CN109425802B - 漏电流检测装置及其检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种漏电流检测装置及其检测方法，用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流。漏电流检测装置包括电容、预充电电路、放电电流产生器以及检测结果产生器。预充电电路于第一时间区间提供预充电流对电容进行预充电动作。放电电流产生器在受测电路在闲置状态下，且在第二时间区间，依据漏电电流产生放电电流，并使电容依据放电电流执行放电动作。检测结果产生器在第二时间区间中依据比较检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果。

Description

漏电流检测装置及其检测方法
技术领域
本发明涉及一种漏电流检测装置及其检测方法，尤其涉及一种能够检测与降低受测电路在闲置状态时的漏电电流的漏电流检测装置及其检测方法。
背景技术
随着科技的进步，集成电路(Integrated Circuit,IC)的元件已微缩化至纳米尺寸，相关技术人员以朝着降低晶体管的临界电压(Threshold Voltage)以及其工作电压的设计目标迈进。然而，为了达到上述的设计要求，进而造成电子电路所可能产生的漏电电流(leakage current)提升的状况。除此之外，电子装置工作在操作状态时，容易受到芯片内部所产生出的热能或是外在环境温度的影响，进而导致电子装置在运作时可能因温度的改变产生难以预期的漏电电流的大小。这个状况除了严重影响电子电路自身的工作效率外，更加降低生产芯片时的良率以及电子装置的效能。因此，如何在电子装置工作在操作状态时有效地检测出受测电路的漏电电流，并且将所述漏电电流加以降低，将是本领域相关技术人员的课题。
发明内容
本发明提供一种漏电流检测装置以及检测方法，可检测与降低受测电路中的漏电电流。
本发明的漏电流检测装置用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流，包括电容、预充电电路、放电电流产生器以及检测结果产生器。电容耦接在检测端点与参考接地端间。预充电电路耦接至检测端点，于第一时间区间提供预充电流对电容进行预充电动作。放电电流产生器耦接至检测端点及受测电路，在受测电路在闲置状态下，且在第二时间区间，依据漏电电流产生放电电流，并使电容依据放电电流执行放电动作。检测结果产生器耦接电容，在第二时间区间中依据比较检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果。其中，第一时间区间发生在第二时间区间之前。
在本发明的漏电流检测装置的漏电检测方法，用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流，其中漏电检测方法包括：于第一时间区间提供预充电流对电容进行预充电动作；在受测电路在闲置状态下，且在第二时间区间，依据漏电电流产生放电电流，并使电容依据放电电流执行放电动作；在第二时间区间中依据比较检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果，其中，第一时间区间发生在第二时间区间之前。
基于上述，本发明所述的漏电流检测装置是利用预充电电路于第一时间区间时，对电容进行预充电动作，并通过放电电路产生器于第二时间区间时，使电容执行放电动作。通过检测结果产生器于第二时间区间中，依据比较上述电容上的放电电压值与预设的参考电压的电压值来产生受测电路的漏电电流的漏电检测结果。如此一来，工作电压产生器可依据上述的漏电检测结果判断是否调降受测电路的工作电压，以降低受测电路操作于闲置状态时所产生的漏电电流。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例说明一种漏电流检测装置的方块图；
图2是依照本发明一实施例说明一种漏电流检测装置的电路示意图；
图3是依照本发明一实施例说明一种漏电流检测装置的动作波形示意图；
图4A是依照本发明另一实施例说明一种漏电流检测装置的电路示意图；
图4B是依照本发明另一实施例说明图4A的检测结果产生器的电路示意图；
图5是依照本发明一实施例说明一种漏电流检测装置的检测方法的流程图。
附图标号说明：
100、200、400：漏电流检测装置
110、210、410：受测电路
120、220、420：预充电电路
130、230、430：放电电流产生器
140、240、440：检测结果产生器
250、450：工作电压产生器
260、460：电流镜电路
270:闩锁器
470、610-6N0：比较器
480：逻辑运算电路
M1-M6：晶体管
INV1、INV2：反相器
C1：电容
NC：检测端点
SEN：检测信号
EN：致能信号
PRE：预充电信号
VP：工作电压
V1：充电电压
VR1、VR2：参考电压
VT：临界电压
IOFF：漏电电流
IC：预充电流
ID：放电电流
GND：参考接地端
T11、T12：第一时间区间
T21、T22：第二时间区间
VDR、VDR1、VDR2：漏电检测结果
S510-S540：漏电流检测装置的检测步骤
具体实施方式
以下请参照图1，漏电流检测装置100用于检测受测电路110在闲置状态时产生的漏电电流IOFF，其中，漏电流检测装置100包括预充电电路120、放电电流产生器130、检测结果产生器140以及电容C1。受测电路110接收工作电压VP以作为电源电压并执行操作。其中，当受测电路110操作于闲置状态时(受测电路110未进行运作且受测电路110中没有发生实质上的信号运算及传递动作)，受测电路110可能因环境温度、处理变异以及工作电压VP的电压高低等因素的影响而产生大小程度不同的漏电电流IOFF。
在本实施例中，放电电流产生器130耦接至受测电路110，并接收受测电路110所产生的漏电电流IOFF。预充电电路120通过检测端点NC耦接至放电电流产生器130。另外，电容C1耦接在检测端点NC及参考接地端GND间。检测结果产生器140接收检测端点NC上的电压以产生漏电检测结果VDR。
关于漏电流检测装置100的动作细节，当漏电检测装置100工作于第一时间区间时，预充电电路120提供预充电流IC对电容C1进行预充电动作，并使检测端点NC上的电压值上升至一预设电压值。接着，在第一时间区间之后的第二时间区间中，放电电流产生器130在受测电路100工作在闲置状态下且在第二时间区间时，依据受测电路100的漏电电流IOFF以产生放电电流ID，并使电容C1依据放电电流ID执行放电动作，此时，检测端点NC上的电压值将随着电容C1的放电动作而下降。在第二时间区间中，检测结果产生器140依据比较检测端点NC上的电压值与预设的一参考电压的电压值来产生漏电检测结果VDR。具体而言，当检测结果产生器140在第二时间区间判断出检测端点NC上的电压下降至低于预设的参考电压时，表示受测电路110所产生的漏电电流IOFF过大，检测结果产生器140产生表示漏电电流IOFF过大的漏电检测结果VDR。相对的，若检测结果产生器140在第二时间区间中未判断出检测端点NC上的电压低于预设的参考电压时，表示受测电路110所产生的漏电电流IOFF没有过大，检测结果产生器140产生表示漏电电流IOFF没有过大的漏电检测结果VDR。其中，上述的第一时间区间即为漏电流检测装置100尚未开始检测受测电路110在闲置状态时所产生出的漏电电流IOFF。此外，上述的第二时间区间即为漏电流检测装置100开始检测受测电路110在闲置状态时所产生出的漏电电流IOFF。
在本实施例中，漏电检测结果VDR可以是一个数码信号，以一个位元的漏电检测结果VDR为范例，检测结果产生器140可产生具有第一逻辑准位的漏电检测结果VDR来表示受测电路110所产生的漏电电流IOFF过大，并产生具有第二逻辑准位的漏电检测结果VDR来表示受测电路110所产生的漏电电流IOFF没有过大，其中，第一逻辑准位与第二逻辑准位互补。
在另一方面，在本实施例中，受测电路110可以设置于一集成电路的核心电路区域中。因此，受测电路110可以通过复制集成电路中的核心电路的一部分的方式来设置。举例来说明，受测电路110可为任意类型的一个或多个逻辑闸所产生的组合式逻辑电路，但不限于此。
以下请参照图2，本实施例中的预充电电路220包括晶体管M5。晶体管M5的第一端耦接至充电电压V1，晶体管M5的第二端耦接至检测端点NC，晶体管M5的控制端耦接至预充电信号PRE。当漏电检测装置200工作于第一时间区间时，预充电电路220通过预充电信号PRE使晶体管M5导通，预充电电路220依据所接收到的充电电压V1以产生预充电流IC对电容C1进行预充电动作，并使检测端点NC上的电压值被预充至充电电压V1的电压值。在此，充电电压V1的电压值可以等于或不等于工作电压VP的电压值。
在另一方面，在本实施例中，放电电流产生器230可以为电流镜电路260，电流镜电路260耦接在受测电路210耦接至参考接地端GND的路径之间。当漏电检测装置200工作于第二时间区域时，电流镜电路260依据镜射漏电电流IOFF以产生放电电流ID。其中，电流镜电路260包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4。第一晶体管M1的第一端耦接至受测电路210与第一晶体管M1的控制端。第二晶体管M2的第一端耦接至第一晶体管M1的第二端，第二晶体管M2的第二端耦接至参考接地端GND。第三晶体管M3的第一端耦接至检测端点NC，第三晶体管M3的控制端耦接至第一晶体管M1的控制端。第四晶体管M4的第一端耦接至第三晶体管M3的第二端，第四晶体管M4的第二端耦接至参考接地端GND，第四晶体管M4的控制端耦接至第二晶体管M2的控制端。
附带一提，电流镜电路260中具有一检测信号SEN。当漏电检测装置200工作于第二时间区间时，检测信号SEN可使第二晶体管M2以及第四晶体管M4导通，并使电流镜电路260开始工作。如此一来，电流镜电路260可通过镜射漏电电流IOFF以产生放电电流ID，并藉以使电容C1依据放电电流ID执行放电动作。相反的，在非第二时间区间时(例如于第一时间区间时)，检测信号SEN可使第二晶体管M2以及第四晶体管M4被断开，并停止电流镜电路260的电流镜射动作。
在另一方面，在本实施例中，检测结果产生器240可以包括一闩锁器270。其中，闩锁器270包括第一反相器INV1、第二反相器INV2以及第六晶体管M6。其中，第六晶体管M6的第一端耦接至检测端点NC，第六晶体管M6的第二端耦接至第一反相器INV1的输入端，第六晶体管M6的控制端接收致能信号EN，并依据致能信号EN来决定闩锁器270的取样时间点。第一反相器INV1的输出端耦接至第二反相器INV2的输入端，并产生漏电检测结果VDR，第二反相器INV2的输出端则耦接至第一反相器INV1的输入端。
另外，闩锁器270提供一临界电压以作为参考电压，其中，上述的临界电压可由闩锁器270中的电路元件的处理参数来决定。当漏电检测装置200工作于第二时间区间中的取样时间点时，第六晶体管M6被导通。如此一来，闩锁器270可接收到检测端点NC上的电压值，闩锁器270并依据检测端点NC上的电压值有无大于闩锁器270提供的临界电压来产生漏电检测结果VDR。
在本实施例中，闩锁器270的临界电压是由闩锁器270中的电路元件的处理参数来决定，而不需要任何外加参考电压与检测端点NC上的电压值进行比较。具有可省电、较少电路元件并具有较高的准确度的特点。
另一方面，在本实施例中，检测结果产生器240更耦接至工作电压产生器250。工作电压产生器250接收漏电检测结果VDR。其中，工作电压产生器250用于产生受测电路210的工作电压VP，工作电压产生器250可依据所接收到的漏电检测结果VDR以决定是否调降工作电压VP的电压值。值得一提的，当漏电检测结果VDR指示受测电路210的漏电电流IOFF过大时，工作电压产生器250可依据漏电检测结果VDR来调降工作电压VP的电压值，并藉以降低受测电路210操作于闲置状态时所产生的漏电电流IOFF。
具体来说明，当漏电检测结果VDR指示受测电路210的漏电电流IOFF过大时，工作电压产生器250可依据漏电检测结果VDR来调降受测电路210的工作电压VP一个偏移值。值得注意的，本发明实施例的漏电流检测机制可以持续进行。若在下一个漏电流检测周期中，漏电检测结果VDR仍指示受测电路210的漏电电流IOFF过大时，工作电压产生器250可依据漏电检测结果VDR再调降受测电路210的工作电压VP一个偏移值。上述的偏移值可以由设计者依据集成电路实际的应用状况来设定，没有固定的限制。
以下请同时参照图2以及图3，当漏电流检测装置200工作于第一时间区间T11时，预充电电路220通过预充电信号PRE使晶体管M5导通，预充电电路220依据所接收到的充电电压V1以产生预充电电流IC对电容C1进行预充电动作，并使检测端点NC上的电压值被预充至充电电压V1的电压值。附带一提，在第一时间区间T11中，由于漏电流检测装置200尚未开始执行检测受测电路210的漏电电流IOFF的动作，因此，电流镜电路260的检测信号SEN以及闩锁器270的致能信号EN未被致能。
相对的，当漏电流检测装置200工作于第二时间区间T21时，受测电路210操作于闲置状态并产生漏电电流IOFF，预充电电路220则依据预充电信号PRE(被禁能)以在第二时间区间T21停止执行预充电动作。接着，电流镜电路260通过检测信号SEN使第二晶体管M2以及第四晶体管M4导通，并使得电流镜电路260开始工作。如此一来，电流镜电路260可依据漏电电流IOFF产生放电电流ID，并藉以使电容C1依据放电电流ID执行放电动作。因此，检测端点NC会随着电容C1执行放电动作，而使得检测端点NC的电压值开始调降。除此之外，在第二时间区间T21中，闩锁器270依据被致能的致能信号EN执行闩锁动作，以接收并闩锁检测端点NC上的电压值。其中，闩锁器270依据检测端点NC上的电压值来判断检测端点NC上的电压值是否小于闩锁器220的临界电压VT，以产生漏电检测结果VDR。
值得注意的是，当工作电压产生器250依据漏电检测结果VDR判断检测端点NC上的电压值下降至小于闩锁器220的临界电压VT时，工作电压产生器250对应调降提供至受测电路210的工作电压VP。同时，通过调降工作电压VP，以降低受测电路210操作于闲置状态时的漏电电流IOFF。请注意，在本实施例中，关于漏电流检测装置200的漏电流检测动作可以连续的被执行，并在接续的第一时间区间T12与第二时间区间T22执行下一次的漏电流检测动作。若在第二时间区间T22中仍检测到漏电电流IOFF过大的现象，可更进一步的调降工作电压VP的电压值。
以下请参照图4A，电流检测装置400包括预充电电路420、放电电流产生器430、检测结果产生器440、工作电压产生器450、电流镜电路460以及比较器470。不同于图2中的闩锁器270，本实施例是利用比较器470来实现检测结果产生器440的功效。其中，比较器470的第一端耦接至检测端点NC以接收检测端点NC上的电压值，比较器470的第二端耦接至参考电压VR1，除此之外，比较器470依据比较检测端点NC上的电压值与参考电压VR1以产生检测结果VDR1。详细来说，当比较器470比较检测端点NC上的电压值小于参考电压VR1时，表示受测电路410的漏电电流IOFF大于第一临界值，同时，比较器470依据检测端点NC上的电压值与参考电压VR1以产生漏电检测结果VDR1。在本实施例中，比较器470的输出端更耦接至工作电压产生器450，以使工作电压产生器450接收漏电检测结果VDR1。其中，当漏电检测结果VDR1指示受测电路410的漏电电流IOFF过大时，工作电压产生器450可依据漏电检测结果VDR1来调降受测电路410的工作电压VP一个偏移值，藉以降低受测电路410操作于闲置状态时所产生的漏电电流IOFF。
请同时参照图4A以及图4B，不同于图4A的单一个比较器470，本实施例中可利用多个比较器610到6N0来产生检测结果440，以下将以使用两个比较器610、6N0作为举例说明。其中，比较器610的第一端耦接至参考电压VR1，比较器610的第二端耦接至检测端点NC以接收检测端点NC上的电压值。比较器6N0的第一端耦接至比较器610的第二端，比较器6N0的第二端耦接至参考电压VR2，其中，参考电压VR1的电压值例如大于参考电压VR2的电压值。值得一提的，在本实施例中，比较器610及比较器6N0的输出端耦接至逻辑运算电路480的输入端，以使逻辑运算电路480接收比较器610至比较器6N0产生的输出结果。逻辑运算电路480可依据比较器610及比较器6N0的输出结果以产生漏电检测结果VDR2。其中，逻辑运算电路480可为任意类型的一个或多个逻辑闸所产生的组合式逻辑电路，但不限于此。除此之外，逻辑运算电路480的输出端更耦接至工作电压产生器450，以使工作电压产生器450依据漏电检测结果VDR2来调整工作电压VP的电压值大小。
详细来说，当检测端点NC上的电压值小于参考电压VR1且检测端点NC上的电压值大于参考电压VR2时，漏电检测结果VDR2指示受测电路410的漏电电流IOFF大于一第一临界值，并使工作电压产生器450可依据漏电检测结果VDR2来调降受测电路410的工作电压VP一个第一偏移值。另一方面，当检测端点NC上的电压值小于参考电压VR1且检测端点NC上的电压值小于参考电压VR2时，漏电检测结果VDR2指示受测电路410的漏电电流IOFF大于一第二临界值，并使工作电压产生器450可依据漏电检测结果VDR2来调降受测电路410的工作电压VP一个第二偏移值，藉以降低受测电路410操作于闲置状态时所产生的漏电电流IOFF，其中第二偏移值大于第一偏移值。
相对的，当逻辑运算电路480在第二时间区间未判断出检测端点NC上的电压小于参考电压VR1、VR2时，表示受测电路410所产生的漏电电流IOFF没有过大，逻辑运算电路480产生表示漏电电流IOFF没有过大的漏电检测结果VDR2。
请参照图5，其中，步骤S510使受测电路接收工作电压，并使受测电路操作于闲置状态，其中，受测电路在闲置状态下产生漏电电流。步骤S520则于第一时间区间提供预充电流对电容进行预充电动作，接着，步骤S530则在第二时间区间依据漏电电流产生放电电流，并使电容依据所述放电电流执行放电动作。并且，步骤S540在第二时间区间中依据比较检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果。
关于上述各步骤的实施细节在前述的多个实施例及实施方式都有详尽的说明，以下恕不多赘述。
依据前述的多个实施例及实施方式可以得知，通过本发明实施例的漏电电流检测机制，集成电路的漏电电流可以有效的被监测，并可进一步的被调降。除此之外，集成电路容易受到芯片内部所产生出的热能或是外在环境温度的影响，进而导致因温度的变化产生无法预期的漏电电流。因此，通过本发明实施例的漏电电流检测机制，即使在集成电路的内部温度和/或环境温度备提升的情况下，集成电路所产生漏电电流的幅度仍可以有效的被抑制，减低所可能产生的漏电电流。
综上所述，本发明通过漏电流检测装置中的检测结果产生器，比较负载电容因受测电路的漏电电流而产生的放电电压值与检测结果产生器中的预设参考电压，以产生漏电电流的漏电检测结果。若工作电压产生器依据上述的漏电检测结果判断漏电电流大于一临界值时，则工作电压产生器调降受测电路的工作电压，以降低受测电路操作于闲置状态时所产生的漏电电流。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求书所界定的为准。

Claims (14)

1.一种漏电流检测装置，用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流，其特征在于，包括：
电容，耦接在检测端点与参考接地端间；
预充电电路，耦接至所述检测端点，于第一时间区间提供预充电流对所述电容进行预充电动作；
放电电流产生器，耦接至所述检测端点及所述受测电路，在所述受测电路在所述闲置状态下，且在第二时间区间，依据所述漏电电流产生放电电流，并使所述电容依据所述放电电流执行放电动作；以及
检测结果产生器，耦接所述电容，在所述第二时间区间中依据比较所述检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果，
其中，所述第一时间区间发生在所述第二时间区间之前。
2.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述检测结果产生器包括：
闩锁器，提供临界电压以做为所述参考电压，并依据致能信号在所述第二时间区间中的取样时间点依据判断所述检测端点上的电压值是否小于所述临界电压以产生所述漏电检测结果。
3.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述检测结果产生器包括：
比较器，依据比较所述检测端点上的电压值是否小于所述参考电压以产生所述漏电检测结果。
4.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，还包括：
工作电压产生器，用于产生工作电压，
其中，所述工作电压产生器接收所述漏电检测结果，并依据所述漏电检测结果以决定是否调降所述工作电压的电压值，当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于临界值时，所述工作电压产生器调降所述工作电压一偏移值。
5.根据权利要求4所述的漏电流检测装置，其特征在于，当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第一临界值时，所述工作电压产生器调降所述工作电压一第一偏移值，当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第二临界值时，所述工作电压产生器调降所述工作电压一第二偏移值，
其中，所述第一临界值小于所述第二临界值，所述第一偏移值小于所述第二偏移值。
6.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述放电电流产生器包括：
电流镜电路，耦接在所述受测电路耦接至所述参考接地端的路径间，所述电流镜电路在所述第二时间区间中，依据镜射所述漏电电流以产生所述放电电流。
7.根据权利要求6所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述电流镜电路包括：
第一晶体管，其第一端耦接至所述受测电路与所述第一晶体管的控制端；
第二晶体管，其第一端耦接至所述第一晶体管的第二端，所述第二晶体管的第二端耦接至所述参考接地端；
第三晶体管，其第一端耦接至所述检测端点，所述第三晶体管的控制端耦接至所述第一晶体管的控制端；以及
第四晶体管，其第一端耦接至所述第三晶体管的第二端，所述第四晶体管的第二端耦接至所述参考接地端，所述第四晶体管的控制端耦接至所述第二晶体管的控制端。
8.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述预充电电路包括：
晶体管，其第一端耦接至充电电压，所述晶体管的第二端耦接至所述检测端点，所述晶体管的控制端耦接至预充电信号。
9.根据权利要求1所述的漏电流检测装置，其特征在于，所述受测电路设置在集成电路的核心电路区域中。
10.一种漏电检测方法，用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流，其特征在于，包括：
于第一时间区间提供预充电流对耦接在检测端点与参考接地端间的电容进行预充电动作以预充所述检测端点的电压值；
在所述受测电路在所述闲置状态下，且在第二时间区间，依据所述漏电电流产生放电电流，并使所述电容依据所述放电电流执行放电动作以降低所述检测端点的所述电压值；以及
在所述第二时间区间中依据比较所述检测端点上的所述电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果，
其中，所述第一时间区间发生在所述第二时间区间之前。
11.根据权利要求10所述的漏电检测方法，其特征在于，还包括：
依据所述漏电检测结果以决定是否调降工作电压的电压值，当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于临界值时，调降所述工作电压一偏移值。
12.根据权利要求11所述的漏电检测方法，其特征在于，依据所述漏电检测结果以决定是否调降所述工作电压的电压值的步骤包括：
当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第一临界值时，调降所述工作电压一第一偏移值；以及
当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第二临界值时，调降所述工作电压一第二偏移值，
其中，所述第一临界值小于所述第二临界值，所述第一偏移值小于所述第二偏移值。
13.根据权利要求10所述的漏电检测方法，其特征在于，在所述第二时间区间中依据比较所述检测端点上的电压值与预设的所述参考电压的电压值来产生所述漏电检测结果的步骤包括：
提供临界电压以做为所述参考电压，并依据致能信号在所述第二时间区间中的取样时间点依据判断所述检测端点上的电压值是否小于所述临界电压以产生所述漏电检测结果。
14.根据权利要求10所述的漏电检测方法，其特征在于，在所述第二时间区间中依据比较所述检测端点上的电压值与预设的所述参考电压的电压值来产生所述漏电检测结果的步骤包括：
依据比较所述检测端点上的电压值是否小于所述参考电压以产生所述漏电检测结果。
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