CN109599473A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置，其具有：发光元件，其在440nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长的；与荧光构件，其包含在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长的第一荧光体、在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、以及在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体，该发光装置中，抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例，当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.53以上且1.70以下，当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.35以上且1.65以下。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
作为使用发光二极管(Light emitting diode，下文中称为“LED”)这样的发光元件的发光装置，已知有使用发蓝色光的发光元件、和发黄色光等的荧光体的白色系发光装置。这种发光装置可广泛用于普通照明、汽车照明、显示器、液晶背光等领域。近年来，随着LED照明的普及，人们越来越关注LED照明中包含的蓝光对人体的影响。例如，涉及由蓝光引起的视网膜损伤的风险。此外，例如在WO2012/144087号中，公开了LED照明可以影响人类的昼夜节律(昼夜节律；生物钟)。
发明内容
发明所解决的技术问题
关于蓝光引起的视网膜损伤，认为波长430nm～440nm的光造成的影响较大。另外，认为波长约465nm的光会影响褪黑激素分泌的抑制。本发明的一个方案旨在提供一种具有能够进一步减少对人体影响的发光光谱的发光装置。
解决问题的技术手段
本发明的第一方案涉及一种发光装置，其具有：发光元件，其在440nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长的；荧光构件，其包含在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长的第一荧光体、在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、以及在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体，该发光装置中，关于抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例，当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.53以上且1.70以下，当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.35以上且1.65以下。此外，本发明的第二方案涉及一种灯具，其具有所述的发光装置。
发明的效果
根据本发明的一个实施方式，能够提供一种具有能够进一步减少对人体的影响的发光光谱的发光装置。
附图说明
图1是表示由蓝光引起的视网膜损伤的作用函数和抑制褪黑激素分泌的作用函数的图。
图2是表示本实施方式的发光装置的一个实例的示意性截面图。
图3是表示实施例1、2以及比较例1的发光装置的发光光谱的图。
图4是表示实施例3～6和比较例2～4的发光装置的发光光谱的图。
图5是表示实施例7～10和比较例5的发光装置的发光光谱的图。
图6是表示实施例11～13和比较例6、7的发光装置的发光光谱的图。
具体实施方式
以下将基于附图来说明本发明的实施方式。然而，下面描述的实施方式举例说明了用于具体实施本发明的技术构思的发光装置，本发明并不限于下面描述的发光装置。另外，权利要求中所示的构件不以任何方式限于实施方式的构件。特别是实施方式中所述的构件的尺寸、材料、形状、相对配置等，除非另有说明，否则不旨在将本发明的范围限定于此，仅为简单的说明实例。需要说明的是，色名和色度坐标之间的关系、光的波长范围与单色光的色名之间的关系等依据JIS Z8110。在本说明书中，当存在多种与组合物中各组分相对应的物质时，除非另有说明，组合物中各组分的含量是指组合物中存在的多种物质的总量。另外，平均粒径是被称为Fisher Sub Sieve Sizer No.的数值，通过使用空气透过法来测定。发光元件和荧光体的半值宽是指，在发光光谱中表示出最大发光强度的50％的发光强度的发光光谱的波长宽度。
发光装置
发光装置具有：发光元件，其在440nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长；荧光构件，其包含在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长的第一荧光体、在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、以及在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体。此外，就该发光装置发出的光而言，关于抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例，当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.53以上且1.70以下，当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.40以上且1.70以下，当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.35以上且1.65以下。
就发光装置的发射光谱而言，抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例(以下，也简称为“实效放射强度比”)，根据发光装置发射的光的相关色温而在预定范围内。由此，在抑制发光装置的光通量减少的同时，与传统的发光装置相比，进一步降低了对人体的影响。在本说明书中，对人体的影响是指由蓝光引起的视网膜损伤的风险、和阻碍褪黑激素的分泌抑制的风险。例如，当实效放射强度比为下限值以上时，由蓝光引起的视网膜损伤的风险充分降低，此外，通过充分抑制褪黑激素的分泌，在发光装置发射的光下，能够期待人类的作业性的改善。此外，当实效放射强度比为上限值以下时，进一步抑制了亮度的降低。
这里，各实效放射强度LB如下述数学表达式所示，通过如下方式算出：将由蓝光引起的视网膜损伤或褪黑激素分泌抑制的作用函数B(λ)和发光装置的分光分布(分光放射亮度)L(λ)之积，在规定的波长范围内进行积分。此外，当将各实效放射强度进行相对比较时，在分光分布中，以使得目标发光装置的亮度等于待比较的发光装置的亮度的方式进行换算。具体而言，使用积分球来测定目标发光装置的光通量，从而求出变得与待比较的发光装置的光通量相同的系数，将目标发光装置的发光光谱乘以该系数而得的分光分布，可用于算出相对比较中所用的实效放射强度。由蓝光引起的视网膜损伤的作用函数例如为JISC7550：2014中所规定的。此外，褪黑素分泌抑制的作用函数，例如为G.C.Brainard et al.:Action Spectrum for Melatonin Regulation in Humans:Evidence for a NovelCircadian Photoreceptor,J.Neuroscience,21(16),6405-6412,2001中所记载的。由蓝光引起的视网膜损伤的作用函数和褪黑激素分泌抑制的作用函数例示在图1中。在图1中，波长是横轴，将各作用函数以作用效率的最大值来规格化而得的相对作用效率作为纵轴。
[数学表达式1]
LB＝∫L(λ)·B(λ)·Δλ
关于发光装置中实效放射强度比，从保持亮度和对人体的影响的观点来看，当相关色温为2700K以上且小于3500K时，例如为1.53以上且1.70以下，优选为1.54以上且1.65以下，进一步优选为1.54以上且1.63以下。
此外，当相关色温为3500K以上且小于4500K时，例如为1.40以上且1.70以下，优选为1.45以上且1.70以下，进一步优选为1.46以上且1.68以下。
此外，当相关色温为4500K以上且小于5700K时，例如为1.40以上且1.70以下，优选为1.43以上且1.60以下，进一步优选为1.43以上且1.58以下。
此外，当相关色温为5700K以上且7200K以下时，例如为1.35以上且1.65以下，优选为1.37以上且1.55以下，进一步优选为1.35以上且1.53以下。
基于图2来详细描述本实施方式的发光装置100。发光装置100是表面实装型发光装置的一个实例。发光装置100具有：发光元件10，其发射可见光的短波长侧(例如380nm以上且485nm以下的范围内)的光，并且发光峰值波长在440nm以上470nm以下的范围内；配置发光元件10的成形体40。成形体40通过第一引线20、第二引线30和树脂部42一体成形而得。成形体40形成具有底面和侧面的凹部，发光元件10设置在凹部的底面上。发光元件10具有一对正负电极，这一对正负电极经由导线60分别电连接到第一引线20和第二引线30。发光元件10由荧光构件50所包覆。关于荧光构件50，作为荧光体70，例如包含的第一荧光体71、第二荧光体72和第三荧光体73中的至少三种荧光体和树脂。
荧光构件50不仅将从发光元件10发射的光进行波长转换，还作为保护发光元件10免受外部环境影响的部件发挥作用。在图2中，荧光体70不均匀地分布在荧光构件50中。通过以这种方式将荧光体70设置在发光元件10附近，可以获得能够有效地将来自发光元件10的光进行波长转换，并且发光效率优异的发光装置。需要说明的是，包含荧光体70的荧光构件50和发光元件10之间的配置不限于使它们彼此接近来进行配置的方式，考虑到热量对荧光体70的影响，还可以在发光元件10和荧光体70之间隔开间隔来进行配置。此外，通过以几乎均匀的比例来将荧光体70混合在全部荧光构件50中，可以获得颜色不均进一步得到了抑制的光。
此外，在图2中，荧光体70通过混合有第一荧光体71、第二荧光体72和第三荧光体73而构成，但是可以在第三荧光体73上配置第二荧光体72，再在其上配置第一荧光体71(未图示)，此外，也可以在第三荧光体73和第二荧光体72上配置第一荧光体71(未图示)，第一荧光体71、第二荧光体72和第三荧光体73可以以任意配置构成。
发光元件10
发光元件10的发光峰值波长在440nm以上且470nm以下的范围内，从减少视网膜损伤和抑制褪黑激素分泌的观点来看，优选在445nm以上且465nm以下的范围内。通过将在该范围内具有发光峰值波长的发光元件10的一部分光用作荧光体70的激发光，能够将发光元件10的一部分光有效地用作发射到外部的光的一部分，从而可以获得高效率的发光装置。此外，由于发光峰值波长较近紫外区域位于长波长侧，紫外线成分较少，因此作为光源的安全性优异。发光元件10的发光光谱的半值宽度可以为例如30nm以下。对于发光元件10，优选使用LED等半导体发光元件。作为发光元件10，通过使用例如使用了氮化物类半导体(InXAlYGa1-X-YN，其中X和Y满足0≤X、0≤Y、X+Y≤1)的半导体发光元件，可以获得高效率、输出功率相对于输入功率的线性度高且对于机械冲撞具有强稳定性的发光装置。
荧光构件50
荧光构件50包含：第一荧光体71中的至少一种，其通过由发光元件10发出的光而在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长；第二荧光体72中的至少一种，其通过由发光元件10发出的光而在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长；第三荧光体73中的至少一种，其通过由发光元件10发出的光而在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长。根据需要，荧光构件50可以包含其他荧光体、树脂等。
第一荧光体71
第一荧光体71的发光峰值波长在480nm以上且小于520nm的范围内，优选在485nm以上且515nm以下的范围内。第一荧光体71在发光光谱中的半值宽度为例如30nm以上，优选为40nm以上，更优选为50nm以上，并且例如为80nm以下，优选为70nm以下。
在380nm以上且435nm以下的范围内，第一荧光体71相对于磷酸氢钙的反射率的相对反射率例如为30％以下，优选为25％以下，更优选为20％以下，进一步优选为16％以下。此外，相对反射率的下限例如为2％以上。当相对反射率为30％以下时，至少一部分波长为435nm以下的高能光被有效地吸收，可以构成435nm以下的光得到了减少的发光装置，435nm以下的光被认为具有高视网膜损伤风险。这里，第一荧光体71的相对反射率，作为在将磷酸氢钙(CaHPO4，平均粒径2.7μm)作为100％时的第一荧光体71的分光反射率进行测定。此外，相对反射率为30％以下意味着在380nm以上且435nm以下的范围内的相对反射率的最大值为30％以下。
从降低发光强度和发光装置造成视网膜损伤的风险的观点来看，第一荧光体71优选为选自碱土类金属铝酸盐和碱土类金属卤硅酸盐中的至少一种。碱土类金属铝酸盐是例如至少含有锶并且通过铕活化的荧光体，具有例如式(1A)表示的组成。此外，碱土类金属卤硅酸盐是例如至少含有钙和氯并且通过铕活化的荧光体，具有例如式(1B)表示的组成。
Sr4Al14O25:Eu (1A)
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (1B)
式(1A)中，Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代。
式(1A)表示的组成可以由下述式(1a)表示。
(Sr1-x,Eux)4Al14O25 (1a)
式(1A)中，x满足0.01≤x≤0.5，优选满足0.05≤x≤0.4，更优选满足0.1≤x≤0.3。Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代。
第一荧光体71的平均粒径为例如3μm以上且40μm以下，优选为5μm以上且30μm以下。通过将平均粒径设为下限值以上，可以增大发光强度。通过将平均粒径设为上限值以下，可以改善发光装置的制造工序中的操作性。
第一荧光体71可包含经表面处理的荧光体。经表面处理的荧光体具有：例如含有碱土类金属铝酸盐的荧光体粒子、以及设置在荧光体粒子表面的磷酸化合物。经表面处理的荧光体粒子由于在粒子表面上配置有磷酸化合物，故其耐湿性得到改善。
作为磷酸化合物，可举出：磷酸镁、磷酸钙、磷酸锶、磷酸钡等第2族元素(碱土类金属)磷酸盐；磷酸钪、磷酸钇、镧系元素(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu)的磷酸盐等稀土类磷酸盐；磷酸硼、磷酸铝、磷酸镓、磷酸铟等第13族元素磷酸盐；磷酸锌、磷酸锑、磷酸铋等，优选为选自这些中的至少一种。更优选为选自第2族元素磷酸盐、稀土类磷酸盐和第13族元素磷酸盐中的至少一种。进一步优选为选自包含磷酸镁、磷酸钙、磷酸锶、磷酸钡、磷酸铝、磷酸镓、磷酸钪、磷酸钇和磷酸镧的镧系元素磷酸盐中的至少一种，特别优选为选自包含磷酸镁、磷酸钙、磷酸锶、磷酸钡、磷酸钇和磷酸镧的镧系元素磷酸盐中的至少一种。
磷酸化合物可以以粒子状态或膜状而配置在荧光体粒子的表面上。从进一步提高耐湿性的观点出发，磷酸化合物优选以膜状配置。这里，磷酸化合物以膜状配置意味着没有观察到磷酸化合物粒子，并且荧光体粒子的表面面积的50％以上，优选70％以上由磷酸化合物所包覆。
就经表面处理的荧光体中的磷酸化合物的含量而言，在荧光体的总质量中，例如作为磷酸的含有率为0.0001质量％以上且20质量％以下，优选为0.1质量％以上且10质量％以下，更优选为1质量％以上且8质量％以下，进一步优选为1.5质量％以上且5.6质量％以下。当磷酸化合物的含有率为上述下限值以上时，倾向于获得更好的耐湿性，当该含量为上述上限值以下时，则可以更有效地抑制作为荧光体的发光效率的降低。此外，构成磷酸化合物的金属的含量为0.0001质量％以上且20质量％以下，优选为0.01质量％以上且10质量％以下，更优选为0.2质量％以上且3质量％以下，进一步优选为0.36质量％以上且1.4质量％以下。当处于该范围内时，磷酸酯化合物的晶体结构和组成倾向于更有效地实现本发明的目的。
经表面处理的荧光体中的磷酸和构成磷酸化合物的金属含有率，可分别使用ICP-AES(高频电感耦合等离子体发射光谱法)测定。磷酸设为被换算成PO4的值。此外，附着磷酸化合物的荧光体粒子中的磷酸化合物的含有率是作为磷酸含有率和构成磷酸化合物的金属含有率之和而求出。
在差示扫描热量测定(DSC)中，经表面处理的荧光体在25℃～650℃的吸热量例如为50J/g以下，优选为20J/g以下，更优选为15J/g以下，进一步优选实质上为0J/g。这里，吸热量实质上为0J/g意味着，在DSC中没有观察到吸热峰。例如，这种荧光体可以通过在特定温度下将附着有磷酸化合物的荧光体粒子进行热处理来获得。可认为，如果附着的磷酸化合物在特定温度下进行热处理并发生物理或化学变化，则可以赋予荧光体优异的耐湿性。
经表面处理的荧光体例如可以通过如下方式制备。在含有含碱土类金属铝酸盐的荧光体粒子的液体介质中，通过使形成磷酸化合物的阳离子与磷酸根离子接触，来使磷酸化合物附着到荧光体粒子表面上。然后，将附着有磷酸化合物的荧光体粒子在例如500℃以上且700℃以下的温度下进行热处理，由此可以获得经表面处理的荧光体粒子。
荧光构件50可以单独包含第一荧光体71，也可以包含两种以上的组合。
荧光构件50中第一荧光体相对于第一荧光体、第二荧光体和第三荧光体总量(以下，简称为“荧光体总量”)的含有率，例如为35质量％以上且85质量％以下，优选为40质量％以上且80质量％以下。当第一荧光体的含有率在上述范围内时，能够选择性地吸收发光元件10的发光中的短波成分，并构成具有在435nm以下范围的发光强度进一步降低的发光光谱的发光装置100。由此，可期待降低视网膜损害等风险。
荧光构件50中的第一荧光体的含量根据发光装置的相关色温而不同。因此，可更期待减少对人体的影响，并且可以进一步抑制亮度的降低。
当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，第一荧光体的含有率例如为35质量％以上且60质量％以下，优选为37质量％以上且55质量％以下，进一步优选为40质量％以上且50质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，第一荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为50质量％以上且80质量％以下，优选为51质量％以上且79质量％以下，更优选为52质量％以上且78质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，第一荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为45质量％以上且80质量％以下，优选为46质量％以上且78质量％以下，更优选为47质量％以上且75质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，第一荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为45质量％以上且85重量％以下，优选为47质量％以上且83质量％以下，更优选为50质量％以上且80质量％以下。
第二荧光体
第二荧光体72的发光峰值波长在520nm以上且小于600nm的范围内，优选在525nm以上且565nm以下的范围内。第二荧光体72的发光光谱的半值宽度例如为20nm以上，优选为30nm以上，且例如为120nm以下，优选为115nm以下。
第二荧光体72选自例如β-sialon荧光体、铝石榴石荧光体、硫化物荧光体、钪类荧光体、碱土类金属硅酸盐荧光体和镧系硅氮化物荧光体。第二荧光体72优选含有选自具有下述式(2A)～(2G)中任一项表示的组成的荧光体中的至少一种荧光体，更优选含有选自具有式(2B)、(2A)和(2G)中任一项表示的组成的荧光体中的至少一种，进一步优选含有具有式(2B)表示的组成的荧光体中的至少一种。
Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z≤4.2) (2A)
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)
(Sr,M1)Ga2S4:Eu (2C)
(Ca,Sr)Sc2O4:Ce (2D)
(Ca,Sr)3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce (2E)
(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu (2F)
(La,Y,Gd)3Si6N11:Ce (2G)
需要说明的是，式(2B)表示的组成可由下述式(2b)表示。
Ln3Al5-pGapO12:Ce (2b)
在式(2b)中，Ln是选自Y、Gd、Tb和Lu中的至少一种，并且p满足0≤p≤3。
此外，由式(2C)表示的组成可由下述式(2c)表示。
(Sr1-x-y,M1 y,Eux)Ga2S4 (2c)
在式(2c)和(2C)中，M1表示选自Be、Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素，x和y满足0.03≤x≤0.25、0≤y<0.97且x+y<1。
第二荧光体72的平均粒径例如为1μm以上且40μm以下，优选为5μm以上且30μm以下。通过使平均粒径为所述下限值以上，可以增加发光强度。另外，通过使平均粒径为所述上限值以下，可以改善发光装置的制造工序中的操作性。
荧光构件50可包含单独一种第二荧光体72，也可以组合包含两种以上。
荧光构件50中的第二荧光体72相对于荧光体总量的含有率，例如为0.5质量％以上且60质量％以下，优选为1质量％以上且55质量％以下。当第二荧光体的含有率在上述范围内时，可以更容易地构成具有期望的发光光谱的发光装置100。
荧光构件50中的第二荧光体72的含有率根据发光装置的相关色温而不同。因此，可期待进一步减少对人体的影响，并且可以进一步抑制亮度的降低。
当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，第二荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为35质量％以上且60质量％以下，优选为37质量％以上且55质量％以下，进一步优选为40质量％以上且50质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，第二荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为8质量％以上且45质量％以下，优选为11质量％以上且39质量％以下，更优选为12质量％以上且38质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，第二荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为0.5质量％以上且45质量％以下，优选为1质量％以上且44质量％以下，更优选为1质量％以上且43质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，第二荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为10质量％以上且40重量％以下，优选为12质量％以上且38质量％以下，更优选为14质量％以上且36质量％以下。
第三荧光体
第三荧光体73的发光峰值波长在600nm以上且670nm以下的范围内，优选在600nm以上且630nm以下的范围内。第三荧光体73在发光光谱中的半值宽度例如为5nm以上且100nm以下，优选为6nm以上且90nm以下。
第三荧光体73优选含有选自具有下述式(3A)～(3F)中任一项表示的组成的荧光体中的至少一种，更优选含有选自具有式(3C)、(3A)和(3E)中任一项表示的组成的荧光体中的至少一种，进一步优选含有选自具有式(3C)表示的组成的荧光体中的至少一种。
A2[MF6]:Mn (3A)
在式(3A)中，A表示选自碱金属和铵中的至少一种，优选至少含有钾。M表示选自第4族元素和第14族元素中的至少一种，并且优选含有选自硅、锗和钛中的至少一种。
(i-j)MgO·(j/2)·Sc2O3·kMgF2·mCaF2·(1-n)GeO2·(n/2)Mt 2O3:Mn(3B)
在式(3B)中，Mt是选自Al、Ga和In中的至少一种。i、j、k、m、n和z分别满足2≤i≤4、0≤j<0.5、0<k<1.5、0≤m<1.5、0<n<0.5。
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)
Ma vMb wAl3-ySiyNz:Mc (3D)
在式(3D)中，Ma是选自Ca、Sr、Ba和Mg中的至少一种元素，Mb是选自Li、Na和K中的至少一种元素，Mc是选自Eu、Ce、Tb和Mn中的至少一种元素，v、w、y和z分别为满足0.80≤v≤1.05、0.80≤w≤1.05、0≤y≤0.5、3.0≤z≤5.0的数。
(Ca1-r-sSrrBas)2Si5N8:Eu (3E)
在式(3E)中，r和s是满足0≤r≤1.0、0≤s≤1.0、r+s≤1.0的数。
(Ca,Sr)S:Eu (3F)
上述(3A)～(3E)表示的组成可分别由下述(3a)～(3e)表示。
A2[M1-aMnaF6] (3a)
在式(3a)中，A表示选自碱金属和铵中的至少一种，M表示选自第4族和第14个族元素中的至少一种，a满足0.01<a<0.2。
(i-j)MgO·(j/2)·Sc2O3·kMgF2·mCaF2·(1-n)GeO2·(n/2)Mt 2O3:zMn(3b)
在式(3b)中，Mt是选自Al、Ga和In中的至少一种。i、j、k、m、n和z分别满足2≤i≤4、0≤j<0.5、0<k<1.5、0≤m<1.5、0<n<0.5、0<z<0.05。
(Ca1-p-qSrpEuq)AlSiN3 (3c)
在式(3c)中，p和q是满足0≤p≤1.0、0<q<1.0、p+q<1.0的数。
Ma vMb wMc xAl3-ySiyNz (3d)
在式(3d)中，Ma是选自Ca、Sr、Ba和Mg中的至少一种元素，Mb是选自Li、Na和K中的至少一种元素，Mc是选自Eu、Ce、Tb和Mn中的至少一种元素，v、w、y和z分别为满足0.80≤v≤1.05、0.80≤w≤1.05、0.001≤x≤0.1、0≤y≤0.5、3.0≤z≤5.0的数。
(Ca1-r-s-tSrrBas Eut)2Si5N8 (3e)
在式(3e)中，r、s和t是满足0≤r≤1.0、0≤s≤1.0、0<t<1.0、r+s+t≤1.0的数。
第三荧光体73的平均粒径例如为1μm以上且40μm以下，优选为5μm以上且30μm以下。通过将平均粒径设定为给定值以上，可以增加发光强度。通过将平均粒径设定为给定值以下，可以改善发光装置的制造工序中的操作性。
荧光构件50可以含有单独一种第三荧光体73，也可以组合含有两种以上。
荧光构件50中第三荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为1质量％以上且40质量％以下，优选为2质量％以上且35质量％以下。当第三荧光体的含有率在上述范围内时，可以更容易地构成具有期望的发光光谱的发光装置100。
荧光构件50中的第三荧光体73的含有率根据发光装置的相关色温而不同。因此，可更期待减少对人体的影响，并且可以进一步抑制亮度的降低。
当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，第三荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为2质量％以上且10质量％以下，优选为2.5质量％以上且9质量％以下，进一步优选为3质量％以上且8质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，第三荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为1质量％以上且18质量％以下，优选为2.5质量％以上且14质量％以下，更优选为3质量％以上且13质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，第三荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为3质量％以上且35质量％以下，优选为5.5质量％以上且32质量％以下，更优选为6质量％以上且31质量％以下。
此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，第三荧光体相对于荧光体总量的含有率例如为3质量％以上且10重量％以下，优选为4.5质量％以上且7质量％以下，更优选为5质量％以上且6质量％以下。
荧光构件中包含的第一荧光体、第二荧光体和第三荧光体的各荧光体的含有率，例如可以根据相关色温等在上述范围内进行适当选择。此外，相对于荧光构件中包含的树脂，荧光构件中的荧光体的总含有率例如为10质量％以上且200质量％以下，优选为20质量％以上且170质量％以下，更优选为40质量％以上且120质量％以下。
当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，荧光构件中的第二荧光体与第一荧光体的含有率之比为例如0.8以上且1.5以下、优选0.9以上且1.2以下。另外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，该比为例如0.1以上且0.8以下、优选0.12以上且0.65以下。另外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，该比为例如0.01以上且0.7以下、优选0.02以上且0.6以下。此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，该比为例如0.1以上且0.8以下、优选0.15以上且0.65以下。
此外，当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，第三荧光体与第一荧光体的含有率之比为0.05以上且0.3以下，优选为0.07以上且0.15以下。此外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，该比为例如0.01以上且0.2以下，优选为0.03以上且0.18以下。此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，该比为例如0.01以上且0.6以下，优选为0.05以上且0.58以下。此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，该比为例如0.01以上且0.2以下，优选为0.05以上且0.15以下。
此外，当发光装置的相关色温为2700K以上且小于3500K时，第三荧光体与第二荧光体的含有率之比为例如0.05以上且0.2以下，优选为0.07以上且0.15以下。此外，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，该比为0.01以上且1.2以下，优选为0.05以上且1.1以下。此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，该比为例如0.1以上且25以下，优选为0.15以上且23以下。此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，该比为例如0.1以上且0.4以下，优选为0.13以上且0.35以下。
树脂
除了荧光体70之外，荧光构件50可以包含至少一种树脂。树脂可以是热塑性树脂或热固性树脂。热固性树脂的具体实例包括环氧树脂、硅树脂等。
其他成分
根据需要，除了荧光体70和树脂之外，荧光构件50还可以包含其他成分。其他组分的实例包括二氧化硅、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等填料、光稳定剂、着色剂等。当荧光构件包含填料作为其他组分时，其相对于树脂的含有率可以为0.01质量％～20质量％。
例如，通过将第一荧光体相对于荧光体总量的含有率调整为上述比例，能够使发光装置具有对人体的影响降低了的发光光谱。此外，发光装置的发光光谱，例如在存在于440nm以上且470nm以下的范围内的第一峰值波长处具有第一极大值P1，在存在于490nm以上且540nm以下的范围内的第二峰值波长处具有第二极大值P2，并且在存在于570nm以上且650nm以下的范围内的第三峰值波长处具有第三极大值P3。此外，发光光谱可以在第一峰值波长和第二峰值波长之间具有第一极小值T1，在第二峰值波长与第三峰值波长之间具有第二极小值T2。第一极大值P1例如源自发光元件和第一荧光体的发光光谱的合成光。第二极大值P2例如源自第一荧光体的发光光谱，第三极大值P3例如源自第三荧光体的发光光谱。需要说明的是，在给定波长范围内存在多个极大值的情况下，将具有较高发光强度的那一个作为该范围内的极大值，并且在给定波长范围内存在多个极小值的情况下，将具有较低发光强度的那一个作为该范围内的极小值。
就发光装置的发光光谱而言，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，第二极小值T2与第二极大值P2之比T2/P2例如为0.7以上且0.99以下，优选为0.8以上且0.99以下。此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，该比T2/P2例如为0.6以上且0.97以下，优选为0.65以上且0.96以下。当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，该比T2/P2例如为0.6以上且0.97以下，优选为0.7以上且0.95以下。该比T2/P2在上述范围内时，能够进一步降低435nm以下范围内的发光强度，并且能够更期待视网膜损伤的风险降低。
这里，发光光谱中的极大值和极小值是指发光强度相对于波长的变化率变为0的波长处的发光强度，并且在该波长前后，发光强度相对于波长的变化率的值从正值变为负值的情况设为极大值，从负值变为正值的情况设为极小值。需要说明的是，即使当发光强度相对于波长的变化率为0时，而在该波长前后，发光强度相对于波长的变化率的值的正负没有变化的情况不被认为是极大值或极小值。即，发光光谱在极大值的附近具有向上凸起的形状，在极小值的附近具有向下凸起的形状。
就发光装置的发光光谱而言，当发光装置的相关色温为3500K以上且小于4500K时，第一极大值P1与第二极大值P2之比P1/P2例如为1.4以上且1.8以下，优选为1.45以上且1.75以下。此外，当发光装置的相关色温为4500K以上且小于5700K时，该比P1/P2例如为1.4以上且2.19以下，优选为1.55以上且2.1以下。此外，当发光装置的相关色温为5700K以上且7200K以下时，该比P1/P2为2.0以上且2.7以下，优选为2.05以上且2.5以下。如果该比P1/P2在上述范围内，则发光光谱中的蓝绿色成分增加，并且能够构成发光装置，该发光装置可以补偿例如随着年龄增加的蓝色的识别性下降。
灯具
灯具具有至少一个所述发光装置而成，还可具有反射部件、保护部件、用于向发光装置供应电力的附属装置等。灯具可以具有多个发光装置。当灯具具有多个发光装置时，可以具有多个相同的发光装置，也可以具有多个例如相关色温不同的发光装置。另外，可以具有驱动装置，其可以根据喜好而单独地驱动多个发光装置并调节亮度和相关色温。灯具的使用形式可以是直接安装型、嵌入型、悬挂型等中的任一种。
此外，本发明包含下述方案。
(1)一种发光装置，其具有：
发光元件，其在440nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长；
荧光构件，其包含在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长的第一荧光体、在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、以及在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体，
该发光装置中，关于抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例，
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.53以上且1.70以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.40以上且1.70以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.40以上且1.70以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.35以上且1.65以下。
(2)根据(1)所述的发光装置，其中，关于所述比例，
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.54以上且1.65以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.45以上且1.70以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.43以上且1.60以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.37以上且1.55以下。
(3)根据(1)或(2)所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体的发光峰值波长为485nm以上且515nm以下，发光光谱的半值宽度为30nm以上且80nm以下，
所述第二荧光体的发光峰值波长为525nm以上且565nm以下，发光光谱的半值宽度为20nm以上且120nm以下，
所述第三荧光体的发光峰值波长为600nm以上且630nm以下，发光光谱的半值宽度为5nm以上且100nm以下。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的发光装置，其中，
关于所述第一荧光体相对于所述第一荧光体、所述第二荧光体和所述第三荧光体的总量的含有率比，
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为35质量％以上且60质量％以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为50质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为45质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为45质量％以上且85质量％以下。
(5)根据(1)～(4)中任一项所述的发光装置，其中，
平均显色指数Ra为80以上。
(6)根据(1)～(5)中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件的发光峰值波长为445nm以上且465nm以下，发光光谱的半值宽度为30nm以下。
(7)根据(1)～(6)中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体包含具有下述式(1A)或(1B)表示的组成的荧光体中的至少一种，
Sr4Al14O25:Eu (1A)
式中，Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代，
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (1B)。
(8)根据(1)～(7)中任一项所述的发光装置，其中，
所述第二荧光体包含具有下述式(2B)表示的组成的荧光体，
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)。
(9)根据(1)～(8)中任一项所述的发光装置，其中，
所述第三荧光体包含具有下述式(3C)表示的组成的荧光体，
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)。
(10)一种灯具，其具有(1)～(9)中任一项所述的发光装置。
实施例
在下文中，将参考实施例来具体描述本发明，但本发明不限于这些实施例。
作为第一荧光体，准备具有下述式(1a’)表示的组成的碱土类金属铝酸盐(下文中也称为“SAE”)、和具有式(1b’)表示的组成的碱土类金属卤硅酸盐(下文中也称为“氯硅酸盐”)。
(Sr0.825,Eu0.175)4Al14O25 (1a’)
Ca8MgSi4O16Cl2:Eu (1b’)
测定制备的SAE的反射光谱的结果，相对反射率在380nm以上且435nm以下范围内的最大值为435nm处的值8.9％，为30％以下。此外，氯硅酸盐在380nm以上且435nm以下范围内的相对反射率的最大值为435nm处的值14.8％。此外，SAE的发光峰值波长为495nm，半值宽度为60nm，氯硅酸盐的发光峰值波长为510nm，半值宽度为55nm。
作为第二荧光体，制备具有下述式(2B)表示的组成的铝石榴石荧光体。制备的第二荧光体的发光峰值波长为547nm，半值宽度为109nm。
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)
作为第三荧光体，制备具有下述式(3C)表示的组成的荧光体SCASN1、SCASN2、SCASN3、SCASN4、SCASN5和SCASN6。制备的SCASN1的发光峰值波长为610nm，半值宽度为72nm，制备的SCASN2的发光峰值波长为620nm，半值宽度为75nm，制备的SCASN3的发光峰值波长为625nm，半值宽度为78nm，制备的SCASN4的发光峰值波长为630nm，半值宽度为82nm，制备的SCASN5的发光峰波长为608nm，半值宽度为72nm，制备的SCASN6的发光峰值波长为627nm，半值宽度为75nm。
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)
(实施例1)
将以使得色度坐标在x＝0.314、y＝0.329附近的方式混合而得的荧光体70、与硅氧烷树脂混合分散，然后通过消泡以获得含有荧光体的树脂组合物。此时，相对于树脂100质量％，含有荧光体的树脂组合物中的荧光体的总量为50.2质量％。此外，关于各荧光体的含油率，相对于荧光体的总量，作为第一荧光体71的SAE为59.7质量％，第二荧光体72为34.7质量％，作为第三荧光体73的SCASN1为5.5质量％。接下来，制备具有凹部的成形体40，在凹部的底面设置发光峰值波长为450nm、并且具有氮化镓类化合物半导体的发光元件，然后将含有荧光体的树脂组合物注入并充填到发光元件10上，然后通过加热使树脂组合物固化。通过这种方法制造实施例1的发光装置。就所述色度坐标而言，作为发光装置的相关色温约为6500K，对应于相关色温5700K以上且7200K以下。
(实施例2)
除了将各荧光体相对于荧光体总量的含有率变更为如表1所示的之外，以与实施例1中相同的方式制造发光装置。
(比较例1)
除了将第三荧光体73变更为SCASN2和SCASN3的50:50混合物，并且将荧光体的总量和各荧光体的含有率变更为如表1所示的之外，以与实施例1中相同的方式制造发光装置。
[表1]
(实施例3)
除了混合荧光体70以使得色度坐标在x＝0.346、y＝0.354附近，并且相对于树脂100质量％，含有荧光体的树脂组合物中的荧光体总量为71.5质量％，另外，关于各荧光体相对于荧光体总量的含有率，第一荧光体71为69.9质量％，第二荧光体72为23.3质量％，第三荧光体73为6.8质量％，除此之外，以与实施例1中相同的方式制造发光装置。就所述色度坐标而言，作为发光装置的相关色温约为5000K，对应于相关色温为4500K以上且5700K以下。
(实施例4)
除了将第三荧光体变更为SCASN5，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表2所示的之外，以与实施例3中相同的方式制造发光装置。
(实施例5和6)
除了将第一荧光体变更为氯硅酸盐，将第三荧光体变更为SCASN5，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表2所示的之外，以与实施例3中相同的方式制造发光装置。
(比较例2)
除了将第三荧光体变更为SCASN2和SCASN3的50:50的混合物，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表2所示的之外，以与实施例3中相同的方式制造发光装置。
(比较例3和4)
除了将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表2所示的之外，以与实施例3中相同的方式制造发光装置。
[表2]
(实施例7)
除了将第三荧光体变更为SCASN5，混合荧光体70以使得色度坐标在x＝0.383、y＝0.381附近，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表3所示的之外，以与实施例1中相同的方式制造发光装置。就所述色度坐标而言，作为发光装置的相关色温约为4000K，对应于相关色温为3500K以上且小于4500K以下。
(实施例8)
除了将第三荧光体变更为SCASN1，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表3所示的之外，以与实施例7中相同的方式制造发光装置。
(实施例9)
除了将第三荧光体变更为SCASN2，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表3所示的之外，以与实施例7中相同的方式制造发光装置。
(实施例10)
除了将第三荧光体变更为SCASN6，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表3所示的之外，以与实施例7中相同的方式制造发光装置。
(比较例5)
除了将第三荧光体变更为SCASN4，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表3所示的之外，以与实施例7中相同的方式制造发光装置。
[表3]
(实施例11)
除了将第三荧光体变更为SCASN2，混合荧光体70以使得色度坐标在x＝0.435、y＝0.404附近，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表4所示的之外，以与实施例1中相同的方式制造发光装置。就所述色度坐标而言，作为发光装置的相关色温约为3000K，对应于相关色温为2700K以上且小于3500K以下。
(实施例12)
除了将第三荧光体变更为SCASN4，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表4所示的之外，以与实施例11中相同的方式制造发光装置。
(实施例13)
除了将第三荧光体变更为SCASN3，并将荧光体总量和各荧光体的含有率更为如表4所示的之外，以与实施例11中相同的方式制造发光装置。
(比较例6)
除了将第三荧光体变更为SCASN4，并将荧光体总量和各荧光体的含有率变更为如表4所示的之外，以与实施例11中相同的方式制造发光装置。
(比较例7)
除了将第三荧光体变更为SCASN4，并将荧光体总量和各荧光体的含量变更为如表4所示的之外，以与实施例11中相同的方式制造发光装置。
[表4]
(评价)
对于上述获得的发光装置，求出发光色的色度坐标、相关色温、作为显色指数的平均显色指数Ra和特殊显色指数R9。另外，使用积分球测定光通量和发光光谱。将测得的分光分布乘以蓝光引起视网膜损伤的作用函数，并且在波长为300nm～700nm的范围内积分，以计算出由蓝光引起视网膜损伤的实效放射强度。此外，同样地将分光分布乘以抑制褪黑激素分泌的作用函数，并且在波长为400nm～700nm的范围内积分，以计算出抑制褪黑激素分泌的实效放射强度。求出抑制褪黑激素分泌的实效放射强度与蓝光引起视网膜损伤的实效放射强度之比，并将其作为实效放射强度比。接下来，基于各相关色温来选择发光装置，并基于其光通量计算出相对光通量，以使得光通量相等的方式进行转换而获得分光分布。使用光通量同等转换后的发光分布，来计算出蓝光引起视网膜损伤的实效放射强度、抑制褪黑激素分泌的实效放射强度。此外，将所得的值相对于基于各相关色温的发光装置的实效放射强度进行规格化，并且计算出光通量同等转换中蓝光引起视网膜损伤的相对实效放射强度、和抑制褪黑激素分泌的相对实效放射强度。对于发光装置的各相关色温，将结果示与表5～表8中。
此外，将基于各相关色温的发光装置的发光峰值强度进行规格化而得的各个发光装置的发光光谱表示于图3～图6中。此外，第二极小值T2与根据发光光谱计算出的第二极大值2之比T2/P2、和第一极大值P1与第二极大值P2之比P1/P2示于表5～7中。需要说明的是，表中的“-”表示极值不明确，无法计算比值。
[表5]
[表6]
[表7]
[表8]
表5～表8中的结果表明，本发明的发光装置的实施例中的实效放射强度比高于常规的发光装置的比较例中的实效放射强度比，即，蓝光引起视网膜损伤的风险充分降低，抑制褪黑激素分泌的效果高。此外，如表6所示，当比较例3的实效放射强度比超过预定的上限值(1.70)时，由于相对光通量降低，当实效放射强度比为与相关色温对应的给定上限值以下时，相对光通量的降低得到抑制。
符号说明
10：发光元件、50：荧光构件、70：荧光体、71：第一荧光体、72：第二荧光体、73：第三荧光体、100：发光装置。

Claims (17)

1.一种发光装置，其具有：
发光元件，其在440nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长；
荧光构件，其包含在480nm以上且小于520nm的范围内具有发光峰值波长的第一荧光体、在520nm以上且小于600nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、以及在600nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体，
其中，该发光装置抑制褪黑激素分泌的实效放射强度相对于由蓝光引起的视网膜损伤的实效放射强度的比例如下：
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.53以上且1.70以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.40以上且1.70以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.40以上且1.70以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.35以上且1.65以下。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述比例如下：
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为1.54以上且1.65以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为1.45以上且1.70以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为1.43以上且1.60以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为1.37以上且1.55以下。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体的发光峰值波长为485nm以上且515nm以下，发光光谱的半值宽度为30nm以上且80nm以下，
所述第二荧光体的发光峰值波长为525nm以上且565nm以下，发光光谱的半值宽度为20nm以上且120nm以下，
所述第三荧光体的发光峰值波长为600nm以上且630nm以下，发光光谱的半值宽度为5nm以上且100nm以下。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体相对于所述第一荧光体、所述第二荧光体和所述第三荧光体的总量的含量比为：
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为35质量％以上且60质量％以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为50质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为45质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为45质量％以上且85质量％以下。
5.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体相对于所述第一荧光体、所述第二荧光体和所述第三荧光体的总量的含量比为：
当相关色温为2700K以上且小于3500K时，为35质量％以上且60质量％以下，
当相关色温为3500K以上且小于4500K时，为50质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为4500K以上且小于5700K时，为45质量％以上且80质量％以下，
当相关色温为5700K以上且7200K以下时，为45质量％以上且85质量％以下。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
平均显色指数Ra为80以上。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光元件的发光峰值波长为445nm以上且465nm以下，发光光谱的半值宽度为30nm以下。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体包含具有下述式(1A)或(1B)表示的组成的荧光体中的至少一种，
Sr4Al14O25:Eu (1A)
式中，Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代，
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (1B)。
9.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体包含具有下述式(1A)或(1B)表示的组成的荧光体中的至少一种，
Sr4Al14O25:Eu (1A)
式中，Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代，
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (1B)。
10.根据权利要求4所述的发光装置，其中，
所述第一荧光体包含具有下述式(1A)或(1B)表示的组成的荧光体中的至少一种，
Sr4Al14O25:Eu (1A)
式中，Sr的一部分可以被选自Mg、Ca、Ba和Zn中的至少一种元素所取代，
(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu (1B)。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第二荧光体包含具有下述式(2B)表示的组成的荧光体，
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)。
12.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第二荧光体包含具有下述式(2B)表示的组成的荧光体，
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)。
13.根据权利要求4所述的发光装置，其中，
所述第二荧光体包含具有下述式(2B)表示的组成的荧光体，
(Y,Gd,Tb,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce (2B)。
14.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第三荧光体包含具有下述式(3C)表示的组成的荧光体，
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)。
15.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第三荧光体包含具有下述式(3C)表示的组成的荧光体，
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)。
16.根据权利要求4所述的发光装置，其中，
所述第三荧光体包含具有下述式(3C)表示的组成的荧光体，
(Ca,Sr)AlSiN3:Eu (3C)。
17.一种灯具，其具有权利要求1～16中任一项所述的发光装置。
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