铜层叠板上的Cu层和可通过电镀方法形成在覆铜层叠板上的Cu层，但是薄膜导体层不限于此。当然，可省略堆叠结构中的金属层中的一些金属层。作为示例，当薄膜导体层15具有多个层时，该多个层可具有彼此相同的线宽。

薄膜导体层可以为单层，且形成薄膜导体层的具体方法不受限制。例如，在使用溅射法将金属层整体涂覆在支撑构件的一个表面上之后，可使用激光在金属层上执行图案化。可选地，在使用电镀法或无电化学镀覆法将导电材料整体涂覆在支撑构件的一个表面上之后，可使用封孔法等在该导电材料上执行图案化。能够在此被使用的具体材料不受具体限制。当使用化学方法形成薄膜导体层时，薄膜导体层可以为利用铜、镍、锡、金等形成的金属层。当使用溅射法形成薄膜导体层时，薄膜导体层可以为涂覆的铜层或包含钛和钼。薄膜导体层可使用膏体通过印刷法来形成，且可以为利用铜、银等形成的金属层。

在具有朝向一个方向偏移而不是设置在第一开口14h的中央中并且具有嵌在绝缘体下方的一个端部151a的薄膜导体层的电感器中，可显著增大在使绝缘体图案化的工艺中的自由度。当绝缘体的开口的宽度窄时，也就是说，当线圈图案的线宽窄时，可能难以保持对准，使得薄膜导体层整体设置在绝缘体的开口中。然而，当薄膜导体层的一个端部介于绝缘体和支撑构件之间时，可通过使薄膜导体层的剩余部分设置在第一开口中来保持对准，且尽管线圈图案的线宽窄也可保持工艺中的自由度。

填充在第一开口中的线圈图案的上表面与和该线圈图案相邻的右绝缘体的侧表面接触处的高度(或厚度)H1与填充在第一开口中的线圈图案的上表面与和该线圈图案相邻的左绝缘体的侧表面接触处的高度(或厚度)H2之间可能存在偏差。高度的偏差可能由薄膜导体层向一个方向偏移而引起，使得线圈图案的在薄膜导体层上方的高度大于线圈图案的没有在薄膜导体层上方的高度。优选地，高度H1和H2之间的偏差可等于或小于线圈图案的上表面的平均高度的15％。也就是说，线圈图案可填充与主体的中央相邻的第一绝缘体141和朝向主体的外部的第二绝缘体142之间的第一开口14h。优选地，线圈图案的上表面与第一绝缘体141的侧表面接触处的高度H1和线圈图案的上表面与第二绝缘体142的侧表面接触处的高度H2之间的偏差(即H1-H2)可以为线圈图案的上表面的平均高度的15％或更小。当该偏差大于15％时，线圈图案的上表面可能会具有大的倾斜度，使得线圈图案可能会越过绝缘体的上表面，由此增大相邻的线圈图案之间的短路的风险，且诸如耐受电压特性等的电性能可能会被劣化。

表1示出根据偏差(H1-H2)与线圈图案的上表面的平均高度的比R的短路缺陷率。通过在右上端的星号标记与比较示例对应的试样编号。

[表1]

试样编号	R	短路缺陷率
			1	1.3％	0.03
2	1.8％	0
			3	2.1％	0
4	2.2％	0.02
			5	4.5％	0.03
6	4.6％	0.01
			7	7.6％	0.02
8	8.5％	0
			9	8.9％	0
10	12.5％	0.06
			11	13.6％	0.03
12	14.5％	0.01
			13	15.0％	0.03
14*	15.1％	1.56
			15*	16.8％	1.43
16*	16.9％	2.01
			17*	17.1％	2.21
18*	18.5％	1.95
			19*	18.6％	2.65
20*	19.5％	5.01
			21*	20.1％	4.95

在表1的发明示例1至13的电感器中，短路缺陷率大体上不明显，且镀覆线圈图案的方法无需包括以下所述的方法。然而，由于薄膜导体层没有形成在开口的中央中，而是向开口的一侧偏移，因此初始镀层可能由于镀覆生长的特性而仅朝向薄膜导体层过多地生长，且线圈图案的上表面可能会倾斜。因此，存在使用能够克服这些问题的方法的需求。能够克服这些问题的一个示例性方法为：增大添加到镀覆溶液中的硫酸和铜中，铜相比于硫酸的浓度，并将能够执行填充镀覆的溶液添加到镀覆溶液，溶液添加剂中的促进剂成分(promoter ingredient)可被不均匀地吸收，使得生长率可降低，因此厚度变化可减少。可选地，当使用脉冲/反向整流器施加电流时，可抑制高电流部分的生长，且可相对增加低电流部分的生长，使得线圈图案的整体形状可以是平整的。

参照图2，绝缘层16还可设置在线圈图案的上表面上。由于绝缘层16使线圈图案和磁性材料彼此绝缘，因此绝缘层可包含具有绝缘性质的材料。绝缘层16可包含与用于使相邻的线圈图案彼此绝缘的绝缘体的材料不同的材料。绝缘层可设置为整体涂覆在线圈图案的上表面、绝缘体的侧表面和上表面上。具体涂覆方法没有被具体限制，而是为了获得薄且均匀的绝缘层，可通过化学气相沉积法涂敷包括聚对二甲苯的绝缘树脂。

图3是根据图1和图2中所示的根据第一示例性实施例的电感器100的第一改进示例的电感器110的截面图。为了便于解释，将主要描述与参照图1和图2描述的电感器的不同，且将基于如图1和图2中的相同的附图标记描述相似的方面。

作为示例，线圈的最外线圈图案的外侧表面和/或线圈的最内线圈图案的内侧表面可与绝缘层直接接触。

参照图3中所示的电感器110，最内线圈图案1112a的内侧表面没有与绝缘体接触，而是可代替地与绝缘层1116直接接触。支撑最内线圈图案的内侧表面的绝缘体可被去除，且绝缘层可形成在绝缘体被去除的位置处。绝缘层的厚度可以为约10μm至20μm，这比用于使相邻的线圈图案彼此绝缘的绝缘体的厚度相对薄。结果，可显著确保磁性材料可填充在线圈的芯部的中央中的空间，且可增大电感器的磁导率。选择性地去除与最内线圈图案的内侧表面接触的绝缘体和设置绝缘层1116的方法不受限制。例如，可通过激光除去绝缘体，且可使用包含绝缘材料的绝缘树脂通过化学气相沉积(CVD)法连续地设置绝缘层1116直至绝缘体的上表面以及线圈图案的上表面。

图4是根据图1和图2中所示的根据第一示例性实施例的电感器100的第二改进示例的电感器120的截面图。为了便于解释，将主要描述与参照图1和图2描述的电感器的不同，且将基于如图1和图2中的相同的附图标记描述相似的方面。

在图4的电感器120中，绝缘层1216不延伸为与支撑构件接触，且可代替地层叠在线圈的上表面上和绝缘体的上表面上。可通过在线圈的上表面和绝缘体的上表面上层叠具有膜形状的绝缘树脂来形成绝缘层1216，由此使线圈与磁性材料绝缘。绝缘层可形成为使得绝缘层的两个端部分别与设置在主体的最内部分中的绝缘体的最内部分和设置在主体的最外部分中的绝缘体的最外部分位于相同的线上。只要线圈图案和磁性材料彼此之间的绝缘功能没有被劣化，绝缘层的两个端部可至少部分地形成为在与绝缘层的最内端部向外延伸的方向上或绝缘层的最外端部向内延伸的方向上较短。

图5是根据图1和图2中所示的根据第一示例性实施例的电感器100的第三改进示例的电感器130的截面图。为了便于解释，将主要描述与参照图1和图2描述的电感器的不同，且将基于相同的附图标记描述相似的方面。

与图4的电感器120相似，在图5的电感器130中，绝缘层1316可层叠在线圈图案的上表面上。然而，绝缘层1316的端部1316a和1316b中的至少一者可相应地朝向芯部的中央或主体的外表面延伸。尽管图5示出端部1316b和1316a分别从最内绝缘体的内侧表面和最外绝缘体的外侧表面延伸，但是可仅延伸一个端部。

通过使绝缘层的端部中的至少一者延伸来增强绝缘性能。可通过使绝缘层1316延伸来增大绝缘层的固定力，以防止在使用电感器或生产电感器时由于绝缘层和绝缘体之间的剥离或绝缘层和线圈图案之间的剥离而发生的绝缘缺陷。

图6是根据图1和图2中所示的根据第一示例性实施例的电感器100的第四改进示例的电感器140的截面图。为了便于解释，将主要描述与参照图1和图2描述的电感器的不同，且将基于如图1和图2中的相同的附图标记描述相似的方面。

参照图6的电感器140，可在朝向支撑构件的方向上增大绝缘体1414的宽度。减小绝缘体1414的宽度使得在小型化的电感器中线圈图案的匝数相对增加。然而，随着绝缘体的宽度减小，在将薄膜导体层控制为至少部分地设置在绝缘体的下表面上的方面存在难度。因此，在电感器140中，薄膜导体层可介于绝缘体的下表面和支撑构件之间，且绝缘体可被控制为通过使绝缘体的至少部分地覆盖薄膜导体层的端部的下表面的宽度比绝缘体的上表面的宽度宽而具有较薄的宽度。

利用上述电感器，在实现具有细线宽的线圈图案时，用于使相邻的线圈图案彼此绝缘的绝缘体和与线圈图案的种子图案对应的薄膜导体层之间的对准方面的自由度可增大，且可通过能够使线圈图案具有较薄的线宽而显著提高电感。

第二示例性实施例

图7是根据本公开的第二示例性实施例的电感器200的示意性透视图。图8是沿着图7的I-I′线截取的截面图。为了便于解释，与根据第一示例性实施例和其改进示例的电感器的内容重复的内容的描述被省略。

参照图7和图8，电感器200可包括主体210和设置在主体的外表面上的外电极220。外电极可包括在主体的第一端表面上的第一外电极221和在主体的第二端表面上的第二外电极222。

主体210包括磁性材料211、被磁性材料包封的线圈212、支撑线圈的支撑构件213、使线圈中的线圈图案彼此绝缘的绝缘体214和绝缘层216。用作镀覆生长的基底的薄膜导体层215可设置在线圈图案的下表面上。

在电感器200中，薄膜导体层215的两个端部215a和215b可被绝缘体覆盖。薄膜导体层215的整个开口215h可填充有绝缘体214。

薄膜导体层的被绝缘体覆盖的部分的长度L1和L2可彼此相等，且两个端部可彼此对称，但是薄膜导体层的被覆盖的部分不限于此。长度L1和L2可彼此不同，只要在相邻的薄膜导体层之间不发生短路即可。

绝缘体214可包括彼此相邻且在主体的W-T截面中彼此面对的第一绝缘体214a和第二绝缘体214b。第一绝缘体和第二绝缘体之间的开口214h的下部可填充有薄膜导体层，且线圈图案可填充在薄膜导体层上。在这种情况下，形成在第一绝缘体214a的侧表面和支撑构件213的上表面处的边缘部分E1可基本上填充有薄膜导体层，且通过第二绝缘体214b的侧表面和支撑构件213的上表面形成的边缘部分E2可基本上填充有薄膜导体层。这里，相对应的边缘部分被基本上填充，这意味着其内未形成明显的空隙。该空隙为如下一种镀覆缺陷：可能使得线圈图案难以实现期望截面形状，可能使诸如直流电阻损耗等的电性能劣化且可能增大绝缘体的倾斜缺陷或剥离的可能性。然而，在电感器200中，由于在边缘部分E1和E2中没有形成空隙，因此不发生上述镀覆缺陷。

参照图7和图8，薄膜导体层的开口215h可仅利用绝缘体214填充。更具体地，可形成具有开口图案的薄膜导体层，且可层叠具有绝缘性质的一层或更多层的绝缘片，以形成绝缘体，且随后绝缘体可被图案化，使得绝缘体的开口214h的宽度W1比薄膜导体层的宽度W2窄，且使得薄膜导体层的两个端部被绝缘体覆盖。在这种情况下，使电感器图案化的方法不受限制，但是考虑到用于形成绝缘体的绝缘片的物理性质，可应用曝光显影法或激光法。然而，使绝缘体图案化的方法不限于此。

此外，绝缘体214的上表面和线圈212的上表面可被绝缘层216包封。参照图1和图2中所示的电感器100描述绝缘层，且省略对其的单独描述。

图9是依照根据本公开的第二示例性实施例的电感器的第一改进示例的电感器210′的截面图。图9中所示的电感器可与图7和图8中所示的电感器区别在于：在绝缘体中，与最内线圈图案的内侧表面接触的绝缘体被去除，最内线圈图案的内侧表面和绝缘层彼此直接接触。根据本公开的第二示例性实施例的电感器的第一改进示例包括与根据第一示例性实施例的电感器的第一改进示例中的改进相似的改进，因此省略对其的详细描述。

相似地，图10的电感器220′包括与图4的电感器120中的改进相似的改进，图11的电感器330包括与图5的电感器130中的改进相似的改进，且图12的电感器240包括与图6的电感器140中的改进相似改进。因此，省略图10至图12的电感器220′、330和240的详细描述。

另外，在所有附图中，相同的元件可利用相似或相同的附图标记指代，并可在此省略其详细描述。

如上所述，根据本公开的示例性实施例，在小型化电感器中，可增大线圈图案的厚宽比，且可改善诸如Rdc特性和电感特性的电特性。

虽然以上已示出并描述了示例性实施例，但对本领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出改进和变型。

Claims (24)

1.一种电感器，包括：

主体，包括：支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中；以及薄膜导体层，在所述线圈和所述支撑构件之间并包括第二开口，以及

外电极，在所述主体的相应的外表面上，

其中，所述薄膜导体层的至少一个端部在所述支撑构件和所述绝缘体之间，并且

其中，所述绝缘体包括隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体部和第二绝缘体部，所述线圈在所述第一绝缘体部处的厚度H1和所述线圈在所述第二绝缘体部处的厚度H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

2.根据权利要求1所述的电感器，其中，所述第二开口被所述绝缘体和所述线圈填充。

3.根据权利要求1所述的电感器，其中，所述薄膜导体层为单层。

4.根据权利要求3所述的电感器，其中，所述薄膜导体层包含铜、镍、锡、金、钛、钼和银中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电感器，其中，所述薄膜导体层具有包括多个层的堆叠结构。

6.根据权利要求5所述的电感器，其中，所述多个层具有彼此相同的线宽。

7.根据权利要求1所述的电感器，其中，在所述第二开口中，所述线圈的线圈图案的下表面的一部分与所述支撑构件直接接触。

8.根据权利要求1所述的电感器，其中，绝缘层在所述线圈的线圈图案的上表面上。

9.根据权利要求8所述的电感器，其中，所述绝缘层从所述绝缘体的最内侧表面向内延伸和/或从所述绝缘体的最外侧表面向外延伸。

10.一种电感器，包括：

主体，包括：支撑构件；绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；线圈，在所述第一开口中；薄膜导体层，在所述线圈和所述支撑构件之间并包括第二开口，以及

外电极，在所述主体的相应的外表面上，

其中，所述薄膜导体层的两个端部在所述支撑构件和所述绝缘体之间并被所述绝缘体覆盖，所述绝缘体与所述支撑构件以及所述薄膜导体层的侧表面直接接触，并且在所述支撑构件的彼此相对的两个表面上设置有所述薄膜导体层和所述绝缘体。

11.根据权利要求10所述的电感器，其中，所述薄膜导体层的上表面的没有被所述绝缘体覆盖的一部分被所述线圈覆盖。

12.根据权利要求10所述的电感器，其中，所述第一开口的整个下部被所述薄膜导体层填充。

13.根据权利要求10所述的电感器，其中，所述薄膜导体层的两个端部的被所述绝缘体覆盖的部分的相应长度彼此相同。

14.根据权利要求10所述的电感器，其中，所述绝缘体的宽度在朝向所述支撑构件的方向上增大。

15.根据权利要求10所述的电感器，其中，形成在所述绝缘体的侧表面和所述支撑构件的表面之间的边缘完全被所述薄膜导体层填充。

16.根据权利要求10所述的电感器，其中，所述薄膜导体层的与所述支撑构件接触的下表面的第一宽度比所述第一开口的第二宽度宽，所述薄膜导体层位于所述第一开口中。

17.一种电感器，包括：

支撑构件；

绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；

线圈，在所述第一开口中，在隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体部和第二绝缘体部之间，所述线圈的下表面具有与所述支撑构件直接接触的第一部分；以及

薄膜导体层，在所述支撑构件上，在所述支撑构件和所述线圈的所述下表面的第二部分之间，并包括在所述第一绝缘体部下方的端部，

其中，所述线圈具有从在所述第一绝缘体部处的厚度H1向在所述第二绝缘体部处的厚度H2倾斜的上表面，其中，H1和H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

18.根据权利要求17所述的电感器，所述电感器还包括：

磁性材料，包封所述支撑构件、所述绝缘体、所述线圈和所述薄膜导体层；以及

绝缘层，在所述绝缘体的上方并且在所述磁性材料与所述绝缘体的上表面之间以及所述磁性材料与所述线圈的上表面之间，

其中，所述绝缘层与所述线圈的最内侧表面和/或最外侧表面直接接触。

19.根据权利要求17所述的电感器，所述电感器还包括：

磁性材料，包封所述支撑构件、所述绝缘体、所述线圈和所述薄膜导体层；

其中，所述绝缘体的最内侧表面的至少一部分和/或最外侧表面的至少一部分与所述磁性材料直接接触。

20.根据权利要求17所述的电感器，其中，所述第一绝缘体部和所述第二绝缘体部的宽度在朝向所述支撑构件的方向上增大。

21.一种电感器，包括：

支撑构件；

绝缘体，在所述支撑构件上并包括第一开口；

线圈，在所述第一开口中，在隔着所述第一开口彼此相邻的第一绝缘体部和第二绝缘体部之间，所述线圈的下表面具有与所述支撑构件直接接触的第一部分；以及

薄膜导体层，在所述支撑构件上，在所述支撑构件和所述线圈的所述下表面的第二部分之间，

其中，所述线圈具有从在所述第一绝缘体部处的厚度H1向在所述第二绝缘体部处的厚度H2倾斜的上表面，其中，H1和H2之间的偏差等于或小于所述线圈的平均厚度的15％。

22.根据权利要求21所述的电感器，所述电感器还包括：

磁性材料，包封所述支撑构件、所述绝缘体、所述线圈和所述薄膜导体层；以及

绝缘层，在所述绝缘体的上方并且在所述磁性材料与所述绝缘体的上表面之间以及所述磁性材料与所述线圈的上表面之间，

其中，所述绝缘层与所述线圈的最内侧表面和/或最外侧表面直接接触。

23.根据权利要求21所述的电感器，所述电感器还包括：

磁性材料，包封所述支撑构件、所述绝缘体、所述线圈和所述薄膜导体层；

其中，所述绝缘体的最内侧表面的至少一部分和/或最外侧表面的至少一部分与所述磁性材料直接接触。

24.根据权利要求21所述的电感器，其中，所述第一绝缘体部和所述第二绝缘体部的宽度在朝向所述支撑构件的方向上增大。

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