CN109390376B - 显示设备及其制造方法、以及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供显示设备及其制造方法、以及电子装置。公开的显示设备包括第一电极，第二电极，布置在第一电极和第二电极之间的有机层，以及构造成至少覆盖每个第一电极的侧面的绝缘膜。绝缘膜包括：第一绝缘层，其构造成至少覆盖每个第一电极的侧面的一部分；以及第二绝缘层，其构造成覆盖侧面。第一绝缘层布置在侧面和第二绝缘层之间，并且包括第一部分和第二部分，所述第二部分的密度低于所述第一部分的密度。

Description

显示设备及其制造方法、以及电子装置
技术领域
本发明涉及显示设备及其制造方法、以及电子装置。
背景技术
包括有机层作为发光层的显示设备引起了人们的注意。在该显示设备中，通过在发光层重新组合从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴来产生光，并通过阴极或阳极提取光。已知在显示设备中，如果使用溅射方法或CVD方法形成覆盖下电极和每个下电极的端部之间的间隙的像素调节层，则每个下电极的侧面没有用像素调节层完全覆盖，因此所述下电极和上电极可能短路。
国际公开WO2012/014252(下文中称为PTL1)描述了每个下电极的侧面没有用像素调节层完全覆盖的原因在于诸如溅射方法或CVD方法的成膜方法的台阶覆盖不充分。作为能够解决该问题的布置，PTL1公开了一种布置，其中每个第一电极由反射性金属膜和堆叠在其上的透明电极膜形成，并且在每个第一电极的端部设置有通过氧化反射性金属膜而获得的金属氧化物膜，而不是透明电极膜。第二电极布置在第一电极上的发光层上。
PTL1中描述的发明通过氧化反射性金属膜的方法来形成金属氧化物膜，而不是通过溅射法或CVD法(其中不能获得充分的台阶覆盖)形成像素调节层。然而，在PTL1中描述的发明中，需要在氧化步骤中获得具有足够质量的金属氧化物膜，并且反射性金属膜的材料受到限制。此外，PTL1没有考虑通过氧化反射性金属膜获得的金属氧化物膜的质量不足的情况。如果金属氧化物膜的质量不足，则第一电极和第二电极可能短路，可能形成从第一电极的不理想的部分到发光层的电流路径，或者水可能进入发光层。
发明内容
本发明的目的是在包括绝缘膜以覆盖每个第一电极的侧面的显示设备中，提供一种有利于提高绝缘膜质量同时放宽对每个第一电极的构成材料的限制的技术。
根据本发明的第一方面，提供了一种显示设备，其包括第一电极、第二电极、布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层、以及构造成至少覆盖每个所述第一电极的侧面的绝缘膜，所述绝缘膜包括：第一绝缘层，其构造成至少覆盖每个所述第一电极的所述侧面的一部分；以及第二绝缘层，其构造成覆盖所述侧面，所述第一绝缘层布置在所述侧面和所述第二绝缘层之间，并且包括第一部分和第二部分，所述第二部分的密度低于所述第一部分的密度。
根据本发明的第二方面，提供了一种显示设备，其包括第一电极、第二电极、布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层、以及构造成至少覆盖每个所述第一电极的侧面的绝缘膜，所述绝缘膜包括：第一绝缘层，其构造成覆盖每个所述第一电极的所述侧面的至少一部分；以及第二绝缘层，其构造成覆盖所述侧面，其中，所述第二绝缘层的氩含量高于所述第一绝缘层的氩含量。
根据本发明的第三方面，提供了一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，该方法包括形成绝缘膜以至少覆盖每个所述第一电极的侧面，形成所述绝缘膜包括：形成所述绝缘膜的一部分，并在形成所述一部分之后，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的条件下形成所述绝缘膜的另一部分，其中，在形成所述一部分时的溅射作用弱于在形成所述另一部分时的溅射作用。
根据本发明的第四方面，提供了一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，所述方法包括形成绝缘膜以至少覆盖每个所述第一电极的侧面，形成所述绝缘膜包括：在CVD装置中形成所述绝缘膜的一部分，并在形成所述一部分之后，在高密度等离子体CVD装置中形成所述绝缘膜的另一部分。
根据以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得显而易见。
附图说明
图1是示出根据一个实施例的显示设备的布置的电路图；
图2是例示子像素阵列的视图；
图3是示意性地示出根据第一实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图4是示出图3的局部的放大剖视图；
图5A是示出根据第一实施例的显示设备的制造方法的视图；
图5B是示出根据第一实施例的显示设备的制造方法的视图；
图5C是示出根据第一实施例的显示设备的制造方法的视图；
图5D是示出根据第一实施例的显示设备的制造方法的视图；
图5E示出根据第一实施例的显示设备的制造方法的视图；
图6A是示意性地示出根据第二实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图6B是示意性地示出根据第二实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图7A是示出根据第二实施例的显示设备的制造方法的视图；
图7B是示出根据第二实施例的显示设备的制造方法的视图；
图7C是示出根据第二实施例的显示设备的制造方法的视图；
图7D是示出根据第二实施例的显示设备的制造方法的视图；
图7E是示出根据第二实施例的显示设备的制造方法的视图；
图8是示意性地示出根据第三实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图9是示意性地示出根据第四实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图10是示意性地示出根据第五实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图11是用于解释问题的视图；
图12是示意性地示出根据第五实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图13A是示出根据第五实施例的所形成的绝缘膜中的厚度方向上的位置的视图；
图13B是例示根据第五实施例的所形成的绝缘膜中的厚度方向上的位置与该位置处的氩含量之间的关系的表格；
图14A和14B示出对溅射作用的调节方法进行例示的曲线图；
图15A和15B示出了各自示意性地示出根据第六实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图16是示意性地示出根据第七实施例的显示设备的剖面结构的视图；
图17是示意性地示出根据第八实施例的显示设备的剖面结构的视图；并且
图18是示出根据第九实施例的相机的布置的示例的框图。
具体实施方式
下面将参考附图通过示例性实施例描述本发明。
图1示出了根据本发明第一实施例的显示设备1的布置。显示设备1包括像素区域20和外围电路区域40。在像素区域20中，布置有多个子像素21。每个子像素21可以是例如R(红色)，G(绿色)或B(蓝色)子像素。外围电路区域40可以包括信号线驱动电路41和扫描线驱动电路42。像素区域20和外围电路区域40可以布置在基底10上。
每个子像素21是有源子像素，并且可以包括例如有机发光设备EL、写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和保持电容Cs。有机发光设备EL和驱动晶体管Tr2串联连接在第一电源线Vcc和第二电源线(接地)之间。保持电容Cs的一端连接到写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的连接节点，另一端连接到第一电源线Vcc。写入晶体管Tr1的两个主电极(源极和漏极)中的一个连接到信号线51，另一个连接到驱动晶体管Tr2的栅极。此外，写入晶体管Tr1的栅极连接到扫描线52。信号线驱动电路41驱动多条信号线51。扫描线驱动电路42驱动多条扫描线52。信号线驱动电路41输出图像信号到多条信号线51中的每条信号线，并且由扫描线驱动电路42选择的行上的子像素21的写入晶体管Tr1被接通，从而在子像素21的每个保持电容Cs中写入图像信号。
图2例示了子像素21的阵列。每个子像素21表示为R子像素PR、G子像素PG或B子像素PB。在该示例中，每个子像素具有六边形形状，但是可以具有其他形状(例如，矩形形状或其他多边形形状)。多个子像素可以以矩阵或其他布置进行排列。在示例中，子像素的阵列间距约为5μm，并且R子像素PR、G子像素PG和B子像素PB各自形成的像素的阵列间距约为8μm。该实施例将解释其中一个像素由三个子像素形成的示例。然而，一个像素可以由四个或更多个子像素形成。
图3示意性地示出了沿图2中的线A-A'截取的剖面结构。在每个子像素21的部件中，用于驱动有机发光设备EL的写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和保持电容Cs形成驱动电路，并且布置在驱动电路层101中。在驱动电路层101中，可以布置对进入写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的杂散光进行阻挡的遮光层。驱动电路层101可以包括半导体基底100，并且写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的有源区可以形成在半导体基底100中。或者，写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2可以形成在诸如玻璃基底的绝缘基底上。绝缘基底可以是在导电基底的表面上具有绝缘膜的基底。
层间绝缘层102布置在驱动电路层101上，并且R子像素PR、G子像素PG或B子像素PB的有机发光设备EL布置在层间绝缘层102上。显示设备1可包括多个第一电极(阳极)110，至少覆盖多个第一电极110中的每个的侧面的绝缘膜120，以及布置在多个第一电极110和所述绝缘膜120上的有机层130。显示设备1可包括布置在有机层130上的第二电极(阴极)140。每个有机发光设备EL由第一电极110、有机层130和第二电极140形成。多个有机发光设备EL被绝缘膜120分开。可以以多个有机发光设备EL共用的方式设置第二电极140。防潮层150、平面化层160和滤色层170可以布置在有机发光设备EL上。
绝缘膜120包括至少覆盖多个第一电极中的每个的侧面的一部分的第一绝缘层121，以及覆盖多个第一电极中的每个的侧面的第二绝缘层122。第一绝缘层121布置在多个第一电极中的每个的侧面与第二绝缘层122之间。有机层130可以包括布置在多个第一电极110和绝缘膜120上的多个层。为简明起见，图3示出了空穴注入层131和多层132作为形成有机层130的多个层。多层132可具有这样的结构，其中空穴传输层、发光层和电子传输层从空穴注入层131侧依次堆叠。
滤色层170可以形成在防潮层150上，或者在由支撑基底(未示出)支撑的同时接合到平面化层160。在后一种情况下，可以在支撑基底中设置防潮层。可以以多个像素(多个第一电极110)共用的方式设置有机层130。在该示例中，有机层130产生白光，并且R、G和B颜色的滤色层170分别通过R、G和B光束。
下面将详细地通过示例描述每个部件。由于在层间绝缘层102中形成较小的连接孔，所以层间绝缘层102优选地由能够获得高加工精度的材料制造。每个连接孔嵌有由导电金属制成的插塞103。驱动电路层101的驱动晶体管Tr2经由插塞103电连接到第一电极110。例如，层间绝缘层102可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。
对于每个子像素，第一电极110是电隔离的。每个第一电极110还用作反射层。通过提高每个第一电极110的反射率，可以提高有机发光设备EL的发光效率。每个第一电极110的厚度可以落在例如30nm至1,000nm的范围内。每个第一电极110可包括布置在用作底层的层间绝缘层102上的多个导电材料层。可以通过从用作底层的层间绝缘层102侧依次堆叠阻挡金属层111、反射性金属层112和用于调节空穴注入效率的注入效率调节层113来形成每个第一电极110。阻挡金属层111可以是单层或具有堆叠结构。可以通过从层间绝缘层102侧将厚度落在10到100nm范围内的Ti和厚度落在10到100nm范围内的TiN进行堆叠来形成阻挡金属层111。反射性金属层112优选在可见光区域具有70％或更高的反射率。反射性金属层112可以由Al(铝)、Ag(银)或包含它们中的至少一种的合金制成。反射性金属层112可以具有50nm或更大的厚度以获得高反射率。另一方面，可以确定反射性金属层112的厚度的上限，使得形成在反射性金属层112上的有机层130和第二电极140可以充分地覆盖由第一电极110形成的台阶。另外或者可选地，可以考虑反射性金属层112的表面的粗糙度来确定反射性金属层112的厚度的上限。
例如，每个第一电极110的厚度优选小于布置在第一电极110和第二电极140之间的有机层130的厚度。如果反射性金属层112由铝或铝合金制成，则注入效率调节层113优选地设置在反射性金属层112上，以防止反射性金属层112的表面氧化并提高空穴注入效率。注入效率调节层113可以由诸如Ti、W、Mo、Cr或Ta的难熔金属，包含它们中的至少一种的合金，或诸如ITO或IZO的透明电极材料制成。如果将诸如Ti的难熔金属用于注入效率调节层113，则考虑到每个第一电极110的反射率的降低，注入效率调节层113的厚度优选地设置为50nm或更小。设置在第一电极110上的空穴注入层131优选地由在空穴注入性能方面具有低电阻值的材料制成。
第一绝缘层121可以设置成覆盖每个第一电极110的侧面的至少一部分。例如，第一绝缘层121可以具有落在1nm至100nm范围内的厚度。例如，第一绝缘层121可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。第一绝缘层121优选地由具有低水分含量的材料制成，因此有机层130不会由于水的影响而劣化。第一绝缘层121在每个第一电极110上限定发光区域。第一绝缘层121布置成在彼此相邻排列的第一电极110之间延伸，并且在覆盖每个第一电极110的上表面的周边部分的同时，在与每个第一电极110上的发光区域对应的部分中具有开口。在另一个方面，第一绝缘层121可以布置成在彼此相邻排列的第一电极110之间延伸，并且在覆盖每个第一电极110的端部的同时，在与每个第一电极110上的发光区域对应的部分中具有开口。第一电极110的端部可以包括第一电极110的侧面和第一电极110的上表面的外部部分。
第二绝缘层122设置在第一绝缘层121和有机层130之间。第二绝缘层122可以布置成经由第一绝缘层121覆盖每个第一电极110的侧面。第二绝缘层122的厚度可以落在1nm至100nm的范围内。例如，第二绝缘层122可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。选择具有低水分含量的材料之一用于第二绝缘层122，因此有机层130不会由于水的影响而劣化。第二绝缘层122在经由第一绝缘层121覆盖每个第一电极110的上表面的周边部分的同时，在与每个第一电极110上的发光区域对应的部分中具有开口。
可以确定第一电极110上的由包括第一绝缘层121和第二绝缘层122的绝缘膜120形成的开口的台阶，使得布置在开口上的有机层130上的第二电极140可以充分覆盖有机层130的上表面上的台阶。在每个第一电极110上由绝缘膜120形成的开口的台阶的厚度优选地例如等于或小于有机层130的厚度。
图4是示出图3的一部分的放大剖视图。每个第一电极110可以通过堆叠多个导电材料层形成。每个第一电极110可以形成为使得在相对于层间绝缘层102的上表面的平面视图中，多个导电材料层中的至少一个的侧面相对于多个导电材料层中的剩余导电材料层的侧面突出。例如，通过堆叠诸如阻挡金属层111、反射性金属层112和注入效率调节层113的多个导电材料层，形成每个第一电极110，并且，作为至少一个导电材料层的注入效率调节层113相对于剩余的导电材料层突出。这可以在每个第一电极110的侧面上形成檐形台阶401。当通过使多个导电材料层图案化来形成每个第一电极110时，可以通过多个导电材料层之间的蚀刻速率的差异来形成檐形台阶401。或者，当通过使多个导电材料层图案化来形成每个第一电极110时，可以使用多个导电材料层之间的蚀刻速率的差异有目的地形成檐形台阶401。在图4所示的示例中，注入效率调节层113以檐形突出，同时完全覆盖反射性金属层112的上表面。当有机层130局部接触反射性金属层112时，该结构有效地防止发生注入效率的局部异常。
第一绝缘层121至少布置在多个第一电极110的侧面和第二绝缘层122之间。第一绝缘层121可包括第一部分501和第二部分502(下文中也称为低密度部分或含缺陷部分)，所述第二部分502的密度(每单位体积的质量)低于第一部分501的密度。第一部分501可包括覆盖多个第一电极110中的每个的上表面的外周部分的部分。第二部分502可以布置在多个第一电极110中的每个的侧面的侧部中，例如在檐形台阶401附近(在形成台阶401的注入效率调节层113附近)。第二部分502可以布置在层间绝缘层102的上表面和形成台阶401的注入效率调节层113之间。
例如，第二部分502可以是包括空腔、间隙或诸如裂缝的缺陷的部分，或者可以是缺陷本身。第二部分502可以形成从第一电极110的不理想部分到有机层130的电流路径，或者允许水进入有机层130。第二绝缘层122布置成覆盖第一绝缘层121的第二部分502，从而抑制第二部分502直接接触有机层130。可以抑制形成从第一电极110的不理想部分到有机层130的电流路径。如果第二部分502形成为较大的腔体，则不存在第二绝缘层122可能导致每个第一电极110和第二电极140之间出现短路。然而，通过设置第二绝缘层122，可以防止这种短路。第二绝缘层122布置成充分覆盖第一电极110的待覆盖的整个区域。
在第一绝缘层121中，对形成每个第一电极110的上表面的导电材料层(注入效率调节层113)的侧面进行覆盖的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D1表示。在第一绝缘层121中，覆盖每个第一电极110的反射性金属层112的侧面的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D2表示。在形成每个第一电极110的多个导电材料层中，注入效率调节层113是形成第一电极110的上表面的一层，和/或这样的导电材料层，即：所述导电材料层的侧面在相对于层间绝缘层102的上表面的平面视图中是突出最多的。反射性金属层112布置在注入效率调节层113下方，并且在形成每个第一电极110的多个导电材料层中，是这样的导电材料层，即：所述导电材料层的侧面在相对于层间绝缘层102的上表面的平面视图中是凹陷最多的。此外，在第二绝缘层122中，对形成每个第一电极110的上表面的导电材料层(注入效率调节层113)的侧面进行覆盖的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D3表示。在第二绝缘层122中，覆盖每个第一电极110的反射性金属层112的侧面的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D4表示。该定义优选满足D3/D4>D1/D2。D3/D4>D1/D2表示通过第二绝缘层122覆盖台阶401的特性优于通过第一绝缘层121覆盖台阶401的特性。
为了使第一绝缘层121在台阶401的侧面上具有连续结构，在每个第一电极110的上表面上的第一绝缘层121的厚度(垂直于每个第一电极110的上表面的方向上的厚度)优选大于注入效率调节层113的厚度。
如果有机层130不仅延伸到像素区域20而且延伸到外围电路区域40，则第二绝缘层122优选地不仅延伸到像素区域20，而且还沿着外围电路区域40中的有机层130的下表面延伸。这种布置有效地防止水进入外围电路区域40中的有机层130以到达像素区域20中的有机层130。如果第二电极140不仅延伸到像素区域20而且延伸到外围电路区域40，第二绝缘层122优选地不仅延伸到像素区域20，而且还沿着外围电路区域40中的第二电极140的下表面延伸。这种布置有效地防止水从下面进入第二电极140以经由第二电极140到达像素区域20中的有机层130。形成第二电极140的透光材料通常具有较低的防止特性。
第三绝缘层(未示出)或更多个绝缘层可以堆叠在第二绝缘层122上。通过增加形成绝缘膜120的绝缘层的数量，可以降低第二部分502接触有机层130或第二电极140的可能性。还可以减少水进入有机层130。形成第一绝缘层121、第二绝缘层122和第三绝缘层的材料可以相同或不同。
有机层130以多个第一电极110(换句话说，多个子像素)共用的方式设置在多个第一电极110和绝缘膜120上。有机层130具有这样的布置，其中空穴注入层131、空穴传输层、发光层和电子传输层从第一电极110侧依次堆叠。包括空穴传输层、发光层和电子传输层的多层表示为多层132。
第二电极140以多个第一电极110(换句话说，多个子像素)共用的方式设置在有机层130上。第二电极140是透光导电膜，并且可以由ITO、IZO、ZnO、Ag和MgAg合金中的一种制成的单层或者包括两层或更多层(每层由以上材料中的一种制成)的叠层膜形成。考虑到电子注入性能，第二电极140可包括由例如氟化锂和钙制成的多个层。第二电极140可以电连接到在像素区域20周围的包括在驱动电路层101中的布线层。如果第二电极140变薄以提高第二电极140的透光率，考虑到第二电极140的相对较高的片电阻，则包括在驱动电路层101中的布线层和第二电极140可以在像素区域20中进行电连接。
根据第一实施例，形成绝缘膜120的方法不限于氧化第一电极110的方法。因此，第一实施例有利于提高绝缘膜120的质量同时放宽对第一电极110的材料的限制。
防潮层150以多个第一电极110(换句话说，多个子像素)共用的方式设置在第二电极140上。防潮层150可以由例如厚度落在0.1μm至10μm范围内的氮化硅(SiNx)膜形成。滤色层170设置在防潮层150上。滤色层170分别将由多个子像素产生的光束提取为红色、绿色和蓝色光束。注意，可以在每个针对每种发光颜色布置的滤色图案之间设置用于抑制像素之间的颜色混合的遮光部分。
下面将参考图5A至5E示例性地描述根据第一实施例的显示设备1的制造方法。在步骤S501中，形成包括诸如写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和保持电容Cs的电路元件的驱动电路层101。驱动电路层101可以通过例如MOS工艺形成。接下来，在驱动电路层101上形成层间绝缘层102。层间绝缘层102可以由诸如氧化硅膜(SiOx)或氧氮化硅膜(SiON)的绝缘膜形成。可以通过CMP方法等使层间绝缘层102的上表面平面化。通过光刻法和干法蚀刻法在层间绝缘层102中的预定位置处形成多个连接端口，并且形成诸如钨(W)的导电材料的膜，使得多个连接端口填充有导电材料。之后，通过CMP方法或回蚀方法处理该膜，形成由导电材料制成的插塞103。
在步骤S502中，在层间绝缘层102上形成由例如钛(Ti)膜、氮化钛(TiN)膜、铝合金膜和钛(Ti)膜形成的堆叠金属膜。堆叠金属膜可以通过例如溅射方法形成。在步骤S503中，通过光刻法和干法蚀刻法使步骤S502中形成的堆叠金属膜图案化，形成连接到插塞103的第一电极110。
在步骤S504中，通过例如等离子体CVD方法，在第一电极110上形成诸如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)的绝缘层作为第一绝缘层121。第一绝缘层121优选地在400℃或更低的温度下形成。
在步骤S505中，可以通过例如高密度等离子体CVD方法，在第一绝缘层121上形成诸如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)的绝缘层作为第二绝缘层122。当通过高密度等离子体CVD方法形成第二绝缘层122时，可以使用例如由氩(Ar)气体引起的溅射反应，对覆盖每个第一电极110的檐形台阶401的第二绝缘层122的上表面的倾斜度进行缓和。也就是说，在第二绝缘层122的一部分的表面上产生的台阶(该台阶覆盖每个第一电极110的侧面上的台阶401)小于在第一绝缘层121的一部分的表面上产生的台阶(该台阶覆盖每个第一电极110的侧面上的台阶401)。
在步骤S506中，通过光刻法和干法蚀刻法使第一绝缘层121和第二绝缘层122图案化，在每个第一电极110上形成包括开口的绝缘膜120。此时，可以同时形成用于将在后续步骤中形成的第二电极140连接到与第一电极110的金属层相同的金属层的连接端口。接下来，进行对其中形成有绝缘膜120的结构进行清洁的清洁步骤，以去除该结构的表面上的异物。在清洁步骤之后，可以进行脱水过程以去除该结构的表面上的水。
在步骤S507中，通过例如真空沉积，可以将诸如空穴注入层131、空穴传输层、发光层和电子传输层(空穴传输层、发光层和电子传输层表示为多层132)的多个有机层依次形成为形成有机发光设备的有机层130。随后，可以通过真空沉积形成第二电极140，而无需从减压气氛向空气开放。当通过真空沉积形成有机层130时，可以使用金属掩模在预定区域中选择性地形成有机层130。在上述步骤S506中，第二绝缘层122优选地形成为包括其中要形成有机层130的区域。
在步骤S508中，例如，通过诸如等离子体CVD方法、溅射方法或ALD方法或其组合的膜形成方法，形成防潮层150以覆盖第二电极140。防潮层150的成膜温度可以设定为等于或低于形成有机层130的有机材料的分解温度的温度(例如120℃)。
在步骤S509中，可以用红色滤光器的材料涂覆防潮层150，并且通过光刻法进行图案化，形成红色滤光器。随后，类似于红色滤光器，依次形成绿色滤光器和蓝色滤光器，形成滤色层170。形成滤色层170的步骤中的处理温度可以设定为等于或低于形成有机层130的有机材料的分解温度的温度(例如120℃)。接下来，通过光刻法和干法蚀刻法形成显示设备1中的端子引出焊盘部分。
下面将参照图6A、6B和7A至7E描述根据本发明第二实施例的显示设备1。注意，作为第二实施例未提及的事项可以依照第一实施例。在图6A中示意性地示出了沿图2中的线C-C'截取的剖面结构，图6B是示出了图6A的一部分的放大图。在第二实施例中，第二绝缘层122布置成填充相邻的第一电极110之间的空间并覆盖第一绝缘层121的第二部分502(下文中也称为低密度部分或含缺陷部分)。第二绝缘层122还具有使绝缘膜120的表面平面化的功能。绝缘膜120可以包括覆盖第一绝缘层121和第二绝缘层122的第三绝缘层123。第三绝缘层123优选地具有高于第二绝缘层122的防潮性和/或绝缘性。与第一实施例类似，有机层130布置在第一电极110和第三绝缘层123(绝缘膜120)上。限定发光区域的开口形成在第一绝缘层121和第三绝缘层123(绝缘膜120)中。
在图6A和6B中所示的布置中，第二绝缘层122布置成由第一绝缘层121和第三绝缘层123整体围绕。代替这种布置，第二绝缘层122可以布置成局部地接触第一电极110的上表面并且被第一电极110的上表面、第一绝缘层121和第三绝缘层123围绕。
下面将示例性地描述各个组件的细节。对于每个子像素，第一电极110是电隔离的。第一电极110还用作反射层。通过提高每个第一电极110的反射率，可以提高发光设备EL的发光效率。每个第一电极110的厚度可以落在例如30nm至1,000nm的范围内。彼此相邻布置的第一电极110之间的间隔可以落在例如100nm至1,000nm的范围内。当h1表示每个第一电极110的上表面与第一绝缘层121的上表面之间的最大高度差，并且h2表示每个第一电极110的上表面与第二绝缘层122的上表面之间的最大高度差时，可以满足h1>h2。
相邻的第一电极110之间的层间绝缘层102的上表面可以具有凹形形状。第一绝缘层121可以布置成覆盖图案化的第一电极110的侧面，同时覆盖相邻的第一电极110之间的层间绝缘层102的凹形上表面。第一绝缘层121可以具有落在例如1nm至100nm的范围内的厚度。例如，第一绝缘层121可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。第一绝缘层121优选地由具有低水分含量的材料制成，因此有机层130不会由于水而劣化。
例如，第二绝缘层122可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或作为涂覆型玻璃材料的SOG(旋涂玻璃)材料制成。优选选择具有低水分含量的材料之一用于第二绝缘层122，因此有机层130不会由于水的影响而劣化。第二绝缘层122可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。第二绝缘层122可以由光敏材料制成。
第三绝缘层123可以布置成接触第一电极110上的第一绝缘层121并覆盖布置在相邻的第一电极110之间的第二绝缘层122的上表面。第三绝缘层123可以具有落在1nm至100nm的范围内的厚度。例如，第三绝缘层123可以由诸如丙烯酸或聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料制成。第三绝缘层123优选地由具有低水分含量的材料制成，因此有机层130不会由于水的影响而劣化。与第二绝缘层122相比，第三绝缘层123优选地由具有高防潮性的材料制成。使用通过第二绝缘层122平面化的表面作为底层来形成第三绝缘层123，并且因此，第三绝缘层123形成为没有密度低于第一绝缘层121的密度的部分。因此，第三绝缘层123的防潮性高于第一绝缘层121的防潮性，并且提供较高的抑制电流泄露的效果。可以布置第一绝缘层121、第二绝缘层122和第三绝缘层123，因此第二绝缘层122不接触有机层130和第二电极140。
下面将参照图7A至7E示例性地描述根据第二实施例的显示设备1的制造方法。注意，将省略对根据第一实施例的显示设备1的制造方法共同的部分的描述。在形成第一电极110之后，在步骤S701中，例如，通过等离子体CVD方法，在第一电极110上形成诸如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)的绝缘层作为第一绝缘层121。第一绝缘层121优选地在400℃或更低的温度下形成。
在步骤S702中，在第一绝缘层121上形成第二绝缘层122。例如，可以通过旋涂或狭缝涂覆用SOG膜涂覆第一绝缘层121，从而用SOG膜填充相邻的第一电极110之间的每个凹部来形成第二绝缘层122。由于SOG膜的下层是第一绝缘层121的表面，因此可以通过抑制诸如在涂覆时膜中的缺陷(空隙)或润湿不均匀性的缺陷来形成SOG膜。为了确保沿着第一电极110的侧面覆盖第一绝缘层121的起伏，SOG膜优选地具有能够充分覆盖第一电极110上的第一绝缘层121的厚度。
在步骤S703中，通过回蚀局部地去除SOG膜，使得每个第一电极110上的第一绝缘层121暴露，并且剩余的SOG膜形成第二绝缘层122。第二绝缘层122使得相邻第一电极110之间的区域平面化。第二绝缘层122可以由SOG膜之外的膜形成。如果通过上述方法在第一电极110之间形成第二绝缘层122，则第二绝缘层122优选地由相对于第一绝缘层121具有大蚀刻选择性的材料制成。
第二绝缘层122可以由光敏有机材料(上述的丙烯酸或聚酰亚胺)制成。在这种情况下，可以通过光刻法在预定位置处形成第二绝缘层122。可以通过印刷方法形成第二绝缘层122。或者，可以通过光刻法和蚀刻法的组合形成第二绝缘层122。可以应用化学抛光(CMP方法)进行平面化。
为了抑制第二绝缘层122中包含的水经由某种途径到达有机层130，优选进行用于去除第二绝缘层122中包含的水的脱水过程。第二绝缘层122的脱水过程和膜形成优选在400℃或更低的温度下进行。
在步骤S704中，通过等离子体CVD方法，在第一绝缘层121和第二绝缘层122上形成诸如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)的绝缘层作为第三绝缘层123。第三绝缘层123优选地在400℃或更低的温度下形成。
在步骤S705中，通过光刻法和干法蚀刻法对第一绝缘层121和第三绝缘层123进行图案化，在每个第一电极110上形成包括开口的绝缘膜120。此时，可以同时形成用于将在后续步骤中形成的第二电极140连接到与第一电极110的金属层相同的金属层的连接端口。后续步骤与第一实施例中的相同。
在第二实施例中，如果覆盖每个第一电极110的侧面的第一绝缘层121包括在第一电极110之间的凹部，则第二绝缘层122在每个第一电极110上形成平面化表面。第一绝缘层121和第二绝缘层122可以用第三绝缘层123覆盖。通过该过程，第一绝缘层121的第二部分(以下也称为低密度部分或含缺陷部分)502(在台阶401附近形成)用第二绝缘层122覆盖，并且也可以用第三绝缘层123覆盖。这种布置抑制了从第一电极110到有机层130经由第一绝缘层121的第二部分502形成电流路径，并抑制水进入有机层130。
下面将参照图8描述根据本发明第三实施例的显示设备1。注意，作为第三实施例未提及的事项可以依照第一实施例。图8示意性地示出了沿图2中的线A-A'截取的剖面结构。在第三实施例中，如图8示意性所示，形成绝缘膜120的第一绝缘层121和第二绝缘层122沿着台阶401具有悬垂形状。有机层130布置在第二绝缘层122上。
在第一绝缘层121中，对形成每个第一电极110的上表面的导电材料层(注入效率调节层113)的侧面进行覆盖的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D1表示。在第一绝缘层121中，覆盖每个第一电极110的反射性金属层112的侧面的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D2表示。在形成第一电极110的多个导电材料层中，注入效率调节层113是形成第一电极110的上表面的一层，和/或侧面突出最多的导电材料层。反射性金属层112布置在注入效率调节层113下方，并且在形成每个第一电极110的多个导电材料层中，是侧面凹陷最多的导电材料层。此外，在第二绝缘层122中，对形成每个第一电极110的上表面的导电材料层(注入效率调节层113)的侧面进行覆盖的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D3表示。在第二绝缘层122中，覆盖每个第一电极110的反射性金属层112的侧面的部分的最大厚度(在与每个第一电极110的上表面平行的方向上的最大厚度)由D4表示。该定义优选满足D3/D4>D1/D2。D3/D4>D1/D2表示通过第二绝缘层122覆盖台阶401的特性优于通过第一绝缘层121覆盖台阶401的特性。
在第三实施例中，形成绝缘膜120的第一绝缘层121和第二绝缘层122沿着台阶401具有悬垂形状。因此，可以使相邻的第一电极110之间的布置成覆盖第二绝缘层122的有机层130的表面区域比第一实施例中的大。因此，根据第三实施例，可以使相邻的第一电极110之间的有机层130的电阻高于第一实施例中的电阻，并且可以降低流过相邻的第一电极110之间的有机层130的漏电流。
如果有机层130的厚度落在10nm至50nm的范围内，则第一绝缘层121的厚度与第二绝缘层122的厚度之和优选地落在20nm至200nm的范围内。第二绝缘层122优选地具有高于第一绝缘层121的防潮性或绝缘性。
第三绝缘层(未示出)或更多个绝缘层可以堆叠在第二绝缘层122上。通过增加形成绝缘膜120的绝缘层的数量，可以降低第二部分502接触有机层130或第二电极140的可能性。还可以减少水进入有机层130。形成第一绝缘层121、第二绝缘层122和第三绝缘层的材料可以相同或不同。
下面将示例性地描述根据第三实施例的显示设备1的制造方法。注意，将省略对根据第一实施例的显示设备1的制造方法共同的部分的描述。在形成第一电极110之后，例如，通过等离子体CVD方法，在第一电极110上形成诸如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)的绝缘层作为第一绝缘层121。第一绝缘层121优选地在400℃或更低的温度下形成。
在第一绝缘层121上形成第二绝缘层122。第二绝缘层122可以通过例如ALD(原子层沉积)方法形成。第二绝缘层122可以由例如氧化硅膜(SiOx)、氧氮化硅膜(SiON)或氮化硅膜(SiNx)形成。通过ALD方法，可以形成具有均匀厚度的第二绝缘层122。第二绝缘层122优选地在400℃或更低的温度下形成。
当通过ALD方法或在400℃或更低的温度下形成膜时，可能需要考虑成膜速率较低。因此，当第一绝缘层121和第二绝缘层122形成绝缘膜120时，有利的是，在较短的节拍时间方面使第一绝缘层121的厚度大于第二绝缘层122的厚度。
接下来，通过光刻法和干法蚀刻法使第一绝缘层121和第二绝缘层122图案化，在每个第一电极110上形成具有开口的绝缘膜120。此时，可以同时形成用于将在后续步骤中形成的第二电极140连接到与第一电极110的金属层相同的金属层的连接端口。后续步骤与第一实施例中的相同。
将参照图9描述根据本发明第四实施例的显示设备1。注意，作为第四实施例未提及的事项可以依照第一实施例。图9示意性地示出了沿图2中的线A-A'截取的剖面结构。根据第四实施例的显示设备1不包括檐形台阶401，而是包括阻挡金属层111中的台阶402。
第一绝缘层121的防潮性优选高于第二绝缘层122的防潮性。另外，第一绝缘层121的防潮性优选高于其自身下的层间绝缘层102的防潮性。这可以延迟或抑制水从层间绝缘层102进入有机层130。第一绝缘层121可以由例如氮化硅制成，并且第二绝缘层122可以由例如氧化硅或氧氮化硅制成。层间绝缘层102可以由氧化硅或氮氧化硅制成。
同样在第四实施例中，第一绝缘层121可包括第一部分501和第二部分(下文中也称为低密度部分或含缺陷部分)502，所述第二部分502的密度低于第一部分501的密度。第二部分502可以在台阶402附近形成。
在第一绝缘层121中的台阶402附近可以通过台阶402产生的变形应力来产生第二部分502。例如，由于显示设备1的制造过程或之后环境温度发生变化而释放变形应力，从而第一绝缘层121的密度局部减小，该部分可以是第二部分502。
第二绝缘层122覆盖第一绝缘层121的第二部分502。第三绝缘层或更多个绝缘层可以堆叠在第二绝缘层122上。通过增加形成绝缘膜120的绝缘层的数量，可以降低第二部分502接触有机层130或第二电极140的可能性。还可以减少水进入有机层130。形成第一绝缘层121、第二绝缘层122和第三绝缘层的材料可以相同或不同。
以下将描述本发明的第五实施例。注意，作为第五实施例未提及的事项可以依照第一实施例。图10示意性地示出了沿图2中的线A-A'截取的剖面结构。在每个子像素21的部件中，用于驱动发光设备EL的写入晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和保持电容Cs形成驱动电路，并且布置在驱动电路层101中。在驱动电路层101中，可以布置对进入写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的杂散光进行阻挡的遮光层。驱动电路层101可以包括半导体基底100，并且写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的有源区可以形成在半导体基底100中。或者，写入晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2可以形成在诸如玻璃基底的绝缘基底上。
层间绝缘层102布置在驱动电路层101上，并且R子像素PR、G子像素PG或B子像素PB的发光设备EL布置在层间绝缘层102上。显示设备1可包括多个第一电极(阳极)110，至少覆盖多个第一电极110中的每个的侧面的绝缘膜120，以及布置在多个第一电极110和所述绝缘膜120上的有机层130。显示设备1可包括布置在有机层130上的第二电极(阴极)140。每个有机发光设备EL由第一电极110、有机层130和第二电极140形成。多个有机发光设备EL被绝缘膜120分开。可以以多个发光设备EL共用的方式设置第二电极140。防潮层150、平面化层160和滤色层170可以布置在发光设备EL上。
第五实施例具有形成绝缘膜120的方法中的特征。例如，绝缘膜120可以由通过高密度等离子体CVD方法形成的氧化硅制成。在通过高密度等离子体CVD方法形成绝缘膜120的方法中，例如，通过等离子体分解作为源气体的SiH4和O2，并且可以在沉积作用和溅射作用彼此竞争的条件下形成绝缘膜120。例如，当偏压功率供应到设置在基底保持件中的偏压电极时，引起溅射作用，所述基底保持件对其上要形成绝缘膜120的对象(包括驱动电路层101、层间绝缘层102和第一电极110的结构(基底))进行支撑。该偏压功率使氩离子碰撞正在形成的绝缘膜120，从而造成正在形成的绝缘膜120发生溅射。
即使相邻的第一电极110之间的空间较窄，上述高密度等离子体CVD方法也有利于形成高质量的绝缘膜120。然而，在高密度等离子体CVD方法中，在第一电极110上形成绝缘膜120的过程的早期阶段，每个第一电极110的表面被氩离子溅射，从而使每个第一电极110的表面粗糙化。如果使每个第一电极110的表面粗糙化，则每个第一电极110的表面的反射率可能降低。当第一电极110的上表面上的温度由于氩离子碰撞第一电极110的表面而突然上升并且第一电极110的上表面由于该温度而发生变形时，每个第一电极110的上表面可能粗糙化。然而，在第一电极110的上表面上形成具有某种程度厚度的绝缘膜120之后，观察到每个第一电极110的上表面几乎不粗糙化的趋势。
因此估计，由热量造成的每个第一电极110的上表面的变形被覆盖第一电极110的上表面的绝缘膜120抑制。如果每个第一电极110的上表面被该热量大幅度地粗糙化，则第一电极110的上表面的反射率的降低是不可忽略的。反射率表示相对于可见光区域中的波长的反射率。为了抑制反射率的降低，例如，每个第一电极110的上表面的最大高度差优选地设定为50nm或更小，并且更优选地，设定为20nm或更小。每个第一电极110的上表面的粗糙度的容许值可以根据第一电极110所需的反射率而改变。
在形成绝缘膜120的至少与每个第一电极110的上表面接触的部分的步骤中，即，形成绝缘膜120的早期阶段，溅射作用被有效地限制为不使每个第一电极110的表面粗糙化。然而，如果在溅射作用受限的条件下形成绝缘膜120，则如图11所例示，绝缘膜120的与每个第一电极110的侧面对应的部分悬垂并且有机层130在该部分中可能变得不连续。形成在有机层130上的第二电极140也可能变得不连续。如果每个第一电极110的侧面上的绝缘膜120的悬垂变得过大，则绝缘膜120也可能变得不连续，并且每个第一电极110和第二电极140可能发生短路。
为了解决以上问题，在第五实施例中，形成绝缘膜120的步骤包括第一步骤，以及在第一步骤之后执行的第二步骤。在第一步骤中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的第一条件下形成绝缘膜120的一部分。在第二步骤中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的第二条件下形成绝缘膜120的另一部分。第一条件下的溅射作用弱于第二条件下的溅射作用。因此，如图12所例示，可以缓和每个第一电极110的侧面附近的绝缘膜120的上表面，以形成连续形状的绝缘膜120。从第一步到第二步的过渡可以适度地或逐步地进行。
用于调节溅射作用程度的参数包括，例如，供应到设置在基底保持件中的偏压电极的偏压功率，该基底保持件对其上要形成绝缘膜120的对象进行支撑，以及供应到成膜室的氩气的流量。在第一示例中，通过设定SiH4气体流量＝105sccm，O2气体流量＝150sccm，并且氩气流量＝240sccm作为成膜条件来调节溅射作用。在第一示例中，如图14A所示，使绝缘膜120发展为具有20nm的厚度，同时将偏压功率保持在0W(第一步)。之后，在绝缘膜120具有65nm的厚度之前，偏压功率从0W线性地增加到1200W(第二步骤)。
在第二示例中，通过设定SiH4气体流量＝105sccm，O2气体流量＝150sccm，偏压功率＝1200W来调节氩气流量从而调节溅射组分。在第二示例中，如图14B所示，通过将氩气流量设定为0sccm，使绝缘膜120发展为具有20nm的厚度(第一步骤)。之后，在绝缘膜120具有65nm的厚度之前，氩气流量从0sccm线性地增加到240sccm(第二步骤)。
在第一示例和第二示例中，每个第一电极110的上表面的粗糙度(每个第一电极110的上表面的高度差)被抑制到最多15nm或更小。另一方面，在形成绝缘膜120的早期阶段进行溅射作用的成膜条件下形成绝缘膜120的比较示例中，每个第一电极110的上表面的粗糙度(每个第一电极110的上表面的高度差)最多为65nm。在第一和第二示例中，与比较示例相比，当形成绝缘膜120时每个第一电极110的反射率提高了7％。
图13A和13B例示了根据第五实施例的在所形成的绝缘膜120中的厚度方向上的位置与这些位置处的氩含量之间的关系。最低位置A处的氩含量最小。高于位置A的位置B处的氩含量大于位置A处的氩含量。高于位置B的位置C处的氩含量大于位置B处的氩含量。注意绝缘膜120的发展按照位置A、B和C的顺序进行。可以通过例如TEM-EDX等分析氩含量的变化。在氩含量在绝缘膜120的厚度方向上连续变化的结构中，在绝缘膜120中没有折射率阶跃，从而可以抑制由绝缘膜120中的非预期的折射造成的杂散光。
作为用于调节溅射作用程度的参数，除了上述参数之外，例如，可以增加在膜形成室中产生的离子密度。例如，可以使第一步骤中的离子密度低于第二步骤中的离子密度。
下面参照图15A和15B描述本发明的第六实施例。第六实施例是第五实施例的变型。作为第六实施例未提及的事项可以依照第五实施例。在第六实施例中，绝缘膜120由第一绝缘层121和第二绝缘层122形成。在第六实施例中，形成绝缘膜120的步骤包括第一步骤，以及在第一步骤之后执行的第二步骤。在第一步骤中，在第一条件下形成作为绝缘膜120的一部分的第一绝缘层121。在第二步骤中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的第二条件下形成作为绝缘膜120的另一部分的第二绝缘层122。在第一条件下，不会发生溅射作用。因此，第一条件下的溅射作用弱于第二条件下的溅射作用。
例如，在第一步骤中，可以使用平行平板型等离子体CVD方法形成氧化硅层作为第一绝缘层121。在第二步骤中，可以通过高密度等离子体CVD方法形成氧化硅层作为第二绝缘层122。与高密度等离子体CVD方法不同，平行平板型等离子体CVD方法是其中不发生溅射作用的成膜方法。在溅射作用较强的条件下形成的膜的氩含量高于在溅射作用较弱的条件下形成的膜的氩含量。因此，第二绝缘层122的氩含量高于第一绝缘层121的氩含量。
在示例中，在第一步骤中，通过平行平板型等离子体CVD方法在CVD装置中形成厚度为40nm的TEOS膜作为第一绝缘层121。此时，可以在400℃或更低的温度下形成TEOS膜作为第一绝缘层121，以防止每个第一电极110的上表面由于热量的影响而粗糙化。形成第一电极110时的温度与形成第一绝缘层121时的温度之差优选设定为低于100℃的值。这可以在形成第一绝缘层121之后抑制热应力(变形应力)，从而容易地保持每个第一电极110的上表面的平滑度。
在平行平板型等离子体CVD方法中，形成第一绝缘层121以覆盖每个第一电极110的上表面和侧面。在使得每个第一电极110的上表面上的第一绝缘层121变薄并充分覆盖每个第一电极110的侧面方面，平行平板型等离子体CVD方法比高密度等离子体CVD方法更有优势。
在第二步骤中，在使用高密度等离子体CVD方法的高密度等离子体CVD装置中，可以形成厚度为25nm的TEOS膜作为第二绝缘层122。在高密度等离子体CVD方法中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的同时，形成第二绝缘层122。使用高密度等离子体CVD方法形成的第二绝缘层122覆盖每个第一电极110的侧面所在的一部分的表面比使用平行平板型等离子体CVD方法形成的第一绝缘层121覆盖每个第一电极110的侧面所在的一部分的表面更光滑。这允许绝缘膜120更可靠地覆盖每个第一电极110的侧面。
如图15A所例示，第一绝缘层121可以形成绝缘膜120的表面的一部分。或者，如图15B所例示，第二绝缘层122可以形成绝缘膜120的表面。例如，在第二步骤中，可以通过调节偏压功率和/或离子密度来调节溅射作用，从而调节绝缘膜120的表面的形状。
下面参照图16描述本发明的第七实施例。第七实施例是第五实施例的变型。作为第七实施例未提及的事项可以依照第五实施例。在第七实施例中，形成绝缘膜120的步骤包括第一步骤，以及在第一步骤之后执行的第二步骤。在第一步骤中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的第一条件下形成绝缘膜120的一部分。在第二步骤中，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的第二条件下形成绝缘膜120的另一部分。第一条件下的溅射作用弱于第二条件下的溅射作用。在第七实施例中，在第一条件和第二条件下，供应到设置在基底保持件中的偏压电极的偏压功率不同，该基底保持件对其上要形成绝缘膜120的对象进行支撑。或者，在第七实施例中，在第一条件和第二条件下，氩气流量不同。
在第一和第二步骤中，在绝缘膜120的上表面上形成两种倾斜(梯度)。下侧的倾斜度表示为倾斜T1，上侧的倾斜表示为倾斜T2。此外，从两个相邻的第一电极110中的一个的倾斜T1与形成在两个相邻的第一电极110之间的绝缘膜120的上表面上的凹部的底面BT1的交叉点到另一个第一电极110的倾斜T1与底面BT1的交叉点的距离表示为宽度W1。从两个相邻的第一电极110中的一个的倾斜T2与形成在两个相邻的第一电极110之间的绝缘膜120的底面BT1的交叉点到另一个第一电极110的倾斜T2与底面BT1的交叉点的距离表示为宽度W2。如上所述，有机层130布置在第一电极110和绝缘膜120上，并且第二电极140布置在有机层130上。凹部可以形成在第二电极140中并且位于在两个相邻的第一电极110之间的绝缘膜120的上表面上形成的凹部上方。第二电极140的凹部的底面BT2的宽度由W3表示。
在高分辨率显示设备1中，第一电极110之间的距离可以较小。这减小了距离W1和W2，并且还可以减小宽度W3。在这种情况下，在第二电极140的凹部中，第二电极的电阻值由于阴影效应而增加。这可以在以共用方式设置到多个子像素的第二电极140中形成不均匀的电压分布，从而造成阴影产生。
在第七实施例中，在第一步骤和第二步骤中形成两种倾斜(梯度)，并且可以增加相邻的第一电极110之间的绝缘膜120的上表面上形成的凹部的底面BT1的平坦部分的宽度W1。这可以增加第二电极140的凹部的底面BT2的宽度W3。也就是说，这可以使第二电极140平面化。因此，可以使第二电极140的电压分布均匀，从而减小阴影。
在示例中，相邻的第一电极110之间的距离可以设定为0.6μm，并且每个第一电极110的厚度可以设定为100nm。绝缘膜120可以由在第一条件下形成而形成倾斜T1的具有40nm厚度的TEOS膜(第一绝缘层)以及在第二条件下形成而形成倾斜T2的具有25nm厚度的TEOS膜(第二绝缘层)形成。此外，有机层130的厚度可以设定为150nm，并且第二电极140的厚度可以设定为15nm。
厚度为40nm的第一绝缘层形成为将倾斜T1设定为70°(梯度＝tan70°)，厚度为25nm的第二绝缘层形成为将倾斜T2设定为50°(梯度＝tan50°)。此时，第二电极140的凹部的底面BT2的宽度W3设定为0.1μm。
另一方面，作为比较示例，当形成厚度为65nm的绝缘膜(其上表面由具有50°倾斜角的单个倾斜表面形成)作为绝缘膜120时，第二电极140的凹部的底面BT2的宽度W3设定为0。即，在比较示例中，由于相邻的第一电极之间的第二电极的部分仅包括倾斜表面，因此产生电阻值变大的问题。
下面参照图17描述本发明的第八实施例。第八实施例是第五至第七实施例的变型。作为第八实施例未提及的事项可以依照第五至第七实施例。在第八实施例中，绝缘膜120由三个或更多个绝缘层形成，所述绝缘层在改变膜形成条件的同时形成。例如，可以使用平行平板型等离子体CVD方法形成第一绝缘层121，可以使用高密度等离子体CVD方法形成第二绝缘层122，并且可以使用平行平板型等离子体CVD方法形成第三绝缘层123。第一至第三绝缘层121、122和123例如由氧化硅制成，但也可以由其他材料制成。或者，第一至第三绝缘层121、122和123中的全部或一些可以由不同材料制成。
在示例中，使用平行平板型等离子体CVD方法形成厚度为30nm的TEOS膜作为第一绝缘层121。使用高密度等离子体CVD方法形成厚度为30nm的TEOS膜作为第二绝缘层122。在与第一绝缘层121相同的条件下，形成厚度为30nm的TEOS膜作为第三绝缘层123。
上述显示设备1可以包含在各种电子装置中。电子装置包括例如相机、计算机、移动终端和车载显示设备。每个电子装置可以包括例如显示设备1和控制显示设备1驱动的控制单元。
将参照图18描述将上述显示设备1应用于数码相机的显示单元的实施例。透镜单元1001是在成像元件1005上形成物体的光学图像的成像光学系统，并且包括聚焦透镜、变焦透镜和光阑。透镜单元1001中的聚焦透镜位置、变焦透镜位置、光阑的开口直径等的驱动由控制单元1009通过透镜驱动设备1002控制。
机械快门1003布置在透镜单元1001和成像元件1005之间，并且其驱动由控制单元1009通过快门驱动设备1004控制。成像元件1005将由透镜单元1001形成的光学图像转换为多个像素的图像信号。信号处理单元1006对从成像元件1005输出的图像信号执行A/D转换、去马赛克处理、白平衡调节处理、编码处理等。
定时发生单元1007将各种定时信号输出到成像元件1005和信号处理单元1006。控制单元1009包括例如存储器(ROM和RAM)和微处理器(CPU)，并通过将存储在ROM中的程序加载到RAM中并使CPU执行该程序来控制单元从而实现数码相机的各种功能。由控制单元1009实现的功能包括自动焦点检测(AF)和自动曝光控制(AE)。
存储器单元1008被控制单元1009或信号处理单元1006使用来临时存储图像数据或作为工作区域。介质I/F单元1010是构造成对记录介质1011执行读/写访问的接口，记录介质1011例如是可拆卸的存储卡。显示单元1012用于显示拍摄图像或数码相机的各种信息。上述显示设备1可应用于显示单元1012。作为显示单元1012安装在数码相机上的显示设备1由控制单元1009驱动，并显示图像或各种信息。操作单元1013包括用户界面，诸如电源开关、释放按钮和菜单按钮，该菜单按钮构造成允许用户对数码相机进行指令或设置。
将描述图像拍摄时数码相机的操作。打开电源时，设置拍摄待机状态。控制单元1009开始使显示单元1012(显示设备1)作为电子取景器操作的运动图像拍摄处理，以及显示处理。如果在拍摄待机状态下输入拍摄准备指令(例如，半按操作单元1013的释放按钮)，则控制单元1009开始焦点检测处理。
控制单元1009基于所获得的散焦量和方向获得透镜单元1001的聚焦透镜的移动量和移动方向，通过透镜驱动装置1002驱动聚焦透镜，并调节成像光学系统的焦点。在驱动之后，可以根据需要，基于对比度评估值进一步执行焦点检测，以精细调整聚焦透镜位置。
之后，如果输入了拍摄开始指令(例如，全按释放按钮)，则控制单元1009执行用于记录的拍摄操作，通过信号处理单元1006处理所获得的图像数据，并将其存储在存储器单元1008中。控制单元1009经由介质I/F单元1010在记录介质1011中记录存储在存储器单元1008中的图像数据。此时，控制单元1009可以驱动显示单元1012(显示设备1)显示拍摄图像。此外，控制单元1009可以将图像数据从外部I/F单元(未示出)输出到诸如计算机的外部设备。
根据本发明，在包括覆盖每个第一电极的侧面的绝缘膜的显示设备中，提供了一种有利于提高绝缘膜质量同时放宽对每个第一电极的构成材料限制的技术。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释以涵盖所有这些修改以及等同的结构和功能。

Claims (26)

1.一种显示设备，包括第一电极、第二电极、布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层、以及构造成至少覆盖每个所述第一电极的侧面的绝缘膜，
所述绝缘膜包括：第一绝缘层，其构造成至少覆盖每个所述第一电极的所述侧面的一部分；以及第二绝缘层，其构造成覆盖所述侧面，所述第一绝缘层布置在所述侧面和所述第二绝缘层之间，并且包括第一部分和第二部分，所述第二部分的密度低于所述第一部分的密度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一部分包括覆盖每个所述第一电极的上表面的周边部分的部分，并且
所述第二部分位于每个所述第一电极的所述侧面的侧部中。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
每个所述第一电极包括多个导电材料，在相对于所述第一电极的上表面的平面视图中，所述多个导电材料层中的至少一层相对于其他导电材料层的侧面突出。
4.根据权利要求3所述的显示设备，所述第一电极设置在层间绝缘膜上方，其中所述第二部分布置在所述至少一层和所述层间绝缘膜的所述上表面之间。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述多个导电材料层包括布置在第一导电材料层下方的第二导电材料层，并且
当D1表示覆盖所述第一导电材料层的所述侧面的所述第一绝缘层的一部分的最大厚度，D2表示覆盖所述第二导电材料层的所述侧面的所述第一绝缘层的一部分的最大厚度，D3表示覆盖所述第一导电材料层的所述侧面的所述第二绝缘层的一部分的最大厚度，并且D4表示覆盖所述第二导电材料层的所述侧面的所述第二绝缘层的一部分的最大厚度时，满足D3/D4>D1/D2。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中所述第一导电材料层的所述侧面是所述多个导电材料层中突出最多的，并且
所述第二导电材料层的侧面是所述多个导电材料层中凹陷最多的。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层布置成填充相邻的第一电极之间的空间并覆盖所述第二部分。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中每个所述第一电极的所述侧面包括台阶，并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿着所述台阶具有悬垂形状。
9.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述第一绝缘层的厚度大于所述第一导电材料层的厚度。
10.根据权利要求1、2中任一项所述的显示设备，其中，
每个所述第一电极包括多个导电材料层，所述多个导电材料层包括第一导电材料层，在相对于所述第一电极的上表面的平面视图中，所述第一导电材料层的侧面在所述多个导电材料层中突出最多，并且
所述第一绝缘层的厚度大于所述第一导电材料层的厚度。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的显示设备，其中，所述绝缘膜包括第三绝缘层，所述第三绝缘层构造成覆盖所述第二绝缘层。
13.一种显示设备，包括第一电极、第二电极、布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层、以及构造成至少覆盖每个所述第一电极的侧面的绝缘膜，
所述绝缘膜包括：第一绝缘层，其构造成覆盖每个所述第一电极的所述侧面的至少一部分；以及第二绝缘层，其构造成覆盖所述侧面，
其中，所述第二绝缘层的氩含量高于所述第一绝缘层的氩含量。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，
每个所述第一电极包括多个导电材料层，所述多个导电材料层包括第一导电材料层，在相对于所述第一电极的上表面的平面视图中，所述第一导电材料层的侧面在所述多个导电材料层中突出最多，并且
所述第一绝缘层的厚度大于所述第一导电材料层的厚度。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
16.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述绝缘膜包括第三绝缘层，所述第三绝缘层构造成覆盖所述第二绝缘层。
17.一种电子装置，包括：
权利要求1至16中任一项所限定的显示设备；和
控制单元，其构造成控制所述显示设备。
18.一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，该方法包括：
形成绝缘膜以至少覆盖每个所述第一电极的侧面，
形成所述绝缘膜包括：形成所述绝缘膜的一部分，并在形成所述一部分之后，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的条件下形成所述绝缘膜的另一部分，
其中，在形成所述一部分时的溅射作用弱于在形成所述另一部分时的溅射作用。
19.根据权利要求18所述的方法，其中在形成所述一部分时，在沉积作用和溅射作用彼此竞争的条件下形成所述绝缘膜的所述一部分。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，
在形成所述一部分时，在向设置在基底保持件中的偏压电极提供第一偏压功率的同时形成绝缘膜的所述一部分，该基底保持件构造成保持包括第一电极的结构，
在形成所述另一部分时，在向偏压电极供应第二偏压功率的同时形成所述绝缘膜的所述另一部分，并且
第一偏压功率小于所述第二偏压功率。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述一部分时的离子密度低于形成所述另一部分时的离子密度。
22.根据权利要求18所述的方法，其中在形成所述一部分时供应到膜形成室的氩气的流量低于在形成所述另一部分时供应到所述膜形成室的氩气的流量。
23.根据权利要求18所述的方法，其中在形成所述一部分时使用平行平板型等离子体CVD方法，并且在形成所述另一部分时使用高密度等离子体CVD方法。
24.根据权利要求18所述的方法，其中在形成所述一部分时，所述绝缘膜的所述一部分在不高于400℃的温度下形成。
25.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述一部分时形成的所述绝缘膜的所述一部分的倾斜度大于在形成所述另一部分时形成的所述绝缘膜的所述另一部分的倾斜度。
26.一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，该方法包括：
形成绝缘膜以至少覆盖每个所述第一电极的侧面，
形成所述绝缘膜包括：在CVD装置中形成所述绝缘膜的一部分，并在形成所述一部分之后，在高密度等离子体CVD装置中形成所述绝缘膜的另一部分。
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