CN109659276B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提出了一种显示面板及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成非晶硅层、第一金属层、第二金属层及第一光阻层；利用第一光罩工艺，所述第一金属层形成第一金属图案层，及所述第二金属层形成第二金属图案层；利用第一蚀刻工艺，使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层；利用第二蚀刻工艺，去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分，使所述第二金属图案层形成源漏极。本申请通过在有源层与源漏极之间形成以保护层，避免在进行源漏极图案化处理时，位于源漏极下方的有源层被蚀刻，提高了产品的良率和品质。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。
现有LCD制程中，有源层上设置有源漏极金属层。由于灰化工艺的处理，使得位于源漏极金属层上的光阻层变薄，部分源漏极金属层裸露。因此，在对源漏极金属层进行蚀刻工艺时，位于源漏极金属层下方的部分有源层同时会被蚀刻掉，导致产品产生静电释放的风险，降低了产品的良率。
因此，本申请基于此技术问题，而提出了一新型的结构。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有液晶显示面板制程中产生静电释放的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种显示面板的制作方法，其包括步骤：
S10、提供一基板，在所述基板上形成一非晶硅层；
S20、在所述非晶硅层上依次形成第一金属层、第二金属层及第一光阻层；
S30、利用第一光罩工艺，使所述第一金属层形成第一金属图案层，及所述第二金属层形成第二金属图案层；
S40、利用第一蚀刻工艺，使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层，
所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影位于所述第二金属图案层内；
S50、利用第二蚀刻工艺，去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分，使所述第二金属图案层形成源漏极；
S60、剥离所述第一光阻层。
在本申请的制作方法中，步骤S30包括：
S301、对所述第一光阻层进行曝光、显影处理，以形成图案化的所述第一光阻层；
S302、利用第三蚀刻工艺，对所述第二金属层图案化处理，使所述第二金属层形成所述第二金属图案层；
S303、利用第四蚀刻工艺，对所述第一金属层图案化处理，使所述第一金属层形成所述第一金属图案层；
所述第一金属图案层与所述第二金属图案层的图案相同。
在本申请的制作方法中，所述第二金属图案层包括第一部分和位于所述第一部分外围的第二部分，所述第一部分在所述有源层上的正投影位于所述有源层内；
其中，所述第二蚀刻工艺用于去除所述第二部分，使所述第一部分形成所述源漏极。
在本申请的制作方法中，所述第一蚀刻工艺为等离子蚀刻，所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层蚀刻；
所述等离子气体包括四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。
在本申请的制作方法中，所述第一金属层的金属材料包括钼。
在本申请的制作方法中，所述保护层包括六氟化钼、五氯化钼、三氧化钼及金属钼中一种以上的组合物。
在本申请的制作方法中，在所述基板上形成一非晶硅层之前，还包括：
在所述基板上形成一栅极；
在所述栅极上形成一栅绝缘层。
本申请还提出了一种显示面板，其包括基板、位于所述基板上栅极、位于所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的保护层、位于所述保护层上源漏极；
所述源漏极在所述有源层上的正投影位于所述有源层内。
在本申请的显示面板中，所述源漏极的材料包括铜、铝、钛等中的一种或一种以上的组合物。
在本申请的显示面板中，所述保护层包括六氟化钼、五氯化钼、三氧化钼、及金属钼中一种以上的组合物。
有益效果：本申请通过在有源层与源漏极之间形成以保护层，避免在进行源漏极图案化处理时，位于源漏极下方的有源层被蚀刻，提高了产品的良率和品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一种显示面板制作方法的步骤图；
图2A～2F为本申请一种显示面板制作方法的工艺图；
图3为本申请一种显示面板的膜层结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请一种显示面板制作方法的步骤图。
请参阅图2A～2F，图2A～2F为本申请一种显示面板制作方法的工艺图。
所述制作方法包括：
S10、提供一基板，在所述基板上形成一非晶硅层；
请参阅图2A，步骤S10具体包括：
S101、提供一基板101；
在一种实施例中，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。
在一种实施例中，所述基板101还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
S102、在所述基板101上形成一栅极102；
所述栅极102的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述栅极102的金属材料可以为钼。
在本步骤中，通过对形成所述栅极102的一金属层，使用光罩工艺，经掩模板(未画出)曝光，显影以及蚀刻的构图工艺处理后，使该金属层形成图2A所示的图案，并剥离该光阻层。
S103、在所述栅极102上形成一栅绝缘层103；
所述栅绝缘层103形成于所述栅极102上。所述栅绝缘层103用于将所述栅极102与位于所述栅极102上的有源层隔离。
在一种实施例中，所述栅绝缘层103的材料通常为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
S104、在所述栅绝缘层103上形成一非晶硅层104；
在本步骤中，所述非晶硅层104为整层设置。所述非晶硅层104用于制备所述显示面板中的有源层。
S20、在所述非晶硅层104上依次形成第一金属层105、第二金属层106及第一光阻层107；
请参阅图2B，在所述非晶硅层104上依次形成第一金属层105、第二金属层106及第一光阻层107。
在一种实施例中，所述第一金属层105的金属材料可以为钼。
所述第二金属层106的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述第二金属层106的金属材料可以为钛铝合金。
S30、利用第一光罩工艺，使所述第一金属层105形成第一金属图案层108，及所述第二金属层106形成第二金属图案层109；
请参阅图2C，步骤S30包括：
S301、对所述第一光阻层107进行曝光、显影处理，以形成图案化的所述第一光阻层107；
在本步骤中，所述第一光阻经掩模板(未画出)曝光，显影形成预定图案。
S302、利用第三蚀刻工艺，对所述第二金属层106图案化处理，使所述第二金属层106形成所述第二金属图案层109；
S303、利用第四蚀刻工艺，对所述第一金属层105图案化处理，使所述第一金属层105形成所述第一金属图案层108；
S304、对图案化后的第一光阻层107进行灰化处理，使得部分所述第二金属图案层109裸露；
在一种实施例中，所述第一金属图案层108与所述第二金属图案层109的图案相同。
在一种实施例中，所述第三蚀刻工艺和所述第四蚀刻工艺为湿法蚀刻。
在一种实施例中，步骤S302和步骤S303可以采用一道蚀刻工艺，同时对所述第一金属层105和所述第二金属层106进行蚀刻工艺。
S40、利用第一蚀刻工艺，使所述第一金属图案层108形成保护层115、及对所述非晶硅层104图案化处理使所述非晶硅层104形成有源层113；
请参阅图2D，在本步骤中，通过第一蚀刻工艺，同时形成所述有源层113及所述保护层115。
所述第一蚀刻工艺可以为等离子蚀刻。所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层104进行蚀刻。
在一种实施例中，所述等离子气体可以包括四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。
在一种实施例中，所述等离子气体中的氧气占所述等离子气体总量的1％。等离子气体中的等离子氧可以与第一金属图案层108反应形成对应金属氧化物的保护层115。
在一种实施例中，所述保护层115可以包括六氟化钼、五氯化钼、三氧化钼及金属钼中一种以上的组合物。
所述有源层113在所述第二金属图案层109上的正投影位于所述第二金属图案层109内。在边缘区域，所述第二金属图案层109的面积大于所述有源层113的面积。
在一种实施例中，所述第二金属图案层109包括第一部分110和位于所述第一部分110外围的第二部分111，所述第一部分110在所述有源层113上的正投影位于所述有源层113内。所述有源层113的边界与所述第一部分110的边界在同平面上。
S50、利用第二蚀刻工艺，去除所述第二金属图案层109及所述保护层115边缘区域中超出所述有源层113的部分，使所述第二金属图案层109形成源漏极112；
请参阅图2E，在本步骤中，利用第二蚀刻工艺，对所述第二金属图案层109进行图案化处理，去除所述第二部分111，使所述第一部分110形成所述源漏极112。
在一种实施例中，所述第二蚀刻工艺为湿法蚀刻。
本步骤中，保护层115的存在，例如保护层115中的三氧化钼和金属钼，降低了所述第二金属图案层109靠近保护层115一侧的蚀刻速率，避免了位于源漏极112下方的所述有源层113被蚀刻，提高了产品的良率和品质。
S60、剥离所述第一光阻层107。
请参阅图2F，剥离所述第一光阻层107，并在所述第一光阻层107上形成以钝化层114。在一种实施例中，所述钝化层114的材料可以为氮化矽化合物。
在后续工艺中，在所述钝化层114上形成像素电极层(未画出)，以完成所述显示面板中阵列基板的工艺。
本申请通过在有源层113与源漏极112之间形成以保护层115，避免在进行源漏极112图案化处理时，位于源漏极112下方的有源层113被蚀刻，提高了产品的良率和品质
请参阅图3，图3为本申请一种显示面板的膜层结构图。
所述显示面板200包括：
基板201，所述基板201的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。在一种实施例中，所述基板201还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
栅极202，位于所述基板201上。所述栅极202的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述栅极202的金属材料可以为钼。
本申请通过对形成所述栅极202的一金属层，使用光罩工艺，经掩模板(未画出)曝光，显影以及蚀刻的构图工艺处理后，使该金属层形成图3所示的图案，并剥离该光阻层。
栅绝缘层203，位于所述栅极202上。所述栅绝缘层203用于将所述栅极202与位于所述栅极202上的有源层213隔离。
在一种实施例中，所述栅绝缘层203的材料通常为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
有源层213，位于所述栅绝缘层203上。
在一种实施例中，所述有源层213由非晶硅构成。
保护层215，位于所述有源层213上。所述保护层215由第一金属层经图案化处理形成。
在一种实施例中，所述第一金属层的金属材料可以为钼。
在一种实施例中，所述保护层215可以包括六氟化钼、五氯化钼、三氧化钼及金属钼中一种以上的组合物。
在一种实施例中，通过对非晶硅层及第一金属层同时进行第一蚀刻工艺，以形成所述有源层213及所述保护层215。
所述第一蚀刻工艺可以为等离子蚀刻。所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层进行蚀刻。
在一种实施例中，所述等离子气体可以包括四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。
在一种实施例中，所述等离子气体中的氧气占所述等离子气体总量的1％。等离子气体中的等离子氧可以与图案化后的第一金属层反应形成对应金属氧化物的保护层215。
源漏极212，位于所述保护层215上。所述源漏极212的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，保护层215的存在，例如保护层215中的三氧化钼和金属钼，降低了所述源漏极212靠近保护层215一侧的蚀刻速率，避免了位于源漏极212下方的所述有源层213被蚀刻，提高了产品的良率和品质。
在一种实施例中，所述保护层215的金属图案与所述源漏极212的金属图案相同。
在一种实施例中，所述源漏极212在所述有源层213上的正投影位于所述有源层213内。所述有源层213的边界与所述源漏极212的边界在同平面上。
钝化层214，位于所述有源层213上。所述钝化层214的材料可以为氮化矽化合物。
本申请图3仅为所述显示面板中阵列基板的结构，所述显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成非晶硅层、第一金属层、第二金属层及第一光阻层；利用第一光罩工艺，所述第一金属层形成第一金属图案层，及所述第二金属层形成第二金属图案层；利用第一蚀刻工艺，使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层；利用第二蚀刻工艺，去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分，使所述第二金属图案层形成源漏极。本申请通过在有源层与源漏极之间形成以保护层，避免在进行源漏极图案化处理时，位于源漏极下方的有源层被蚀刻，提高了产品的良率和品质。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (6)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
S10、提供一基板，在所述基板上形成一非晶硅层；
S20、在所述非晶硅层上依次形成第一金属层、第二金属层及第一光阻层；
S30、利用第一光罩工艺，使所述第一金属层形成第一金属图案层，及所述第二金属层形成第二金属图案层；
S40、利用第一蚀刻工艺，使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层，所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影位于所述第二金属图案层内、以及所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影面积小于所述第二金属图案层的面积；
S50、利用第二蚀刻工艺，去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分，使所述第二金属图案层形成源漏极；
S60、剥离所述第一光阻层；
其中，所述第一蚀刻工艺为等离子蚀刻，所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层蚀刻，所述等离子气体中的氧气占所述等离子气体总量的1％，所述等离子气体中的等离子氧与所述第一金属图案层形成对应的金属氧化物的保护层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，步骤S30包括：
S301、对所述第一光阻层进行曝光、显影处理，以形成图案化的所述第一光阻层；
S302、利用第三蚀刻工艺，对所述第二金属层图案化处理，使所述第二金属层形成所述第二金属图案层；
S303、利用第四蚀刻工艺，对所述第一金属层图案化处理，使所述第一金属层形成所述第一金属图案层；
所述第一金属图案层与所述第二金属图案层的图案相同。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的金属材料包括钼。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成一非晶硅层之前，还包括：
在所述基板上形成一栅极；
在所述栅极上形成一栅绝缘层。
5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由权利要求1～4任一项所述显示面板的制作方法制成。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极的材料包括铜、铝、钛中的一种或一种以上的组合物。
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