CN109704595B - 一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜及其制备方法与应用。本发明以钛酸四丁酯为钛源，以盐酸和水为溶剂，水热法制备TiO2纳米棒薄膜；将pH为1～2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，搅拌反应10～20min，得到前驱体溶液；TiO2纳米棒薄膜置于前驱体溶液中，进行水热敏化处理，最后100～400℃退火处理30～50min，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。本发明制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的结晶性和光电性能有明显提高，同时有效地控制Bi2S3的均匀结晶性，操作简单、成本低，重复性高，有良好的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜及其制备方法与应用。
背景技术
随着能源危机日益严峻，以太阳能为代表的清洁能源受到了广泛关注。半导体二氧化钛(TiO2)具有优良的光电化学性质，广泛应用于太阳能电池、光催化降解污染物以及光解水等领域。二氧化钛材料作为环保又高效的半导体材料在以上领域均有着很好的应用，被认为是最有前景的光伏材料。
目前TiO2的制备方法主要包括物理沉积法、溶胶-凝胶法、水热法、沉淀法、水解法、等离子增强CVD法等。其中水热法是一种常用的制备TiO2薄膜的方法，但仅仅通过水热法制备的TiO2薄膜的禁带宽度为(3.2eV)，其光学和电学性能较差，只有在紫外光的照射下才能够实现光伏响应，对大部分可见光都不能进行有效的吸收，同时产生的光生电子-空穴对在暗态下的复合速度快。为了减小其禁带宽度，拓宽光吸收范围，提高光电转换效率，需对TiO2薄膜进行改性。
TiO2改性的方法主要有金属离子掺杂改性、非金属离子掺杂改性、有机物修饰改性等。金属离子的掺杂能够改变TiO2的结晶度，从而抑制载流子的复合；非金属离子掺杂能够减小TiO2的带隙，扩展其光谱范围。Bi2S3敏化是TiO2实现改性的重要方法之一，Bi2S3禁带宽度较窄只有(1.3eV)，且具有大的光吸收系数，与TiO2复合后可以有效提高半导体材料的光吸收性能，从而使复合材料在整个可见光区对光都能吸收，提高对太阳光的利用率。
发明内容
为了克服现有技术中制备TiO2薄膜的重复性差和TiO2薄膜对可见光的吸收性能不高等不足和缺点，本发明的首要目的在于提供一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，该方法通过改变退火温度提高膜的光电性能。
本发明的另一目的在于提供上述制备方法制备得到的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。
本发明的再一目的在于提供上述硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的应用。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，包含如下步骤：
(1)以钛酸四丁酯为钛源，以盐酸和水为溶剂，水热法制备TiO2纳米棒薄膜；
(2)将pH为1～2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，搅拌反应10～20min，得到前驱体溶液；
(3)将步骤(1)制得的TiO2纳米棒薄膜置于步骤(2)制得的前驱体溶液中，进行水热敏化处理，得到Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜；
(4)将步骤(3)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜清洗后，100～400℃退火处理30～50min，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜；
步骤(1)中所述的TiO2纳米棒薄膜的制备方法包含如下步骤：
①将水和浓盐酸按照体积比1:1混合，搅拌20～30min，得到盐酸溶液；然后在盐酸溶液中加入钛酸四丁酯，继续搅拌10～20min，得到反应液；其中，钛酸四丁酯的用量为盐酸溶液体积的1～2％；
②将导电玻璃导电面朝下放进反应釜内衬中，玻璃与内衬底的夹角为45～60°，然后加入步骤(1)制得的反应液，150～200℃水热反应5～12h，得到TiO2薄膜；
③将步骤②制得的TiO2薄膜清洗、干燥后，进行退火处理，得到TiO2纳米棒薄膜；
步骤①中所述的浓盐酸的浓度优选为36～38wt％；
步骤②中所述的导电玻璃优选为FTO玻璃；
步骤②中所述的导电玻璃进行如下预处理：
将导电玻璃基片用洗涤剂进行擦洗后，再依次经过丙酮、去离子水、酒精超声清洗15～20min，清洗后进行干燥处理；
步骤③中所述的清洗干燥的具体操作优选为：
将步骤(2)制得的TiO2薄膜依次经去离子水和酒精冲洗后烘干；
步骤③中所述的退火处理的具体条件优选为400～450℃处理100～150min；
步骤(2)中所述的pH为1～2的硝酸铋溶液的制备方法为：
将Bi(NO3)·5H2O和pH＝1～2的硝酸溶液混合，50～70℃搅拌30～60min至Bi(NO3)·5H2O完全溶解，得到pH为1～2的硝酸铋溶液；其中，pH＝1～2的硝酸溶液可以抑制Bi(NO3)3·5H2O的水解；
步骤(2)中所述的硫代硫酸钠溶液的制备方法为：
将Na2S2O3·5H2O和水混合，50～70℃搅拌20～30min至Na2S2O3·5H2O完全溶解，得到硫代硫酸钠溶液；
步骤(2)中所述的pH为1～2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合后未反应前，体系中的硝酸铋的浓度优选为1.0mmol/l，硫代硫酸钠的浓度优选为1.5mmol/l；
步骤(2)中所述的硝酸铋溶液中硝酸铋和硫代硫酸钠溶液中硫代硫酸钠的摩尔比优选为3:2；
步骤(3)中所述的水热敏化反应的条件为：80～120℃反应2～8h；
步骤(3)中所述的水热敏化反应的时间优选为6h；
步骤(3)中敏化原理为2Bi3++3S2O3 2-+3H2O→Bi2S3↓+6H++3SO4 2-；
步骤(4)中所述的清洗的具体操作优选为：
将步骤(3)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜用去离子水、酒精冲洗；
一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜，通过上述制备方法制备得到；
所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜在太阳能电池、光催化降解污染物以及光解水等领域中的应用；
本发明以水热法制备Bi2S3敏化的TiO2薄膜，探究退火温度对硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的形貌、结构以及电学性能的影响，从而得到高性能的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果：
(1)本发明采用水热法对Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜进行改性，通过改变Bi2S3/TiO2的退火温度，得出了最佳的Bi2S3/TiO2的退火温度，对硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的结晶性和光电性能有明显提高，同时有效的控制Bi2S3的均匀结晶性。
(2)本发明操作简单、成本低，重复性高，有良好的稳定性，极大的提高了薄膜的光电性能。
附图说明
图1是硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备过程示意图。
图2是不同退火温度下的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图；其中，(a)：未退火处理，(b)：200℃(实施例1)，(c)：300℃(实施例2)，(d)：350℃(实施例3)，(e)：400℃(实施例4)。
图3是不同退火温度下的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的光吸收(UV-vis)图；其中，(a)：未退火处理，(b)：200℃退火(实施例1)，(c)：300℃退火(实施例2)，(d)：350℃退火(实施例3)，(e)：400℃退火(实施例4)。
图4是不同退火温度下的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的SEM图和对应的截面图；其中，(a)：未退火处理的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的SEM，(b)：未退火处理的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的截面图，(c)：350℃退火处理后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜(实施例3)的SEM，350℃退火处理后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜(实施例3)的截面图，虚线框为实线框界面的高倍放大图。
图5是不同退火温度下的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的的阻抗图；其中，(a)：未经退火处理的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜，(b)200℃退火处理后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜(实施例1)，(c)：300℃退火(实施例2)，(d)：350℃退火(实施例3)，(e)：400℃退火。
图6是不同退火温度下的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的的瞬态光电流图；其中，
(a)：未退火处理，(b)：200℃退火(实施例1)，(c)：300℃退火(实施例2)，(d)：350℃退火(实施例3)，(e)：400℃退火(实施例4)。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施方式中使用的FTO基片购买于华南湘城科技有限公司；钛酸四丁酯，浓盐酸(HCl)，硫代硫酸钠(Na2S2O3·5H2O)，硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)，硝酸(HNO3)均为市购。
实施例1
(1)将FTO玻璃基片用洗涤剂进行擦洗后，再依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗15min，然后用氮气枪吹干，再将FTO基片进行臭氧处理15min；
(2)将去离子水和浓盐酸按照体积比1:1混合，放在磁力搅拌器上磁力搅拌20min，得到盐酸溶液；然后采用移液器吸取钛酸四丁酯，在盐酸溶液中加入钛酸四丁酯，继续搅拌10min，得到反应液；其中，钛酸四丁酯的用量为盐酸溶液体积的1.5％；
(3)将步骤(1)中干燥好的导电玻璃导电面朝下放进反应釜内衬中，玻璃与内衬底的夹角为45°，加入步骤(1)制得的反应液，将反应釜封好放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：160℃、反应时间：6h)，得到TiO2薄膜；
(4)将步骤(3)制得的TiO2薄膜取出后依次经过去离子水和酒精冲洗，将清洗过的试样经过干燥箱烘干后，放进管式炉内进行退火处理(温度：450℃、保温时间：100min)，得到TiO2纳米棒薄膜；
(5)量取15ml的去离子水加入硝酸，得到pH＝1.5的硝酸溶液，将称量好的Bi(NO3)·5H2O加入到含有pH＝1.5的硝酸溶液的烧杯内，放到恒温磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：60℃、时间：30min)，得到pH为1.5的硝酸铋溶液；将的Na2S2O3·5H2O加入到含15ml去离子水的烧杯内，将烧杯放到磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：60℃、时间：20min)，得到硫代硫酸钠溶液；将pH为1.5的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，其中，体系中硝酸铋浓度为1mmol/l，硫代硫酸钠浓度为1.5mmol/l；然后磁力搅拌10min，得到前驱体溶液；
(6)将(4)中水热反应生长得到的TiO2薄膜的导电玻璃放到反应釜内加入(5)制得的前驱体溶液，将反应釜密封好后放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：100℃、敏化时间：6h)，得到Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜(3S2O3 2-+2Bi3++3H2O→Bi2S3+6H++3SO4 2-)；
(7)将步骤(6)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜取出后用去离子水、酒精冲洗，放进管式炉内退火处理(退火温度200℃、时间：40min)，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜，其制备流程见图1。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于：步骤(7)中退火温度为300℃、时间为40min，其余步骤与实施例1相同。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于：步骤(7)中退火温度为350℃、时间为40min，其余步骤与实施例1相同。
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于：步骤(7)中退火温度为400℃、时间为40min，其余步骤与实施例1相同。
实施例5
(1)将FTO玻璃基片用洗涤剂进行擦洗后，再依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗18min，然后用氮气枪吹干，再将FTO基片进行臭氧处理15min；
(2)将去离子水和浓盐酸按照体积比1:1混合，放在磁力搅拌器上磁力搅拌25min，得到盐酸溶液；然后采用移液器吸取钛酸四丁酯，在盐酸溶液中加入钛酸四丁酯，继续搅拌15min，得到反应液；其中，钛酸四丁酯的用量为盐酸溶液体积的1.0％；
(3)将步骤(1)中干燥好的导电玻璃导电面朝下放进反应釜内衬中，玻璃与内衬底的夹角为50°，加入步骤(1)制得的反应液，将反应釜封好放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：150℃、反应时间：12h)，得到TiO2薄膜；
(4)将步骤(3)制得的TiO2薄膜取出后依次经过去离子水和酒精冲洗，将清洗过的试样经过干燥箱烘干后，放进管式炉内进行退火处理(温度：400℃、保温时间：150min)，得到TiO2纳米棒薄膜；
(5)量取15ml的去离子水加入硝酸，得到pH＝1.0的硝酸溶液，将称量好的Bi(NO3)·5H2O加入到含有pH＝1.0的硝酸溶液的烧杯内，放到恒温磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：50℃、时间：60min)，得到pH为1.5的硝酸铋溶液；将的Na2S2O3·5H2O加入到含15ml去离子水的烧杯内，将烧杯放到磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：50℃、时间：30min)，得到硫代硫酸钠溶液；将pH为1.0的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，其中，体系中硝酸铋浓度为1mmol/l，硫代硫酸钠浓度为1.5mmol/l；然后磁力搅拌15min，得到前驱体溶液；
(6)将(4)中水热反应生长得到的TiO2薄膜的导电玻璃放到反应釜内加入(5)制得的前驱体溶液，将反应釜密封好后放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：80℃、敏化时间：8h)，得到Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜(3S2O3 2-+2Bi3++3H2O→Bi2S3+6H++3SO4 2-)；
(7)将步骤(6)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜取出后用去离子水、酒精冲洗，放进管式炉内退火处理(退火温度100℃、时间：50min)，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。
实施例6
(1)将FTO玻璃基片用洗涤剂进行擦洗后，再依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗20min，然后用氮气枪吹干，再将FTO基片进行臭氧处理15min；
(2)将去离子水和浓盐酸按照体积比1:1混合，放在磁力搅拌器上磁力搅拌30min，得到盐酸溶液；然后采用移液器吸取钛酸四丁酯，在盐酸溶液中加入钛酸四丁酯，继续搅拌20min，得到反应液；其中，钛酸四丁酯的用量为盐酸溶液体积的2.0％；
(3)将步骤(1)中干燥好的导电玻璃导电面朝下放进反应釜内衬中，玻璃与内衬底的夹角为60°，加入步骤(1)制得的反应液，将反应釜封好放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：200℃、反应时间：5h)，得到TiO2薄膜；
(4)将步骤(3)制得的TiO2薄膜取出后依次经过去离子水和酒精冲洗，将清洗过的试样经过干燥箱烘干后，放进管式炉内进行退火处理(温度：420℃、保温时间：110min)，得到TiO2纳米棒薄膜；
(5)量取15ml的去离子水加入硝酸，得到pH＝2.0的硝酸溶液，将称量好的Bi(NO3)·5H2O加入到含有pH＝2.0的硝酸溶液的烧杯内，放到恒温磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：70℃、时间：30min)，得到pH为1.5的硝酸铋溶液；将的Na2S2O3·5H2O加入到含15ml去离子水的烧杯内，将烧杯放到磁力搅拌器上搅拌溶解(温度：70℃、时间20min)，得到硫代硫酸钠溶液；将pH为2.0的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，其中，体系中硝酸铋浓度为1mmol/l，硫代硫酸钠浓度为1.5mmol/l；然后磁力搅拌20min，得到前驱体溶液；
(6)将(4)中水热反应生长得到的TiO2薄膜的导电玻璃放到反应釜内加入(5)制得的前驱体溶液，将反应釜密封好后放进干燥箱内进行水热反应(反应温度：120℃、敏化时间：2h)，得到Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜(3S2O3 2-+2Bi3++3H2O→Bi2S3+6H++3SO4 2-)；
(7)将步骤(6)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜取出后用去离子水、酒精冲洗，放进管式炉内退火处理(退火温度380℃、时间：30min)，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。
对比实施例1
本实施例与实施例1的区别在于：步骤(6)制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜冲洗后，不再进行退火处理。
效果实施例
图2是对比实施例1与实施例1～4制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图，其中，图2(a)是未退火处理的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图，图2(b)是退火温度为200℃的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图，图2(c)是退火温度为300℃的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图，图2(d)是退火温度为350℃的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图，图2(e)是退火温度为400℃的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的XRD图。从图中可以看出，随着退火温度的提高，衍射峰的强度先增强后减弱。退火温度为350℃时，Bi2S3敏化的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜沿(002)衍射峰强度较强，明显的看出TiO2沿垂直于基底生长，从XRD图中可以看到Bi2S3的衍射峰，即Bi2S3量子点均匀附着于TiO2薄膜的表面。随着退火的进行，促进了Bi2S3量子点的成核和长大。
图3是对比实施例1与实施例1～4制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的光吸收图。结果显示，实施例3(即退火温度：350℃、退火时间：40min)退火后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的光吸收强度比未退火的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的高，随着退火温度的的升高，光吸收强度呈现先增强后减弱的趋势。当退火温度为350℃时，硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜在可见光范围内的光吸收强度达到最强，在吸收波段内的带隙也有明显的减小，更有利于电子的跃迁和传输。
图4是对比实施例1与实施例1～4制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的SEM图，可知随着退火温度的升高，Bi2S3颗粒在TiO2薄膜上的分布逐渐趋于均匀化，颗粒长大。其中，实施例3(即退火温度：350℃、退火时间：40min)退火后得到的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜表面均匀覆盖一层Bi2S3量子点，大颗粒的量子点更能够对TiO2薄膜进行修饰，提高薄膜的整体性能，实线框是对虚线框局部界面进行的高倍放大，从图中更清晰的看出退火后Bi2S3在TiO2薄膜上颗粒均匀分布，并且颗粒长大。
图5是对比实施例1与实施例1～4制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的阻抗图。随着退火温度的升高，阻抗值先减小后增大。当退火温度为350℃时，即实施例3(即退火温度：350℃、退火时间：40min)退火后得到的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的阻抗值最低，可以更有效的降低电荷在传输过程中的阻碍作用，加快电荷的传输。
图6是对比实施例1与实施例3制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的的瞬态光电流图。随着退火温度的升高，退火后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的瞬态光电流呈现先增大后减小的趋势。实施例3(即退火温度：350℃、退火时间：40min)退火后的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的瞬态光电流(0.158mA/cm2)比未退火处理的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜(0.045mA/cm2)的高，随着退火的进行，结果显示退火温度为350℃后的TiO2复合材料薄膜的瞬态光电流值达到最大值。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于包含如下步骤：
（1）以钛酸四丁酯为钛源，以盐酸和水为溶剂，水热法制备TiO2纳米棒薄膜；
（2）将pH为1～2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合，搅拌反应10～20min，得到前驱体溶液；
（3）将步骤（1）制得的TiO2纳米棒薄膜置于步骤（2）制得的前驱体溶液中，进行水热敏化处理，得到Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜；
（4）将步骤（3）制得的Bi2S3敏化的TiO2纳米棒薄膜清洗后，350℃退火处理40min，得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜；
步骤（3）中所述的水热敏化反应的条件为80～120℃反应2～8h。
2.根据权利要求1所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤（1）中所述的TiO2纳米棒薄膜的制备方法包含如下步骤：
①将水和浓盐酸按照体积比1:1混合，搅拌20～30min，得到盐酸溶液；然后在盐酸溶液中加入钛酸四丁酯，继续搅拌10～20min，得到反应液；其中，钛酸四丁酯的用量为盐酸溶液体积的1～2%；
②将导电玻璃导电面朝下放进反应釜内衬中，玻璃与内衬底的夹角为45～60°，然后加入步骤（1）制得的反应液，150～200℃水热反应5～12h，得到TiO2薄膜；
③将步骤②制得的TiO2薄膜清洗、干燥后，进行退火处理，得到TiO2纳米棒薄膜。
3.根据权利要求2所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤①中所述的浓盐酸的浓度为36～38wt%。
4.根据权利要求2所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤③中所述的退火处理的具体条件为400～450℃处理100～150min。
5.根据权利要求1所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中所述的pH为1～2的硝酸铋溶液的制备方法为：
将Bi（NO3）·5H2O和pH=1～2的硝酸溶液混合，50～70℃搅拌30～60min至Bi（NO3）·5H2O完全溶解，得到pH为1～2的硝酸铋溶液。
6.根据权利要求1所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中所述的pH为1～2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合后未反应前，体系中的硝酸铋的浓度为1.0mmol/l，硫代硫酸钠的浓度为1.5mmol/l。
7.根据权利要求1所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中所述的硝酸铋溶液中硝酸铋和硫代硫酸钠溶液中硫代硫酸钠的摩尔比为3:2。
8.一种硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜，其特征在于通过权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到。
9.权利要求8所述的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜在太阳能电池、光催化降解污染物以及光解水领域中的应用。
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