CN109643648B - 激光照射装置 - Google Patents

激光照射装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109643648B
CN109643648B CN201780052577.9A CN201780052577A CN109643648B CN 109643648 B CN109643648 B CN 109643648B CN 201780052577 A CN201780052577 A CN 201780052577A CN 109643648 B CN109643648 B CN 109643648B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
holes
porous plate
laser irradiation
irradiation apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780052577.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109643648A (zh
Inventor
铃木祐辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jsw Acdina System Co ltd
Original Assignee
Jsw Acdina System Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsw Acdina System Co ltd filed Critical Jsw Acdina System Co ltd
Publication of CN109643648A publication Critical patent/CN109643648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109643648B publication Critical patent/CN109643648B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
    • B65G49/065—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position supported partially or completely on fluid cushions, e.g. a gas cushion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G53/00—Conveying materials in bulk through troughs, pipes or tubes by floating the materials or by flow of gas, liquid or foam
    • B65G53/02—Floating material troughs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00—Annealing glass products
    • C03B25/02—Annealing glass products in a discontinuous way
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/30—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
    • B65G2249/04—Arrangements of vacuum systems or suction cups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
    • B65G2249/04—Arrangements of vacuum systems or suction cups
    • B65G2249/045—Details of suction cups suction cups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Standing Axle, Rod, Or Tube Structures Coupled By Welding, Adhesion, Or Deposition (AREA)

Abstract

在一种实施方式的激光照射装置(1)中，第一和第二浮起单元(30a，30b)中的每一个均包括底部(31)以及通过粘合层(34)粘合于底部(31)上表面的多孔板(32)，底部(31)包括在至少面向所述间隙的外周上向上突起的耸起部分(312)，多孔板(32)包括设置为与耸起部分(312)形状相配合的切口部分(321)，粘合层(34)沿与切口部分(321)形状相配合的耸起部分(312)的内壁形成。

Description

激光照射装置
技术领域
本发明涉及一种激光照射装置。更具体而言，本发明例如涉及一种在浮起并传送板状工件的同时以激光束照射该工件的激光照射装置。
背景技术
一种已知激光照射装置在浮起并传送板状工件的同时，以激光束照射该工件。
此处，专利文献1和2公开了通过水平设置的多孔板朝上吹气的方式将板状工件浮起的技术。其中，根据专利文献1和2的公开内容，所述多孔板由粘合剂粘合至底部上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：公开号为2008-110852的日本未审查专利申请
专利文献2：第5512052号日本专利
发明内容
发明解决的技术问题
发明人在开发浮起并传送板状工件的同时以激光束照射该工件的激光照射装置的过程中，发现了各种问题。
根据以下描述以及附图，其他待解决问题及本发明的新颖特征将变得容易理解。
解决问题的技术手段
在一种实施方式的激光照射装置中，第一和第二浮起单元中的每一个均包括底部以及通过粘合层粘合于该底部上表面的多孔板，所述底部包括在至少面向所述间隙的外周上向上突起的耸起部分，所述多孔板包括设置为与该耸起部分形状相配合的切口部分，所述粘合层沿与所述切口部分形状相配合的所述耸起部分的内壁形成。
在另一实施方式的激光照射装置中，通过形成于多孔板内的多个第一通孔以及形成于金属制成的中间板内的多个第二通孔抽气，该多个第一通孔的直径大于所述多个第二通孔的直径。
本发明的有益效果
根据上述一种实施方式，可实现例如适用于激光退火装置的优良激光照射装置。
附图说明
图1为第一实施方式激光照射装置外形轮廓的示意剖视图。
图2为浮起单元30a和30b和板状工件100之间位置关系平面图。
图3为根据第一实施方式比较例1浮起单元的剖视图，而且为与图2中V-V线对应的剖视图。
图4为根据第一实施方式比较例2浮起单元的剖视图，而且为与图2中V-V线对应的剖视图。
图5为沿图2中V-V线的剖视图。
图6为形成于底部31内的粘合层34的平面图。
图7为图5中点划线所围部分的放大视图。
图8为第一实施方式改进例浮起单元的剖视图。
图9为形成于底部31内的粘合层34的平面图。
图10为第二实施方式比较例浮起单元的剖视图，而且为与图2中V-V线对应的剖视图。
图11为第二实施方式浮起单元斜视图。
图12为第二实施方式浮起单元分解斜视图。
图13为第二实施方式浮起单元分解斜视图。
图14为沿图11中XIV-XIV线的剖视图。
图15为形成于底部31内的粘合层34a和34d的平面图。
图16为短多孔板32a和32b粘合部分的放大视图。
图17为抽气路径(多孔板32的通孔323与中间板33的通孔333)、减压室36以及减压通孔313的示意剖视图。
附图标记列表
1 激光照射装置
10 激光照射单元
11 激光振荡器
12 光学系统模块
20 局部密封单元
30a，30b 浮起单元
31 底部
32 多孔板
32a，32b 短多孔板
33 中间板
34，34a，34b，34c，34d 粘合层
35 加压室
36 减压室
100 板状工件
311 加压通孔
312 耸起部分
313 减压通孔
314 沉槽
321 切口部分
323 通孔
322a，322b 突起部分
333 通孔
具体实施方式
以下，参考附图对具体实施方式进行详细描述。其中，本发明实施方式不限于以下实施方式。此外，为了清晰起见，以下描述和附图在适当之处进行了简化。
(第一实施方式)
<激光照射装置的整体结构>
首先，参考图1，对第一实施方式激光照射装置的整体结构进行描述。图1为第一实施方式激光照射装置外形轮廓的示意剖视图。第一实施方式激光照射装置适用于准分子退火装置，该准分子退火装置以激光束照射形成于玻璃基板上的非晶硅膜，以实现结晶化。或者，第一实施方式激光照射装置还可应用于激光释放装置，该激光释放装置通过以激光束从玻璃基板一侧照射形成于该基板上的释放层而释放该释放层。
如图1所示，第一实施方式激光照射装置1包括激光照射单元10、局部密封单元20以及浮起单元30a和30b。第一实施方式激光照射装置1在将玻璃基板等板状工件100浮起并传送的过程中，以激光束LB照射该工件100。
此外，为了便于描述各部件之间的位置关系，图1还示出了右手XYZ坐标系。一般情况下，XY平面为水平平面，+Z轴方向朝向垂直方向的上方一侧。
激光照射单元10包括激光振荡器11和光学系统模块12。激光振荡器11为激光光源，而且为准分子激光器或固体激光器等紫外线激光振荡器。激光振荡器11生成的激光引入由透镜和反射镜形成的光学系统模块12内。光学系统模块12发出的激光束LB会聚于浮起和传送状态下的板状工件100上。此外，如以下参照图2所述，激光束LB为线光束，其Y轴方向为板状工件100的纵向。
局部密封单元20设置为在光学系统模块12的下方围绕激光束LB。局部密封单元20将氮气等惰性气体吹向激光束LB在板状工件100上的照射区域。如此，可以防止板状工件100上被激光束LB退火的硅膜等发生氧化。此外，局部密封单元20为不可省略的部件。
浮起单元30a和30b为水平安装的板状部件，并通过自上表面朝上吹气而将板状工件100水平浮起。浮起单元30a和30b将板状工件100浮起例如约200μm。浮起单元30a和30b以预定间隔沿板状工件100的传送方向(X轴方向)排列。激光束LB对浮起单元(如第一浮起单元)30a和浮起单元(如第二浮起单元)30b之间的间隙进行照射。
浮起单元30a和30b均包括底部31和多孔板32。多孔板32设于板状底部31的上表面。底部31为铝或不锈钢等金属制成的板状部件。加压气体被引入底部31后，通过多孔板32内的细孔(即小空腔)从多孔板32的上表面吹出。
在板状工件100传送过程中，多孔板32朝向板状工件100。
多孔板32例如由多孔陶瓷、多孔碳或多孔金属制成。此处认为，多孔碳在使用期间会因与板状工件100接触而磨损，或者在激光束LB的照射区域形成颗粒。此外，多孔碳较为昂贵。因此，优选使用不易磨损或不易生成颗粒且价格较低的陶瓷，如微孔直径为0.1～50μm(优选1～10μm)且孔隙率为10～60％(优选35～45％)的氧化铝陶瓷。
下文中，参考图2，以平面图形式对浮起单元30a和30b和板状工件100之间的位置关系进行描述。图2为浮起单元30a和30b和板状工件100之间位置关系平面图。此外，在图2中，板状工件100上的激光束LB以双点划线表示，而且图2中的右手XYZ坐标系与图1一致。
如图2所示，浮起单元30a和30b均具有矩形平面形状。在图2示例中，板状工件100的传送方向(X轴方向)与浮起单元30a和30b的纵向一致，Y轴方向与浮起单元30a和30b的宽度方向一致。
如上所述，激光束LB为Y轴方向为纵向且照射于浮起单元30a和30b之间的间隙内的线光束。激光束LB的Y轴方向长度例如小于或等于板状工件100的Y轴方向长度(即板状工件100的宽度)。虽然激光束LB的照射位置为固定位置，但是由于板状工件100朝+X轴方向传送，因此激光束LB可对板状工件100的整个表面进行照射。此外，除了在板状工件100传送过程中对板状工件100的整个表面照射一次之外，还可在多次传送板状工件100的过程中对板状工件100的整个表面进行多次照射。此外，激光束LB也可无需对板状工件100的整个表面进行照射。
<第一实施方式比较例1的浮起单元>
以下，参考图3，对发明人预先研究过的第一实施方式比较例1的浮起单元进行描述。图3为第一实施方式比较例1浮起单元的剖视图，而且为与图2中V-V线对应的剖视图。此外，图3所示右手XYZ坐标系与图1一致。
第一实施方式比较例1的浮起单元300b包括底部310和多孔板320。其中，底部310和多孔板320均具有简单平板形状。多孔板320通过树脂粘合剂制成的粘合层340设置于板状底部310的上表面。在平面视图下，粘合层340形成为沿底部310外周延伸的方环形。
如此，底部310、多孔板320和粘合层340所围绕的空间形成加压室350。底部310中形成有贯穿上下表面的加压通孔311。加压气体经加压通孔311引入加压室350，并通过多孔板320内的细孔从多孔板320的上表面吹出，从而将板状工件100浮起。
如图3所示，在第一实施方式比较例1的浮起单元300b中，粘合层340沿底部310的外周延伸。因此，随激光束LB的照射而生成的紫外线易于触及粘合层340，并使粘合层340的性能下降。当粘合层340发生性能下降时，将使得加压室350的气密性降低，并减少从多孔板320上表面吹出的气体，从而使得板状工件100无法精确浮起。此外，当粘合层340发生性能下降时，所述树脂粘合剂将产生气体，并对激光束LB的照射效果产生不利影响。
<第一实施方式比较例2的浮起单元>
以下，参考图4，对发明人预先研究过的第一实施方式比较例2的浮起单元进行描述。图4为第一实施方式比较例2浮起单元的剖视图，而且为与图2中V-V线对应的剖视图。此外，图4所示右手XYZ坐标系与图1一致。
与图3所示比较例1底部310的简单平板形状不同，图4所示比较例2底部310的外周形成有向上突出的耸起部分312。在平面视图下，耸起部分312形成为沿底部310外周延伸的方环形。
此外，与图3所示比较例1中与底部310具有相同尺寸的多孔板320不同，图4所示比较例2中的多孔板320的尺寸小于底部310，而且设于耸起部分312内侧。
此外，与图3所示比较例1中沿底部310外周延伸的粘合层340不同，图4所示比较例2中的粘合层340沿耸起部分312的内壁延伸。
如图4所示，在第一实施方式比较例2的浮起单元300b中，粘合层340沿耸起部分312的内壁内侧延伸。因此，随激光束LB的照射而生成的紫外线被耸起部分312阻挡，从而与第一比较例相比，可防止粘合层340的性能下降。然而，此处认为，通过底部310耸起部分312与多孔板320之间的间隙进入的紫外线将触及粘合层340，并导致粘合层340性能下降。
<第一实施方式浮起单元>
以下，参考图5和图6，对第一实施方式浮起单元进行详细描述。图5为沿图2中V-V线的剖视图。图6为形成于底部31内的粘合层34的平面图。图7为图5中点划线所围部分的放大视图。此外，图5至图7所示右手XYZ坐标系与图1一致。浮起单元30a和30b构造为相对于YZ平面镜像对称的相同结构，因此以下只对浮起单元30b进行描述。
第一实施方式浮起单元30b包括底部31和多孔板32。
如图5所示，第一实施方式的底部31为板状部件，与图4所示比较例2底部310类似，该板状部件形成有沿外周向上突起的耸起部分312。如图6所示，在平面视图下，耸起部分312形成为沿底部31外周延伸的方环形。
此外，由于底部31具有安装精度要求，因此底部31的下表面为已抛光表面。为了实现底部31下表面的精确抛光，底部31的厚度优选例如为约10mm或更大。
如图5所示，第一实施方式多孔板32与底部31具有相同尺寸。此外，如图7所示，沿外周形成有与底部31的耸起部分312形状相配合的切口部分321。在平面视图下，切口部分321形成为沿多孔板32外周延伸的方环形。
如图5所示，多孔板32通过树脂粘合剂制成的粘合层34设于底部31的上表面。其中，如图7所示，粘合层34沿与多孔板32切口部分321形状相配合的底部31耸起部分312的内壁延伸。
如图6所示，在平面视图下，粘合层34形成为沿底部31耸起部分312内壁延伸的方环形。在该情况下，粘合层34无需与耸起部分312内壁紧密贴合。对于形成粘合层34的树脂粘合剂而言，可例如使用环氧粘合剂。
如图5所示，底部31、多孔板32和粘合层34所围成的空间形成加压室35。底部31的+X轴方向一侧端部形成有贯穿上下表面的加压通孔311。加压气体经加压通孔311引入加压室35内，并通过多孔板32内的细孔从多孔板32上表面吹出，从而可将板状工件100浮起。此外，虽然图中未示出，但加压通孔311经管道与压缩机或鼓风机等加压装置相连接。
如上所述，在第一实施方式浮起单元30b中，底部31的外周形成有向上突起的耸起部分312。此外，多孔板32的外周形成有与底部31的耸起部分312形状相配合的切口部分321。另外，粘合层34沿与切口部分321形状相配合的耸起部分312的内壁延伸。
一般情况下，多孔板32的切口部分321与底部31的耸起部分312紧密贴合，因此随激光束LB的照射而生成的紫外线无法触及粘合层34。即使当切口部分321和耸起部分312之间形成间隙且紫外线通过该间隙进入时，该紫外线也难于触及形成于与切口部分321形状相配合的耸起部分312内侧的粘合层34。因此，根据这一构造，可以有效防止粘合层34的性能下降。
<第一实施方式改进例的浮起单元>
以下，参考图8和图9，对第一实施方式改进例的浮起单元进行详细描述。图8为第一实施方式改进例浮起单元的剖视图。图8对应于图5。图9为形成于底部31内的粘合层34的平面图。
如图6所示，在第一实施方式浮起单元30b的底部31中，耸起部分312延伸于整个外周之上。与此相反，如图8和9所示，在第一实施方式改进例浮起单元30b的底部31中，耸起部分312仅形成于面向待由激光束LB照射的外周上，但耸起部分312不形成于其他外周上。也就是说，如图9所示，耸起部分312在-X轴方向一侧的外周上，沿Y轴方向形成为一线。
此外，如图8所示，在第一实施方式改进例浮起单元30b的多孔板32中，与耸起部分312形状相配合的切口部分321仅形成于面向待由激光束LB照射的间隙的外周上，且不形成于其他外周上。也就是说，切口部分321在-X轴方向一侧的外周上，沿Y轴方向形成为一线。
如图8所示，多孔板32通过树脂粘合剂制成的粘合层34设于底部31的上表面上。其中，如图8和9所示，粘合层34沿与多孔板32切口部分321形状相配合的底部31耸起部分312的内壁延伸。另一方面，如图9所示，不面向待由激光束LB照射的间隙的外周上未形成有耸起部分312，而粘合层34形成于该外周上。因此，在平面视图下，粘合层34形成为方环形。
如上所述，在第一实施方式的浮起单元30b中，向上突起的耸起部分312形成于面向待由激光束LB照射的间隙的底部31外周上。此外，与耸起部分312形状相配合的切口部分321形成于面向待由激光束LB照射的间隙的多孔板32外周上。此外，粘合层34沿与切口部分321形状相配合的耸起部分312的内壁内侧延伸。
一般情况下，多孔板32的切口部分321与底部31的耸起部分312紧密贴合，因此随激光束LB的照射而生成的紫外线无法触及粘合层34。即使当切口部分321和耸起部分312之间形成间隙且紫外线通过该间隙进入时，该紫外线也难于触及形成于与切口部分321形状相配合的耸起部分312内侧的粘合层34。因此，可有效防止粘合层34的性能下降。
此外，在第一实施方式改进例的浮起单元30b中，耸起部分312并不形成于不面向待由激光束LB照射的间隙的外周上，而粘合层34形成于该外周上。然而，由于粘合层34不面向待由激光束LB照射的间隙，因此即使粘合层34形成于所述外周上，紫外线也难于触及粘合层34。
(第二实施方式)
以下，对第二实施方式激光照射装置进行描述。第二实施方式激光照射装置的整体结构与图1和图2所示第一实施方式激光照射装置的整体结构相同，因此不再赘述。第二实施方式激光照射装置与第一实施方式激光照射装置的不同之处在于浮起单元的构造。
<第二实施方式比较例浮起单元>
首先，参考图10，对发明人预先研究过的第二实施方式比较例浮起单元进行描述。图10为第二实施方式比较例浮起单元的剖视图，为与图2中V-V线对应的剖视图。此外，图10所示右手XYZ坐标系与图1一致。
如图10所示，第二实施方式比较例的浮起单元300b除了底部310以及图3所示第一实施方式比较例1的多孔板320之外，还包括底部310与多孔板320之间的中间板330。其中，中间板330具有与底部310和多孔板320类似的简单平板形状。中间板330为与底部310类似的由铝或不锈钢等金属制成的板状部件，并且与底部310具有相同尺寸。中间板330的厚度t2小于底部310的厚度t1。
多孔板320通过粘合层340a设置于板状中间板330的上表面。在平面视图下，粘合层340a形成为沿中间板330上表面外周延伸的方环形。
中间板330通过粘合层340d设置于底部310的上表面上。在平面视图下，粘合层340d形成为沿底部310上表面外周延伸的方环形。
如图10所示，多孔板320、中间板330和粘合层340a所围成的空间形成加压室350。底部310的+X轴方向一侧形成有贯穿上下表面的加压通孔311。中间板330中形成有通孔334。此外，底部310的加压通孔311与中间板330的加压通孔334形成于相应位置，而且由环形粘合层340e连接。此外，粘合层340a将加压室350与减压室360分隔开来，而且可保持加压室350和减压室360的气密性。
加压气体经底部310的加压通孔311、粘合层340e和中间板330的加压通孔334引入加压室350内，并通过多孔板320内的细孔从多孔板320的上表面吹出，从而可将板状工件100浮起。
另一方面，如图10所示，底部310、中间板330和粘合层340d所围成的空间形成减压室360。底部310的中心部分形成有贯通上下表面的减压通孔313。减压室360内的气体经减压通孔313排出。
此外，形成减压室360的中间板330的几乎整个表面上形成有多个通孔333。此外，多孔板320的几乎整个表面也形成有多个通孔323。此外，多孔板320的通孔323和中间板330的通孔333形成于对应位置，而且由环形粘合层340b相互连接。如此，可通过多孔板320的通孔323、粘合层340b以及中间板330的通孔333对多孔板320上的气体进行抽吸，从而实现对板状工件100的吸力。此外，粘合层340b将加压室350和减压室360分隔开来，并保持加压室350和减压室360的气密性。
也就是说，第二实施方式比较例的浮起单元300b通过经多孔板320的细孔吹出气体而将板状工件100浮起，并通过经多孔板320的通孔323抽吸该气体而实现对板状工件100的吸力。如此，通过在气体加压所致的浮力与气体减压所致的吸力之间保持平衡，图3所示第一实施方式比较例1的浮起单元300b可将板状工件100精确浮起。更具体而言，可将板状工件100更加精确地浮于激光束LB的焦点位置处。
如图10所示，在第二实施方式比较例浮起单元300b中，沿中间板330上表面外周形成有粘合层340a，沿底部310上表面外周形成有粘合层340d。因此，随激光束LB的照射而生成的紫外线易于触及粘合层340a和340d，并导致粘合层340a和340d的性能下降。
当粘合剂层340a性能下降时，将使得加压室350的气密性降低，并减少从多孔板320上表面吹出的气体。另一方面，当粘合剂层340d性能下降时，将使得减压室360的气密性降低，并减少经多孔板320的通孔323吸出的气体。因此，无法实现板状工件100的精确浮起。
<第二实施方式浮起单元>
以下，参考图11至图15，对第二实施方式的浮起单元进行描述。图11为第二实施方式浮起单元斜视图。图12和图13为第二实施方式浮起单元的分解斜视图。图14为沿图11中XIV-XIV线的剖视图。图14为与图2V-V对应的剖视图。图15为形成于底部31内的粘合层34a和34d的平面图。
此外，图11至图15所示的右手XYZ坐标系与图1一致。
如图11所示，与第一实施方式的浮起单元30b类似，第二实施方式的浮起单元30b也采用多孔板32粘合于底部31上的结构。其中，第二实施方式的浮起单元30b的多孔板32在中心部分除沿纵向(X轴方向)一分为二。也就是说，两个短多孔板32a和32b在中心部分处沿纵向粘合，以形成长多孔板32。在陶瓷的情况下，与使用一个长多孔板的情形相比，通过粘合两个短多孔板形成的多孔板更加容易制造，而且制造成本更低。
另一方面，如图12所示，第二实施方式的浮起单元30b除了底部31和多孔板32之外，还包括中间板33。与底部31类似，中间板33也是由铝或不锈钢等金属制成的板状部件。如图13所示，中间板33的尺寸小于底部31，且容纳于底部31中。
如图12所示，第二实施方式多孔板32的几乎整个表面上设有沿纵向(X轴方向)和宽度方向(Y轴方向)等间隔分布的多个通孔(第一通孔)323。
中间板33的几乎整个表面上也设有沿纵向(X轴方向)和宽度方向(Y轴方向)等间隔分布的多个通孔(第二通孔)333。多孔板32的通孔323与中间板33的通孔333形成于对应位置。
底部31上形成有加压通孔311和减压通孔313。加压通孔311形成于+X轴方向一侧端部中心。减压通孔313形成于中心部分。
以下，参考图14和图15，对第二实施方式浮起单元30b的结构进行进一步描述。
如图14所示，第二实施方式的底部31为板状部件，而且与图5所示第一实施方式底部31类似，该板状部件上形成有沿外周向上突起的耸起部分312。如图15所示，在平面视图下，耸起部分312形成为沿底部31外周延伸的方环形。
此外，由于底部31具有安装精度要求，因此底部31的下表面为已抛光表面。为了实现底部31下表面的精确抛光，底部31的厚度t1优选例如为约10mm或更大。
如图14所示，在第二实施方式的多孔板32中，两个短多孔板32a和32b沿纵向在中心部分处由粘合层34c粘合。粘合层34c保持加压室35的气密性。其中，图16为短多孔板32a和32b粘合部分的放大视图。如图16所示，短多孔板(第一板)32a相对于短多孔板(第二板)32b的对接端面的底侧形成有突起部分322a。此外，短多孔板32b相对于短多孔板32a的对接端面的顶侧形成有突起部分322b。此外，短多孔板32a的突起部分322a与短多孔板32b的突起部分322b之间形成有粘合层34c。
如图14所示，短多孔板32a和32b的粘合部分与激光束LB的照射位置隔开，因此随激光束LB的照射而生成的紫外线难以触及该粘合部分。此外，即使该紫外线触及所述粘合部分，其也将被图16所示短多孔板32b的突起部分322b阻挡，从而可有效防止粘合层34c的性能下降。
如图14所示，多孔板32与底部31具有相同尺寸。此外，沿外周形成有与底部31耸起部分312形状相配合的切口部分321。在平面视图下，切口部分321形成为沿多孔板32外周延伸的方环形。多孔板32通过树脂粘合剂制成的粘合层34a设于底部31的上表面。其中，粘合层34a沿与多孔板32切口部分321形状相配合的底部31耸起部分312的内壁延伸。如图15所示，在平面视图下，粘合层34a形成为沿底部31的耸起部分312内壁延伸的方环形。
此外，如图14所示，第二实施方式底部31中形成有粘合层34a所围绕的下凹区域，该区域所形成的空腔构成减压室36。该空腔的周侧形成有沉槽314。中间板33与沉槽314形状相配合，形成于沉槽314内的粘合层34d将中间板33粘合至底部31上。其中，中间板33的上表面与其内形成有粘合层34a的底部31的上表面相匹配。也就是说，中间板33处于多孔板32下方且平行于多孔板32并容纳于底部31内。当然，中间板33的厚度t2小于底部31的厚度t1。
如图15所示，在平面视图下，粘合层34d形成为沿粘合层34a内侧延伸的方环形。其中，加压通孔311位于粘合层34a内侧及粘合层34d外侧。
此外，减压室36可设有高度与沉槽314底面相同的多个突起，而且粘合层34d可形成于这些突起的上表面上，以扩大底部31与中间板33的粘合面积。
如图14所示，作为底部31、多孔板32、中间板33以及粘合层34a所围成的空间的加压室35形成于中间板33上方。贯通上下表面的加压通孔311形成于底部31的+X轴方向一侧端部。加压气体经加压通孔311引入加压室35，而且通过多孔板32内的细孔从多孔板32的上表面吹出，从而可将板状工件100浮起。此外，虽然图中未示出，但加压通孔311经管道与压缩机或鼓风机等加压装置相连接。
另一方面，如图14所示，作为底部31、中间板33以及粘合层34d所围成的空间的减压室36形成于中间板33下方。因此，中间板33将加压室35与减压室36分隔开来。贯通上下表面的减压通孔313形成于底部31的中心部分。减压室36内的气体经减压通孔313排出。此外，虽然图中未示出，但减压通孔313经管道与真空泵或喷射器等减压装置相连接。
其中，形成减压室36的中间板33的几乎整个表面上形成有多个通孔333。此外，多孔板32的几乎整个表面也形成有多个通孔323。此外，多孔板32的通孔323与中间板33的通孔333形成于对应位置，而且由环形粘合层34b相互连接。如此，可通过多孔板32的通孔323、粘合层34b以及中间板33的通孔333对多孔板32上的气体进行抽吸，从而实现对板状工件100的吸力。
也就是说，第二实施方式浮起单元30b通过经多孔板32的细孔吹出气体而将板状工件100浮起，并通过经多孔板32的通孔323抽吸该气体而实现对板状工件100的吸力。如此，通过在气体加压所致的浮力与气体减压所致的吸力之间保持平衡，可以比第一实施方式浮起单元30b更高的精确度浮起板状工件100。更具体而言，可将板状工件100更加精确地浮于激光束LB的焦点位置处。举例而言，可将板状工件100浮起约20～50μm。
为了实现板状工件100的精确浮起，优选从分布于多孔板32整个表面上的微孔均匀地进行吹气，并经通孔323均匀地抽气。
多孔板32的孔径例如约为数μm，而且极为细微，以使得气体路径的阻力较高，从而可实现加压室35内的均匀压力分布。如此，便可实现多孔板32整个表面上的均匀吹气。
另一方面，为了实现多孔板32整个表面上的均匀抽气，需要减小抽气路径(多孔板32的通孔323以及中间板33的通孔333)直径，并增大气体路径阻力。如此，不但可实现减压室36内的均匀压力分布，而且还可实现多孔板32整个表面上的均匀抽气。
第二实施方式浮起单元30b可通过减小抽气路径直径而使得减压室36内的压力分布均匀化，从而允许以一条(单条)管道连接减压通孔313和减压室36。如此，与形成多个减压通孔313的情况相比，该结构较为简单，制造较为容易，而且制造成本更低。
与此相反，当抽气路径的直径较大时，减压室36内的压力分布不太均匀，而且无法在多孔板32整个表面上实现均匀抽气。更具体而言，底部31减压通孔313近处的抽气路径的抽气量较大，而底部31减压通孔313远处的抽气路径的抽气量较小。
以下，参考图17，对能够在多孔板32的整个表面上均匀抽气的机构进行更加详细的描述。图17为抽气路径(多孔板32的通孔323与中间板33的通孔333)、减压室36以及减压通孔313的示意剖视图。图17中省略了粘合层34a和加压室35。
为了实现多孔板32整个表面上的均匀抽气，需要待经多孔板32的通孔323吸出的气体流量Q1～Q7相等。因此，当所形成的每一抽气路径(多孔板32的通孔323和中间板33的通孔333)直径相同时，需要使得减压室36一侧通孔333开口端压力P1～P7相等。
因此，在第二实施方式浮起单元30b中，通过减小抽气路径(多孔板32的通孔323和中间板33的通孔333)直径，增大气体路径阻力。通过这一结构，待经减压通孔313从减压室35排出的气体流量Qt远大于待经多孔板32的通孔323吸出的气体流量Q1～Q7总量。以数值表达式表达时，即Qt>>Q1+Q2+Q3+Q4+Q5+Q6+Q7。因此，减压室36内的压力分布实现均匀化，而且压力P1～P7相互相等。如此，待经多孔板32的通孔323吸出的气体流量Q1～Q7也相互相等。此外，抽气路径(多孔板32的通孔323和中间板33的通孔333)的直径实际上存在加工偏差，因此气体流量Q1～Q7并不完全相等，或者说或多或少存在差异。
在减小上述抽气路径(多孔板32的通孔323和中间板33的通孔333)的直径时，并不需要减小所有抽气路径的直径，只需减小部分抽气路径的直径即可。其中，出于提高耐久性和抑制颗粒形成的考虑，多孔板32优选由陶瓷制成。在该情况下，由于可加工性问题，难以实现小直径(如1mm或更小)的通孔323。因此，在第二实施方式浮起单元30b中，通过使金属制成的中间板33的通孔333直径为小直径且小于陶瓷制成的多孔板32的通孔323直径的方式，以减小抽气路径的直径。也就是说，上述气体流量Q1至Q7根据直径较小的中间板33的通孔333直径确定，而中间板33的通孔333直径的加工偏差对气体流量Q1至Q7具有影响。
为了实现多孔板32整个表面上的均匀抽气，中间板33的通孔333直径优选为1mm或更小，更优选为0.5mm或更小。另一方面，为了易于加工，陶瓷制成的多孔板32的通孔323直径优选例如为1mm或更大。
如上所述，在第二实施方式浮起单元30b中，向上突起的耸起部分312形成于底部31外周上，而且与底部31耸起部分312形状相配合的切口部分321形成于多孔板32外周上。此外，粘合层34a沿与切口部分321形状相配合的耸起部分312的内壁内侧延伸。
一般情况下，多孔板32的切口部分321与底部31的耸起部分312紧密贴合，从而使得随激光束LB的照射而生成的紫外线无法触及粘合层34a。即使当切口部分321和耸起部分312之间形成间隙且紫外线通过该间隙进入时，该紫外线也难于触及形成于与切口部分321形状相配合的耸起部分312内侧的粘合层34a。因此，可有效防止粘合层34a的性能下降。
此外，在第二实施方式浮起单元30b中，中间板33容纳于底部31之内。因此，将中间板33粘合于底部31上的粘合层34d也容纳于底部31之内。如此，可有效防止粘合层34d的性能下降。
此外，由于中间板33容纳于底部31之内，因此可使得浮起单元30b的厚度(高度)比图10所示比较例至少薄中间板33的厚度t2。
以上，已根据上述实施方式，对发明人所发明的本发明进行了描述。然而，本发明并不限于上述实施方式，并可理所当然地在不脱离本发明主旨的情况下进行各种更改。
本发明要求申请号为2016-166962且申请日为2016年8月29日的日本专利申请的优先权，并将其所有内容通过引用并入本文。

Claims (13)

1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：
第一和第二浮起单元，所述第一和第二浮起单元中的每一个用于向上吹气并将板状的一工件浮起，且所述第一和第二浮起单元以一预定间隔对齐；以及
一激光照射单元，用于以激光束从所述第一浮起单元和所述第二浮起单元之间的间隙的上方照射所述工件，所述工件被浮起并从所述第一浮起单元向所述第二浮起单元传送，其中，
所述第一和第二浮起单元中的每一个均包括：
一底部；以及
一多孔板，通过一粘合层粘合至所述底部的一上表面，
所述底部包括在至少面向所述间隙的外周上向上突起的一耸起部分，所述多孔板包括设置为与所述耸起部分形状相配合的一切口部分，所述多孔板的所述切口部分与所述底部的所述耸起部分紧密贴合，
所述粘合层沿所述耸起部分的一内壁形成，其中，所述耸起部分与所述切口部分相配合，所述耸起部分仅形成于面向待由所述激光束照射的所述底部的外周上，而不形成于其他外周上。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述第一和第二浮起单元中的每一个还包括容纳于所述底部内的一中间板，所述中间板平行于所述多孔板，
所述中间板内形成有分别与形成于所述多孔板内的多个第一通孔连接的多个第二通孔，以及
所述中间板将用于对自所述多孔板吹出的气体进行加压的一加压室与用于经所述多个第一和第二通孔抽气的一减压室分隔开来。
3.根据权利要求2所述的激光照射装置，其特征在于，
所述底部内形成有用于形成所述减压室的一空腔，
所述空腔的周侧形成有一沉槽，所述中间板嵌入且粘合至所述沉槽。
4.根据权利要求2所述的激光照射装置，其特征在于，所述多孔板由陶瓷制成。
5.根据权利要求4所述的激光照射装置，其特征在于，
所述中间板由金属制成，以及
所述第二通孔的直径小于所述第一通孔的直径。
6.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，
所述第一通孔的所述直径大于1mm，
所述第二通孔的所述直径小于或等于1mm。
7.根据权利要求4所述的激光照射装置，其特征在于，所述多孔板在一纵向上分为第一板和第二板。
8.根据权利要求7所述的激光照射装置，其特征在于，
所述第一板的与所述第二板相对的一对接端面的底侧上形成有一突起部分，所述第二板的与所述第一板相对的一对接端面的顶侧上形成有一突起部分，
所述第一板和所述第二板在所述第一板的所述突起部分与所述第二板的所述突起部分之间相互粘合。
9.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述工件为上表面形成有一非晶硅膜的一基板，以及
所述激光照射装置为用于通过以所述激光束照射所述非晶硅膜以使其结晶化的准分子激光退火装置。
10.一种激光照射装置，其特征在于，包括：
(a)一激光振荡器，用于发出一激光束以照射于板状的一工件上；以及
(b)一浮起单元，用于通过吹气和抽气将所述工件浮起，所述浮起单元包括：
(b1)一底部，其内部形成有一加压通孔和一减压通孔；
(b2)一多孔板，位于所述底部的上表面且所述多孔板的内部形成有多个第一通孔；以及
(b3)一中间板，由金属制成，所述中间板位于所述多孔板下方且容纳于所述底部内，所述中间板的内部形成有多个第二通孔，其中，
所述多孔板面向所述工件设置，
所述多孔板和所述中间板之间的空间内形成有用于对气体进行加压的一加压室，
所述底部和所述中间板之间的空间内形成有用于对所述气体进行减压的一减压室，
所述加压通孔与所述加压室相连，
所述多个第一通孔与所述多个第二通孔相连，
所述减压通孔和所述第二通孔与所述减压室相连，
所述气体通过所述加压通孔和所述多孔板内的孔吹出，
所述气体通过所述减压通孔以及所述多个第一和第二通孔抽吸，
所述多个第一通孔的直径大于所述多个第二通孔的直径，以及
所述减压通孔形成于所述底部的中心部分。
11.根据权利要求10所述的激光照射装置，其特征在于，所述多孔板由陶瓷制成。
12.根据权利要求10所述的激光照射装置，其特征在于，与所述减压室相连的所述减压通孔的数量为单个。
13.根据权利要求10所述的激光照射装置，其特征在于，
所述工件为上表面形成有一非晶硅膜的一基板，以及
所述激光照射装置为用于通过以所述激光束照射所述非晶硅膜而实现结晶化的准分子激光退火装置。
CN201780052577.9A 2016-08-29 2017-06-07 激光照射装置 Active CN109643648B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016166962A JP6803177B2 (ja) 2016-08-29 2016-08-29 レーザ照射装置
JP2016-166962 2016-08-29
PCT/JP2017/021216 WO2018042808A1 (ja) 2016-08-29 2017-06-07 レーザ照射装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109643648A CN109643648A (zh) 2019-04-16
CN109643648B true CN109643648B (zh) 2023-07-07

Family

ID=61300407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780052577.9A Active CN109643648B (zh) 2016-08-29 2017-06-07 激光照射装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11688622B2 (zh)
JP (1) JP6803177B2 (zh)
KR (1) KR20190042593A (zh)
CN (1) CN109643648B (zh)
SG (2) SG10201913799XA (zh)
TW (1) TW201808762A (zh)
WO (1) WO2018042808A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6983578B2 (ja) 2017-08-25 2021-12-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7184678B2 (ja) * 2019-03-08 2022-12-06 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7412111B2 (ja) * 2019-08-29 2024-01-12 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
CN111252558B (zh) * 2020-02-11 2020-09-15 江苏科技大学 一种无接触倾角可控式输运平台及控制方法
JP7387476B2 (ja) * 2020-02-13 2023-11-28 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
CN113500314B (zh) * 2021-07-13 2023-05-26 奔腾激光科技(山东)有限公司 一种具备自动筛选损坏切割支撑单元的工作台

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101409221A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
JP2011225355A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848427B2 (ja) 1978-07-07 1983-10-28 東急車輌製造株式会社 コンテナ等の床パネル構造
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
JP4583882B2 (ja) * 2004-11-05 2010-11-17 シーケーディ株式会社 非接触支持装置
JP2006327715A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Honda Motor Co Ltd ワーク搬送装置
JP4814050B2 (ja) * 2006-10-31 2011-11-09 株式会社妙徳 浮上搬送ユニット
JP2009117552A (ja) 2007-11-05 2009-05-28 Fuji Electric Systems Co Ltd 吸着ステージ
JP2009161283A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Myotoku Ltd 浮上ユニット及び装置
JP5404064B2 (ja) * 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
TWI527747B (zh) * 2012-02-28 2016-04-01 炭研軸封精工股份有限公司 非接觸吸著盤
EP2827362A4 (en) * 2012-03-12 2015-11-04 Mitsubishi Electric Corp VACUUM SUCTION LEVER, METHOD FOR CUTTING SEMICONDUCTOR WAFERS, AND METHOD FOR GLOWING SEMICONDUCTOR WAFERS
KR101345994B1 (ko) * 2012-05-31 2013-12-31 주식회사 선일기연 순차적으로 밀착 가능한 구조를 갖는 시트형 ｆｐｃｂ 자동 진공흡탈착장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101409221A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
JP2011225355A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201900852RA (en) 2019-03-28
JP2018037449A (ja) 2018-03-08
TW201808762A (zh) 2018-03-16
US11688622B2 (en) 2023-06-27
CN109643648A (zh) 2019-04-16
SG10201913799XA (en) 2020-03-30
US20190164798A1 (en) 2019-05-30
JP6803177B2 (ja) 2020-12-23
WO2018042808A1 (ja) 2018-03-08
US20230274964A1 (en) 2023-08-31
KR20190042593A (ko) 2019-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109643648B (zh) 激光照射装置
KR100878723B1 (ko) 펠리클
JP6765751B2 (ja) 被加工物の保持機構及び加工装置
JP6340693B2 (ja) 基板の保持装置及び密着露光装置並びに近接露光装置
TWI752991B (zh) 光學元件封裝用窗口材料、光學元件封裝、該等之製造方法、及光學元件用封裝
JP2014209548A (ja) 光照射装置
JP2017200712A (ja) 吸着ユニット、板状部材搬送ユニット、樹脂封止装置、板状部材搬送方法および樹脂封止方法
CN110752188A (zh) 合成石英玻璃空腔件、合成石英玻璃空腔盖、光学装置封装体和制造方法
CN114505603A (zh) 卡盘工作台和激光加工装置
KR101282839B1 (ko) 진공흡입력이 개선된 포러스 척
JP2002337034A (ja) 面発光式吸着テーブル
JP6910518B2 (ja) レーザ照射装置
JP5867916B2 (ja) 露光装置および露光方法
CN109073988B (zh) 用于曝光基板的装置
KR101360065B1 (ko) 몰드형 웨이퍼 제조용 진공척
JP2016092198A (ja) インプリント装置および方法、ならびに物品製造方法
JP2017216389A (ja) 紫外線ｓｍｄ型ｌｅｄ素子の気密封止用シリカガラス部材
KR101717680B1 (ko) 기판 안착장치
JP6083662B2 (ja) 露光装置
JP6358879B2 (ja) 被加工物保持ユニット
JP2019062129A (ja) 基板保持部材
JP2005276886A (ja) 静電チャックおよび露光装置
JP2023098194A (ja) 基板保持部材
TW202331888A (zh) 接合裝置及接合方法
KR20230122983A (ko) 임프린트 장치, 이물 제거 방법 및 물품 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220727

Address after: Fandi 1, No. 2, Fupu Er Ding mu, Kanazawa District, Yokohama City, Kanagawa Prefecture, Japan

Applicant after: JSW acdina System Co.,Ltd.

Address before: No. 11, Fan 1, Ichido Ozaki, Tokyo, Japan

Applicant before: THE JAPAN STEEL WORKS, Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant